Celule solare multijonctiune

Celulele solare multijonctiune exista in doua configuratii (vezi figura de mai jos): in paralel
(stanga) sau in serie/tandem (dreapta). Pentru a avea performante bune, ca si in cazul celulelor
solare cu straturi subtiri cu heterojonctiune, toate straturile trebuie sa aiba structuri
cristaline/constante de retea similare. In caz contrar, discontinuitatile in constanta de retea duc
la defecte sau dislocatii la interfata, care sunt centre predilecte de recombinare.

In configuratia in paralel, numita si tandem multi-terminal, fiecare celula solara poate

fi optimizata independent, dar sistemul in totalitate este mai complicat. De aceea, se folosesc
in special celulele solare in serie/tandem, care constau din diferite celule solare cu jonctiuni pn plasate unele dupa altele, fiecare utilizand o parte a spectrului si lasand sa treaca cealalta
parte. Celulele solare traversate primele de fotoni au o banda interzisa mai mare, care scade
progresiv in celulele urmatoare (vezi figura de mai jos).

In celulele solare tandem curentul la iesire este limitat de cel mai mic curent produs in
jonctiunile individuale, iar tensiunile produse de celulele individuale se aduna. De aceea,
celula solara trebuie astfel proiectata incat fiecare jonctiune sa produca acelasi fotocurent.

Eficienta de conversie creste cu numarul celulelor. In figura de mai jos, care foloseste
doua celule solare cu jonctiuni p-n din materiale cu E g = 1.6 eV, respectiv 0.9 eV, eficienta
de conversie calculata cu teoria Shockley-Queisser este de 45%. Aceasta este eficienta
maxima pe care o poate atinge o celula solara tandem cu doua jonctiuni. Eficienta maxima
pentru o celula solara tandem cu trei jonctiuni este de 51%, si se obtine in materiale cu benzi
interzise de 1.8 eV, 1.2 eV si 0.7 eV, aceasta eficienta crescand pana la 54% pentru o celula
solara tandem cu patru jonctiuni, respectiv 66% pentru un numar infinit de jonctiuni care sa
acopere tot spectrul solar. Evident, daca se folosesc concentratori, eficienta celulelor solare
creste. De exemplu, daca intensitatea luminii creste de 100 ori, eficienta unei singure jonctiuni
creste la 40%, iar cea a unui numar infinit de jonctiuni atinge 86%.
Celulele solare multijonctiune in configuratie tandem se fabrica din a-Si/-Si (Si
amorf/Si microcristalin), semiconductori organici sau anorganici, de exemplu compusi III-V.
Cea mai mare eficienta in celulele solare cu doua jonctiuni s-a obtinut in compusi III-V. De
exemplu, in configuratie tandem s-a obtinut o eficienta de conversie de 30.3% la AM1.5G la 1
soare in structura In0.49Ga0.51P/GaAs, in care ambele materiale au o constanta de retea de 5.64
, si o eficienta de 32.6% la AM1.5D la 1000 sori (30% la 500 sori) pentru GaInP2/GaAs. In
configuratia in paralel, cu 4 terminale, cea mai mare eficienta pentru celulele solare cu doua
jonctiuni, de 32.6% la AM1.5D la 100 sori, s-a obtinut pentru structura GaAs/GaSb.
In figurile de mai jos sunt date doua exemple de materiale folosite in celule solare
tandem cu trei jonctiuni; observati modul optim de folosire a radiatiei solare. Eficienta de
conversie maxima obtinuta experimental intr-o structura GaInP2/GaAs/Ge este de 32% pentru
1 soare si 40.7% pentru 135 sori, eficienta medie in aceeasi structura pentru 1 soare fiind de
28%. Cu ajutorul unei astfel de structuri se produc in prezent 370 kW/m2 in spatiu.
Experimental, numarul jonctiunilor ajunge pana la 6, cresterea epitaxiala a heterostructurilor
fiind costisitoare si inceata.

Dupa cum am precizat mai sus, celula solara tandem trebuie proiectata astfel incat
fotocurentul generat de celulele solare individuale sa fie acelasi. Fotocurentul depinde atat de
numarul fotonilor incidenti cu energie mai mare decat E g cat si de coeficientul de absorptie,
respectiv de grosimea stratului. In structura cu trei jonctiuni GaInP2/GaAs/Ge, de exemplu,
aceasta cerinta impune ca stratul de Ge sa fie mai gros decat celelalte straturi deoarece
coeficientul de absorptie al Ge este mai mic. Grosimea straturilor pentru aplicatii terestre
poate sa varieze fata de grosimea pentru aplicatii spatiale (spectrul solar este diferit)!
Observatie: Fotocurentul la o celula multijonctiune tandem este in general mai mic decat cel
obtinut la o celula solara cu o singura jonctiune pentru ca aceiasi fotoni sunt colectati de mai
multe jonctiuni.
In prezent, se doreste obtinerea unor eficiente de conversie de peste 35% in celule
multijonctiune tandem, eventual cu concentratori. De exemplu, eficienta maxima a structurii
InGaP2/(In)GaAs/Ge este de 37.3% la 175 sori. Substratul de Ge este flexibil pentru
grosimi mai mici de 100 m. Eforturile actuale se indreapta spre gasirea unor materiale
semiconductoare cu E g = 1 eV sau 1.25 eV. Motivul este ca Ge in structura GaInP2/GaAs/Ge
absoarbe o proportie mai mare din fotonii spectrului solar decat in cazul ideal, de egalitate a
curentului in cele trei straturi (vezi figura de mai jos). Daca s-ar inlocui stratul de GaAs cu un
material cu E g = 1.25 eV, de exemplu, al doilea strat ar genera un curent mai mare, lasand
mai putini fotoni sa treaca in Ge (vezi figura de mai jos). In acest caz, primul strat ar putea sa
creasca in grosime pentru a avea un curent/putere mai mare.

Alternativ, daca primele doua straturi intr-o structura cu trei jonctiuni sunt
(Al)InGaP/GaAs, E g optim pentru celula de jos este 1 eV (vezi figura de mai jos). De
exemplu, in structura AlInGaP(1.9 eV)/GaAs(1.4 eV)/1.0 eV eficienta de conversie maxima
este de 55% la 1000 sori, fata de 50.1% obtinuta daca ultimul strat este din Ge. GaInNAs este
un exemplu de material cu aproximativ aceeasi constanta de retea ca si GaAs si cu E g = 1 eV.

Pentru a creste si mai mult eficienta de conversie, se poate introduce un material cu

E g = 1 eV intre GaAs si Ge, obtinandu-se o structura cu patru jonctiuni (vezi figurile de mai
sus). Eficienta de conversie in acest caz ar fi de 60.9% la 1000 sori (47.7% la 1 soare,
AM1.5G).

Spectrul solar poate fi acoperit optim progresiv, crescand numarul de jonctiuni, ca in

exemplul de mai sus. De fiecare data cand un strat este inlocuit cu doua straturi fotocurentul
in celulele solare individuale scade (numarul de fotoni absorbiti in fiecare strat scade), dar Vcd

creste, astfel incat eficienta de conversie a structurii tandem creste. Eficienta cuantica externa
a structurilor tandem de mai sus cu 3 jonctiuni, respectiv 5 jonctiuni, sunt reprezentate in
figurile de mai jos stanga, respectiv dreapta.

Dupa cum se poate vedea si din figura de mai jos, stanga, pentru conectarea celulelor
solare in serie este nevoie de jonctiuni tunel bune. O jonctiune tunel este o jonctiune in care
electronii trec prin bariera de potential care se formeaza la interfata dintre doua straturi prin
fenomenul de tunelare (trecerea printr-o bariera ingusta a electronilor cu energie fixa, mai
mica decat bariera de potential; vezi figura de mai jos, dreapta). Astfel de jonctiuni asigura un
transfer rapid al purtatorilor de sarcina dintr-o celula solara solara in alta.

V2

V1
V3
x=0

x=L

Intr-o configuratie tandem, daca celulele solare individuale nu au acelasi fotocurent,

structura opereaza departe de punctul de putere maxima, ceea ce duce la pierderi mari.

Deoarece celulele multijonctiune tandem au o sensibilitate spectrala mai mare, pierderile

datorita inegalitatii curentilor din celulele solare individuale pot interveni din cauza
schimbarilor naturale in spectrul solar (anotimpuri, ora din zi), care schimba absorptia relativa
in subcelule.
Un exemplu de celula tandem cu doua jonctiuni optimizata din filme subtiri de Si
amorf (a-Si) si microcristalin (-Si) este ilustrat in figura de mai jos, stanga, spectrul de
absorptie al celor doua celule individuale, precum si a structurii tandem fiind reprezentat in
figura de mai jos, dreapta.

In acest exemplu captarea luminii se realizeaza crescand structura pe un substrat structurat, pe

care lumina se imprastie, si astfel creste drumul efectiv al luminii prin filmul absorbant. In
cazul de mai sus, captarea luminii trebuie sa se realizeze intre 600 si 750 nm pentru celula
amorfa de sus, si intre 800 si 1100 nm pentru cea microcristalina de jos. Pentru Si amorf
captarea luminii are si alt rol: degradarea produsa de lumina se poate minimiza in straturi mai
subtiri, pe cand in Si microcristalin, captarea imbunatateste absorptia luminii (materialul are
benzi de energie indirecte). Suprafetele structurate pot fi si electrozii, in structuri de tip p-i-n
sau n-i-p; structura de mai sus este n-i-p/n-i-p. Pentru celule din Si amorf, inaltimea corugatiei
trebuie sa fie intre 50 si 90 nm, iar dimensiunea laterala a corugatiei intre 300 si 500 nm.
Pentru celulele din Si microcristalin, dimensiunea laterala a corugatiei trebuie sa se situeze
intre 1000 si 1400 nm, iar inaltimea trebuie sa fie comparabila cu cea din Si amorf. In
structura tandem, pentru a optimiza structurarea substratului pentru ambele celule, se
introduce un strat intermediar reflector asimetric din ZnO intre cele doua celule, care creste
capturarea luminii in celula solara amorfa de sus. Aceste strat este notat AIR (asymmetric
intermediate reflector) in figura de mai sus, si are ca rol cresterea eficientei cuantice externe a
celulei de Si amorf. Structura tandem de mai sus a fost crescuta pe un substrat flexibil din

polietilena, care este structurat periodic inaintea cresterii straturilor de Si. In structuri tip n-i-p
grosimea stratului i trebuie sa fie sub 2.5 m in stratul -Si pentru a evita pierderile prin
recombinare, si sub 300 nm in stratul a-Si pentru a limita degradarea indusa de lumina.
O structura tandem cu trei jonctiuni pe baza de Si necristalin este ilustrata in figura de
mai jos, stanga, spectrul de absorptie al celor trei straturi fiind reprezentat in dreapta.
Observati folosirea unui strat reflector metalic, care reflecta lumina care traverseaza structura,
crescand in acest fel drumul parcurs de fotoni, deci absorptia luminii. Eficienta de conversie
in acest caz este de 710%.

Configuratii emergente de celule solare

Configuratiile de celule solare prezentate pana acum, desi nu sunt usor de fabricat sau ieftine,
nu pun probleme tehnologice deosebite. Configuratiile emergente de celule solare se bazeaza
fie pe structuri semiconductoare de dimensiuni nanometrice in care nivelele energetice ale
electronului sunt discrete, in loc sa fie continue, ca in materiale cristaline, fie pe plasmoni.

Puncte, fire si gropi cuantice. Superlatici

Am intalnit structuri semiconductoare in care nivelele electronice sunt discrete, mai exact
puncte cuantice, cand am discutat despre nanoparticule de TiO2 in legatura cu celulele solare
sensibilizate cu coloranti. Reamintim ca intr-o particula nanocristalina cu dimensiuni Lx , L y
si L z , electronul este localizat in regiunea cu energie potentiala minima/in nanoparticula, iar

spectrul sau energetic nu mai este format din benzi permise si interzise, ca in cristale, ci din
nivele discrete (vezi figura de mai jos), date de

D0D
z
y
x

E111

h2
E (k x , k y , k z ) = Ec +
2m n

p
h2

+
2m n
Lx

E112

L
y

E113

+ h

2m n

Lz

= E pqr

un p, q, r sunt numere intregi. Aceste nivele discrete se obtin din ecuatia Schrdinger
satisfacuta de electronii din material. Un spectru discret de energii este similar cu cel intalnit
in atomi sau molecule. O nanoparticula este numita punct cuantic daca nivelele discrete de
energie pot fi observate, adica daca diferenta intre doua nivele energetice discrete este mai
mare decat energia de vibratie termica, k B T . Aceasta implica h 2 2 / 2mn L2x , h 2 2 / 2m n L2y ,
h 2 2 / 2mn L2z > k B T , sau Lx , L y , L z < h 2 2 / 2mn k B T .
Intr-un punct cuantic electronul nu se poate misca/este localizat in punct. Exista si
structuri in care miscarea electronului este permisa doar de-a lungul unei directii (fire
cuantice) sau intr-un plan (gropi cuantice). Spre deosebire de aceste structuri, intr-un material
omogen cristalin electronul se poate misca liber pe toate cele trei directii spatiale, iar
dependenta energiei de vectorii de unda k din prima zona Brillouin este (vezi partea I a
cursului) este data de
E ( k ) = E c + h 2 k 2 / 2m n = E c + h 2 ( k x2 + k y2 + k z2 ) / 2m n

unde Ec este marginea inferioara a benzii de conductie si mn masa efectiva a electronilor.

Intr-un fir cuantic ca cel din figura de mai jos, stanga, cu dimensiuni L y , L z pe directiile de
confinare, electronii din banda de conductie se pot misca doar de-a lungul directiei x si relatia
de dispersie se exprima ca

h2
E (k x , k y , k z ) = E c +
2m n

2
p

+ h
Ly
2m n

Lz

h 2 k x2
h 2 k x2
+
= E s , pq +
2m n
2m n

cu p, q numere intregi. Ca si in punctul cuantic, intr-un fir cuantic diferenta intre nivelele
discrete adiacente ale electronului trebuie sa fie mai mare decat k B T , adica L y ,
L z < h 2 2 / 2m n k B T .

D2D

D1D

z
z

Es,11

Es,12

Es,13

Ec Es,1

Es,2

Es,3

Analog, intr-o groapa cuantica ca cea din figura de mai sus, dreapta, electronii se
misca liberi de-a lungul directiilor x si y si relatia de dispersie este

h2
E (k x , k y , k z ) = Ec +
2m n

p
h2
h2
2
2

+
(k x + k y ) = E s , p +
(k x2 + k y2 )
2m n
2m n
Lz

cu p intreg, iar aceste nivele discrete de energie sunt observabile daca latimea gropii de
potential satisface relatia L z < h 2 2 / 2mn k B T . In figurile de mai sus cu linii rosii sunt
reprezentate densitatile de stari in punctul cuantic (in care electronul nu se poate misca liber
pe nici o directie), in firul cuantic (in care miscarea electronilor este uni-dimensionala), si in
groapa cuantica (in care electronii se misca bidimensional). De asemenea cu linie verde in
figura de mai sus, dreapta, este reprezentata densitatea de stari intr-o retea cristalina in care
electronul se misca tridimensional, data de D3 D ( E ) = D( E ) = [(2mn )1 / 2 / 4 2 h 3 ]( E E c )1 / 2
(vezi prima parte a cursului).
In gropi cuantice, fire cuantice sau puncte cuantice, regiunea in care miscarea
electronului este permisa se numeste groapa de potential, iar regiunea in care aceasta miscare
este interzisa este numita bariera de potential. Trebuie remarcat ca, intr-o structura cuantica
(groapa, fir sau punct) are loc o discretizare similara si pentru nivelele de energie ale golurilor

din banda de valenta, iar excitarea unui electron din banda de valenta in cea de conductie in
urma absorptiei unui foton este posibila doar pentru energii ale fotonului E mai mari decat E g
in materialul din care este formata groapa de potential, si care depind de latimea gropii de
potential si inaltimea barierei de potential (vezi figura de mai jos, dreapta). Mai precis,
tranzitia electronului din banda de valenta, cu margine superioara Ev in banda de conductie
cu margine inferioara Ec are loc intre nivele discrete in groapa de potential. In cristale
omogene excitarea corespunzatoare a unui electron are loc daca energia E a fotonului incident
este egala cu E g (vezi figura de mai jos, stanga). Gropile, firele si punctele cuantice se
numesc generic structuri mezoscopice, deoarece au dimensiuni de ordinul nanometrilor, intre
cele microscopice (ale moleculelor) si cele macroscopice.

Ec
Ec
E

Eg

Eg

Ev

Ev
bariera de groapa de bariera de
potential potential potential

Tema: Presupunem ca intr-o groapa cuantica E g = 0.8 eV, si ca masele efective ale
electronilor si golurilor sunt 0.5m0 si, respectiv, 0.8m0 , unde m0 este masa electronului
liber. Care este energia minima a fotonilor absorbiti daca latimea gropii de potential este a) 5
nm, b) 10 nm? Care sunt valorile urmatoarelor praguri de absorbtie?
In tabelul si figura de mai jos sunt prezentate exemple de dependenta a energiei
minime a fotonilor absorbiti (notata cu E g ) si a absorptiei in nanoparticule de CdSe de
diametrul acestora. In tabelul de mai jos este timpul de viata al purtatorilor. Se observa ca,
scazand dimensiunea particulelor, absorptia se deplaseaza spre lungimi de unda mai mici
(energii mai mari) si fotonii din vizibil sunt absorbiti mai putin. Timpul de viata al purtatorilor
este mai mare in nanoparticule cu dimensiuni mai mici deoarece scade numarul proceselor de
recombinare, pentru ca exista mai putini purtatori de sarcina in aceste nanoparticule.

Spectrul de absorptie depinde de diametrul nanoparticulelor datorita relatiilor date mai sus
intre energia electronilor si dimensiunile gropii de potential. Culorile solutiilor care contin
nanoparticule cu diferite diametre sunt de asemenea diferite.
Observatie: Datorita apropierii spatiale intre electronii si golurile confinate intr-o groapa de
potential interactia electrostatica Coulomb este mare si in urma absorptiei unui foton se
genereaza, in general, excitoni si nu perechi electron-gol libere.
Cand mai multe gropi cuantice, fire cuantice sau puncte cuantice sunt apropiate,
electronii pot trece dintr-o structura in alta daca au o energie (termica) suficienta pentru a
trece peste bariera de potential. O structura care consta din mai multe gropi cuantice
apropiate, de exemplu, se numeste MQW (multiple quantum well), gropile cuantice
neinfluentandu-se reciproc. Daca apropierea dintre gropile cuantice este foarte mica, astfel
incat miscarea electronilor intr-o groapa este influentata de prezenta/potentialul celeilalte
gropi, si gropile cuantice sunt aranjate periodic, se creaza o superlatice. In acest caz,
electronul trece dintr-o groapa cuantica in alta prin fenomenul de tunelare, adica de trecere
(cuantica) a electronului printr-o bariera de potential, fenomen ce nu este posibil pentru o
particula clasica. In astfel de gropi cuantice identice cuplate, electronii de conductie simt un
potential care variaza periodic cu o periodicitate care nu mai este la scara atomica, de cativa
Angstromi, ci la scara de cativa nanometri. Periodicitatea energiei potentiale impune (ca si in
materialele omogene, unde periodicitatea este cea a cristalului) formarea benzilor de energie
permise si interzise (vezi prima parte a cursului), cu pozitii si latimi care depind de forma

exacta a potentialului periodic si care pot fi controlate prin grosimea si inaltimea bariereri de
potential. Superlaticea este un cristal artificial.
In figurile de mai jos este reprezentata diferenta intre nivelele electronilor si golurilor
in MQW si in superlatici, indicii w si b referindu-se la gropi (well) si bariere (barriers) de
potential. In superlatici, straturile au grosimi de 10-50 nm.

Folosirea structurilor mezoscopice in celule solare conventionale

Structurile mezoscopice pot fi folosite pentru imbunatatirea performantelor celulelor solare
conventionale (a celor tratate anterior) sau pot sta la baza unor celule solare specifice. In
aceasta sectiune ne referim la primul caz, cel de-al doilea facand obiectul sectiunilor
urmatoare.
Un exemplu tipic de crestere a eficientei de conversie a celulelor solare prin folosirea
ca absorbant a gropilor cuantice in GaAs/AlGaAs este prezentat in figura de mai jos, stanga.
Remarcati cresterea semnificativa a fotocurentului (de cateva ori), in timp ce scaderea
tensiunii la circuit deschis este moderata. In figura de mai jos, dreapta, este ilustrata cresterea
absorptiei in materialul organic CuPc depus in strat foarte subtire, prin introducerea
nanoparticulelor de Ag.

Punctele cuantice din CdSe, care au avantajul ca banda interzisa E g este tunabila, sunt
folosite de asemenea in celule solare sensibilizate, in locul colorantilor pe baza de Ru. In
figura de mai jos, stanga, este prezentat spectrul de absorptie al punctelor cuantice cu diferite
diametre, in timp ce in dreapta este comparata caracteristica I V la 1 soare, pentru un
electrod din TiO2 nanostructurat sensibilizat cu puncte cuantice din CdSe cu diametrul de 2.8
nm, folosind diverse molecule de legatura intre CdSe si TiO2: MPA (acid mercaptopropionic)
si cisteina. Din acest exemplu se observa ca moleculele de legatura influenteaza eficienta de
conversie a celulelor solare sensibilizate cu coloranti.

Schema tranzitiilor induse de absorptia luminii intr-o celula solara sensibilizata cu

puncte cuantice din InP este prezentata in figura de mai jos. Observati ca banda interzisa in
punctele cuantice poate fi variata intr-un interval mare prin controlul diametrului. In acest fel
performantele acestor celule solare pot fi optimizate prin folosirea unor coloranti cu coeficient
de absorptie mare si care sa aiba in acelasi timp o banda interzisa in domeniul spectral dorit.

In acelasi scop, de crestere si tunare a absorptiei in celule solare, punctele cuantice pot
fi dispersate in matrici de polimeri semiconductori organici. De exemplu, puncte cuantice de
CdSe pot fi introduse in polimerul conductor de goluri MEH-PPV (poly(2-methoxy,5-(2ethyl)-hexyloxy-p-phenylenevinylene). Fotoexcitarea purtatorilor are loc in punctele cuantice,
golurile fiind apoi injectate in MEH-PPV si colectate prin contacte electric in faza polimera
MEH-PPV. Electronii raman in punctele cuantice si sunt colectati prin difuzie si percolare in
faza nanocristalina la un contact electric in reteaua de puncte cuantice. Alternative: strat
policristalin TiO2 ca faza conductoare de electroni, MEH-PPV pentru conductie de goluri;
electroni si goluri injectate in straturlei respective dupa fotoexcitare. Sau (vezi figura de mai
jos) punctele cuantice pot fi dispersate intr-o mixtura de polimeri conductori de electroni si
goluri. Fiecare tip de polimer are un contact electric selectiv care extrage purtatorii de sarcini
respectivi. Problema in astfel de celule solare este prevenirea recombinarii electron-gol la
interfetele dintre polimerii din mixtura. In figura se arata (vom reveni mai tarziu) si ca in
punctele cuantice eficienta de conversie poate creste si prin fenomenul de ionizare prin
impact, care produce mai multe perechi electron-gol in urma absorptiei unui foton.

Raspunsul spectral al structurilor mezoscopice depinde nu doar de diametrul ci si de

lungimea acestora. Un exemplu in acest sens este prezentat in figura de mai jos si se refera la
o celula solara hibrida polimeri-nanofire semiconductoare, intre P3HT si CdSe. Prin controlul
lungimii nanofirelor se schimba distanta pe care se transporta electronii direct prin celula
solara, in timp ce prin controlul benzii interzise (prin variatia razei nanofirului) se realizeaza
optimizarea suprapunerii intre spectrul de absorptie al celulei solare si spectrul solar. In cazul
celulei solare de mai jos P3HT este acceptor de goluri, CdSe este acceptor de electroni (vezi
figura de mai jos, primul rand, dreapta), CdSe si P3HT avand spectre de absorptie
complementare. Absorptia celulei are loc intre 300 si 720 nm, nanofirele de CdSe cu o
lungime de 60 nm incepand sa absoarba la 650 nm daca au diametrul de 3 nm, si de la 720 nm
daca diametrul este de 7 nm. Daca fotonul este absorbit de P3HT electronii excitati in
nanocristal ajung la electrod direct, polimerul PEDOT:PSS avand rolul de a conduce golurile
la electrodul opus. Eficienta externa a unei astfel de celule este de 54% la AM1.5, eficienta de
conversie a puterii fiind doar de 1.7% ( Vcd = 0.7 V, FF = 0.4). Tensiunea la circuit deschis

Vcd este determinata de diferenta intre lucrul de extractie al electrozilor (PEDOT:PSS si Al) si
de diferenta intre cel mai de jos nivel liber in nanofirul de CdSe si HOMO in P3HT. In
nanocristale, in plus, coeficientul de absorptie creste fata de materialul omogen si deci se pot
face dispozitive mai subtiri, in care pierderile prin recombinare scad.

Dupa cum se observa si in figura de mai sus, stanga, eficienta cuantica externa este
mai mare in cazul nanofirelor in comparatie cu punctele cuantice, pentru ca nanofirele ofera
drumuri mai lungi pentru transport electric (transportul electronilor este impiedicat de
barierele de potential la interfetele nanofir/polimer si eficienta de colectare a celulelor solare
este cu atat mai mare cu cat numarul de interfete scade). Eficienta cuantica externa descrie
numarul de electroni colectati per foton incident (fara corectii pentru pierderi de reflexie). In
retele din nanoparticule mai scurte, electronii sunt transportati prin hoping, pe cand in cele
mai lungi domina conductia de banda.
Un exemplu de folosire a superlaticilor in celule solare este celula solara
multijonctiune tandem prezentata mai jos, care consta dintr-o succesiune de trei jonctiuni in Si
amorf in care benzile interzise diferite sunt formate intre nivele permise din benzile de valenta
si conductie in cele trei regiuni constand din superlatici cu perioade si inaltimi ale barierelor
de potential diferite.

Celule solare Schottky din filme nanocristaline coloidale

La celulele solare organice am vazut ca este posibila (desi ineficienta) conversia in
electricitate a energiei solare intr-un singur strat polimeric plasat intre contacte asimetrice/cu
lucru de extractie diferit. O astfel de configuratie simpla, metal/nanocristale/metal se poate
implementa si cu nanocristale coloidale (de PbSe in figura de mai jos), cu o eficienta cuantica
externa mult mai mare, insa.

Fotocurentul mare din aceasta celula solara, reprezentat in figura de mai sus, stanga, de 24.5
mA/cm2, se datoreaza jonctiunii Schottky la electrodul polarizat negativ care separa purtatorii
fotogenerati. Eficienta cuantica externa (vezi figura de mai sus, dreapta) este de 55-65% in
vizibil si 25% in infrarosu la AM1.5G, eficienta de conversie a puterii fiind de 2.1% pentru

Vcd = 239 mV si FF = 0.41. Vcd depinde liniar de inaltimea barierei de potential

e B = E g e( m ) , unde m este lucrul de extractie al metalului si este afinitatea
electronica a semiconductorului, si scade cu cresterea lucrului de extractie al metalului. De
asemenea, tensiunea la circuit deschis este mai mica in dispozitive mai groase deoarece apar
mai multe recombinari.

In dispozitive mai groase fotonii albastri, care sunt absorbiti la inceputul celulei contribuie
mai putin la fotocurent decat fotonii rosii, care penetreaza mai adanc, langa regiunea activa.
Aceasta regiune activa are grosime mica deoarece lungimea de difuzie a excitonilor este mica,
de 100 nm. In celulele solare groase creste si rezistenta serie datorita cresterii distantei de
transport si a suprafetelor mai rugoase, dar rezistenta shunt nu se schimba semnificativ cu
grosimea (creste doar putin). In figura de mai sus este dat un exemplu al dependentei tensiunii
la circuit deschis de diametrul nanocristalelor coloidale, respectiv de largimea benzii interzise
in aceste nanocristale (stanga), si de lucrul de extractie al metalului (dreapta).

Celule solare cu banda intermediara

Un tip de celula solara care se bazeaza pe o succesiune de gropi de potential, cuplate sau nu,
este celula solara cu banda intermediara, care este pozitionata intre banda de valenta si banda
de conductie a unui semiconductor si care creste absorptia fotonilor cu energii mici (fotoni cu
energii egale cu diferenta intre benzile de conductie, respectiv valenta, si banda intermediara,
adica cei rosii si verzi in figura de mai jos) fara a reduce banda interzisa a dispozitivului si
deci tensiunea fotovoltaica. Electronii pot fi excitati in banda de conductie fie intr-un singur
proces de absorptie (in urma caruia un electron trece din banda de valenta in cea de conductie
absorbind un foton violet in figura de mai jos), sau prin combinatia a doua procese, care
implica absorptia a doi fotoni de energie mai mica (rosii si verzi) in urma caruia electronul
trece din banda de valenta in cea intermediara, apoi din banda intermediara in cea de valenta.

conduction band
intermediate band

valence band

Celula solare cu banda intermediara este principial similara cu celula solara multijonctiune
tandem (ambele impart spectrul solar si il convertesc in electricitate utilizand mai multe benzi
interzise) si are aceeasi eficienta de conversie maxima estimata, de 86%.

Intr-o astfel de celula solara banda intermediara se formeaza intr-o superlatice de gropi
cuantice sau intr-o structura de tip MQW (o succesiune de gropi cuantice necuplate). In
ultimul caz (vezi figura de mai sus, in configuratie p-i-n) purtatorii de sarcina sau excitonii
generati in urma absorptiei unui foton cu energie Ea sau E , ambele mai mici decat E g ,
putand trece termic in banda de conductie (pentru electroni) si banda de valenta (pentru
goluri) unde devin delocalizati (liberi sa se miste in toata structura si nu confinati doar in
groapa de potential) si contribuie la fotocurent. In aceasta celula solara Vcd este controlata de
recombinarea in materialul omogen/bulk (in bariere), si am absorptie suplimentara in gropi
cuantice. In comparatie cu o jonctiune p-n din materialul barierei, tensiunea la circuit deschis
este aceeasi, dar curentul de scurtcircuit creste, deci eficienta creste. Intr-o structura din GaAs
cu MQW din InGaAs/GaAs, eficienta maxima estimata este de 63% la 46000 sori.

Alternativ, groapi cuantice se pot forma doar intr-o singura banda (banda de conductie
in figura de mai sus, stanga), electronii putand fi excitati in banda de energie cea mai inalta fie
intr-un singur proces (procesul 1), sau prin combinatia a doua procese, care implica absorptia
a doi fotoni de energie mai mica (procesele 2 si 3). Implementarea practica a unor astfel de

structuri este dificila, mobilitatea purtatorilor este mica, si procesele nedorite de recombinare
sunt numeroase. Din aceste motive eficienta de conversie obtinuta este inca mica.

Celule solare cu purtatori de sarcina fierbinti

Celulele solare cu purtatori de sarcina fierbinti (hot carriers) colecteaza purtatorii de sarcina
ne-termalizati (deci cu energii mai mari decat E g ) inainte ca acestia sa sufere ciocniri cu
fononii, si astfel sa creasca temperatura dispozitivului. Eficienta de conversie estimata a
acestor celule solare este de = 85.4% (eficienta teoretica maxima este de 86.8%).
Purtatorii fierbinti se formeaza prin absorptia unui foton cu o energie E mult mai mare
decat banda interzisa, E >> E g . Energia in exces, sau energia cinetica E E g , este cea care
poate duce la incalzirea celulei solare si scaderea eficientei sale. Purtatorii de sarcina cu
energie in exces se numesc electroni si goluri fierbinti (daca energia cinetica in exces a
acestora este mai mare decat marginile benzii de conductie si valenta cu o valoare cel putin
egala cu k B T ) si pot fi interpretati ca avand o temperatura efectiva mai mare decat cea a
retelei cristaline. Temperatura efectiva a purtatorilor fierbinti poate atinge 3000 K, in timp ce
temperatura retelei cristaline este de 300 K.
In urma fotoexcitarii, purtatorii fierbinti interactioneaza intai intre ei si cu populatia de
purtatori reci (electronii si golurile care exista anterior in benzile de conductie si valenta, la
temperatura retelei cristaline) prin ciocniri purtatori-purtatori si imprastieri. Rata de ciocnire
(numarul de ciocniri pe unitate de timp) este diferita pentru electroni si goluri. Se formeaza
astfel doua distributii separate, carora li se poate asocia separat temperaturi ale electronilor si
ale golurilor. Dupa aproximativ 100 fs, populatiile separate de electroni si goluri ajung la
echilibru, dar nu si la echilibru cu reteaua cristalina. Pentru a ajunge la echilibru cu reteaua
cristalina, au loc interactii purtator-fonon care pot fi separate pentru fiecare tip de purtator,
sau procese Auger in care energia in exces a unui tip de purtator este intai transferata celuilalt
tip, care interactioneaza ulterior cu fononii. In urma acestor procese temperatura retelei devine
egala cu cea a purtatorilor de sarcina (creste fata de valoarea initiala); fenomenul se numeste
termalizare. Dupa termalizare, electronii si golurile se recombina radiativ sau neradiativ.
Electronii si golurile fierbinti se relaxeaza/termalizeaza cu rate diferite datorita maselor lor
efective diferite. In general masa efectiva a electronilor este mai mica decat cea a golurilor, si
deci electronii se racesc mai incet.
Exista doua forme de utilizare eficienta a purtatorilor fierbinti: pentru generarea unei
fototensiuni mai mari sau pentru generarea unui fotocurent mai mare. In primul caz, purtatorii

sunt extrasi din regiunea activa inainte de a se termaliza/de a se raci, iar in al doilea caz,
purtatorii fierbinti produc o a doua (sau mai multe) pereche electron-gol prin ionizare de
impact. In primul caz rata de separare, transport si transfer prin interfata intre doi semiconductori a purtatorilor fotogenerati trebuie sa fie mai mare decat rata de racire a acestora. In al
doilea caz, rata ionizarii prin impact trebuie sa fie mai mare decat rata de racire. Aceste rate se
pot modifica la valorile dorite in structuri cuantice: puncte cuantice, fire cuantice sau gropi
cuantice. In particular, rata de racire a purtatorilor fierbinti poate fi redusa dramatic, iar rata
ionizarii prin impact poate deveni competitiva cu rata de racire a purtatorilor.
Purtatorii de sarcina (electroni si goluri) pot fi extrasi din materialul absorbant inainte
de a se termaliza prin contacte de tunelare (vezi figura de mai jos). In acest caz purtatorii
fierbinti se extrag rapid si la energie fixa (energia nivelului discret din stratul subtire/groapa
cuantica care se introduce intre materialul absorbant si contacte).

Elementele fotovoltaice in care se genereaza mai multi purtatori de sarcina per foton
absorbit au o eficienta cuantica interna mai mare decat 1. Procesul prin care se produce mai
mult de o pereche electron-gol (sau mai mult de un exciton) pentru fiecare foton absorbit se
numeste ionizare prin impact. In acest proces neliniar, energia in exces a electronilor, care s-ar
disipa in caldura, duce la formarea unei alte perechi electron-gol. Aceste celule solare se
bazeaza doar pe electronii fierbinti, care (dupa cum am vazut mai sus) se termalizeaza mai
incet decat golurile. Un electron excitat intr-o stare de energie inalta poate genera o alta
pereche electron-gol in urma dezexcitarii.
In materialele omogene acest mecanism de ionizare este ineficient pentru ca purtatorii
de sarcina au o rata de recombinare mai mare decat rata de ionizare prin impact si pentru ca
trebuie indeplinite conditiile de conservare a impulsului in cristal. Acest fenomen se observa
in semiconductori omogeni doar pentru energii E ale fotonilor de cateva ori mai mari decat
latimea benzii interzise E g . De exemplu, in Si eficienta ionizarii prin impact este 5% (deci,

eficienta cuantica totala este 105%) pentru E = 3.6 E g = 4 eV, si de 25% la E = 4.4 E g =
4.8eV. Teoria arata ca pentru o singura jonctiune p-n in care se pot genera pana la 8 perechi
electron-gol dintr-un foton, eficienta este de 58% pentru 1000 sori (39% pentru 1 soare), fata
de 38% (31%), daca nu se produce excitarea mai multor purtatori. In acest sens, generarea
mai multor perechi electron-gol ar putea deveni de interes chiar si in materiale omogene, daca
se folosesc concentratori.

Din contra, ionizarea prin impact este favorizata in puncte cuantice (vezi figura de mai
sus) datorita cresterii interactiei Coulomb intre excitoni si datorita relaxarii conditiei de
conservare a impulsului in structuri confinate. In puncte cuantice ionizarea prin impact are ca
rezultat generarea mai multor excitoni. De exemplu, in puncte cuantice din PbSe se pot forma
pana la 7 excitoni per foton absorbit: se formeaza doi excitoni la E = 3E g , iar eficienta
ionizarii prin impact devine 118% (se formeaza mai mult de doi excitoni) la E = 3.8 E g . La
E = 4 E g eficienta ionizarii prin impact este mai mare de 200% in puncte cuantice PbSe cu un
diametru de 3.9 nm (deci, eficienta cuantica interna este mai mare decat 300% si se formeaza
mai mult de trei excitoni per foton absorbit). Generarea multi-excitonica s-a pus in evidenta si
in puncte cuantice din CdSe, InAs, sau Si.
In figura de mai jos este reprezentata dependenta eficientei cuantice interne de energia
fotonilor incidenti normata la E g pentru puncte cuantice in diverse materiale. Punctele

cuantice din PbS si PbTe au diametrele de 5.5 nm, si respectiv 4.2 nm, valoarea E g fiind
indicata in figura, cele trei valori E g pentru PbSe corespunzand punctelor cuantice cu trei
diametre diferite: 5.7 nm ( E g = 0.71 eV), 4.7 nm ( E g = 0.82 eV), si 3.9 nm ( E g = 0.91 eV).

Pentru a controla atat absorptia fotonilor cat si viteza de racire a purtatorilor fierbinti
se folosesc superlatici, de obicei in configuratii p-i-n, ca in figura de mai jos. In acest caz se
absoarbe o fractiune mai mare de fotoni din spectru datorita (mini)benzilor intermediare ale
superlaticii.

In acelasi timp minibenzile superlaticii incetinesc racirea distributiei de electroni fierbinti si

permit transportul si colectarea rapida a electronilor cu energie cinetica in exces mare pentru a

produce o tensiune la circuit deschis Vcd mai mare. In astfel de structuri pot avea loc si
ionizari prin impact care genereaza mai multi excitoni per foton absorbit, deci poate creste si
fotocurentul, dar de obicei crearea mai multor excitoni si transportul/colectarea de purtatori
fierbinti nu au loc simultan.

Modificarea spectrului solar

O alternativa la folosirea mai multor straturi de conversie a energiei solare (ca in celulele
solare multi-jonctiune) este modificarea spectrului solar inainte ca fotonii sa ajunga la
elementul fotovoltaic. Principiul este ilustrat in figurile de mai jos si se bazeaza pe faptul ca
eficienta maxima de conversie a unei celule solare cu o jonctiune se poate atinge pentru
semiconductori cu E g intre 1.25 eV si 1.45 eV, spectrul solar fiind mult mai larg: intre 0.5 eV
si 3.5 eV. Daca o singura jonctiune p-n poate converti cel mult 31% din puterea solara
incidenta (33% in teoria Shockley-Queisser) deoarece unii fotoni nu pot fi absorbiti pentru ca
au o energie mai mica decat E g si sunt transmisi prin celula solara iar altii au energie in exces
care este pierduta prin termalizare (vezi figura de mai jos, stanga), eficienta de conversie ar
putea creste foarte mult daca spectrul luminii solare ar putea fi modificat astfel incat sa se
suprapuna peste spectrul fotonilor absorbiti optim intr-o celula solara cu o singura jonctiune
(vezi figura de mai jos, dreapta).

Aceasta transformare a spectrului presupune doua procese: conversie in sus (up-conversion) si

conversie in jos (down-conversion) a energiei fotonilor incidenti. In procesul de conversie in
sus (vezi figura (a) de mai jos), doi (sau mai multi) fotoni cu energie mai mica genereaza unul
cu energie mai mare, care sa poata fi absorbit.

(a)

(b)
Din contra, in procesul de conversie in jos, (vezi figura (b) de mai sus) un foton de energie
mare (din regiunea ultraviolet a spectrului solar) se transforma in doi sau mai multi fotoni de
energie mai mica care pot fi absorbiti in celula. Conversia in sus si conversia in jos a energiei
fotonilor sunt procese neliniare, care au loc cu o eficienta relativ mica, folosindu-se in general
ioni de lantanide.
De exemplu, conversia in jos poate avea loc daca se induce emisia a doi fotoni de
energie mai mica intr-un material cu nivel de impuritate in banda interzisa, cum ar fi LiGdF4
dopat cu Eu3+, in care se emit doi fotoni in vizibil pentru fiecare foton absorbit in ultraviolet
printr-un transfer de energie de la Gd3+ excitat la Eu3+. Acelasi efect a fost observat in puncte
cuantice din Si cu ioni Er3+ in matrice de SiO2, alte materiale in care ar putea avea loc
conversia in jos fiind AlAs si GaP.
Conversia in sus a energiei fotonilor a fost demonstrata intr-o celula solara din GaAs
dopat cu pamanturi rare (Er3+ si Yb3+), in configuratia prezentata in figura de mai jos.
Eficienta celulei solare (estimata) este de 48% la 1 soare, si 63% la 46200 sori. Fotogenerarea
in infrarosu a fost pusa in evidenta si in celule din Si cu conversie in sus, cu ioni de Er3+,
eficienta cuantica externa fiind de doar 2%.

Celule solare cu plasmoni

Plasmonii sunt oscilatii colective ale gazului de electroni in metale sau semiconductori si sunt
asociati cu o puternica amplificare a campului electromagnetic la interfata dintre un metal si
un dielectric/izolator. In particular, in nanoparticule metalice se formeaza plasmoni de
suprafata, care duc la o crestere a absorptiei luminii prin cuplarea fotonilor incidenti cu
oscilatiile colective ale electronilor liberi de la suprafata metalului.
In figura de mai jos, stanga, este ilustrata concentrarea radiatiei electromagnetice in
jurul mai multor gauri cu dimensiuni mai mici decat lungimea de unda a luminii facute intr-un
strat subtire de metal depus peste sticla; concentratea luminii in jurul unei singure gauri este
aratata in figura de mai jos, dreapta.

Un sir de astfel de gauri poate ghida lumina la suprafata dintre metal si sticla (vezi
figura de mai jos, stanga). Fenomenul este rezonant (se observa cu precadere la anumite
lungimi de unda determinate de diametrul gaurilor), si poate fi folosit pentru cresterea

absorptiei luminii de o anumita lungime de unda asezand nanoparticule pe suprafata plana

care contine gaurile; nanoparticulele absorb doar fotonii cu energie egala cu diferenta dintre
nivelele discrete electronice in nanoparticula, ca in figura de mai jos, dreapta.

Mai mult, energia electromagnetica poate fi ghidata fara pierderi semnificative de-a
lungul unui lant periodic de nanoparticule metalice (chiar in jurul unor colturi de 90 grade)
care convertesc modul optic in plasmoni de suprafata ne-radiativi. De exemplu, s-a observat
ca nanoparticule de Ag cu un diametru de 30 nm ghideaza energia electromagnetica pe cateva
sute de nm prin interactii intre particule in camp apropiat. Astfel de nanoparticule pe suprafata
celulei solare actioneaza ca antene care colecteaza lumina incidenta in jurul rezonantei
plasmonilor de suprafata si apoi imprastie lumina intr-o varietate mare de unghiuri, astfel
incat creste drumul optic in stratul absorbant (vezi figura de mai jos, stanga). Intr-o alta
configuratie, lumina se cupleaza cu plasmonii de suprafata care se propaga la interfata
semiconductor/metal (metalul fiind asezat sub semiconductor, ca in figura de mai jos, dreapta)
prin periodicitati mai mici decat lungimea de unda a luminii. Astfel, directia fluxului de
energie se schimba de la perpendicular la lateral fata de stratul fotovoltaic.

In figura de mai jos este prezentata o celula solare tandem care foloseste plasmonii de
suprafata pentru cresterea absorptiei luminii prin imprastierea de pe nanoparticule metalice in
jurul rezonantei plasmonice. Astfel de celule solare pot folosi straturi foarte subtiri de diverse
materiale.

In celule solare plasmonice, fotocurentul poate creste de 18 ori (pentru lungimea de

unda a luminii de 800 nm) daca se aseaza nanoparticulele de Ag pe suprafata elementului
fotovoltaic din Si cristalin cu o grosime de 165 nm depus pe un substrat de SiO2. In acelasi tip
de celule solare nanoparticulele de Au cresc fotocurentul cu 80% la = 500 nm, ceea ce
corespunde la 8% crestere in eficienta de conversie.

Alte solutii pentru cresterea eficientei de conversie a celulelor solare

Alte solutii pentru cresterea eficientei de conversie a celulelor solare si/sau reducerea
costurilor includ folosirea unor materiale noi si folosirea unor configuratii noi de celule
solare. De exemplu, s-a propus folosirea compusilor carbonului, cum ar fi camforul K =
C10H16O, in fabricarea celulelor solare. Eficienta de conversie a structurii n-K/p-K/p-Si este
de 2.3%.
In figura de mai jos este reprezentata o celula solara care foloseste pentru electrozi
grafena. Aceasta (vezi figura de mai jos, stanga) este formata dintr-un singur strat de atomi de
carbon asezati intr-o structura periodica hexagonala (este deci o structura mezoscopica).
Avantajul este ca (dupa cum se vede din figura de mai jos, dreapta) coeficientul ei de
transmisie este mai mare decat al compusilor folositi in mod uzual ca si oxizi transparenti,
ITO (oxid de In si Sn) si FTO (oxid de F si Sn), in domeniul de lungimi de unda mari (energii
mici) ale fotonilor incidenti.

graphene
ITO
FTO

Configuratiile de celule solare au evoluat si in sensul reducerii pierderilor datorate umbrei

electrozilor grila, de exemplu. O succesiune de imbunatatiri in acest sens este prezentata in
figurile de mai jos, configuratiile celulelor solare evoluand de la cea traditionala (in figura
(a)), la cea in care metalizarea infasoara structura (MWT metallisation wrap-through; figura
(b)), la cea in care emitorul infasoara structura (EWT emitter wrap-through; figura (c)), si in
final la configuratia cu jonctiune spate (figura (d)). In figurile de mai jos grila consta din
degete subtiri paralele care transporta curentul la busbars/electrozi centrali, lati, care
conecteaza celulele solare la circuite externe.

(a)

(b)

(c)

(d)
In configuratia din figura (b), o parte din grila metalica de sus este mutata in spate
(busbar-ul se muta), iar partea care ramane la suprafata se conecteaza la spate extinzand-o
printr-un numar de deschideri in placheta. In figura (c), suprafata de sus nu are metalizare, dar
emitorul este tot langa suprafata de sus. Contactul de baza, interdigital, se interdigiteaza cu
contactul emitorului (asezat jos), iar contactul sus-jos se face prin intermediul emitorului, care
se extinde prin golurile din substrat. In celula solara cu jonctiune spate, metalizarea si
emitorul sunt mutate in spate, ceea ce permite cresterea densitatii si interconectivitatii
celulelor solare, si reducerea pierderilor cu umbra electrozilor si a pierderilor datorate
rezistivitatii grilei. Aceasta configuratie, in care perechile electron-gol sunt generate in
regiunea omogena cu timp de viata mare, au o recombinare la suprafata mica si pot functiona
la fluxuri mari de radiatie/in concentratori.

Teme cu grad de dificultate mai mare

TIV-1 O heterojonctiune p-n consta din doi semiconductori, A si B. Semiconductorul A are o
banda interzisa E A , densitate de purtatori intrinseca niA si lucru de extractie intrinsec A
(masurat de la mijlocul benzii interzise pana la nivelul de vid). Semiconductorul B este un
compus din doua materiale in raportul x:1x si are banda interzisa si densitate de purtatori
intrinseca date de
E B = E A + x ,

niB = niA exp(x / 2k BT ) .

Lucrul de extractie B > A este acelasi pentru toate compozitiile x. B este folosit ca strat
fereastra de tip n, pe un strat p din semiconductorul A.
a) Gasiti valoarea parametrului x la care in banda de conductie incepe sa apara o treapta/un
obstacol in colectarea electronilor.
b) Daca densitatile dopantilor in straturile A si B sunt N A si, respectiv, N B , aratati ca exista
2
un gradient de potential care transporta electronii din A in B doar daca N A N B > niA

c) In cazul particular in care E A = 1.4 eV, niA = 21012 m3, A = 5 eV, B = 5.3 eV si = 2.4
eV, stratul fereastra de tip n este conceput astfel incat fotonii cu lungime de unda mai mare de
500 nm sa patrunda in baza de tip p.
(i) Calculati inaltimea treptei din banda de conductie.
(ii) Desenati profilul de benzi in aceasta heterojonctiune.
(iii) Precizati cum este afectata eficienta colectarii sarcinilor prin variatia nivelului de dopare.
TIV-2 Calculati o celula solara tandem din Si amorf care consta din doua jonctiuni p-i-n in
serie, conectate printr-o jonctiune tunel. Celula are o grosime totala de 1 m si trebuie
optimizata astfel incat curentii sa fie aceiasi pentru iluminare la 600 nm. Daca absorptia in Si
amorf este 3106 m1 la 600 nm, cat de groase trebuie sa fie fiecare din cele doua regiuni i ?
Se poate presupune ca regiunile n si p au grosimi neglijabile si ca jonctiunea tunel este ideala,
eficienta de colectare a sarcinilor electrice fiind de 100% in regiunea intrinseca. Explicati ce
va asteptati sa se intample cu curentul de scurtcircuit al celulei daca lungimea de unda a
fotonilor a) creste, b) scade in conditiile in care densitatea fluxului de fotoni ramane aceeasi.

np

lumina

t1

t2

TIV-3 Pentru a captura lumina, se aseaza un strat semiconductor cu indice de refractie n s si

grosime w intre o suprafata care reflecta lumina plasata in spatele dispozitvului si o suprafata
care imprastie lumina in fata celulei (vezi figura). Suprafata din fata este rugoasaa, astfel incat
imprastie lumina incidenta sau reflectata in toate directiile, si permite luminii care este
incidenta din interior la unghiuri mai mici decat unghiul critic sa se reflecte total (sa iasa din
celula).

lumina
suprafata rugoasa
w
reflector

Se presupune ca lumina imprastiata de suprafata frontala parcurge in medie o distanta 2 w

inainte de a ajunge la suprafata din spate.
a) Daca suprafata din spate este un reflector perfect, aratati, presupunand reflexii interne
multiple, ca drumul mediu al razelor care intra in celula este l = 4ns2 w .

b) Daca suprafata din spate este un reflector imperfect cu reflectivitate R, aratati ca drumul
mediu al razelor devine

l=

2(1 + R) w
1 R(1 1 / ns2 )

Daca ns = 3 , cat de mare trebuie sa fie R ca sa avem o crestere a drumului mediu de 20 ori ?

Concluzii
Cercetarea in domeniul celulelor solare a avansat foarte mult, iar aplicatiile acestora s-au
dezvoltat foarte rapid. De la primele celule solare (vezi figura de mai jos, stanga) si primele
baterii solare demonstrate in 1954 (figura de mai jos, centru), pana la prima retea de
comunicatii rurale in America (figura de mai jos, dreapta), a trecut doar un an.

Partea frontala si spatele primelor celule solare comerciale fabricate de Northern Electricity in
1961 aratau ca in figura de mai jos stanga si, respectiv, centru. O celula solara moderna pe
baza de filme subtiri este aratata in figura de mai jos, dreapta, pentru comparatie.

Primul satelit care a folosit celule solare din Si a fost Vanguard I, lansat in 1958 si a
carui transmisii au fost receptionate pana in 1964 (figura de mai jos, stanga), iar primul satelit
care a folosit celule solare din GaAs este satelitul britanic STRV (Space Technology Research
Vehicle), care a fost lansat in 1994 si a continuat sa transmita pana in 1998 (vezi figura de
mai jos, dreapta).

Primele vehicule spatiale (care nu au orbite circumterestre) si care au folosit celule

solare din GaAs au fost Mars Global Surveyor, lansat in 1996, si Mars Climate Orbiter (vezi
figura de mai jos, stanga) si Deep Space 1 (figura de mai jos, dreapta), ambele lansate in 1998

Mars Global Surveyor avea patru panouri solare, doua din GaAs si doua din Si, care
produceau 980 W, Mars Climate Orbiter avea trei panouri solare cu o suprafata de 11 m2
continand celule multi-jonctiune tandem GaAs/Ge, fiecare capabila sa genereze 1000 W pe
Pamant si 500 W pe Marte, iar Deep Space 1 avea 8 panouri cu dimensiuni de 160 cm 113
cm care incorporeaza celule tandem GaInP2/GaAs/Ge cu concentratori si care asigura 2500 W
la 100 V. Celulele solare tandem GaInP2/GaAs/Ge cu eficiente de conversie mai mari ca 29%
sunt cele mai folosite astazi in aplicatii spatiale, generand pe orbita (in diferiti sateliti) mai
mult de 820 kW. Suprafata panourilor solare creste pe masura ce satelitii si vehiculele spatiale
devin mai sofisticate. In figura de mai jos este aratata Spatia Statiala Internationale.

Pe de alta parte, contributia celulelor solare la producerea electricitatii pe Pamant a

luat o amploare din ce in ce mai mare, fiind deosebit de utila in regiuni izolate. In figurile de
mai jos, stanga, centru si dreapta sunt exemple de celule solare folosite, respectiv, in iurte
izolate din China, in locuinte lacustre din trestie de pe lacul Titicaca din Bolivia, si in
comunitati rurale din India.

Folosirea celulelor solare la iluminatul strazilor (figura de mai jos, stanga), a corturilor (figura
de mai jos, centru) si la alimentarea diverselor echipamente agricole, de exemplu, cum ar fi
tractorul din figura de mai jos, dreapta, sunt din ce in ce mai raspandite.

Estimarile arata ca in 2050 ar fi nevoie de 30 TW/an energie care sa nu fie produsa pe

baza de carbon/combustibil fosil pentru a satisface nevoile unei populatii de 10-11 miliarde de
oameni daca rata de crestere globala a economiei ar fi de 2% pe an. Acesta cifra este calculata
pornind de la cantitatea de CO2 atmosferic care poate fi tolerata fara a avea un impact major
asupra schimbarii climei globale. In prezent, aceasta cantitate este de 275 ppm (in crestere
fata de 175 ppm CO2 inainte de revolutia industriala), si s-ar putea stabiliza la 400 ppm in
2050. In prezent, consumul anual a 6 miliarde oameni este 13 TW/an. O mare parte din
aceasta energie ar putea fi generata folosind celule solare. Celulele solare ar putea sa fie
utilizate nu numai in panouri solare montate pe case sau in uzine solare, ci am putea avea
(vezi figurile de mai jos) avioane solare, imbracaminte si accesorii fotovoltaice, plante de
apartament fotovoltaice, sau masini si vapoare solare. Toate acestea sunt in stadiu de prototip.
Recent, avionul solar din figura de mai jos, denumit Solar Impulse, a efectuat primul zbor de
noapte, folosind acumulatori care inmagazineaza energia generata in timpul zilei de catre
panourile solare. Folosind cunostintele acumulate in acest curs (si in altele in cadrul
programului de masterat), puteti contribui activ la aceasta revolutie tehnologica.