SISTEME FOTOVOLTAICE

I. Istoricul tehnologiilor fotovoltaice

Termenul fotovoltaic deriv din combinaia cuvntului grec photos, ceea ce nseamn lu-
min i numele unitii de msur a tensiunii - volt. Astfel, tehnologia fotovoltaic (PV) descrie pro-
cesul de generare a electricitii cu ajutorul luminii. n anul 1839, n perioada revoluiei industriale,
Alexandr Edmond Becquerel, tatl Laureatului Premiului Nobel Henri Becquerel, a descoperit efec-
tul fotovoltaic, care explic cum poate fi generat electricitatea de ctre lumina solar. El a conchis
c iluminarea unui electrod afundat ntr-o soluie conductiv va crea un curent electric.
ns, n pofida unor cercetri extensive, dup aceast descoperire, conversia fotovoltaic
continu s fie ineficient. Celulele fotovoltaice erau utilizate mai mult pentru propuneri de msura-
re a intensitii luminii. Primul raport asupra efectului fotovoltaic sau fotoelectric, cum era numit la
timpul respectiv, a fost fcut de savanii din Cambridge, W. Adams i R. Day n 1877, unde sunt
descrise schimbrile care au loc ntr-o plac de seleniu, expus luminii. n experienele sale,
Heinrich Hertz a observat, n anul 1887, c o plac din zinc se ncarc cu sarcin pozitiv dac este
expus unei radiaii ultraviolete. Fenomenul se datoreaz aceluiai efect fotoelectric: sub aciunea
razelor ultraviolete din metal sunt eliminai electroni, i n consecin metalul se ncarc pozitiv.
Prima celul PV a fost construit de electricianul american Charles Fritts n 1883 pe baz de
seleniu i a fost patentat n anul 1884. Construcia celulei era foarte asemntoare cu celulele de
astzi. Dar eficiena celulei era mai mic de 1% i nu a fost utilizat industrial.
Dup aproximativ un secol de la prima descoperire a efectului, Albert Einstein a primit pre-
miul Nobel n fizic n 1921 pentru explicarea efectului fotoelectric, fapt care a permis utilizarea
practic a celulelor fotovoltaice. n anul 1946, Russell Ohl a inventat celula solar, urmat de inven-
tarea n anul 1947 a tranzistorului.
La mijlocul secolului al XX-lea, savanii i inginerii au revenit asupra studiului efectului fo-
tovoltaic, care are loc n semiconductoare. n anul 1953, echipa de ingieri de la Telephone Labora-
tories (Bell Labs) D. Chapin, C. Fuller i G. Pearson creeaz celula PV din siliciu cu o eficien cu
mult mai mare dect celula din seleniu. n urmtorul an, aceeai echip construiete o celul din sili-
ciu cu un randament de 6%. n acelai timp apar i primii consumatori de energie fotovoltaic sa-
teliii artificiali. n anul 1957, celule PV au fost instalate pe primul satelit artificial al pmntului
Sputnic 3, iar n anul 1958 celulele PV au fost instalate la bordul satelitului american Vanguard
1 i serveau pentru alimentarea unui emitor radio. Pn n prezent, celulele PV sunt cele mai re-
comandate surse de energie pentru tehnica spaial. Competiia ntre SUA i ex-URSS din anii 60 ai
secolului trecut n domeniul surselor de alimentare cu energie electric a sateliilor a condus la o
dezvoltare spectaculoas a tehnologiei PV i s-a produs o ruptur n dependena rigid a energeticii
descentralizate de sursele tradiionale: grupuri electrogene, baterii de acumulatoare sau baterii us-
cate.
Prin folosirea efectului fotovoltaic are loc conversia direct a luminii solare n energie
electric. Tehnologia conversiei directe exclude transformrile intermediare: radiaia solar n
energie termic, energia termic n energie mecanic, energia mecanic n energie electric de
curent alternativ. Conversia direct se realizeaz cu ajutorul materialelor semiconductoare, folosind
efectul fotovoltaic. Spre deosebire de generatorul electromecanic, generatorul fotovoltaic, aa-
numita celul fotovoltaic, produce energie electric de curent continuu. Excluderea din lanul
tehnologic al transformrilor intermediare, lipsa micrii, zgomotului, vibraiilor, existena unei
construcii modulare, durata de exploatare de peste 25 de ani, sunt argumente pentru a afirma c
viitorul energeticii descentralizate va aparine tehnologiei fotovoltaice.

II. Celula fotovoltaic: caracteristici i parametri tehnici

II.1. Construcia i principiul de funcionare
Celula fotovoltaic este un dispozitiv opto - electronic, a crui funcionare se datoreaz efec-

29
tului generrii de ctre lumin a purttorilor de sarcin liberi i separarea lor de ctre cmpul elec-
tric intern a al jonciunilor p - n, MOS sau Schottky. Ca material iniial pentru fabricare se utilizea-
z, de obicei, siliciu cristalin sau policristalin, n care prin diverse metode tehnologice se formeaz
straturi cu conductibilitate diferit pentru a obine jonciunea p - n. Materialul semiconductor de ba-
z care se folosete pentru producerea celulelor PV este siliciul.
n tabelul III.1 se prezint randamentul conversiei PV bazate pe trei tipuri de materiale foto-
voltaice: siliciu cristalin, siliciu policristalin i siliciu amorf.

Tabelul III.1. Comparaie ntre materialele pentru celulele PV
Materialul celulei solare
Siliciu
cristalin
Siliciu
policristalin
Siliciu amorf
Randamentul conversiei energiei (%) 15-22 14-15 7-10

Din punctul de vedere al cotei de participaie pe piaa mondial a diferitelor tehnologii de
producere a celulelor PV, se poate afirma c peste 84% din producia mondial de celule PV este
bazat pe siliciu policristalin i cristalin. n prezent, tehnologia siliciului policristalin i cristalin este
cea mai avansat, asigurnd producerea de module PV la scar industrial cu un randament de 14 -
17% i cu o durat de via a modulelor de 30 de ani. Dar aceast tehnologie are un dezavantaj e-
senial: este potenial limitat din punctul de vedere al scderii n viitor a costurilor de producere a
celulelor PV. Experi n domeniu consider c, producerea unui watt nu va scdea mai jos de 2 .
Din acest punct de vedere, tehnologia siliciului amorf i a siliciului n straturi subiri are o perspecti-
v mai promitoare. Costul unui watt produs cu aceste tehnologii va scdea pn la 1 - cost limit
la care energia electric PV devine mai ieftin dect energia electric produs din surse fosile. Se
presupune c din aceste motive, n ultimii ani se constat o redistribuire a pieei mondiale n favoa-
rea tehnologiei siliciului amorf i n straturi subiri.

















Fig. III.1. Schema constructiv a celulei fotovoltaice.

n fig. III.1, este prezentat schema constructiv simplificat a celulei PV, avnd la baz ma-
terial semiconductor de tip p. S analizm fenomenele care au loc dac celula PV este expus unei
radiaii incidente (fig. III.1). Aceast radiaie poate fi echivalat cu un flux de fotoni, care au ener-
gia: E = hv, unde h este constanta lui Planck, iar v este frecvena fotonilor. Dac energia fotonului
este mai mare ca energia benzii energetice interzise a semiconductorului, atunci, n urma interaciu-
nii fotonului cu un atom, electronul din banda de valen va trece n banda de conducie, devenind
liber, genernd, totodat, un gol n banda de valen. Astfel, sub aciunea fotonilor, are loc genera-
rea de perechi electroni - goluri. Acest efect se mai numete efect fotovoltaic interior. n figura III.1,

30
a), fotonul A are o frecven mai mic i, deci, o energie mai mic, iar fotonul B are o frecven mai
mare i, corespunztor, o energie mai mare (unda electromagnetic cu frecven mic ptrunde n
material la adncimi mai mari i invers).
Purttorii de sarcin liberi sunt separai de cmpul electric al jonciunii p - n, caracterizat
prin potenialul de barier U
0
i care, n funcie de tipul semiconductorului folosit, este de circa 0,2 -
0,7 V. Aici, cmpul electric va avea rolul de separator de sarcini libere: perechi electroni - goluri.
Electronii vor fi dirijai spre zona n, golurile - spre zona p a celulei. Acesta este motivul pentru care,
sub influena luminii, zona p se ncarc pozitiv, iar zona n se ncarc negativ, ceea ce conduce la
apariia unui curent electric prin circuitul extern, determinat de conversia fotovoltaic a radiaiei so-
lare. Acest curent, (fig. III.1, a), determin o cdere de tensiune U pe sarcina extern R, conectat la
contactele din spate i contactul - gril frontal (fig. III.1, b). Tensiunea U, n raport cu jonciunea p -
n acioneaz n sens direct i, la rndul su, va determina prin jonciune curentul diodei I
d
, de sens
opus curentului fotovoltaic I
s
, care se determin din expresia cunoscut:

, 1
kT
eU
exp I I
0 d

=
(III.1)

n care: I
0
este intensitatea curentului de saturaie, k constanta lui Boltzman, T temperatura
absolut i e este sarcina electronului.

II.2. Caracteristicile celulei fotovoltaice
Caracteristicile principale ale celulei PV sunt: caracteristica amper-volt I(U) sau volt am-
per U(I) i caracteristica de putere P(U). Curentul n circuitul exterior I se determin ca diferen
dintre curentul fotovoltaic I
s
i curentul diodei I
d
.

, 1
kT
eU
exp I I I I I
0 s d s

= =
(III.2)

Ecuaiei (III.2) i corespunde schema echivalent simplificat a celulei PV. prezentat n fi-
gura III.2, a). Dac se ine seama de rezistena R
i
de scurgeri prin jonciunea p - n a celulei PV i de
rezistena serie a celulei R
s
, se poate ntocmi o schem echivalent complet a celulei PV (figura
III.2, b). Cu tehnologiile moderne se obin celule cu R
i
= i R
s
= 0, astfel nct schema echivalen-
t simplificat este satisfctoare.




















Fig. III.2. Scheme echivalente ale celulei PV: a) simplificat; b) complet;
c), d) caracteristicile celulei.

31

Puterea electric cedat sarcinii R a unei celule PV este:

. 1
kT
eU
exp I I U I U P
0 s

= =
(III.3)

Valoarea maxim a acestei puteri se obine ntr-un punct M al caracteristicii curent tensiu-
ne, ale crui coordonate rezult din condiia dP/dU = 0:

,
U U
U
I
I
1 I I
U
U
1 ln U U U
T M
M
s
0
s M
T
M
T 0 M
+

+ =

+ =
(III.4)


n care U
T
= kT/e.
Pentru o sarcin pasiv, valoarea optim a rezistentei de sarcin va fi:

.
I
U
R
M
M
M
= (III.5)


II.3. Parametrii celulelor i modulelor PV
n cartea tehnic a produsului, productorii de celule i module PV indic parametrii ridicai
n condiii standard:
radiaia solar global pe suprafaa celulei, G=1000 W/m
2
;
temperatura celulei, T = 25C;
masa convenional de aer, AM=1,5.
n mod obligatoriu, n cartea tehnic se prezint: curentul de scurtcircuit, I
sc
; tensiunea de
mers n gol, U
0
; puterea maxim sau critic, P
c
; tensiunea i curentul n punctul critic, U
M
i I
M
. Pe
lng aceti parametri, pot fi indicai suplimentar: factorul de umplere (Fill Factor), FF; randamen-
tul celulei sau modulului PV, Temperatura Normal de Funcionare a Celulei NOCT, coeficienii de
variaie a tensiunii de mers n gol i a curentului de scurtcircuit cu temperatura.
II.3.1. Curentul de scurtcircuit
Se obine la scurcircuitarea bornelor sarcinii R din fig. III.2. Pe caracteristica I(U), acesta
este punctul cu coordonatele U = 0, I = I
sc
. Din expresia (III.2), pentru U = 0, obinem I
sc
= I
s
. Pu-
terea furnizat este egal cu zero.
II.3.2. Tensiunea de mers n gol

32
.
I
I
ln
e
kT
0
s 0

Corespunde punctului de pe caracteristica I(U) cu coordonatele I = 0, U = U

0
. Puterea debi-
tat n acest punct este egal cu zero. Tensiunea de mers n gol poate fi determinat din (III.2) pen-
tru I = 0:

I
I I
ln
e
kT
U
0
s
0
+
= (III.6)

Pentru o celul din siliciu raportul I
s
/I
0
este de circa 10
10
, factorul kT/e, numit i tensiune ter-
mic, este egal cu 26 mV. Astfel U
0
= 0,6 V.
II.3.3. Puterea critic (maxim)
Este produsul dintre curent i tensiune n punctul M a caracteristicii I(U). n englez acest
parametru se numete peak power i se noteaz P
c
:
(III.7)
. I U P
M M c
=
Din punct de vedere geometric, puterea critic P
c
corespunde punctelor de tangen ale hi-
perbolelor P = UI = const. la caracteristicile amper - volt I(U) (conform figurii III.2, d).
II.3.4. Factorul de umplere (Fill Factor)
sc 0
M M
I U
I U
FF=
Se determin ca raport ntre suprafeele dreptunghiurilor OU
M
MI
M
i OU
0
KI
sc
(conform fi-
gurii III.2, c) sau

(III.8)

sau
(III.9) . I U FF P
sc 0 c
=
Factorul de umplere este msura calitii celulei PV. Cu ct este mai mic rezistena intern
R a celulei PV, cu att FF este mai mare. De obicei FF > 0,7.
II.3.5. Randamentul celulei sau modulului PV
Se determin ca raportul dintre puterea generat de celula sau modulul PV n punctul optim
de funcionare M la o temperatur specificat i puterea radiaiei solare

,
G A
P
c

= (III.10)

n care P
c
este puterea debitat n W; A este suprafaa celulei sau modulului n m; G - radiaia globa-
l incident pe suprafaa celulei sau modulului n W/m
2
.
Un modul PV cu randamentul de 12% i aria suprafeei de 1 m
2
, expus la radiaie solar
egal cu 1000 W/m
2
va produce aproximativ 120 W.
n condiii de laborator au fost obinute celule din siliciu cristalin cu un randament de 13 -
25% n funcie de suprafaa celulei, iar n condiii de fabric 12 - 14%. Randamentul celulei din
siliciu policristalin este de pn la 20% n condiii de laborator. Limita teoretic a randamentului ce-
lulei din siliciu cristalin este de 37%, iar a celei din siliciu amorf, de 28%.
II.3.6. Temperatura normal de funcionare a celulei
Corespunde temperaturii celulei PV la funcionare n gol la temperatura mediului de 20C,
radiaia global de 800 W/m
2
i viteza vntului mai mic de 1 m/s. Pentru celule uzuale, parametrul
NOCT se situeaz ntre 42 i 46C. Dac este cunoscut parametrul NOCT, se poate determina tem-
peratura celulei T
c
n alte condiii de funcionare caracterizate de temperatura mediului T
A
i radiaia
global G:

. G
20 NOCT
T T

+ = (III.11)
8 , 0
A C

II.3.7. Influena radiaiei solare i a temperaturii asupra caracteristicilor celulelor i module-
lor PV
Caracteristicile celulei PV pentru diferite valori ale radiaiei solare sunt prezentate n figura
III.3, a). Dup cum se observ, curentul de scurtcircuit este direct proporional cu radiaia solar, iar
tensiunea de mers n gol variaz puin, deoarece, conform relaiei (III.6), tensiunea U
0
depinde loga-
ritmic de radiaia solar (I
s
este proporional cu radiaia) i adesea n calcule practice aceast variaie
se neglijeaz. Curentul de scurtcircuit, pentru diferite valori ale radiaiei solare G, poate fi determi-
nat cu o aproximaie satisfctoare, prin formula:

, I
G
G
I
scst
st
sc
= (III.12)

unde I
scst
este curentul de scurtcircuit al celulei corespunztor radiaiei standard G
s
=1000 W/m
2
.













Fig. III.3. Caracteristicile celulei PV la variaia energiei solare (a) i a temperaturii (b).

33
, ) 25 t ( 0023 , 0 U U
025 0
=
Temperatura celulei PV influeneaz semnificativ asupra tensiunii de mers n gol i cu mult
mai puin asupra curentului de scurtcircuit (conform figurii III.3, b). O dat cu creterea temperatu-
rii, tensiunea de mers n gol scade. Pentru celule din siliciu, coeficientul de variaie a tensiunii cu
temperatura K
T
este egal cu 2,3 mV/
0
C. Astfel, parametrul U
0
pentru temperaturi diferite de cea
standard se va calcula cu relaia:
(III.13)
unde U
025
este tensiunea de mers n gol a celulei PV la temperatura standarad; iar t - temperatura cu-
rent a celulei, n C. n calculele de proiectare, variaia curentului de scurtcircuit i a factorului de
umplere FF n funcie de temperatur sunt neglijate.

III. Module fotovoltaice

Celulele fotovoltaice de construcie modern produc energie electric de putere care nu
depete 1,5 - 2 W la tensiuni de 0,5 - 0,6 V. Pentru a obine tensiuni i puteri necesare
consumatorului, celulele PV se conecteaz n serie i/sau n paralel. Cea mai mic instalaie
fotoelectric format din celule PV interconectate n serie i/sau n paralel, ncapsulate pentru a
obine o rezisten mecanic mai mare i a proteja celulele de aciunea mediului se numete modul
fotovoltaic. Un numr de module PV asamblate mecanic ca o unitate mai mare i conectate electric
poart denumirea de panou sau cmp de module. n acord cu standardele Comisiei Internaionale
de Electrotehnic (IEC) se utilizeaz termenul "array", ceea ce nseamn sistem, reea. Expresiile
"modul fotovoltaic", "panou fotovoltaic" sau "cmp de module" deseori au una i aceeai semnifica-
ie. La proiectarea modulelor PV se ia n consideraie folosirea frecvent a modulelor PV pentru n-
crcarea acumulatoarelor electrice, a cror tensiune este de 12 - 12,5 V. Astfel, n condiii de radia-
ie standard, tensiunea U
M
trebuie s fie 16 - 18 V, iar tensiunea de mers n gol de 20 - 22,5 V. O
singur celul genereaz n gol circa 0,6 V i trebuie s conectm n serie 33 - 36 de celule pentru a
obine tensiunea necesar. Puterea modulului va oscila ntre 50 i 100 W. Construcia modulului PV
(fig. III.4, a) este de obicei dreptunghiular. Suportul se confecioneaz din aluminiu i separat de
structura laminat a celulelor cu cptueal, care nu permite ptrunderea umezelii.






















Fig. III.4. a) construcia modulului PV; b) ncapsularea celulei PV: 1 suport;
2 guri pentru asamblare n panouri; 3 cutie de borne.

34
Celulele PV sunt protejate de aciunea condiiilor nefavorabile, care pot interveni pe parcur-
sul exploatrii: ploaie, grindin, zpad, praf etc., de un sistem care const dintr-un strat de sticl i
cel puin dou straturi (din fa i din spate) din etilen vinil acetat EVA sau polivinil butirol PVB
(fig. III.4, b). Pentru a obine tensiunea i puterea necesare consumatorului de energie electric,
modulele PV pot fi conectate n serie, paralel sau n serie - paralel (conform figurii III.5, a,b,c). La
conectarea n serie a dou module PV identice curentul debitat consumatorului rmne acelai, iar
tensiunea crete de dou ori. n figura 2.79, a) modulele PV1 i PV2 conectate n serie ncarc
bateria de acumulatoare GB. Punctul de funcionare a sistemului module PV - GB este punctul de
intersecie M al caracteristicilor respective: a dou module conectate n serie i a bateriei de acumu-
latoare. Diodele VD1 i VD2 numite diode de ocolire (by pass) se conecteaz n paralel cu fiecare
modul sau cu un grup de module conectate n paralel (figura III.5, a). Dioda by-pass limiteaz tensi-
unea invers, dac un modul din circuitul consecutiv este mai puin performant sau este umbrit i se
evit suprasolicitarea termic. n regim de funcionare normal, diodele VD1 i VD2 nu consum e-
nergie.





































Fig. III.5. Interconexiunea modulelor PV: a) n serie; b) n paralel; c) n serie-paralel.


35
Dioda VD, numit antiretur, se conecteaz n serie cu sarcina. Aceast diod evit situaia
cnd modulul PV poate deveni consumator de energie, dac tensiunea generat va fi mai mic dect
a acumulatorului. Este evident c ea introduce o cdere de tensiune de circa 0,5V i, corespunztor,
pierderi de energie. n figura III.5, b) se prezint conectarea n paralel a dou module identice. Ten-
siunea generat rmne aceeai, iar curentul crete de dou ori. Punctul de funcionare al sistemului
module PV - rezistena R este punctul de intersecie M al caracteristicilor amper - volt ale modulelor
i consumatorului: I = (1/R)U. Diodele antiretur VD11 i VD12 nu permit ca un modul sau un grup
de module unite n paralel s treac n regim de consumator, atunci cnd nu sunt identice sau cnd
sunt umbrite.
n schema din fig. III.5, c) modulele PV1- PV2, PV3 - PV4 i PV5 - PV6 sunt conectate n
serie, dar ntre ele sunt conectate n paralel. Astfel, se obine majorarea de dou ori a tensiunii i de
trei ori a curentului. Evident, puterea instalaiei crete de ase ori.

IV. Sisteme fotovoltaice

IV.1. Structura unui sistem fotovoltaic
Celulele sau modulele PV nu sunt unicele componente ale unui sistem PV. Pentru alimenta-
rea continu a consumatorului cu energie electric, multe sisteme PV conin acumulatoare de ener-
gie electric. Modulul PV reprezint un generator de curent continuu (c.c.), dar adesea consumato-
rul de energie este de curent alternativ. Energia electric PV are un caracter variabil, alternana
zi/noapte, cer senin/cer acoperit provoac variaia ntr-o gam larg a fluxului de energie i a tensiu-
nii generate de modulul PV. Astfel, apare necesitatea condiionrii fluxului de energie, folosind
convertoare electronice: c.c./c.c., care ndeplinesc i funcia de monitorizare a procesului ncrca-
re/descrcare a acumulatorului i convertoare c.c./c.a. - pentru transformarea curentului continuu n
curent alternativ. Pentru a evita supradimensionarea sistemului fotovoltaic adesea se folosete o sur-
s auxiliar de energie, fie un grup electrogen, fie un generator eolian sau chiar reeaua electric pu-
blic.



















Fig. III.6. Structura unui sistem fotovoltaic.

Toate aceste componente trebuie s fie interconectate, dimensionate i specificate pentru a
funciona ntr-un sistem unic, numit sistem fotovoltaic. n fig. III.6 este prezentat structura unui sis-
tem PV Principalele componente sunt:
modulul, panoul, cmpul de module sau, altfel spus, generatorul fotovoltaic.;
bateria de acumulatoare;

36
subsistemul pentru condiionarea energiei electrice, care includ i elemente de msurare,
monitorizare, protecie etc;
sursa auxiliar de energie, de exemplu, un grup electrogen (back-up generator), care func-
ioneaz cu benzin sau motorin. n acest caz, sistemul PV se mai numete sistem PV hibrid.
Sistemele PV se mpart n dou categorii principale: conectate la reea (grid - connected)
sau care funcioneaz n paralel cu reeaua electric public i sisteme PV autonome (stand - alone
PV system). Cel mai simplu sistem este sistemul PV pentru pomparea apei, n care se utilizeaz
pompe cu motoare de c.c. Acest sistem nu conine acumulatoare electrice (rezervorul de ap serve-
te drept acumulator) i nici convertoare de c.c./c.a.
Sistemele PV conectate la reea pot fi divizate n: sisteme PV n care reeaua electric publi-
c are rol de surs auxiliar de energie (grid back - up); sisteme PV n care excesul de energie PV
este furnizat n reea (grid interactive PV system) i centrale electrice PV (multi MW PV system), ca-
re furnizeaz toat energia produs n reea.

IV.2. Funcionarea n sarcin a modulului PV
n paragraful II.3 s-a menionat c celula PV, respectiv modulul PV, are cele mai bune
performane n punctul M (figura III.2), unde puterea debitat pe sarcin este maxim. Totodat,
variaia radiaiei globale i a temperaturii provoac modificarea caracteristicii I(U) a modulului PV.
De asemenea, diferii consumatori posed diferite caracteristici I(U). n consecin, punctul de func-
ionare a subsistemului modul PV - sarcin (punctul de intersecie al caracteristicilor I(U) ale modu-
lului i sarcinii) nu va coincide cu punctul M. n figura III.7 sunt prezentate caracteristicile I(U) a
trei dintre cei mai rspndii consumatori: rezistor, motor de c.c. cu magnei permaneni i un acu-
mulator. Se prezint i caracteristica unui consumator ideal, pentru care punctul de funcionare co-
incide ntotdeauna cu punctul optim M.

















Fig. III.7. Caracteristicile I(U) ale modulului PV i ale diferiilor consumatori.

Caracteristicile I(U) sunt descrise prin urmtoarele expresii analitice:
a) rezistor
; U
R
1
I =
(III.14)
b) motor de curent continuu


37
;
R
k U
R
E U
I
a
e
a

= = (III.15)

c) acumulator

,
R
E U
I
int
0

=
(III.16)

n care, U este tensiunea modulului PV, k
e
constanta motorului, fluxul de excitaie al motorului,
R
a
rezistena circuitului indusului, viteza unghiular a rotorului, E
0
tensiunea la gol a acumulato-
rului i R
int
rezistena intern a acumulatorului.
La pornirea motorului de c.c., curentul absorbit de la modul este maxim i este aproape de
cel de scurtcircuit. Dei tensiunea pe indus este minim, pornirea are loc datorit cuplului electro-
magnetic creat de produsul kI
sc
. Dac U = E
0
, acumulatorul este ncrcat i nu va consuma curent,
n caz contrar curentul de ncrcare va crete o dat cu creterea radiaiei globale, respectiv cu
tensiunea. O dat cu creterea curentului de ncrcare crete cderea de tensiune IR
int
.
n figura III.7, se observ c sarcina de tip rezistor sau motor de c.c. nu va funciona n
punctul optim la variaia radiaiei. Va trebui s se modifice caracteristica I(U) modulului PV sau a
sarcinii pentru a urmri punctul de funcionare optim. n acest scop se folosesc convertoare elec-
tronice c.c./c.c. numite MPPT (din denumirea n limba englez Maximum Power Point Tracker).
MPPT se conecteaz ntre modulul PV i sarcin, pentru a modifica tensiunea la ieire, ast-
fel nct s se asigure urmrirea punctului optim de funcionare. n figura III.8 sunt puse n eviden
dou cazuri de urmrire a punctului maxim folosind tehnologia MPPT (figura III.8, a) i prin modi-
ficarea sarcinii (figura III.8, b). n primul caz avem dou sarcini cu caracteristici I(U) diferite care,
pentru simplitate, se admit ca fiind liniare. Pentru ambele sarcini constatm o deviere esenial a
punctelor de funcionare A, B i D, C de la punctele optime M1i M2. n acelai sistem de coordona-
te sunt trasate hiperbolele I = P
max1
/U i I = P
max2
/U. n orice punct al hiperbolelor menionate, pu-
terea P
max1
sau P
max2
sunt mrimi constante i, respectiv, egale cu puterea maxim debitat n punc-
tele M1 sau M2.

Fig. III.8. Urmrirea punctului de putere maxim: a) folosind tehnologia MPPT;
b) prin modificarea caracteristicii sarcinii.

Se consider c subsistemul modul PV - Sarcina 1 funcioneaz n punctul B n condiii de
radiaie global egal cu G1. Pentru a obine de la modul o putere maxim, ar trebui s se modifice
caracteristica I(U) a sarcinii, astfel nct s se intersecteze n punctul M1. Acelai rezultat poate fi
obinut dac se micoreaz tensiunea i se mrete curentul n comparaie cu punctul M1, deplasn-
du-se pe hiperbol n punctul B
max
. n mod analog se procedeaz dac se micoreaz radiaia de la
G1 la G2. n cazul sarcinii 2, pentru a urmri punctul maxim va trebui s se procedeze invers: s se
majoreze tensiunea i s se micoreze curentul (se va compara punctul C
max
cu C sau D
max
cu D).
Convertorul electronic MPPT trebuie s modifice tensiunea i curentul, astfel nct la ieire produ-
sul acestora s fie constant i egal cu puterea maxim generat de modulul PV expus radiaiei glo-
bale G. n unele cazuri specifice, urmrirea punctului de putere maxim poate fi realizat prin modi-
ficarea caracteristicii I(U) a sarcinii, aa cum este prezentat n figura III.7, b). Pentru radiaia solar
maxim i egal cu G1, subsistemul modul PV - sarcina R1 va funciona n punctul M1; n acest

38

39
caz, contactele K1 i K2 sunt nchise. La o valoare medie a radiaiei solare egal cu G2, contactul
K2 se deschide, caracteristica sarcinii I(U) se modific i subsistemul va funciona n punctul M2.
Dac radiaia solar continu s se micoreze, se deschide contactul K1 i subsistemul va funciona
n punctul M3. Subsistemul "modul PV - acumulator" nu necesit utilizarea tehnologiei MPPT de-
oarece, dac se deplaseaz caracteristica I(U) spre dreapta (figura III.8) ea va fi aproape de cea idea-
l. n schimb, acumulatorul necesit o supraveghere automat a gradului de ncrcare i descrcare
pentru a evita deteriorarea acestuia.
Decizia proiectantului de a utiliza sau de a nu utiliza tehnologia MPPT se va lua n funcie
de rezultatul calculului economic. Trebuie luate n consideraie costul convertorului MPPT, pierde-
rile de energie n MPPT (randamentul convertoarelor moderne c.c./c.c. este de 90 - 95%), respectiv
ctigul de putere la funcionarea subsistemului MPPT n regim optim. Conform datelor disponibi-
le, urmrirea punctului de putere maxim n sistemele PV de pompare ridic debitul cu minimum
20%.
Invertorul. Invertorul face parte din subsistemul de condiionare a energiei electrice al siste-
mului PV (figura III.6) i este componenta principal a convertorului c.c./c.a. Invertorul transform
energia de c.c, generat de modulele PV sau stocat n acumulatoare, n energie de c.a. de o frec-
ven prestabilit. Exist n prezent convertoare care asigur parametrii de calitate ai energiei elec-
trice la acelai nivel ca i reelele publice: frecven i tensiune stabil, forma sinusoidal a undei de
tensiune i curent. n funcie de cerinele impuse de sarcin privind forma undei de tensiune, facto-
rul de suprasarcin, randamentul sunt disponibile diferite tipuri de invertoare, ai cror parametri
sunt prezentai n tabelul III.2.

Tabelul III.2. Principalii parametri de performan ai invertoarelor.
Parametri
Tensiune
dreptunghiular
Cvasi -sinusoidal
sau n trepte
Modularea impulsurilor
n durat (PWM)
Puterea nominal [kW] Pn la 1000 Pn la 2,5 Pn la 20,0
Factorul de suprasarcin Pn la 20 Pn la 4 Pn la 2,5
Randamentul [%] 70 - 98 >90 >90
Distorsiunea armonic [%] Pn la 40 >5 <5

Randamentul indicat corespunde funcionrii invertorului la o sarcin de 75-100% din pute-
rea nominal. La alegerea invertorului este important s se cunoasc caracteristica randamentului n
funcie de sarcin. Motoarele electrice necesit un curent de pornire cu mult mai mare dect cel no-
minal. Este important ca factorul de suprasarcin al invertorului s corespund acestei necesiti.
Invertorul cu und dreptunghiular are cea mai simpl schem, o eficien relativ bun, este
cel mai ieftin, dar provoac cea mai mare distorsiune armonic, ceea ce produce supranclzirea
motoarelor. Acest tip de invertor se recomand spre utilizare n sisteme PV de putere mic pentru i-
luminare, nclzire la tensiuni diferite de cea de c.c., de asemenea, n componena convertoarelor
c.c./c.c., acionrilor electromagnetice. Invertorul cu und cvasi - sinusoidal este mai complicat,
dar relativ eficient. Modularea impulsurilor n durat este o tehnologie mai nou. Schema de co-
mand a invertorului este cu mult mai complicat, costul invertorului este mai mare, dar asigur efi-
cien nalt i distorsiuni armonice minime.