CUPRINS

CAPITOLUL I…………………………………………………………..……………………………………………………………………..…4
1.1 Efectul fotovoltaic .................................................................................................................................4
1.2 Conversia fotoelectrică a energiei ...........................................................................................................6
1.2.1 Efectul fotoelectric intern............................................................................................................................6
1.2.2 Efectul Dember ............................................................................................................................................7
1.2.3 Efectul fotovoltaic........................................................................................................................................8
1.3 Conducţia în semiconductoare ...............................................................................................................9
1.4 Analiza funcţionării unei joncţiuni p-n. ................................................................................................. 13
1.5 Celula fotovoltaică................................................................................................................................ 17
1.5.1 Tipuri de celule ......................................................................................................................................... 19
1.5.2 Caracteristica externă a celulei fotovoltaice. ........................................................................................... 21
1.5.3 Generatorul fotovoltaic – Putere şi Randament ..................................................................................... 25
1.6 Panouri fotovoltaice ............................................................................................................................. 27
1.6.1 Elementele necesare construcţiei unui panou solar obişnuit ................................................................. 28
1.6.2 Tipuri de panouri ...................................................................................................................................... 28
1.7 Sisteme fotovoltaice cuplate la rețea .................................................................................................... 29
1.7.1 Clasificarea sistemelor fotovoltaice......................................................................................................... 29
1.7.2 Sisteme fotovoltaice conectate la rețea .................................................................................................. 29
1.7.3 Avantaje / dezavantaje instalații fotovoltaice legate la rețea ................................................................. 33
CAPITOLUL II.................................................................................................................................................34
2.1 Specificațiile, cerințele și standardele unui invertor pentru sisteme solare ............................................. 34
2.2 Tipuri de invertoare folosite in sisteme solare ....................................................................................... 35
2.2.1.Invertoare in punte H ............................................................................................................................... 35
2.2.2 Invertoare in semipunte ........................................................................................................................... 38
2.3 Conectarea invertoarelor la panourile solare ......................................................................................... 40
2.4 Conectarea invertoarelor la rețea ......................................................................................................... 42
2.5. Randamentul invertoarelor .................................................................................................................. 43
CAPITOLULIII.................................................................................................................................................43

3.1 Soliția implementată ........................................................................................................................... 46

1
3.2 Invertorul ............................................................................................................................................. 46
3.2.1 Schema bloc a convertorului .................................................................................................................... 47
3.2.2 Circuit de formatare semnal ..................................................................................................................... 56
3.3 Simularea schemei ............................................................................................................................... 58
CAPITOLUL IV................................................................................................................................................62

4.2 Pentru mersul in gol in conditii meteo mai puțin favorabile ................................................................... 62
4.3 Rezultatele conectării unei sarcini ......................................................................................................... 63
ANEXE...........................................................................................................................................................68

Schema simulata in Proteus........................................................................................................................ 66

Prezentarea machetei ................................................................................................................................ 67

2
Introducere

În contextul actual al crizei energetice energiile regenerabile reprzintă singura soluție a omenirii
către un viitor care să combine atât nevoia crescută de energie cât și grija pentru mediu.
În momentul de față cea mai atractivă sursă de energie regenerabilă este soarele.Soluțiile
existente de exploatare a acestei energii cuprind panourile fotovoltaice. Un panou fotovoltaic este în
esența lui o dioda redresoare ceea ce face ca tensiunea furnizată la ieșire să fie una continuă.
Majoritatea consumatorilor electrici atât din mediul industrial cât și cei casnici folosesc curentul
alternativ. Se impune astfel studierea soluțiilor de conversie a tensiunii continue de la ieșirea panoului
fotovoltaic in tensiune alternativă.
Proiectul de față se încadrează pe această direcție și prezintă o solutie de invertor fotovoltaic.
Lucrarea este structurată în patru parți dupa cum urmează:
Capitolul1 : Sisteme fotovoltaice cuplate la rețea - Conţine noţiuni teoretice despre Efectul
fotovoltaic, Panourile solare fotovoltaice si tipuri de celule solare.
Capitolul 2 : Principii generale ale invertoarelor. - Conţine noţiuni teoretice despre:
Invertoare.Prezentarea unor soluții de invertoare.
Capitolul 3 :Proiectarea unei platforme pentru testarea unui invertor pentru panouri
fotovoltaice – cuprinde etapele principale de proiectare a invertorului fotovoltaic
Capitolul 4 : Rezultatele Experimentale - cuprinde reprezentarea grafică a mărimilor
înregistrate.

3
CAPITOLUL I SISTEME FOTOVOLTAICE CUPLATE LA REŢEA

1.1 Efectul fotovoltaic

Soarele reprezintă sursa de energie a Pamântului, contribuind la menținerea temperaturii

planetei mult peste valoarea de aproape 0K, întâlnită în spaţiul interplanetar şi este singura sursă
de energie capabilă să întreţină viaţa pe Pământ.
Soarele reprezintă practic o sursă inepuizabilă de energie, estimându-se o durată a
existenţei radiaţiei solare de încă aproximativ 4…5 miliarde de ani.
Pentru studiul radiaţiei solare, este important să fie definite câteva mărimi importante.
Constanta solară reprezintă fluxul de energie termică unitară primită de la Soare,
măsurată în straturile superioare ale atmosferei terestre, perpendicular pe direcţia razelor solare.
Valoarea general acceptată pentru constanta solară este de aproximativ 1350 W/m2,
reprezentând o valoare medie anuală, măsurată cu ajutorul sateliţilor de cercetare ştiinţifică.
Atmosfera terestră şi suprafaţa Pământului interacţionează cu radiaţia solară, producând o
serie de transformări ale acesteia, aşa cum se observă în figura 1.1

Fig.1.1. Schema interacţiunilor dintre energia solară şi atmosfera, respectiv suprafaţa terestră

4
 Fluxul de energie radiantă solară, care ajunge la suprafaţa Pământului este mai mic decât
constanta solară, deoarece în timp ce traversează atmosfera terestră, cu o grosime de peste 50
km, intensitatea radiaţiei solare este redusă treptat.
Mecanismele prin care se modifică intensitatea radiaţiei solare, la traversarea atmosferei,
sunt absorbţia şi difuzia.
În atmosferă este absorbită (reţinută, filtrată) aproape total radiaţia X şi o parte din
radiaţia ultravioletă. Vaporii de apă, bioxidul de carbon şi alte gaze existente în atmosferă,
contribuie la absorbţia radiaţiei solare de către atmosferă.
Radiaţia absorbită este în general transformată în căldură, iar radiaţia difuză astfel
obţinută este retrimisă în toate direcţiile în atmosferă.
Prin aceste procese, atmosfera se încălzeşte şi produce la rândul ei, o radiaţie cu lungime
de undă mare, denumită radiaţie atmosferică.
În plus, faţa de cele două mecanisme de modificare a intensităţii radiaţiei solare, o parte
din radiaţia solară este reflectată de atmosfera terestră, sau de unele componente ale sale
(moleculele de aer şi anumite categorii de nori). Prin reflectare, o parte din radiaţia solară este
disipată, mecanismul acestui proces fiind denumit difuzie Rayleigh, iar acest fenomen reprezintă
radiaţia bolţii cereşti.
Radiaţia globală ajunsă de la Soare, pe o suprafaţă orizontală la nivelul solului într-o o zi
senină, reprezintă suma dintre radiaţia directă şi radiaţia difuză.
Radiaţia solară directă depinde de orientarea suprafeţei receptoare.
Radiaţia solară difuză poate fi considerată aceeaşi, indiferent de orientarea suprafeţei
receptoare, chiar dacă în realitate există mici diferenţe.
Figura 1.2 prezintă proporţia dintre radiaţia difuză şi radiaţia directă, în radiaţia globală.
Este interesant de remarcat că radiaţia difuză prezintă o pondere mai mare decât radiaţia directă.

Fig 1. 2 Raportul dintre radiaţia difuză şi radiaţia directă

5
 Energia termică unitară primită de la Soare, măsurată la nivelul suprafeţei Pământului,
perpendicular pe direcţia razelor solare, pentru condiţiile în care cerul este perfect senin şi lipsit
de poluare, în zonele Europei de Vest, Europei Centrale şi Europei de Est, în jurul prânzului,
poate asigura maxim 1000 W/m2. Această valoare reprezintă suma dintre radiaţia directă şi
difuză.
Radiaţia solară este influenţată de modificarea permanentă a câtorva parametrii
importanţi, cum sunt:
 Înălţimea soarelui pe cer (unghiul format de direcţia razelor soarelui cu planul orizontal);
 Unghiul de înclinare a axei Pământului;
 Modificarea distanţei Pământ – Soare (aproximativ 149 milioane km pe o traiectorie
eliptică, uşor excentrică.);
 Latitudinea geografică.

1.2 Conversia fotoelectrică a energiei

Celula solară este un dispozitiv ce poate fi realizat din mai multe materiale
semiconductoare care sub acţiunea radiaţiei unui flux luminos din spectrul optic transformă
energia recepţionată în energie electrică pe baza a trei efecte:
 Efectul fotoelectric intern;
 Efectul Dember
 Efectul fotovoltaic.
Dispozitivele semiconductoare sunt fabricate din materiale semiconductoare cu
rezistivitatea electrică 𝜌 cuprinsă între 10−1 şi 103 𝛺 · 𝑐𝑚, intermediar între materiale
conductoare şi izolatoare, printre care cele mai uzuale sunt: Siliciul (Si), Germaniul (Ge) şi
Arsenura de Galiu (GaAs).

1.2.1 Efectul fotoelectric intern

Fizicianul rus A.G. Stoletov a elaborat o metodă clasică pentru studiul acestui efect între
anii 1888 şi 1890 definindul ca: “efectul fotoelectric constă în emisia de electroni în afara unui
metal expus unui flux luminos”[1].
Sub acţiunea luminii, în general a cuantelor de radiaţie, proprietăţile semiconductorilor,
în special conductivitatea electrică creşte şi rezistivitatea scade, acestea constituind efectul
fotoelectric intern. Radiaţia luminoasă poate fi privită ca un flux de fotoni a caror frecvenţă
aparţine spectrului vizibil, fiecare foton fiind considerat ca o particulă, fără masă, doar cu
energie (1):
𝑊𝑓 = ℎ · 𝜈 (1)
 ℎ = 6.6524 · 10−34 [𝐽/𝑔𝑟𝑎𝑑] reprezentand constant lui Planck,
 𝜈 este frecvenţa radiaţiei.
6
 Fluxul de fotoni pătrunde în interiorul semiconductorului, iar prin ciocnirea acestora cu
constituienţi materialului semiconductor se produce efectul fotoelectric intern datorită
următoarelor cauze:
 Se generează perechile electron – gol;
 Se ionizează stările legate;
 Se comunică energie purtătorilor liberi care devin energizati.
Variaţia conductivităţii semiconductorilui (σ) necesară produceri efectului fotoelectric
intern este exprimată de următoarea formulă (2):
𝛥σ = e · q · α(𝜇𝑛 𝜏𝑛 𝜂𝑛 + 𝜇𝑝 𝜏𝑝 𝜂𝑝 ) (2)
în care: 𝜇𝑛 𝜏𝑛 𝜂𝑛 reprezintă conductivitatea de întuneric,
 𝜇𝑝 𝜏𝑝 𝜂𝑝 reprezintă conductivitatea la iluminare permanentă.
e – sarcina elementară,
q – numărul fotonilor incidenţi care străbat suprafaţa semiconductorului pe direcţia
fluxului în unitatea de timp,
α – probabilitatea de absorbţie a unui foton,
μ – mobilitatea purtătorilor,
τ – durata de viaţă a purtătorilor,
η – randamentul cuantic.

1.2.2 Efectul Dember

Descoperit în anul 1925 de catre Harry L. Dember de unde îi provine şi denumirea a fost
studiat doar în cazul metalelor, fiind analizat ulterior pentru materiale mult mai complexe [2].
Absorbţia luminii fiind mult mai puternică la suprafaţa semiconductorului, numarul de
perechi de electron-gol, g, generate prin efect fotoelectric intern variază în lungul
semiconductorului cu adâncimea x, conform relaţiei (3):
𝑔(𝑥) = 𝑔(0) · exp(−𝛼 · 𝑥) (3)
Semnificaţiile mărimilor fiind:
g(0) – concentraţia fotopurtătorilor pe suprafaţa iluminată,
𝑔(0) = 𝜂 · 𝛼 · 𝑞(0),
unde: α – probabilitatea de absorbţie a unui foton,
q(0) – numarul fotonilor ce lovesc suprafaţa semiconductorului în unitatea de timp,
η – randamentul cuantic, descrie posibilitatea ca fotonul incident să genereze cel mult o
pereche electron-gol, având implicit valoarea 1 sau 0.
Perechile de electron-gol determină un dezechilibru al purtătorilor de sarcină în regiunea
de langă suprafaţa iluminată. Datorită acestor concentraţii, purtătorii vor difuza sub acţiunea
forţelor termodinamice în profunzimea semiconductorului adică spre faţa opusă, neiluminată.
Coeficienţii de difuzie pentru perechea de purtători electron-gol sunt:
- Electron : 𝐷𝑛 = 𝑘 · 𝑇 · 𝜇𝑛 /𝑒
- Gol 𝐷𝑝 = 𝑘 · 𝑇 · 𝜇𝑝 /𝑒
7
în care 𝜇𝑛 , 𝜇𝑝 reprezintă mobilitatea electronului respectiv golului, având conditia 𝜇𝑛 >𝜇𝑝 ,
deoarece electronii au în general o mobilitate mai mare decât a golurilor, ei îndepărtându-se mai
rapid de regiunea în care au fost generaţi şi pătrund o distanţă mai mare în interiorul
semiconductorului, încărcând astfel suprafaţa neiluminată cu sarcină negativă, în raport cu
suprafaţa iluminată care se încarcă pozitiv(Figura 1.3).

ℎ·𝜈
+

mV ⃗Ɛ

Fig 1.3 Efect Dember [3]

Astfel purtătorii de sarcină determină apariţia unui câmp electric, între cele două
suprafeţe, orientat în sensul razei de lumină şi poarta numele de câmp Dember. Apariţia acestui
câmp generează o tensiune numită fotoelectromotoare 𝑉(0) (4):
𝑘 · 𝑇 · 𝑞 · 𝛼 · 𝜂(𝜇𝑛 − 𝜇𝑝 )
𝑉(0) = (4)
𝜎

care se opune separării sarcinilor în neechilibru generate prin efect fotoelectric intern, determină
astfel apariţia efectului Dember [4].
Tensiunea fotoelectromotoare sau tensiunea Dember poate fi măsurată între cele două
suprafeţe ale semiconductorului utilizând un milivoltmetru.

1.2.3 Efectul fotovoltaic

Efectul fotovoltaic a fost descoperit în anul 1839 de catre fizicianul francez Alexandre-
Edmond Becquerel. Denumirea provine de la grecescul phos (lumină) şi de la realizatorul primei
baterii electrice din lume, Allesandro Volta [5]. Tensiunea fotoelectromotoare generată sub
acţiunea luminii într-un semiconductor determină apariţia efectului fotovoltaic numai daca este
generată în regiunea de trecere, în zona joncţiunii p-n, având drept consecinţa conversia

8
fotoelectrică a energiei.
Acest fenomen are loc doar dacă:
𝑊𝑓 > 𝑊𝑖 (5)
adică energia fotonului este mai mare decât energia bandei interzise. Analiza acestui fenomen
presupune analiza conducţiei în semiconductoare şi a funcţionării unei joncţiuni p-n.

Joncţiune

n p Recombinare
Reflectare 𝑒− Transmisie
𝑒−
𝑒−
ℎ·𝜈 Contact
Contact
𝑒−
Gol 𝑒− Conducţie

Fig 1.4 Efect fotovoltaic

În reprezentarea de mai sus(Figura 1.4), iluminarea joncţiunii p-n este perpendiculară prin
stratul de conducţie n, mult mai subţire decât stratul p. Pentru a obţine un factor de colectare al
purtătorilor cât mai ridicat, grosimea regiunii de suprafaţă trebuie să fie cât mai mică.

1.3 Conducţia în semiconductoare

Conducţia în semiconductoare se analizează pe baza stării energetice a electronilor din

material. Electronii ocupă în funcţie de energia lor anumite benzi energetice.
Într-un semiconductor pur sau intrinsec se află o bandă de valenţă care este ocupată complet
şi o bandă de conducţie, liberă, desparţită de aceasta printr-o bandă numită banda interzisă ca în
figura 1.5

9
 Banda interzisa

Fig 1.5 Structura energetică a semiconductoarelor [6]

Structura semiconductorului de bază format din elemente din grupa a V-a a tabelului lui
Mendeleev din figura 1.6

Fig 1.6 Structura semiconductorului dopat cu elemente din grupa a V-a [7]

Dacă introducem impurităţi din grupa a V-a, pentru realizarea structurii se utilizează
patru electroni, iar unul devine liber. Din punct de vedere energetic prezenţa impurităţilor
donoare se manifestă prin apariţia unei benzi suplimentare în apropierea celei de
conducţie,figura 1.7

10
 Fig 1.7 Structura energetică a semiconductorilor dopaţi cu elemente din grupele III şi V

Dacă în semiconductorul de bază introducem elemente din grupa a III-a, aceştia având
doar trei electroni care pot să contribuie la cei patru electroni de valenţă ai semiconductorului de
bază. Pentru completarea cu un electron, structura va accepta un electron de la un atom vecin, în
locul lui rămânând un gol. Aici conducţia se va face prin goluri, figura 1.8

Fig 1.8 Structura semiconductorului dopat cu elemente din grupa a III-a [7]

11
 Din punct de vedere energetic doparea cu elemente din grupa a III-a are ca rezultat
apariţia unei bande numită banda acceptoare liberă în apropierea bandei de valenţă

Comportamentul semiconductorului intrinsec la 𝑻 > 0°𝐾.

Fig 1.9 Comportamentul semiconductorului intrinsec la 𝑇 > 0°𝐾 [8]

La o temperatura 𝑇 > 0°𝐾, datorită energiei suplimentare primite de la energia termică,

uni electroni pot face saltul din banda de valenţă în banda de conducţie(300°K), ei devenind
electroni liberi. Astfel, prin încalzire se creează perechea electron-gol.
Comportamentul semiconductorului dopat cu elemente de grupa a V-a.

Fig 1.10 Conducţia în semiconductorul dopat cu elemente din grupa a V-a [8]

12
 Electronii de pe banda suplimentară donoare pot trece cu uşurinţă în banda de conducţie,
devenind electroni liberi şi lăsând în locul lor ioni pozitivi. În acelaşi timp are loc şi generarea de
perechi electroni-gol prin saltul unor electroni din banda de valenţă. La acest semiconductor de
tip n, purtătorii de sarcină liberi sunt electronii din banda de conducţie.

Comportamentul semiconductorului dopat cu elemente de grupa a III-a.

Fig 1.11 Conducţia în semiconductorul dopat cu elemente din grupa a III-a [8]

La temperatură mai ridicată electronilor din banda de valenţă le este foarte uşor să facă
saltul în banda suplimentară acceptoare, liberă, determinând ionizarea acestei benzi cu ioni
negativi. În locul electronilor din banda de valenţă care au facut saltul rămân goluri, care pot fi
ocupate cu alţi electroni din banda de valenţă.
Conducţia în acest caz este o conducţie prin goluri, semiconductorul fiind de tip p. În
acelaşi timp sunt generate perechi electron-gol printr-un proces asemănător celui descris la
semiconductoarele intrinseci.

1.4 Analiza funcţionării unei joncţiuni p-n.

Joncţiunea p-n reprezintă suprafaţa de separaţie dintre două regimuri diferite (de tip p,
respectiv n) a unui monocristal dopat diferit (o parte cu elemente din grupa a III-a şi o parte cu
elemente din grupa a IV-a) precum şi zonele adiacente.

13
 Fig 1.12 Analiza joncţiunii p-n

Regiunea p.
La o temperatura mai mare de 0°C un electron de la atomii vecini pot completa legăturile
covalente incomplete. Un electron de la un atom vecin poate sa completeze legătura lipsă de la o
impuritate trivalentă, rămânând în locul lui un gol, apoi acest gol poate fi ocupat de un alt
electron şi aşa mai departe. În semiconductor apare astfel o deplasare a golurilor, pe ansamblu
însă semiconductorul este neutru (numărul de sarcini pozitive este egal cu numarul de sarcini
negative).
Regiunea n.
În regiunea de tip n, 4 electroni ai impurităţii formează legătura covalentă aparţinând la 4
atomi vecini ai semiconductorului de bază, rămânând un electron fără legătură. Acest electron
poate deveni electron liber, conducţia în acest caz este realizată cu electron, semiconductorul va
fi de tip n.
La joncţiunea p-n se întamplă următorul fenomen: Golurile din regiunea de tip p din
apropierea zonei de separaţie sunt completate de electronii aflaţi în exces din regiunea de tip n.
Astfel, în regiunea de tip n apare un surplus de sarcină pozitivă, iar în regiunea de tip p apare un
surplus de sarcină negativă.

̅̅̅
𝑬𝒄

𝒖𝒏𝒑
Fig 1.13 Apariţia sarcinilor electrice într-o joncţiune p-n [8]

14
 Electronii din regiunea de tip n, în surplus, sesizează prezenţa golurilor din regiunea de
tip p, vecină şi difuzează în aceste zone. Deplasarea unui electron din regiunea de tip n
determină apariţia în locul lui a unui ion pozitiv în regiunea de tip n, iar în regiunea de tip p
determină apariţia unui ion de tip negativ. Asemănător se pot deplasa golurile din regiunea de tip
p în regiunea de tip n, astfel în regiunile învecinate joncţiunii apar sarcini pozitive şi negative, ca
în figura 3.a. Sarcina electrică a ionilor din zona joncţiunii dă naştere unui câmp electric ( ̅̅̅
𝐸𝑐 ) cu
sensul de la plus la minus. Câmpul electric ̅̅̅ 𝐸𝑐 se opune difuziei în continuare a purtătorilor
majoritari dintr-o regiune în alta.

̅̅̅
𝐄𝐜

𝒖𝒏𝒑
u

Fig 1.14 Joncţiunea p-n polarizată direct [8]

Consideram că aplicăm o sursă de tensiune regiunii de tip p-n cu plus pe regiunea p şi

minus pe regiunea de tip n. Sursa exterioară determină apariţia unui câmp electric 𝐸̅ în sens
invers faţă de ̅̅̅
𝐸𝑐 , astfel purtătorii de sarcină majoritari de tip p (golurile) şi electronii din
regiunea de tip n se vor putea deplasa, ceea ce va da naştere, prin dispozitiv, unui curent 𝑖𝑑 ,
joncţiunea p-n este astfel polarizată direct.

u 𝒖𝒏𝒑
Fig 1.15 Joncţiunea p-n polarizată invers [8]

15
 Joncţiunea p-n va fi polarizată invers dacă regiunea de tip p va fi conectată la minus, iar
regiunea de tip n va fi conectată la plus.
Sursa electrică de tensiune aplicată joncţiunii p-n cu polarităţile indicate determină
apariţia unui câmp electric 𝐸̅ în sensul câmplului electric ̅̅̅ 𝐸𝑐 , adică sursa întăreşte acţiunea
câmplului 𝐸 ̅̅̅𝑐 de a se opune difuziei în continuare a purtătorilor de sarcină majoritari. Purtătorii
de sarcină majoritari (de tip n), iar electronii (de tip p) sunt apreciaţi şi formează un curent invers
de saturaţie.
În concluzie, când joncţiunea p-n este supusă unei tensiuni exterioare va fi parcursă de un
curent 𝑖𝑑 , când joncţiunea este polarizată direct, de o valoare care este în funcţie de tensiunea
aplicată, iar la polarizaţie inversă de un curent mult mai redus şi de sens contrar. Expresia
curentului 𝑖𝑑 este dat de relaţia (6):

𝑢⁄
𝑖𝑑 = 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) (6)

Unde:
- 𝑖𝑑 curentul prin dispozitiv;
- 𝐼0 curentul invers de saturaţie (𝐼0 = 10−6 𝐴 la T=400°K);
- 𝑢 tensiunea aplicată dispozitivului;
- 𝐴 constantă numerică în funcţie de dopare (𝐴 = 1 ÷ 2);
𝑘·𝑇
- 𝑈𝑇 = tensiunea termică echivalentă temperaturii de funcţionare;
𝑒
𝐽
- 𝑘 constanta lui Boltzmann (𝑘 = 1,38049 · 10−23 ⁄𝐾 );
- 𝑇 temperatura;
- 𝑒 sarcina electronului în valoarea absolută (𝑒 = 1,60209 · 10−19)

Comportarea semiconductorului p-n la o iluminare cu o radiaţie electromagnetică,

cu frecvenţă susceptibilă, de a determina o manifestare a unui efect fotovoltaic.

Fig 1.16 Comportamentul semiconductorului p-n la iluminare [8]

Radiaţia ajunge în regiunea de tip p, în afara joncţiunii şi dacă energia acesteia este
16
suficient de mare produce o pereche electron-gol. În această zonă există un numar mare de
goluri, încat electronul eliberat poate să ocupe imediat un gol. Per ansamplu, în structura
semiconductorului nu se întamplă nimic.
Daca radiaţia ajunge în zona similară, dar de tip n şi generează o pereche de electron-gol,
golul format este imediat ocupat de un electron din rândul purtătorilor majoritari. Efectul
radiaţiei asupra regiunii nu schimbă numărul de purtători majoritari.
Presupunem că radiaţia ajunge în zona joncţiunii şi generează o pereche de electron-gol,
sub acţiunea câmpului electric ̅̅̅𝐸𝑐 , cele două sarcini generate sunt acţionate cu forţe de sens
contrar, electronul ajunge în regiunea de tip n, iar golul în regiunea de tip p. Acestea fiind sarcini
suplimentare, încat dacă dispozitivul este conectat la o sarcină R, atunci aceasta va fi parcursă de
un curent electric 𝑖.
Efectul fotovoltaic se manifestă dacă radiaţia are energie suficientă şi ajunge în dreptul
joncţiunii.

Fig 1.17 Schema echivalentă

Curentul 𝑖 prin 𝑅 determină apariţia unei tensiuni de la regiunea p la regiunea n, care

generează curentul prin dispozitiv 𝑖𝑑 .

1.5 Celula fotovoltaică

Celule fotovoltaice, au de obicei o suprafaţă foarte mică şi curentul generat de o singură

celulă este mic dar combinaţii serie, paralel ale acestor celule pot produce curenţi suficient de
mari pentru a putea fi utilizaţi în practică. Pentru aceasta, celulele sunt încapsulate în panouri
care le oferă rezistenţă mecanică şi la intemperii.

17
 Fig 1.18 Celula fotovoltaica

La baza celulelor fotovoltaice stă joncţiunea p-n. Joncţiunea p-n rezultă din doparea
semiconductorului care produce banda de conducţie sau banda de valenţă, o faţă devenind de tip
n (încărcată negativ), iar cealaltă de tip p (încarcată pozitiv) figura 1.19

Fig 1.19 Celula fotovoltaică reprezentată schematic [9]

18
 Electronii sunt pompaţi de fotonii din banda de valenţă în banda de conducţie, ei fiind
extraşi printr-un contact selectiv pe banda de conducţie (un semiconductor dopat, de tip n) cu o
energie (liberă) ridicată şi livraţi în exterior cu ajutorul conductorilor , energia fiind folosită
pentru alimentarea sarcinilor exterioare, pentru ca apoi contactul să revină şi să se închidă prin
banda de valenţă printr-un contact selectiv pe banda de valenţă (un semiconductor dopat, de tip
p).
Celulele fotovoltaice sunt compuse din siliciu necristalin (amorf) sau cristalin. Celulele
fotovoltaice din alte materiale precum GaAs sau CuInSe2 sunt încă în faza de dezvoltare. În
domeniul puterii reduse (mW, µW), de exemplu ceasuri şi calculatoare de buzunar, celulele
fotovoltaice cu siliciu amorf domină piaţa.
Atomii de siliciu nu sunt ordonaţi, ceea ce permite obţinerea de folii subţiri de siliciu.
Siliciul amorf este folosit la module cu putere de 30 W. Dezavantajul constă în randamentul
scăzut, de 5-7 %. De aceea, este necesară dublarea suprafeţei de module solare monocristaline
sau policristaline.

1.5.1 Tipuri de celule

A. Celule de siliciu monocristalin din figura 1.20

 Au randamentul de 15 % - 17 %;
 Sunt fabricate din blocuri de siliciu monocristalin;
 Au culoare de la albastru închis până la negru.

Fig 1.20 Celule de siliciu monocristalin

B. Celule de siliciu policristalin din figura 1.21

Au randamentul de 13 % - 15 %;
Sunt fabricate din blocuri de siliciu compuse din cristale mari;
Au suprafaţa perlată;
Au costuri de producţie mai reduse decât cele ale celulelor monocristaline.

19
 Fig 1.21 Celule de siliciu monocristalin

C. Celule amorfe
 Sunt realizate dintr-un suport de sticlă sau material sintetic, pe care se depune un strat
subţire de siliciu;
 Au randamentul de 5 % -10 %, mai mic decât al celulelor cristaline;
 Sunt utilizate în mici produse comerciale (ceasuri, calculatoare), dar pot fi utilizate şi în
instalaţiile solare;
 Au avantajul de a se comporta mai bine la lumina difuză şi la cea fluorescentă, fiind deci
mai performante la temperaturi ridicate;
 Au costuri de producţie mai reduse decât cele ale celulelor cristaline.

 D. Celule CdTe, CIS, CIGS

 Celulele cu CdTe se bazează pe telura de cadmiu, material interesant datorită proprietăţii

de absorbţie foarte mare. Totuşi, dezvoltarea lor riscă să fie frânată datorită toxicităţii
cadmiului;
 Celulele cu CIS (CuInSe2) se bazează pe cupru, indiu şi seleniu. Acest material se caracterizează
printr-o bună stabilitate sub acţiunea iluminării. Au proprietăţi de absorbţie excelente;
 Celulele cu CIGS sunt realizate din aceleaşi materiale ca şi cele cu CIS, având ca
particularitate alierea indiului cu galiu. Aceasta permite obţinerea unor caracteristici mai bune.

20
 Fig. 1.22 : Tipuri de celule fotovoltaice des folosite şi randamentele lor

1.5.2 Caracteristica externă a celulei fotovoltaice.

Fig.1.23 Schema echivalentă a unei celule

21
Aplicând teoremele lui Kirchhoff rezultă următoarele ecuaţii:
𝑖 = 𝐼𝑔 − 𝑖𝑑 (6)
𝑢𝑑
𝑖𝑑 = 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) (7)

În care:
𝐼𝑔 = curentul generat de efectul fotovoltaic;
𝑖𝑑 = curentul prin diodă, determinat de polarizarea directă a diodei.

Polarizarea directă este determinată de injecţia de sarcini pozitive în regiunea de tip p şi

negative în regiunea de tip n, aceste sarcini provocând o diferenţă de potenţial între p şi n. În
exterior sesizăm prezenţa unui curent i, care este rezultanta diferenţei dintre cei doi curenţi, 𝐼𝑔
provocat de efectul fotovoltaic şi 𝑖𝑑 dat de polarizarea directă a diodei. Curentul i înseamnă
diferenţa dintre cei doi curenţi, care trece atât prin regiunea de tip p cât şi prin regiunea de tip n,
care au o anumită rezistenţă internă r, fiind prezentă în schema prezentată(Figura 1.16).
Între regiunea de tip p şi cea de tip n apare o rezistenţă 𝑅𝑝 care este dată de rezistenţa
materialelor care protejează semiconductorul şi determină o scurgere între cele două borne.
Rezistenţa materialelor în comparaţie cu rezistenţa de sarcină este mult mai mică 𝑅𝑝 ≫ 𝑅,
aceasta poate fi neglijată, iar pentru calcule mai rapide putem neglija şi rezistenţa internă r şi se
ajunge la scheama simplificată din figura următoare:

Fig.1.24 Schema echivalentă simplificată

𝐼0 – curentul invers de saturaţie

𝑢𝑑 – tensiunea aplicată
𝐴 – coeficientul de dozare
𝑈𝑇 – tensiunea termică corespunzatoare temperaturii de funcţionare
𝑢𝑑 = 𝑟 · 𝑖 + 𝑢 încat relaţia (7) devine:

22
 𝑢+𝑟·𝑖
𝑖 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇
− 1) (8)
𝑢+𝑟·𝑖 (𝑛−1)
(𝑛)
𝑖 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) ; 𝑖 (0) = 𝐼𝑔
𝑢+𝑟·𝑖
Relaţia (8) devine : 𝐼0 · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇
= 𝐼𝑔 + 𝐼0 − 𝑖
𝑢+𝑟·𝑖 𝐼𝑔 𝑖
= ln( 𝐼 + 1 − 𝐼 )
𝐴·𝑈𝑇 0 0
𝐼𝑔 𝑖
𝑢 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln ( 𝐼 + 1 − 𝐼 ) − 𝑟 · 𝑖 (9)
0 0
𝑘·𝑇
𝑈𝑇 =
𝑒
i [A]

4
Isc PPM
3

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

U0 0.6 u [V]

Fig 1.25 Caracteristica Curent-Tensiune

a) Funcţionarea în gol
La funcţionarea în go 𝑘 = ∞ ⇒ 𝑖 = 0 , 𝑢 = 𝑈0 l. Rezulta.

𝐼𝑔
𝑈0 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln( + 1) (10)
𝐼0

b) Funcţionarea în scurtcircuit
La funcţionarea în scurtcircuit 𝑢 = 0 , 𝑖 = 𝐼𝑠𝑐 . Rezultă:
𝑟·𝐼𝑠𝑐
𝐼𝑠𝑐 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 𝐴·𝑈
(𝑒 𝑇 − 1) (11)

Pană la o anumită tensiune, curentul furnizat de generator este constant, după care,
curentul scade rapid către valoarea 0. Pentru valoarea 0 a curentului de obţine tensiunea la
bornele generatorului 𝑈0 .
Pentru schema simplificată:
23
 𝑢𝑑 = 𝑢 ; 𝑟 = 0

Din relaţia (8) rezultă:

𝑢
𝑖 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) (12)
𝑢
𝐼0 · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇 = 𝐼𝑔 + 𝐼0 − 𝑖
𝐼𝑔 𝑖
𝑢 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln( + 1 − ) (13)
𝐼0 𝐼0

- Funcţionarea în gol 𝑖 = 0 , 𝑢 = 𝑈0
𝐼𝑔
𝑈0 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln( + 1) (14)
𝐼0

- Funcţionarea în scurtcircuit 𝑢 = 0 , 𝑖 = 𝐼𝑠𝑐

Din ecuaţia (12) rezultă :
𝐼𝑠𝑐 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 0 − 1) (15)
𝐼𝑠𝑐 = 𝐼𝑔
Iar reprezentarea 𝑖 = 𝑓(𝑢) este :

Fig 1.26 Caracteristica i=f(u)

Unde : 𝐺 = 𝑐𝑡. ; 𝑇°𝐾 = 𝑐𝑡.

24
1.5.3 Generatorul fotovoltaic – Putere şi Randament

Conform schemei simplificate (Figura 1.26) avem următoarele ecuaţii:

𝑢
𝑖 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) (16)
𝐼𝑔 𝑖
𝑢 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln( + 1 − ) (17)
𝐼0 𝐼0
𝑢
𝑝 = 𝑢 · 𝑖 ⇒ 𝑝 = [𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1)] (18)
𝑝𝑢′ = 𝑢′ · 𝑖 + 𝑢 · 𝑖′ (19)
𝑢 𝐼0 𝑢
𝑝𝑢′ = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) + 𝑢[− · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇 ] (20)
𝐴 · 𝑈𝑇

Notam 𝑢 = 𝑈𝑀 şi considerăm 𝑝𝑢′ = 0

𝑢 𝑢
𝑀 0 𝑈 𝐼
𝐼𝑔 + 𝐼0 − 𝐼0 · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 𝐴·𝑈 · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇 = 0
𝑇
𝑈𝑀
𝑈
𝐼𝑔 + 𝐼0 = 𝐼0 · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇
(1 + 𝐴·𝑈𝑀 )
𝑇

𝑈 𝐼𝑔 +𝐼0
⇒ 𝐴·𝑈𝑀 = 𝑈𝑀 −1⇒
𝑇
𝐼0 ·𝑒 𝐴·𝑈𝑇
𝐼𝑔 + 𝐼0
𝑈𝑀 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · 𝑈𝑀 − 𝐴 · 𝑈𝑇 (21)
𝐼0 · 𝑒 𝐴·𝑈𝑇

𝐼𝑔
𝑈0 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln( 𝐼 + 1) ⇒
0
𝑈0 𝐼𝑔 𝐼𝑔 + 𝐼0 𝑈0
⇒ = ln( + 1) ⇒ = 𝑒 𝐴·𝑈𝑇 (22)
𝐴 · 𝑈𝑇 𝐼0 𝐼0

𝑈0
𝑒 𝐴·𝑈𝑇
Din (21) ⇒𝐴 · 𝑈𝑇 + 𝑈𝑀 = 𝐴 · 𝑈𝑇 · 𝑈𝑀 ⇒
𝑒 𝐴·𝑈𝑇
𝑈0 −𝑈𝑀
𝑈
⇒ 1 + 𝐴·𝑈𝑀 = 𝑒 𝐴·𝑈𝑇
⇒
𝑇
𝑈0 −𝑈𝑀 𝑈
⇒ = ln(1 + 𝐴·𝑈𝑀 ) ⇒
𝐴·𝑈𝑇 𝑇
𝑈𝑀
⇒ 𝑈𝑀 = 𝑈0 − 𝐴 · 𝑈𝑇 · ln(1 + ) (23)
𝐴 · 𝑈𝑇
reprezentând valoarea tensiunii pentru care se obţine puterea maximă.

25
Cu expresia tensiunii maxime

𝑈𝑀 se determină curentul maxim, folosind expresia (12):

𝑈𝑀
𝐼𝑀 = 𝐼𝑔 − 𝐼0 (𝑒 𝐴·𝑈𝑇 − 1) ⇒
𝑈𝑀 (𝐼𝑔 + 𝐼0 )
⇒ 𝐼𝑀 = (24)
𝐴 · 𝑈𝑇 + 𝑈𝑀

Puterea maximă va fi:

2
𝑈𝑀 (𝐼𝑔 + 𝐼0 )
𝑃𝑀 = 𝑈𝑀 · 𝐼𝑀 = (25)
𝐴 · 𝑈𝑇 + 𝑈𝑀

Rezistenţa optimă pentru puterea maximă:

𝑈𝑀 𝐴 · 𝑈𝑇 + 𝑈𝑀
𝑅𝑀 = =
𝐼𝑀 𝐼𝑔 + 𝐼0 (26)

Randamentul maxim al unei celule fotovoltaice:

𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑈𝑀 · 𝐼𝑀
𝜂𝒎𝒂𝒙 = =
𝑃𝑟 𝑚𝑎𝑥 𝑃𝑟 𝑚𝑎𝑥 (27)

Unde: 𝜂𝑚𝑎𝑥 – randamentul maxim;

𝑃𝑚𝑎𝑥 – puterea electrică maximă;
𝑃𝑟 𝑚𝑎𝑥 – puterea radiantă maximă, având expresia:

𝑃𝑟 𝑚𝑎𝑥 = 𝑛 · 𝑆 · 𝑒 · 𝐸𝑓 (28)

Unde: 𝑛 – densitatea fotonilor;

𝑆 – suprafaţa pe care cade fotonul;
𝑒 – sarcina unui electron;
𝐸𝑓 – energia fotonului.

𝐼𝑔
Curentul 𝐼𝑔 = 𝑛 ∙ 𝑒 ∙ 𝑆 ∙ 𝑘0 ∙ (1 − 𝑘1 ) ∙ 𝑘2 ∙ 𝑘3 ⇒ 𝑛 ∙ 𝑒 ∙ 𝑆 = 𝑘
0 ∙(1−𝑘1 )∙𝑘2 ∙𝑘3
Puterea radiantă maximă va fi:

𝐼𝑔 ∙ 𝐸𝑓
𝑃𝑟 𝑚𝑎𝑥 =
𝑘0 ∙ (1 − 𝑘1 ) ∙ 𝑘2 ∙ 𝑘3 (29)

26
Randamentul maxim va avea expresia:

𝐼𝑀 ∙ 𝑈𝑀
𝜂𝒎𝒂𝒙 = 𝑘 ∙ (1 − 𝑘1 ) ∙ 𝑘2 ∙ 𝑘3
𝐼𝑔 ∙ 𝐸𝑓 0 (30)

În care: 𝑘0 – coeficientul de utilizare;

𝑘1 – coeficientul de reflexie;
𝑘2 – coeficientul de transparenţă;
𝑘3 – coeficientul de generare.

1.6 Panouri fotovoltaice

Fig 1.27 Panourile fotovoltaice

Panourile fotovoltaice sunt alcatuite din celule solare. Deoarece o celula fotovoltaică nu
produce suficientă energie ca să poată fi folosită eficient, este nevoie de mai multe celule,
acestea fiind legate in serie - paralel, formând astfel un panou fotovoltaic.
Un panou fotovoltaic este caracterizat prin parametrii săi electrici cum ar fi tensiunea de
mers în gol sau curentul de scurtcircuit.

Fig 1.27 Elementele necesare construcţiei unui panou solar obişnui

27
 1.6.1 Elementele necesare construcţiei unui panou solar
obişnuit

 Un geam (de cele mai multe ori geam securizat monostrat) de protecție pe fața expusă la
soare;
 Un strat transparent din material plastic (etilen vinil acetat, EVA sau cauciuc siliconic) în
care se fixează celulele solare;
 Celule solare monocristaline sau policristaline conectate între ele prin benzi de cositor;
 Cașerarea feței posterioare a panoului cu o folie stratificată din material plastic rezistent la
intemperii fluorură de poliviniliden (Tedlar) și Poliester;
 Priza de conectare prevăzută cu diodă de protecție respectiv diodă de scurtcircuitare și record;
 O ramă din profil de aluminiu pentru protejarea geamului la transport, manipulare și montare,
pentru fixare si rigidizarea legăturii;

1.6.2 Tipuri de panouri

 panouri laminate sticlă-sticlă

 panouri sticlă-sticlă utilizând rașini aplicate prin turnare
 panouri cu strat subțire (CdTe, CIGSSe, CIS, a-Si) pe suprafețe de sticlă sau aplicate ca
folie flexibilă
 panouri concentrator:

Lumina solară se concentrează cu ajutorul unui dispozitiv optic pe celule fotovoltaice de

dimensiuni mai mici. Astfel utilizând lentile comparativ mai ieftine pentru a crea un fascicul de
lumină mai subțire, se economisește material semiconductor care este mai scump. Sistemele cu
concentrator sunt utilizate de cele mai multe ori la celule fotovoltaice din semiconductori pe
bază de elemente din grupa III-V. Pentru că utilizarea lentilelor impune ca razele solare să cadă
perpendicular pe acestea, va fi nevoie de un sistem de orientare mecanică în funcție de poziția
soarelui.
 colector cu fluorescent:
Acest tip deosebit de panou fotovoltaic transformă lumina incidentă, prin intermediul unui
strat de material sintetic, în radiație de o lungime de undă acordată pe frecventă de absorbție
maximă din celula fotovoltaică. În acest scop materialul sintetic este impurificat cu un pigment
fluorescent. Lumina solară este absorbită de pigment și reemisă cu o lungime de undă mai mare.
Această lumină generată părăsește stratul de material sintetic doar pe o anumită direcție bine
28
determinată pe toate celelalte direcții fiind reflectată și astfel reținută în material. Pe direcția
emisiei se așează celulele fotovoltaice ce sunt optimizate pe lungimea de undă emisă de pigment.
Prin aplicare mai multor straturi de material sintetic și celule fotovoltaice acordate pe
lungimi de undă diferite, se poate mări randamentul deoarece se poate acoperi un spectru mai
larg decât cu panourile solare obișnuite.

1.7 Sisteme fotovoltaice cuplate la rețea

1.7.1 Clasificarea sistemelor fotovoltaice

Fig 1.28 Clasificarea sistemelor fotovoltaice:

1.7.2 Sisteme fotovoltaice conectate la rețea

Energia produsă fotovoltaic este debitată în rețeaua electrică publică, total sau doar
partea neconsumată de proprietarul sistemului fotovoltaic ( SFV ). Acest tip de sistem
fotovoltaic nu necesită unitatea de stocare a energiei (USE) generate, rolul acesteia fiind preluat
chiar de rețeaua de distribuție. În afară de generatorul fotovoltaic(GFV), singurul bloc necesar
este invertorul.
Schema bloc a unui sistem fotovoltaic cuplat la rețea
Un sistem fotovoltaic (SFV) convertește în mod direct energia solara in energie electrica

29
 pe baza efectului fotovoltaic si o aduce la parametrii electrici ceruti de consumator.

1. 1. Generatorul fotovoltaic (GFV)

Convertește energia primită de la soare în energie electrică de curent continuu, folosind

efectul fotovoltaic.
GFV este format din una sau mai multe celule fotovoltaice interconectate:

Si poli-cristalin Si mono-cristalin
Fig 1.29 Generatorul fotovoltaic

Cel mai adesea GFV este format din unul sau mai multe module fotovoltaice.
Printr-un modul fotovoltaic se întelege cel mai mic ansamblu de celule fotovoltaice
interconectate, complet protejate față de mediul ambient.

Fig 1.30 Modul celule voltaice

30
 În mod uzual celulele dintr-un modul sunt legate în serie. Tipic, modulul este format din
36 - 60 de celule fotovoltaice, în funcție de materialul folosit pentru realizarea celulelor. Mai
multe module legate în serie formează un șir fotovoltaic.
GFV de mare putere se realizează interconnectând mai multe panouri fotovoltaice.
Un panou fotovoltaic este format dintr-un grup de module fixate împreuna, preasamblate și
cablate electric.

Fig 1.31 Panou fotovoltaic

GFV de mare putere (sute kW - zeci MW) se realizează interconectând un număr

suficient de mare de module sau panouri fotovoltaice. O denumire alternativă pentru aceste GFV
este aceea de array sau de matrice fotovoltaică.
Array - Un ansamblu integrat mecanic de module sau panouri, împreună cu structura
suport, exclusiv fundația, sistemele de urmărire a soarelui, etc.

Fig 1.32 Panou fotovoltaic array sau de matrice fotovoltaică

31
 2. Unitatea de stocare a energiei

Este evident că GFV nu produc energie decât în prezența soarelui. Noaptea și în zilele
înourate energia produsă este zero sau neglijabilă. Pentru a asigura continuitatea alimentării cu
energie electrică a consumatorilor, atunci când situația o cere, este necesară o unitate de stocare a
energiei. Cel mai adesea acest lucru este realizat folosind baterii de acumulatoare:

Fig 1.32 baterii de acumulatoare

2. 3. Blocul de procesare a puterii generate fotovoltaic (Power Conditioner)

- Invertoare: GFV generează tensiune și curent continuu. Mulți consumatori necesita însa
curent alternativ. Sistemul fotovoltaic trebuie astfel să conțina un convertor c.c.-c.a., adică un
invertor. Pe lângă funcția de conversie, un invertor realizează multe alte funcții fiind astfel
componenta cea mai inteligentă a unui SFV.

Fig 1.33 Invertor Fig 1.34 Invertor

- Regulatoare (sau controlere) de încărcare: sunt necesare în SFV care stochează energia
generată fotovoltaic folosind acumulatoare electrice pentru a prelungi durata de viață a acestora
(prin evitarea descărcării excesive sau a supraâncărcării).

32
 Fig 1.35 Regulatoare

- Convertoare c.c.-c.c. Mărimea tensiunii continue generată de GFV în multe situații nu

corespunde celei necesare bunei funcționări a consumatorului. Pentru a "transforma" tensiunea
continua la un nivel corespunzător se folosesc blocuri electronice numite convertoare c.c..
Acestea se întâlnesc și ca blocuri distincte, dar de cele mai multe ori apar în componența
invertoarelor sau a unor blocuri de adaptare a sarcinii la generator (numite MPPT – Maximum
Power Point Tracker).

1.7.3 Avantaje / dezavantaje instalații fotovoltaice legate la

rețea

 ca şi avantaje, putem enumera următoarele: nu necesită intreţinere, surplusul de

electricitate produs la un moment dat este preluat de reţea, şi se va compensa cu consumul
de energie;
 pe de altă parte: necesită autorizări şi contracte cu autorităţile din domeniu;
 în cazul unei întreruperi de curent, nici sistemul fotovoltaic nu va furniza energie.

33
CAPITOLUL 2 INVERTOARE

Invertorul, impreună cu modulele fotovoltaice, reprezintă o componentă esențială a unui

sisteme fotovoltaic. El contribuie la stabilirea costului unei instalații fotovoltaice , precum și la durata
de funcționare, fiind componentă cu o viață garantată scurtă - cca 5 ani - in comparație cu cei 20 ani ai
modulelor PV.
Principala funcție a invertorului reprezintă conversia energiei de c.c. generată de
modulele fotovoltaice in energie de c.a., necesară majoritații tipurilor de consumatori.
Clasificarea invertoarelor se poate face:
1. După numărul fazelor la ieşire invertoarele pot fi:
 Monofazate;
 Trifazate.
2. În raport cu comanda:
 cu comandă externă (PWM sau MID, MIA, PWM defazată, cu sinteză dreptunghiulară a
tensiunii de ieşire etc.);
 cu comandă prin reacţie autooscilantă.

3. După tipul sarcinii:

 de bandă largă;
 de bandă îngustă (rezonante).

2.1 Specificațiile, cerințele și standardele unui invertor pentru

sisteme solare

Interfațarea unui invertor solar cu rețeaua electrică implică două sarcini majore. Una este aceea
de a ne asigura că invertorul solar funcționează la putere maximă (MPP). Al doilea este de a injecta un
curent sinusoidal în rețea. Deoarece invertorul este conectat la rețea, standardele emise de companiile de
utilități trebuie să fie respectate [22].
IEEE1547 EN61000-3-2, și National Electrical Code SUA (NEC) 690, sunt în luate in vedere.
Aceste standarde se ocupa cu probleme cum ar fi calitatea puterii, detectarea functionarii la insularizare,
împământare, și așa mai departe
Aceste convertoare trebuie să fie capabile să detecteze o insularizare, și să ia măsurile adecvate
pentru a preveni vătămări corporale si deteriorarea echipamentului conectat la rețea. Insularizarea este
funcționarea în continuare a invertorului, atunci când rețeaua a fost oprita în mod intenționat, prin
accident, sau prin daune.
Cu alte cuvinte, în cazul în care rețeaua a fost eliminată de la invertor, invertorul trebuie să se
oprească, apoi apoi sa incerce sa furnizeze puterea de la rețea.
34
 Caracteristici STANDARDUL EN61000-3-2, IEEE1547

2.2 Tipuri de invertoare folosite in sisteme solare

2.2.1.Invertoare in punte H

Cea mai raspandită topologie de invertor este in punte H. O diagonală a punții este
conectată la sursa de tensiune continuă UDC , iar in cealaltă este conectată sarcină. Fiecare
braț al punții conține un element de comutație controlabil, de regula un tranzistor MOSFET
de putere sau un IGBT.( Fig 2.1 a)
Cel mai simplu mod de comanda a acestor comutatoare consta in inchiderea pentru un
35
interval de timp T/2 a comutatoarelor T1 si T4, urmata de deschiderea lor si inchiderea
simultana a celorlalte doua (T2 si T3). Sarcina este astfel alimentata cu o tensiune alternativa
UAC dreptunghiulara, de amplitudine UDC si frecventa 1/T.( Fig 2.1 b)

Fig 2.1 a) Invertoare in punte H

Fig 2.1 b) Invertoare in punte H [23]

Acest mod de comandă este foarte simplu. Invertorul este ieftin si fiabil, dar forma de
undă rezultă are un factor de distorsiuni armonice (THD) foarte mare de cca. 40%,
care este inacceptabil în majoritatea aplicațiilor PV.
Factorul de distorsiuni armonice arată ponderea armonicilor superioare
(mai mari decat 1) față de armonica fundamentală:

( 1)
unde U1 este valoarea efectivă a armonicii fundamentale, iar U2, U3, ... sunt valorile
efective ale armonicelor respective. Ținand cont de relația

(2)
unde U este valoarea efectivă a tensiunii analizate, formula de definiție poate fi
36
rescrisă în forma

(3)
mai convenabilă atât pentru calculul analitic al lui THD, cât si pentru determinarea
lui practică.
Pentru a micșora THD, la ieșirea invertorului se conectează un filtru LC trece-jos, care
atenuează armonicile de ordin superior. Pentru o bună filtrare sunt necesare inductivităti
si capacitati mari, cu dezavantajele aferente (gabarit si greutate mari, pret de cost marit).
O solutie preferată de toate invertoarele comerciale folosite în sistemele PV constă în
comanda cu modulație în durată a comutatoarelor (PWM). Duratele de conducție ale
comutatoarelor nu mai sunt fixe; ele rezultă prin compararea unui semnal sinusoidal de
referintă cu un semnal triunghiular ("purtatoarea") U purt . Rezultă un șir de impulsuri
de lațime variabilă, cu proprietatea că valoarea medie a unei perechi de impulsuri
succesive urmărește sinusoida semnalului de referință.

Fig 2.2 Invertor THD [23]

Cu acest semnal se comandă comutatoarele punții astfel încat impulsurile pozitive să

comande închiderea lui T1 și a lui T4, respectiv deschiderea lui T2 și T3, iar impulsurile
negative să aibe efect complementar. Tensiunea la ieșire variază în timp la fel ca U pwm ,
între +UDC și - UDC.
Spectrul de armonici al semnalului de iesire contine, pe langa o armonica de frecventa
1/T (T fiind perioada semnalului sinusoidal de referinta), o serie de armonici
superioare introduse prin semnalul triunghiular purtator. Daca se alege frecventa
acestuia suficient de mare (zeci kHz), frecventele armonicilor va fi si ele mari, iar
pentru atenuarea lor filtrul LC se poate realiza folosind inductivitati si capacitati mici,
cu consecinte favorabile privind gabaritul, greutatea si pretul invertorului.
Acest sistem este deosebit de convenabil in cazul invertoarelor conectate la retea, care
37
trebuie sa urmareasca fidel tensiunea retelei, lucru usor de realizat alegand ca tensiune
de referinta tocmai tensiunea retelei.

2.2.2 Invertoare in semipunte

Spre deosebire de invertoarele în punte invertoarele în semipunte folosesc doar două
comutatoare.( Fig 2.3)
Cel mai simplu mod de comandă a acestor comutatoare constă în închiderea unuia dintre ele
interval de timp T/2, urmată de deschiderea lui și închiderea celuilalt . Sarcina este astfel alimentată cu
o tensiune alternative UAC dreptunghiulara, de amplitudine UDC si frecventa 1/T.

Fig 2.3 Invertoare in semipunte [23]

Modul acesta de comandă se numește comanda PWM.

Comanda PWM permite reglajul amplitudinii de ieşire prin modificarea gradului de modulaţie
U
m a  CM , unde U CM şi U TM (fixă) reprezintă amplitudinea tensiunii de comandă modulatoare de
U TM
formă sinusoidală cu frecvenţa f C , respectiv amplitudinea tensiunii triunghiulare de frecvenţă f T (fixă).
fT
Raportul m f  defineşte factorul de modulaţie în frecvenţă. Dispozitivele de putere comută
fC
cu frecvenţa f T , iar frecvenţa fundamentalei tensiunii de ieşire u AO1 este f C .
Funcţionarea schemei este următoarea:
Ui
u C  u T  T1  on  u AO  (4)
2
U
u C  u T  T2  on  u AO   i (5)
2
Conform figurii avem rapoartele asemenea:

38
 U TM  u C t
 1 (6)
U TM TT
2
deci valoarea medie a tensiunii de ieşire, la o comandă PWM, este:

 U  U  1 U t U U  u  u C Ui
U AO    i t 1  i TT  t 1   i  Ui 1  i  i 1  C   (7)
 2  2  TT 2 TT 2 2  U TM  U TM 2
Dacă
u C  U CM sin 2f c t

pentru m a  1 fundamentala tensiunii de ieşire este

U CM U i U
u AO1  sin 2f c t  m a i sin 2f c t
U TM 2 2
Ui
deci amplitudinea sa, U AO1M , este U AO1M  m a
2

Fig 2.4 Invertor cu tensiune rectangulară [23]

Un invertor cu tensiune rectangulară are avantajul comutării cu frecvenţa 2fc, mai mică decât fT,
deci poate lucra la puteri mari. Dezavantajul său este că amplitudinea tensiunii de ieşire nu este
reglabilă.

39
2.3 Conectarea invertoarelor la panourile solare

Exista mai multe posibilitati de a asocia modulele PV cu invertoarele

1. Individual:

Fiecare invertor este alimentat de la un singur modul PV, iar ieșirile de c.a. sunt conectate în
paralel. Soluția se folosește dacă condițiile de iluminare ale modulelor sunt foarte neuniforme, deci
MPP - urile modulelor sunt foarte diferite. Prin această conectare, fiecare modul este dus, de catre
invertorul respectiv, in MPP. Este o soluție costisitoare.( Fig 2.4)

Fig 2.5 Invertor individual

2. Pe șiruri:

Modulele sunt conectate în serie (șir), fiecare șir fiind conectat la alt invertor. Ieșirile
invertoarelor sunt conectate în paralel pe rețea. Soluția se folosește dacă șirurile au condiții de
iluminare diferite, de exemplu dacă sunt situate pe perețui exteriori diferiți ai unei clădiri.
Unele invertoare suportă mai multe șiruri în paralel. Soluția e convenabilă numai daca șirurile
sunt în aceleași condții de iluminare întrucat invertorul are un singur MPPT.

Fig 2.6 Invertor pe șiruri

40
 O variantă relativ economica o reprezintă invertorul multistring care are pentru
fiecare string cate o intrare de c.c. separată, respectiv un MPPT:

Fig 2.7 Invertor multistring

3. Mixt

În cazul generatoarelor PV de mare putere, cum este cazul parcurilor PV, se folosesc
invertoare de putere mai mare, numite invertoare centrale, la care se conectează o grupare
mixta de module PV.

Fig 2.8 Invertor mixt

41
2.4 Conectarea invertoarelor la rețea

Interfațarea invertorului cu rețeaua se poate realiza în urmatoarele moduri:

1. Folosind un transformator de joasă frecventă:

Fig 2.9 Interfatarea invertorului

Filtrul trece-jos este conectat la intrarea transformatorului, deci acestă lucrează la joasă
frecventă - fundamentală tensiunii de referintă a comenzii invertorului.
Transformatorul ridică tensiunea filtrată la nivelul cerut de rețea. La joasă frecventă, pentru a
avea un randament de transfer ridicat, transformatorul necesită un numar mare de spire și un
transformator destul de masiv.

2 .Cu transformator de înalta frecvență.

Fig 2.10 Interfatarea invertorului cu transformator de înaltă frecvență

42
 Transformatorul nu mai are functia de ridicare a tensiunii la nivelul cerut de retea; aceasta
functie o indeplineste un convertor c.c.-c.c. boost conectat la intrarea invertorului.
Transformatorul lucreaza la frecventa mare - frecventa de comutatie a puntii.
Randamentul lui de transfer este astfel foarte mare, transformatorul necesitand putine spire, iar miezul
poate avea sectiune mica. Rezulta astfel un transformator de mici dimensiuni, usor si ieftin. Se mai
observa ca filtrul este conectat dupa transformator.[24]

3. Fară transformator.

Fig 2.11 Interfațarea invertorului fară transformator

Această variantă necesită bucla de control. Blocul de control al invertorului monitorizează

permanent rețeaua, adaptând parametrii lui de ieșire la cei ai rețelei.
O mențiune specială se referă la protecția anti-insularizare: în caz că rețeaua este deconectată,
din varii motive, de la bara comună cu invertorul, consumatorii alimentați de la invertor ramân sub
tensiune, formând o "insulă" energetizată într-o mare de deconectați. Acest fapt reprezintă un potential
risc pentru echipele de intervenție și în multe țări există normative care cer deconectarea invertorului de
la bara comună în cazul apariției unei astfel de insule.

2.5. Randamentul invertoarelor

Invertorul este blocul prin care puterea generată de modulele PV este procesată și transferată
consumatorilor de c.a.. Randamentul lui este un parametru foarte important al unui sistem fotovoltaic.
Bilantul energetic pentru un invertor este descris de relația

P P
in ies
 P pr  k  Pies ( 8)

43
unde P in
este puterea la intrarea invertorului, P ies
este puterea la iesire, P pr
reprezintă
consumul propriu, iar k P ies sunt pierderi dependente de puterea de ieșire.
Întrucât invertorul nu funcționează tot timpul la puterea lui nominală, se definește un factor de utilizare
p,
0 p P ies
(9)
P nom

Randamentul invertorului poate fi exprimat in forma:

 P ies

1
(10)
P in
1 k 
P pr

p P nom

Randamentul unui invertor depinde de puterea debitată de acesta. In figura de mai jos sunt prezenate
ilustrativ curbele randamentului pentru doua invertoare.

Fig 2.12 Curbele randamentului pentru doua invertoare

Pentru a putea determina pierderile (k si P pr ) extragem din curba randamentului în funcție de

puterea de ieșire (sau din datele de catalog) valoarea randamentului la sarcina nominală ( P ies = P nom
,
deci p =1), notata cu _100, si valoarea randamentului
la o sarcina de 10% din cea nominala ( P ies =0,1 P nom , deci p = 0,1), notata cu _10.
Inlocuind aceste doua valori in rel.(1) obtinem:

44
 
1 1
  (11)
100
1 k 
P pr
10
1 k 
P pr

1P nom 0,1P nom

Rezolvând acest sistem în raport cu P pr

și k, obținem

 1 1 
P pr   P 
nom
k
10

1
1 (12)
9 
 10  
100 
9 
100
9  
10

Pentru calculul energetic a unui sistem PV care include un invertor este util un randament
mediu, care sa fie ponderat de o distribuție probabilistic corespunzatoare nivelului de iluminare zonal.
Pentru nivelele de iluminare din Europa centrală s-a definit un euro-randament prin urmatoarea relație:
 euro
 0,03   0,06   0,13   0,1   0,48   0,2 
5 10 20 30 50 100
(13)
Acest randament permite compararea diferitelor tipuri de invertoare într-o gamă largă de puteri.

45
CAPITOLUL 3 PROIECTAREA UNEI
PLATFORME PENTRU TESTAREA DE
INVERTOARE PENTRU SISTEME
FOTOVOLTICE

3.1 Soliția implementată

Varianta constructivă aleasă folosește energia electrică provenită de la un ansamblu panou
fotovoltaic, încărcător, baterie de acumulatoare pe care o convertește cu ajutorul unui invertor in
semipunte H În energie de curent alternativ(Figura .3.1).

Fig 3.1 Schema de ansamblu

3.2 Invertorul

Convertoarele c.c-c.a, numite si invertoare,sunt circuite de putere ce convertesc parametrii

energiei de curent continuu de intrare in parametrii ai energiei de curent alternativ de la iesire.
Dupa numarul fazelor la iesire invertoarele pot fi:
-monofazate;
-trifazate;
Din punct de vedere al formei de unda pe sarcina, invertoarele pot fi:
-cu comanda PWM
- cu comanda ce asigura iesire dreptunghiulara
Invertorul pe care-l foloesc este cel monofazat cu comanda PWM (Pulse with
modulation:variatia in timp a impulsului).
Pe cât este de simplu de procurat, pe atât de util este acest circuit integrat în realizarea unei
multitudini de aplicaţii, de o extremă varietate. Numărul schemelor electronice din care C.I. de tip 555
46
face parte este imens. Facem precizarea că circuitul integrat 555 are şi o variantă realizată în tehnologia
CMOS, fabricată doar de anumite firme producătoare de componente electronice.

3.2.1 Schema bloc a convertorului

Fig 3.2 Schema de ansamblu

 Generator semnal PWM:

Stabilirea frecventei de lucru (f=50Hz) se realizeaza cu ajutorul unui circuit specializat

LM555.LM 555 este un circuit integrat care generează întârzieri de timp declanşate sau oscilaţii
libere.În ciuda vârstei sale extrem de înaintate, în această lumes a componentelor electronice care este
într-o continuă mişcare, vârstă care a depăşit două decenii şi jumătate, circuitul 555 rămâne printre cele
mai populare. Circuitul integrat
555 este fabricat de un număr mare de firme specializate în producţia de componente electronice, din
întreaga lume. Acest circuit a fost introdus prima dată pe piaţă la mijlocul anului 1972 de către firma
Philips Semiconductors şi s-a bucurat de un succes incredibil. Pe cât este de simplu de procurat, pe atât
de util este acest circuit integrat în realizarea unei multitudini de aplicaţii, de o extremă varietate.
Numărul schemelor electronice din care C.I. de tip 555 face parte este imens. Facem precizarea că
circuitul integrat 555 are şi o variantă realizată în tehnologia CMOS, fabricată doar de anumite firme
producătoare de componente electronice. Principalul avantaj al utilizării C.I. de tip 555 în tehnologia
CMOS constă în consumul foarte redus de curent, aspect important atunci când alimentarea montajului
se face de la baterii.Montajele electronice practice cu aplicabilitate directă în diverse zone de activitate
sunt: testere, capacimetre, frecvenţiometre, convertoare, alarme, aprinderi electronice, circuite de
temporizare, generatoare de semnale, metronoame, regulatoare de viteză şi multe altele.

47
 555 este un circuit integrat monolit care generează întârzieri de timp declanşate sau oscilaţii
libere. Este prevăzut cu terminale auxiliare de control pentru declanşare sau aducere la zero pe frontul
de cădere. Ieşirea poate comanda circuite TTL şi poate debita sau absorbi curenţi de până la 200mA.

Caracteristici
 Temporizări de la microsecunde până la ore
 Lucrează fie ca astabil, fie ca monostabil
 Factorul de umplere este ajustabil
 Ieşirea poate debita sau absorbi curenţi de până la 200mA
 Alimentarea şi ieşirea sunt compatibile TTL
 Stabilitatea cu temperatura este mai bună de 0,005%/ oC
 Înlocuieşte direct circuitele NE 555, LM 555, MC1555

Aplicaţii
 Temporizări de precizie
 Generare de impulsuri
 Temporizări secventiale
 Generare de întârzieri de timp
 Modulaţia impulsurilor în lăţime
 Modulaţia impulsurilor în durată
 Generare de rampe liniare
 Alte 101 de utilizări

Performanţe electrice:

Parametru Condiţii βE βE Unităţi

555 V 555
Min. Tip. Max. Min. Tip. Max.
Tensiunea de 4,5 18 4,5 18 V
alimentare
Curentul de V+=15V;Rs=∞ 10 12 10 15 mA
alimentare Ieşirea în zero
Nota 1
Tensiunea de 2/3 2/3 xV+
prag sus
Tensiunea de V+=15V 4,8 5 5,2 1/3 xV+
prag jos V+= 5V 1,45 1,67 1,9
Tensiunea de 0,4 0,5 1 0,4 0,5 1 V
aducere la zero

48
Curentul de Nota 2 100 250 100 250 nA
declanşare al
comparatorului
de sus
Curentul de 100 500 500 900 nA
declanşare al
comparatorului
de jos
Curentul de 100 400 100 400 μA
aducere la zero
Tensiunea de V+=15V 9,6 10 10,4 9 10 11 V
control V+= 5V 2,9 3,33 3,8 2,6 3,33 4 V
Curentul de 1 100 1 100 nA
blocaj al
tranzistorului
de descărcare
Tensiunea de V+=4,5V; 70 100 80 200 mV
saturaţie a I7=4,5 mA
tranzistorului Nota 3
de descărcare
Tensiunea de V+=15V
ieşire în stare I=10mA 0,1 0,15 0,1 0,25 V
,,zero” I=50mA 0,4 0,5 0,4 0,4 0,75 V
I=100mA 2 2,2 2 2,5 V
I=200mA 2,5 2,5 V
V+=5V
I=8 mA 0,1 0,25 V
I=5 mA 0,25 0,35 V
Tensiunea de V+=15V
ieşire în I=100mA 13 13,3 12,75 13,3 V
stare,,unu” I=200mA 12,5 12,5 mA
V+=5V
I=100mA 3 3,3 2,75 3,3 V
Eroare RA=1...100kΩ
temporizare C=0,1Μf
monostabil V+=15V
Eroare inţială 0,5 2 1 %
Deriva în 30 50 p
temperatură pm/0C
Deriva în V+=5V...15V 0,05 0,2 0,1 %/V
49
 alimentarea
Eroare RA,
temporizare RB=1...100kΩ
astabil C=0,1μF
V+=15V
Eroare iniţială 1,5 5 2,25 7 %
Derivă în 90 150 p
temperatură pm/0C
Deriva cu V+=5V...15V 0,15 0,2 0,3 0,5 %/V
alimentarea
Frontul de 100 100 ns
creştere la
ieşire
Frontul de 100 100 ns
cădere la ieşire

Nota 1: Curentul de alimentare atunci când ieşirea este în stare “unu” este mai mic cu 1 mA la
V + =5V
Nota 2: Această valoare determină valoarea maximă pentru RA + RB la V + = 15V. Ea este: (RA
+ RB) = 20MΩ.
Nota 3: Nu este prevăzută nici o protecţie împotriva curentului excesiv ce poate apare la
terminalul 7. Totuşi, dacă puterea disipată nu este depăşită, aceasta nu va deteriora circuitul integrat.

Caracteristici tipice
Curentul de alimentare în funcţie de tensiunea de alimentare

Fig 3.3 Schema de ansamblu

50
 Tensiunea de ieşire în funcţie de curentul debitat V+ = 15V

Fig 3.4 Tensiunea de ieşire

Tensiunea de ieşire în funcţie de curentul absorbit V+ = 15V

Fig 3.5 Tensiunea de ieşire

Monostabil
Condensatorul extern se încarcă exponenţial prin RA+RB şi se descarcă prin RB, tensiunea pe el
variind între 2/3 V+ şi 1/3 V+

51
 Fig 3.6 Monostabil

Caracteristici tehnice:
Semnificaţia pinilor (terminalelor)

To116 To99, MP48 Denumirea în limba Denumirea în limba română

engleză
4 1 Ground (GND) Masă
5 2 Low threshold Prag jos (PJ)
6 3 Output Ieşire
7 4 Reset Aducere la zero (ALO)
8 5 Control Control
9 6 High threshold Prag sus (PS)
10 7 Dischrge Descărcare (DESC)
11 8 Vcc Alimentare V+

 Circuitul integrat 555

Circuitul integrat 555, prezentat în figura 3.7. (schema bloc funcţională şi conexiunile la
capsulă), este un circuit integrat monolitic bipolar, care utilizează pentru temporizări încărcarea şi
descărcarea controlată a unui condensator exterior. Datorită modului de control al tensiunilor din
circuitul extern de temporizare şi a calităţii comparatoarelor, se asigură o foarte bună stabilitate în timp,
şi la variaţia temperaturii şi tensiunii de alimentare.

52
 Fig 3.7 Circuitul integrat 555

Ieşirea Q circuitului basculant bistabil de tip RS (CBB-RS) comandă etajul final inversor (EF)
şi tranzistorul de descărcare al condensatorului din circuitul exterior T1 (npn-inversor). Etajul final
asigură un curent de ieşire de maxim 200 mA.
CBB-RS este comandat de ieşirile comparatoarelor C1 şi C2. Comparatorul C1 compară
tensiunea de la intrarea PSus cu un potenţial de 0,66. Vs şi aplică “1” la R, resetând CBB, dacă UPSus
depăşeşte valoarea 0,66. Vs, respectiv C2 compară tensiunea aplicată la intrarea PJos cu un potenţial de
0,33. Vs şi aplică “1” la S, setând CBB, dacă UPJos este mai mică decât valoarea 0,33.Vs. CBB-RS poate
fi resetat şi de intrarea r suplimentară, dacă potenţialul de la intrarea ALO (“aducerea la zero”) este mai
mică decât +0,4V, tranzistorul T2 (pnp) fiind saturat.
Alimentarea se poate face cu tensiune de la +4,5V la +18V, pentru +5V se obţin nivele de
tensiune a semnalelor compatibile cu familia TTL.

 Circuite basculante monostabile cu 555

Integratul LM555 permite realizarea de oscilatoare astabile (circuite basculante astabile - CBA),
principial structura este prezentată în figura 3.2.2.a, cele două intrări de comparaţie PSus şi PJos sunt
conectate împreună la bornele condensatorului. C se încarcă de la +Vs prin Ra şi Rb, tranzistorul de
descărcare fiind blocat şi Uo = Vs. La atingerea pragului de sus (0,66.Vs), schema basculează,
tranzistorul se saturează, Cse descarcă prin Rb, iar Uo = 0V. La atingerea pragului de jos (+0,33. Vs),
schema basculează din nou, reluându-se ciclul.

53
 Fig 3.8 Circuite basculante monostabile cu 555

Fig 3.8 Tensiunea pe condensator

Tensiunea pe condensator variază în limite determinate de pragul de sus şi de pragul de jos.

• durata încărcării t1 = (R1 + RV1)*C1*In2 (1)
• durata descărcării t2 = RV1*C1*In2
• perioada de oscilaţie T = t1 +t2 = (R1 +2*RV1)*C*In2

Tmax: R1=4,7KΩ
RV1=150KΩ
C=100nF
Tmin: : R1=4,7KΩ+150KΩ

54
 RV1=0
C=100nF
Rezulta: Tmin=21,1 ms Tmax=3.26ms
fmax=1/Tmin=47Hz fmin=1/Tmax= 3 KHz
Rezulta ca blocul genereaza frecvente in domeniul: (47Hz- 3 KHz)

Potentiometrul modifica in formula (1) valoarea lui RV1, ceea ce conduce la modificarea
perioadei semnalului si implicit a frecventei.

Fig 3.9 Potentiometrul

+12V

R1
4.7k

U1
8

RV1 4 3
96%

VCC

R Q A
7
DC B
150k 5
CV C

D
GND

2 6
TR TH
1

555

C1 C2
100n 100n

Fig 3.10 Generator semnal PWM implementat

55
 Prin modificarea valorii potentiometrului RV1 se modifica frecventa semnalului de comanda.

Fig 3.11 Forma semnalului pentru RV=96%. f=50Hz

Forma semnalului pentru RV=96%. f=50Hz

3.2.2 Circuit de formatare semnal

Circuitul are rolul de a crea un semnal PWM, cu aceleasi caracteristici de frecventa cu semnalul
PWM generat de 555, dar inversat.

+12V
Semnal PWM Cmd 1

R2 R4 A
10k 470
B

C
Cmd 2
D

Q1
BC547

R3
2.7k

Fig 3.12 Semnal PWM

56
 Semnalul PWM de la intrarea in circuit il regasim inversat in colectorul tranzistorului BC547.
Cele doua semnale, cel normal respective cel inversat sunt folosite in blocul urmator, de forta, pentru
generarea tensiunii alternative de 220V.

Fig 3.13 Forma semnalelor si parametrii lor

Fig 3.14 Partea de forță

Partea de forta este un convertor cc-cc structura semipunte realizat cu tranzistoare MOS
IRFZ44N. La iesirea convertorului cc-cc se conecteaza un transformator ridicator de tensiune 2x12V –
220V cu punct median.
Intrarea primara, formata din 2 infasurari conectate in serie este alimentata continuu la
tensiunea furnizata de catre panoul fotovoltaic pe prize mediana. Rezistenta R5 are rolul de a limita
curentul prin infasurarile primare. Cele doua tranzistoare MOS comuta acesta tensiune la masa prin
57
infasurarile transformatorului. Comutatiile fiind in contratimp, la secundarul transformatorului, folosit
ca transformator ridicator, vom avea o tensiune alternativa (rectangulara)de 220V.

Fig 3.15 Forma tensiunii de iesire din transformatorul ridicator.

3.3 Simularea schemei

Verificarea funcționalitații schemei s-a făcut în mediul de simulare Proteus.

Fig 3.16 Schema lui Proteus

58
 Etajul de comandă a fost realizat folosind un circuit specializar 555 in regim de monostabil și un
transistor pnp BC547. Semnalele de comanda se transmit la etajul de forță realizat din doua tranzistoare de tip
MOSFET IRFZ44, care întrerup periodic alimentarea cu energie(continuă) a primarului tansformatorului.
În urma simulării schemei s-a monitorizat evolutția semnalului de comandă și evoluția semnalului de
ieșire.

59
CAPITOLUL IV REZULTATE
EXPERIMENTALE

4.1 Pentru mersul in gol in conditii ideale

Au fost efectuate o serie de măsurători care au rolul de a valida soluția propusă.

În prima încercare ajutati de condițiile meteo favorabile am înreistrat forma tensiunii de la
ieșirea invertorului la mersul în gol.
Rezultatele obtinute sunt prezentate în figurile 4.1, 4.2, 4.3.

Fig 4.1 Caracteristica tensiunii de ieșire

Se observă că forma tensiunii de ieșire este distorsionată avand amplitudinea de 220 V.

Pentru a avea o sinusoida perfectă avem mevoie de un etaj de filtrare RLC la ieșire.

60
 Fig 4.2 Caracteristica tensiunii de comandă

În figura 4.2 este evidențiata frecvența de comanda impusă etajului de putere ( f=50Hz)

Fig 4.3 Caracteristica tensiunii de ieșire în funcțe de semnalul de comandă

Din caracteristica tensiunii de ieșire se observă că în momentul în care unul dintre cele
două tranzistoare nu este comnadat, tensiunea de la ieșire este zero.

61
4.2 Pentru mersul in gol in conditii meteo mai puțin favorabile
În ce-a de-a doua încercare,a fost urmarită evoluția tensiunii de mers în gol în situația
în care condițiile meteo sunt mai puțin favorabile.
Rezultatele obtinute sunt prezentate în figurile 4.4, 4.5.

Fig 4.4 Caracteristica tensiunii de ieșire

În urma trasării caracteristicii tensiunii de ieșire, se observă lipsa influenței

condițiilor meteo nefavorabile asupra tensiunii de ieșire.

Fig 4.5 Caracteristica tensiunii de comandă

În urma trasării caracteristicii se observă că tensiunea de comandă la mersul în

gol, în condiții meteo nefavorabile nu se modifică.
62
4.3 Rezultatele conectării unei sarcini
În ce-a de-a doua încercare,a fost urmarită evoluția tensiunii de mers în gol în situația
în care condițiile meteo sunt mai puțin favorabile.
Rezultatele obtinute sunt prezentate în figurile 4.6, 4.7.

Fig 4.7 Caracteristica tensiunii de ieșire

Pentru sarcina aleasă inductivă de puterea 66 W, reprezentată de un ventilator (U=220V,

I=0.5A,cos  =0,6), observăm că tensiunea de ieșire scade în momentul cuplării sarcinii.

Fig 4.8 Caracteristica curentului

În figura 4.8 este prezentă caracteristica curentului și a tensiunii de ieșire

evidențiindu-se defazajul dintre curentul absorbit și tensiunea de ieșire.

63
CONCLUZII

În această lucrare s-a prezentat o soluție de invertor fotovoltaic pentru alimentarea

consumatorilor de curent alternativ.
Plecând de la datele inițiale f=50Hz, Uout=220V, I=0.5A s-a proiectat un invertor în semipunte
H folosind tranzistoare MOSFET.
S-au respectat toate etapele de dezvoltare începand cu proiectarea schemei electrice, verifcarea
acesteia intr-un program special de simulare si realizarea prototipului.
Mai departe s-au efectuat o serie de încercări folosind un sistem alcătuit dintr-un panou
fotovoltaic, încarcator, bateria de acumulatori, invertor și un consumator(ventilator).
În urma testelor efectuate s-a observat că influența condițiilor meteorologice asupra tensiunii
de ieșire este minimă. Tensiunea de comandă pentru etajul de forță nu este influențată de sarcină, ea
fiind generată de un circuit specializat.
Rezultatele obținute certifică funcționarea montajului proiectat, acesta fiind o soluție fiabilă
pentru realizarea unui invertor fotovoltaic.

64
Bibliografie
[1] Carmen L. S., Fizica Atomică(Note de curs)
[2] Mohamed AMJAHDI, Jean LEMALE Energia solara termica ;I fotovoltaica, Matrix
rom,Bucuresti 2012
[3] Spânulescu Ion, Celule solare, Ed. Ştiinţifică şi enciclopedică, Bucureşti, 1983
[4] http://www.et.upt.ro/index.php?sublink=35&link=1&pag=2&lang=ro
[5] Mugur Bălan, Energii regenerabile, Ed. Tehnică Cluj Napoca, 2007
[6] Cuevas A, Russel D, Prog. In Photovoltaics, (2000)
[7] Răducu Marian, Electronică analogică, Ed. Matrix Rom, Bucureşti, 2009
[8] Lefter Emilian, Surse de energie Note de curs
[9] Steven Hegedus, Antonio Luque, “Achivements and Challenges of Solar Electricity
from Photovoltaics, 2011

[10] [http://ro.wikipedia.org/wiki/Celul%C4%83_solar%C4%83]
[11] Perlin J, Space to Earth: The Story of Solar Electricity (aatec publications, Ann Arbor,
1999).

[12] Repins I et al., Proc. SPIE 2009 Solar Energy + Technology Conf. (2009).

[15] Lefter Emilian, Surse de energie Note de curs

[16] Teza de doctorat: Analiza si proiectarea ecologica a panourilor fotovoltaice
.
[17] http://www.tehnosat.ro/Produse/Panouri-Fotovoltaice
[18] Taguchi M et al, Prog in Photovoltaics 8 503–514 (2000)
[19] http://energie-verde.ro/panouri-fotovoltaice

[20] http://www.et.upt.ro/admin/tmpfile/fileT1298466110file4d65053e703d6.pdf
[21] Nicu Bizon, Convertoare , MATRIX ROM, Bucuresti 2014
[22] Power-Electronic Systems for the Grid Integration of Renewable Energy Sources
[23] Nicu BIZON, Mihai OPROESCU , Convertoare de putereutilizate în sistemele de
generare a energiei.

[24] Nicu BIZON, Mihai OPROESCU, Indrumar de laborator. Electronica de putere.

Pitesti

65
ANEXA 1

Schema simulata in Proteus

66
ANEXA 2

Prezentarea machetei

67