Calin Florian Costin

INPN

Litografia cu fascicul de electroni

1. DATE GENERALE
Un loc tot mai important n cadrul prelucrrilor prin tehnologii neconvenionale a nceput
s-l ocupe prelucrarea cu fascicul de electroni (Electron Beam Machining EBM), datorit n
special, performanelor obinute n cadrul proceselor precum: prelucrri n zone preselectate de
pe piesa fr ca aceasta s sufere deformri din cauz c transferul de energie se face local i nu
n toat masa metalului; prelucrarea oricrui fel de metal ct de dur ar fi acesta; prelucrarea n
vid protejeaz zonele topite de a se oxida: prelucrrile sunt rezistente, precise, fine i nu
totdeauna necesit operaii de execuie ulterioare.
Primele lucrri n domeniul teoretic, referitoare la posibilitatea utilizrii electronilor, au
aprut nc de la nceputul secolului al XX-lea, dar adevrata dezvoltare a bazelor teoretice
privitoare la utilizarea fasciculului de electroni i ioni a fost elaborat dup anul 1940, pe baza
legilor formulate de Newton, Richardson, Dashman, i ca urmare a teoriei lui S. Shenland
privind difuzia electronilor n metale, precum i a lucrrilor lui L.E. Popilov, R. Rene, H.
Kluger etc.
Prima instalaie industrial utilizat la sudarea cu flux de electroni, a fost realizat n anul
1957 n Frana. La ora actual, firme din Frana (ALCATEL, i SCIAKY), SUA (Temescal),
URSS (cu tipurile U86, A306), Germania (Steigerwald, Leybold Heraeus) etc. Produc pe
scar larg instalaii industriale de tiere, gurire, sudare, topire etc, existnd n momentul de
fa, pe plan mondial, peste 6000 de instalaii de flux de electroni sau ioni.
La noi n ar, primele instalaii de prelucrare cu fascicul de electroni au fost realizate la
IFE Bucureti n colaborare cu ISIM Timioara, destinate n special sudrii diferitelor materiale.
Ca urmare a caracteristicilor superioare de utilizare i dezvoltrii n ultimii ani, fasciculul de
electroni st, n prezent, la baza realizrii unui mare numr de prelucrri precum: sudarea (care
constituie principala aplicaie de prelucrare cu FE), gurirea (microgurirea), litografia (scrierea
direct, marcarea, litografia optic), topirea (metalelor refractare, elaborarea metalelor i
aliajelor de puritate nalt), depunerea de straturi subiri, doparea, tratamente termice
(durificarea, alierea, nnobilarea prin retopire) etc.

Calin Florian Costin

INPN

2. PRINCIPIUL PRELUCRRII CU FASCICUL DE ELECTRONI

Prelucrarea cu fascicul de electroni face parte din categoria procedeelor de prelucrare
termice. Sursa termic o constituie un fascicul de electroni concentrat, avnd o vitez i, ca
urmare, o energie cinetic mare care bombardeaz componentele de prelucrat. La impactul
fasciculului de electroni cu componentele de prelucrat, energia acestuia se transform n cldur
i are loc o nclzire local, rapid a materialului prin conducie (fig. 1.a,b). Odat cu
creterea puterii specifice a fasciculului profilul zonei se modific (fig. 1.c), la puteri specifice
pn la valori de 106 W/cm2, sub aciunea vaporilor produi se formeaz un tub capilar,
nconjurat de un nveli subire de material topit (fig. 1.d). La puteri specifice de 108 W/cm2, se
produce eliminarea exploziv a nveliului topit i o strpungere a materialului pe ntreaga
grosime a sa (fig. 1.e).
Cele mai multe procese se desfoar n vid, deoarece atmosfera ar provoca o frnare i
dispersie a fasciculului.
Procedeul de prelucrare cu fascicul de electroni are i neajunsuri. Unul dintre acestea este
generarea radiaiei X n timpul prelucrrii, motiv pentru care se iau msuri speciale de
protecie.[1]

Fig. 1 Fazele de nclzire ale materialului

a nclzirea local; b nclzirea cu topirea materialului; c,d modificarea profilului zonei topite;
e eliminarea exploziv a topirii.

Calin Florian Costin

INPN

3. FENOMENE FIZICE LA PRELUCRAREA CU FASCICUL DE

ELECTRONI
Elementul primar, care st la baza fenomenelor fizice ce au loc la prelucrarea cu fascicul
de electroni, este particula elementar cu sarcina negativ electronul caracterizat prin
sarcina: e =1,602 10-19C; masa: me=9,109 10-31kg; raza: re=2,82 10-5m; sarcina specific:
e/me=1,759 1011C/kg.
Numrul electronilor dintr-un atom depinde de elementul respectiv i este egal cu numrul
atomic din tabelul periodic al lui Mendeleev.
Electronii liberi se pot obine prin nclzirea suprafeei unui metal cu o anumit cantitate
de energie, care se transfer electronilor, i acetia prsesc suprafaa metalului, avnd loc aa
numita emisie termo-electronic.
Accelerarea electronilor se poare realiza pe dou ci: prin aplicarea unui cmp electric sau
prin aplicarea unui cmp magnetic.
3.1. Densitatea de curent
Densitatea de curent, qe, realizat depinde de caracteristicile termofizice ale emitorului
respectiv (catod), temperatura de nclzire, proprietile suprafeei catodului i se poate
determina cu ajutorul relaiei Richardson Dashmann:
kTeeeATq02= [A/cm2] (1) unde : A este constanta de emisie, care depinde de natura
substanei emitoare i are n general, valori de 40 ... 70A/cm2T2 pentru metalele pure; T
temperatura absolut a emitorului [K]; e0 energia specific a emitorului [J]; k
constanta lui Boltzmann (k=1,38 1023J/K).
Dei densitatea curentului se impune a fi de valori ct mai ridicate, totui, datorit
interdependenei dintre mrimea acesteia i temperatura de nclzire a emitorului, este
necesar delimitarea acestor valori, ntruct supranclzirea emitorului duce la o evaporare
accentuat a metalului de baz, i implicit, la scderea duratei de funcionare a acesteia.
3.2. Bombardarea cu fascicul de electroni
Din punct de vedere fizic, bombardamentul cu fascicul de electroni este nsoit de fenomene
secundare, care consum o parte din puterea fasciculului.
Randamentul efectiv al sudrii are valori de cca 60-95%. ntr-un material de oel-carbon s-au
obinut urmtoarele valori ale pierderilor energetice (fig. 2): prin electronii retrodifuzai < 4%,
prin vaporizare 0,5 2%, prin radiaii X, 0,5%. Pentru cazul considerat, materialul de baz
preia cca 93 95% din energia total a fasciculului.

Calin Florian Costin

INPN

Fig. 2 Fenomene secundare la bombardarea cu FE.

3.3. nclzirea, topirea i vaporizarea la bombardarea cu fascicul de electroni
n momentul impactului electronilor accelerai cu suprafaa piesei, energia cinetic a
acestora este transferat atomilor de metal supui bombardamentului electronic. Acest transfer
de energie duce la creterea temperaturii materialului, fapt ce are ca rezultat nclzirea i topirea
rapid (fig. 3.a) urmat de vaporizarea materialului.
Acest fenomen de nclzire, topire, vaporizare are loc n trei faze succesive (fig 3.b) astfel:

Fig. 3. Fazele succesive de nclzire, topire i vaporizare a materialului

a nclzirea rapid i topirea materialului; b vaporizarea expulzarea materialului topit.

Calin Florian Costin

INPN

a) n prima faz la impactul cu piesa fasciculul electronic ptrunde n stratul superficial ,

pn la adncimea, , care poate fi calculat, n cazul unor tensiuni de accelerare de 10 82kV
cu ajutorul relaiei: d=2,6*10-11U2/ [mm] (2)
unde : U este tensiunea de accelerare [V]; este densitatea materialului prelucrat
[g/cm2].
b) n faza a doua, la adncimea , circa 60 95% din energia cinetic a electronilor este
cedat sub forma de cldur, ducnd la nclzirea prin inducie a materialului metalic n zona
respectiv.
nclzirea materialului metalic se poate analiza cu ajutorul ecuaiei difereniale a
conductivitii termice dat de relaia:

()

2 (,)
2

0 1

(3)

unde : T este temperatura mediului ambiant; x distana msurat de la suprafaa piesei; t

timpul; a coeficientul conductivitii termice; c cldura specific a metalului de prelucrat;
k1 coeficient de absorbie a energiei; Co constanta procesului.
n general pentru a se realiza topirea metalului sunt necesare densitii de putere de
ordinul 105 ... 108 W/cm2, care asigur prin focalizarea spotului fasciculului de electroni
obinerea unor temperaturi de 5000 ... 6000 0C.
c) n faza a treia, are loc o cretere a presiunii specifice a vaporilor de metal topit, care
duce la expulzarea sub forma unei microexplozii a stratului de metal topit i evacuarea cu
presiune a vaporilor de metal, piesa fiind strpuns prin formarea unui crater pe suprafaa
acestuia. Prelucrarea cu fascicul de electroni se poate face i n regim de impulsuri cu durata de
10-4 ... 10-5s.

4. INSTALAII DE PRELUCRARE CU FASCICUL DE ELECTRONI

Cele mai ntlnite instalaii de prelucrare cu fascicul de electroni sunt cele la care
accelerarea electronilor se face cu ajutorul cmpului electric.
Acestea sunt alctuite, n general (fig. 4), din patru subansamble principale, i anume:
.

dispozitivul de producere i dirijare a fasciculului de electroni(tunul electronic);

instalaia electric de alimentare i producere a tensiunilor de accelerare;

instalaia de realizare a vidului;

instalaia electric de comand i reglare.

Calin Florian Costin

INPN

Fig. 4. schema instalaiei cu fascicul de electroni

.

4.1. Tunul electronic

Turnul electronic este subansamblul principal al unei instalaii de prelucrare cu fascicul de
electroni, asigurnd principalele funciuni: producerea electronilor liberi, formarea
fasciculului de electroni, focalizarea i direcionarea acestuia, (fig. 5) n care: 1 catodul
termorezistiv; 2 catod cilindru Wehnelt; 3 anodul de accelerare; 4 lentila
electromagnetic; 5 sistemul de deflexie (deflectorul); 6 piesa de prelucrat; 7 sursa de
tensiune nalt, iar in fig. 6, se prezint tunul tip Steigerwald, care echipeaz instalaia T15
prezentat n fig. 8

Calin Florian Costin

INPN

Fig. 5 Schema unui tun electronic

Fig. 6 Seciune prin tunul electronic Steigerwald

Calin Florian Costin

INPN

4.2. Tipuri constructiv funcionale de tunuri electronice

Principalele tipuri de tunuri electronice (fig. 7) sunt:
a)tunul diod (tunul Pierce) (fig. 7.a) prezint dezavantajul c nu permite reglarea
intensitii curentului fasciculului electronic independent de tensiunea de accelerare i din
aceast cauz sunt tot mai rar utilizate.

Fig. 7 Tipuri de tunuri electronice

a tunul diod; b tunul triod; c tunul triod cu focalizare la distan.
unde: 1 catod cilindru Wehnelt; 2 catodul termorezistiv; 3 anodul; 4 sistemul de
focalizare; 5 anodul de accelerare; 6 piesa de prelucrare.
b)tunul triod (fig. 7.b) prezint posibilitatea reglrii independente a intensitii
curentului fasciculului electronic, datorit faptului c n construcia sa este prevzut legarea
n circuit separat de alimentare a electrodului de polarizare.
c)tunul trioda cu focalizare la distan (tunul Steigerwald) (fig. 7.c) permite
focalizarea la distane relativ mari (circa 1m) a spotului fasciculului electronic, datorit
tensiunilor mari de accelerare utilizate.

n funcie de mrimea tensiunii de accelerare produs de echipamentul electric corespunztor,

tunurile electronice sunt de trei tipuri, i anume, tunuri electronice cu tensiuni mici de
accelerare: U=10 ... 60V; tunuri electronice cu tensiuni medii de accelerare: U=20 ... 100kV;
tunuri electronice cu tensiuni mari de accelerare: U=80 ... 175kV.

Calin Florian Costin

INPN

Fig. 8 Instalaie cu fascicul de electroni tip T15, Steigerwald.

n fig. 8 se prezint o instalaie de prelucrare cu fascicul de electroni tip T15, Steigerwald

Germania, avnd o tensiune de accelerare reglabil n domeniul 3 ... 60kV, cu dimensiunile
camerei de lucru de 250 x 300mm, la un vid de 10-2torr.
n cazul utilizrii unor tensiuni nalte de accelerare (peste 100kV), se impune conducerea,
proceselor cu circuite nchise de televiziune, din cauza puternicelor emisiuni de raze X.

Calin Florian Costin

INPN

5. LITOGRAFIA CU FASCICUL DE ELECTRONI

5.1 Principiul litografiei cu fascicul de electroni
Litografierea cu fascicul de electroni (EBL) se ntlnete n general, sub forma a dou
tehnologii, i anume:
Litografia scrierii directe, pentru care se folosete un singur fascicul de electroni care
este deflectat (scanat) dup o matrice pe suprafaa unui material.
Litografia optic, pentru care se folosete proiecia optic a fasciculului pe suprafaa de
prelucrat, fie prin lentile obinuite, fie prin lentile speciale sub forma unei plci conductive,
anume i lentile imersibile, realiznd o expunere de mare precizie i de mare productivitate.
5.2 Instalaii de litografiere
Pentru unele prelucrri n domeniul scrierii directe i a gravrii se folosesc instalaii cu
fascicul de electroni clasice, folosite i la gurire, tratamente termice, care sunt prevzute cu
posibiliti de deflexie a fasciculului de electroni dup o matrice, pe suprafaa de prelucrat. n
general, pentru litografia scrierii directe i litografia optic se folosesc instalaii specializate
avnd posibiliti de concentrare a fasciculului de electroni n domeniul micrometrilor, fig. 26,
iar cu ajutorul unor sisteme optice se poate ajunge la concentrarea fasciculului n domeniul
submicronmetrilor

Calin Florian Costin

INPN

Fig. 26. Instalaie de litografiere cu spot de fascicul de electroni variabil.

5.3. Aplicaii
Aplicaii ale litografiei scrierii directe sunt: fabricaia de mti folosite n cadrul litografiei
optice pentru producia circuitelor integrate, gravarea, marcarea pentru descrierea circuitelor
electronice hibride, realizarea de straturi de circuite fine n industria electronic, n special
pentru calculatoare.
Aplicaia de baz a litografiei optice o reprezint fabricaia industrial a chip-urilor,
datorit preului sczut de fabricaie i a volumului mare de producie realizat prin expunerea
materialelor dup principiul cu masc.[2]

Calin Florian Costin

INPN

6. Bibliografie

1.www.wikipedia.ro
2. APLICAII ALE FASCICULULUI DE ELECTRONI-Dr. ing. Dumitru
Neagu,Bucuresti,2007