Sunteți pe pagina 1din 16

Procese cheie pentru producerea

componentelor micromecanice
CURS 7

Prof. Dr. Ing. Mihai Olimpiu TĂTAR


BPMNS - CURS

Micromecanica a devenit o tehnologie acceptata si multe dispozitive micromecanice


își găsesc aplicații industriale.

Micromecanica se ocupa cu metodele de fabricație care folosesc tehnici MST


speciale, așa cum ar fi:

- litografia,
- tehnicile de depunere a straturilor subțiri,
- corodarea in plasma si in soluție,
- micromodelarea
- etc.,

Tehnologia siliciului folosește din plin excelentele proprietăți electrice, chimice si


mecanice ale siliciului si compușilor săi pentru a produce piese mici, de dimensiunea
micronilor
BPMNS - CURS

Micromecanica bazata pe siliciu

Cum siliciul si compușii săi sunt materiale ideale pentru fabricarea dispozitivelor
semiconductoare, cercetătorii au început sa le folosească si in micromecanica.

Proprietățile speciale ale siliciului

Puține materiale au in același timp proprietăți electrice si mecanice bune; multe


microcomponente cer, însă, îndeplinirea ambelor proprietăți.

Siliciul îndeplinește aceste cerințe mai bine ca oricare alt material, la modul aproape ideal si
este foarte potrivit pentru fabricarea componentelor MST.

Proprietățile siliciului au fost deja pe larg cercetate si de zeci de ani siliciul este folosit pentru
producția de masa a circuitelor semiconductoare.

Proprietățile fizice ale siliciului permit realizarea unei largi varietăți de elemente senzoriale
bazate pe efecte termice, magnetice sau optice.

De asemenea, proprietățile mecanice ale monocristalului de siliciu permit realizarea unei


structuri miniaturizate de precizie, rezistente.
BPMNS - CURS

O structura cristalina perfecta asigura reproducerea exacta a dimensiunilor, ceea ce este


adesea imposibil atunci cand se folosesc metode de prelucrare mecanica precise.

Monocristalele pot fi crescute sub forma de bara prin metode bine controlate. Barele sunt apoi
tăiate in plachete, care sunt lustruite si procesate micromecanic.

Elasticitatea siliciului este comparabila cu cea a otelului, dar datorita densității joase a siliciului,
de 2,3 kg/dm3, este mai tare decât otelul.

Unii compuși ai siliciului, așa cum ar fi nitrura de siliciu si, in special, dioxidul de siliciu,
prezinta proprietăți fizice si chimice care sunt excelente pentru microprelucrarea
suprafețelor.
Figura 1 oferă o privire generala asupra tipurilor de
microsenzori care pot fi produși prin tehnologia
siliciului.

Fig. 1 Senzori bazați pe componente din siliciu


BPMNS - CURS

Structurile de siliciu sunt, de asemenea, folosite in microactuatori. Cu toate acestea, principiile


de dezvoltare ale MST solicita adesea alte materiale.

Deoarece aceleași metode de fabricație pe siliciu pot fi folosite pentru componente electronice
si mecanice, se pot realiza senzori de siliciu care au circuitul electronic si microactuatorul
integrate împreuna, pentru a forma un sistem complet, pe același substrat de siliciu.
Aceasta proiectare monolitica face posibila fabricarea unor dispozitive mici, ușoare, la costuri
scăzute si cu fiabilitate ridicata.

Integrarea unei varietăți de elemente funcționale pe siliciu poate fi realizata, de asemenea, prin
folosirea unor tehnici hibride avansate.

Fabricarea microsistemului într-o maniera monolitica sau hibrida depinde de disponibilitatea


tehnologiei de microsistem si de costurile de producție implicate.
BPMNS - CURS

Tehnici de fabricatie pe siliciu

Tehnicile de strat descries (in cursurile anteriare ) precum si tehnicile de structurare


micromecanica, cum ar fi:

-doparea,

-litografia

- si corodarea,

permit producerea atât a circuitelor electronice foarte mici cat si a structurilor mecanice
dintr-un material semiconductor elementar.

Realizarea unei structuri tridimensionale din siliciu necesita totuși un proces in mai mulți
pași.

In continuare, vor fi discutați pașii fundamentali ai micromecanicii pe siliciu.


BPMNS - CURS

Doparea

Doparea este (poate) cea mai cunoscuta tehnica de semiconductori. In cadrul acestui proces,
atomii dopanți sunt introduși intr-un substrat de siliciu, astfel încât se formează straturi
conductoare n sau p, care joaca un rol important in componentele semiconductoare.

In afara de determinarea proprietăților electrice, doparea poate îmbunătăți proprietăți, cum ar


fi uzura si corodarea.

Unii atomi dopanți, cum ar fi borul sau fosforul pot crea o bariera de corodare in substratul de
siliciu, ceea ce permite execuția unei microstructuri precise atunci când atomii dopanți sunt
plasați exact in rețeaua cristalina.

In MST se folosesc doua metode de dopare:

- difuzia

- si implantarea ionica.
BPMNS - CURS

In cazul metodei difuziei, plachetele de siliciu sunt puse intr-un cuptor in care are
loc procesul de difuzie.
Atomii dopanți provin fie din gazul înconjurător fie dintr-un strat de suprafața subțire
preaplicat. Atomii dopanți difuzează in cristalul de siliciu si înlocuiesc atomii obișnuiți ai
retelei. Principala dificultate consta in determinarea concentratiei absolute a atomilor dopanti
din siliciu. In plus, este posibila crearea unui profit de dopare numai la suprafata plachetei, ceea
ce limiteaza aplicabilitatea acestei tehnici.

Implantarea ionica implica bombardarea plachetei de siliciu cu ioni dopanți


încărcați electric, care sunt accelerați in vid. Ionii pot penetra pana la câțiva microni mai jos
de suprafața. Placheta de siliciu este iradiata uniform prin scanare cu un fascicul subțire,
focalizat, de ioni.
Procesul poate fi controlat in mod simplu, măsurând curentul fasciculului ionic. De
aceea, concentrația dopantului prezinta o omogenitate crescuta, parametrii săi pot fi ușor
ajustați, iar profilul stratului dopant sub suprafața plachetei poate fi controlat cu mai multa
exactitate.

De asemenea, prin metoda implantării de ioni sunt posibile așa-numitele maxime


îngropate ale materialului dopant. Totuși, datorita echipamentelor complexe implicate,
implantarea ionica este, după litografie, unul dintre cele mai costisitoare
BPMNS - CURS
Litografia

Litografia este folosita la pregătirea unei plachete-substrat pentru stadiile ulterioare de


procesare.
Pentru a putea coroda selectiv structura dorita, pe suprafața plachetei este aplicat un strat
fotosensibil. Acest strat (fotorezist) va fi structurat litografic astfel încât arii specifice ale
substratului rămân acoperite si protejate.

Litografia este cel mai costisitor dintre procesele micromecanice, jucand un rol cheie in
productia de masa a microcomponentelor.

Stratul de rezist fotosensibil, avand grosimea de aproxirnativ 1 µm, este aplicat fie direct pe
placheta de siliciu fie peste un alt strat depus si poate fi mascat si structurat folosind diferite surse
de iradiere, cum ar fi lumina, razele X sau fasciculele de electroni sau ioni.

In general, este folosita in procesarea siliciului lumina ultravioleta cu o lungime de unda


cuprinsa intre 250 nm si 450 nm.

Masca este facuta dintr-un substrat transparent pentru lumina, de obicei sticla de cativa
mm grosime si un strat depus pe aceasta, care blochează lumina. Acest strat numit
absorbant, in general facut din crom, maschează zonele de rezist care trebuie sa rămână
neexpuse. El are o grosime de cateva sute de nm si este depus pe substratul de sticla folosind o
tehnica de pulverizare.
BPMNS - CURS

In practica sunt folosite trei metode litografice de baza (Fig. 2):

Litografia de contact (Fig. 2 a) înseamnă presarea măștii direct pe substrat. In


acest fel poate fi obținuta o rezoluție mai buna de 1 µm.
Totuși litografia de contact nu este potrivita pentru producția de masa, deoarece
masca este supusa unei presiuni mecanice puternice. In timpul expunerii poate fi cu
ușurința distrusa de particulele de praf aflate in mediul înconjurător si care se pot
depune pe ea.

Fig. 2 Metode de baza pentru expunerea litografica


BPMNS - CURS

In litografia de apropiere (Fig. 2 b) exista un strat de aer de 20 pana la 50 µm intre


masca si placheta. Acesta reduce sarcina asupra mastii, dar din cauza difractiei
Fresnel a luminii, rezolutia este limitata la 2 µm.

Fig. 2 Metode de baza pentru expunerea litografica


BPMNS - CURS

Cea mai buna rezoluție structurala este de aproximativ 0,5 µm si este obținuta
folosind proiecția optica (Fig. 2 c) in locul copiilor de contact simple.

Masca este proiectata pe placheta folosind un sistem de reducere cu lentile de


rezoluție înaltă; sunt tipice reduceri de 5: 1 pana la 10: 1.

Cum adesea este tehnic imposibil sa expui simultan întreaga suprafața a substratului,
iar procesul de expunere este finalizat folosind metoda expunerii repetate a unui
singur pas precis realizat la un moment dat, costurile echipamentului si ale procesării
sunt înalte.

Fig. 2 Metode de baza pentru expunerea litografica


BPMNS - CURS

Expunerea stratului de rezist determina ruperea lanțurilor de molecule sau formarea


de legături, depinzând de tipul de rezist folosit.

La pasul următor fie partea expusa, in cazul rezistului pozitiv, fie partea neexpusa, in
cazul rezistului negativ, sunt îndepărtate folosind o soluție speciala pentru
developare (Fig. 3).

In timpul acestui pas, desenul de pe


masca este copiat pe rezistul care a fost
aplicat pe substrat la un pas precedent.

Raportul dintre lățimea si înălțimea


imaginii care poate fi obținuta prin
litografic cu UV este de aproximativ 1 sau
2, dar poate fi ridicat pana la 6 sau 8
folosind tehnici speciale, cum ar fi
reaplicarea stratului de fotorezist de mai
multe ori.
Fig. 3 Diversi pasi ai developarii
BPMNS - CURS

Pentru a obtine prin litografie microstructuri imbunatatite, a fost investigat un nou proces
litografic, asa-numita litografie in nuante gri (Fig. 4).

In acest caz, in timpul procesului de expunere


este folosita o fotomasca raster cu ecranare
gradata. Transparenta mastii se schimba de-a
lungul lungimii sale, fie continuu fie in pasi
discreti.

Acest lucru este obtinut prin schimbarea


grosimii stratului de crom sau prin plasarea
precisa in acest strat a unor gauri mici.
Astfel, diferitele arii ale rezistului sunt expuse la
diferite intensitati luminoase.

Prin acest proces pot fi obținute după


developare diferite profile ale stratului de rezist
rămas, intr-un pas următor, prin corodare in
plasma se corodează întreaga suprafața
neacoperita si profilul rezistului este transferat
substratului de siliciu de dedesubt (Fig. 4). Fig. 4 Principiile litografiei in nuante de gri
BPMNS - CURS

In comparație cu litografia tradiționala, prin aceasta tehnica este posibila realizarea


unei mari varietăți de geometrii structurale.

Figura 5 prezinta o microstructura realizata prin litografia in nuanțe de gri.

Fig. 5 Microstructura realizata cu ajutorul litogrfiei in nuanțe gri


BPMNS - CURS

Litografia cu fascicule de raze X, electroni sau ioni realizează o rezoluție mai


mare decât procesele menționate anterior, dar exista o corelare intre complexitatea
procesului si costul producției.

Metodele (de scriere) electro-optice produc stratul structurat punct cu punct cu


ajutorul unui fascicul focalizat de electroni sau de ioni,

In cazul acestui proces nu este necesara folosirea măștii litografice, dar procesul
necesita timp îndelungat si nu este potrivit pentru producția de masa.

De aceea, aceste metode sunt folosite pentru producerea de măști speciale sau
pentru repararea măștilor.

Din ce in ce mai importanta devine litografia cu raze X care, in principiu, continua si


dezvolta litografia cu lumina. Datorita lungimilor de unda foarte mici (sub 1 nm), pot
fi obținute structuri in domeniul sub micronic (pana la 0.2 µm).