Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
componentelor micromecanice
CURS 7
- litografia,
- tehnicile de depunere a straturilor subțiri,
- corodarea in plasma si in soluție,
- micromodelarea
- etc.,
Cum siliciul si compușii săi sunt materiale ideale pentru fabricarea dispozitivelor
semiconductoare, cercetătorii au început sa le folosească si in micromecanica.
Siliciul îndeplinește aceste cerințe mai bine ca oricare alt material, la modul aproape ideal si
este foarte potrivit pentru fabricarea componentelor MST.
Proprietățile siliciului au fost deja pe larg cercetate si de zeci de ani siliciul este folosit pentru
producția de masa a circuitelor semiconductoare.
Proprietățile fizice ale siliciului permit realizarea unei largi varietăți de elemente senzoriale
bazate pe efecte termice, magnetice sau optice.
Monocristalele pot fi crescute sub forma de bara prin metode bine controlate. Barele sunt apoi
tăiate in plachete, care sunt lustruite si procesate micromecanic.
Elasticitatea siliciului este comparabila cu cea a otelului, dar datorita densității joase a siliciului,
de 2,3 kg/dm3, este mai tare decât otelul.
Unii compuși ai siliciului, așa cum ar fi nitrura de siliciu si, in special, dioxidul de siliciu,
prezinta proprietăți fizice si chimice care sunt excelente pentru microprelucrarea
suprafețelor.
Figura 1 oferă o privire generala asupra tipurilor de
microsenzori care pot fi produși prin tehnologia
siliciului.
Deoarece aceleași metode de fabricație pe siliciu pot fi folosite pentru componente electronice
si mecanice, se pot realiza senzori de siliciu care au circuitul electronic si microactuatorul
integrate împreuna, pentru a forma un sistem complet, pe același substrat de siliciu.
Aceasta proiectare monolitica face posibila fabricarea unor dispozitive mici, ușoare, la costuri
scăzute si cu fiabilitate ridicata.
Integrarea unei varietăți de elemente funcționale pe siliciu poate fi realizata, de asemenea, prin
folosirea unor tehnici hibride avansate.
-doparea,
-litografia
- si corodarea,
permit producerea atât a circuitelor electronice foarte mici cat si a structurilor mecanice
dintr-un material semiconductor elementar.
Realizarea unei structuri tridimensionale din siliciu necesita totuși un proces in mai mulți
pași.
Doparea
Doparea este (poate) cea mai cunoscuta tehnica de semiconductori. In cadrul acestui proces,
atomii dopanți sunt introduși intr-un substrat de siliciu, astfel încât se formează straturi
conductoare n sau p, care joaca un rol important in componentele semiconductoare.
Unii atomi dopanți, cum ar fi borul sau fosforul pot crea o bariera de corodare in substratul de
siliciu, ceea ce permite execuția unei microstructuri precise atunci când atomii dopanți sunt
plasați exact in rețeaua cristalina.
- difuzia
- si implantarea ionica.
BPMNS - CURS
In cazul metodei difuziei, plachetele de siliciu sunt puse intr-un cuptor in care are
loc procesul de difuzie.
Atomii dopanți provin fie din gazul înconjurător fie dintr-un strat de suprafața subțire
preaplicat. Atomii dopanți difuzează in cristalul de siliciu si înlocuiesc atomii obișnuiți ai
retelei. Principala dificultate consta in determinarea concentratiei absolute a atomilor dopanti
din siliciu. In plus, este posibila crearea unui profit de dopare numai la suprafata plachetei, ceea
ce limiteaza aplicabilitatea acestei tehnici.
Litografia este cel mai costisitor dintre procesele micromecanice, jucand un rol cheie in
productia de masa a microcomponentelor.
Stratul de rezist fotosensibil, avand grosimea de aproxirnativ 1 µm, este aplicat fie direct pe
placheta de siliciu fie peste un alt strat depus si poate fi mascat si structurat folosind diferite surse
de iradiere, cum ar fi lumina, razele X sau fasciculele de electroni sau ioni.
Masca este facuta dintr-un substrat transparent pentru lumina, de obicei sticla de cativa
mm grosime si un strat depus pe aceasta, care blochează lumina. Acest strat numit
absorbant, in general facut din crom, maschează zonele de rezist care trebuie sa rămână
neexpuse. El are o grosime de cateva sute de nm si este depus pe substratul de sticla folosind o
tehnica de pulverizare.
BPMNS - CURS
Cea mai buna rezoluție structurala este de aproximativ 0,5 µm si este obținuta
folosind proiecția optica (Fig. 2 c) in locul copiilor de contact simple.
Cum adesea este tehnic imposibil sa expui simultan întreaga suprafața a substratului,
iar procesul de expunere este finalizat folosind metoda expunerii repetate a unui
singur pas precis realizat la un moment dat, costurile echipamentului si ale procesării
sunt înalte.
La pasul următor fie partea expusa, in cazul rezistului pozitiv, fie partea neexpusa, in
cazul rezistului negativ, sunt îndepărtate folosind o soluție speciala pentru
developare (Fig. 3).
Pentru a obtine prin litografie microstructuri imbunatatite, a fost investigat un nou proces
litografic, asa-numita litografie in nuante gri (Fig. 4).
In cazul acestui proces nu este necesara folosirea măștii litografice, dar procesul
necesita timp îndelungat si nu este potrivit pentru producția de masa.
De aceea, aceste metode sunt folosite pentru producerea de măști speciale sau
pentru repararea măștilor.