Sunteți pe pagina 1din 11

CAPITOLUL 1 SISTEMELE MICROELECTROMECANICE Sistemele microelectromecanice (Microelectromechanical Systems prescurtat MEMS) se refer la dispozitivele care au o lungime caracteristic mai

i mic de 1 mm dar mai mare de 1 micron, ce combin componente electrice i mecanice i sunt fabricate folosind tehnologia de prelucrare n serie a circuitelor integrate. Tehnicile curente de fabricare ale MEMS includ microprelucrare la suprafaa a siliciului (surface micromachining), microprelucrarea siliciului n volum (bulk micromachining), litografie, electrodepunere, prelucrare prin descrcri electrice. Domeniul multidisciplinar a fost martor la o cretere exploziv n timpul ultimei decade iar tehnologia progreseaz la o rat ce o depete pe cea a nelegerii fenomenelor fizice implicate. Actuatori electrostatici, magnetici, electromagnetici, pneumatici i termici, motoare, vane, mecanisme cu roi dinate, diafragme i foarfece cu dimensiuni sub 100 de microni au fost deja fabricate. Acestea au fost folosite ca senzori pentru presiune, temperatur, debit, vitez, sunet i compoziii chimice, ca i actuatori pentru micri liniare i unghiulare sau ca simple componente pentru sisteme complexe cum ar fi roboi, laborator-pe-un-cip (lab-on-a-chip), micromotoare de caldur i micropompe de caldur. Laboratorul-pe-un-cip, n particular, promite s automatizeze biologia i chimia n aceeai msur n care circuitul integrat a permis automatizarea la scar larg a tehnicii de calcul. 1.1. Introducere n microprelucrarea de suprafa Microprelucrarea n volum (bulk micromachining) nseamn gravarea

caracteristicilor n trei dimensiuni n volumul materialelor cristaline si necristaline. n contrast caracteristicile microprelucrate la suprafa sunt construite, strat cu strat, pe suprafaa unui substrat (ex. foia de siliciu). Gravarea uscat definete caracteristicile suprafeei n planul x, y, iar cea umed le separ de plan prin subtiere. n microprelucrarea suprafeelor, formele din planul x, y nu sunt restricionate de cristalografia substratului. Pentru ilustrare, n Figura 1.1.1., se compar un senzor de presiune absolut realizat din polisiliciu prin microprelucrarea suprafeei cu unul microprelucrat n volum dintr-un singur

Pagina 3

cristal de siliciu. Ceea ce nu este reflectat n figur este faptul c dispozitivele microprelucrate la suprafa ajung s fie mult mai mici dect replicile acestora microprelucrate n volum. Natura proceselor de depunere implicate determin nalimea maxim a structurilor microprelucrate la suprafa (Hal Jerman, de la EG&Gs IC Sensors, le-a denumit structuri 2.5 D)1. Ca i exemplu, peliculele din siliciu policristalin (poli-Si) realizate prin depunere de vapori chimici la joas presiune (LPCVD) au n general o nalime de caiva microni (z mic), fa de microprelucrarea n volum umed unde doar grosimea foiei limiteaz nalimea structurii.

Figura 1.1.1.: Comparaie ntre microprelucrarea n volum i cea la suprafaa a unui senzor de presiune absolut echipat cu elemente piezorezistive. Sus: Microprelucrarea n volum a unui singur cristal de Si. Jos: Microprelucrarea la suprafa cu poli-Si.

Un z mic (nalime) poate fi un neajuns pentru anumii senzori. De exemplu, ar fi dificil realizarea unei mase ineriale mari pentru un accelerometru din plcue de poli-Si subiri (un accelerometru comercial microprelucrat la suprafa, ADXL05, are o mas
1

Hal Jerman, Bulk silicon Micromachining, 1994, copia prezentrii facut n Banff, Canada. Pagina 4

inerial de doar 0,3 grame). Nu doar ar trebui controlai foarte precis majoritatea parametrilor n procesul LPCVD al polisiliciului ct i, ulterior, clirea la temperaturi nalte (de exemplu n jurul a 580C) este necesar pentru transformarea siliciului amorf depus n polisiliciu materialul structural principal n microprelucrarea la suprafa. Chiar i cu un control al procesului cel mai bun cu putin, poli-Si are cteva dezavantaje ca material fa de Si monocristalin, printre care o mai mic piezorezistivitate2. O caracteristic important a poli-Si este aceea c proprietile de material, cu toate c sunt oarecum inferioare fa de cele ale Si monocristalin, sunt cu mult superioare celor ale peliculelor metalice, i cea mai important este aceea c sunt izotrope. Incertitudinile dimensionale pot fi mult mai importante dect problemele de material. Dei toleranele dimensionale absolute obinute prin litografie pot fi submicronice, toleranele relative sunt slabe, undeva la 1% pe o lungime de 100 m a structurii. Situaia devine i mai critic odat cu micorarea dimensiunilor structurii. Cu toate c controlul dimensional relativ n domeniul micronilor nu este specific microprelucrrii la suprafa, nu exist o cristalografie pe care se poate baza un control dimensional mbuntit ca n cazul microprelucrrii n volum umede. Mai mult, odat ce componentele mecanice n microprelucrarea la suprafa tind s fie mai mici, sunt necesare mai multe ajustri postfabricare ale structurilor pentru obinerea unor caracteristici reproductibile. n final, procesul umed de eliberare a elementelor structurale de substrat tind s produc alipirea structurilor suspendate de substrat, sau curbarea acestora, introducnd astfel un alt dezavantaj al microprelucrrii la suprafa. Cteva din problemele enumerate mai sus asociate microprelucrrii la suprafa au fost rezolvate prin modificri ale procesului de fabricaie i/sau proiectare alternativ, tehnica ctignd rapid interes comercial, n special datorit faptului c este cel mai compatibil proces de microprelucrare cu procesul de fabricare al circuitelor integrate dezvoltat pn la ora actual. Mai mult, n ultimii 10-15 ani, procese precum siliciu pe izolator (n special ceramica) (SOI)3, poli-Si articulat (hinged)4, poli-Si turnat n matrie de tip Keller la scar milimetric5, poli-Si gros (10 m i

Berre, M.L., Kleinmann, P., Semmache, B., Barbier, D. i Pinard, P. Electrical and Piezoresistive Characterization of Boron-Doped LPCVD Polycrystalline Silicon under Rapid Thermal Annealing., 1996, Sensors and Actuators A-Physical 54, pag. 700703. 3 Diem, B., Delaye, M.T.,Michel, F., Renard, S., i Delapierre, G., SOI(SIMOX) as a Substrate for Surface Micromachining of Single Crystalline Silicon Sensors and Actuators, 1993, in 7th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers 93), Yokohama, pag. 23336. 4 Pister, K.S.J., Hinged Polysilicon Structures with Integrated CMOS TFTs, 1992, in Technical Digest: Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island, SC, pag. 13639. 5 Keller, C., si Ferrari, M., Milli-Scale Polysilicon Structures, 1994, in Technical Digest: Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island, SC, pag. 13237. Pagina 5

peste)6, tehnologia MEMS Sandia Ultraplanara Multistrat (Sandias Ultra-Planar Multilevel MEMS Technology - SUMMIT)7 i procesele LIGA precum i cele asemntoare procesului LIGA au mbogit arsenalul microprelucrrii suprafeei. Structurile de siliciu cristalin, pot fi obinute n gama fraciunilor microni pn la 100 m prin microprelucrarea suprafeei epi-siliciului sau aderarea stratului de siliciu prin fuziune la foiele SOI8. Elementele structurale fcute din aceste straturi de siliciu monocristaline se concretizeaz n senzori cu o mai bun reproductibiliate i fiabilitate. Microprelucrarea SOI sau epi combin cele mai bune caracteristici ale microprelucrrii suprafeei (ex. compatibilitate IC) cu cele mai bune ale microprelucrrii n volum (caliti superioare ale siliciului monocristalin). Mai mult, microprelucrarea suprafeei de tip SOI n mod frecvent implic mai puini pai n procesul de creare i ofer un control nbuntit asupra grosimii blocurilor cruciale. Dat fiind reproductibilitatea sczut ale proprietilor mecanice i n general caracteristicilor electronice slabe ale peliculelor de polisiliciu, prelucrarea SOI poate surclasa tehnologia poli-Si pentru fabricarea dispozitivelor performante. Fabricarea structurilor din poli-Si planare pentru asamblarea pe vertical prin rotaie mecanic n jurul articulaiilor microprelucrate cresc n mod dramatic proiectelor fezabile cu polisiliciu4. Keller, acum lucrnd la MEMS Precision Instruments9, a introdus o combinaie ntre procesele de modelare de microprelucrarea la suprafa i LIGA5 n procesul HEXSIL (HEXagonal honeycomb polySILicon), o tehnologie ce permite crearea de structuri tridimensionale nalte fr asamblare post-eliberare. Folosind procesele CVD, n general doar peliculele subiri (2 pn la 5 m) pot fi depuse pe suprafee plane dar cu aceast metod, structurile nalte asociate n mod normal procesului LIGA pot fi deasemenea fabricate folosind procesul CVD pe polisiliciu. Aplicnd procedeul clasic LPCVD pentru obinerea depunerii de poli-Si este un proces lent. De exemplu, un strat de 10m n mod normal necesit un timp de depunere de
6

Lange, P., Kirsten, M., Riethmuller, W., Wenk, B., Zwicker, G., Morante, J.R., Ericson, F., si Schweitz, J.. Thick Polycrystalline Silicon for Surface Micromechanical Applications: Deposition, Structuring, and Mechanical Characterization, 1995, in 8th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers 95), Stockholm, pag. 2025. 7 http:// mems.sandia.gov/scripts/index.asp 8 Noworolski, J.M., Klaassen, E., Logan, J., Petersen, K., si Maluf, N., Fabrication of SOI Wafers with Buried Cavities Using Silicon Fusion Bonding and Electrochemical Etchback, 1995, in 8th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers 95), Stockholm, pag. 7174.
4

9
5

http://www.memspi.com

Pagina 6

10 ore. n consecin, majoritatea structurilor microprelucrate sau bazate pe grosimi ale stratului de 2 pn la 5 m. Bazat pe chimia diclorosilanului (SiH2Cl2), Lange s.a. (1995) au dezvoltat un proces CVD cu viteze de depunere de pn la 0.55m/min at 1000C. Procesul deine timpi de depunere acceptabili pentru grosimi n gama de 10 m. Peliculele de poli-Si tip coloan sunt depuse pe straturi de sacrificiu din SiO2 i prezint tensiuni interne joase, fiind potrivite pentru microprelucrarea la suprafa. Straturile groase de poliamid i ali compui translucizi la razele UV sunt n curs de cercetare ca noi materiale folosite n procesul microprelucrrii la suprafa. Datorit transparenei acestor materiale la expunerea luminii UV (ultraviolet), pot fi transformate n structuri nalte prin procese LIGA. Deasemenea pot fi electroplacate i micromodelate n orice form geometric. 1.2. Istoric Primul exemplu al microprelucrrii suprafeei pentru o aplicaie electromecanic consist dintr-un fascicol grind metalic subcorodat pentru un tranzistor rezonant construit de Nathanson n 1967 (Figura 1.2.1.)10.

Figura 1.2.1.: Grind oscilant n tehnologie MEMS

Pn n 1970, o prim idee de construcie a unui micromotor metalic acionat magnetic a luat natere11. Datori oboselii materialului, metalele nu se pot utiliza n mod
10

Nathanson, H.C., Newell,W.E.,Wickstrom, R.A., si Davis, J.R., The Resonant Gate Transistor, 1967, IEEE Trans. Electron Devices ED-14, pag. 11733. 11 Dutta, B., Integrated Micromotor Concepts, 1970, in Int. Conf. on Microelectronic Circuits and Systems Theory, Sydney, pag. 3637. Pagina 7

obinuit ca i componente mecanice. Metoda microprelucrrii suprafeei, aa cum o tim astzi, a fost demonstrat pentru prima oar de Howe i Muller la nceputul anilor 80 i se baza pe polisiliciu ca material de structur12. Aceti pionieri mpreun cu Guckel (1985), au produs structuri de sine stttoare din poli-Si cu ajutorul tehnicii LPCVD prin ndeprtarea straturilor de oxizi pe care se formau structurile de polisiliciu. Primul dispozitiv al lui Howe a constat dintr-un rezonator proiectat pentru a msura schimbarea unei mase sub absorbia substanelor chimice din aerul nconjurator. Totui, acest senzor de gaz nu reprezint o aplicaie bun pentru o structur electrostatic microprelucrat la suprafa, deoarece umiditatea i praful nfundau microfantele senzorului nencapsulat, ntr-un timp foarte scurt. Mai trziu, structuri mecanice, n special cele nchise ermetic, au dovedit c tehnologia circuitelor integrate poate fi extins ctre sistemele electromecanice13. n aceste structuri, direcia z (nlimea) este limitat la mai puin de 10 m, de unde i numele de microprelucrarea suprafeei. Primele studii cu privire la posibilele aplicaii ale suprafeelor microprelucrate din polisiliciu au fost prezentate de Gabriel .a. n 1989. Componente mecanice i optice mobile, realizate la microscal, cum ar fi mbinri punctuale, arcuri, roi dinate, bielete de angrenare, mecanisme culisante i multe altele au fost create n laborator14. Pentru o perioad, la nceputul anilor 90, se prea c fiecare grup de cercetare n MEMS din Statele Unite ncerca s realizeze micromotoare microprelucrate la suprafa. Chiar dac micromotoarele nu au o utilitate practic, acestea au motivat comunitatea de cercettori de a explora cu ardoare miniaturizarea unei varieti largi de senzori mecanici i actuatori. n 1991, Analog Devices, n Norwood, Massachusetts, a anunat primul produs comercial bazat pe microprelucrarea suprafeei, n spe senzorul ADXL-50, un accelerometru de 50 g pentru activarea exploziei air-bag-urilor15. Pn n anul 2001, Analog Devices construia 2 milioane de accelerometre microprelucrate la suprafa pe lun (la un pre de 4$ pe dispozitiv la achiziionarea n volum). Un al doilea succes comercial pentru microprelucrarea la suprafa s-a bazat pe dispozitivul digital microoglind de la Texas Instruments (Digital Micromirror Device sau DMD). Aceast oglind mobil din
12

Howe, R.T., si Muller, R.S., Polycrystalline Silicon Micromechanical Beams, 1982, in Spring Meeting of the Electrochemical Society, Montreal, pag. 18485. 13 Howe, R.T., Recent Advances in Surface Micromachining, 1995, in Technical Digest: 13th Sensor Symposium, Tokyo, pag. 18. 14 Muller, R.S., From ICs to Microstructures: Materials and Technologies, 1987, in Proceedings: IEEE Micro Robots and Teleoperators Workshop, Hyannis, MA, pag. 2/15.; Fan, L.-S., Tai, Y.C., si Muller, R.S., Pin Joints, Gears, Springs, Cranks, and Other Novel Micromechanical Structures, 1987, in 4th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers 87), Tokyo, pag. 84952. 15 Analog Devices Combine Micromachining with BICMOS, 1991, Semicond. Int. 14, pag. 17. Pagina 8

aluminiu, microprelucrat, este un comutator digital ce controleaz precis o surs de lumin pentru videoproiectoare i retroproiectoare16. Acceptul comercial al acestei aplicaii a confimat rmnearea pe piaa de desfacere a dispozitivelor microprelucrate la suprafa. Microprelucrarea la suprafa este un proces de fabricaie folosit de ctre companii prestigioase, cum ar fi: Cronos, Research Triangle Park (acum parte integrant a companiei JDS Uniphase Company), North Carolina i Robert Bosch, Stuttgart, Germania. 1.3. Procese de microprelucrare la suprafa 1.3.1. Secvena de baz a procesului O secven din procesul de microprelucrare la suprafa pentru crearea unei puni de sine stttoare din polisiliciu este artat n Figura 1.3.1.1.17. Un strat de sacrificiu, desemenea denumit strat de spaiere sau baz, este depus pe un substrat de siliciu acoperit cu un strat dielectric ca strat de izolare/tampon, Figura 1.3.1.1.(A). Sticla cu fosfosilicai (PSG: Phosphosilicate Glass) depus prin tehnica LPCVD, este folosit ca cel mai bun material pentru stratul de sacrificiu deoarece se corodeaz mai repede n acid fluoric dect SiO2. Pentru a obine o rat uniform de corodare, peliculei PSG trebuie s i se mreasc densitatea prin nclzirea peliculei la temperaturi ntre 950-1100C ntr-un cuptor. Cu o prim masc aplicat, baza arat c n Figura 1.3.1.1.(B). Se creaz ferestre n stratul de sacrificiu, apoi se depune pelicula microstructural subire (alctuit din polisiliciu, metalaliaj sau un material dielectric) ca n Figura 1.3.1.1.(C). Prin recoacere n cuptor, n cazul polisiliciului la o temperatur de 1050C n azot pentru o or, se reduce stresul intern i creterea n grosime a stratului. Cu o a doua masc, stratul microstructural este modelat de obicei prin corodare uscat n plasma de CF4 _ O2 sau CF3Cl _ Cl2, Figura 1.3.1.1.(D)18. La final, o corodare umed selectiv a stratului de sacrificiu, s spunem ntr-o soluie de 49% HF, las o structur micromecanic de sine stttoare Figura 1.3.1.1.(E). Tehnica de microprelucrare a suprafeei se aplic combinaiilor de pelicule subiri i dimensiunilor laterale, unde stratul de sacrificiu poate fi corodat fr o corodare semnificativ sau un atac chimic asupra microstructurii, dielectricului sau a substratului. n mod tipic, o stiv pentru
16

Hornbeck, L.J., Projection Displays and MEMS: Timely Convergence for a Bright Future, 1995, in Micromachining and Microfabrication Process Technology (Proceedings of the SPIE), Austin, pag. 2. 17 Howe, R.T., si Muller, R.S., Polycrystalline Silicon Micromechanical Beams, 1983, J. Electrochem. Soc. 130, 142023.; Howe, R.T.,Polycrystalline Silicon Microstructures, 1985, in Micromachining and Micropackaging of Transducers, Fung, C.D., Cheung, P.W., Ko, W.H., and Fleming, D.G., eds., Elsevier, New York, pag. 16987. 18 Adams, A.C., Dielectric and Polysilicon Film Deposition, 1988, in VLSI Technology, Sze, S.M. ed., McGraw-Hill, New York. Pagina 9

microprelucrarea suprafeei poate conine un total de patru cinci straturi de sacrificiu (dar poate conine i mai multe); procesul de prelucrare a suprafeei de polisiliciu la Sandia SUMMIT, de exemplu, folosete o stiv de pn la cinci straturi de polisiliciu i cinci straturi de oxid.

Figura 1.3.1.1.: Secvene ale procesului de microprelucrare a suprafeei. (A) Depunearea stratului de spaiere (stratul dielectric subire de izolare nu este artat). (B) strat de baz la care i s-a aplicat masca 1. (C) Depunerea stratului microstructurii. (D) Strat de baz la care i se aplic masca 2. (E) Corodarea selectiv a stratului de spaiere.

1.3.2. Fenomenul de sticie - Stiction Folosirea straturilor de sacrificiu ofer posibilitatea crerii unor structuri mobile din polisiliciu microprelucrate la suprafa foarte complexe. O limitare important crerii unor astfel de forme din polisiliciu este aceea c structurile de suprafa mare tind s se ndoaie datorit gradienilor de stres intern sau tensiunii de suprafa induse de lichidele captate, lipindu-se de subtratul/stratul izolator n pasul final de cltire i uscare, un fenomen al sticiei ce poate fi relaionat cu valena hidrogenului sau contaminarea rezidual. n prezent, mari eforturi sunt realizate pentru ntelegerea i prevenirea acestui fenomen. ndepartarea stratului de sacrificiu urmat de o lung i minuioas cltire n ap deionizat i uscarea sub o lamp cu infraroii n general reprezint ultimii pai n secvena microprelucrrii la suprafa. Pe masur ce placua se usuc, tensiunea de suprafa a apei

Pagina 10

de cltire trag delicat microstructura nspre substrat unde o combinaie de forte, probabil fore van der Waals i valena hidrogenului, o menin strns lipit Figura 1.3.2.1.19 Odat ce structura este ataat substratului prin acest fenomen, fora mecanic necesar dislocrii este de obicei destul de mare ncat s distrug structura micromecanic. Acelai fenomen se presupune a fi responsabil n alipirea plcuelor la temperatura camerei. O lucrare de referin asupra acestui fenomen o reprezint :Theoretical and experimental analysis of the mechanical stability and adhesion of microstructures under capillary forces scris de Mastrangelo (1993a; 1993b)20.

Figura 1.3.2.1. Fenomenul de stiction n microprelucrarea suprafeei i efectul tensiunii de suprafa n structurile micromecanice. (A) Fascicol neeliberat. (B) Fascicol eliberat naintea uscrii. (C) Fascicol eliberat atras nspre substrat datorit forelor de capilaritate pe masur ce apa se evapor.

Prin crearea unor amortizoare ndepartate sub placua de polisiliciu21 i adaugarea unor microstructuri sub forma de menisc la perimetrul microstructurii reprezint mijloace mecanice ajutatoare pentru reducerea alipirii, o alt metod mecanic este aceea de a consolida temporar microstructura cu substratul cu ajutorul unor legturi. Aceste structuri rigide de consolidare nu sunt afectate de forele de tensiune la suprafa ale lichidului iar legturile sunt tiate apoi cu un inpuls de curent de nalta intensitate imediat dup terminarea procesului potenial distructiv (cltire si uscare). O alt metod pentru evitarea fenomenului de sticie implic folosirea unor coloane suport, de sacrificiu, din polimer. O
19

Core, T.A., Tsang, W.K., si Sherman, S.J., Fabrication Technology for an Integrated SurfaceMicromachined Sensor, 1993, Solid State Technol. 36, pag. 3947. 20 Mastrangelo, C.H., si Hsu, C.H., Mechanical Stability and Adhesion of Microstructures under Capillary Forces: Part 1. Basic Theory, 1993a , J. Microelectromech. Syst. 2, pag. 3343.; Mastrangelo, C.H., si Hsu, C.H., Mechanical Stability and Adhesion of Microstructures under Capillary Forces: Part 2. Experiments, 1993b, J. Microelectromech. Syst. 2, pag. 4455. 21 Tang,W.C.K., Electrostatic Comb Drive for Resonant Sensor and Actuator Applications, 1990, Ph.D. thesis, University of California, Berkeley.; Fan, L.-S., Integrated Micromachinery: Moving Structures on Silicon Chips, 1989, Ph.D. thesis, University of California, Berkeley. Pagina 11

poriune a stratului de sacrificiu este nlocuit de un distanier din polimeri, intreesut imediat dup corodarea parial a oxidului de sticl. Dup completarea coradrii oxidului, distanierul din polimer impiedic fenomenul de sticie n timpul uscrii prin evaporare. La sfrit o plasm din oxigen izotrop nlatur polimerul n vederea eliberrii structurii22. Ideal, n vederea unei producii ridicate, contactul dintre elementele de structur i substrat ar trebuii evitate n timpul prelucrrii. ntr-un mediu lichid, totui, aceasta este imposibil datorit efectelor tensiunilor de suprafa. n consecin majoritatea soluiilor pentru problema sticiei implic reducerea tensiunilor de suprafa ale soluiei de cltire final prin metode fizico-chimice. Lober .a. (1988a)23 de exemplu, au ncercat cu vapori de acid fluoric (HF), iar Guckel .a. (1989, 1990)24 au folosit amestecuri apa-metanol prin criodesicare25. ngehatarea i purificarera lichidului de cltire ntr-un mediu de joas presiune produc rezultate mbunite.. Takeshima (1991)26 a folosit criodesicarea cu alcool t-butilic. Deoarece punctul de nghet al acestui alcool se afl la 25,6C, este posibil criodesicarea fr un echipament special de rcire. Cu acest tehnic lichidul de cltire este deplasat cu ajutorul unui alt lichid ce poate fi antrenat ntr-o faz supercritic sub nalt presiune. Aceast faz super critic nu prezint tensiuni de suprafa, ceea ce permite uscarea microstructurilor fr apariia fenomenului de sticie. n general este folosit CO2 la 35C i 1100 psi (aproximativ 75, 84 bari). Kozlowski (1995)27 a nlocuit HF (acid floric) n paii succesivi de prelucrare cu monomerul divinilbenzen pentru microfabricarea unor puni i grinzi din polisiciu foarte subiri (500 nm). Monomerul a fost polimerizat sub lumina ultraviolet (UV) la temperatura camerei i nlaturat apoi cu plasma de oxigen. Analog Devices a aplicat o tehnic proprie ce implic doar tehnologia de proces standard a circuitelor integrate n
22

Mastrangelo, C.H., si Saloka, G.S., A Dry-Release Method Based on Polymer Columns for Microstructure Fabrication, 1992, in Proceedings: IEEE Micro Electro Mechanical Systems (MEMS 93), Fort Lauderdale, pag. 7781. 23 Lober, T.A., si Howe, R.T., Surface Micromachining for Electrostatic Microactuator Fabrication, 1988a, in Technical Digest: 1988 Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island, SC. 24 Guckel, H., Sniegowski, J.J., Christenson, T.R., Mohney, S., si Kelly, T.F., Fabrication of Micromechanical Devices from Polysilicon Films with Smooth Surfaces, 1989, Sensor. Actuator. 20, pag. 11721.; Guckel, H., Sniegowski, J.J., Christenson, T.R., si Raissi, F., The Application of Fine-Grained, Tensile Polysilicon to Mechanically Resonant Transducers, 1990, Sensor. Actuator. A A21, pag. 34651. 25 Criodesicare = Uscare prin inghet. 26 Takeshima, N., Gabriel, K.J., Ozaki, M., Takahashi, J., Horiguchi, H., si Fujita, H., Electrostatic Parallelogram Actuators, 1991, in 6th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers 91), San Francisco, pag. 6366. 27 Kozlowski, F., Lindmair, N., Scheiter, T., Hierold, C., si Lang, W., A Novel Method to Avoid Sticking of Surface Micromachined Structures, 1995, in 8th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers 95), Stockholm, June, pag. 22023. Pagina 12

fabricarea unui micro-accelometru fenomenului de sticie28.

pentru eliminarea prierderilor mari datorate

28

Core, T.A., Tsang, W.K., si Sherman, S.J., Fabrication Technology for an Integrated SurfaceMicromachined Sensor, 1993, Solid State Technol. 36, pag. 3947. Pagina 13