Tehnologii de fabricatie pentru MEMS-uri

n proiectarea si realizarea MEMS-urilor trebuie avute n vedere urmatoarele:

Frecarile sunt mai mari dect fortele inertiale; fortele capilare,

electrostatice si atomice la nivel micro sunt semnificative.

Caldura dezvoltata n astfel de sisteme are valori relativ ridicate, ceea ce

poate pune probleme n ceea ce priveste transportul si disiparea caldurii.

Pentru microsistemele hidraulice, spatiile mici de lucru si transport ale

fluidului sunt predispuse la blocaje, dar n acelasi timp pot regulariza
curgerea fluidului.

Proprietatile de material (modulul Young, coeficientul Poisson etc) si teoria

mecanicii la nivel micro.

Utilizarea MEMS- urilor pe structura unui circuit integrat este complexa si

specifica fiecarui microsistem n parte.

Realizarea si testarea MEMS- urilor nu este usoara; anumiti microsenzori

necesita contactul direct cu mediul, ceea ce presupune asigurarea
protectiei acestora la perturbatii exterioare, iar testarea este mai
costisitoare dect n cazul circuitelor integrate clasice.

Fabricatia structurilor de tip MEMS este similara cu fabricatia conventionala a

microcircuitelor integrate la care se adauga o serie de tehnologii specifice. Astfel,
structurile MEMS sunt, n general structuri multistrat realizate prin succesiuni de
procedee de depunere pe o structura de baza si de corodare cu diverse
tehnologii, tehnologii numite generic "micromachining".
Exista doua mari categorii de tehnologii de prelucrare: Surface
micromachining si Bulk micromachining.
1. Surface micromachining - presupune prelucrarea la nivelul straturilor
depuse si se bazeaza pe procese de corodare a acestor straturi numite straturi
de sacrificiu, realizndu-se astfel structuri mecanice suspendate (de tip lamele,
bride - ntlnite la microsenzori) sau mobile ( roti, discuri, balamale etc) ntlnite
la micromotoare, microactuatori etc.
2. Bulk micromachining - Prelucrare n interiorul materialului - n volum.
Aceste tehnologii presupun prelucrarea prin corodare a structurii de baza
realizndu-se structuri mecanice suspendate peste structura de baza.
Ambele tehnologii de prelucrare au la baza trei procedee distincte:
A. Depunerea de straturi,
B. Litografia
C. Corodarea.

Excelenteleproprietati ale materialelor de nitruri-III face ca acest domeniu sa fie

interesant pentru aplicatiile pentru senzori de presiune si solicitare.Densitatea
acestora se poate modifica datorita fortelor exterioare aplicate sau datorita
presiunii. Tranzistoarele cu mobilitate electronica mare, diodele Schottky si
rezistoarele care au la baza aceste structuri pot avea o gama larga de utilizare la
dispozitivele de detectare aplicate direct in camerele de ardere a motoarelor. In
plus nitrura de galiuHEMTs , s-a aratat ca poateavea o buna aplicare in
transmiterea fara fir a informatiilor, cum ar fi circuitele integrate pentrusenzorii
de miscare.
In timp ce cresterea structurilor cristaline de AlGaN/GaN nu sunt aparute pe
piata, inginerii de specialitate s-au indreptat spre cresterea unui substrat apropiat
din punct de vedere al proprietatilor de GaN. O cale de a realiza MEMS cu o masa
de silicon dar acesta nu este potrivit pentru a realiza astfel de structure pt ca se
foloseste o temperature ridicata si nu estetocmai bun pentru mediul inconjurator.
Un material care se poate utiliza si are proprietati foarte bunear fi SiC dar
deasemenea aici avem 2 piedici:costul ridicat si o compozitie chimica-conduce la
o microprelucrare foartedificila.Ceamai mare problema in realizarea diafragmelor
necesare pentru verificarea proprietatilor senzorilor MEMS. In cazul
nostruAlGaN/GaN MEMS se bazeaza pe fabricareamembraneisisubstratul de
SiCtrebuiesa fie selectatsiindepartat. Dar datorita inaltei stabilitati chimice a SiC
(si datorita intreruperii mari a semiconductorilor in general). Nu existanici o
substanta chimica disponibila conforma.Utilizarea diverselor tehnici corozive ude
sau uscate in combinatie cu diverse straturi distructibile pare a fi o metoda
progresiva. Fotonii laser pot abla mult mai repede materialul SiC decat metodele
conventionale folosite ca: electrochimia, fotochimia sau plasma- bazate pe
metode corozive.Ratele de ablatie de 229 870 microni min (la -1) folosind un
laser CO2 au fost raportate . In comparative cu cele mai inalte rate corozive
realizate cu ajutorul F2 sau Cl2. Bazate pe metodele ICP plasma- valorile
mentionate arputearevolutionamicromacsinare in masa a SiC.Totusiablatia laser
este in totalitate un process in serie in care timpul de ablatieestestranslegat de
modelulfolosit. In conditiirealetransferul net poate fi in ultima instant comparabil
cu procesul de inaltnivel DRIE parallel in care
totusiprotectiarelevantasianizotropia pot fi mariprobleme. Cu
toateacesteadoarcatevarezultate au fostpublicate cu referire la
realizareamaselormicromasinatepentrumaterialele cu
declajefoartemaripentruobtinereamicrostructurilormecanice 3D.

Toeriisiexperimente

Primul pas a fost de fabricare a unui strat fin de AlGaN/GaNprins in masa unui
substrat de silicon de Si-DRIE gros de 7 micrometri rezistent la razele UV. In
continuare se va demonstra potrivirea acestor straturi de SiC pentru fabricarea

senzorilor asemanatori (ca cei anteriori-in substrat de silicon) in comparative

directa cu curentul electric(C-HEMT devices).Carbura de siliciu are cateva
avantaje fata de siliciul pentru stratul epitaxial GaN.
S-a proiectat un dispozitiv de masurare a presiunii C-HEMT, situate pe
membrane unui circular fin AlGaN/GaN.Modelul de inel sensor de presiune a fost
analizat prin metoda elementelor finite. Scopul acestei analize este sa se
determine dimensiunea optima dintre inel si electrod pentru a respecta
dimensiunea maxima indusa de incarcare pentru a realiza senzorul cu o
sensibilitate cat mai buna.

Procesul tehnologic de simulare a dispozitivului C-HEMT partea opusa a stratului

de ablatie a SiC
Masurand o valoare de uzura de 300 MPa este luata ca valoare initiala de uzura a
modelului FEM. Senzorul esteincarcat la o presiune de 10 kPa si in continuare se
ia in considerare analiza piezoelectrica neliniara.
In urmatoarea noastra analiza vom allege latimea electrodului de sus de 5
micrometri si schimbarea razeielectrodului secvential. Presiunea si celelalte

conditii vor ramane neschimbate. Valorile obtinute sunt prezentate in fig 2.

Dupa cum se poate vedea si in figura raza electrodului Re21 este schimbata de
semnul modificarii induse de sarcina. Daca electrodul ar trece prin linia vertical,
valoarea totala a incarcarii ar putea descreste datorita semnului incarcarii.
Marimea optima si locatia electrodului este determinate de semnul incarcarii si
deasemenea de cele 2 linii vertical dupa cum este prezentat in figura2 .Pentru cei
mai inalti parametrii ai electrodului am obtinut o valoare totala a inductiei de
0.794 pC. Urmatorul pas va fi simularea raspunsului senzorului cu grosimea
substratului sis a comparam rezultatele semnalelor piezoelectrice.
2.2 Dispozitivtehnologic

Heterostructurile pentru tehnologia procesarii transistoarelor a crescut la 475

micrometri, grosimea substratului de 4H-SiC folosind un strat cu proprietati
nucleare. Grosimea de 1.7 micrometri a stratului de Fe incarcat cu GaN este
urmat de un strat de 17 nm de AlGaN cu o pondere de 29.5% Al si un strat fin de
3 nm GaN de straturi epitaxiale.
Diodele Schottky au fost realizate pe o baza de Ni/Au. In final, straturile metailce
de Ti/Au sunt realizate straturile aliajului care intra in contact cu inelul de Ni/Au
pentru a imbunatati dispozitivul, lipirea si interconexiunile. Acest experiment este
aratat in fig 1.

In experimentele noastre ,Femto REGEN IC-192 (High Q Laser-Newport) FS Laser

a fost construit pentru micromachinarea substratului de SiC.Noi folosim a 2-a
lungime de 518 mm 380 mW-puterea medie,100KH-frecventa pulsatorie,350 fsdurata pulsatorie.
Aplicam direct metoda de ablatieunde pozitia si miscarea concentratorului laser
estecontrolat de un computer controlat de un scaner digital
Obiectivul telecentric cu diam. De 100 mm reda o raza laser cu diametrul de
20micrometrii pe planul de focalizare.Acest plan poate fi realizat cu ajutoruluni
program CAD si inserate in acesta diferite strategii scanate. Rolulacestui strat
este de a crea un larg complex adanc si fara impuritati in peretii laterali ai
stratului de SiC.

Rezultate experimentale

Comparand parametrii folositi pentru acelasi dispozitiv in fig de mai jos putem
observa coroziunea de pe partea opusa a substratului de siliciu iar substratul de

AlGaN/GaN la suprafata.

Rezultatele la care ne asteptam, sunt ca heterostructura de AlGaN/GaN sa

creasca in stratul de SiC sis a aiba o calitate inalta deoarece are o structura mai
buna iar dislocatiile dintre particule sunt mai mici in comparative cu aceste
structure de siliciu.
Pentru a evita problemele care pot aparea cu fisurarea membrane si
scurtcircuitarea diferite lor acoperiri ale dispozitivului C-HEMT, la masurarea
valorilor electrice au fost folosite doua straturi fine de protective.
Dupa cum poate fi vazut in figura de mai sus (b) un dispozitiv electric (C-HEMT)
functioneazaca un sensor iar prelucrarea microstructurilor pe partea opusa
stratului de SiC
a inceput cu ablatia cu laserul FS pana la 200-270 m
realizeaza gauri cu diametrul de pana la 500m (vezi fig b).
Spre deosebire de procesulDrie-silicon, ablatia laser nu poate fi utilizata daca nu
exista posibilitatea de a se folosi cel putin un substrat specific. In
acestcaznumarul de pulsatii trebuie sa fie cel optim pentru a putea atinge
adancime dorita. In final, aceasta variatie a grosimii peretelui variaza, si
deasemenea poate fi o piedica in atingerea adancimii dorite a ablatiei laser.
In acestcaz se propune o combinative a ablatiei laser pentru o adancime definite
pentru a crea un strat de protective de SiC-laserul poate distruge acest strat.
Folosindaceastatehnica de combinatie, timpul de gravura RIE poate fi redus
considerabil.Inalta selectivitate RIE dintre AIN siSiC ne ajuta sa obtinem o
suprafata neteda dupa gravare.
Avantajele FS-Laser sunt lungimea pulsatiile scurte densitatea ridicata a fotonilor
care conduc catre o ionizare a fotonilor si atomilor.

Fig 5 Ablatia laser-straturi de SiC

Imagine de microscopie
optica prin
transmisie a retelei de
gauri pe film
de aur 50 nmgrosime.
Laser 775 nm, 200 fs.

Caracterizare AFM
- diametrulgaurilor 850 nm
- pana la 650 nm pealte
probe de aur
- pana la 300 nm
pealtemateriale