Universitatea Bucuresti

Facultatea de Fizica

Configurare la scara nanometrica prin litografie cu fascicul de electroni

Rezumatul tezei de doctorat

Conducator Stiintific Prof. Dr. Voicu Dolocan

2010

Autor Fiz. Miron Adrian Dinescu

Cuprins

I Introducere_____________________________________________________1 II Analiza topografica si compozitionala a suprafetelor prin microscopie electronica de baleiaj______________________________________________3 III Litografie cu fascicul de electroni________________________________13 IV Obtinerea configuratiilor submicronice si nanometrice. Rezultate experimentale____________________________________________________25 V Concluzii______________________________________________________46 VI Bibliografie___________________________________________________48

I. INTRODUCERE

Amploarea luata in ultimii ani de catre cercetarile in domeniul nanotehnologiilor a determinat o consolidare a rolului litografiei cu fascicul de electroni ca tehnica de configurare la scara submicronica si nanometrica, impulsionand de asemenea cercetarile ce vizeaza cresterea performantelor (rezolutie, viteza de scriere, etc) acestei tehnici. Litografia cu fascicul de electroni (EBL-Electron Beam Lithography) este o tehnica litografica ce utilizeaza pentru scriere un fascicul de electroni accelerati ce iradiaza (expune) un strat subtire de electronorezist cu care substratul de lucru a fost acoperit in prealabil. Developarea electronrezistului releva configuratia (lay-out) expusa iar transferul acesteia in substratul de lucru se face prin tehnologii de micro(nano)-structurare cum ar fi corodarile umede sau uscate sau tehnica lift-off. Exista de asemenea alte doua variante ale EBL care realizeaza transferul direct al configuratiei pe substrat: depunerea asistata de fasciculul electronic (EBIDElectron Beam Induced Deposition) in corodarea asistata de fascicul electronic (EBIE-Electron beam Induced Etching). Litografia cu fascicul de electroni a aparut din necesitatea cresterii rezolutiei litografiei optice, care in anii de inceput ai industriei de semiconductoare era limitata la 1-2 m (1,2). Desi rezolutia litografiei optice clasice a crescut pana la 150 nm iar a celei de tip DUV (Deep Ultra Violet) sau cu raze X a atins valori sub 100 nm, litografia cu fascicul de electroni a ramas principala tehnica litografica submicronica si nanometrica pentru realizarea de noi dispozitive si prototipuri, de exemplu in nanoelectronica sau in domeniul dispozitivelor ce se bazeaza pe efecte cuantice de dimensiune (3,4). La aceast statut au contribuit in egala masura flexibilitatea, rezolutia si pretul de cost. Litografia de tip DUV si cea cu raze X necesita echipamente extrem de scumpe si de aceea sunt utilizate exclusiv in productie pentru realizarea de loturi mari. Una dintre primele aplicatii ale litografiei cu fascicul de electroni a fost realizarea de reticule pentru masinile optice de expunere (steppere optice). Deoarece aceste masini reduc prin proiectie reticululul de 4x-5x, rezolutia ceruta acestor reticule realizate prin EBL este de ordinul micrometrilor (5). In industria de circuite integrate tehnica EBL este utilizata pentru realizarea de prototipuri ale acestor circuite (6) datorita capacitatii de a expunere direct placheta de lucru, sau pentru producerea de loturi restranse de circuite integrate speciale, de exemplu pe GaAs. In domeniul nanodispozitivelor, aplicatiile includ: tranzistoare cu un singur electron, cristale fotonice, nanorezonatoare, dispozitive pentru studiul efectelor cuantice de dimensiune (7,8), etc. In Romania au existat preocupari legate de aceasta tehnica litografica inca de la inceputul anilor 80 cand au fost instalate o serie de echipamente cu fascicul preformat, modelele ZBA 10 sau 20 (Carl Zeiss Jena, RDG), masini ce au fost destinate producerii de reticule pentru fotorepetoarele optice, rezolutia lor fiind de aproximativ 300-500nm. Aceasta lucrare isi propune sa prezinte o parte din experimentele de configurare la scara nanometrica efectuate de catre autor in cadrul Laboratorului de Caracterizare Microfizica si Nanostructurare si in Departamentul Tehnologic ale IMT Bucuresti. Teza este structurata pe trei mari capitole care trateaza fiecare in parte aspectele teoretice si practice ale litografiei cu fascicul de electroni prin prisma experientei autorului in lucrul cu doua instalatii litografice: un SEM clasic, cu filament de wolfram, convertit la litografie si un 1

echipament litografic dedicat cu tun electronic cu emisie in camp, suport al probelor controlat prin interferometrie laser si modul de depunere asistata de fasciculul electronic Primul dintre aceste capitole este dedicat microscopului electronic de baleiaj, care este studiat din doua puncte de vedere: ca parte componenta esentiala ce determina rezolutia ultima a echipamentului litografic, si ca instrument principal de caracterizare a structurilor nanometrice. Configuratii cu detalii nanometrice pot fi produse numai daca fasciculul de electroni este perfect corectat la toate aberatiile electronooptice, posedand astfel o sectiune rotunda si un diametru minim. Utilitatea SEM-iului in caracterizarea nanostructurilor este data de mai multi factori: rezolutie, profunzime de camp apreciabila (mult mai buna decat in microscopia optica), rapiditate si posibilitatea observarii diferentelor compozitionale (in semnalul de electroni retroamprastiati). Subcapitolul de prezentare a interactiunii fasciculului de electroni cu proba este in egala masura important atat pentru intelegerea formarii imaginii in SEM cat si pentru intelegerea fenomenului de expunere a electronorezistilor. Cel de-al doilea capitol prezinta elemente de litografie cu fascicul de electroni cu profil gaussian, pornind de la structura unui echipament litografic cu exemplificari pentru echipamentele utilizate efectiv, tehnici specifice de lucru, tipuri de electronorezisti si corectia efectului de proximitate. Ca si in cazul primului capitol, exemplele practice cu care este ilustrat capitolul sunt selectate din lucrarile experimentale efectuate de catre autor pe intreaga perioada de desfasurare a scolii doctorale. In capitolul trei sunt prezentate rezultate experimentale de nanolitografiere a unor structuri si dispozitive din diverse domenii ale nanoelectronicii si nanofotonicii: fotodetectori de tip MSM si dispozitive de microunde de tip SAW cu contacte interdigitate nanometrice, elemente optice difractive, cristale fotonice si ghiduri de unda, arii de nanodoturi metalice cu aplicatii in cresterea nanotuburilor de carbon si in studiul unor fenomene plasmonice cu ajutorul SNOMului, utilizarea tehnicii EBID in sptijinul caracterizarii electrice si mecanice a unor nanotuburi de carbon si a unor nanofire polimerice. Lucrarea se incheie cu prezentarea concluziilor generale ale acestor studii, accentuandu-se contributiile originale in domeniu ale autorului.

II. ANALIZA TOPOGRAFICA SI COMPOZITIONALA A SUPRAFETELOR PRIN MICROSCOPIE ELECTRONICA DE BALEIAJ. Microscopia electronica de baleiaj, cunoscuta si sub denumirea de SEM - Scanning Electron Microscopy - este o tehnica speciala care permite observarea si caracterizarea la scara micro si nanometrica a materialelor solide anorganice sau organice. In interiorul SEM-ului, aria ce urmeaza a fi anlizata sau microvolumul analizat sunt iradiate cu un fascicul de electroni fin focalizat si scanat intr-un rastru pe suprafata. Interactiunea fasciculului de electroni cu materialul iradiat produce o varietate de semnale: electroni secundari, electroni retroamprastiati, raze X, lumina, etc., semnale a caror analiza ofera un mare volum de informatii despre topografia si compozitia chimica a probei. Cele mai importante semnale sunt electronii secundari, al caror numar (tradus in intensitate a semnalului) este strans legat de diferentele topografice si electronii retroamprastiati a caror rata de emisie este dependenta de numerele atomice (Z) ale elementelor chimice care alcatuiesc probele supuse analizei. In SEM sunt emise de asemenea raze X caracteristice, a caror analiza ofera informatii calitative si cantitative despre compozitia chimica a probei examinate. Un punct forte al SEM-ului este rezolutia inalta ce poate fi obtinuta valori ale rezolutiei de 1-5 nm au devenit uzuale pentru instrumentele contemporane. De exemplu, in figura 2.1 este prezentata o imagine SEM de inalta rezolutie obtinuta cu ajutorul unui microscop cu emisie in camp (1) a unor particule aur depuse pe siliciu poros.

Fig. 2.1 Imagine SEM de inalta rezolutie a unor nanoparticule de aur depuse pe substrat de siliciu poros O alta trasatura importanta a microscopului electronic, si de asemenea un avantaj major fata de microscopia optica, este cel al unei apreciabile profunzimii de camp, acesta fiind unul dintre motivele aparentei tridimensionale a fotografiilor SEM, aspect ilustrat in fig. 2.2 a,b (2). 3

Fig. 2.2. Micrografie optica (a) si micrografie SEM (b) a unei plachete de siliciu de tip p, dupa porozificare. SEM-urile moderne au in marea lor majoritate o structura ca cea prezentata in figura 2.3. In partea superioara a coloanei electronice se afla amplasat tunul electronic care produce un fascicul de electroni cu energii cuprinse in gama 0,1-30 keV.

Fig 2.3. Schema functionala a unui microscop electronic de baleiaj 4

Bobinele de deflexie a fascicolului pe proba controleaza marirea microscopului aceasta fiind definita ca raportul dintre lungimea rastrului afisat pe monitorul de control al SEM-ului si lungimea rastrului scanat pe proba. Detectorii radiatiilor emise in urma interatiunii dintre electroni si materialul analizat determina prin intermediul amplificatorului video luminozitatea si contrastul imaginii achizitionate. Tunul electronic are rolul de a produce un fascicol de electroni cu energie ajustabila. In mod uzual sint folosite doua clase majore de tunuri electronice, care difera intre ele prin diametrul fasciculului produs, stabilitatea curentului, densitatea de curent, durata de viata a sursei etc. Cele mai multe SEM-uri inca utilizeaza ca sursa de electroni filamentul de wolfram sau LaB6, dar in mod progresiv tot mai multe SEM-uri sint dotate cu surse cu emisie in camp: calde, reci sau Shottky. Sursa de electroni cea mai comuna consta intr-un fir (filament) de wolfram incalzit prin parcurgerea sa de catre un curent electric.. Electronii sunt ejectati din filament in vid prin emisie termoionica. Pentru aceasta, electronii din vecinatatea nivelului Fermi al wolframului trebuie sa primeasca prin excitatie termica o energie mai mare decat lucrul de iesire (figura 2.4.). Densitatea curentului emis este data de legea lui Richardson:

jc = A Tc2 exp k T B c
unde:

(2.1)

A - o constanta ce depinde de materialul filamentului; Tc - temperatura filamentului (catodului); kB- constanta lui Boltzman -lucrul de iesire din material Pentru wolfram =4,5eV, iar pentru TC=2800K se ating densitati practice de curent de 3A/cm2. Hexaboratul de lantan (LaB6) are un lucru de iesire de numai 2,7eV si de aceea permite obtinerea de densitati de curent de 20-50 A/cm2 la temperaturi cuprinse intre 1400-2000 K.

Fig. 2.4. Diagrama energetica a emisiei termoionice (in cimp electric slab), a catodului Schottky si a catozilor cu emisie in camp Electronii sunt accelerati de catre diferenta de potential dintre anod si catod (tipic 100V30kV), anodul fiind plasat intotdeauna la potential nul (masa SEM-ului). Un orificiu circular 5

practicat in anod permite electronilor sa treaca mai departe catre coloana electrono-optica. In punctul de convergenta , densitatea de current prezinta un profil aproape Gaussian (3): r2 (2.2) j(r)=j0 exp 2 r 0 Performantele unui tun electronic pot fi analizate prin masurarea catorva caracteristici fizice ale acestuia: curentul de emisie, diametrul fasciculului in punctul cross-over, stralucirea, timpul de viata, dispersia energetica si stabilitatea in timp . Curentul de emisie IE al unui tun electronic este de ordinul zecilor de A - aproximativ 100-200A pentru catozii termoionici de wolfram si 10-30 A pentru catozii cu emisie in camp. Stralucirea tunului electronic este definita prin analogie cu stralucirea unei surse de radiatie electromagnetica . Ea reprezinta curentul de fascicul din unitatea de arie si din unitatea de unghi solid. Este o marime importanta care are proprietatea de a fi constanta independent de locul in care este masurata in calea fascicolului electronic prin coloana. Diametrul spotului electronic - dp este definit ca diametrul fasciculului de electroni la intersectia acestuia cu proba anlizata. Curentul de fascicul - IP este valoarea curentului electronic dupa trecerea de obiectivul coloanei electronice. Evident, in diferite zone ale coloanei- dupa diversele diafragme de exemplu - curentul de fascicul are valori diferite, el scazand progresiv pana la valoarea sa minima IP. Convergenta fasciculului - p este reprezentata de catre jumatatea unghiului de convergenta al fasciculului de electroni incident pe proba. Stralucirea fascicolului electronic masurata la nivelul probei (constanta de altfel pe toata lungimea coloanei electronice ) este (4) :

4I IP curent = 2 2P 2 = (2.3) 2 arie unghisolid dP dP P 2 4 P Pentru toate tunurile electronice stralucirea creste liniar cu tensiunea de accelerare a electronilor V0 . Dimensiunea sursei este un parametru care se refera la diametrul fasciculului de electroni in crossover, ea fiind de ordinul 50 m pentru filamentele de wolfram si de ordinul nanometrilor pentru catozii cu emisie in camp. Dispersia energetica a electronilor din fascicolul emis se datoreaza diverselor mecanisme de emisie, ea fiind de 3-4 eV in cazul emisiei termoionice si de 0,3-0,7eV pentru emisia in camp. Stabilitatea curentului emis este un parametru important atunci cand SEM-ul este utilizat in aplicatii de litografie cu fascicul de electroni, si mai putin important in activitatile de caracterizare. Timpul de viata este determinat in cazul emisiei termoelectronice de fenomenele de evaporare a catodului care lucreaza la temperaturi inalte. Sursele termoionice de electroni prezinta avantajul de a fi ieftine si de a necesita un nivel de vid relativ scazut. Dezavantajele rezida intr-un timp de viata limitat si o densitate scazuta a curentului emis. Catozii cu emisie in camp sint fire metalice foarte ascutite, incat prezinta o raza la varf de numai 50-100 nm. Cand un astfel de varf este supus unui potential negativ ridicat, campul electric in jurul varfului devine foarte intens si la atingerea limitei de aproximativ 10 V/nm, bariera de potential scade atat de mult si devine atat de ingusta incat unii electroni vor tunela, 6
=

parasind catodul. Wolframul este materialul preferat pentru utillizarea ca varf destinat emisiei in camp, deoarece prezinta suficienta robustete mecanica, rezistand stresului indus de cimpul electric puternic (4). Comparativ cu catodul termoionic care prezinta o densitate de curent de 3-5 A/cm2, catozii cu emisie in camp pot genera densitati de curent de pana la 105 A/cm2. Doua tipuri majore de catozi cu emisie in camp sunt utilizate actualmente in constructia SEM-urilor. Primul tip este catodul rece ( CFE sau Cold Field Emitter ), a carui functionare se bazeaza (exclusiv) pe fenomenele de tunelare prin bariera de potential redusa si ingustata de catre cimpul electric aplicat. Aria aparenta de emisie a acestui catod este de numai cativa nm in diametru si, desi curentul emis are o valoare absoluta destul de redusa (1-10 A), stralucirea acestui tip de sursa este de ordinul 108 A/cm2sr la 20 kV, datorita confinarii fascicolului pe o suprafata extrem de mica. Circuitul electric de polarizare al acestui tip de tun electronic este de tip trioda, primul electrod avand rolul de a fixa potentialul de extractie al electronilor ( 3-5 kV), iar cel de-al doilea de a asigura tensiunea de accelerare necesara. A doua clasa de catozi cu emisie in camp este compusa din: catozii calzi (TFE- Thermal Field Emitter) si catozii Schottky (SFE- Schottky Field Emitter) . Un tun electronic de tip TFE are acelasi principiu de operare ca si cel cu catod rece , dar varful emitator este incalzit la o anumita temperatura fapt care face ca zgomotul emisiei sa fie redus, stabilitatea curentului emis mai buna si de asemenea nivelul de vid solicitat , mai scazut. Coloana electrono-optica a SEM-ului contine o serie de elemente de optica electronica (lentile, aperturi, stigmatoare,etc.) destinate reducerii diametrului fasciculului de electroni si focalizarii acestuia pe proba. O lentila magnetica este produsul unui camp magnetic cu simetrie rotationala. In mod uzual, in interiorul coloanei electrono-optice a unui microscop electronic cu baleiaj sunt utilizate doua tipuri de lentile magnetice: condensoare si obiective. Lentilele condensoare, in numr de una pana la trei, sunt folosite pentru a micsora diametrul fasciculului de electroni de la valoarea pe care o are in punctul crossover pina la valorile cerute de diversele moduri de funcionare ale SEM-ului. Obiectivul este lentila finala a unui SEM avand rolul de a focaliza fasciculul electronic pe proba dar si de a-i micora diametrul intr-o anumita proporie. Exista trei tipuri majore de obiective SEM: stenopa, obiectivul cu imersie si obiectivul Snorkel. Stenopa (sau pinhole-lens) este obiectivul cel mai frecvent utilizat, mai ales in microscoapele cu filament de wolfram. Concentratorul de camp magnetic prezint un orificiu de mici dimensiuni prin care fasciculul electronic trece ctre proba. Aceasta lentila asigura un camp magnetic nul deasupra probei analizate, facilitand colectarea eficienta a electronilor secundari emii de catre detectorii amplasati in camera SEM-ului. Avantajele eseniale ale acestui tip de obiectiv sunt acelea ca permite examinarea de probe oricit de mari (limitarea este impusa doar de dimensiunile camerei SEM-ului) si ca distanta de lucru poate fi de pana la 40 mm putandu-se obine astfel imagini cu o mrire redusa si cu o mare profunzime de camp, utile pentru localizarea trasaturilor de interes de pe probele mari. O exemplificare este furnizata in fig. 2.11 unde un SEM de tip Tescan Vega LMU II cu obiectiv de tip stenopa a fost utilizat pentru obtinerea imaginii unei structuri de siliciu cu dimensiuni de ordinul milimetrilor, imagine imposibil de obtinut optic datorita profunzimii de camp reduse (5). Acelasi SEM a fost utilizat pentru caracterizarea unor structuri cu puternic caracter tridimensional si anume replicile in PMMA ale unor piramide inversate realizate in siliciu fig.2.5 (6).

Fig.2.5 Micrografie SEM a unei plachete de siliciu corugata, destinata realizarii de celule solare

Fig.2.6 Micrografie SEM a unei replicii in PMMA a unei suprafete de siliciu texturizata cu piramide inversate
Obiectivele cu imersie au in mod uzual o distanta focala de 2-5 mm iar proba este plasata in interiorul lentilei permiand astfel obinerea celor mai bune corecii ale aberaiilor optice ale obiectivului. Obiectivul Snorkel este proiectat in asemenea maniera incat campul magnetic se extinde cu intensitate in zona in care este plasata proba, permiind utilizarea msurtorii TTL. In mod evident, acest obiectiv combina avantajele oferite de primele doua tipuri de obiective menionate anterior. Un SEM cu emisie in camp cu obiectiv Snorkel (FEI Nova NanoSEM 630) a fost utilizat pentru obtinerea imaginilor de inalta rezolutie ale unor metale (7) - fig. 2.7, semiconductori (8) fig. 2.8 sau dielectrici (9) fig. 2.9.

Fig.2.7 Micrografie SEM a unei strat de platina depus pe siliciu poros

Fig.2.8 Imagine SEM a unor nanofire de GaN depuse pe o retea de electrozi interdigitati

Fig.2.9 Micrografie SEM a unor particule sferice de SiO2 cu diametrul de 9.1nm 9

In optica electronica, lentilele magnetice prezinta ca si lentile optice din optica fotonica, o multitudine de aberatii: in acest caz, electrono-optice. Spre deosebire insa de cazul opticii fotonice, efectele aberatiilor lentilelor magnetice nu pot fi diminuate prin utilizarea unei combinatii de lentile. Aceste aberatii afecteaza forma si dimensiunile spotului electronic incident pe proba. In cazul unei surse de electroni (tun electronic) cu stralucirea ecuatia stralucirii (2.3) furnizeaza dimensiunea minima (gaussiana) a spotului de electroni pentru un fascicul a carui focalizare conduce la unghiul de divergenta P : dG =
4I P
2 2 P

(2.4)

I P este curentul de fascicul cu care este baleiata proba. Din aceeasi ecuatie rezulta:

(2.5) 4 Aceste relatii pun in evidenta cerintele antagonice de obtinere simultana a unui curent de fascicul mare si a unui diametru de fascicul redus. Diametrul gaussian al fasciculului poate fi obtinut numai in situatia in care aberatiile electronooptice ale sistemului sunt nule. Aberatia de sfericitate este datorata faptului ca electronii ale caror traiectorii sunt mai departate de axa optica sunt mai puternic deflectati in campul magnetic al lentilelor decat electronii cu traiectorii paraxiale. Diametrul celui mai mic spot de de electroni ce poate fi obtinut in prezenta aberatiei de sfericitate este : 1 d s = c s 3 (2.6) 2 Unde c s este coeficientul aberatiei de sfericitate iar este convergenta fascicolului.

Ip =

2 2 2 P d G

c s este in general proportional cu distanta focala a lentilei magnetice, fiind deci cu atat mai mic cu cat bobina lentilei este excitata mai intens. Aberatia de difractie este generata de ultima diafragma din coloana electrono-optica, cea situata in obiectiv. Avand diametrul foarte mic, natura ondulatorie a electronilor care trec prin diafragma se face simtita prin aparitia unei figuri circulare de difractie) in locul unui disc bine definit in planul gaussian. Prin analogie cu optica fotonica si discul de difractie al electronilor se numeste tot disc Airy. Diametrul acestui disc este: 0,61 (2.7) dd =

Unde =

1,24 E0

este lungimea de unda a electronilor utilizati.

In aceasta relatie este exprimat in nm iar E 0 in eV , E 0 fiind energia electronului. Tunul de electroni nu este o sursa perfect monocromatica, adica electronii emisi prezinta o anumita variatie a energiei in jurul unei valori medii E 0 . Electronii cu energii diferite vor fi focalizati in plane diferite, generand din nou un disc de focalizare cu diametrul mai mare decat d G . Aceasta este sursa aberatiei cromatice. Diametrul discului de focalizare in prezenta aberatiei cromatice este:

10

 E (2.8) d = c c E 0 Unde E este abaterea energetica a electronilor iar cc este coeficientul aberatiei cromatice. Astigmatismul este o aberatie generata de imperfecta simetrie rotationala a coloanei electrono-optice. Sursele de imperfectiune pot fi: asimetria bobinelor, diferente de densitati locale in miezurile magnetice, aperturi murdare sau contaminate. Astigmatismul fasciculului electronic poate fi corectat prin utilizarea unui stigmator - o bobina toroidala, cu mai multe sectiuni, care sunt parcurse de curenti diferiti readucand fasciculul electronic la o sectiune rotunda. Considerarea tuturor aberatiilor descrise anterior are ca efect obtinerea unui spot electronic al carui diametru minim este suma in cuadratura a diametrelor discurilor generate de toate aberatiile prezente.
2 2 d P = d G + d S + d d2 + d c2

(2.9)
2

Sau:

E 1 2 2 (0,61) 2 (1,24) 2 d = + cs P + + cc2 2 2 E E0 2 2 4 P 0

2 P

4i P

(2.10)

Valoarea optima a lui P poate fi obtinuta prin anularea derivatei partiale a lui d P in functie de d P P , = 0. p

c 4 (2.11) opt = s c 3 0 La tensiuni de accelerare cuprinse intre 10 kV si 30 kV pot fi luate in considerare numai aberatia de sfericitate si cea indusa de difractie iar aberatia cromatica poate fi neglijata. In acest caz diametrul minim al fasciculului (marime strans legata de rezolutia maxima a instrumentului) este: I d min = kc P2 + 1 Unde k este o constanta foarte apropiata de unitate.
1/ 4 s 3/ 4 3/8

1/ 8

1/ 4

(2.12)

Fasciculul de electroni care scaneaza proba supusa analizei este format din electroni accelerati la tensiuni de ordinul kilovoltilor. La patrunderea in proba, ei interactioneaza cu campurile electrice ale atomilor probei. Sarcina pozitiva a protonilor este concentrata in nucleu, in timp ce sarcina negativa a electronilor este dispersata in invelisul electronic. Electronii din fascicul pot suferi imprastieri elastice (fara pierderi de energie), modificandu-si directia de miscare, iar dupa un anumit numar de astfel de deflexii ei se pot chiar intorce in inapoi parasind proba, acesta fiind si motivul pentru care se numesc electroni retroamprastiati (backscattered electrons). Numarul acestor electroni depinde in mod esential de numarul atomic Z al atomilor probei. O descriere matematica a procesului de imprastiere elestica a electronilor, la unghiuri mai mari decat 0 este de forma: Q(> 0 ) = 1,62 10 20
11

Z2 ctg 2 0 2 E 2

(2.13)

Unde: Q este sectiunea eficace de imprastiere pentru imprastierea elastica, E este energia electronilor incidenti, iar 0 este unghiul de imprastiere. Drumul liber mijlociu al electronilor intre doua imprastieri elestice este:

A N o Q

(2.14)

Unde: N 0 - numarul lui Avogadro - densitatea materialului probei (g/cm3) A - greutatea atomica (g/mol) Simultan cu imprastierea elastica are loc si o imprastiere inelastica a electronilor. In acest proces electronii din fascicul transfera energie atomilor probei, prin diferite mecanisme, procesul avand loc in mod gradual, asa incat electronii incidenti traverseaza mai multe starturi atomice inainte de a-si pierde toata energia. Imprastierea inelastica produce o varietate de semnale utile ca de exemplu electroni secundari, raze X caracteristice sau continue, electroni Auger si catodoluminiscenta. Procesul a fost descris in 1930 de catre Bethe prin calcularea ratei de scadere a energiei electronului incident cu distanta:

dE ds

Z 1.166 E keV 4 ln = 2 e N 0 AE J cm

(2.15) (2.16)

J (keV ) = 9,76 Z + 58,5Z 0,19 10 3

Unde J este pierdera medie de energie a unui electrron intr-un singur eveniment de ciocnire (calculata de Seltzer in 1964). Deci: . dE 1.166 E keV 4 Z (2.17) ln = 7,85 10 ds AE J cm
Integrarea relatiei lui Bethe conduce la estimarea distantei maxime de penetrare a unui electron intr-un anumit material, distanta cunoscuta sub numele de raza Bethe. Combinarea efectelor de imprastiere elastica si inelastica are ca efect patrunderea fasciculului electronic intro zona cu forma si volum specifice fiecarui material in parte, numita volum de interactiune . Acest volum este dependent de de tensiunea de accelerare a electronilor, iar faptul ca semnalele utile sunt emise din acest volum care este mai extins decat spotul electronic de de pe proba, face ca rezolutia SEM-ului pe o proba oarecare sa fie inferioara in general rezolutiei specificate de producator, rezolutie care este masurata pe probe speciale, alcatuite din granule de aur pe carbon. Pentru scopuri practice, se aproximeaza volumul de interactiune cu o semisfera, construita cu ajutorul unei raze ce porneste din punctul de impact al fasciculului in proba. Raza acestei sfere se numeste adancime de patrundere a electronilor. Se gasesc in literatura mai multe formule de calcul ale acestui parametru, dar una dintre cele mai utilizate este cea a lui Kanaya si Okayama (1972)

12

Rko (m ) =

0,0276 A 1,67 E0 z 0,89

(2.18)

Unde: A este masa atomica (g/mol) Z este numarul atomic este densitatea tintei (g/cm3) E0 este energia electronilor incidenti (KeV) Pentru probe inclinate sub unghiul fata de fascicol, volumul de interactiune devine asimetric, cu un grad de asimetrie ce creste cu unghiul de inclinare a probei: R( ) = R(0) cos

(2.19)

Unde R(0) este adincimea Kanaya si Okayama pentru unghi nul de inclinare.

II. LITOGRAFIE CU FASCICUL DE ELECTRONI

Litografia cu fascicul de electroni este o metoda litografica de inalta rezolutie care utilizeaza pentru expunerea unui substrat acoperit cu electronorezist un fascicul electronic accelerat la tensiuni cuprinse intre 5kV si 100kV (sau chiar mai mult in anumite aplicatii speciale). Echipamentele care pot efectua acest tip de litografie se impart in doua mari categorii: Microscoape electronice de baleiaj convertite la litografie Echipamente dedicate litografiei cu fascicul de electroni Microscoapele electronice si o parte dintre echipamentele dedicate utilizeaza pentru scriere fascicule cu profil Gaussian al intensitatii curentului . Echipamentele dedicate, cu aplicatii in realizarea de masti fotolitografice, folosesc pentru expunere fascicule de electroni cu geometrie predefinita (numite si fascicule preformate sau shaped beam) (1) In marea majoritate a cazurilor aceste fascicule au sectiunea patrata sau rectangulara. Coloana electronica ce permite obtinerea unor astfel de forme ale sectiunii fasciculului este deosebit de complexa, continand un numar mare de lentile condensoare si de etaje stigmatoare. Aceasta implica un cost ridicat al echipamentelor dar castigul de viteza de scriere (expunere) este evident, deoarece dimensiunile in sectiune ale acestor fascicule pot ajunge la zeci de m. Pe de alta parte dimensiunea minima a fasciculelor performate este de ordinul sutelor de nm si ca atare si rezolutia acestui tip de masina este mai scazuta decat rezolutia masinilor cu fascicul Gaussian. Pe parcursul procesului de expunere al substratului, fasciculul electronic poate ramane fix, caz in care se deplaseaza suportul probei sau fasciculul baleiaza si expune zona de interes, suportul probei ramanand fix. In mai multe cazuri in care se utilizeaza strategia de scriere fascicul fix suport mobil se utilizeaza de asemenea si scanarea in rastru in care suportul probei se misca neintrerupt linie cu linie iar fasciculul electronic este pornit cand
13

substratul este in zona ce se doreste a fi expusa si oprit in rest. Utilizarea strategiei de scanare fascicul mobil suport fix este asociata cu in unele cazuri cu scanarea vectoriala in care fasciculul baleiaza (si evident expune) numai zonele de interes, intre acestea fiind oprit. Tabelul 3.1 reprezinta un sumar al strategiilor de scriere utilizate de catre diversi producatori de aparatura litografica (2) Strategie 1 (Raith) 2 (Etec) 3 (Leica) Tabelul 3.1 Fascicul de electroni Gaussian Gaussian Preformat Mod de scanare Vectorial Rastru Vectorial Suport probe fix mobil fix

In cele ce urmeaza ne vom referi numai la strategia de scriere: fasciculul Gaussian mobil, suport de probe fix deoarece echipamentele utilizate pentru efectuarea tuturor experimentelor descrise in lucrare au fost de acest tip. Fie ca sunt SEM-uri convertite la litografie sau echipamente dedicate, instalatiile litografice cu fascicul de electroni au o structura comun, constand int-o parte generatoare a fasciculului electronic (un SEM) si o parte destinata miscarii acestuia conform cerintelor de expunere (PGul). Tunul electronic este proiectat pentru o stabilitate sporita a curentului de fascicul. Sunt utilizate atat sursele de electroni cu emisie termionica (filament de wolfram sau LaB6) cat si cele cu emisie in camp. Alegerea sursei de electroni se face in functie de mai multe criterii: pret de cost, stralucire, stabilitate si comoditatea in utilizare (in relatie cu aplicatia litografica cea mai uzuala a utilizatorului). Timpul de viata al unui filament de wolfram este de 40-200 h, in timp ce unul de LaB6 dureaza semnificativ mai mult. Dar datorita pretului cristalului de LaB6, costul total de inlocuire altunului electronic este aceiasi daca se considera o perioada de un an. Sursele cu LaB6 au o stralucire de 3x10x mai mare decat cele cu wolfram si ca urmare procesul litografic poate fi mai rapid. Totusi stabilitatea curentului de fascicul e mai buna in cazul filamentului de wolfram (1% pe ora) fata de LaB6 (3% pe ora). Rezolutia maxima obtenabila cu aceste tunuri electronice este aproximativ egala, dar SEM-ul cu este mai usor de optimizat pentru lucrul la inalta rezolutie datorita stralucirii mai mari. In cazul surselor cu emisie in camp, alegerea intre cele cu catod rece (CFE) si cele cu catod cald (TFE) este simpla datorita diferentelor majore in stabilitatea curentului de fascicul. Sursele CFE au o instabilitate de 20% pe ora, iar cele TFE sunt foarte stabile (1% in 10-12 ore). Desi rezolutia maxima a surselor cu catod rece poate fi superioara rezolutiei sursei cu catod cald, instabilitatea intrinseca le face destul impractice pentru scopuri litografice (3). Cele mai fine linii ce pot fi obtinute prin litografie cu fascicul de electroni (utilizand electronorezisti clasici) sunt de ordinul 3-50 nm pentru tunurile cu emisie termoionica (la tensiuni de accelerare de 30-40 kV) si de ordinul 10-20 nm in cazul surselor cu emisie in camp. Trebuie precizat ca acestea sunt doar rezolutiile impuse de microscopul electronic utilizat. Exista si alte limitari legate de substrat, electronorezist, curentul de fascicul, tensiunea de accelerare, dimensiunea campului expus, etc. Obturatorul electrostatic de fascicul (beam-blanker-ul) este o componenta a coloanei electronoptice esentiala in litografie dar care nu este in mod normal prezenta intr-un SEM. In 14

anumite SEM-uri exista obturatoare magnetice de fascicul, mult mai lente dar adecvate activitatilor legate de achizitia de imagini. Obturatorul electrostatic are rolul de a bloca fasciculul de electroni in drumul sau intre doua arii expuse pentru a nu impresiona electronorezistul in zonele ce nu trebuie expuse. Coloana electrono-optica este formata dintr-o serie de lentile magnetice care au rolul de a forma pe substrat un spot electronic de diametru minim si lipsit de aberatii. O mentiune importanta trebuie facuta pentru ultima lentila magnetica a coloanei, obiectivul, care determina in cea mai mare masura calitatea spotului electronic. Desi pentru scopuri imagistice obiectivele Snorkel prezinta performante excelente, pentru litografie existenta campului magnetic puternic pe substratul de lucru poate produce o apreciabila distorsiune a imaginii la mariri medii, impiedicand astfel calibrarea campului de scriere. Sistemul de vidare are rolul de a asigura nivelul necesar de vid in camerele probelor, in coloana electrono-optica si mai ales la nivelul tunului electronic. El este alcatuit in mod uzual dintr-o pompa de previdare (care poate fi rotationala, scroll sau cu membrana), o pompa turbomoleculara si, pentru tunurile cu emisie in camp, doua sau trei pompe ionice. Presiunea uzuala in camera probelor este cuprinsa intre 10-3-10-6 mbarr, iar in tunul electronic 10-5 mbarr pentru tunuri termoionice si 10-8-10-10 mbarr pentru cele cu emisie in camp. Suportul probelor trebuie sa asigure pozitionarea acestora in functie de fasciculul electronic, asigurand deplasarea dupa x, y, z si de asemenea rotirea si inclinarea probei. Pentru scopuri litografice, rotirea si inclinarea probei prezinta interes numai daca respectivul echipament este folosit si ca SEM sau in configuratie de fascicul dual (FIB-SEM) , fiind uneori chiar contraindicate datorita jocurilor mecanice pe care le induc. Mult mai importante sunt in litografie motorizarea si controlul computerizat al acestui suport. Se pot utiliza in scopuri litografice si SEM-uri avand suport al probelor necomputerizat dar lucrul cu un astfel de instrument este limitat la un singur camp de scriere, lipirea (compunerea) mai multor campuri pentru a acoperi o zona mai mare nefiind posibila. In mod tipic, un suport al probelor pentru SEM asigura o acuratete a pozitionarii de 0,5 3 m , insuficienta pentru lipirea cu precizie nanometrica a unor campuri de scriere. Exista doua solutii ale acestei probleme. Prima consta in utilizarea unor semne de aliniere incluse in designul fiecarei configuratii (registation marks), solutie utilizabila dar extrem de complexa deoarece presupune developarea intermediara a probei intre doua expuneri succesive ale unor campuri apropiate. Cea de-a doua solutie este aceea a utilizarii unui suport cu pozitionare controlata prin interferometrie laser (LIS Laser Interferometer Stage). Acest tip de suport al probelor are o miscare asigurata de motoarele electrice pentru deplasari mari si de motoare piezoceramice pentru deplasari fine. Pozitia finala in care a ajuns este masurata prin interferometrie laser si daca ea nu coincide cu cea programata, este ajustata fin de catre motoarele piezo. Acest tip de suport al probelor asigura o acuratete a pozitionarii de ordinul a 20 30 nm pentru deplasari de ordinul centrimetrilor. Generatorul de configuratii (Pattern Generator sau PG) are rolul de a comanda directia si sensul de deplasare al fasciculului de electroni in concordanta cu geometria (configuratia) ce urmeaza a fi expusa. El inlocuieste (in procesul litografic) generatorul de baleiaj al SEM-ului. In plus, PG-ul controleaza si ceilalti parametri ce determina timpul total de expunere al acestei configuratii in functie de doza necesara si de curentul de fascicul masurat de catre picoampermetru. Conexiunea complexa dintre SEM si PG este ilustrata in figura 3.7 unde sunt de asemenea prezentate si principalele semnale pe care PG-ul si SEM-ului si le furnizeaza reciproc. Semnalul de stingere a fasciculului este trimis catre obturatorul electrostatic la valoarea necesara (100-300V) si in sincronism cu strategia de expunere adoptata. V xout sunt tensiunile de ,y 15

comanda ale bobinelor de baleiaj dupa x si dupa y. Ele au valori cuprinse intre 3V si 10V iar impedanta de iesire a generatorului din PG este de cativa k. Semnalul de imagine (provenit de la iesirea video a SEM-ului) este furnizat generatorului de configuratii in vederea efectuarii unor eventuale operatii de aliniere care presupun scanarea unor semne de aliniere fabricate anterior.

Fig.3.1 Conexiunea SEM-PG Interfata digitala produce semnalul pentru comanda suportului probelor (in sincronism cu procesul de scanare) in vederea unei corecte executii a operatiei de lipire a campurilor de scriere. De asemenea prin intermediul acestei interfete poate fi comandat si SEM-ul in ceea ce priveste functiile esentiale: modificarea distantei de lucru, a tensiunii de accelerare, a curentului de fascicul, focalizare, luminozitate si contrast imagine, etc. Picoampermetrul are rolul de a masura cu precizie valoarea curentului de fascicul si de a o comunica PG-ului in vederea calcularii principalului parametru al expunerii (timpul Dwell). O descriere a tehnicilor specifice de lucru ale litografiei cu fascicul de electroni se poate face numai in stransa legatura cu caracteristicile tehnice ale echipamentelor utilizate. Desi o serie de proceduri pot fi comune (ca principii generale), exista diferente majore in ceea ce priveste tehnicile de aliniere si de calibrare. Toate experimentele prezentate in aceasta lucrare au fost efectuate cu ajutorul a doua instalatii litografice cu fascicul gaussian si scanare vectoriala. Prima dintre acestea este de tip SEM convertit la litografie fiind compusa dintr-un microscop electronic de baleiaj Tescan Vega II LMU si un PG de tip Raith Elphy Plus (fig 3.2 a si b). SEM-ul este dotat cu un tun electronic cu filament de wolfram. Principalii parametri tehnici ai SEM-ului sunt : - tensiune de accelerare: 200 V 300 kV; - rezolutie: 5nm & HV = 30 kV; - suport de probe motorizat: X,Y-60 mm, Z-47 mm,rotatie 360, inclinare -10/+60; - curent maxim de fascicul 2A;

16

a) b) Fig.3.2 Echipament de litografie cu fascicul de electroni : a) SEM Tescan Vega II LMU b) PG Raith Elphy Plus Generatorul de configuratii RAITH ELPHY PLUS este in esenta compus dintr-o serie de convertoare analog digitale pe 16 biti avand frecventa de lucru de 6 MHz. El mai include o placa de achizitie de imagine pe 12 biti si etajul driver pentru obturatorul electrostatic de fascicul. Timpul dwell minim este de 3 ns iar maxim de 8 s pasul minim de crestere fiind de 1nsec . Cel de-al doilea echipament litografic utilizat este de tip dedicated e-beam writer RAITH e_Line (fig 3.3). Aspectele tehnice superioare ale acestui echipament fata de cel prezentat anterior sunt urmatoarele: - tunul electronic cu emisie in camp (Schottky) cu mare stabilitate a curentului de fascicul, ce este capabil sa produca un spot minim cu diametrul de 1.5nm la tensiunea de accelerare de 10kV si distanta de lucru de 5mm - suportul probelor controlat interferometric cu precizie a pozitionarii de 20nm pentru intreaga arie acoperita (10cm x 10cm) - sistem automat de focalizare a fasciculului electronic pe proba - generator de configuratii tot pe 16 biti dar cu frecventa maxima le lucru de 10MHz - sistem de injectie de gaze pentru depuneri sau corodari asistate de catre fasciculul electroni - electrometru de precizie incorporat

Fig. 3.3 Instalatia de litografie cu fascicol de electroni de tip Raith e_Line 17

Principiile de lucru descrise in continuare sunt comune ambelor echipamente, diferentele majore fiind numai cele legate de calibrarea campului de scriere. Substratul supus litografierii este divizat in mai multe cip-uri, iar fiecare cip este la randul sau impartit in campuri de scriere care contin diverse forme geometrice (puncte, linii, arii), acestea fiind expuse secvential de catre fascicul. Se numeste pas de expunere (s) distanta dintre centrele a doua discuri succesive iradiate de catre fasciculul electronic. Intervalul de timp in care fasciculul sta fixat intr-un punct se numeste timp Dwell (tdwell). Doza de expunere pentru arie Darie reprezinta cantitatea de sarcina electronica cu care trebuie iradiata unitatea de suprafata pentru a obtine efectul de expunere completa. Ea este definita ca:
Darie = I bean t Dwell s2 As C cm 2 , cm 2 (3.1)

Asemanator este definita doza de expunere pentru linie (Dlinie). Este vorba de liniile foarte subtiri, avand grosimea unui pixel (fig 3.11.b). aceste linii se mai numesc si SPL (Single Pixel Line). I t DSPL = bean 2Dwell [ pC / cm] (3.2) s
Cazul extrem este cel al punctelor singulare (dots) pentru care doza necesara de expunere este definita ca: Ddot = I bean t Dwell [ pC ] (3.3)

Procedura de lucru cu un echipament ca cel mentionat anterior presupune mai intai efectuarea a doua transformarii de coordonate: a) intre substratul de lucru si suportul probelor, procedeu numit aliniere si b) intre suportul probelor si fascicul de electroni, procedeu numit calibrare. Substratul supus litografierii are asociat propriul sau sistem de coordonate (u,v,w) in ideea unei facile navigari (eventual automate) de la un cip la altul. Eleste fixat pe suportul probelor care se misca in sistemul sau de coordonate (x,y,z), fata de care coordonatele substratului pot fi rotite si de asemenea pot avea o origine diferita (fig.3.42). Configuratia proiectata cu ajutorul software-ului GDS II (sau a oricarui alt software de editare) are de asemenea propriul sau sistem de coordonate (U, V) dar transformarea (u, v) (U, V) se face implicit la definirea originii primului camp de scriere si prin faptul ca prin definitie u si U precum si v si V sint paralele. Procesul de aliniere presupune stabilirea unei transformari de coordonate intre sistemele (x, y,z) si (u, v,w) in ceea ce priveste unghiul de rotatie dintre ele si decalajul originilor. Relatia care 18

leaga z de w tine cont de grosimea substratului. Softul aferent lui Elphy Plus calculeaza automat aceasta transformarea de coordonate (u,v) (x,y), dupa ce in prealabil i s-au comunicat directia de referinta (u sau v) si punctul de origine pe substrat.

Fig.3.4 Sistemele de coordonate asociate substratului de lucru si suportului probelor. Fasciculul de electroni se misca tot in sistemul de coordonate (x,y) dar de obicei rastul scanat de catre fascicul este rotit, deplasat ca origine si decalibrat ca marire (fig.3.5) fata de sistemul de coordonate al suportului probelor .

Fig.3.5 Forma si pozitia relativa a rastrului scanat de catre fasciculul electronic fata de un camp de scriere cu dimensiuni precis masurate: CSLS campul de scriere masurat de catre un sistem interferometric, CSEB campul expus de catre fascicul. 19

Legatura dintre sistemele de coordonate (u,v) si (x,y) este data de : x a11 = y a 21 a12 u t1 + a 22 v t 2 (3.4)

Calibrarea campului de scriere presupune calcularea a sase paramentri care leaga dimensiunile campului baleiat de catre fasciculul de electroni (campul de scriere). Acesti parametrii sunt: - shift u si sift v reprezentand decalajul originilor CSLS si CSEB - rot u si rot v - unghiurile de rotatie intre directiile u si x, respectiv v si y; - zoom u si zoom v - rapoartele intre imaginile efectiv baleiate de catre spotul electronic si lungimea fizica, reala, pe proba. Pentru calibrare se utilizeaza o proba speciala, denumita CHESSY, care este formata din arii de aur depus pe siliciu sub forma unor patratele, ca pe tabla de sah. Procesul de calibrare a campului de scriere presupune suprapunerea unor detalii precis localizate pe CHESSY cu o scriere de 3 sau 4 patrate generate de catre PG.Aceasta operatiune reprezinta rezolvarea practica a ecuatiei 3.4. Inaintea declansarii expunerii trebuiesc calculati parametrii de expunere: timpul Dwell, timpul de stabilizare a fasciculului si timpul total de expunere. Timpul de stabilizare a fasciculului este timpul in care fasciculul este obturat in asteptarea stabilizarii pozitiei sale la inceputul fiecarui nou element expus in cadrul unui camp de scriere: trapezoid, linie sau punct. La scanarea in modul linie cu linie, se mai adauga un timp de asteptare numit timp de intoarcere (flyback time) care este timpul in care fasciculul este stins inainte de inceputul fiecarei linii. De aceea scanarea in meandre este mai rapida decat cea linie cu linie, dar precizia scanarii este mai buna in modul linie cu linie. Trebuie precizat ca daca substratul de lucru fost litografiat in prealabil si pe suprafata sa pot fi regasite o serie de semne de aliniere precis pozitionate, atunci atat alinierea substratului cat si calibrarea pot fi inlocuite de o metoda numita alinierea in trei puncte. Cele trei puncte (repere, semne de aliniere, etc.) trebuie sa nu fie asezate pe o dreapta si sa aiba centrele plasate la distante cunoscute cu o buna precizie. Daca indeplinesc aceste cerinte ele pot fi utilizate ca inlocuitor a lui CHESSY pentru calibrare iar in ceea ce priveste alinierea substratului, aceasta devine implicita.

Electronorezistii sunt mediul pe care iradierea produsa de catre fasciculul de electroni si o developare ulterioara il transforma intr-o masca pentru transferul pe substratul de lucru a unei configuratii (4). In mod uzual electronorezisti sunt polimeri dizolvati intr-un solvent lichid. Acest rezist lichid este aplicat pe substrat prin tehnica numita spin coating la turatii cuprinse intre 500 si 6000 rpm (5). Filmul polimeric astfel depus este tratat termic pana cand solventul este evaporat iar polimerul sufera o tranzitie de faza (catre faza sticloasa). Exista doua tipuri de electronorezisti: - pozitivi cei pentru care zona iradiata este dizolvata in urma developarii. - negativi cei pentru care zona iradiata este intarita, iar prin developare este indepartat rezistul neexpus.
20

In cazul electronorezistilor pozitivi fasciculul electronic produce ruperea lanturilor moleculare ale polimerului care va avea astfel in zonele expuse o masa moleculara mai mica decat in cele neexpuse. Substanta developanta are proprietatea de a dizolva polimerul cu masa mai mica iar rezultatul final este indepartarea rezistului din zonele expuse. Electrorezistii negativi manifesta fenomenul de marire a lantului molecular (cross linking), prin iradierea cu electroni. Si in acest caz developarea produce acelasi efect dizolvarea polimerului cu masa moleculara mai mica, deci rezultatul net va fi indepartarea rezistului din zonele neexpuse. Daca un substrat de electronorezist este expus cu diverse doze, developat si apoi se masoara grosimea stratului de rezist, se poate trasa un grafic ca cel din figura 3.6 a si b. Acest grafic caracterizeaza contrastul electronorezistului, care este definit ca (6) : 1 (3.5) dot = D1 log10 D0 Unde : D1 este doza la care filmul de rezist este complet indepartat iar D0 este doza de la care incepe efectiv subtierea rezistului.

a)

b)

Fig.3.6 Curbele de contrast pentru rezistii pozitivi (a) si negativi (b) In rezistii contrasti ( mare) se pot realiza structuri cu pereti verticali, dar datorita latitudinii scazute de expunere acesti electronorezisti nu se preteaza la obtinerea de tonuri de gri adica la structuri ce prezinta multe nivele intermediare de grosime intre zero si grosimea initiala. PMMA-ul (polimetilmetacrilat) a fost unul dintre primele materiale utilizate ca electronorezist (7) si este inca utilizat pe scara larga in acest scop. El prezinta o rezolutie excelenta (8) dar nu este foarte sensibil. Rezolutia PMMA-ului este demonstratata in figurile 3.7 (rezolutie 30 nm, SEM cu filament de Wolfram) si 3.8 (rezolutie <10nm, SEM cu emisie in camp) (9). Avand in vedere importanta PMMA-ului ca elecronorezist el a fost cel mai intens studiat si din punctul de vedere al bilantului energetic al mecanismului de expunere, calculele fiind prezentate in continuare pe scurt.

21

Fig. 3.7 Gauri cu diametrul de 30nm obtinute in PMMA cu ajutorul unui echipament litografic cu catod de wolfram (Tescan Vega LMU II + Raith Elphy Plus)

Fig. 3.8 Gauri cu diametrul de 9nm obtinute in PMMA cu ajutorul unui echipament litografic cu emisie in camp (Raith e_Line) Fasciculul de electroni care expune electronorezistul este format din electroni accelerati la tensiuni de ordinul kilovoltilor. Cand acesti electroni patrund in proba, ei interactioneaza cu campurile electrice ale atomilor probei. Electronii din fascicol pot suferi imprastieri elastice (fara pierderi de energie) modificandu-si directia de miscare iar dupa un anumit numar de astfel de deflexii acesti electroni se pot chiar intoarce in inapoi parasind proba. Vom considera un caz foarte comun in litografia cu fascicol de electroni: un substrat de siliciu acoperit cu PMMA, iradiat cu un fascicol de electroni avand energia de 20 keV si un current de 1 A. Puterea fascicolului este de 20 mW. O parte din aceasta putere se disipa chimic si termic in electronorezist, o parte se disipa termic in substrat iar o parte va parasi substratul. Pierderea energetica suferita de fascicol in resist a fost calculata de catre Wells (10) utilizand legea Thomson Whiddington:
2 2 E A E B = bz

(3.6)

unde, 22

 0,5 b = 6,9 10 9 E A 0, 2 Z

(3.7)

E A este energia (in eV) a electronilor la intrarea in startul de PMMA, E B este energia electronilor la iesirea din strat, z este grosimea filmului de PMMA (in cm) iar densitatea electronorezistului (in g cm 2 ). Z este un numar atomic efectiv al electronorezistului. Pentru o grosime de 0,5 m a PMMA ului (considerata foarte mica) numarul de electroni generati sau absorbiti in acest strat este neglijabil iar pierderea energetica medie a electronilor din fascicol este E f = E A E B = 1,04keV . Puterea disipata in electrorezist este: Pf = I B E f (3.8)

unde I B este curentul de fascicol. In acest caz P = 1mW Electronii care trec prin stratul subtire de PMMA ajung in siliciu si o fractiune =18 % sunt retroamprastiati. Acestia strabat din nou stratul de PMMA, de data aceasta in sens opus. Valoarea curentului de electroni retroamprastiati este I B . Desi se cunoaste energia medie a electronilor retroamprastiati ( 11,4keV ), pentru calculul puterii disipate in electronorezist nu se mai poate utiliza legea Thomson-Whiddington din doua motive: - spectrul energetic al electronilor retroamprastiati este larg; - directiile de propagare ale acestor electroni nu sunt perpendiculare pe substrat. E B poate fi estimat din rezultatele lui Kanter (11) care a investigat emisia de electroni secundari din aluminiu (Z = 13) . El a presupus ca datorita traiectoriilor oblice, electronii retroimprastiati vor fi cu un factor mai eficienti decat electronii primar1 in ceea ce priveste generarea de electroni secundari. Pentru aluminiu = 4,3 si deoarece pentru siliciu Z = 14 adica aproape aceeasi valoare ca pentru aluminiu, putem considera ca are aceeasi valoare. Prin urmare: (3.9) Eb = E f
(3.10) Pb = I B Eb = I B E f Conform relatiilor anterioare putem conchide ca pentru PMMA-ul depus pe siliciu si iradiat cu un fascicul electronic cu energia de 20 keV aproximativ 5 % din energia fascicolului este disipata in PMMA de catre electronii din fascicolul primar, 4 % este disipat in acelasi strat de catre electronii retroimprastiati, 85 % se disipa termic in substrat, iar 6 % este energia electronilor retroamprastiati care parasesc proba. Pierderea de energie a fasciculului de electroni in stratul de electronorezist duce la emisia de electroni secundari (prin procese de ciocnire inelastica) iar acesti electroni sunt cei care rup lanturile moleculare ale polimerului (electronorezistului) transformandu-l intr-o fractiune cu masa moleculara mai mica. Aceasta fractiune este dizolvata intr-un developant, pe substratul de lucru ramanand numai zonele de electronorezist neiradiate. Aceste procese de ciocnire inelastica sunt de asemenea responsabile de limitarea rezolutiei in litografia cu fascicul de electroni deoarece ele produc un diametru aparent (df) al fasciculului pe elctronorezist mai mare decat diametrul real (dp) al fasciculului. Daca grosimea stratului de electronorezist este Rt iar tensiunea de accelerare a electronilor Vb, atunci diametrul aparent al fasciculului este dat de o formula empirica : 23 si puterea disipata este:

df = 0,9(Rt/Vb)1,5

(3.11)

df este exprimat in nm, Rt in nm iar Vb in kV. Aceasta formula exprima faptul ca ceea mai buna rezolutie se obtine utilizand cea mai mare tensiune de accelerare, posibila in contextul dat. Developantul tipic pentru PMMA este metaizobutilcetona - MIBK. MIBK-ul nediluat este insa prea energic si indeparteaza si zone neexpuse de rezist. De aceea el se utilizeaza diluat in alcol izopropilic (IPA) in proportie 1:3 (trei parti IPA si o parte MIBK) pentru a se obtine un contrast foarte ridicat (12). Existenta fenomenului de retroamprastiere a electronilor genereaza un fond de electroni care impresioneaza electronorezistul dinspre substrat catre exterior, producand o expunere suplimentarea. Aceasta face ca doza primita de un anume element al configuratiei expuse sa depinda (pe langa cea furnizata de catre fasciculul incident) si de numarul de electroni retroamprastiati primiti de la elementele adiacente. Acesta este efectul de proximitate care determina ca de exemplu liniile izolate sa aiba latime mai mica decat cele aflate intre doua arii mari. Dintre metodele de prevenire, cea mai directa este cea care utilizeaza tensiuni mari de accelerare ale fasciculului: 50 kV sau 100 kV. Exista o serie de echipamente litografice dedicate (Jeol JBX 930FS, Elionix ELS-7000, Hitachi HL-900 D) care lucreaza in mod standard cu aceste tensiuni de accelerare aplicate unor electroni generati de tunuri electronice cu emisie in camp. Desi aceasta este cea mai eficienta metoda, ea prezinta totusi dezavantajul pretului foarte mare al echipamentelor. O alta tehnica ce previne aparitia efectului de proximitate este acea a lucrului pe membrane subtiri (13), eficienta sa fiind asigurata de faptul ca majoritatea electronilor trec complet prin membrana atunci cand grosimea acesteia este suficient de mica. O grosime a membranei mai mare decat un sfert din aceasta adancime de patrundere asigura o reducere nesatisfacatoare a efectului de proximitate. Cea de-a treia solutie de prevenire a acestui efect este aceea a utilizarii unui rezist multistrat: filmul de electronorezist este situat deasupra unui film subtire de wolfram si in care configuratia va fi transferata prin corodare in plasma. Aceasta metoda este asociata cu expunerea la tensiuni de accelerare scazute, rolul wolframului fiind acela de a limita raza de actiune a electronilor retroimprastiati (14). Trebuie precizat ca introducerea ca strat intermediar a unui material cu numar atomic mare este eficienta in cazul unor configuratii ce contin linii mai late de 100 nm. In domeniul de rezolutii mai mari de 100 nm se utilizeaza ca strat intermediar un material cu nr atomic scazut cum ar fi de ex. nitrura de siliciu (15). Exista de asemenea o serie de metode de corectie a efectului de proximitate. Cea mai comuna tehnica de corectie este aceea a modulatiei dozei in care zone diferite ale aceleiasi configuratii primesc doze diferite de expunere in functie de pozitia lor in cadrul configuratiei. Calculele pentru determinarea hartii ce contine dozele necesare de expunere sunt foarte laborioase, ele bazandu-se pe un set de ecuatii cu un numar mare de parametri, numiti parametri de proximitate. Actiunea acestora se refera la: imprastierea electronilor in rezist si in substrat, efectul electronilor secundari asupra electronorezistului, timpul si temperatura de developare, etc.. O parte dintre ei pot fi masurati prin efectuarea unor experimente de expunere (16,17) sau de developare (18) auxiliare.

24

IV. OBTINEREA CONFIGURATIILOR SUBMICRONICE SI NANOMETRICE. REZULTATE EXPERIMENTALE. IV 1. Realizarea de arii de discuri metalice cu dimensiuni submicronice si nanometrice
Punctele metalice cu dimensiuni nanometrice (nanodoturile) au aplicatii diverse in nanotehnologie: realizarea de dispozitive nanoelectronice, structuri pentru nanofotonica, cresterea eficientei celulelor solare (prin acoperirea suprafetei iluminate cu nanodoturi de aur), stocarea informatiei (naodoturi din materiale magnetice), etc. Experimentele vizand realizarea unor arii de nanodoturi s-au concentrat asupra a doua tipuri de structuri: Retele de discuri de aur pe sticla, destinate unor aplicatii SNOM (Scanning Near Field Optical Microscopy) (1); Arii de nanodoturi de nichel pe wolfram destinate cresterii de nanotuburi de carbon (2); In ambele cazuri, dupa litografia cu fascicul de electroni a urmat un proces de lift-off. Pentru a facilita lift-off-ul, tensiunea de accelerare utilizata a fost de 30 kV, aceasta valoare permitand obtinerea unui profil corespunzator (undercut) al electronorezistului. Substratul utilizat pentru fabricarea ariilor de discuri de aur a fost sticla optica, sub forma de lamele subtiri de microscop, care prezinta o planeitate suficienta pentru aceasta aplicatie. Deorece sticla optica este un izolator electric foarte eficient, fenomenul de incarcare electrostatica poate face imposibila plasarea corecta a punctelor in cadrul unei retele ordonate. Pentru contracararea incarcarii electrostatice, electronorezistul utilizat (PMMA 950k) a fost acoperit cu un strat de polimer conductiv (Espacer 300), expunerea facandu-se prin acest polimer. Fluxul tehnologic de obtinere a gaurilor nanometrice in PMMA este urmatorul: 1. curatare lamele sticla in solutie Piranha 2. tratament termic (170 C, 30 min) 3. etalare PMMA 950k (2000 rot/min cu rampare) 4. tratament termic (170 C, 60 min) 5. etalare Espacer 300 (2000 rot/min, 70 sec) 6. uscare la temperatura camerei (30 min) 7. tratament termic (100C, 10 min) 8. litografie cu fascicul de electroni 9. indepartare Espacer 300 (spalare in apa, 1 min) 10. developare PMMA (MIBK:IPA 1:3, 2 min) Au fost proiectate in GDS II patru tipuri de arii de puncte cu pas de 150nm, 300nm, 600nm si 900 nm precum si semnele de colt aferente, pentru o usoara identificare prin microscopie optica. In GDSII dozele de expunere diferite sunt marcate cu culori diferite, dar datorita difractiei, chiar si imaginile optice ale acestor structuri (dupa expunere si developare) prezinta prezinta culori diferite corespunzatoare diverselor doze de expunere utilizate. Ariile de puncte au fost expuse cu o variatie a dozei de expunere cuprinsa in gama 1x 30x iar dupa developare sticla a fost acoperita cu 3 nm de aur (prin pulverizare catodica) in vederea caracterizarii SEM. Diametrele gaurilor obtinute in PMMA au fost cuprinse intre 23 nm (zona cu pas de 150 nm, la doza minima) si 274 nm (zona cu pas de 600, la doza de 20x doza minima) asa cum se poate observa in figura 4.1. 25

a) b) Fig.4.1 Micrografii SEM ale unor arii de gauri in PMMA avand diametrul de 23nm (a) si 275nm (b) In vederea efectuarii lift-off-ului probele au fost acoperite prin evaporare cu un strat de Cr/Au- 10/70 nm iar datorita utilizarii unei valori mari a tensiunii de accelerare si unei usoare supradeveloparii s-a obtinut un undercut al electronorezistului si intreruperea filmului metalic depus la marginea discurilor. Lift-off-ul s-a facut in acetona la temperatura camerei, cu o usoara ultrasonare iar rezultatul final (discuri de aur pe sticla) este prezentat in figura 4.2 in care ambele imagini SEM prezinta usoare urme de incarcare electrostatica (datorate suportului de sticla). Imaginile, imposibil de obtinut cu un SEM clasic fara metalizarea probelor, au fost realizate la o tensiune de accelerare de 1kV cu ajutorul unui SEM cu emisie in camp.

a)

b)

Fig.4.2 Micrografii SEM ale substratului de sticla acoperit cu nanodoturi de aur: a) imagine de ansamblu a unei zone cu pasul de 600nm, si b) detaliu al ariei de nanodoturi Imagistica SNOM de transmisie si de reflexie efectuata pe aceste structuri, combinata cu simularile FDTD au pus in evidenta existenta unor moduri plasmonice localizate, induse de catre radiatia cu lungimile de unda de 532nm si 635nm utilizata pentru excitare. O alta aplicatie a nanodoturilor metalice este aceea de catalizator pentru cresterea nanotuburilor de carbon. Materialele catalizatoare sunt in general cele feromagnetice, in acest 26

experiment fiind folosit nichelul. Una dintre posibilele aplicatii ale nanotuburilor de carbon este aceea de inlocuitor al cuprului in interconexiunile verticale (vias) din circuitele integrate, caz in care nanotuburile trebuie crescute in locatii precis determinate. Nanotuburile de carbon sunt crescute pornind de la particulele catalizatoare, intr-o instalatie PECVD, iar pentru o buna desfasurare a procesului de crestere substratul pe care sunt fabricate nanodoturile de nichel trebuie sa fie conductiv. Experimentele efectuate au avut drept tinta obtinerea de discuri de nichel cu diametrul mai mic de 100 nm si cu distanta dintre ele cuprinsa intre 200 nm si 1 m, substratul de lucru fiind siliciul sub forma de plachete acoperite cu un strat de 80 nm de wolfram. Pentru determinarea experimentala a dozelor de expunere a fost proiectata in GDS II o structura test continand arii de puncte cu pasul de 200 nm, 400 nm, 600 nm si 1 m. Domeniul variatie a dozei de expunere a fost cuprins intre 0.1x si 4x doza nominala. Substratul a fost acoperit cu un strat de PMMA 950k de 100 nm grosime iar expunerea acestuia s-a facut la tensiunea de accelerare 30 kV si un curent de fascicul aproximativ 150 pA. Timpul de developare a fost de 30 secunde developarea avand loc in MIBK:IPA/1:3 la 25 C. In imaginea de microscopie optica a plachetei developate (fig4.3) se observa de asemenea variatia dozei de expunere, ariile cu doze diferite (in consecinta cu diametre diferite ale gaurilor) avind culori diferite datorita difractiei.

Fig.4.3 Imagine de microscopie optica (obiectiv 20x) a configuratiei GDSII din fig.4.6 transpusa in PMMA Investigatiile SEM pe proba developata si acoperita cu 5 nm de aur au demonstrat obtinerea de gauri in PMMA cu diametrul cuprins intre 14 nm ladoza minima de expunere si 94 nm la doza maxima. Substratul astfel pregatit a fost acoperit cu un film de nichel de 3 nm grosime (prin evaporare) si apoi a fost efectuat lift-off-ul in acetona, fara ultrasonare deoarece la aceasta grosime pelicula metalica se deprinde foarte usor de substrat. Imagistica SEM a discurilor de nichel pe wolfram este destul de dificila, imaginile avand un contrast scazut datorat diferentelor topografice (3nm) extrem de mici si unei diferente la fel de mici intre wolfram si nichel, in semnalul de electroni retroamprastiati. Acest prim set de experimente a permis stabilirea exacta a parametrilor de lucru pentru obtinerea de discuri de nichel cu diametrul de 50 nm, parametri ce au fost utilizati pentru fabricarea unei arii mari (3 mm x 3mm) de nanodoturi pe care prin PECVD au fost crescute nanotuburile de carbon (3) (fig. 4.4). 27

Fig.4.4 Nanotuburi de carbon crescute prin PECVD pornind de la nanodoturile de Ni realizate in cadrul acestui experiment

IV 2. Fabricarea unui element optic difractiv prin litografie cu fascicul de electroni

Elementele optice difractive (DOE Diffractive Optical Elements) sunt componente microoptice a caror functionare se bazeaza pe difractia luminii. Ele sunt compuse din pixeli aranjati intr-o matrice care modifica amplitudinea si/sau faza radiatiei incidente. Utilizand litografia optica au fost realizate in IMT-Bucuresti o serie de DOE cu latura pixelilor la cativa microni, raza la colt avand valori de ordinul sutelor de nanometri. Rezolutia superioara a litografiei cu fascicul de electroni permite reducerea dimensiunilor pixelilor pana la 1m x 1m, raza la colt a unui pixel avand valori de 50-100nm. Pentru realizarea unui DOE generator al logo-ului IMT a fost utilizat un software specializat 3Lith (RAITH GmbH) care a generat configuratia DOE ca imagine tiff monocroma , cele doua nivele fiind reprezentate in alb-negru. Acest element optic difractiv este compus din 1024X1024 de pixeli, fiecare pixel avand 1m x 1m (4). Imaginea in format tiff a fost convertita in format bitmap care este recunoscut de catre software-ul echipamentului litografic iar aceasta imagine a fost importata in editorul de configuratii facandu-se conversia la formatul CSF. Prima faza de fabricatie a elementului optic difractiv a fost acoperirea substratului de lucru (placheta de siliciu) cu PMMA 950K C2. Grosimea masurata (prin elipsometrie) a stratului de PMMA a fost de 160 nm. La aceasta valoare s-a ajuns astfel: pentru elementele optice difractive diferenta de faza intre nivelele 0 si 1 trebuie sa fie egala cu . In cazul DOE care lucreaza prin reflexie diferenta de faza intre substrat si PMMA (partea de sus) este data de: 28

2d =

(1)

Unde d este grosimea stratului de PMMA. Din relatia precedenta se obtine ca:

d=

(2)

Deoarece lungimea de unda cu care se lucreaza este de 635 nm, d va putea lua valoarea 160 nm cu o buna aproximatie. Cea de-a doua etapa in realizare a constat in expunerea si developarea stratului de electronorezist. Expunerea substratului acoperit cu PMMA a fost efectuata pe un echipament dedicat EBL, de tip Raith e_Line la urmatorii parametri: - tensiune de accelerare - 20 kV - apertura de lucru - 30 m - curent fascicul - 100pA - doza nominala de expunere arii - 240 c/cm2 - pas de expunere - 10nm - viteza fascicul - 8mm/sec - distanta de lucru - 25 mm - camp elementar de scriere - 100 m X 100 m - arie de lucru - 1024 m X 1024 m - numar de campuri elementare lipite 121 Developarea probei expuse s-a efectuat intr-un amestec MIBK :IPA/1 :3 timp de 2 min la temperatura de 25 C. Deoarece expunerea acestei structuri necesita lipirea a 121 de campuri elementare de scriere, o atentie deosebita a fost acordata preciziei de lipire. Testarea preciziei de lipire a campurilor este ilustrata in figura 4.5 unde este prezentata interfata dintre doua campuri elementare inainte si dupa curatirea fibrei optice.

a)

b)

Fig.4.5 Interfata dintre doua campuri de scriere: a) lipire defectuoasa a campurilor b) lipire corecta a campurilor de scriere Dupa efectuarea primelor teste de stabilire a dozei normale de expunere (D0), elementele optice difractive propriuzise au fost scrise pe substrat in trei locatii apropiate la dozele 0,8x D0, 1x D0 si 1,2x D0. Aceasta variatie a dozei de expunere a fost facuta in scopul de a selecta
29

structura cea mai putin afectata de efectul de proximitate dar si nesubexpusa. Rezultatele au aratat ca 0,8xD0 cat si 1xD0 indeplinesc cerintele de precizie a desenului iar 1,2xD0 este afectata de o usoara supraexpunere in zona centrala, supraexpunere datorata efectului de proximitate. (fig.4.6). In cea de-a treia faza s-a realizat acoperirea structurii cu un strat metalic de aur. Depunerea aurului s-a facut intr-o instalatie de sputtering (de tip SPI- sputter coater) in atmosfera de argon. Monitorizarea grosimii stratului de aur depus s-a facut prin intermediul unui cuart, iar grosimea finala a fost de 10 nm.

a)

b)

c)

d)

Fig. 4.6 Micrografii SEM ale DOE dupa expunerea si developarea PMMA-ului a) imaginea generala a unei structuri b) detaliu al structurii expuse cu 0.8xD0 c) detaliu al structurii expuse cu 1xD0 d) detaliu al structurii expuse cu 1.2xD0 . Se observa usoara supraexpunere.

30

IV 3. Contacte interdigitate nanometrice

Contactele electrice cu forma interdigitata au multiple aplicatii ca elemente componente ale unor dispozitive electronice: diode laser, tranzistoare de inalta frecventa, celule solare,etc. Reducerea latimii electrozilor si a distantelor dintre acestia in domeniul submicronic si nanometric determina cresterea apreciabila a performantelor unor componente electronice precum fotodetecorii MSM si dispozitivele de microunde. Fotodetectorii de tip MSM (Metal Semiconductor Metal) structuri planare avand ca circuit echivalent doua diode Schottky in conexiune spate in spate. Un astfel de dispozitiv este format din doi electrozi metalici ce formeaza o structura interdigitata plasata pe un substrat semiconductor (1a carui natura determina domeniul spectral al fotodetectorului. Experimentele efectuate au utilizat ca semiconductor pentru realizarea diodelor Schottky fie siliciului (5), fie nitrura de galiu (GaN) (6,7). Structurile de tip MSM pe GaN au fost realizate in general pe substrat de safir dar in ultimii ani s-a incercat si utilizarea substratului de siliciu (8), datorita curentului de intuneric mult mai mic care se obtine in acest caz. De asemenea au fost fabricate detectoare de UV pe membrane de nitrura de galiu (grosimea 2,2 m) avand ca substrat siliciu (9), contactele interdigitate ale acestui detector fiind definite prin litografie optica si avand latimea de 1 m. Detectorii UV fabricati pe membrane de GaN plasate pe substrat de siliciu prezinta o serie de avantaje fata de cei fabricati pe GaN avand ca substrat safirul: (i) siliciul este un substrat mai ieftin decat safirul; (ii) corodarea siliciului in scopul eliberarii membranei este un proces mai facil in comparatie cu indepartarea safirului. Plachetele utilizate pentru fabricatie au fost de tip GaN/Si cu stratul de nitrura de galiu (nedopat) crescut pe un substrat de siliciu (111) de inalta rezistivitate. Pentru cresterea responsivitatii detectorului s-a apelat la reducerea latimii liniilor metalice ale IDT-ului (precum si a spatiilor dintre aceasta) in domeniul submicronic. Primul pas tehnologic din procesul de fabricatie a fost acela al obtinerii padurilor metalice ale dispozitivului. Simultan cu aceste paduri au fost realizate si semnele pentru alinierea IDT-ului la pad (fig 4.7).

Fig.4.7 31

a) b) Semnele destinate alinierii globale (a) si locale (b) a IDT-ului

Deoarece padurile au dimensiuni mari, de ordinul sutelor de m, pentru definirea lor s-a folosit litografia optica. Metalizarea (Ni/Au, 20/200 nm) a fost urmata de procesul de lift-off. Pe placheta de siliciu acoperita de padurile de contactare s-a depus un strat de electronorezist (PMMA 950k) a carui grosime a variat in diversele experimente efectuate, intre 40 nm si 200 nm. Grosimea mai mica (40nm) a fost aleasa pentru metalizarile subtiri, semitransparente, de exemplu: Ni/Au - 5/10 nm. Grosimea mai mare de PMMA este necesara in cazul metalizariilor groase (50-150 nm). Tensiunile de accelerare utilizate s-au situat in plaja de 10-30 kV datorita urmatoarelor considerente: Nu se cunostea comportamentul substratului de GaN/Si in legatura cu efectul de proximitate. S-a constatat ca acest efect este mai pregnant la 20kV decat la 10 KV sau la 30 kV. Efectul de incarcare electrostatica a substratului se manifesta printr-o deplasare laterala a intregului IDT cu un 2-3 m fata de semnul de aliniere dar nu si printr-o deformare observabila a geometriei. Acest efect s-a simtit mai pregnant la 30 kV decat la 10 kV iar acesta comportare poate fi atribuita curentului.de fascicul mai mare (400pA la 30kV fata de 85pA la 10kV). Concluzia este ca pentru acest tip de substrat si pentru structurii ce nu necesita a doua expunere (overlay) incarcarea electrostatica poate fi mentinuta sub control la orice tensiune de accelerare. In cazul expunerilor efectuate de catre echipamentul cu emisie termoionica, tensiunea de 30 kV este singura ce poate fi utilizata pentru structurile cu latimea de linie mai mica de 300nm, deoarece la tensiuni mai scazute, diametrul fasciculului de electroni este prea mare - la valori acceptabile ale curentului- pentru a obtine linii de calitate (cu marginea dreapta). In utilizarea echipamentului cu emisie in camp (Raith e_Line), la tensiunea de 30 kV detectia in-lens este imposibila iar imagistica de electroni secundari cu detectorul Everhart-Thornley este mai dificila datorita configuratiei camerei probelor. Totusi existenta semnelor de aliniere metalice face posibil un bun plasament al structurilor. O serie de experimente au vizat determinarea determinarea valorii maxime a vitezei de scriere pentru care nu apar efectele dinamice in configurare (fig 4.8). Aceste efecte se manifesta la curenti mari (viteze mari ale fasciculului) prin aceea ca in anumite zone (capete de linie mai ales) geometria expusa difera de cea proiectata. Explicatia este legata de faptul ca ca PG-ul este mai rapid decat bobinele de deflexie ale echipamentului. Pragul vitezei de fascicul la care apare acest efect este foarte dependent de specificul geometriei desenate. In cazul acestor IDT-uri experimentale s-a ajuns la concluzia ca valoarea limita a vitezei de fascicul pentru care efectele dinamice nu se manifesta este de aproximativ 10mm/sec.

Fig.4.8 Micrografie SEM a unui IDT afectat de efctul dinamic datorat unei viteze de sciere prea mari. 32

Dozele de expunere cu care au inceput experimentele au fost urmatoarele: 100 m/cm2 la HV=10kV, 200 m/cm2 HV=20kV si 300 m/cm2 HV=30kV. Aceste doze sunt insa orientative ele fiind dependente de: substrat, tipul developantului, timpul si temperatura de developare. Developarea a avut loc in mod constant in MIBK: IPA, 1:3 la temperatura de developare de 25 C. Timpul de developare s-a situat in plaja 1-3 min functie de grosimea PMMA-ului. Atribuind intregului IDT o doza uniforma de expunere, dupa expunere si developare s-au obtinut atat configuratii subexpuse sau supraexpuse cat si unele corect expuse dar afectate de efectul de proximitate. Corectia efectului de proximitate s-a facut prin experimentele succesive care au constat in expuneri, developari, masuratori SEM ale IDT-urilor expuse, identificare a zonelor cu probleme, corectie de doza (dose modulation) sau de dimensiune geometrica (pattern biasing), ciclul repetandu-se de doua, trei ori pana la obtinerea preciziei dorite. Trebuie precizat ca IDTurile cu largimi de linie diferite necesita necesita grade diferite de corectie a acestui efect, uneori chiar masuri diferite. De exemplu in cazul configuratiilor cu latimea de linie de 100nm (fig. 4.9a) corectia de proximitate a constat in atribuirea de doze de expunere diferite liniilor aflate la marginea IDT-ului, pe cand in cazul liniilor de 250nm (fig.4.9b) a fost necesara si modificarea latimii liniilor interioare.

a) b) Fig.4.9 IDT-uri expuse in PMMA si corectate la efectul de proximitate. a) 100nm latime de linie , b) 250nm latime de linie Majoritatea detectorilor realizati au avut latimea totala de 20m, dar au fost expuse in PMMA si IDT-uri cu latimea de 100 m, dupa cum se poate vedea in imaginea de microscopie optica (fig.4.10) . Dupa configurarea in PMMA a IDT-urilor a urmat procesul de metalizare (evaporarea termica in vid cu Ni/Au, Cr/Au sau Ti/Au) si apoi lift-offul. S-a observat ca in anumite situatii apare o discontinuitate a padurilor metalice realizate prin EBL in zona in care ele se suprapun peste padurile realizate prin litografie optica .Discontinuitatile sunt produse de umbrirea datorata directionalitatii procesului de evaporare termica in vid. Rezolvarea problemei a constat in aplicarea inca unui pad metalic mai mare (tot prin litografie optica si lifoff) peste padurile initiale, cu rolul de a acoperii linia de ruptura a metalului (fig. 4.11). Pentru a se obtine membrana de GaN, placheta procesata a fost plasata pe o sticla foarte palna si polisata pana la grosimea de 150 m. A urmat un proces fotolitografic de deschidere a unor ferestre in 33

fotorezist in dreptul IDT-ului (aliniere fata - spate) si apoi corodarea in plasma SF6 a siliciului pana la stratul tampon, membrana rezultata avand grosimea de 0,78 m (0,5 m GaN si 0,28 m stratul tampon de siliciu).

Fig.4.10 Micrografie optica (obiectiv 50x) a unui IDT de 100 m x 100 m, expus in PMMA

Fig.4.11 Aplicarea celui de-al doilea pad metalic de contactare, destinat acoperirii discontinuitatii electrice dintre IDT si primul pad de contactare depus pe substrat 34

Structura fotodetectorilor MSM realizati pe siliciu este prezentata in sectiune in figura 4.12. Substratul de lucru este o placheta oxidata de siliciu P/P+ . Padurile electrice de contactare, plasate pe oxid, sunt realizate din aluminiu, iar IDT-ul fabricat din Cr/Au este depus in ferestrele active deschise in oxid, continuandu-se pana la padurile de aluminiu.

Fig.4.30 Sectiune prin fotodetectorul MSM realizat pe siliciu Pregatirea substratului de lucru in vederea realizarii IDT-urilor a constat in urmatorii pasi tehnologici: Oxidare termica placheta (grosime oxid 1000nm) Depunere Al prin evaporare termica in vid (grosime Al - 500nm) Fotolitografie pentru definirea padurilor de metalizare Corodare aluminiu Fotolitografie pentru definirea ariilor active ale detectorului Corodare oxid Rezultaul acestui flux tehnologic este prezentat in figura 4.13 in care se pot observa padurile mari de contactare (din aluminiu), fereastra activa a detectorului si semnele de aliniere (de forma unor cruci).

b) a) Fig.4.13 a) Padurile de contactare ale detectorului , b) fereastra activa corodata in oxid si semnele de aliniere IDT-urile, care au avut latimi de linie de 500nm, 200nm si 100nm, au fost proiectate in GDS II tinand cont de experienta acumulata la detectorii pe GaN. Placheta Si a fost acoperita cu PMMA 950 k cu grosimea de 200 nm iar primele teste de expunere au evidentiat problemele particulare ale acestui tip de structura: Diferenta de nivel intre siliciu, oxid si padul de aluminiu produce o usoara defocalizare a fasciculului de electroni, aspect observabil in cazul structurilor de 100 nm latime de linie. Solutia adoptata: lucrul cu cea mai mare distanta de lucru 35

(WD=30 nm) a echipamentului litografic, distanta la care profunzimea de camp este suficienta pentru a compensa defocalizarea. Liniile IDT-ului se afla partial peste siliciu n si partial peste oxidul de siliciu (destul de gros) ceea ce produce diferente in expunere, datorita comportamentului diferit la retroamprastierea electronilor. Problema a fost in mare masura corectata lucrand cu tensiunea de accelerare de 5kV, la care efectele retroamprastierii diferite se resimt mai putin decat la 30 kV. Panta in oxid (rezultata in urma corodarii) este de aproximativ 45 iar liniile de PMMA paralele cu laturile ferestrei nu au aderenta necesara. Dupa developare aceste linii pierd contactul cu substratul pe conturul ferestrei active, aspect pus in evidenta dupa lift-off. Acest fenomen se manifesta mai pregnant in cazul liniilor de 100 nm. Printr-o reducere a grosimii stratului de PMMA la 150 nm si un tratament termic post developare (30 min la 180C in etuva) problema a fost solutionata complet pentru latimile de linie, inclusiv cele de 100nm (fig.4.14).

a) b) c) Fig.4.14 IDT-uri cu latimea de 500nm (a), 200nm(b) si 100nm(c) corect expuse si developate in PMMA Metalizarea finala (Cr/Au 10/100 nm) s-a facut prin evaporare termica in vid iar rezultatele sunt prezentate in figura 4.15.

a)

b)

c)

Fig.4.15 Fotodetectori MSM realizati pe siliciu ; latimea de linie 500nm (a), 200nm(b) 36

si 100nm(c) . Contactele metalice interdigitate au aplicatii directe si la dispozitivele de microunde, mai precis la dispozitivele cu unda acustica de suprafata , numite si SAW-uri (Surface Acustic Wave resonators/filters) (10, 11, 12,13). Principiile si tehnicile de realizare ale IDT-urilor pentru fotodetectorii de tip MSM sunt aplicabile intr-o mare masura si IDT-urilor destinate filtrelor cu unda acustica de suprafata. Exista insa si aspecte specifice care tin de: - substratul diferit (AlN) care necesita doza de expunere usor diferita a PMMA-ului fata de substraturile de GaN sau de siliciu. - dimensiunile diferite a IDT-urilor (mai mari in general) impun lucrul cu arii de scriere la limita la care se poate obtine rezolutia de 100 nm. - variatia dimensiunilor generale ale IDT-urilor precum si a latimii de linie pe cip-urile aceleiasi plachete au reclamat solutii tehnice precum expunerea succesiva a geometriilor cu acelasi camp de scriere, recalibrarea la noul camp de scriere si expunerea celorlalte geometrii si de asemenea scrierea tuturor configuratiilor utilizand o singura calibrare (cea a campului maxim), cu trecerea manuala de la sistemul de coordonate global la cel local (solutie consumatoare de timp, dar perfect utilizabila) - dimensiunile unui cip fiind mari (aproximativ 15mm x 6mm - fig. 4.16), focalizarea utilizata pentru prima structura din cip nu mai este valabila pentru structura cea mai departata de aceasta datorita usoarei neplaneitati a substratului. Pentru anumite plachete lucrul cu distante de lucru mari (profunzime mare de camp) a rezolvat aceasta problema, in celelalte situatii utilizandu-se sistemul de focalizare automata a fasciculului. Trebuie precizat ca focalizarea automata (din fascicul nu din suportul probei) produce decalibrarea usoara a campului de scriere si de aceea ea a fost utilizata numai pentru structurile scrise intr-un singur camp (fara compunerea a doua sau mai multe campuri). Metalizarea s-a facut prin evaporarea termica in vid in diferite variante compozitionale: Cr/Au, Ti/Au, Ni/Au. Lift-off-ul a avut loc in acetona, uneori utilizandu-se o usoara ultrasonare pentru a asigura indepartarea metalului

Fig.4.16 Imaginea de microscopie optica a unui cip cu diferite variante de SAW-uri si doua 37

detalii (SEM) ale configuratiilor transpuse in PMMA IV4 Experimente de structurare la scara nannometrica prin tehnica EBID La achizitia echipamentului litografic cu emisie in camp RAITH e_Line s-a avut in vedere si posibilitatea dotarii sale cu un sistem de injectie de gaz (GIS Gas Injection System) care sa-i extinda capacitatile litografice prin depunerea insitu de diverse materiale. Sistemul de injectie de gaz este un instrument care utilizat in conjunctie cu fasciculul electronic permite efectuarea a doua procese: Depunere asistata de fascicul de electroni EBID (Electron Beam Induced Deposition). Corodare asistata de fasciculul electronic EBIE (Electron Beam Induced Etching). Principiul de desfasurare al acestor doua procese este urmatorul: daca un flux de gaz este indreptat spre aria scanata de fasciculul electronic pe un substrat, atunci electronii secundari generati de catre interactiunea fasciculului cu substratul pot descompune moleculele gazului. Ca urmare a descompunerii acestor molecule pot avea loc doua fenomene: Depunerea de material. Daca gazul utilizat este un compus organometalic sau alt gaz ce contine un metal sau un semiconductor, atunci metalul rezultat din ruperea moleculelor de gaz se va depune pe substrat iar cealalta parte a gazului va fi evacuata de catre sistemul de vidare al echipamentului (14) Daca gazul utilizat este unul reactiv (fluorina vapori de apa, clorina) atunci va avea loc o corodare selectiva a materialului datorita unei reactii chimice locale. Sistemul de injectie de gaz este alcatuit din trei parti principale: Rezervoarele ce contin gazul precursor si valvele de injectie actionate pneumatic Liniile de injectie de gaz pornesc din rezervoare la linii capilare si se termina cu injectoarele propriuzise Micropozitionerul care asigura pozitionarea precisa a injectoarelor fata de fasciculul in imediata vecinatate a probei Functionarea tuturor acestor module este guvernata de catre un controler dedicat care asigura in sincronizare cu celelalte controlere ale echipamentului, intrucat cele doua tehnici (EBID si EBIE) folosesc modul general de lucru,acela de scanare vectoriala al echipamentului. Eliberarea gazului de lucru in camera probelor presupune incalzirea rezervoarelor si liniilor de injectie astfel incat: Trezervor<Tcapilare<Tinjector . In acest fel se asigura prevenirea condensarii gazului pe linia de injectie. Temperaturile de lucru ale componentelor GIS pentru diversii precursori utilizati precum si presiunile maxime admisibile in camera probelor sunt rezumate in tabelul 4.1 Linie 1. 2. 3. 4. 5. Precursor SiO2 Apa Fluorina Platina Wolfram T (rezervor C) 35-50 30-40 Tcamera 50-65 60-70 T linie (C) 55-65 50-55 Tcamera 60-70 65-75 T injector (C) 75 75 75 75 75 Nivel de vid (mbarr) 4-8 10-6 0,5-1,5 10-5 0,8-1,5 10-5 8 10-6 8 10-6

Tabelul 4.1 Temperaturile de lucru ale GIS si presiunea maxim admisibila in camera probelor, pentru gazele precursoare utilizate de Raith e_Line 38

In toate experimentele efectuate, o grija speciala a fost acordata pozitionarii injectoarelor fata de substrat. Pentru o buna eficienta a depunerii, configuratia sistemului fascicul, injector, substrat trebuie sa respecte geometria din figura 4.17. Prezenta injectoarelor in campul de vedere al SEM-ului este ilustrata in figura 4.18 (15). Distanta de lucru de 10mm a fost aleasa pentru ca asigura o buna focalizare a microscopului pe substratul de lucru.

Fig.4.17 Geometria optima a configuratiei fascicul de electroni- injector- substrat

Fig.4.18 Micrografie SEM a unui substrat pregatit pentru EBID si a grupului de injectoare de gaz aflate in pozitia de lucru Un parametru important al depunerii este tensiunea de accelerare a fasciculului de electroni. In general se poate afirma ca rata de depunere scade cu tensiunea de accelerare (datorita productiei scazute de electroni secundari), dar pentru pastrarea unui diametru suficient de mic al fasciculului (la curenti de lucru mari) tensiunea de accelerare nu poate scadea sub 1kV. Experimental s-a stabilit ca depunerile cele mai eficiente pot fi efectuate cu tensiuni cuprinse in plaja 2-5 kV. O prima aplicatie a depunerii asistate de fasciculul electronic este aceea a contactarii electrice a nanotuburilor sau nanofirelor (16, 17). Problema realizarii contactelor electrice pe nanofire este destul de dificil rezolvabila prin 39

litografia cu fascicul de electroni deoarece in general nanofirele (nanotuburile, etc) se obtin asezate in mod aleator pe o suprafata plana. Ele nu au o anume organizare si nici distante bine precizate pana la un reper oarecare. De aceea, inainte de a incepe procesul litografic trebuie alcatuita o harta a intregii suprafete acoperite cu nanofire. Etalarea substratului de electronorezist trebuie facuta la turatii mici pentru a nu modifica pozitia nanofirelor, iar pentru realizarea contactelor este nevoie de un proces suplimentar de lift-off. Prin EBID aceasta problema este mult simplificata deoarece traseele metalice de contactare sunt depuse direct, fara intermediului lif-off-ului. In vederea masurarii proprietatilor electrice ale unor nanofire polimerice prin metoda celor 4 sonde a fost utilizat un susbstrat de siliciu oxidat termic, pe care au fost realizate o serie de paduri electrice de contactare. Aceste paduri au fost definite fotolitografic fiind apoi obtinute din aur prin lift-off . Nanofirele polimerice au fost depuse din solutie pe substrat, iar dupa evaporarea solventului s-a facut o localizare in SEM a pozitiei lor, relativ la padurile metalice de contactare . Identificarea precisa a nanofirului care a fost contactat s-a facut tinandu-se cont de pozitia sa favorabila fata de padurile metalice, el urmand a fi conectat la 5 paduri: 4 conexiuni pentru masurarea rezistivitatii iar cea de-a cincea (electrodul paralel cu firul polimeric) cu rol de poarta intr-o structura de tip tranzistor cu efect de camp (fig 4.19). trebuie precizat ca s-a acordat o atentie deosebita obtinerii unei distante cat mai mici (dar nu scurtcircuit) intre acest electrod si firul polimeric deorece magnitudinea efectului de camp este foarte dependenta aceasta distanta.

b) a) Fig.4.19 Depunere de platina prin EBID pentru contactarea unui nanofir polimeric Substratul de lucru fiind neconductiv s-a remarcat prezenta unui usor efect de incarcare electrostatica ce a determinat obtinerea unor structuri fie scurtcircuitate (fig.20a), fie cu distanta poarta-naofir prea mare (fig.4.20b). Problema a fost rezolvata prin in determinarea directiei driftului produs de incarcarea electrostatica si proiectarea in software-ul GDSII a unor structuri cu distante poarta-fir variabile, care transpuse pe substrat au condus la stabilirea vitezei de drift in conditiile date.

40

a)

b)

Fig.4.20 Conductor de poarta scurtcircuitat (a) sau aflat la distanta prea mare de nanofir (b) Parametrii de lucru utilizati pentru depunerea de platina sunt prezentati in tabelul 4.4. Parametru Tensiune de accelerare Curent de fascicul Pas de expunere Timp Dwell Nr de bucle Presiune Temperatura rezervor Temperatura linie Temperatura injector 3 kV 192 pA 6 nm 50-100 msec 1 < 5 10-6 mbarr 60 C 63 C 75 C

Tabelul 4.2 Parametri de lucru ai echipamentului de litograifie cu fascicul de electroni pentru depunerea de platina In functie de timpul Dwell utilizat diametrul liniilor de platina depuse pe substrat a variat intre 40 nm si 150 -200 nm, linia depusa fiind de SPL (Single Pixel Line). O alt aplicatie a depunerii de platina asistata de fasciculul electronic este aceea a fixarii nanotuburilor de carbon in vederea masurarii proprietatilor lor mecanice si/sau electrice (18, 19). Determinarea proprietatilor mecanice ale nanotuburilor de carbon se poate face cu ajutorul microscopiei de forta atomica (AFM), techica in care varful ascutit atasat unui cantilever este utilizat pentru a presa nanotubul de carbon asezat transversal peste un sant. Masurand deflexia nanotubului si cunoscand foarta de apasare se pot determina o serie de proprietati mecanice ale nanotubului. Santurile peste care au fost asezate nanotuburile au fost realizate prin corodarea anizotropa a siliciului, o metoda utilizata si la texturizarea suprafetei frontale a celulelor solare (20, 21) in vederea scaderii factorului de reflexie al acestora.

41

Configurarea substratului de siliciu (100) s-a facut fie prin litografie cu fascicul de electroni, pentru santuri cu latimea mai mica de 1 m, fie prin litografie optica in cazul in care pentru nanotuburi mai lungi a fost nevoie de latimi mai mari de 2-3 m ale santurilor. Fixarea nanotuburilor este o solutie de evitare a deplasarii acestora in timpul scanarii. Placutele de siliciu acoperite cu zone texturizate peste care au fost depuse din suspensie de alcool, nanotuburile, au fost examinate SEM pentru a se identifica acelea aflate in pozitii potrivite pentru masuratori AFM. Aceasta operatiune a fost urmata de desenarea ariilor rectangulare de la capetele nanotuburilor si de depunerea de platina care s-a facut ca si in cazul precedent, tot la 3kV dar la un curent de fascicul mult mai mare, de aproxomativ 1 nA (apertura de 60 m). Utilizarea acestui curent a fost solicitata de considerentul reducerii timpului total de depunere si a fost permisa de faptul ca in cazul expunerii ariilor, rezolutia laterala (dimensiunea unui pixel) nu are aceeasi importanta ca in cazul SPL-urilor. Rezultatul fixarii unui nanotub prin aceasta metoda este prezentat in figura 4.21

Fig.4.21 Nanotub de carbon lipit de substrat prin EBID Depunerea de platina prin metoda EBID a fost aleasa si pentru fixarea nanotuburilor de carbon (fig 4.22) pe doua paduri metalice in vederea masuratorilor electrice. Aplicarea celor doua arii de platina la capetele nanotuburilor nu numai ca asigura imobilizarea acestuia, dar imbunatateste si contactul ohmic dintre tub si substrat (22).

Fig.4.22 Nanotub de carbon lipit de pe doua paduri metalice de aur prin EBID 42

IV 5. Realizarea de cristale fotonice din PMMA

Cristalele fotonice sunt structuri artificiale periodice formate din doua sau mai multe materiale dielectrice in care indicele de refractie este periodic in una, doua sau trei directii. Sunt cunoscute si ca materiale fotonice cu banda interzisa deoarece structura lor induce intervale interzise pentru anumite frecvente ale undelor electromagnetice. Banda interzisa depinde de geometria cristalului fotonic si de indicii de refractie ai materialelor alese (23). Principalele aplicatii ale cristalelor fotonice sunt in domeniul dispozitivelor fotonice pasive: filtre, divizoare de fascicul, ghiduri de unda, etc. In ghidurile de unda conventionale lumina este confinata prin fenomenul reflexie interna. In ghidurile de unda cu cristal fotonic, un defect liniar in cristal, cum ar fi de exemplu absenta unuia sau mai multor siruri, actioneaza ca un canal ce ghideaza lumina prin fenomenul de reflexie Bragg (24). Un cristal fotonic poate consta dintr-o retea ordonata de gauri realizate intrun strat dielectric subtire avand ca substrat un alt dielectric. In cadrul acestui experiment a fost fabricat un cristal fotonic avand un canal cuplat la un ghid de unda conventional, ambele realizate din PMMA pe substrat de oxid de siliciu. Aceasta solutie de fabricatie a fost aleasa datorita simplitatii: dupa expunerea PMMA-ului si developare, nici un alt pas tehnologic nu mai este necesar. (25). In urma proiectarii si simularii functionalitatii cristalului fotonic s-a ajuns la o stuctura hexagonala cu diametrul gaurilor D= 240 nm si cu o periodicitate a= 320 nm, dorindu-se un ghid de unda care sa lucreze in vizibil. Substratul de lucru a fost o placheta de siliciu (tip N, rezistivitate 10-14 cm) pe care prin oxidarea termica a fost crescut un strat de SiO2 cu grosimea 1,7 m. Filmul de PMMA 950 k in care au fost expuse ghidurile de unda si cristalele fotonice a avut grosimea de aproximativ 1 m, fiind depuse doua straturi succesive (prin spinning) la viteza de rotatie 500 rot/min. Configuratia finala, editata in GDS II, este prezentata in figura 4.23. Se observa cele doua ghiduri de la intrarea si iesirea in cristalul fotonic precum si structura hexagonala a acestuia.

Fig.4.23 Configuratia cristalului fotonic asa cum a fost desenat in GDS II O parte apreciabila a testelor efectuate a fost dedicata optimizarii modului de expunere a gaurilor in PMMA. In GDS II exista doua moduri de a genera discuri: o posibilitate este aceea de a definii discul ca o arie, cealalta de a-l definii ca un punct (SPD Single Pixel Dot). In modul arie discul poate fi expus dintr-o serie de cercuri concentrice avand distanta dintre ele egala cu pasul de scriere pentru arii - de exemplu pasul de expunere pentru ghidurile de unda. 43

Cercurile concentrice sunt expuse ca SPL-uri. Aceasta este metoda Raith de expunere a discurilor. O alta solutie investigata a fost aceea a expunerii discurilor tot ca o serie de SPL-uri concentrice dar cu pasul dintre ele diferit de pasul de expunre pentru arii. Configuratia cristalului fotonic a fost expusa in cele trei moduri (SPD, metoda Raith si cercuri concentrice) in trei zone diferite. In fiecare zona parametrii de lucru au fost rezumati in tabelul 4.3. SPD Metoda Raith Cercuri SPL Tensiune de 10 kV si 30 kV 10 kV si 30 kV 10 kV si 30 kV accelerare Doza de expunere 0,01 pc 80 m/cm2 si 300 m/cm2 si 2 250 m/cm 800 m/cm2 Curent de fascicul 167 pA 167 pA 167 pA Pas de expunere 15nm 40 nm Factor de scalare 1x 20x 0,5x 3x 0,5x 3x Tabelul 4.3 Parametri de lucru utilizati pentru expunerea gaurilor in PMMA in cele trei strategii de scriere Substratul astfel expus si developat (MIBK:IPA/1:3) a fost analizat in SEM. In modul SPD se pot obtine gauri cu diametrul mai mic de 100 nm iar pana la diametrul de aproximativ 200 nm aceste gauri au forma corespunzaroare. Peste 200 nm in centrul gaurii apare un reziduu de PMMA datorat comportarii la rezist negativ a PMMA-ului. Celelalte doua metode de expunere au furnizat rezultate sensibil egale (fig.2.24), diferenta consistand in timpul total de expunere mai mare in cazul metodei Raith. Pe de alta parte, metoda de expunere prin cercuri SPL necesita un timp mai mare de pregatire a designului GDS II.

a) D= 1,8 d=179 nm

b) D= 2 d=213 nm

c) D= 2,2 d=243 nm

d) D= 2,5 d=269 nm

Fig.4.24 Gauri in PMMA expuse prin metoda Raith si prin metoda cercurilor SPL Structura finala (fig 2.25) a fost expusa la 30 kV deoarece la aceasta tensiune de accelerare 44

peretii gaurilor au un profil vertical spre deosebire de gaurile obtinute la 10 kV care au un profil cu o usoara panta.

Figg. 4.25 Forma finala a ghidurilor de unda in PMMA 45

V CONCLUZII

Aceasta lucrare este o sinteza a experientei acumulate de catre autor in domeniul litografiei cu fascicul de electroni pe parcursul desfasuraii scolii doctorale in cadrul Facultatii de Fizica a Universitatii Bucuresti si in Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Microtehnologii IMT Bucuresti. In urma efectuarii unui studiu referitor la rezolutia, viteza si flexibilitatea tehnicilor nanolitografice, autorul s-a ocupat de achizitionarea si punerea in functiune a primei instalatii (la nivel national) de litografie cu fascicul de electroni cu profil gaussian, de tip SEM convertit la litografie : SEM-Tescan Vega LMU II si generator de configuratii- Raith Elphy Plus (2006). Experienta acumulata in exploatarea acestui masini a condus la achizitia si implementarea unui echipament litografic dedicat ( Raith e_Line) si a unui microscop electronic de baleiaj (FEI Nova NanoSEM 630), ambele fiind primele echipamente cu tun electronic cu emisie in camp si detectori TTL din Romania. Lucrarea prezinta intr-un prim capitol principiile de functionare ale microscopului electronic de baleiaj, reliefandu-se importanta acestuia ca parte esentiala (cea care produce si formeaza cu distorsiuni minime spotul electronic) a echipamentului litografic, dar si ca instrument de caracterizare topografica si compozitionala a nanostructurilor si nanomaterialelor. Sunt abordate aspecte legate de generarea, colimarea si focalizarea fasciculului de electroni in instrumentele moderne, diametrul minim al acestui fascicul determinand atat rezolutia imaginilor SEM cat si pe cea a procesului litografic. Un accent special este pus pe sursele de electroni cu emisie in camp. Este de asemenea prezentata interactiunea electronilor (accelerati la tensiunile uzuale din SEM) cu diverse materiale, acest fenomen fiind in egala masura important atat pentru imagistica SEM cat si pentru intelegerea mecanismului de expunere a electronorezistilor. Toate micrografiile SEM cu care este ilustrat acest capitol sunt produse de catre autor, o parte dintre acestea fiind publicate in proceeding-urile unor conferinte sau in reviste de specialitate. Cel de-al doilea capitol este dedicat tratarii problemelor specifice de litografie cu fascicul de electroni cu profil gaussian, particularizate pentru instrumentele utilizate efectiv pentru efectuarea experimentelor descrise in aceasta lucrare. Sunt prezentate: structura echipamentelor litografice, tehinicile de aliniere si calibrare a campului de scriere, principalii electronorezisti, efectul de proximitate si metodele de compensare a acestuia. Este de asemenea abordata problematica interactiunii electronilor cu ansamblul electronorezist-substrat si sunt descrise cateva metode de transfer ale configuratiilor pe substrat. Sunt evidentiate performantele maxime de rezolutie atinse de catre autor cu ajutorul celor doua echipamente in uz la IMT Bucuresti. Acestea sunt de de 30nm in cazul instalatiei cu catod de wolfram (SEM+PG) si 9nm in cazul instrumentului cu emisie in camp (e_Line), ambele fiind la nivelul performantelor mondiale actuale. Ca si in cazul primului capitol, exemplele practice cu care este sustinuta prezentarea apartin autorului, ele fiind obtinute pe parcursul derularii experimentelor de fabricatie a diverselor nanostructuri descrise in aceasta teza. In cel de-al treilea mare capitol al acestei lucrari sunt prezentate exemple practice de configurare si structurare la scara nanometrica, efectuate ca parte integranta a proceselor de fabricatie a unor nanostructuri sau nanodispozitive. 46

Un prim exemplu este acela al producerii de arii de nanodoturi cu aplicatii in studiul plasmonilor prin SNOM -discuri nanometrice de aur pe sticla- sau cu rol catalizator in cresterea de nanotuburi de carbon - nanodoturi de nichel pe diverse substraturi. Aceasta a doua aplicatie este parte a contributiei stiintifice a IMT Bucuresti in cadrul proiectului european FP-7 CATHERINE- Carbon nanotube technology for high speed next generation interconnects in care autorul este implicat atat in partea de nanofabricatie cat si in cea de caracterizare SEM de inalta rezolutie. Au fost de asemenea realizate elemente optice difractive cu doua nivele, cu functionare prin reflexie, avand pixeli cu latura de un micrometru. Litografierea acestor DOE solicitat atingerea unui nivel deosebit de calibrare a campului de scriere, pentru lipirea cu mai buna de 400nm a 124 de campuri elementare de 100m x 100m. In domeniul structurilor fotonice, in afara de elementul optic difractiv a fost fabricata si o structura de cristal fotonic (din PMMA) impreuna cu ghidurile optice de intrare si iesire. Fabricatia acestui cristal fotonic a necesitat efectuarea unui studiu pentru stabilirea modalitatii optime de obtinere de gauri cu diametru relativ mare (300nm) in PMMA. O atentie speciala a fost acordata litografierii cu acuratete a unor circuite interdigitate destinate realizarii de fotodetectori de tip MSM (pe nitrura de galiu si pe siliciu) si unor dispozitive de microunde de tip SAW pe nitrura de aluminiu. Au fost fabricate zeci de modele diferite de SAW-uri cu latimi de linie cuprinse intre 100nm si 500nm si au fost rezolvate probleme referitoare la determinarea parametrilor optimi de expunere, corectia efectului de proximitate si asigurarea preciziei de pozitionare pe cip. Atat pentru detectori, cat si pentru SAW-uri, procesul nanolitografic a fost combinat cu fotolitografia clasica (litografie de tip mixand match) pentru reducerea timpului total de litografiere. Fabricatia acestor circuite interdigitate nanometrice are efecte favorabile asupra fotodetectorii MSM care prezinta valori foarte mari ale responsivitatii si asupra dispozitivele de microunde care sunt capabile sa lucreze intr-un domeniu superior de frecvente. A fost de asemenea abordat domeniul litografierii prin depunerea locala (de metal) asistata de fasciculul electronic (EBID). Metoda a fost propusa si utilizata pentru fixarea unor nanotuburi de carbon in scopul determinarii proprietatilor mecanice si electrice ale acestora si de asemenea pentru masurarea proprietatilor electrice ale unor nanofire polimerice. Varietatea aplicatiilor litografice abordate a impus implicarea in aproape toate problemele ridicate de litografia cu fascicul de electroni: corectarea efectului de proximitate , prevenirea incarcarii electrostatice a substratului de lucru, lucrul cu strat dublu se electronorezist, utilizarea de electronorezisti atat pozitivi cat si negativi, minimizarea timpului total de expunere, etc. Lucrarile de nanolitografie au fost corelate cu celelalte etape tehnologice implicate in fabricarea structurilor si dispozitivelor prezentate in lucrare, in special cu acelea de transfer pe substrat al configuratiilor din electronorezist. Este vorba de procese de corodare izotropa sau anizotropa, de depuneri metalice, de lift-off,etc. ale caror rezultate (evaluate in principal prin microscopie electronica de baleiaj, AFM, microscopie optica si elipsometrie) s-au constituit in repere pentru multiple modificari si optimizari ale procesului litografic.

47

Bibliografie - Introducere
1. G. Mllenstedt and R. Speidel: Phys. Blatter., 16 (1960) 192. 2. A. N. Broers in: Proceedings of the 1st International Conference on Ion Beam Science and Technology, R Bakish (Ed.), Wiley, (1964), pp. 191-204. 3. M. J. Modou, Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization (2nd edition), CRC Press, 2002 4. C. P. Umbach, C. van Haesendonck, P. B. Laibowitz, S. Washburn, R. A. Webb, Direct observation of ensemble averaging of the Aharonov-Bohm effect in normal metal loops, Phys. Rev. Lett. 56, 386, (1986) 5. D. R. Herriott, R. J. Collier, D. S. Alles, J. W. Stafford, EBES: A practical electron lithographic system, IEE Trans Electron Device, ED-22, 385-392 (1975) 6. M. G. Rosenfield, M. G. R. Thomson, P. J. Coane, K. T. Kwietniak, J. Keller, D. P. Klaus, R. P. Volant, C. R. Blair, K. S. Tremaine, T. H. Newman, and F. J. Hohn, Electron-beam lithography for advanced device prototyping: Process tool metrology Journal Vac. Sci. Technol. B11 (6), 2615-2620 (1993). 7. B. J. van Wees, H. van Houten, C. W. J. Beenakker, J. G. Williamson, L. P. Kouwenhoven, D. van der Marel and C. T. Foxon Quantized conductance of point contacts in a twodimensional electron gas, Phys. Rev. Lett. 60, 848 (1988) 8. M. J. Rooks, C. C. Eugster, J. A. del Alamo, G. L. Snider and E. L. Hu Split-gate electron waveguide fabrication using multilayer PMMA J. Vac. Sci. Technol. B9, 2856 (1991)

Bibliografie - Capitolul II
1. A. Dinescu, R Muller, R. Gavrila Low voltage scanning electron microscopy in nanotechnology, Nanoscience&Nanotechnology, 20-30 September 2010, Frascati, Italy 2. F. Craciunoiu, A. Dinescu, A. Bragaru, Silicon 3D structuring by anodization IEEE International Semiconductor Conference CAS 2008 (31st edition, CAS Proceedings), vol I, 1315 Oct 2008, Sinaia, Romania, p 181-184. 3. L. Reimer Scanning Electron Microscopy, Springer Verlag, Berlin 1974. 4. D. E. Newbury. D. C. Joy. P. Echlin. C. E. Fiori. and J. I. Goldstein Advanced Scanning Electron Microscopy andX-rav Microanalysis. Plenum Press, New York (1984). 5. A. Dinescu, G. Conache, R. Gavrila, Corrugated microstructures for Silicon Photodetectors, IEEE International Semiconductor Conference 2005 CAS Proceedings, vol I, pp 137-140. 6. Polymer Based Chips for Surface Plasmon Resonance Sensors, P. Obreja, D. Cristea, M. Kusko and A. Dinescu, Journal of Optics, 10, 2008, 064010 7. Electrocatalytic Activity of Platinium Nanoparticles Suppoted on nanoSilicon, M. Miu, I. Kleps, M. Danila, T. Ignat, M. Simion, A. Bragaru, A Dinescu, Fuel Cells 10(2), 259269(2010) 8. Negative Differential resistance in GaN nanowire network, M. Dragoman, G. Konstantinidis, A. Cismaru, D. Vasilache, A Dinescu, D. Dragoman, D. Neculoiu, R. Buiculescu, G. Deligeorgis, A. P. Vajpeyi and A. Georgakilas, Applied Physics Letters 96,053116 (2010) 48

9. Metallic Semiconductor Nanosystems Asssembly for Miniaturized Fuel Cell Applications M. Miu, M. Danila, T. Ignat, F. Craciunoiu, I. Kleps, M. Simion, A. Bragaru, A. Dinescu, Superlattices and Microstructures, Vol 46, pp 291-296, 2009

Bibliografie - Capitolul III

1. W. B. Glendinning, J. N. Helbert, editors, Handbook of VLSI Microlithography (1991) 2. RAITH GmbH, technical application. 3. P. Ray-Chaudhur, Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication, SPIE Optical Engineering Press (1997) 4. E. Reichmanis, L. F. Thompson Polimer materials for microlithography, in Annual Review of Materials Science, Palo Alto, CA 1987, p 235 5. A Weill, The spin coating process mechanism, in The Physics and Fabrication of Microstructures and Microdevices, Springer Verlag, Berlinn, 1986, p 51 6. M. A. McCord, Introduction to Electron Beam Lithography, Short Course Notes Microlithography, 1999, SPIEs International Symposium on Microlithography 14-19 march, 1999, p 22. 7. M. Hatzakis Electron rezist for Microcircuit and Mask Production, J. Electrochem. Soc, 116, 1033 1037, (1969) 8. A. N. Broers, Resolution limits of PMMA resists for exposure with 50 kV electrons, Proceedings of the Symposium on Electron and Ion Beam Science and Technology, ECS Inc. Princeton, NJ, 396-406, 1980 9. M.K. Kabir, A. Dinescu, R. Muller Report on growth tests at wafer level for carbon nanostructures from prefabricated catalysts, raport intern al proiectului FP-7 CATHERINECarbon nanotube technology for high speed next generation interconnects , iulie 2009 10. O. C. Wells, Scanning Electron Microscopy, McGraw-Hill, New York, 1974 11. Kanter, H., Phys Rev, 121, 681 (1961) 12. G. H. Bernstein, D. A. Hill, On the attainment of optimum developer parameters for PMMA resist, Superlattices and Microstructures 11 (2) 237 (1992) 13. K. K. Christenson, R. G. Viswanathan, and F. J. Hohn, X-Ray mask togging by electrons backscattered beneath the membrane, J Vac, Sci Technol B8, 1618-1623, 1990 14. M. A. McCord and T. H. NewmanLow Voltage hogh ressolution studie son electron beam resist exposure and proximity effect, J Vac Sci Technol B10 (6), 3083-3087 (1992) 15. E. A. Dobisz, R. K. Marxian, L. M. Shirey, and M. Ancona Thin silicon nitride films for reduction of line with and proximity effects in electron beam lithography, J Vac Sci Tehnol, B 10, 3067 (1992) 16. L. Stevens el al, Microelectronic Engeeniring 5/1986, 141-150 17. W. Patrik et al, J Vac Sci Technol B6 (6), 1988, 2037-2041 18. S. A. Rishton et al, J Vac Sci Technol B5 (1), 1986, 135-141

49

Bibliografie - Capitolul IV
1. C Kusko, A Dinescu, R Rebigan, M Kusko, D Cristea, SNOM measurement on metallic nanostructures, IEEE International Semiconductor Conference, CAS-Proceedings vol 1, 1214 Oct 2009, Sinaia, Romania, pp 197-200; 2. A. Dinescu, R. Muller, M.K.Kabir, Report on wafer preparation with fabricated catalyst by nanoimprinting lithography, raport intern al proiectului FP-7 CATHERINE- Carbon nanotube technology for high speed next generation interconnects , iulie 2009 3. A. Dinescu, R. Muller, M.K.Kabir, Growth tests at wafer level for carbon nanostructures from prefabricated catalysts, raport intern al proiectului FP-7 CATHERINE Carbon nanotube technology for high speed next generation interconnects, decembrie 2009. 4. M. Kusko, A. Dinescu, D. Cristea, D. Apostol, P. Schiopu Design and fabrication with Electron Beam Lithography of a diffractive optical element, UPB Scientific Bulletin, Series C, volume 71, 2009, pag. 136-142 5. E. Budianu, M. Purica, A. Dinescu, E. Manea Metal-Semiconductor-Metal photodetector on silicon insulating wafers based on nanoscale interdigitated electrodes, EMRS Fall meeting 2009, September 14-18, Warsaw, Poland 6. A. Muller, G. Konstantinidis, M. Dragoman, D. Neculoiu, A. Dinescu, M. Androulidaki, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, D. Vasilache, C. Buiculescu, I. Petrini, A. Kostopoulos and D. Dascalu, GaN Membrane-supported UV Photodetectord manufactured usin nanolithographic process, Microelectronics Journal; 40 2009, p 319-321. 7. A. Mller, G. Konstantinidis, M. Dragoman, D Neculoiu, A. Dinescu, M. Androulidaki, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, D. Vasilache, C. Buiculescu, I. Petrini, C. Anton, D. Dascalu, A. Kostopoulos Ultraviolet MSM photodetector based on GaN micromachining Proc of International Semiconductor Conference, CAS 2008, Sinaia, Oct 2008, pp 91-95 8. R. W. Chuang, S. P. Chuang, S. J. Chuang Gallium nitride metal-semiconductor-metal photodetectors prepared on silicon substrates, J. Appl. Phys. 102(2007) 073110. 9. A. Muller, G. Konstantinidis, M. Dragoman, D. Neculoiu, A. Kostopoulos, M. Androulidaki, M. Kaymbaki, D. Vasilache, GaN membrane MSM ultraviolet photodetector, Appl. Optics 47 (2008) 1453-1456 10. A. Muller, A. Dinescu, G. Konstantinidis, D. Vasilache, M. Dragoman, C. Morosanu, G. Sajin, D. Neculoiu, Wide semiconductror SAW typedevices for GHz applications, manufactured using nano-lithographic techniques, IEEE International Semiconductor Conference (CAS 2007) proceedings vol I, p 255-258 11. D. Neculoiu, A. Mller, G. Deligeorgis, A. Dinescu, A. Stavrinidis, D. Vasilache, A. Cismaru, G. E. Stan and G. Konstantinidis, AlN on silicon based surface acoustic wave resonators operating at 5 GHz, Electronics Letters, vol 45, No 23, 2009 12. A. Muller, D. Neculoiu, G. Konstantinidis, A. Dinescu, C. Morosanu, D. Vasilache, A. Kostopoulos, A. Stavrinidis, M. Dragoman, G. Sajin, A. Pantazis and A. M. Cismaru, New Development on AlN based FBAR and SAW Structures for Applications in the GHz Range, MRS Spring Meeting March 2008, San Francisco, USA. 13. A. Muller, D. Neculoiu, G. Constantinidis, G. Deligeorgis, A. Dinescu, A. Stavrinidis, A. Cismaru, M. Dragoman and A. Stefanescu, SAW Devices manufactured on GaN/Si for frequencies beyond 5GHz, IEEE Electron Device Letters, Vol. 31, No. 12, Dec. 2010, p. 1398-1400. 14. J. Fowlkes, D. A. Smith, M. G. Lassiter, P. D. Rack, Electron Beam Induced Depozition 50

and Etching: Fundamental Challenges and Nanotechnology based Applications (2009), 15 (Suppl 2) 318-319, Cambridge University Press. 15. A. S. Dutu, M. Darques, V. Callegari, L. Gence, A Dinescu and S. Melinte Micromachined devices for correlated characterization of single nanowires, 10-th International Workshop on Applied Physics. July 6-8, Constanta Romania 16. L. Gence, V. Callegari, A Dinescu, S. Melinte and S. Demoustier-Champagne, Hybrid Polymer nanowire based electronic devices correlated characterization 14-th International Conference of Modulated Semiconductor Structures (MSS 14), 19-24 July 2009, kobe, Japan 17. L. Gence, V. Callegari, S. Melinte, S. Demoustier-Champagne, Y. Lang, A Dinescu, and J. L. Duvail, Conjugated Polymer and Hybrid Polymer-metal Single Nanowires Correlated Characterization and Device Integration in Nanowires Science and Technology, INTECH, feb 2010 18. A. Dinescu, R. Muller, M. S. Sarto, A. Tamburano Electron Beam Lithography for Carbon Nanotubes Interconnects, Joint IFIN-HH, ICTP, IAEA Workshop and Trends in Nanoscience Theary, Experiment, Technology 23-30 August, Sibiu, Romania 19. A. Dinescu, R. Muller, M. S. Sarto, A. Tamburano Electron Beam Lithography for Carbon Nanotubes fabrication and characterization, nanocontacts and Nanointerconnects Workshop, MRS Spring Meeting, 5-10 April 2010, San Francisco USA. 20. A. Dinescu, G. Conache, R. Gavrila Antireflective microstructures for Silicon photodetector surfaces International Semiconductor Conference CAS 2004, Sinaia, Romania, Proceedings p 229-232 21. A. Dinescu, G. Conache, R. Gavrila Corrugated microstructures for Silicon photodetectors International Semiconductor Conference CAS 2005, Sinaia, Romania, Proceedings p 137140 22. A. Dinescu, A. Khiat Raport intern al proiectului FP-7 CATHERINE- Carbon nanotube technology for high speed next generation interconnects, Iulie 2009 23. K Sakoda Optical properties of Photonic Crystals Springer, 2001 24. A Mekis, S Fan and J D Joannopoulos, Band states in photonics crystal waveguides and waveguide bends, Phys Rev B vol 58 (8), 1998, pp 4809-4817 25. D Dragoman, A Dinescu, R Muller, C Kusko, A Herghelegiu, M Kusko, PMMA Photonic Crystals for Waveguiding Applications, IEEE International Semiconductor Conference (31st edition, CAS Preceedings) Vol 1, 13-15 Oct 2008, Sinaia, Romania, pp 85-88.

51