MINISTERUL EDUCAŢIEI ȘI CERCETĂRII ȘTIINȚIFICE

Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Facultatea de Inginerie Mecanică și Mecatronică
- Inginerie Mecanică -

ŞTIINŢA ȘI INGINERIA MATERIALELOR

2017 – 2018

Ș.L. Dr. Ing. Elena DINU

Splaiul Independenţei nr.313,

060042 - Bucureşti, ROMÂNIA
www.mecanica.pub.ro
 MINISTERUL EDUCAŢIEI ȘI CERCETĂRII ȘTIINȚIFICE
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti
Facultatea de Inginerie Mecanică și Mecatronică
- Inginerie Mecanică -

CURSUL 2
ASPECTE CRISTALOGRAFICE
SOLIDE CRISTALINE - DEFECTE ÎN CRISTALE
1. ASPECTE CRISTALOGRAFICE
1. ASPECTE CRISTALOGRAFICE

Definiţie
Din punct de vedere geometric, un
x
cristal se prezintă sub forma unui
b
poliedru convex delimitat de a

suprafeţe plane.
c


 O

 y

Figura 1: Solid cristalin z

 Definiţie
 Un solid cristalin este un ansamblu de atomi, de ioni sau de
molecule aranjate în mod regulat în raport cu cele 3 direcţii 0x,
0y, 0z, constituind o reţea de translaţie triperiodică pentru care:

x
 Unghiurile x0y=, y0z= şi z0x=
sunt oarecare, deci nu neapărat b

egale cu 90°. a

 Nodul origine este reprezentat de

punctul 0, definind triedrul 0xyz c

(Fig. 1).

 O

 y

z
Figura 1: Solid cristalin
Tipuri de solide cristaline

 Un monocristal este un solid cristalin în care

orientarea reţelei este aceeaşi în toate punctele,
oricare ar fi dimensiunea cristalului.
 Un microcristal este un monocristal de foarte mici
dimensiuni.
 Un eşantion policristalin este un ansamblu de
microcristale, orientate întâmplător unul faţă de altul,
legate între ele şi delimitate de interfeţe (cazul
rocilor, metalelor şi materialelor ceramice).
Nodurile reţelei

 Nodurile reţelei (fig. 2) sunt puncte M astfel încât :

  
OM  V  ua  vb  wc
unde u,v,w sunt numere întregi oarecare.

Celula
elementară

Nodurile
reţelei
Figura 2: Solid cristalin
 Celula elementară

 Celulă elementară: paralelipiped de volum minim, cu ajutorul

căruia poate fi reconstituit întregul cristal (Fig. 2).

Celula
elementară

Nodurile
reţelei
Figura 2: Solid cristalin
 Celula elementară
 Parametrii celulei elementare sunt:
 lungimile a, b şi c ale vectorilor necoplanari caracteristici
 axelor 0x, 0y şi 0z, care leagă
 originea (punctul 0) de primul atom întâlnit pe fiecare din axe.
x


 O

 y

Figura 1: Solid cristalin

z
 x

Indicii Miller c


 O

 y

 Pentru fixarea poziţiei unui plan reticular (Fig. 3) în raport

cu axele cristalografice se folosesc indicii Miller: un
grup de trei cifre, invers proporţionale cu distanţele
intersectate de plan pe axele de referinţă.

(1 0 0) (1 1 0) (1 1 1)

 Figura 3: Plane cristaline în sistemul cubic

 x

Indicii Miller c



 Se dau întotdeauna în aceeaşi ordine : O

 y

 primul în raport cu axa a;

z
 al doilea cu axa b;
 al treilea cu axa c;
 Se scriu între paranteze rotunde.
 Pentru generalizări se folosesc literele (hkl).

(1 0 0) (1 1 0) (1 1 1)

 Figura 3: Plane cristaline în sistemul cubic

 x

Indicii Miller c


 O

 y

 De exemplu, planul care taie axele în punctele de

coordonate 1, 2, 4 este determinat de indicii Miller:

1 1 1 4 2 1
h:k :l  : :  : :
1 2 4 4 4 4
adică h=4, k=2, l=1 (se calculează rapoartele inverse ale
coordonatelor şi astfel se determină cele mai mici numere
întregi, h,k,l, care se află în acelaşi raport).

 Dacă planul cristalin este paralel cu una din axele

cristalografice, atunci indicele Miller corespunzător este
zero (planul taie axa la infinit).
 Plane reticulare

 Familie de plane reticulare (hkl): mulţime de plane

reticulare paralele şi echidistante care, reunite, conţin
toate nodurile reţelei.

 Coordonatele intersecţiilor unui plan cu cele 3 axe sunt:

n/h, n/k, n/l
în raport cu originea, unde:
n = un număr întreg ce poate fi pozitiv, negativ sau nul;
h, k şi l =indicii Miller ai familiei considerate.
 Plane reticulare

 Ecuaţia generală a unui plan se va scrie:

hx + ky + lz – n = 0
unde x, y, z sunt coordonatele punctului M din plan, definit de:
   
OM  xa  yb  zc

 În cadrul unei familii de plane reticulare, planul cel mai

aproape de originea 0 a triedrului 0xyz are n=1.

 Distanţa care separă două plane consecutive dintr-o familie

de plane reticulare se numeşte echidistanţa d (hkl).
 Sisteme cristaline

 Oricare ar fi translaţiile, nu pot exista decât 7 celule elementare:

cele 7 sisteme cristaline.
 Aceste celule elementare sunt numite primitive (se notează cu P).
 Ele nu conţin noduri decât în cele 8 vârfuri şi sunt caracterizate de:

 valorile unghiurilor (, ,  ) ale triedrului de bază;

 lungimile a, b, c ale laturilor triedrului de bază;
  
 vectorii a , b , c definiţi mai sus.
 x

Sisteme cristaline c


 O

 y

 Utilizând un punct din reţea ca punct de

referinţă sau origine, fiecărui punct al reţelei îi
pot fi date coordonate în raport cu orientarea
axelor (figura 1).

 Relaţiile dintre a, b, c şi , ,  sunt

dependente de simetria sistemului cristalin.
 Tabelul 1 : Sisteme cristaline

Nr.
crt. Sistemul de cristalizare Relaţii caracteristice

1. Sistemul cubic
abc       90o

2. Sistemul
tetragonal abc       90o

3. Sistemul     90 o
hexagonal abc   120o

4. Sistemul rombic
abc       90o
 Tabelul 1 (continuare) : Sisteme cristaline

Nr.
crt. Sistemul de cristalizare Relaţii caracteristice

5. Sistemul
romboedric abc       90o
(trigonal)
6. Sistemul     90 o
monoclinic abc
  90o

7. Sistemul triclinic
abc       90o
 Reţele Bravais

 În anul 1848 Auguste Bravais a demonstrat că

într-un sistem tridimensional există 14 tipuri de
reţele, acestea incluzând reţelele primitive
prezentate anterior.

 Practic, cele 7 reţele suplimentare derivă din cele

primitive.
 Tabelul 2: Reţelele Bravais

Sistemul de cristalizare Nr. Celula elementară Relaţii caracteristice

a≠b≠c
Triclinic 1 Primitivă
α≠β≠γ
2 Primitivă a≠b≠c
Monoclinic
3 Centrată în volum α = β = 90° ≠ γ
4 Primitivă
5 Centrată pe bază a≠b≠c
Rombic
6 Centrată în volum α = β = γ = 90°
7 Centrată pe feţe
8 Primitivă a=b≠c
Tetragonal
9 Centrată în volum α = β = γ = 90°
a=b=c
Trigonal 10 Primitivă
α = β = γ < 120°, ≠ 90°
a=b≠c
Hexagonal 11 Primitivă
α = β = 90°, γ = 120°
12 Primitivă
a=b=c
Cubic 13 Centrată în volum
α = β = γ = 90°
14 Centrată pe feţe
 Figura 4: Reţelele Bravais
 Număr de coordinaţie
Poliedre de coordinaţie

 Noţiunea de coordinaţie, care descrie organizarea spaţială în

jurul unui atom, este la fel de importantă ca şi noţiunea de
valenţă.

 Numărul de coordinaţie este numărul (N), al celor mai

apropiaţi vecini X ai unui atom A, în edificiul poliatomic AXn.

 Numărul (N) este diferit de raportul stoechiometric n al

speciilor A şi X.
 SiO2: N = 4, n= 2.
 Număr de coordinaţie
Poliedre de coordinaţie

 În legătura metalică, straturile de valenţă sunt

nesaturate, densitatea tinde să fie cât mai ridicată şi
numerele de coordinaţie N sunt deosebit de mari.
 Pentru legătura ionică, numărul N este funcţie de
raportul sarcinilor şi respingerilor electrostatice, şi, în
anumite limite, de raportul razelor ionice.
 Dacă ionul central este prea mic şi A nu intră în contact cu
cei N ioni de X care îl înconjoară, N scade pentru a
restabili o distanţă A-X minimă.
 Valorile uzuale pentru N variază între 4 şi 6.
 Număr de coordinaţie
Poliedre de coordinaţie
 În legătura covalentă (covalenţă simplă), numerele de
coordinaţie sunt date, în general, de regula octetului :
N = 8 – m,
unde:
m = numărul coloanei B ocupate de element în tabelul periodic
N = numărul de electroni necesari pentru ca elementul să-şi
completeze octetul pe ultimul strat)

Exemple:
Carbon C N.B = IV N=8–4=4
Fluor F N.B = VII N=8–7=1
 Număr de coordinaţie
Poliedre de coordinaţie

 Numărul de coordinaţie scade dacă legătura este multiplă,

şi scade sau creşte dacă structura este formată din ioni
negativi (OH-), respectiv ioni pozitivi (NH4+).

 În cazul solidelor binare AmXn, numărul de coordinaţie este

cu atât mai mare, cu cât raportul dintre razele cationului şi
anionului (Rc/Ra) este mai mare.

 Cunoscând numărul de coordinaţie N, poate fi determinată

dispunerea în spaţiu a vectorilor interatomici A - X. Se
construieşte astfel poliedrul de coordinaţie de centru A şi
vârfuri X (Tabelul 3).
 Tabelul 3 : Poliedre de coordinaţie

Număr de
RC/RA Poliedru
coordinaţie (N)

 0,155 2 Linie

> 0,155 3 Triedru

> 0,225 4 Tetraedru

> 0,414 6 Octaedru

> 0,732 8 Cub

Dodecaedru
> 1,000 12
2. Solide Cristaline

- Defecte în cristale -
 2. Solide Cristaline
- Defecte în cristale -
 Un solid (cristalin sau amorf), nu este niciodată perfect, din punct de
vedere al: - nivelului de ocupare al nodurilor de reţea;
- modului în care este format cristalul;
- stării sale de puritate, etc.

 Defecte = abateri de la un aranjament perfect al particulelor în

nodurile reţelei.

(a)
(b)
Reţea
Reţea
atomică
ionică
perfectă
perfectă

Figura 1 : Aranjamentul perfect al particulelor în nodurile reţelei

1. Defecte punctuale

 Vacanţe: nodurile reţelei nu sunt ocupate în totalitate. (a)

 Exemplu :
- vacanţe de oxigen în oxidul
de uraniu U3O8

Fig. 2(a)
1. Defecte punctuale
 Autointerstiţiale: prezenţa, în poziţie interstiţială în raport cu
nodurile reţelei, a unui anion sau cation al solidului respectiv. (b)

 Este un defect foarte des întâlnit

în solidele ionice, pentru că multe
dintre acestea au disponibile poziţii
interstiţiale relativ mari.
 De cele mai multe ori, poziţiile
interstiţiale au aceeaşi imagine de
vecinătate ca şi nodurile reţelei.

Fig. 2(b)
1. Defecte punctuale
 Autointerstiţiale: prezenţa, în poziţie interstiţială în raport cu
nodurile reţelei, a unui anion sau cation al solidului respectiv. (b)

 Exemple :
- Atomul de zinc în Zn1+xO
- În BeO atomii ocupă numai jumătate
din nodurile tetraedrice disponibile

 într-o celulă elementară se găsesc 4

poziţii interstiţiale libere  un atom de
Be poate să se deplaseze dintr-un
nod într-o poziţie interstiţială, fară a
distorsiona reţeaua cristalină.

Fig. 2(b)
1. Defecte punctuale
 Atomi străini în interstiţii: prezenţa, în poziţie interstiţială, a
unui atom sau ion străin (cu rază atomică sau ionică mai
mică decât razele atomilor din reţeaua gazdă). (c)

Fig. 2(c)
1. Defecte punctuale
 Atomi străini în substituţie : un atom sau un ion străin ocupă
un nod de reţea în locul unui atom sau al unui ion care
constituie reţeaua respectivă (particulă străină cu rază
atomică sau ionică mai mică sau mai mare (d) decât cea a
atomului sau ionului înlocuit).

 Dacă particula străină are o

valenţă diferită de cea a
atomului sau ionului
înlocuit, se pot crea vacanţe
sau electroni liberi.

Fig. 2(d)
1. Defecte punctuale
 Exemplu :
 În NaCl un cation monovalent, cum ar fi Li+ poate înlocui Na+.
 Dacă un cation bivalent, cum ar fi Ca++, înlocuieşte Na+, acest
proces trebuie să fie însoţit de o vacanţă cationică, sau de un
interstiţial anionic, pentru a păstra electroneutralitatea.

Fig. 2(d)
1. Defecte punctuale

 Defect Frenkel : o pereche vacanţă – interstiţial (un anion

sau un cation părăseşte nodul reţelei, care devine astfel o
vacanţă şi se plasează într-un interstiţiu). (e)

Fig. 2(e)
1. Defecte punctuale

 Defect Schottky: o pereche de vacanţe cationice şi

anionice, formată prin migrarea unui cation şi a unui anion
la suprafaţa reţelei. (f)

Fig. 2(f)
 1. Defecte punctuale

 Vacanţele şi interstiţialii sunt deseori denumiţi «defecte

termice».
 Creşterea temperaturii poate provoca:
 fie plecarea unui atom sau a unui ion din poziţia sa normală
pentru a se poziţiona într-un interstiţiu : « defect Frenkel ».
 fie migrarea unui atom sau a unui ion din poziţia sa normală
către suprafaţa cristalului, lăsând în spatele său o poziţie
vacantă : « defect Schottky ».
1. Defecte punctuale

 Centre «colorate» (centre F, centre V etc.): sunt formate prin

reţinerea electronilor sau vacanţelor în defectele de reţea.
 Prezenţa lor provoacă colorarea cristalelor, transparente în
mod normal, şi modificări în spectrul de adsorbţie optic.
 Exemplu : halogenuri alkaline (figura 3)

 Centru F: rezultatul reţinerii unui electron în vacanţa unui ion

de clor Cl-.
 Centru V: rezultatul unei deficienţe de electron (deci
prezenţa unei vacanţe pozitive) legate de prezenţa în exces
a unui ion de clor Cl-.
 Fig. 3: Reprezentarea unui centru F

 Exemplu : halogenuri alcaline

 Centru F: rezultatul reţinerii unui electron în vacanţa unui ion de clor Cl-.
 Centru V: rezultatul unei deficienţe de electron (deci prezenţa unei
vacanţe pozitive) legate de prezenţa în exces a unui ion de clor Cl-.
1. Defecte punctuale
 Fluorina CaF2 are o diversitate mare de culori, în funcţie de tipul de
radiaţii căruia îi este supusă.
 În cazul fluorinelor violete (obţinute prin iradiere UV), culoarea se
datorează electronilor reţinuţi de vacanţele anionice ale ionilor F: sunt
deci centre F (figura 4).

Figura 4: Influenţa defectelor

punctuale asupra culorii
mineralelor - fluorina
 1. Defecte punctuale

 Crearea centrelor F (din Fluorina CaF2) poate fi explicată prin mai

multe cauze:
 expunerea la o iradiaţie de înaltă energie care poate deplasa un ion
din poziţia sa obişnuită;
 creşterea cristalului în prezenţa unui exces de ioni de calciu;
 aplicarea unui câmp electric ridicat cu extragerea ionilor de fluor F-
prin procese electrolitice.

 Reţinerea electronilor este astfel provocată de necesitatea

compensării vacanţelor încărcate pozitiv formate.
 1. Defecte punctuale
Semiconductori
 Defectele punctuale conferă, în general, proprietăţi electrice particulare
solidelor.
 Se introduce un element, de exemplu As (Arsen), în cantitate foarte mică
(concentraţie atomică 10-11), într-un semiconductor de siliciu.
 As are 5 electroni de valenţă, din care 4 participă la legături şi al
cincilea este liber.
 Această impuritate este donoare de electroni (semiconductor de tip n)
(figura 5a).

e- liber
adus de As BC
Nivel de energie
pentru donori
BV

(a)
 1. Defecte punctuale
Defecte în semiconductori
 Defectele punctuale conferă în general solidelor, proprietăţi electrice
particulare.
 Se introduce o impuritate cu valenţa 3, de exemplu In (Indiu).
 In nu poate să asigure decât 3 legături cu atomii de Si vecini.
 Lipseşte astfel un electron pentru a satura stratul exterior al Si şi această
lipsă de electroni se comportă ca o vacanţă.
 Această impuritate este acceptoare de electroni (semiconductor de tip p)
(figura 5b).

vacanţă adusă BC
de In Nivel de energie
pentru acceptori
BV

(b)
1. Defecte punctuale

 Anumite defecte punctuale, în special vacanţele, se pot

ordona într-o reţea şi pot conduce la suprastructuri
lacunare ordonate
 Exemple: calcogenuri, pirotina Fe7S8, compuşi din
sistemele Crom - Seleniu sau Crom - Telur, etc.
2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale

 Rezultă din prezenţa (figura 6) :

 unui plan cristalografic incomplet în reţeaua cristalină
(dislocaţie negativă),
 unui semiplan suplimentar (dislocaţie pozitivă).

Figura 6 : Dislocaţie marginală

2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale

 Alunecarea uşoară a dislocaţiilor sub efectul unor constrângeri

mecanice slabe explică ductilitatea (deformarea plastică) a
materialului (în speciale pentru metale).

 În imediata vecinătate a dislocaţiei, reţeaua este foarte deformată:

 partea superioară a reţelei, în care este planul suplimentar de
particule, va fi în compresie;
 partea inferioară va fi în stadiu de decompresie.

 dislocaţia este înconjurată de un câmp de tensiuni, care poate

compensa eforturile mecanice exterioare, aplicate în direcţie
opusă.
2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale

 Apariţia unei dislocaţii marginale într-o reţea cristalină

poate fi foarte uşor explicată prin procesele de
alunecare a unei porţiuni din reţea pe planul de glisare
(planul pe care se termină dislocaţia), urmare a
constrângerilor la care cristalul este supus în procesele
de cristalizare.

 La aplicarea unui efort de torsiune, dislocaţia se

deplasează în reţea, provocând o deformare
permanentă (figura 7).
 Figura 7 : Deplasarea unei dislocaţii marginale
2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale
 Dislocaţiile se pot deplasa într-o reţea, dacă există o
mişcare de vacanţe sau de atomi (figura 8).

 Figura8 : Deplasarea dislocaţiilor prin mişcarea

vacanţelor sau atomilor interstiţiali
2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale

 Dislocaţia mai degrabă se măreşte sau se micşorează,

decât se deplasează.

 În timpul migrării, dislocaţiile interacţionează, provocând

formarea altor defecte, care pot conduce la apariţia unei
aglomerări de defecte în anumite zone ale reţelei.
 Acest fenomen va afecta sensibil rezistenţa mecanică

a corpurilor solide.
2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale

 Mobilitatea dislocaţiilor este favorizată de

tensiunile locale.

 Prezenţa impurităţilor în apropierea unei dislocaţii

poate impiedica propagarea acesteia.
 Câteodată, se introduc voit impurităţi, pentru a se
îmbunătăţi proprietăţile mecanice ale solidelor.
2. Defecte liniare
Dislocaţii elicoidale

 Rezultă prin glisarea «plan pe plan» într-o zonă a cristalului.

 Sunt caracterizate prin «vectorul de alunecare Burger».

 Figura 9 : Dislocaţie elicoidală

2. Defecte liniare
Dislocaţii elicoidale
 Prezenţa acestui tip de defect are o incidenţă importantă asupra
nivelului de reactivitate chimică a materialului, căci constituie un
potenţial germene sau o poziţie preferenţială în procesul de
germinare, de cristalizare sau de dizolvare.

 Figura 9 : Dislocaţie elicoidală

Figura 10 : Dislocaţii într-un aliaj de titan

 Dislocaţiile pot fi
observate cu ajutorul
microscopului electronic
de baleiaj (figura 10).
 Nu se observă dislocaţii
în linii drepte, ci cu forme
complicate.
 Sunt în general mixte
(marginale şi elicoidale).
3. Defecte de suprafaţă
Suprafeţe libere

= interfaţa între solide şi gaze.

 Aranjarea atomilor pe suprafaţa liberă diferă

sensibil faţă de structura interioară, deoarece nu
au vecinătăţi într-o direcţie.
 În general, structura cristalină este aceeaşi, dar
parametrul de reţea este mult mai mare.
3. Defecte de suprafaţă
Suprafeţe libere

 Suprafaţa liberă este caracterizată printr-o anumită energie

superficială, echivalentă cu energia necesară unui atom să
se deplaseze către suprafaţă, întrerupând anumite raporturi
de coordinare.
 Energia superficială variază între 10-1 şi 1 J/m2, putând fi
mult mai mare pentru un solid cu legaturi chimice puternice.
 Energia superficială poate fi modificată prin adsorbţia
atomilor din atmosferă, ceea ce va modifica proprietăţile
solidului (cum ar fi emisia de electroni, viteza de evaporare
sau a reacţiilor chimice).
 3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini

 Sunt imperfecţiuni la nivel bidimensional, care pot fi

reprezentate ca o aglomerare de dislocaţii marginale.
 Separă domenii cristaline cu orientări diferite (figura 11).

Figura 11: Limite între

grăunţii cristalini
3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini

 Reactivitatea materialului este mult mai mare la limitele între

grăunţii cristalini, cum atestă atacurile selective la acest nivel.
 Limitele între grăunţii cristalini sunt cu precădere locul unde
se vor concentra impurităţile.
 Sunt totodată într-un echilibru instabil şi au tendinţa de a
dispărea odată cu creşterea grăunţilor.
 Se pot deplasa la temperatură ridicată sub acţiunea unei forţe
suficient de mari.
3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini

 Limitele între grăunţi sunt caracterizate printr-o

energie de interfaţă, cauzată de perturbarea
aranjamentului reţelei cristaline.
 Este mai scăzută decât energia superficială,
deoarece în acest caz nu sunt întrerupte toate
raporturile de coordinare.
 Solidele care prezintă limite între grăunţii cristalini
sunt policristaline, structura lor fiind formată din mai
multe cristale orientate diferit.
3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini
 Limite la unghiuri mari (figura 12 a)
Există trei tipuri de structuri :
 două cristale care au structura perfectă până
la limita dintre ele;
3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini
 Limite la unghiuri mari (figura 12 b)
Există trei tipuri de structuri :
 între cele două cristale există o zonă de
tranziţie, cu o simetrie intermediară;
3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini
 Limite la unghiuri mari (figura 12 c)
Există trei tipuri de structuri :
 între cele două cristale există o zonă de
trecere, cu distribuţie dezordonată, formând
un liant amorf.
 3. Defecte de suprafaţă
Limite între grăunţii cristalini

 Limitela unghiuri mici:

asemănătoare unei serii
de dislocaţii aşezate
unele sub altele.

Figura 13 : Limite la
unghiuri mici
3. Defecte de suprafaţă
Limite de fază

 O fază este o zonă omogenă, distinctă din punct

de vedere fizic, separabilă, prin metode
mecanice, de un material cu compoziţie chimică şi
structură date.
 Materialele compozite reprezintă o categorie
importantă de materiale polifazale.
 3. Defecte de suprafaţă
Limite de fază
 Diferenţa structurală între cele două faze în contact este
determinantă pentru proprietăţile de la interfaţă.
Astfel, limitele pot fi (figura 14) :
 Limite coerente = diferenţa de structură este mică, la interfaţă
anumite raporturi de coordinare nu sunt întrerupte (a);

a b c
 3. Defecte de suprafaţă
Limite de fază
 Diferenţa structurală între cele două faze în contact este
determinantă pentru proprietăţile de la interfaţă.
Astfel, limitele pot fi (figura 14) :
 Limite necoerente = diferenţa de structură este mare, la
interfaţă există o concentraţie majoră de defecte (c);

a b c
3. Defecte de suprafaţă
Limite de fază
 Diferenţa structurală între cele două faze în contact este
determinantă pentru proprietăţile de la interfaţă.
Astfel, limitele pot fi (figura 14) :
 Limite intermediare = cu caracteristici plasate între primele
două cazuri (b).

a b c
4. Defecte de structură
Defecte de împachetare
 Corespund unei perturbări determinate de
împachetarea planelor atomice.
 De exemplu, într-un solid cu sistem de cristalizare
cubic centrat, ordinea normală de împachetare este :
ABC ABC ABC …
 Defectele de împachetare sunt :
 fie înlăturarea unui plan A, ceea ce conduce la :
ABC BC ABC …
 fie prezenţa unui plan suplimentar A, între
planele B şi C :
ABAC ABC ABC …
4. Defecte de structură
Defecte de împachetare

 Fenomenele aşa-numite de interstratificare, observate

de exemplu în cazul filosilicaţilor (minerale argiloase),
sunt similare celor din cazul defectelor de
împachetare, dar de această dată se referă la
pachete de plane elementare.
 Se găsesc de asemenea interstratificări ilit –
montmorilonit, planele primului mineral se
intercalează mai mult sau mai puţin aleatoriu cu
planele celui de-al doilea mineral.
4. Defecte de structură
Defecte de orientare
 Suprapunerea perfectă a planurilor elementare (a)
poate fi sensibil modificată conducând la o dezordine
de translaţie (b) sau la o dezordine turbostatică (c)
sau la cele două simultan.
 Este de exemplu cazul solidelor bidimensionale cum
ar fi filosilicaţii.
4. Defecte de structură
Macle
 Anumite cristale sunt constituite din două părţi îmbinate,
care au structuri identice şi o orientare definită.
 Regiunea maclată este simetrică cu regiunea nemaclată
în raport cu planul de maclă (figura 16).

Figura 16 : Macla
4. Defecte de structură
Macle

 Maclele se formează la creşterea reţelei cristaline prin:

 acţiunea constrângerilor datorate contracţiilor solidului
în procesul de răcire (macle termice);
constrângerea datorată unei sarcini mecanice (şoc
mecanic) în urma unei încercări mecanice de tracţiune.