Sunteți pe pagina 1din 11

UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN

TIMISOARA
FACULTATEA DE MECANICA

IMPLANTAREA IONICA
Student:Giurescu Camelia

CUPRINS

Capitol I

- Implantarea Ionica noiuni introductive

Capitolul II - Moduri de obtinere.Exemle


Capitolul III - Aplicaii ale materialelor respective
Capitolul IV Directii de dezvoltarea identificate
CONCLUZII

IMPLANTAREA IONICA
IMPLANTAREA IONICA este un procedeu de acoperire prin
modificarea suprafetiei in care elementul de aliat este
ionizat,accelerat printr-un gradient de potential si implantat in zona
superficiala a substratului.

Astfel, implantarea ionic este utila mai ales n cazurile n care modificarea
chimic sau structural se dorete s fie aproape de suprafaa intei.
Ionii pierd treptat energia lor pe msur ce cltoresc prin solid, att din
coliziuni ocazionale cu atomi int (care provoac transferuri de energie
abrupte) i dintr-o glisare uoar de suprapunere de orbitali de electroni, care
este un proces continuu.

MODURI DE OBTINERE.EXEMPLE

Ion Implantation Method

Un implant ionic este constituit dintr-o camera de ionizare in care sunt creati ioni si
un accelerator unde sunt stimulate pana la viteze sufficient de mari pentru a
penetra materialul tinta la adancimea dorita.
Cercetatorii Vanderbilt au inceput cu ioni incarcati electric de Vanadiu si Oxigen.
L-au accelerat printr-un vid si le-au trantit ca gloante mici in obiective de dioxid de
siliciu.

APLICATII ALE MATERIALELOR RESPECTIVE

Aplicarea n dispozitiv - fabricarea semiconductorilor

Introducerea unor dopati ntr-un semiconductor este aplicarea cea mai comuna de implantare ionic.

Ionii dopanti, cum ar fi Bor, Fosfor sau Arsen sunt n general create dintr-o surs de gaz, astfel nct puritatea sursei
poate fi foarte mare.

Tehnica este utilizat, de exemplu, pentru ajustarea de un MOSFET.

Implantarea ionica reprezinta procedeul de introducere a impuritatilor n placheta semiconductoare prin bombardarea
suprafetei plachetei cu un fascicul nefocalizat de ioni, avnd energii cuprinse ntre keV si sute de keV. O instalatie de
implantare ionica este reprezentata n fig.5.5

Instalatie de implantare ionica: 1 - sursa de ioni;2 - separator magnetic;


3 - fascicul nefocalizat de ioni; 4 - tinta; 5 - masca metalica sau
strat gros din bioxid de siliciu; 6 - zona dopata.

DIRECTII DE DEZVOLTARE IDENTIFICATE


Martin Lee: interesele de cercetare actual
Feldspat intemperii la scara nanometrica

CONCLUZII
Nu se folosesc asa de des din cauza costului ridicat si echipamente scumpe de
intretinere
Avantajele
implantarea ionica
(1)Controlul precis si reproductibilitate
(2)Temperatura de prelucrare de jos
Ionii energetici pierd energie prin ciocniri cu electroni si nuclee in substrat.