Cursuri SMAC - Anul 2 - Upb

Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti
Facultatea de Chimie Aplicată şi Ştiinţa Materialelor

Departamentul de Ştiinţa şi Ingineria Materialelor Oxidice şi
Nanomateriale
ŞTIINŢA
Ş Ţ MATERIALELOR ANORGANICE Ş
ŞI
COMPOZITE
CURSUL 2
SOLIDE CRISTALINE
ASPECTE CRISTALOGRAFICE
Definiţie
Din punct de vedere x
geometric
geometric, un cristal se b
prezintă sub forma unui a
poliedru convex delimitat de

suprafeţe plane.
plane c

 O
 y
Figura 1 Solid cristalin z

Definiţie
 Un solid cristalin este un ansamblu de atomi, de ioni sau

de molecule aranjate în mod regulat în raport cu cele 3
direcţii 0x, 0y 0z constituind o reţea de translaţie
0x 0y,0z,
triperiodică pentru care:
x
• 0 , y0z=
Unghiurile x0y= 0  şi b
z0x= sunt oarecare, deci a
nu neapărat egale cu 90 .
• Nodul origine este c
reprezentat de punctul 0,

definind triedrul 0xyz (Fig.  O
1)
1).  y
z
Figura 1: Solid cristalin
Tipuri de solide cristaline
Un monocristal este un solid cristalin în care orientarea

reţelei este aceeaşi în toate punctele, oricare ar fi
dimensiunea cristalului.
• Unmicrocristal este un monocristal de foarte mici
dimensiuni.
Un eşantion policristalin este un ansamblu de
microcristale,
microcristale orientate întâmplător unul faţă de altul,
altul
legate între ele şi delimitate de interfeţe (cazul rocilor,
metalelor şşi materialelor ceramice).
)
Nodurile reţelei
Nodurile reţelei (fig. 2) sunt puncte M astfel încât :
  
OM  V  ua  vb  wc
unde u,v,w sunt numere întregi oarecare.
Nodurile
reţelei
Figura 2 Solid cristalin

Celula elementară
Celulă elementară: p paralelipiped
pp de volum minim,,
cu ajutorul căruia poate fi reconstituit întregul cristal
(Fig. 2).
Celula
elementară
Nodurile
reţelei
Figura 2 Solid cristalin

Celula elementară
Parametrii celulei elementare sunt: lungimile a, b şi c

ale vectorilor necoplanari caracteristici axelor 0x, 0y şi
0 care leagă
0z, l ă originea
i i ((punctul
t l 0) de
d primul
i l atom
t
întâlnit pe fiecare din axe. x
b

 O
 y
Figura 1 Solid cristalin z

Indicii Miller
Pentru fixarea poziţiei unui plan reticular (Fig. 3) în
raport
p cu axele cristalografice
g se folosesc indicii
Miller: un grup de trei cifre, invers proporţionale
cu distanţele intersectate de plan pe axele de
referinţă.
(1 0 0) (1 1 0) (1 1 1)
Fi
Figura 3:
3 Plane
Pl cristaline
i t li înî sistemul
i t l cubic
bi
Indicii Miller
Se dau întotdeauna în aceeaşi ordine :
• primul în raport cu axa a;
• all doilea
d il cu axa b;b
• al treilea cu axa c;
Se scriu între paranteze rotunde.
Pentru generalizări se folosesc
f literele (hkl).
(1 0 0) (1 1 0) (1 1 1)
Figura 3 Plane cristaline în sistemul cubic

Indicii
di ii Miller
ill
De exemplu, planul care taie axele în punctele de coordonate 1, 2, 4 este
determinat de indicii Miller:
1 1 1 4 2 1
h:k :l  : :  : :
1 2 4 4 4 4
adică h=4, k=2, l=1 (se calculează rapoartele inverse ale coordonatelor şi
astfel se determină cele mai mici numere întregi, h,k,l, care se află în acelaşi
raport).
p )
Dacă planul cristalin este paralel cu una din axele cristalografice, atunci
p
indicele Miller corespunzător este zero (p
(planul taie axa la infinit).
f )
Plane
l reticulare
i l
Familie de plane reticulare (hkl): mulţime de plane
reticulare paralele şi echidistante care, reunite, conţin toate
nodurile reţelei.
Coordonatele intersecţiilor unui plan cu cele 3 axe sunt:

n/h,
n/h n/k,
n/k n/l
în raport cu originea,
unde: n este un număr întreg ce poate fi pozitiv,
negativ
ti sau nul);
l)
h, k şi l sunt indicii Miller ai familiei
considerate.
Plane reticulare
Ecuaţia generală a unui plan se va scrie:
hx + ky + lz – n = 0
unde x, yy, z sunt coordonatele punctului
p M din plan,
p
definit de:
   
OM  xa  yb  zc
 În cadrul unei familii de plane reticulare, planul cel mai
aproape de originea 0 a triedrului 0xyz are n=1.
 Distanţa care separă două plane consecutive dintr-o familie

de plane reticulare se numeşte echidistanţa d (hkl).
Sisteme cristaline
Oricare ar fi translaţiile, nu pot exista decât 7 celule elementare:

cele 7 sisteme cristaline.
Aceste celule elementare sunt numite primitive (se notează cu
P).
Ele nu conţin noduri decât în cele 8 vârfuri şi sunt caracterizate
de :
• valorile unghiurilor (, ,  ) ale triedrului de bază;
• lungimile
l i il a a, b, l t il triedrului
, b , c l laturilor
b  c ale t i d l i de
d bază;
b ă
• vectorii definiţi mai sus.
Sisteme cristaline
Utilizând un punct din reţea ca punct de

referinţă sau
sa origine,
origine fiecărui
fiecăr i punct
p nct al reţelei
îi pot fi date coordonate în raport cu
orientarea axelor (figura 1).
1)
Relaţiile
R l ţiil dintre
di t b c şii , ,  suntt
a, b,
dependente de simetria sistemului cristalin.
Tabelul 1 Sisteme cristaline
Nr.
Nr
crt. Sistemul de cristalizare Relaţii caracteristice
1. Sistemul cubic
abc       90o
abc
2. Sistemul
tetragonal abc       90o
3.
3 Sistemul     90 o
hexagonal
  120o
4
4. Sistemul rombic
abc       90o
Tabelul 1 (continuare) Sisteme cristaline
Nr.
Nr
crt. Sistemul de cristalizare Relaţii caracteristice
5. Sistemul
romboedric abc       90o
(trigonal)
abc
6. Sistemul     90 o
monoclinic abc
  90 o
7.
7 Sistemul triclinic
      90o
Reţele Bravais
În anul 1848 Auguste Bravais a demonstrat

că într
într-un
un sistem tridimensional există 14
tipuri de reţele, acestea incluzând reţelele
primitive prezentate anterior.
anterior
Practic,
P ti cele l 7 reţele
ţ l suplimentare
li t derivă
d i ă din
di
cele primitive.
Tabelul 2: Reţelele Bravais
Sistemul de cristalizare Nr. Celula elementară Relaţii caracteristice
a≠b≠c
Triclinic 1 Primitivă
α≠β≠γ
2 Primitivă a≠b≠c
Monoclinic
3 Centrată în volum α = β = 90° ≠ γ
4 Primitivă
5 Centrată pe bază a≠b≠c
Rombic
6 Centrată în volum α = β = γ = 90°
7 Centrată pe feţe
8 Primitivă a=b≠c
Tetragonal
9 Centrată în volum α = β = γ = 90°
a=b=c
Trigonal 10 Primitivă
α = β = γ < 120°, ≠ 90°
a=b≠c
Hexagonal 11 Primitivă
α = β = 90°, γ = 120°
12 Primitivă
a=b=c
Cubic 13 Centrată în volum
α = β = γ = 90°
14 Centrată pe feţe
Figura 4: Reţelele
Bravais
Număr de coordinaţie
Poliedre de coordinaţie
Noţiunea de coordinaţie, care descrie organizarea spaţială în
jurul unui atom, este la fel de importantă ca şi noţiunea de
valenţă.
Numărul
N ă l de d coordinaţie
di ţi este t numărul
ă l (N),
(N) all celor
l maii
apropiaţi vecini X ai unui atom A, în edificiul poliatomic AXn.
Numărul (N) este diferit de raportul stoechiometric n al

speciilor A şi X.
• SiO2: N = 4,
4 n= 2.
2
În legătura metalică, straturile de valenţă sunt
nesaturate, densitatea tinde să fie cât mai ridicată şi
numerele de coordinaţie sunt deosebit de mari.
Pentru legătura ionică, numărul N este funcţie de
raportul sarcinilor şi respingerilor electrostatice,
electrostatice şi,
şi în
anumite limite, de raportul razelor ionice.
• Dacă ionul central este prea mic şi A nu intră în contact
cu cei N ioni de X care îlî înconjoară,
î N scade pentru a
restabili o distanţă A-X minimă.
• Valorile uzuale ppentru N variază între 4 şşi 6.
În legătura covalentă (covalenţă simplă), numerele de
coordinaţie sunt date, în general, de regula octetului :
N = 8 – m,
unde m este numărul coloanei B ocupate de element în
tabelul periodic (N este deci numărul de electroni necesari
pentru ca elementul să-şi completeze octetul pe ultimul strat).
Exemple: Carbon C N.B

N B = IV N=8–4=4
Fluor F N.B = VII N=8–7=1
Numărul de coordinaţie scade dacă legătura este multiplă, şi
scade sau creşte
ş dacă structura este formată din ioni negativi
g
(OH-), respectiv ioni pozitivi (NH4+).
În cazul solidelor binare AmXn, numărul de coordinaţie este cu

atât mai mare, cu cât raportul dintre razele cationului şi
anionului (Rc/Ra) este mai mare.
Cunoscând numărul de coordinaţie N, poate fi determinată

dispunerea în spaţiu a vectorilor interatomici A - X. Se
construieşte astfel poliedrul de coordinaţie de centru A şi
vârfuri X (Tabelul 3).
Tabelul 3
Număr de Poliedre de
RC/RA Poliedru
coordinaţie coordinaţie
0,155
0 155 2 Linie
Triedru
>0,155 3
Tetraedru
>0,225 4
O t d
Octaedru
>0,414 6
Cub
>0,732 8
Dodecaedru
>1,000 12
Nanomateriale
ŞTIINŢA MATERIALELOR ANORGANICE

ŞI COMPOZITE
Curs Anul II / Semestrul II
Prof.Dr.Ing. Ecaterina ANDRONESCU
Nanomateriale
ŞTIINŢA MATERIALELOR ANORGANICE ŞI

COMPOZITE
CURSUL 1
GENERALITĂŢI
Definiţie
Ştiinţa materialelor defineşte legile şi furnizează mijloacele

necesare pentru a proiecta şi realiza diferite categorii de
materiale, cu anumite funcţii de utilizare.
Materialele sunt sisteme solide, care se definesc prin agregate de

atomi (molecule sau ioni) în care forţele de interacţiune sunt mai
importante decât agitaţia termică.
termică Între particule (atomi,
(atomi ioni,
ioni
molecule) se stabilesc anumite raporturi datorită modificării
straturilor de electroni, cu formarea legăturilor chimice.
Clasificare
Materiale:
• naturale (roci, lemn, minerale diverse);
• transformate chimic (fibre celulozice, cauciuc natural,

carbon);
• sintetice (metale, ceramici, sticle, materiale plastice).
Proprietăţi
Compoziţia chimică a unui material este, de cele mai

multe ori, primul criteriu cu ajutorul căruia pot fi
prevăzute anumite proprietăţi specifice.
Rolul impurităţilor nu trebuie neglijat, modificări
nesemnificative de compoziţie putând să:
• amelioreze sensibil anumite proprietăţi;
• conducă la comportamente speciale care nu sunt

benefice.
Proprietăţi
Obţinere Compoziţie Proprietăţi
FUNCŢIA DE UTILIZARE
Interacţiuni în solide
Datele experimentale au arătat că între atomi, ioni sau

molecule
l l există
i tă forţe
f ţ de d atracţie
t ţi şii de
d respingere,
i care suntt
dependente de distanţa între aceste particule.
Suprapunerea unui potenţial de respingere coulombian
(Er în
î figura
fi 1) şii a unuii potenţial
t ţi l de
d atracţie
t ţi (Ea) conduce
d la
l
potenţialul de interacţie (Ei), care descrie comportamentul
general al sistemelor solide.
Figura 1 : Dependenţa potenţialului de respingere, de
atracţie şi de interacţiune de distanţa r interatomică
Interacţiuni în solide
Diagrama pune în evidenţă existenţa unei distanţe ro între spaţiile

dintre atomi, ioni sau molecule, pentru care valoarea
potenţialului de interacţie este minimă şi forţele de respingere şi
de atracţie sunt în echilibru.
• distanţe r>ro sunt mai importante forţele de atracţie;
• distanţe r<ro sunt mai importante forţele de respingere.
respingere
O interacţiune este cu atât mai puternică, cu cât:

• distanţa de echilibru este mai mică;
• nivelul energetic Emin este mai scăzut.
Electronegativitatea
Afinitatea pentru electroni a elementelor chimice este

definită prin electronegativitatea acestora.
acestora
Electronegativitatea, determinată de Pauling, variază între 0,7

pentru cesiu şi 4,0
4 0 pentru fluor.
fluor
Electronegativitatea
Figura 2: Variaţia electronegativităţii în funcţie de
numărul atomic
Legături
L ăt i chimice
hi i
Legăturile chimice între elemente se stabilesc prin interacţia straturilor
lor de electroni.
Î funcţie
În f i de
d diferenţa
dif î
între l i i
electronegativitatea l l şii valoarea
elementelor l
electronegativităţii, legăturile chimice pot fi:
• ionice (transfer de electroni);
• covalente (p );
(punere în comun de electroni);
• metalice (punere în comun de electroni între toţi atomii).
În afara acestor legături primare, în corpurile solide se manifestă

l ăt i secundare,
legături d slabe,
l b rezultate
lt t din
di atracţia
t ţi dipolilor
di lil existenţi:
i t ţi
• forţe Van der Waals;
• punţi de hidrogen.
 Aceste interacţiuni conduc uneori la proprietăţi specifice.
Legături
ă i chimice
hi i
Interacţiunile între speciile care formează un corp solid sunt
legături de rezonanţă între două sau mai multe legături
chimice fundamentale.
• ionocovalente cu un aport mai
Oxizi: interacţiuni de rezonantă ionocovalente,
important de legaturi ionice;
• Carburi: interacţiunile de rezonanţă între legăturile covalente şi
metalice, cu o pondere mai mare a legaturilor covalente.
Interacţiunile puternice sunt acelea cu caracter preponderent

ionic sau covalent.
Legături
ă i chimice
hi i
Legături chimice
Diferitele tipuri de legături care pot să se stabilească între

speciile de atomi, molecule sau ioni care formează un corp
solid sunt unul din factorii care determină diversitatea
cristalină şi de proprietăţi a materialelor.
 Putem observa că
distanţa de echilibru este
mai mică în cazul
sistemelor cu legături
ionice, în comparaţie cu
cele caracterizate prin
interacţiuni
ţ metalice sau
Van der Waals.
 valoarea minimă de
energie de interacţiune
este mult mai scăzută;
 stabilitate ridicată a
sistemelor ionice.
Figura 3 : Energia potenţială de interacţiune pentru
sisteme cu legături van der Waals (curba A),
metalice (curba B) şi ionice (curba C)
 Cunoscând interacţiunile
între particulele care
formează un corp solid şi
modalităţile prin care se
realizează coeziunea lor,
se poate realiza
previzionarea şi
explicarea proprietăţilor
sale fizico-chimice.
fizico chimice
Figura
g 3 : Energia
g potenţială
p ţ de interacţiune
ţ pentru
p
sisteme cu legături van der Waals (curba A), metalice
(curba B) şi ionice (curba C)
Energia
i dde llegătură
ă ă
Pentru o distribuţie spaţială de sarcini electrice dată şi cunoscând

viteza electronilor şşi a nucleelor,, se p
poate calcula energia g de
legătură în reţeaua unui corp solid.
O formă cristalină oarecare poate fi stabilă numai dacă energia sa
totală este mai mică decât energia totală a speciilor constituente
aflate în stare liberă.
liberă
Diferenţa dintre energia sistemului de specii libere şi energia lor în
fază condensată se numeşte energie de legătură.
La creşterea temperaturii unui sistem, energia termică transmisă
sistemului
i t l i îi afectează
f t ă starea
t d ordine,
de di îi poate
t schimba
hi b starea
t d
de
agregare şi ca urmare proprietăţile.
Structura
În solidele cristaline, în vecinătatea imediată a unui
atom, a unei molecule sau a unui ion se găsesc
întotdeauna entităţi de acelaşi fel.
fel
Aceşti atomi (sau molecule/ioni) sunt aranjaţi în spaţiu

în mod periodic,
periodic ceea ce corespunde unei ordini la
mare distanţă.
Structura
St t
Orice abatere de la regula

geometrică de dispunere în
spaţiu
p ţ se numeşte
ş defect
de reţea.
• Suprafaţa cristalului real
reprezintă un defect al
reţelei,
reţelei deoarece
presupune întreruperea a (a)
jumătate din raporturile
de coordinare (legare) Figura 4: Dispunerea atomilor,
pentru atomii suprafeţei
suprafeţei. moleculelor sau ionilor într
într-un
un solid
cristalin (a), un solid amorf (b), un
lichid (c) şi un gaz (d)
Structura
St t
Starea amorfă a solidelor, considerată ca o stare de dezordine

ideală, este greu de realizat.
Este deci mai potrivit ca toate solidele care nu prezintă
caracteristicile stării cristaline să fie socotite generic, solide
necristaline, în interiorul acestora solidul amorf reprezentând o
stare limită,, ca şşi cristalul ideal în categoria
g solidelor cristaline.
Solidele deplin amorfe, cu structuri complet dezordonate, sunt
greu de obţinut, deoarece toate solidele prezintă o tendinţă de
ordonare şi de realizare, în consecinţă, a unei simetrii cât mai
ridicate, cu o energie liberă minimă, care le conferă stabilitate.
Structura
Într-un lichid sau într-un solid necristalin,

poziţiile entităţilor vecine sunt corelate, dar
ordinea
di nu se regăseşte
ă t la l di
distanţe
t ţ marii (Fi
(Fig. 4
b,c).
(b) (c)
Figura 4: Dispunerea atomilor,
moleculelor sau ionilor într-un solid
cristalin (a),
(a) un solid amorf (b),
(b) un lichid
(c) şi un gaz (d)
Structura
Solidul vitros se obţine prin răcirea rapidă a unei

topituri
i i cu o anumităi ă compoziţie.
ii
• Se caracterizează prin ordine la mică distanţă (se
păstrează simetria din gruparea coordinativă la
nivelul câtorva grupări) şi dezordine la mare
distanţă (fragmentele reţelei sunt dispuse diferit).
Structura
St t
În gaze, entităţile sunt distribuite în mod aleator şi se

află, în general, în mişcare rapidă (se defineşte
noţiunea de drum liber mediu) – Fig. 4 d.
(d)
Figura 4: Dispunerea atomilor, moleculelor
sau ionilor într-un solid cristalin (a), un
solid amorf (b), un lichid (c) şi un gaz (d)
Diagrama Weyl
Pe baza conceptului de profil

energetic, Weyl şi Marboe
sugerează
g imagini
g ale stării
energetice corespunzătoare
diferitelor grade de ordonare
a substanţelor solide (Fig. 5).
Structurile
St t il solide
lid necristaline,
i t li
nefiind structuri de echilibru,
se caracterizează prin profile
energetice mai ridicate decât
cele ale solidelor cristaline,
d i â d de
depinzând d starea lor
l ded
dezordine.
Figura 5 Diagrama Weyl

Diagrama Weyl
Pentru substanţele
necristaline, obţinute, de
exemplu, prin
condensarea vaporilor pe
o suprafaţă foarte rece,
profilul
fil l energetic
ti este
t
complet neregulat,
reflectând o stare de
înaltă dezordine (Fig.
(Fig 5.e.).
5e)
Fi
Figura 5 Diagrama
Di Weyl
W l
Diagrama Weyl
Starea limită corespunzătoare

cristalului
i t l l i id
ideall este
t dată
d tă de
d
curba a din figura 5: în acest
caz, profilul energetic
corespunde unei structuri de
echilibru, care tinde să se
realizeze la temperaturi joase.
Figura 5 Diagrama Weyl

Diagrama Weyl
Formarea unor defecte de reţea

determină variaţii ale energiei
potenţiale
t ţi l – curba b b din
di fi
figura 5
(cristalul real).
Starea energetică a cristalului real

nu este aşadar constantă în toată
reţeaua, şi corespunde unei valori
superioare a energiei pentru
cristalul ideal.
Fi
Figura 5 Diagrama
Di Weyl
W l
Diagrama Weyl
În cazul unei substanţe din care s-

a obţinut sticlă prin subrăcirea
((răcirea rapidă)
p ) topiturii
p
corespunzătoare, profilul
energetic este prezentat prin
curba d, figura 5.
Prin tratamente termice adecvate
se ajunge la o stare structurală
reflectată printr-un nivel energetic
mai scăzut şi prin variaţii mai
puţin importante ale energiei
potenţiale de la un punct la altul
în interiorul structurii (Fig. 5.c).
Fi
Figura 4:
4 Diagrama
Di Weyl
W l
Catedra de Ştiinţa şi Ingineria Materialelor Oxidice
şi Nanomateriale
ŞTIINŢA MATERIALELOR OXIDICE
CURSUL 6
STRUCTURI DE REFERINŢĂ ALE
SOLIDELOR CRISTALINE
CRISTALE IONICE
II. Structuri oxidice
1. Tip corindon
 simetrie trigonală;
 se formează pe baza octaedrelor MO6, unite prin câte trei
muchii şi situate în acelaşi plan;
 radicalul care se repetă este [MO3] (Figura 1.a).
a c
Fig. 1: Structura de tip corindon

1. Tip corindon
 Straturile de octaedre sunt interconectate prin
intermediul anumitor feţe (Figura 1.b), făcând astfel să
dispară golurile de la nivelul fiecărui strat de octaedre
(Figura 1.c).
a c
Fig. 1: Structura de tip corindon

1. Tip corindon
 Fiecare atom de oxigen devine comun pentru patru

atomi de metal, ceea ce conduce la o stoechiometrie
de tip M2O3.
 Metalul trivalent M poate fi: aluminiu (Al), titan (Ti),
vanadiu (V), crom (Cr), fier (Fe), galiu (Ga), etc.
 Corindonul în sine corespunde cazului în care M = Al.
1. Tip corindon
 Corindonul (oxid de aluminiu cu formula -Al2O3) în

stare pură este complet incolor.
 Poate totuşi să ia diferite culori, atunci când un metal
tranziţional înlocuieşte aluminiul în interiorul structurii :
 rubinul este roşu, deoarece conţine ioni de Cr3+;
 safirele galbene conţin ioni de Fe3+;
 safirele albastre se obţin când corindonul conţine ioni
Fe2+ - Ti4+ sau ioni Fe2+ - Fe3+.
 safirele verzi se obţin amestecând safirul albastru cu
cel galben.
1. Tip corindon
Fig. 2 : Influenţa
impurităţilor asupra
culorii cristalelor de
corindon
2. Tip perovskit
 MeIIMeIVO3, unde:
 MeII = Ca, Sr, Ba;
Octaedre TiO6
 MeIV = Ti, Zn, Sn;

Celula A
Fig. 3 : Structura de tip perovskit

2. Tip perovskit
 MeIMeIIX3, unde:
 MeI = K ;
 MeII = Hg ;
Octaedre TiO6
 X = F.
Celula A
 Are simetrie cubică,
centrată în volum şi
pe feţe.

2. Tip perovskit
 În cazul CaTiO3:
 Ti4+ se află în
coordinare
Octaedre TiO6
octaedrică N = 6 cu
Celula A
oxigenul;
 Ca2+ (cationul cu
cel mai mare volum
din structură) se
află în coordinare
dodecaedrică N =
12 cu oxigenul.
3. Tip spinel
 Tridimensională;
 Simetrie cubică
(Figura 4);
 Compuşi cu formula
generală MeIIMe2IIIO4,
unde:
 MeII – Mg2+, Fe2+,
Ni2+, Mn2+, Zn2+ ;
 MeIII – Al3+, Fe3+,
Cr3+, Mn3+.
Figura 4: Structura spinelică

1. Tip spinel
 Cationii se pot afla în

două tipuri de
raporturi de
coordinare cu anionii
de oxigen:
 tetraedrică;
 octaedrică.
Figura 4: Structura spinelică

3. Tip spinel
 În funcţie de modul de ocupare al interstiţiilor octaedrice şi
tetraedrice, se întâlnesc două tipuri de structuri spinelice:
 Structură normală:
 cationii Me
2+ şi Me3+ sunt situaţi în 1/8 din grupările
tetraedrice şi în 1/2 din grupările octaedrice;

 Ex.: MgAl2O4;
 Structură inversă:
 jumătate din interstiţiile octaedrice sunt ocupate statistic de
amândouă tipurile de cationi, în proporţii egale;

 cationii rămaşi, mai polarizanţi, sunt situaţi în interstiţiile
tetraedrice;
 Ex.: MgFe2O4.
3. Tip spinel
 Spinelul magnezian pur

estre transparent (Figura
5.a), dar impurităţile pot
să-i dea o mare varietate
de culori.
a
Fig. 5: Cristale de spinel magnezian
3. Tip spinel
 Toate culorile sunt

utilizate, dar cea mai
preţioasă şi cunoscută
este piatra de culoare
roşie (Figura 5.b).
 Seamănă foarte bine cu
rubinul, în prezent
distincţia fiind realizată
prin teste de duritate şi
cu raze X. b
Fig. 5: Cristale de spinel magnezian
4. Tip rutil TiO2
 Mineralele rutil, brookit şi anatas au aceeaşi formulă
chimică, dar sunt diferite din punct de vedere structural.
 La temperaturi de aproximativ 915oC, anatasul se
transformă în rutil.
 Rutilul este cel mai comun şi mai cunoscut dintre cele trei
minerale, în timp ce anatasul este cel mai rar.
 Au proprietăţi asemănătoare în ceea ce priveşte aspectul,
duritatea şi densitatea, dar din cauza structurii se
diferenţiază de exemplu, prin clivaj.
4. Tip rutil TiO2
 Anatasul şi rutilul au aceeaşi simetrie tetragonală.
 În rutil structura este constituită din grupări octaedrice de TiO2,
care au două feţe comune cu alte două grupări octaedrice,
formând lanţuri.
O
Ti
Fig. 6: Structura rutilului
4. Tip rutil TiO2
 În structura rutilului :
 fiecare cation este înconjurat de şase anioni;
 fiecare anion este înconjurat de trei cationi.
O
Ti
Fig. 6: Structura rutilului
4. Tip rutil TiO2
 În anatas, grupările octaedrice au în comun patru feţe.
Ti Fig. 7: Structura anatasului

4. Tip rutil TiO2
 Cristalele de anatas au o formă particulară, care se poate
distinge foarte uşor: formează piramide tetragonale cu opt feţe,
alungite.
Ti Fig. 7: Structura anatasului

III. Structuri neoxidice
1. Nitrura de siliciu
 Nitrura de siliciu se caracterizează prin:

 rezistenţă la temperaturi ridicate;
 caracteristici mecanice performante;
 rezistenţa la fluaj;
 rezistenţă la oxidare;
 coeficient de expansiune termică scăzut;
 rezistenţă la şoc mecanic superioară.
 Nitrurade siliciu prezintă o structură hexagonală,

asemănătoare diamantului (Figura 8).
 Fig. 8 : Structura Si3N4

 În celula elementară se găsesc 64 de atomi, dintre care :
 28 de siliciu ;
 36 de hidrogen, distribuiţi statistic.

 Atomii de Si se află în raport de coordinare tetragonal cu

atomii de N.

2. Carbura de siliciu
 Carbura de siliciu se caracterizează prin

proprietăţi remarcabile, cum ar fi:
 duritate ridicată;
 rezistenţă bună la şocuri termice;
 coeficient de conductivitate termică ridicat;
 coeficient de dilatare termică scăzut;
 excelentă inerţie chimică.
2. Carbura de siliciu
 Se aseamănă structural cu nitrura

de siliciu (Figura 9).
Fig. 9: Structura carburii de siliciu

Catedra de Ştiinţa şi Ingineria Materialelor Oxidice
şi Nanomateriale
ŞTIINŢA MATERIALELOR AORGANICE SI

COMPOZITE
CURSUL 7
TEXTURA
TEXTURA
Reprezintă modalitatea de dispunere în corpul solid a
fazelor alcătuitoare (fig. 1). Depinde în cea mai mare
măsură de modalitatea de procesare şi în mai mică
măsură de natura speciilor din reţea.
Textura provizorie: caracterizează

materialul înainte de ardere, după
fasonare;
Textura definitivă: caracterizează
materialul după ardere;
Textura degradată: caracterizează
materialul la încheierea utilizării
ceramicii. Fig. 1: Material compozit ceramic
TEXTURA
Textura provizorie este dată de modul în care
componentele amestecului de materii prime se dispun, în
principal în timpul operaţiei de fasonare.
Textura provizorie este influenţată de:

 Gradul de dispersie a materiilor prime;
 Omogenitatea obţinută prin mărunţire şi omogenizare;
 Tipul de operaţie de fasonare utilizat.
Textura provizorie influenţează textura definitivă,

determinând-o în bună parte.
TEXTURA
Textura definitivă se obţine în urma arderii şi reprezintă
consecinţa proceselor fizico-chimice care au loc.
Aceste procese pot fi:

 deshidratare, descompunere, reacţii chimice cu formare
de compuşi noi;
 transformări polimorfe;
 apariţia topiturii şi solubilizarea în topitură a
componenţilor solizi;
 cristalizarea de faze noi şi procese de recristalizare;
 crearea de punţi de legătură între fazele ce constituie
sistemul, cu eliminarea parţială sau totală a porozităţii.
TEXTURA
Textura definitivă presupune de regulă coexistenţa mai

multor faze, inclusiv o fază de compoziţie zero.
Textura definitivă este influenţată:
 de modul în care fazele alcătuitoare se

interconectează, prin tăria punţilor prin care se leagă;
 distribuţia şi forma porilor.

TEXTURA
Textura definitivă poate fi evaluată, apreciată cantitativ,
prin:
1. Natura fazelor alcătuitoare

Textura definitivă reprezintă o însumare a proprietăţilor
fiecărei faze componente, sumă ponderată de procentul în
care fiecare fază se află în amestec.
Prezenţa incluziunilor tensionează reţeaua cristalină, ele
fiind frecvent înconjurate de o reţea de fisuri care apar în
timpul tratamentului termic, datorită diferenţei de
coeficient de dilatare termică între incluziune şi matrice.
TEXTURA
2. Natura cristalelor (granulelor) fazelor
Anisotropia dilatării termice a cristalelor este o cauză
importantă pentru apariţia microfisurilor.
Dacă sticlele (izotrope în ceea ce priveşte toate
proprietăţile) şi cristalele cubice (de asemenea izotrope) nu
au decât un singur coeficient de dilatare termică, pentru
cristalele cu simetrie mai scăzută coeficientul de dilatare
termică diferă în funcţie de direcţia din cristal. În
consecinţă, pentru astfel de materiale policristaline, în
timpul tratamentului termic la limitele intergranulare apar
tensiuni, ce pot conduce la formarea microfisurilor.
TEXTURA
Dimensiunea microfisurilor, care apar datorită diferenţelor
de coeficient de dilatare termică, sunt de ordinul mărimii
grăunţilor cristalini. Astfel, experimentele arată că pentru un
material cu grăunţi de dimensiuni mici, pentru care
microfisurile ce pot apare au la rândul lor dimensiuni mai
mici, rezistenţa la rupere este mai mare decât cea pentru
un material cu grăunţi cristalini de dimensiuni mari.
Toate defectele structurale favorizează apariţia

microfisurilor. Fenomenele de alunecare şi clivaj sunt astfel
puternic influenţate de prezenţa dislocaţiilor.
TEXTURA
 Mărimea cristalelor este consecinţa echilibrului

geometric care se stabileşte între faze în procesele de
reacţie, nucleaţie şi creştere a cristalelor.
Echilibrele geometrice nu se suprapun întotdeauna cu

echilibrele fizice sau chimice, creşterea cristalelor având
loc adesea după ce acestea s-au încheiat.
TEXTURA
În procesele de creştere a cristalelor pot apare fenomene
de întrepătrundere pentru cristalele aceleiaşi faze, sau de
frânare a creşterii pentru cristale aparţinând fazelor diferite
(fig. 2). Aceste procese dau naştere unor tensiuni
mecanice care au consecinţe negative asupra
comportamentului mecanic al materialului.
 pentru materialele multifazice

este foarte probabil ca la
interfeţele dintre faze să existe o
concentraţie de tensiuni.
Fig. 2: Cristale de nitrură de siliciu

TEXTURA
Fig. 3: Cristale aciculare de KCl Fig. 4: Cristale cubice (compus organic)
 Forma cristalelor (foioase, tabulare, dentritice, aciculare) –

fig. 3 şi 4
Prin împletirea cristalelor de forme diferite se obţine o textură
ce conferă materialului o rezistenţă bună la întindere.
TEXTURA
3. Porozitatea
Este o fază de compoziţie zero, caracterizată prin lipsa de
interacţiune între speciile reţelei. Porii reprezintă deci o
discontinuitate în textura materialului, cu rezistenţă
mecanică zero.
Este de menţionat faptul că nu valoarea porozităţii este
determinantă pentru caracteristicile mecanice ale
materialului, ci mai de grabă dimensiunea medie a porilor şi
distribuţia taliei porilor în jurul acestei dimensiuni. Astfel, o
porozitate importantă (~ 20%), dar constituită din pori de
dimensiuni mici, este preferabilă unei porozităţi mai
scăzute, dacă aceasta presupune pori izolaţi de dimensiuni
mari.
TEXTURA
 După dimensiuni, porii pot fi:
- foarte mari: > 1mm
- mari: 25 m – 1 mm
- micronici: 1 – 25 m
- submicronici: < 1 m
 După aşezare, porii pot fi:

- intergranulari (situaţi
la limita între granule)
- intragranulari (situaţi
în interiorul granulelor)
Fig. 5: Imaginea microscopică a unei probe
de hidroxilapatită sinterizată
TEXTURA
 După formă, porii pot fi:

- cilindrici
- sferici
- unghiulari
Marea majoritate a porilor au forme cilindrice şi se

interconectează. Ei reprezintă, în cele mai multe dintre
cazuri, puncte de unde se iniţiază ruperea.
TEXTURA
a b c
Fig. 6: Pori deschişi (a), închişi (b) şi „înfundaţi” (c)
Porozitatea poate fi:

 Deschisă: constituită de porii deschişi către suprafaţa
materialului;
 Închisă: constituită de porii care nu comunică nici cu
suprafaţa materialului şi nici cu porii deschişi;
 Închisă la un capăt: constituită de porii care comunică
într-o singură direcţie cu suprafaţa.
TEXTURA
Porozitatea deschisă contribuie în mare măsură la

degradarea texturii prin coroziune, deoarece substanţele
corozive pot pătrunde în pori şi astfel suprafaţa de
contact cu agentul coroziv creşte, şi deci şi viteza de
coroziune.
TEXTURA
Densitatea relativă, definită ca raportul dintre densitatea

aparentă a corpului solid şi cea teoretică a fazelor din
care este acesta alcătuit, exprimă gradul de densificare.
a r – densitate relativă [%]

r  %  a – densitate aparentă [g/cm3]
t t – densitate teoretică [g/cm3]
 Cu cât valoarea densităţii relative este mai

apropiată de 1, cu atât materialul este mai dens (are
porozitate mai mică), şi deci are un comportament
mecanic mai bun.
Facultatea de Chimie Aplicată şi Ştiinţa
Materialelor
Catedra de Ştiinţa şi Ingineria Materialelor
Oxidice şi Nanomateriale
DIAGRAME DE ECHILIBRU
TERMIC FAZAL
C. SISTEME TERNARE
I. Sistemul ternar
elementar
I. SISTEM TERNAR ELEMENTAR
Reprezentare în coordonate T-x
TC
TA
e3
TB
e1 e2
TE E
e3
A C
E e2
e1
B
• ST → 3 sisteme binare (SB)

AC: e1
BC: e3
AB: e2
• Pentru fiecare sistem binar avem un plan

perpendicular pe planul ∆ABC cu e1, e2 şi e3;
• Curbe liquidus binare

TAe1, TCe1
TCe3, TBe3
TBe2, TAe2
• Curbe liquidus ternare: e1E, e2E, e3E
• Suprafaţa liquidus ternară: constituită din trei

porţiuni, fiecare pornind dintr-un maxim şi
desfăcându-se către eutecticele SB care conţin
componenţii respectivi:
TAe1e2E
TBe2e3E
TCe1e3E
 se unesc în E (punct de minim) – punctul

invariant ternar
 se unesc două câte două după curbele liquidus

ternare: TAe1e2E 
TBe1e2E = e1E
Traseu de cristalizare / topire
TC
TA
LM
TM
e3
Tr Lr
TB
e1 e2
TE E
e3
A r C
M
E e2
e1
B
Traseu de cristalizare / topire
 M - cristalizarea (aparţine câmpului de cristalizare primară a

componentului A)
T>TM: liq (M)

• Temperatura TM este dată de intersecţia perpendicularei în punctul M
cu suprafaţa liquidus  este temperatura la care apare un prim cristal,
în cazul masei M, de component A.
TM - Tr: A + liq (lM – lr)V=2, cristalizare primară

• Topitura sărăceşte în A, compoziţia ei evoluând de-a lungul suprafeţei
liquidus ternare.
Tr – TE: A + C + liq (lr – lE) V=1, cristalizare secundară

• Cristalizează concomitent A şi C, iar compoziţia topiturii evoluează de-a
lungul curbei liquidus ternare e3E.
TE: A + C + B + liq E V=O, cristalizare terţiară
T< TE: A+B+C

Reprezentare în coordonate de compoziţie
e3 e2
Câmp de
cristalizare B
primară
A B
e1
Izoterme
1100
1000
900
C
800
e3 700 e2
600
A B
e1
• Curbele izoterme se obţin la intersecţia triunghiurilor izoterme cu

suprafeţele liquidus ternare şi se proiectează în plan în conformitate
cu reprezentarea din figură.
Determinarea compoziţiei unui amestec ternar
C
100 0
80 20
%C
60 40 %B
%A %C
40 60
M
20 80
0 100
A 100 80 60 40 20 0
B
%B %C %A
%B
%A
Trasee de topire / cristalizare
e3 e2
r1
A
M1
r2
M3
B
M2
A e1 B
● M1 – cristalizare ● M2 – topire ● M3 – cristalizare
T > TM liq (M1) T < TE A+B+C T > TM3 liq (M3)
1
TM – Tr A+liq(M1 → r1) TE A+B+C+liq E V=0 TM – TE A+liq(M3 → E)
1 1 3 3
Tr – TE A+C+liq(r1 → E) TE – Tr A+B+liq(E → r2) TE A+B+C+liq E
1 2
TE A+B+C+liq E Tr – TM A+liq(r2 → M2) V=0
2 2
T < TE A+B+C T > TM liq (M2) T < TE A+B+C
2
e3 M5 e2
r4
M4
B
A e1 B
M4 Topirea M5 Cristalizarea
• T< TE: A+B+C • T> TM5: liq(M5)
• TE –Tr4: B+C+liq (E –lr4) • TM5 -TE: C +A+liq (lr5 – E)
• Tr4--TM4: B+liq (lr4 – lM4) • TE: C+A+B+liq E
• T> TM4: liq(M4) • TTE: C+A+B
 În vederea reprezentării traseelor de topire / cristalizare în

proiecţie plană:
– se fixează punctul reprezentând amestecul pe diagramă;
– se uneşte punctul ales cu vârful triunghiului corespunzător
componentului în al cărui câmp de cristalizare primară
este situat amestecul;
– dreapta astfel obţinută intersectează curba liquidus
ternară într-un punct r;
– cristalizarea primară începe la temperatura care se citeşte
pe izoterma în dreptul punctului corespunzător
amestecului şi se termină în punctul r;
– traseul de cristalizare evoluează de-a lungul curbei
liquidus ternare, până în punctul E.
RELAŢII CANTITATIVE – PERIOADA PRIMARĂ
DE SOLIDIFICARE
e2
C e1
r
L1 B
A
A P’ P e3 B
%liq L1 %A
T1
%liq r %A Tr
RELAŢII CANTITATIVE – PERIOADA PRIMARĂ DE
SOLIDIFICARE
 Tratamente termice:
– Răcire la echilibru termodinamic: masa solidificată va fi
constituită din cristale de A, B, C în procente
corespunzătoare componenţilor amestecului respectiv.
– Răcire rapidă: echilibrul termodinamic este întrerupt într-o
anumită fază a procesului de solidificare → cristalizare
primară, secundară.
– La solidificarea topiturii se obţine fază vitroasă deoarece o
parte din componenţii sistemului nu apucă să cristalizeze.
 Se întrerupe echilibrul termodinamic la T1, când faza liq.

în echilibru cu cristale de A are compoziţia L1 → în faza de
cristalizare primară.
• Masa M este constituită din A + B + liq. L1, M € ∆AL1B
• Cantitatea de:
- liq.: proporţională cu segmentul AM
- A : proporţională cu segmentul ML1
• Unim L1 cu B şi ducem o paralelă la L1B din M, care
intersectează AB în P.
– segm. BP = % A
– segm. Ap = % liq. L1
 Se intrerupe echilibrul termodinamic la Tr – analog.
RELAŢII CANTITATIVE – PERIOADA SECUNDARĂ DE
SOLIDIFICARE
e2
C e1
E
L2
M
A B
A b2 bE b a pE p2 e3 B
%B %liq L2 %A T2
%B %liq E %A T
%B %C %A E
Solidificare
completă
RELAŢII CANTITATIVE – PERIOADA SECUNDARĂ DE
SOLIDIFICARE
 Se întrerupe echilibrul termodinamic la T2, când faza liq.

în echilibru cu cristale de A are compoziţia L2 → în faza de
cristalizare secundară.
• Masa M este constituită din A + B + liq. L2, M € ∆AL2B
• Se duce o paralelă din M la latura opusă lui B (AL2) care
intersectează AB în b2. Se duce o paralelă din M la latura
opusă lui A (BL2) care intersectează AB în p2.
– segm. Ab2 = % B
– segm. Bp2 = % A
– segm. b2p2 = % liq. L2
 Se întrerupe echilibrul termodinamic la TE, când faza liq.
în echilibru cu cristale de A şi B are compoziţia LE → în
faza de cristalizare terţiară.
• Masa M este constituită din A + B + liq. LE, M € ∆ALEB
• Se duce o paralelă din M la latura opusă lui B (ALE) care
intersectează AB în bE. Se duce o paralelă din m la latura
opusă lui A (BLE) care intersectează AB în pE.
– segm. AbE = % B
– segm. BpE = % A
– segm. bEpE = % liq. LE
 Prin solidificarea de echilibru a masei M:

• Prin M ducem parelele la laturile ∆ABC.
• Cantitatea de:
– A: proporţională cu segmentul aB
– B: proporţională cu segmentul Ab
– C: proporţională cu segmentul ab
Materialelor
Catedra de Ştiinţa şi Ingineria Materialelor Oxidice şi Nanomateriale
TERMIC FAZAL
B. SISTEME BINARE
I. Sistemul binar elementar

Generalităţi
TA • A, B: componenţii
sistemului binar
•TA: Temperatura de topire
a compusului A
•TB: Temperatura de topire
TB
a compusului B
• Te: Temperatura
eutectică
Te
e • e: amestecul binar cu
cea mai joasă temperatură
de topire
T
A B
xB xA
Generalităţi
TA • TAe, TBe: curbe liquidus –

indică punctele de coordonate
II T-x, la care apare pentru
prima dată faza solidă la
I răcire, sau se termină topirea,
Liq la încălzire;
TB
• TATeeTeTB: drepte solidus;
A+liq III
B+liq • Dreptele solidus şi curbele
liquidus delimitează patru
Te
e zone ale sistemului, dpdv al
compoziţiei fazale:
IV  I: F=2 A+liq
A+B
 II: F=1 Liq
A B  III: F=2 B+liq

 IV: F=2 A+B
Cristalizare Mx
TA
Tx lx • T > Tx: liq Mx
T1 l1 Liq
l2 • Tx: A + liq lx
T2
• Tx – Te:
TB A + liq (lx- le)

T3 l3
- Etapă de cristalizare
primară (A cristalizează
A+liq B+liq singur)
Te
e • Te: A + B + liq le
3+V = 2+1 =>V=0
A+B
(sistem invariant)
- Etapă de cristalizare
A Mx L1 L2 L3 B secundară (A şi B
cristalizează simultan)
• T < Te: A + B
TA
Liq Topire My
• T < Te: A+B
TB • Te: A + B + liq le
A+liq ly 3+V = 2+1 =>V=0
Ty
B+liq (sistem invariant)
Te • Te – Ty:
e
B + liq (le - ly)
A+B • Ty: B + liq ly
•T > Ty: liq My
A B  Orice masă din sistem
My cristalizează, respectiv se
topeşte, pe un interval de
temperatură.
TA
Liq Te:
• punct invariant al sistemului;
TB • temperatura la care se
A+liq încheie procesul de
cristalizare, sau începe
B+liq procesul de topire pentru
Te orice masă din sistem;
e
• este singura masă din
sistem, care, deşi nu este un
A+B compus chimic definit, se
topeşte la o temperatură
definită.
A B
Relaţii cantitative
• G = cantitatea de amestec M
TA • S = cantitatea de fază solidă
(cristale A) la TX
• L = cantitatea de fază lichidă
(topitura lx) la TX
a m lx
Tx
TB
S L • Legea conservării masei:

G
Te G=S+L
e
A B
M L P
Liq. lx A
• Ţinând cont de compoziţia amestecului M şi a topiturii Lx, se poate scrie:

AM
cantitatea de B în amestecul iniţial: G 
100
ALx
cantitatea de B în topitura Lx: L 
100
• Dar întreaga cantitate de B din amestecul iniţial se află în topitură la
temperatura tx, deci:
AM ALx AM
G  L iar L  G
100 100 ALx
• Deci: AM ALx  AM ML x
S G  LG G G G
ALx ALx ALx
ML x
• Prin urmare: S G
ALx
ML x
G
S AL x ML x mlx
• Se poate scrie că:
L

AM

AM

G am
ALx
cantitate _ cristale _ A ml
 x
cantitate _ topitură _( Lx) am
TA
a m lx
Tx
TB
S L Regula pârghiei:
G mlx
Te %A  *100
e al x
am
%liql x  *100
al x
A B
M L P
Liq. lx A
• Regula pârghiei poate fi utilizată pentru determinarea cantităţilor de faze aflate în

echilibru, la o anumită temperatură, pentru o masă cu o anumită compoziţie.
 vectorul G, aplicat pe pârghia al x în punctul m, se descompune în componentele S şi

L (L = G – S), aplicate la extremităţile pârghiei conform raportului braţelor.
• Pentru a evita măsurarea segmentelor am şi mlx , respectiv pentru a obţine raportul

fazelor direct în procente, acestea se transpun pe abscisa AB a diagramei, care este
împărţită în 100 părţi.
• Transpunerea se realizează prin unirea extremităţilor segmentelor al x şi AB .
• Prelungind dreptele Aa şi respectiv Blx, acestea se intersectează în punctul O.
• Din acest punct se duce apoi o dreaptă prin punctul m până la intersecţia cu abscisa
AB în punctul P.
• Pe baza asemănării
TA triunghiurilor:
ΔamO ~ ΔAPO şi
ΔmlxO ~ ΔPBO,
a m se poate scrie:
lx
Tx am AP
TB 
mlx PB
S L • Deci, la temperatura Tx
G
Te există:
e
AP % fază lichidă (topitură)
PB % fază solidă (cristale A)
A B
M L P
Liq. lx A
Efecte termice
c
TB TB d
Liq. 2
T2 T2 c2
TA
1 B+liq.
T1 T1 c1
A+liq.
e a1 a2 a a1 a2
Te Te Te
b b1 b b2 b
b1 b2
b
A e B e Timp
M1 M2 M1 M2 B
Efecte termice
• Amestecul eutectic binar e: prezintă la temperatura Te un palier ab foarte pronunţat,

datorat efectul endotermic de topire a întregii mase la Te.
• Amestecul M1 prezinta la Te un palier a1b1 mai mic, care evidenţiază un efect termic
cantitativ mai slab, deoarece cantitatea de masă ce intră în topire este mai mică decât
pentru amestecul e.
- Dacă viteza de încalzire a cuptorului este constantă, se observă că de la te la t1 curba
de încălzire a masei, b1c1, are o inflexiune. Aceasta arată că între te şi t1 cristalele de B,
topindu-se treptat, odată cu creşterea temperaturii, dezvoltă un efect endotermic
constant în acest interval.
- La T1 apare o altă inflexiune, c1, curba de încălzire urcând cu viteza mai mare, ceea
ce arată o schimbare a cineticii procesului endotermic.
- Efectul termic total este suma celor două efecte: ab = a1b1 + b1b.
• Comparând mărimea efectului termic total dat de amestecul M1, cu cel dat de amestecul
eutectic e, se constată egalitatea lor, dacă cei doi compusi A şi B au căldurile de topire
egale. În cazul în care aceştia au căldurile de topire diferite, atunci, trebuie luată în
considerare media ponderată a căldurilor lor.
• Amestecul B prezintă o curbă pentru care efectul termic la Te este zero.
- La Tb apare, în locul inflexiunii (c) un palier cd, care marchează efectul termic de
topire a compusului B.
Efecte termice
TB
• Efectul termic la punctul invariant Te:
- este maxim pentru amestecul eutectic;
Liq. 2
T2 - este nul pentru amestecurile unare A şi B.
TA
• Variaţia efectului termic la Te este figurată în
1 B+liq.
T1 sistemul AB prin triunghiul cu varfurile Te – b – Te.
A+liq.
e a1 a2
Te Te
b1 b2
b
A e B
M1 M2
Materialelor
TERMIC FAZAL
II. Sistemul binar în care se

formează compuşi binari
II.1. COMPUS BINAR CONGRUENT
AmBn=AB
I II
TA
Liq Liq TB
TA B
Sistemul este împărţit în
m n
două subsisteme:
A+liq
I: A-AB  e1
Am Bn+
Te II: AB-B  e2
1
e1 liq B+liq
Te
2
e2
A+AmBn
AmBn+B
A AmBn B
II.1 COMPUS BINAR CONGRUENT
I II
TA
Cristalizare Mx
Liq Liq TB • T > T : liq M
x x
TA B • Tx: AB + liq lx
m n
A+liq • Tx – Te:
ℓx
Am Bn+ Tx AB + liq (lx- le)
Te
1
e1 liq B+liq • Te: AB + B + liq le
3+V = 2+1 =>V=0
Te
2
e2 (sistem invariant)
A+AmBn
• T < Te: AB + B
AmBn+B
A AmBn Mx B
II.1 COMPUS BINAR CONGRUENT
I II
TA
Liq Liq TB
Regulile de parageneză:
TA B
m n • Fiecare dintre subsistemele
A+liq formate ascultă de propriul
eutectic;
Am Bn+
Te • La solidificarea de echilibru
1
e1 liq B+liq a unei mase dintr-un
Te subsistem se formează
e2 2 compuşii de margine ai
A+AmBn subsistemului respectiv;
AmBn+B • Relaţiile cantitative se
definesc analog sistemului
binar simplu pentru fiecare
A AmBn B subsistem.
II.2 COMPUS BINAR INCONGRUENT ÎN PREZENŢA FAZEI LICHIDE
Trasee de topire / cristalizare. Zone cu resorbţie
I II Sistemul este împărţit în

TB două subsisteme:
TA I: A-AB  e1
Liq II: AB-B  g2
B+liq
Tg2
A+ g2 AmBn  B + liq g2
Tg
2
liq
AmBn+liq g: punct invariant peritectic
Te Tg: temperatura de
1 e1 AmBn+B
descompunere a compusului
incongruent în topitură şi
A+AmBn unul dintre componenţii
sistemului
A g2 AmBn B
FR
I II
TB Tg2
AmBn  B + liq g2
TA
Liq • Cristalele de AmBn apar la
solidificare prin interacţia
B+liq lui B cu liq. g, la
temperatura Tg.
A+ g2
Tg
2
• Procesul se numeşte
liq resorbţia lui B în topitura g,
AmBn+liq cu formare de AmBn.
Te Parţială
1 e1 AmBn+B
Totală
A+AmBn
A g2 AmBn B
FR
I II
TB Tg2
AmBn  B + liq g2
TA
Liq
B+liq
A+ g2
Tg
2
liq ℓM1
AmBn+liq TM1
Te M1 - FR
1 e1 AmBn+B
• T>TM1: liq(M1)
A+AmBn •TM – Te : AB + liq (lM1-le1)
1
•Te : AB + A + liq le1
1
V=0
•T < Te : AB + A
A M1 g2 AmBn B 1
FR RT(B)
I II
TB
• Resorbţia decurge la
TA temperatură constantă până când
Liq B dispare total – resorbţie totală.
ℓM
2 B+liq
TM M2 – RT(B)
2
g2 T>TM2: liq(M2)
A+ b
Tg TM – Tg2: B + liq (ℓM → g2)
2 2
liq 2
Tg2: B + AB + liq g2
AmBn+liq Tg2
Te AB  B + liq g2
1 e1 AmBn+B
V = 0 (resorbţia totală a lui B )
A+AmBn Tg – Te1: AB + liq (g2 → e1)
2
Te1: AB + A + liq e1
V=0
T < Te : AB + A
A M2 AmBn B 1
Tg
II.2 COMPUS BINAR
AmBn ⇋ B + liq g2
2
O
INCONGRUENT ÎN PREZENŢA
RP(B) FAZEI LICHIDE
RT(B)
I Resorbţia totală – evidenţierea
II TB cantitativă
TA • Resorbţia totală are loc la

Liq temperatura peritecticului g2.
ℓM
2
B+liq TM2 Pentru evidenţierea
cantitativă a resorbţiei este
necesar să determinăm grafic
A+ g2 m b’ b cantităţile de faze prezente
Tg înainte şi după fenomenul de
liq 2
resorbţie:
AmBn+liq -ÎR: B + liq g2 (pârghia g2b)
Te -DR: AB + liq g2 (pârghia g2b’)
1 e1 AmBn+B
A+AmBn
M2 B
A AmBn
B liq g2 Înainte de resorbţia totală ÎR
AmBn liq g2 După de resorbţia totală DR
FR RT(B) RP(B)
I II
TB
ℓM3
TM
3
TA
Liq
• Resorbţia decurge la
B+liq temperatură constantă Tg2, B nu
dispare total – resorbţie parţială.
A+ g2 b
Tg
liq 2
M3 – RP(B)
AmBn+liq T>TM3: liq(M3)
Te TM – Tg : B + liq (ℓM → g2)
3 2 3
1 e1 AmBn+B Tg : B + AB + liq g2
2
Tg2
A+AmBn AB  B + liq g2
(resorbţia parţială a lui B)

V=0
A AmBn M3 B T < Tg : B + AmBn
2
Tg
II.2 COMPUS BINAR
AmBn ⇋ B + liq g2
2
O
INCONGRUENT ÎN PREZENŢA
RP(B) FAZEI LICHIDE
RT(B)
I II Resorbţia parţială –
TB evidenţierea cantitativă
ℓM
3 TM
3
TA O’ • Resorbţia parţială are loc la
Liq temperatura peritecticului g2.
B+liq Pentru evidenţierea

cantitativă a resorbţiei este
necesar să determinăm grafic
A+ g2 b’ m b cantităţile de faze prezente
Tg înainte şi după fenomenul de
liq 2
resorbţie:
AmBn+liq -ÎR: B + liq g2 (pârghia g2b)
Te -DR: B + AB (pârghia g2b)
1 e1 AmBn+B
A+AmBn
AmBn M3
A B
B liq g2 Înainte de resorbţia parţială
B AmBn După resorbţia parţială
Tratamente termice
FR RT(B) RP(B)
I II
TB
1. Răcire bruscă, de la Tg2, cu
întreruperea integrală a
TA
echilibrului;
Liq
• Masa solidificată este formată din
B+liq cristale primare de B şi sticlă de
compozitie g2;
A+ g2 b
Tg • Resorbţia este împiedicată.
liq 2
• În vederea determinării cantitative
AmBn+liq a fazelor prezente, ne referim la
Te pârghia g2b.
1 e1 AmBn+B
A+AmBn
A AmBn B
Tratamente termice
2. Tratament de răcire moderată: topitura g2, îngheţată la Tg2, se poate comporta ca un

amestec din sistemul I (A - AmBn), cu cristalizare independentă  echilibrul este
întrerupt parţial;
• Cantitatea de B formată în etapa de cristalizare primară rămâne nemodificată

(segmentul Ap);
• Cantitatea de topitura g2-pB cristalizează independent, cu formare de A şi AB, la

temperatura Te1;
• În vederea determinării cantitative a fazelor prezente, ne referim la pârghia ad’, care

este împărţită în două segmente de perpendiculara din g2;
• Unim capetele segmentului pB cu cele ale pârghiei şi astfel determinăm cantiţile de A şi

AB formate din topitura g2;
• La sfârşitul solidificării, care a avut loc cu întreruperea resorbţiei, în amestec se găsesc

B, A şi AB, faza B fiind fază de neechilibru.
1. Tratament de răcire lentă: solidificarea are loc la echilibru complet, conform traseului
de topire / cristalizare.
• În vederea determinării cantitative a fazelor prezente, ne referim la pârghia ad’, care

este împărţită în două segmente de perpendiculara din M1.
Tratamente termice
O’ TB
Liq
O’’
ℓM B+Liq
g2 1
d TM
TA 1
b Tg2
m1
A+ AmBn+liq
Te liq d’ B+AmBn
1 a e1 g 2’ m 1’
A+AmBn
A p p’ p’’ B
liq g2
M1 Am Bn
Răcire rapidă B
Răcire moderată B Am B n A
Răcire de echilibru A m Bn A
Efecte termice
3 TB TB c
d
T3 c3
2 T2
g2 c2
Tg Tg h h
TA
1 2 2 g2 d
T1 d
c1 g3
e1 a a
Te Te
1 1 b b1 b b2 b
A m Bn B
A e M1 M2 M3 e M1 M2 M3 B
II.3 SISTEM BINAR INCONGRUENT IN PREZENŢA FAZEI SOLIDE,
STABIL DEASUPRA UNEI LIMITE DE TEMPERATURĂ
TA
liq
TAmBn
TAmBn
A+liq.
TB T > Tg: compusul AmBn stabil,
Te1 AmBn+liq. sistemul se comporta ca un
e1 AmBn+liq. B+liq. SB cu CB congruent,
constituit din 2 subsisteme cu
Te2
e2 eutectic propriu (A – AmBn cu
e1 si AmBn – B cu e2)
A+AmBn
AmBn+B
T = Tg: AmBn + A + B
Tg
T < Tg: A + B
• Variaţia efectelor termice la

A+B
punctele invariante este
prezentată haşurat.
A AmBn B
II.3 SISTEM BINAR INCONGRUENT IN PREZENŢA FAZEI SOLIDE,
STABIL SUB O LIMITĂ DE TEMPERATURĂ
T < Tg: compusul AmBn este

TB stabil, sistemul A – B prezintă 2
subsisteme binare şi un
Liq. peritectic binar.
TA
B+liq. A – Am Bn  A + A m Bn
A+liq. Am Bn – B  Am B n + B
Te
e
T = Tg : A m B n + A + B
Tg – Te: A+B
A+B
T = Te: A + B + liqe
Tg
T > Tg: sistemul A - B se
comportă ca un SB simplu,
fără compus chimic.
A+AmBn AmBn+B
A AmBn B
II.3 SISTEM BINAR INCONGRUENT ÎN PREZENŢA FAZEI SOLIDE,
STABIL ÎNTRE DOUĂ LIMITE DE TEMPERATURĂ
TB Tg - Tg,: compusul AmBn este

Liq. stabil, sistemul A – B prezintă
TA 2 subsisteme binare
B + liq.
A+liq.
Te T > Tg sistemul A - B se
Te
e comporta ca un SB
T < Tg, simplu, cu un singur
eutectic şi fără compus
A+B chimic (AmBn)
Tg Tg
T = Te: A + B + liqe
A + AmBn AmBn + B T = Tg
T = Tg’ Am Bn + A + B
Tg’
Tg’
A+B
A AmBn B
Materialelor
TERMIC FAZAL
III. Sisteme binare cu izomorfie

III. SISTEME BINARE CU IZOMORFIE
• Soluţii solide interstiţiale:
- atomii speciei solubilizate A se plasează în interstiţii, în spaţiile

disponibile în reţeaua cristalină a speciei gazdă B;
- se pot forma dacă diametrul speciei A este mult inferior
diametrului spaţiilor libere din reţeaua lui B;
- în general speciile de tip A au un diametru mult mai mic decât
speciile reţelei gazdă.
+ 
B A
III. SISTEME BINARE CU IZOMORFIE
• Soluţii solide de substituţie:
- particulele de A substituie particulele de B, situându-se astfel

în nodurile reţelei cristaline gazdă.
+ 
B A
III.1. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE CONTINUĂ
 Izomorfia este proprietatea care atestă cel mai înalt grad

de înrudire cristalografică, care permite substituirea totală
sau parţială a speciilor atomice sau ionice alcătuitoare.
 Izomorfia este posibilă doar în anumite condiţii, stabilite
experimental:
 dimensiunile speciilor atomice sau ionice sunt
apropiate: diferenţa maximă tolerabilă este de ± 15 % ;
 cei doi compuşi A şi B au acelaşi sistem de
cristalizare;
 speciile A şi B au aceaşi sarcină electrică;
 A şi B au grupări coordinative identice;
 A şi B prezintă proprietatea de sincristalizare (din
topitură se formează o fază unică – soluţia solidă sau
cristalul mixt).
Trasee de cristalizare / topire
TA lm
TM sx Liq
s1 l1
T1
T2 s2 l2
sm lz
Tz
ss+liq M - cristalizarea
•T > TM: liq(M)
•TM – Tz: ssAB(sx→sM)+liq (ℓM – ℓz)
TB  traseul de solidificare se
deplasează pe curbe:
- solidus pentru cristalele mixte
- liquidus pentru topitură
ss
•T < Tz: ssAB (M)
 verticala din M intersectează:
curba liquidus ↔ temperatura
de început de cristalizare;
curba solidus ↔ temperatura de
A Sx M Lz B sfârşit de cristalizare.
O Relaţii cantitative
liq
TB
ℓM
TM ℓ
m s s1
ℓz
Tz
TA sM
La TM: masa M va fi
constituită din
anumite procente de
cristale mixte şi fază
liq.
ssAB s – compoziţie
cristale mixte
l – compoziţia
lichidului
A P L M S B
ssAB(s) liq(ℓ)
Curbe cu maxime şi minime
• M1 - cristalizare
TA ℓM TB
1 ℓM T >TM liq (M1)
TM s1 liq 2 TM 1
1 s2 2 TM – Tz ssAB (s1 → sM )+
ssAB+liq ssAB+liq 1 1 1
+ liq (ℓM – ℓz )
ℓz ℓz 1 1
Tz 1 2 Tz T < Tz ssAB (M1)
1 sM sM 2 1
2
1
m Tm
• M2 - topire
T <Tz ssAB (M1)
2
Tz – TM ssAB (sM → s2)+
ssAB 2 2 2
liq (ℓz – ℓM )
2 2
T > TM liq (ℓM )
2 2
• m - cristalizare - topire
T < Tm ssAB (M2)
A M1 m M2 B T > Tm liq (m)
III.2. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARŢIALĂ CU EUTECTIC
TA
Liq
TB
ssA+ ssB+liq • Izomofie parţială :
asemănarea între reţelele A
liq
şi B este mai scăzută.
sA sB Te - SSA : în reţeaua lui A se
e dizolvă parţial B;
- SSB : în reţeaua lui B se
ssB
ssA ssA+ssB dizolvă parţial A.
• SA, SB : cristale mixte de
compoziţie limită la Te.
• Limita de solubilitate scade
cu temperatura, astfel încât la
temperatura ambiantă devine
A a b B a, respectiv b.
TA
Tx lM Liq
1
1 sx
1 • M1- în interiorul limitei de
sm lz TB izomorfie: mecanismul de
Tz 1
1 ssA+ lx ssB+liq
cristalizare este analog
2 sistemului cu izomorfie
liq sx Tx continuă.
2 2
sA sB Te • M : în afara limitei de
e 2
izomorfie
T > TX2 : liq (M2)
ssA ssA+ssB TX2: SSB (sx2) + liq (lM2)
ssB
V = 1  traseul se deplasează
pe curbe
TX2 – Te: ssB (sx2 →sB) + liq (lx2 →
e)
Te : SSB (SB)+ SSA (SA) + liq e
V = 0  la Te = ct până când
A M1 a M2 b B dispare topitura
T < Te : ssA + ssB
Sistem cu un singur compus cu izomorfie
TA
TM ℓm Liq M - cristalizare
sx
•T > TM liq(M)
sm ℓz TB
Tz •TM – Tz ssA(sx→sm) +
1 ssA+
+ liq (ℓm – ℓz)
liq B+liq •T < Tz ssA (M)
s
Te
e
ssA
ssA+B
A M a B
III.3. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARŢIALĂ CU RESORBŢIE
TB
• TA < Te < TB
Liq • Cristalizarea
ssB+liq
anumitor
g SA
SB Tg amestecuri din
sistem are loc cu
ssA+liq apariţia
ssB fenomenului de
resorbţie.
TA • Punctul invariant
al sistemului este
ssA ssA+ssB
de tip peritectic.
A a b B
FR
TB
Liq
ssB+liq
g SA
lM SB Tg
1 Sx
Tx ssA+liq
1
lz Sm
Tz 1
M1 – în interiorul limitei
1
TA de izomorfie
• mecanismul de
ssA ssA+ssB cristalizare este analog
sistemului cu izomorfie
continuă;
• solidificarea decurge
A M1 a b B fără resorbţie.
FR RT(SB) M2 - în interiorul zonei de
TB izomorfie
T > Tx2 : liq (M2)
Tx2: apar cristale mixte
ssB(sx2) + liq (lM2)
Liq V = 1 → traseul se
lM ssB+liq Tx deplasează pe curbe
2 sx2 2
Tx2 – Tg: ssB (sx2 → SB) + liq
g Tg (lM2 → g)
SA SB
Tg : ssB(SB) + ssA(SA) + lig g
lz V = 0 → Tg = ct. până când
2
Tz sM2 dispare SB şi rămâne SA în
2 ssA+liq echilibru cu liq. g
SB + liqg  SA
TA RT(B) (resorbţie totală de B)
V = 1 → traseul se
ssA ssA+ssB deplasează pe curbe
Tg – Tz2: liq (g → lz2) + ssA
(SA → sM2)
T < Tz2: SSA (M2)
A M2 a b B
FR RT(SB) RP(SB) FR
TB
lM3 sx3 Tx
3
Liq
ssB+liq
SA
g Tg
SB
ssA+liq
M3 - în afara limitei de
izomorfie
T > Tx3: liq (M3)

TA Tx3 – Tg: ssB (sx3 → SB) +
ssA ssA+ssB liq (lM3 → g)
Tg : SSB(SB) + SSA(SA) + liqg
V = 0 → Tg = ct. până când
dispare topitura
SB + liqg  SA
A a M3 b B RP(SB) (resorbţie parţială de
B)
T < Tg : SSA + SSB
Evidenţierea cantitativă a resorbţiei parţiale O
sA ⇋ sB + liq g
ℓM TB
s
O’ TM
liq ssB + liq
g sA m Tg
sB
ssA + liq
TA
ssA ssB
ssA+ssB
A B
a p’ M p b
iRP(sB) sB liq g
dRP(sB) sB sA
Evidenţierea cantitativă a resorbţiei totale O
sA ⇋ sB + liq g
TB
O’ ssB + liq
liq ℓM s
sA TM
g m Tg
ℓz sB
Tz
ssA + liq
sM
TA
ssA ssB
ssA+ssB
A B
p p’ M a b
iRT(sB) sB liq g
dRT(sB) sA liq g
IV. SISTEM BINAR ELEMENTAR CU TOPITURI NEMISCIBILE
• Curba de echilibru de care ascultă
nemiscibilitatea în fază lichidă este
curba sub formă de cupolă cu vârful
în k.
• Nemiscibilitatea apare la Th. k
TK
• Cu creşterea temperaturii
domeniul compoziţional de
neomogenitate se restrânge, până TB
se confundă cu un punct.
2 liq.
TA h h’ Th
Liq.
B+liq.
A+liq.
Te e
A+B
A B
Materialelor
TERMIC FAZAL
IV. Sisteme binare cu topituri

nemiscibile
IV. SISTEM BINAR ELEMENTAR CU TOPITURI NEMISCIBILE
M1 - la Th1 apare o topitură formată din
două lichide de compoziţie h1 şi h1’.
Th1 → Th: cele două lichide îşi modifică
k TK
compoziţia după cupolă
h1 → h h1 h’1 Th1
h1’ → h’ TB
h2 h’2
T < Th: topitura devine omogenă Th2
În continuare traseul de cristalizare h3 h’3 Th3
evoluează analog SB simplu. 2liq.
h Th
TA Liq. h’
B+liq.
A+liq.
Te e Te
A+B
A M B
Materialelor
TERMIC FAZAL
V. Sisteme binare cu transformări

polimorfe
V. SISTEM BINAR CU TRANSFORMĂRI POLIMORFE
 Polimorfia = proprietatea unor compuşi de a se prezenta în diferite modificaţii ale
structurii reţelei cristaline, menţinându-şi compoziţia chimică.
 Compusul se prezintă în mai multe forme cristaline, numite forme polimorfe.
Transformarea polimorfă are loc la o anumită temperatură.
 la trecerea de la forma polimorfă de temperatură joasă, la forma structurală
stabilă la temperatură înaltă, se absoarbe căldură – transformare endotermică, şi
reciproc, la trecerea de la forma stabilă la temperatură înaltă la cea de temperatură
scăzută, are loc o degajare de căldură – fenomen exotermic.
Transformarea polimorfă poate fi:
 reversibilă – enantiotropă;
 ireversibilă – monotropă.
Modificarea polimorfă este un fenomen caracterizat prin schimbarea de poziţie a
ionilor sau atomilor în reţea.
 prin ridicarea temperaturii, vibraţia particulelor constituente ale reţelei se
accentuează şi la o anumită temperatură echilibrul câmpului de forţe în reţea nu
mai poate fi păstrat, iar particulele părăsesc poziţia structurală în care se află şi
caută o altă poziţie de echilibru, compatibilă noii situaţii energetice.
 pot apărea şi alte fenomene fizice, cum ar fi spre exemplu dilatarea / contracţia
bruscă la temperatura de transformare.
V.1. ÎN FAZĂ SOLIDĂ
Tt: A A
T°B
Liq.
T°A
B+liq.
A+liq.
T°e
e
A+B
T°t
A+B
A M B
Tt: A + B + A v = 0 până când
dispare una dintre faze (A )
V.2. ÎN PREZENŢA FAZEI LICHIDE
Tt: A A
t°A
A+liq. t
t°t Liq.
t°B
A+liq.
B+liq.
t°e e
A+B
A M B
Tt: A + A + liq v = 0 până când
dispare una dintre faze (A )
Materialelor
TERMIC FAZAL
C. SISTEME TERNARE
II. Sistem ternar în care

se formează compuşi binari
Diagrama de echilibru
e4
e5
e3
E1 E2
A
B
AmBn
A e1 e2 B
Am Bn
Linii de cea mai mare pantă
e4
e5
e3
E1 E2
A
B
AmBn
A e1 e2 B
Am Bn
Izoterme
e4
e5
e3
E1 E2
A
B
AmBn
A e1 e2 B
Am Bn
Trasee de topire - cristalizare
e4 r
e5
e3
E1 E2
A M
B
AmBn
A e1 e2 B
Am B n
II.2. COMPUS BINAR INCONGRUENT
II.2.1. În sistemul binar şi în sistemul ternar
Linii de cea mai mare pantă
C
e3
e4 E2
G1
AmBn B
A g1 e2 B
Am B n
C
● M1 – cristalizare FR
T > TM liq (M )
1 1
TM – Tr AB+liq(M1 – r1)
1 1
Tr – TE AB+B+liq(r1 – E2)
1 2
TE AB+B+C+liq E2
2
T< TE2 AB+B+C
C e3
M3 ● M2 – topire
T < TG A+AB+C
e4 E2 1
r2 TG A+AB+C+liq G1
1
G1 V=0 AB ⇋ A+liq G1 RP(A)
r3
TG – Tr A+C+liq(G1 – r2)
1 2
r1 Tr – TM A+liq(r2 – M2)
2 2
T > TM liq (M2)
2
M M1
2
● M3 – cristalizare FR
A AmBn
T > TM liq (M3)
B 3
TM – Tr C+liq(M3 – r3)
3 3
Tr – TE C+AB+liq(r3 – E2)
3 2
A Am Bn g1 e2 B TE AB+C+B+liq (E2)
2
T < TE AB+B+C
2
C
I II
e3
e4 E2
G1
w4
v4 AmBn B
M4 r4
A Am Bn g1 e2 B
II. COMPUS BINAR INCONGRUENT
C
● M4 – cristalizare
T > TM liq (M4)
4
TM – Tr A+liq(M4 → r4)
4 4
Tr – Tv A+AB+liq(r4 → v4)
4 4 C
A+liq ⇋ AB RT(A)
Tv – Tw AB+liq(v4 → w4) I II
4 4 e3
Tw – TE AB+B+liq(w4 – E2)
4 2
e4 E2
TE AB+B+C+liq E2 (V=0)
2
T < TE AB+B+C G1
2
w4
A
v4
AmBn
ℓ B
M4
r4
A Am Bn g1 e2 B
Zonele de resorbţie
C
RP(A) – resorbţie parţială a

compusului A
RT(A) – resorbţie totală a
C compusului A
e3
e4 E2
G1
RP(A)
AmBn
A B
RT(A)
A Am Bn g1 e2 B
Relaţii cantitative pentru un amestec în zona
cu resorbţie parţială T0
TG1
C
I II
p2
e4
C
p1
r1 e3
E2
c2 G1
M1
c1 B
A
Am Bn
A Am Bn g1 e2 B
Relaţii cantitative pentru un amestec în zona C
cu resorbţie totală
I II
e4 C
e3
E2
G1 w
v
B
A ℓ
M r
A bℓ bv pr p A B g1 e2 B
liq r A ℓ m n
iRT(A) Tr
AmBn liq ℓ A Tℓ
dRT(A) Am Bn liq v
Tv
II.2. COMPUS BINAR
INCONGRUENT
II.2.1. În sistemul binar şi în
C
sistemul ternar
Tratamente termice
e4
C
e3
r
E2
O G1
AmBn B
A
g1 e2
A AmBn B
II.2.2. CB incongruent în sistemul binar şi congruent în sistemul ternar
e3
e4
E2
E1
g’
AmBn
B
A
A B
Am Bn g1 e2
C
M1 – Cristalizare [RT]
T>TM1 liq (M1)
TM1 – Tr1 A + liq (M1 r1)
Tr1 – Tv1 A + AmBn + liq (r1 v1)
C
A + liq  AmBn
Resorbtie totala
e3
Tv1 – Tw1 AmBn + liq (v1 w1)
Tw1 TE2 AmBn + B + liq (w1 E2)
e4
TE2 AmBn + B + C + liq E2 (v=0) E2
E1 g’
T<TE2 (AmBn + B + C) w1
v1 AmBn
ℓ B
A
r1
M1
A B
AmBn g1 e2
C
M2 – Cristalizare
T>TM2 liq (M2) Recurenţa - resorbţia şi
reapariţia cristalelor de A
TM2 – Tr2 A + liq (M2 r2)
Tr2 – Tv2 A + AmBn + liq (r2 v2)
C
A + liq  AmBn
Resorbţie totală
e3
Tv2 – Tw2 AmBn + liq (v2 w2)
Tw2 – TE1 AmBn + C + liq (w1 E1)
e4 w2
TE1: AmBn + C + A + liq E2 (v=0) E2
E1
v2 ℓ
T<TE2 (AmBn + A + C) r2
M2
AmBn
B
A
A B
AmBn g1 e2
C
M3 – Cristalizare [RP]
T>TM3 liq (M3)
TM3 – Tr3 A + liq (M3 r3)
Tr3 – TE1 A + AmBn + liq (r3 E1)
C
A + liq  AmBn
TE1: AmBn + A + C + liq E1 (v=0)
e3
T<TE1 (AmBn + A + C)M2
e4
E2
E1 r3
g’
M3
AmBn
B
A
A B
AmBn g1 e2
Zone cu resorbţie
C
e3
Resorbţie e4
totală E2
E1
Recurenţă g’
Resorbţie
parţială
AmBn
B
A
A B
Am Bn g1 e2
ŞTIINŢA MATERIALELOR ANORGANICE SI

COMPOZITE
CURSUL 3
SOLIDE CRISTALINE
DEFECTE ÎN CRISTALE
Defecte în cristale
 Un solid, fie cristalin, fie amorf, nu este niciodată perfect, din

punct de vedere al:
 nivelului de ocupare al nodurilor de reţea;
 modului în care este format cristalul;
 stării sale de puritate, etc.
 Defecte = abateri de la un aranjament perfect al particulelor în

nodurile reţelei (figura 1).
 Figura 1 : Aranjamentul perfect al particulelor în nodurile
reţelei
(a) Reţea atomică (b) Reţea ionică

perfectă perfectă
1. Defecte punctuale
 Vacanţe : nodurile reţelei nu sunt ocupate în totalitate. (a)
 Exemplu :
- vacanţe de oxigen în
oxidul de uraniu U3O8.
 Fig. 2(a)
 Autointerstiţiale: prezenţa, în poziţie interstiţială în raport cu
nodurile reţelei, a unui anion sau cation al solidului respectiv. (b)
 Este un defect foarte des întâlnit

în solidele ionice, pentru că multe
dintre acestea au disponibile
poziţii interstiţiale relativ mari.
 De cele mai multe ori, poziţiile
interstiţiale au aceeaşi imagine de
vecinătate ca şi nodurile reţelei.
Fig. 2(b)
 Autointerstiţiale: prezenţa, în poziţie interstiţială în raport cu
nodurile reţelei, a unui anion sau cation al solidului respectiv. (b)
 Exemple :
- Atomul de zinc în Zn1+xO.
- În BeO atomii ocupă numai jumătate
din nodurile tetraedrice disponibile
 într-o celulă elementară se găsesc
4 poziţii interstiţiale libere  un atom
Fig. 2(b) de Be poate să se deplaseze dintr-un
nod într-o poziţie interstiţială, fară a
distorsiona reţeaua cristalină.
 Atomi străini în interstiţii: prezenţa, în poziţie interstiţială, a
unui atom sau ion străin (cu rază atomică sau ionică mai
mică decât razele atomilor din reţeaua gazdă). (c)
Fig. 2(c)
 Atomi străini în substituţie : un atom sau un ion străin ocupă
un nod de reţea în locul unui atom sau al unui ion care
constituie reţeaua respectivă (particulă străină cu rază
atomică sau ionică mai mică sau mai mare (d) decât cea a
atomului sau ionului înlocuit).
 Dacă particula străină are

o valenţă diferită de cea
a atomului sau ionului
înlocuit, se pot crea
vacanţe sau electroni
liberi.
Fig. 2(d)
 Exemplu :
 În NaCl un cation monovalent cum ar fi Li poate înlocui Na.
 Dacă un cation bivalent, cum ar fi Ca, înlocuieşte Na, acest
proces trebuie să fie insoţit de o vacanţă cationică, sau de un
interstiţial anionic, pentru a păstra electroneutralitatea.
Fig. 2(d)
 Defect Frenkel : o pereche vacanţă – interstiţial (un anion

sau un cation părăseşte nodul reţelei, care devine astfel o
vacanţă şi se plasează într-un interstiţiu). (e)
Fig. 2(e)
 Defect Schottky: o pereche de vacanţe cationice şi

anionice, formată prin migrarea unui cation şi a unui anion
la suprafaţa reţelei. (f)
Fig. 2(f)
 Vacanţele şi interstiţialii sunt deseori denumiţi «defecte

termice».
 Creşterea temperaturii poate provoca:
 Fie plecarea unui atom sau a unui ion din poziţia sa
normală pentru a se poziţiona într-un interstiţiu : « defect
Frenkel ».
 Fie migrarea unui atom sau a unui ion din poziţia sa
normală către suprafaţa cristalului, lăsând în spatele său
o poziţie vacantă : « defect Schottky ».
 Centre «colorate» (centre F, centre V etc.): sunt formate
prin reţinerea electronilor sau vacanţelor în defectele de
reţea.
 Prezenţa lor provoacă colorarea cristalelor, transparente în
mod normal, şi modificări în spectrul de adsorbţie optic.
 Exemplu : halogenuri alcaline
 Centru F: rezultatul reţinerii unui electron în vacanţa unui

ion de clor Cl- (figura 3).
 Centru V: rezultatul unei deficienţe de electron (deci
prezenţa unei vacanţe pozitive) legate de prezenţa în
exces a unui ion de clor Cl-.
 Fig. 3: Reprezentarea unui centru F
 Exemplu : halogenuri alcaline

 Centru F: rezultatul
reţinerii unui electron în
vacanţa unui ion de clor Cl-
(figura 3).
 Centru V: rezultatul unei
deficienţe de electron (deci
prezenţa unei vacanţe
pozitive) legate de
 Fluorina CaF2 are o diversitate mare de culori, în funcţie de tipul
de radiaţii căruia îi este supusă.
 În cazul fluorinelor violete (obţinute prin iradiere UV), culoarea se
datorează electronilor reţinuţi de vacanţele anionice ale ionilor
F: sunt deci centre F (figura 4).
 Figura 4: Influenţa
defectelor punctuale asupra
culorii mineralelor - fluorina
 Crearea centrelor F poate fi explicată prin mai multe cauze:

 expunerea la o iradiaţie de înaltă energie care poate deplasa un
ion din poziţia sa obişnuită;

 creşterea cristalului în prezenţa unui exces de ioni de calciu;
 aplicarea unui câmp electric ridicat cu extragerea ionilor de fluor
F- prin procese electrolitice.
 Reţinerea electronilor este astfel provocată de necesitatea

compensării vacanţelor încărcate pozitiv formate.
Semiconductori
 Defectele punctuale conferă, în general, proprietăţi electrice
particulare solidelor.
 Se introduce un element, de exemplu As, în cantitate foarte mică
(concentraţie atomică 10-11), într-un semiconductor de siliciu.
 As are 5 electroni de valenţă, din care 4 participă la legaturi şi al
cincilea este liber.
 Această impuritate este donoare de electroni (semiconductor de
tip n) (figura 5a).
e- liber
adus de As BC
Nivel de energie
pentru donori
BV
(a)
Defecte în semiconductori
 Defectele punctuale conferă în general solidelor, proprietăţi
electrice particulare.
 Se introduce o impuritate cu valenţa 3, de exemplu In.
 In nu poate să asigure decât 3 legături cu atomii de Si vecini.
 Lipseşte astfel un electron pentru a satura stratul exterior al Si şi
această lipsă de electroni se comportă ca o vacanţă.
 Această impuritate este acceptoare de electroni (semiconductor
de tip p) (figura 5b).
vacanţă adusă BC
de In Nivel de energie
pentru acceptori
BV
(b)
 Anumite defecte punctuale, în special vacanţele, se pot

ordona într-o reţea şi pot conduce la suprastructuri
lacunare ordonate
 Exemple: calcogenuri, pirotina Fe7S8, compuşi din
sistemele Crom - Seleniu sau Crom - Telur, etc.
2. Defecte liniare
Dislocaţii marginale
 Rezultă din prezenţa unui plan cristalografic incomplet în

reţeaua cristalină (dislocaţie negativă) sau a unui semiplan
suplimentar (dislocaţie pozitivă) (figura 6).
 Figura 6 : Dislocaţie marginală

2. Defecte liniare
 Alunecarea uşoară a dislocaţiilor sub efectul unor constrângeri

mecanice slabe explică ductilitatea (deformarea plastică) a
materialului (în speciale pentru metale).
 În imediata vecinătate a dislocaţiei, reţeaua este foarte deformată:

 partea superioară a reţelei, în care este planul suplimentar de
particule, va fi în compresie;
 partea inferioară va fi în stadiu de decompresie.
 dislocaţia este înconjurată de un câmp de tensiuni, care poate

compensa eforturile mecanice exterioare, aplicate în direcţie
opusă.
2. Defecte liniare
 Apariţia unei dislocaţii marginale într-o reţea cristalină

poate fi foarte uşor explicată prin procesele de
alunecare a unei porţiuni din reţea pe planul de glisare
(planul pe care se termină dislocaţia), urmare a
constrângerilor la care cristalul este supus în procesele
de cristalizare.
 La aplicarea unui efort de torsiune, dislocaţia se

deplasează în reţea, provocând o deformare
permanentă (figura 7).
 Figura 7 : Deplasarea unei dislocaţii marginale
2. Defecte liniare
 Dislocaţiile se pot deplasa într-o reţea, dacă există o
mişcare de vacanţe sau de atomi (figura 8).
 Figura8 : Deplasarea dislocaţiilor prin mişcarea

vacanţelor sau atomilor interstiţiali
2. Defecte liniare
 Dislocaţia mai degrabă se măreşte sau se micşorează,

decât se deplasează.
 În timpul migrării, dislocaţiile interacţionează, provocând

formarea altor defecte, care pot conduce la apariţia unei
aglomerări de defecte în anumite zone ale reţelei.
 Acest fenomen va afecta sensibil rezistenţa mecanică a
corpurilor solide.
2. Defecte liniare
 Mobilitatea dislocaţiilor este favorizată de

tensiunile locale.
 Prezenţa impurităţilor în apropierea unei dislocaţii

poate impiedica propagarea acesteia.
 Câteodată, se introduc voit impurităţi, pentru a se
îmbunătăţi proprietăţile mecanice ale solidelor.
2. Defecte liniare
Dislocaţii elicoidale
 Rezultă prin glisarea «plan pe plan» într-o zonă a cristalului.

 Sunt caracterizate prin «vectorul de alunecare Burger».
 Figura 9 : Dislocaţie elicoidală

2. Defecte liniare
Dislocaţii elicoidale
 Prezenţa acestui tip de defect are o incidenţă importantă asupra
nivelului de reactivitate chimică a materialului, căci constituie un
potenţial germene sau o poziţie preferenţială în procesul de
germinare, de cristalizare sau de dizolvare.
 Figura 9 : Dislocaţie elicoidală

Figura 10 : Dislocaţii într-un aliaj de titan
 Dislocaţiile pot fi
observate cu ajutorul
microscopului electronic
de baleiaj (figura 10).
 Nu se observă dislocaţii
în linii drepte, ci cu forme
complicate.
 Sunt în general mixte
(marginale şi elicoidale).
3. Defecte de suprafaţă
Suprafeţe libere
= interfaţa între solide şi gaze.
 Aranjarea atomilor pe suprafaţa liberă diferă

sensibil faţă de structura interioară, deoarece nu
au vecinătăţi într-o direcţie.
 În general, structura cristalină este aceeaşi, dar
parametrul de reţea este mult mai mare.
Suprafeţe libere
 Suprafaţa liberă este caracterizată printr-o anumită energie

superficială, echivalentă cu energia necesară unui atom să
se deplaseze către suprafaţă, întrerupând anumite raporturi
de coordinare.
 Energia superficială variază între 10-1 şi 1 J/m2, putând fi
mult mai mare pentru un solid cu legaturi chimice puternice.
 Energia superficială poate fi modificată prin adsorbţia
atomilor din atmosferă, ceea ce va modifica proprietăţile
solidului (cum ar fi emisia de electroni, viteza de evaporare
sau a reacţiilor chimice).
Limite între grăunţii cristalini
 Sunt imperfecţiuni la nivel bidimensional, care pot fi

reprezentate ca o aglomerare de dislocaţii marginale.
 Separă domenii cristaline cu orientări diferite (figura 11).
Figura 11: Limite între

grăunţii cristalini
 Reactivitatea materialului este mult mai mare la limitele

între grăunţii cristalini, cum atestă atacurile selective la
acest nivel.
 Limitele între grăunţii cristalini sunt cu precădere locul unde
se vor concentra impurităţile.
 Sunt totodată într-un echilibru instabil şi au tendinţa de a
dispărea odată cu creşterea grăunţilor.
 Se pot deplasa la temperatură ridicată sub acţiunea unei
forţe suficient de mari.
 Limitele între grăunţi sunt caracterizate printr-o

energie de interfaţă, cauzată de perturbarea
aranjamentului reţelei cristaline.
 Este mai scăzută decât energia superficială,
deoarece în acest caz nu sunt întrerupte toate
raporturile de coordinare.
 Solidele care prezintă limite între grăunţii cristalini
sunt policristaline, structura lor fiind formată din mai
multe cristale orientate diferit.
 Limite la unghiuri mari (figura 12 a)
Există trei tipuri de structuri :
 două cristale care au structura perfectă până
la limita dintre ele;
 Limite la unghiuri mari (figura 12 b)
 între cele două cristale există o zonă de
tranziţie, cu o simetrie intermediară;
 Limite la unghiuri mari (figura 12 c)
 între cele două cristale există o zonă de
trecere, cu distribuţie dezordonată, formând
un liant amorf.
 Limite la unghiuri
mici: asemănătoare
unei serii de dislocaţii
aşezate unele sub
altele.
 Figura 13 : Limite
la unghiuri mici
Limite de fază
 O fază este o zonă omogenă, distinctă din punct

de vedere fizic, separabilă, prin metode
mecanice, de un material cu compoziţie chimică şi
structură date.
 Materialele compozite reprezintă o categorie
importantă de materiale polifazale.
Limite de fază
 Diferenţa structurală între cele două faze în contact este
determinantă pentru proprietăţile de la interfaţă. Astfel, limitele
pot fi (figura 14) :
 Limite coerente = diferenţa de structură este mică, la interfaţă
anumite raporturi de coordinare nu sunt întrerupte (a);
a b c
Limite de fază
determinantă pentru proprietăţile de la interfaţă. Astfel, limitele
pot fi (figura 14) :
 Limite necoerente = diferenţa de structură este mare, la
interfaţă există o concentraţie majoră de defecte (c);
aa bb c
Limite de fază
determinantă pentru proprietăţile de la interfaţă. Astfel,
limitele pot fi (figura 14) :
 Limite intermediare = cu caracteristici plasate între primele
două cazuri (b).
a b c
4. Defecte de structură
Defecte de împachetare
 Corespund unei perturbări determinate de
împachetarea planelor atomice.
 De exemplu, într-un solid cu sistem de cristalizare
cubic centrat, ordinea normală de împachetare este :
ABC ABC ABC …
 Defectele de împachetare sunt :
 fie înlăturarea unui plan A, ceea ce conduce la :
ABC BC ABC …
 fie prezenţa unui plan suplimentar A, între
planele B şi C :
ABAC ABC ABC …
Defecte de împachetare
 Fenomenele aşa-numite de interstratificare, observate

de exemplu în cazul filosilicaţilor (minerale argiloase),
sunt similare celor din cazul defectelor de
împachetare, dar de această dată se referă la
pachete de plane elementare.
 Se găsesc de asemenea interstratificări ilit –
montmorilonit, planele primului mineral se
intercalează mai mult sau mai puţin aleatoriu cu
planele celui de-al doilea mineral.
Defecte de orientare
 Suprapunerea perfectă a planurilor elementare (a)
poate fi sensibil modificată conducând la o dezordine
de translaţie (b) sau la o dezordine turbostatică (c)
sau la cele două simultan.
 Este de exemplu cazul solidelor bidimensionale cum
ar fi filosilicaţii.
Macle
 Anumite cristale sunt constituite din două părţi
îmbinate, care au structuri identice şi o orientare
definită.
 Regiunea maclată este simetrică cu regiunea
nemaclată în raport cu planul de maclă (figura 16).
 Figura 16 : Macla
Macle
 Maclele se formează la creşterea reţelei cristaline prin:

 acţiunea constrângerilor datorate contracţiilor solidului
în procesul de răcire (macle termice);
 constrângerea datorată unei sarcini mecanice (şoc
mecanic) în urma unei încercări mecanice de tracţiune.
ŞTIINŢA MATERIALELOR OXIDICE
CURSUL 5
STRUCTURI DE REFERINŢĂ ALE
SOLIDELOR CRISTALINE
CRISTALE IONICE
Cristale ionice
 Cristalele ionice sunt edificii de specii ionice de

semn contrar.
 Condiţia de stabilitate a cristalelor ionice impune

ca:
 sarcinile ionilor să fie neutralizate de vecinii
apropiaţi (un ion pozitiv, în imediata vecinătate a
unui ion negativ);
 împachetarea ionilor să fie cât mai compactă
posibil.
Cristale ionice
 Prin aranjarea tridimensională a anionilor se

delimitează spaţii cu coordinare octaedrică,
tetraedrică sau piramidală, în care se vor fixa
cationii.
 Distanţa între doi ioni nu poate fi mai mică decât

suma razelor ionice (legea lui Pauling).
I. Structura silicaţilor
 Elementul stuctural de bază este constituit dintr-o

grupare de coordinare, în care cationul central este
înconjurat de un poliedru de anioni:
 distanţa anion – cation este determinată de suma razelor
ionice corespunzătoare;
 numărul de coordinare este determinat de raportul rază
cation / rază anion.
 Interconexiunea mai multor grupări conduce la formarea
structurii.
 Gruparea de coordinare are un număr de sarcini

electrostatice libere – valenţe.
 Regula valenţelor arată că sarcinile negative ale
anionilor se compensează cu suma sarcinilor
electrostatice care le revin, de la toţi cationii care îi
înconjoară.
 În cazul silicaţilor, interconexiunea tetraedrelor se va
realiza la nivelul vârfurilor, anionii de oxigen situaţi la
acest nivel având valenţe negative libere.
Fig. 1 : Tetraedrul [SiO4]4-

 Anionul de oxigen va face o punte prin valenţele sale

libere, devenind comun pentru două poliedre.

 Tetraedrele [SiO4]4- respectă această regulă de interconexiune,
structura obţinută fiind cea mai stabilă.
 Rareori, tetraedrele se interconectează prin feţe sau bază, dar
în acest caz structura va fi mult mai puţin stabilă.

1. Silicaţi cu structură insulară sau izolată
 (a) Tetraedre izolate de

grupări [SiO4]4- (olivin)
 (b) Două tetraedre legate
printr-o punte de oxigen
[Si2O7]6- (melilit)
 (c) Trei tetraedre legate
prin trei punţi de oxigen
[Si3O9]6- (metasilicaţi)
 (d) Patru tetraedre legate
între ele prin vârfuri
[Si4O12]8- (metasilicaţi)
 (e) Şase tetraedre legate
între ele prin vârfuri
Fig. 2 : Silicaţi cu structură izolată [Si6O18]12- (beril)
 Exemplu :
Structura olivinelor
sunt ortosilicaţi de
 Olivinele
Mg şi Ca cu formula:
 2MgO·SiO2 – forsterit
(Figura 3)
 2FeO·SiO2 – fazalit
 MgO·CaO·SiO2 –
monticellit
Fig. 3 : Structura forsteritului

 Structura este formată din
grupări tetraedrice izolate [SiO4]
şi grupări octaedrice izolate
[MgO6], legate între ele prin
vârfuri.
 Regula de valenţă:
 Fiecare O2- îşi împarte
valenţa negativă liberă între 3
cationi Mg2+;
 În consecinţă, fiecare Mg2+
primeşte 1/3 din valenţa
negativă, din partea a şase
ioni de O2-, ceea ce revine la
Fig. 3: Structura forsteritului 2 sarcini negative.
2. Silicaţi cu structură tip lanţ
 Această structură rezultă

din unirea prin vârfuri a
unui lanţ de tetraedre
(Figura 4).
 Radicalul care se repetă
este [SiO3]2-, dar radicalul
structural rămâne [SiO4]4-.
Fig. 4: Silicaţi cu structură lanţ

2. Silicaţi cu structură tip lanţ
 Exemplu:
Structura clinoenstatitului
 Silicatul de magneziu
MgO·SiO2 este caracterizat
printr-o structură tip lanţ, în
care, în afară de lanţurile de
tetraedre [SiO4], există şi
lanţuri de grupări octaedrice
de [MgO6].
 Cele două lanţuri se unesc
prin vârfuri.
 Regula de valenţă este
respectată, fiind definită
asemănător cazului anterior. Fig. 5: Structura clinoenstatitului
3. Silicaţi cu structură tip bandă
 Structura tip bandă rezultă prin interconectarea a două lanţuri de
tetraedre (Figura 6).
 Radicalul structural care se repetă este [Si4O11]6-.
[Si4O11]6-∞
Fig. 6 : Silicaţi cu structură tip bandă

3. Silicaţi cu structură tip bandă
 Exemplu: Silicaţii din familia amfibolilor cristalizează în structură tip

bandă, având un aspect fibros (Figura 7).
 Fig. 7 : Tremolit Ca2Mg5 Si8O22(OH)2

4. Silicaţi cu structură stratificată
 Structura stratificată este o asociaţie nelimitată de

benzi.
 Se formează inele de 6 grupări tetraedrice, unite prin trei
vârfuri, prin punţi de oxigen.
[Si4O11]6-∞ Figura 8: Structura

stratificată a silicaţilor
 Structura stratificată este o asociaţie nelimitată de benzi.

 Bazele tetraedrelor sunt situate în acelaşi plan şi au sarcini
electrostatice saturate.

 Structura stratificată este o asociaţie nelimitată de benzi.

 Un singur vârf al tetraedrului are sarcini libere.
 Radicalul care se repetă este [Si2O5]2-.

 Această structură este foarte des întâlnită pentru silicaţi,

de exemplu mica, caolinitul, montmorilonitul etc.
 Structura stratificată va imprima un caracter lamelar şi,
drept urmare, clivajul după planurile de tetraedre.
 Exemplu:
Structura micăi
 Mica este un
aluminosilicat de potasiu
hidratat, cu formula
K2O·3Al2O3·6SiO2·2H2O.

tetraedre [SiO4]4- şi [AlO4]5-
, dispuse în straturi de
cicluri de şase tetraedre.
Fig. 9: Structura micăi
 Exemplu:
Structura micăi
 Pentru fiecare trei tetraedre [SiO4]4- există
un tetraedru [AlO4]5-.
 Tetraedrele sunt legate prin vârfuri, prin
punţi de oxigen.
 Între două straturi de tetraedre este un strat
de grupări octaedrice [AlO4(OH)2], care sunt
unite:
 prin patru vârfuri de grupările tetraedrice
[SiO4]4;
 prin două vârfuri de gruparea HO .
-

 Exemplu:
Structura micăi
 Regula de valenţă:
 Valenţa liberă a oxigenului şi a ionului
hidroxil este împărţită între doi cationi

de aluminiu.
 Fiecare cation de aluminiu este legat de
4 anioni de oxigen şi de 2 ioni hidroxil,

satisfăcându-şi astfel cele 3 sarcini
pozitive.

 Exemplu:
Structura micăi
 Pentru că tetraedrele de [AlO4]5- au o sarcină
negativă în plus, ea va fi saturată de alţi cationi,
cum ar fi K+, Na+ şi Ca2+.
 Aceşti cationi se situează între planurile de
bază ale straturilor de tetraedre, astfel încât
pentru şaisprezece grupări tetraedrice de
[SiO4]4- şi [AlO4]5- corespund patru cationi de K+,
în coordinare [KO12].

 Exemplu:
Structura micăi
 Ionii de acelaşi tip sunt situaţi în

acelaşi plan, toate planele fiind paralele
între ele, ceea ce determină caracterul
stratificat al structurii.

 Exemplu:
Structura micăi
 Mica prezintă
fenomenul de clivaj.
 Clivajul se realizează
în pachete de dimensiuni
relativ mari.
 Planul în care sunt
cele mai slabe legături
este planul de cationi K+,
în consecinţă ruptura se
va realiza la nivelul Fig. 9: Structura micăi
acestui plan.
 Exemplu:
Structura micăi
 O altă consecinţă este

marea reactivitate la
hidratare, reacţie prin
care cationii de K+
părăsesc reţeaua, cu
formarea caolinitului.

 Exemplu:
Structura caolinului
 Caolinul este un aluminosilicat

hidratat, cu formula
Al2O3·2SiO2·2H2O (Figura 10).
Fig. 10: Structura caolinului

 Exemplu:

straturi de tetraedre [SiO4]4-
dispuse în cicluri de câte
şase.
 Tetraedrele sunt legate între
ele prin vârfurile bazei, prin
punţi de oxigen, şi prin
Fig. 10: Structura caolinului
celălalt vârf cu un strat de
grupări octaedrice
[AlO4(OH)2].
 Exemplu:
 Stratul de tetraedre şi stratul

de octaedre formează un
pachet independent, ceea ce
determină clivajul mineralului
în fragmente subţiri.
Fig10: Structura caolinului

5. Silicaţi cu structură spaţială
 Structura spaţială este o asociere nelimitată de mai multe

straturi de tetraedre.
 Tetraedrele sunt unite prin toate vârfurile, prin intermediul
punţilor de oxigen, toate sarcinile fiind satisfăcute.
 Radicalul care se repetă este [SiO2]∞.
 Tetraedrele sunt distribuite de o manieră ciclică, în inele

de şase, ceea ce determină apariţia unor adevărate
caverne în structură.
 Anumiţi silicaţi, cu structură spaţială complexă, cum ar fi
zeoliţii, au proprietăţi speciale, urmare a acestei morfologii
structurale particulare.
 Exemplu:
Structura SiO2
 Cuarţul, cristobalitul
şi tridimitul sunt
forme polimorfe ale
oxidului de siliciu.
 Structura lor este Cuarţ Tridimit
realizată prin cicluri
hexagonale de
tetraedre [SiO4],
legate în toate Fig. 11 : Structura
vârfurile cu ajutorul formelor polimorfe
punţilor de oxigen. Cristobalit ale cuarţului
 Exemplu :
Structura SiO2
 Cuarţul are o
structură mai
compactă,
caracterizată
printr-o simetrie
Cuarţ Tridimit
redusă.
 Structura
tridimitului este
mult mai simetrică Fig. 11 : Structura
şi mai deschisă, formelor polimorfe
cristobalitul având Cristobalit ale cuarţului
structura cea mai
simetrică şi
aerisită.
 Exemplu :
Structura SiO2
 Diferenţa
structurală între
cele trei forme
polimorfe este Cuarţ Tridimit
dată de modul de
aranjare al
ciclurilor de
grupări Fig. 11 : Structura
tetraedrice. formelor polimorfe
Cristobalit ale cuarţului
 În Figura 12 sunt prezentate mai multe varietăţi de cuarţ, care,
în funcţie de natura impurităţilor conţinute, au culori diferite.
Fig. 12: Minerale

de cuarţ
 Exemplu:
Structura feldspatului
 Feldspaţii sunt aluminosilicaţi

ai cationilor din prima sau a
doua grupă principală:
 NAS6 – albit
 CAS2 – anortit.
 Structura feldspaţilor este Fig. 13: Structura feldspatului

formată din grupări de [SiO4]
şi [AlO4] aranjate în cicluri de
patru tetraedre (Figura 13).
 Exemplu:
 În feldspaţii metalelor primei

grupe, pentru trei tetraedre
[SiO4] există un tetraedru
[AlO4], iar pentru feldspaţii
celei de-a doua grupe, pentru
două tetraedre [SiO4] există
două tetraedre [AlO4]. Fig. 13: Structura feldspatului
 Tetraedrele sunt conectate în
spaţiu prin toate vârfurile.

 Exemplu:
 Tetraedrele [SiO4] au toate

sarcinile satisfăcute şi
tetraedrele [AlO4] au o sarcină
negativă liberă. Această valenţă
este satisfăcută de ioni de K+,
Na+ sau Ca2+.
 De asemenea, fiecărui tetraedru Fig. 13: Structura feldspatului
[AlO4] îi corespunde un cation
monovalent, respectiv fiecăror
două tetraedre [AlO4] un cation
bivalent, regula de valenţă fiind
respectată.
 Exemplu:
 Coordinarea cationilor
menţionaţi este [NaO10]
sau [CaO10] şi aceştia sunt
aranjaţi în planuri
determinate.
Fig. 13: Structura feldspatului

Cursuri SMAC - Anul 2 - Upb

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cursuri SMAC - Anul 2 - Upb

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Facultatea de Chimie Aplicată şi Ştiinţa Materialelor

Din punct de vedere x

prezintă sub forma unui a

poliedru convex delimitat de

Figura 1 Solid cristalin z

 Un solid cristalin este un ansamblu de atomi, de ioni sau

z0x= sunt oarecare, deci a

Un monocristal este un solid cristalin în care orientarea

Figura 2 Solid cristalin

Figura 2 Solid cristalin

Parametrii celulei elementare sunt: lungimile a, b şi c

Figura 1 Solid cristalin z

Figura 3 Plane cristaline în sistemul cubic

Coordonatele intersecţiilor unui plan cu cele 3 axe sunt:

 Distanţa care separă două plane consecutive dintr-o familie

Oricare ar fi translaţiile, nu pot exista decât 7 celule elementare:

Utilizând un punct din reţea ca punct de

În anul 1848 Auguste Bravais a demonstrat

Numărul (N) este diferit de raportul stoechiometric n al

Exemple: Carbon C N.B

În cazul solidelor binare AmXn, numărul de coordinaţie este cu

Cunoscând numărul de coordinaţie N, poate fi determinată

ŞTIINŢA MATERIALELOR ANORGANICE

ŞTIINŢA MATERIALELOR ANORGANICE ŞI

Ştiinţa materialelor defineşte legile şi furnizează mijloacele

Materialele sunt sisteme solide, care se definesc prin agregate de

• transformate chimic (fibre celulozice, cauciuc natural,

Compoziţia chimică a unui material este, de cele mai

• conducă la comportamente speciale care nu sunt

Obţinere Compoziţie Proprietăţi

Datele experimentale au arătat că între atomi, ioni sau

Diagrama pune în evidenţă existenţa unei distanţe ro între spaţiile

O interacţiune este cu atât mai puternică, cu cât:

Afinitatea pentru electroni a elementelor chimice este

Electronegativitatea, determinată de Pauling, variază între 0,7

În afara acestor legături primare, în corpurile solide se manifestă

Interacţiunile puternice sunt acelea cu caracter preponderent

Diferitele tipuri de legături care pot să se stabilească între

Pentru o distribuţie spaţială de sarcini electrice dată şi cunoscând

Aceşti atomi (sau molecule/ioni) sunt aranjaţi în spaţiu

Orice abatere de la regula

Starea amorfă a solidelor, considerată ca o stare de dezordine

Într-un lichid sau într-un solid necristalin,

Solidul vitros se obţine prin răcirea rapidă a unei

În gaze, entităţile sunt distribuite în mod aleator şi se

Pe baza conceptului de profil

Figura 5 Diagrama Weyl

Starea limită corespunzătoare

Figura 5 Diagrama Weyl

Formarea unor defecte de reţea

Starea energetică a cristalului real

În cazul unei substanţe din care s-

ŞTIINŢA MATERIALELOR OXIDICE

Fig. 1: Structura de tip corindon

Fig. 1: Structura de tip corindon

 Fiecare atom de oxigen devine comun pentru patru

 Corindonul (oxid de aluminiu cu formula -Al2O3) în

 MeIV = Ti, Zn, Sn;

Fig. 3 : Structura de tip perovskit

Fig. 3 : Structura de tip perovskit

Figura 4: Structura spinelică

 Cationii se pot afla în