Nanosudura cu ultrasunete intre nanotuburi de carbon i electrozi metalici

Cuprins
1. Introducere ............................................................................................................................................... 1 2. Metode convenionale de fabricatie a nanotuburilor de carbon/contactelor metalice .......................... 2 3. Nanosudura cu ultrasunete a nanotuburilor de carbon de contacte metalice ........................................ 4 3.1. Procesul de sudura cu ultrasunete .................................................................................................... 4 3.2. Efectele nanaosudurii cu ultrasunte .................................................................................................. 5 3.3. Natura nanotuburilor de carbon sudate/acontactelor metalice ....................................................... 7 4. Caracteristici ale NTC nanosudate/ale contactelor metalice.................................................................... 8 4.1. Caracteristici electrice ale NTC cu un singur perete nanosudate metalic ......................................... 8 4.2. Caracteristici electrice ale NTC semiconductoare nanosudate ....................................................... 10 4.3. Bariera contactelor nanosudate ...................................................................................................... 11 4.4. Rezistenta mecanica a contactelor nanosudate .............................................................................. 12 5. Concluzii .................................................................................................................................................. 14 Bibliografie .................................................................................................................................................. 15

1. Introducere
Nanotuburile de carbon (NTC) prezint un mare potential ca piatr de temelie pentru viitoarele sisteme nanoelectronice datorita unicitatii nanostructurii si proprietatilor deosebite. Pentru a explora potenialul lor n diverse domenii, o condiie esenial este aceea de a construi interconexiuni de ncredere ntre NTC i si circuitele electrice externe i sistemele mecanice. Pentru a aborda aceast nevoie, au fost explorate diferite procese chimice i fizice in scopul construirii de astfel de interconexiuni. De exemplu, Burghard a raportat "adsorbia controlat a NTC pe electrozi modificati chimic ". Cu toate acestea, o legatura mai puternica in loc de o adsorbie chimica slaba este obligatorie pentru construirea de nanodispozitive fiabile. Ruoff a artat c fascicul de electroni focalizat ntr-un microscop electronic cu baleiaj (SEM) poate fi folosit pentru a depozita o cantitate mica de hidrocarburi, care contribuie l a ataarea de nanotuburi pe varful unui AFM (Atomic Force Microscopy). O astfel de tehnica de "sudare in puncte" , a fost folosita pentru conectarea NTC de suprafae de polisiliciu, atat electric cat i mecanic. Madsen a prezentat o metod in situ pentru fixare de nanotuburi de carbon cu pereti multistrat pe microelectrozi prin depunerea unei compozit aur-carbon folosind un fascicul concentrat de electroni . Dei prin aceasta metoda se pot obtine contacte robuste, accesul limitat la un fascicul concentrat de electroni, scar mic si natura tratamentului impiedica folosirea la scar larg in industrie. Pentru a satisface nevoile unor aplicaii viitoare la scar larg, sunt dorite procese mai simple, mai ieftine i mai scalabile. n aceasta lucrare, vom prezenta un proces nou de nanosudura cu ultrasunete, cu care se poate realiza lipirea solida ntre nanotuburi de carbon cu un singur perete (SWCNTs) i electrozi de metal. Contactele formate prin procesul prezentat au rezisten scazuta la contact, o buna stabilitate pe termen lung i rezisten mecanic ridicata. Pentru nanotuburile cu un singur perete se poate atinge o rezisten redus, de aproximativ 15 k pentru o lungime de 1 m, la temperatura camerei. Dup nanosudura, inaltimea barierei tip Schottky ntre nanotuburile semiconductoare i electrodul de Ti este de doar 6.6 meV n pozitia ON i limea bariera este de 00:09 nm la Vg= 0. Performan efectului de cmp al tranzistorilor(FETs) fabricati prin aceast metod este mult mbuntita comparativ cu metodele clasice.

2. Metode convenionale de fabricatie a nanotuburilor de carbon/contactelor metalice

Pentru a studia proprietile lor electrice, nanotuburile cu un singur perete trebuie conectate la un sistem de electrozi extern. In aceasta sectiune vor fi descrise metodele conventionale prin care se ataseaza capete nanotuburilor individuale sau manunchiurilor de nanotuburi, pentru a face posibila trecerea curentului. Pentru atasarea de capete nanotuburilor, se porneste de la o placuta de Si, tip wafer, care are un oxid crescut pe suprafata. Litografia optica este folosita pentru a realiza gauri in oxid, si pentru atasarea de aluminiu la placuta de Si, care este folosita ca o poarta. In aceasta procedura structura de tip wafer este initial acoperita cu o substanta fotoresistenta.Expunerea la UV printr-un sablon transforma substanta fotorezistenta. Tiparul definit de catre sablon creaza spatii in stratul fotorezistent. Structura wafer este apoi scufundata in acid fluorhidric, pentru indepartarea oxidului expus la UV. In final, Al este evaporat in apa, iar metalul nedorit este indepartat printr-un proces de ridicare. Aceste etape sun prezentate in figura de mai jos.

Fig. 1. Pasi de fabricatie pentru un dispozitv alcatuit din nanotuburi

Metoda convenionala de fabricatie a nanotuburilor de carbon/contactelor metalice

Fig. 2. a) Un dispozitiv realizat prin asezarea tuburilor deasupra sondei. b) Un dispozitiv realizat prin evaporarea sondei aflata deasupra nanotuburilor. Incepand de la acesta structura tip wafer, realizarea contactelor la nanotuburi este facut prin doua metode. In prima metoda, traseele sunt initial definite folosind litografia optica su litografia bazata pe fascicul de electroni (EBL) pentru a realiza o matrice de electrozi. Tuburile se afla deasupra cailor, cum se arata in figura 1 (d,e). Dispozitive candidat promitatoare se gasesc folosind o statie de proba pentru testarea proprietatilor electrice. Aceste dispozitive sunt apoi examinate cu un AFM (Atomic Force Microscope) pentru a determina numarul si dimensiunea nanotuburilo/manunchiurilor ce realizeaza legatura intre contacte. In figura 2(a) este prezentat un dispozitiv realizat prin aceasta metoda. In a doua metoda, nanotuburile sunt depozitate sau crescute pe o structura wafer de Si oxidat ce are marcaje predefinite. Aceste marcaje sunt reprezentate de patratele de Au, 1m, care au fost aplicate prin litografie intr-o etapa anterioara.Un tub sau manunchi este localizat cu ajutorul AFM, si pozitia sa este inregistrata in
3

raport cu marcajele. Apoi, un polimer(PMMA sau PMMA/MMA) se imprastie peste proba, iar contactele intre nanotuburi sunt definite cu ajutorul EBL. In figura 2(b) este prezentat un dispozitiv complet. Indiferent de metoda, odata contactele realizate, dispozitivul este montat intr-un cip folosindu-se vopsea cu pulbere de argint. Contactele electrice intre placutele cipului si invelisul exterior sun facute din fir de Al cu diametru de 25m. Odata realizate aceste operatii cipul poate fi introdus intr-o mufa cu 16 pini si este gata pentru masuratori electrice.

3. Nanosudura cu ultrasunete a nanotuburilor de carbon de contacte metalice

Chiar daca se pot realiza contacte intre NTC si electrozi metalici prin metodele mentionate anterior, contactele obtinute au o rezistenta a contactelor mare, nu ofera un comportament constant in proces. Tersoff a explicat ca rezistenta de contact mare poate proveni din inhibarea conductivitatii dintre metal si NTC de catre simetri Bloch a electronilor sau de catre unicitatea structurii electronice a sistemului de contacte, acest lucru conducand laa un cuplaj electronic slab. Pe langa ceste motive, rezistenta mare la contact poate fi atribuita legaturilor slabe de tip van der Waals dintre metal si NTC atunci cant NTC sunt ur si simplu asezate suprafata electrozilor metalici, ceea ce provoaca departarea NTC de metal fapt ce duce o scadere a conductivitatii. Pentru obtinerea de dispozitive bazate pe NTC de dimensiuni mici, viteza mare si pierderi de putere mici trebuie neaparat studiata rezistenta scazuta la contact.

3.1. Procesul de sudura cu ultrasunete

Nanotuburile cu un singur perete cu diametru de 1.6 nm sintetizati prin descarcarea in arc erau folosite pentru acest procedeu. NTC cu un singur perete erau purificate intr-un amestec dr 3:1 acid sulfuric si acid nitric la 80 C pentru 30 minute. NTC neuscate erau filtrate cu isopropanol pentru indepartarea apei. Apoi NTC erau lovite cu ultrasunete in isopropanol si centrifugate la 15000 rpm pentru 2.5 ore pentru separare manunchiurilor de tuburile individuale. Substanta obtinuta, ce are o concentratie de cateva micrograme pe mililitru, este tratata ultrasonic timp de aproape 20 ore pentru desprinderea NTC cu un singur perete. Electrozi paraleli de Ti erau atasati prin litografie optica pe o structura wafer din silicon, care fusese placata cu un strat de dioxid de silicon cu o grosime de 150 nm. Perechile de electroni aveau o grosime de 300nm, o latime de 40m si o lungime de 40m, si erau separate de un spatiu de 1m. NTC cu un singur perete erau depozitate pe electrozi cu ajutorul unei suspensii sau prin alinierea cu ajutorul unui camp electric. O picatura din suspensia in care se aflau NTC era itrodusa pe structura wafer. Dupa depozitare sau alinierea cu ajutorul campului electric, NTC
4

cu un sigur perete erau asezate pe electrozi. Numarul de NTC care leaga o pereche de electrzi poate fi controlat prin modificarea concentratiei solutiei sau a parametrilor curentului, cum ar fi intensitatea sau frecventa. Produsele rezultatea sunt gata pentru sudarea cu ultrasunete.
Fig. 3. Schema procesului de nanosudura cu ultrasunete. (a)Inainte de sudura si (b) dupa sudura

Nanosudura cu ultrasunete s-a realizat cu un liant fir tip FB-128. Un singur cristal de Al2O3 cu o suprafata circulara de 2500m2 si o rugozitate de 0.2 nm a fost montata pe un liant pentru a functiona ca un cap de sudura. Figura 3 arata schematic procesul de sudare cu ultrasunte. Oforta de strangere de 78.4 mN a fost aplicata la presarea capului de sudura pe electrozi si nanotuburi. In acelasi timp o vibratie ultrasonica cu frecventa de 60kHz a fost aplicata capului de sudura printr-un traducator ultrasonic (fig 3.a). Energia ultrasonica a fost transferata legaturii prin capul de sudura ultrasonic. Astfel capetele NTC si electrozii au fost sudati sub actiunea combinata a energiei ultrasonice si a fortei de strangere( fig 3.b.). Pentru investigarea efectelor energiei ultrasonice asupra procesului de lipire sunt aplicate o serie de impulsuri ultrasonice de diferite intensitati.Procesul de sudare a avut loc la temperatura camerei si a avut o durata de 0.2s.

3.2. Efectele nanaosudurii cu ultrasunte

Figura 4.a,b prezinta imagini, realizate cu SEM (scanning electron microscopy), ale legaturii dintre doi electrozi realizate cu ajutorul NTC inainte si dupa sudare cu putere ultrasonica de 0.07W. Se poate observa ca un NTC cu un singur perete se sprijina pe cei doi electrozi inainte de sudare. Morfologia nanotubului aflat pe cei doi electrozi poate fi vazuta foarte clar. Dupa sudare, capetele NTC devin una cu electrozii, iar morfologia nanotubului este aproape invizibila. Zgarieturi datorita frecarii intre capul de sudura si electrozi se pot observa pe
5

suprafata electrozilor. (fig. 4.b). Fig 4.c arata mai multe nanotuburi ce au fost sudate pe electrodul de titaniu folosind atat presarea cat si tratamentul cu ultrasunete.

Figura 4 (a,b) Imagini SEM ale unu NTC cu un singur perete ce conecteaza electrozii de TI inainte si dupa nanosudarea cu ultrasunte cu o putere ultrasonica de 0.007W. (c) Imagini SEM ale mai multor NTC cu un singur perete sudate cu o putere ultrasonica de 0.16W. Portiunile marcate arata zona de imbinare Nanosudarea cu ultrasunete poate deasemenea fi folosita pentru sudarea unor cantitati mai mari de nanotuburi pe electrozi metalici. Figura 5.a reprezinta imaginea SEM a unui electrod cu o suprafata de 2500m2 cu nanotuburi sudate pe el. Asa cum se arata in figura 5.a procesul de nanosudura cu ultrasunte produce o zona de sudare directional datorita directiie vibratiilor capului de sudare. In zona sudurii NTC se sprijina pe suprafata electrozilor. In interiorul sudurii, NTC si substratul metalic sunt unite si formeaza o alta zona de sudare. Aproape toate nanotuburile sunt imprimate in electrodul de Ti si numai capetele unor NTC mai scurte se vad la suprafata.( fig 5.c).

Figura 5. Imagini SEM ale suprafetei electrozilor dupa sudarea unei cantitati mari de NTC cu un singur perete pe electrodul de Ti la o putere ultrasonica de 0.21W

Mecanismul aflat in spatele nanosudurii cu ultrasunte este urmatorul. In timpul sudarii cu ultrasunte, energia ultrasonica de mare frecventa inmoaie metalul si produce deformarea plastica a metalului sub influenta fortei de presiune datorita efectului de scadere acustice a duritatii. Astfel, s-a demostrat ca NTC cu un singur perete pot fi incorporate si sudate pe electrozi metalici.

3.3. Natura nanotuburilor de carbon sudate/acontactelor metalice

Pentru examinarea naturii legaturilor, se folosesc procedeele de spectroscopie fotoelectronica cu raze X (XPS) si analiza difractiei cu razae X (XRD). Datele sunt prezentate in figura 5.a. Analiza XPS releva ca nivelul spectral (fig 6.a curba1) alregiunii are un singur varf la 284.5 eV, atunci cand puterea ultrasonica este mai mica de 0.14W. Acest varf corespunde legaturii originale C-C a NTC. Acest rezultat indica nu au loc reactii chimice intre nanotuburi si electrozii metalici la puteri ultrasonice mici. Cand o putere mare (>0.14W) a fost folosita, a fost evidentiat un nou varf la aproximativ 280.8eV(fig. 6.a. curba2). Acest varf poate fi atribuit legaturii C-Ti din carbura de titaniu(TixC), ceea ce indica faptul ca e posibil sa se fi format comp[usi ai TixC in timpul procesului. Toate aceste rezultate indica faptul ca atunci cand puterea ultrasonica este mai mare decat o valoare prag, NTC reactioneaza chimic cu electrodul de Ti si formeaza carbura de titani la imbinarea sudata.
7

4. Caracteristici ale NTC nanosudate/ale contactelor metalice

4.1. Caracteristici electrice ale NTC cu un singur perete nanosudate metalic

Pentru evaluarea performantelor electrice ale contactului, se aplica testul rezistentei intre doua terminale asupra nanotubului sudat intre perechea de electrozi. Pentru simplificarea interpretarii rezultatelor, se va folosi termenul de nanotuburi metalice in loc de nanotuburi semiconductoare. Nanotuburile metalice si semiconductoare au fost identificate si diferentiate in functie de voltajul aplicat substratului de silicon. In experiment s-a descoperit ca atat NTC individuale cat si manunchiurile compuse dintr-un numar mic de NTC erau prezente in solutia de isoprpanol, chiar daca manunchiurile pot descompuse in NTC individuale. Ca rezultat, atat NTC individuale cat si manunchiourile pot conecta electrozii, odata NTC depuse. In experi,emtul prezentat, NTC individuale ce conectau electrozii au fost selectate pentru masurarea diametrului prin metoda AFM, astfel excluzand manunchiurile de NTC. Structura a fost considerata un NTC individual daca diametrul masurat prin AFM a fost mai mic de 2.2nm. Figura 8 arata doua exemple ale masurarii unui nanotub individual. Inainte de nanosudura cu ultrasunte, rezultatele testului rezistentei intre doua terminale ale unui NTC metalic individual erau de ordinul zecilor de megaohmi la temperatura camerei. Dupa sudarea cu ultrasunte cu o putere de 0.16-0.19W, rezultatele testului scazusera la un nivel de 8-24k.

Figura 7. Imagini ale unui NTC cu un singur perete individual in solutie de isopropanol dupa separare

Figura 8. Doua esantioane specifice Pentru masurarea diametrelor unor NTC prin AFM( atomic force microscope)

Figura 9. Performantele elctrice ale unor NTC metalice si semiconductoare individuale.

Pentru a putea evalua in profunzime efectele puterii ultrasonice asupra nanosudurilor, au fost sudate cu succes esantioane, cu puteri ultrasonice de la 0 la 0.21W, la intervale de 0.023W. Figura 9(a) arata dependeta rezistenta intre doua terminale (rezistenta-2t) ca o functie a puterii ultrasonice pentru doua dispozitive reprezentative. Inainte de sudare, rezistenta-2t a celor doua esantioane era 49.4 si 55.8 M. Atunci cand capetele nanotuburilor aflate pe electrozii metalici a fost presati cu ajutorul unei forte de strangere, fara aplicarea de putere ultrasonica, rezultatele rezistenta-2t ale celor doua dispozitive scazusera la 8.1 si 10.2 M. S-a demostrat ca rezistenta2t a scazut odata cu cresterea puterii ultrasonice aplicate.Pe masura ce puterea ultrasonica a crescut la 0.15W, rezistenta-2t a scazut cu mai mult de trei ordine de marime, apoi sa stabilizat la valorile de 22, respectiv 15K. In timpul experimentului a fost masurata si eva;uata statistic rezistenta-2t a 43 de esantioane. S-a observat ca cea mai mica valoaree a rezistentei a fost in jur de 15K, iar distridutia valorilor s-a apropiat de distributia Gauss, indicand faptul ca noile contacte formate sunt de incredere. Datorita faptului lipirea cu ultrasunte nu afecteaza rezistenta intrinseca a NTC dintre electrozi, toate scaderile de rezistenta-2t pot fi atribuite scaderii rezistentei contactului. Raportul de scadere a rezistentei contactului, poate fi exprimat astfel:

Unde R1 si R2 sunt rezistentele-2t inainte si dupa lipirea ultrasonica, si RNTC este rezistenta intrinseca a NTC intre cei doi electrozi. Din expresia de mai sus, raportul de scadere al rezistentei contactului este de asteptat sa fie mai mare decat raportul de scadere al rezistentei-2t. Toate aceste rezultate indica faptul ca rezistenta contactului poate fi redusa considerabil prin nanosudarea cu ultrasunete. In acelasi timp contactele s-au dovedit a fi stabile in aer, pe termen lung, si nu si-au modificat caracteristicile dupa o perioada de trei luni petrecuta in laborator la tenperatura camerei.

4.2. Caracteristici electrice ale NTC semiconductoare nanosudate

Caracteristicile legaturilor dintre NTC swmiconductoare si electrozii metalici au fost si ele studiate. Au fost preparate mai multe esantioane, pentru realizarea efectului de camp cu ajutorul NTC, prin sudarea individuala a NTCpe electrozi cu putere ultrasonica intre 0.16-0.19W. Marimile de iesire si de transfer ale unui proces de realizare a efectului de camp sunt prezentate in figura 9(b). Tranzistorul prezinta caracteristici de tip-p, cu un prag scazut al voltajului de 0.3V. Asa cum se arata in figura 9(b) curbele IDS-VDS sun t liniare si simetrice pentru 0.5V< VDS<0.5V. Efectul de camp obtinut arata o transductanta mare de gm/VDS=0.5V=3.6S in regiunea liniara dintre -4.5V<Vg<-1V, in timp ce inainte de sudura cu ultrasunete este de ordinul 10-9S. Aceasta transductanta este cea mai mare intalnita printre contactele bazate pe nanotuburi individuale. Astfel performantele dispozitivelor testate s-au imbunatatit considerabil dupa nansudare. In acelasi timp afost atins un raport de curent de 106-107. Pentru imbunatatirile evidente ale performantelor efectului de camp, cauza principala este scaderea importanta a rezistentei
10

contactului. O alta posibila explicatie poate fi modificarea configuratiei tranzistorilor datorita formarii carburii de titaniu, ceea ce a marit efectul modulator al portii.

4.3. Bariera contactelor nanosudate

Pentru explorarea proprietatilor NTC semiconductoare si ale electrodului de Ti au avut loc experimente pentru definirea dependentei de temperatura. Dependenta de temperatura reprezentata pe un grafic I-V este mai evidenta in regiunea in care VG=-7.5V, asa cum se arata in figura 10(a). S-a aratat scaderea curentului IDS odata cu scaderea temperaturii. Cand temperatura este mai mare de T>253K, dispozitivele au indicat caracteristici ohmice pentru care curbele IDSVDS aveau o forma liniara si simetrica. Acest lucru indica faptul ca barierele Schottky la nivelul contactului sunt destul de mici pentru a fi neglijate. La scaderea temperaturii curbele au aratat un comportament neliniar datorita actiunii de rectificare a barieirei Schottky la temperaturi scazute. Inaltimea si latimea mica a barierei Schottky indica faptul ca rezistenta contactului dintre NTC semiconductoare si electrod pot fi reduse semnificativ prin utilizarea nanosudurii cu ultrasunete.

Figura 10. Caracteristicile legaturilor la temperaturi si voltaje diferite

11

4.4. Rezistenta mecanica a contactelor nanosudate

In afara de testele electrice, a fost testata si integritatea mecanica a imbinarilor sudate prin impingerea mecanica a portiunii libere, de mijloc, a NTC sudat prin AFM. In experiment au fost folosite 20 de esantioane, sudate si nesudate. S- descoperi ca pentru imbinarile realizate doar prin presiune NTC nu erau sudate de electrozi, acestea au fost mutate cu usurinta si nu mai puteau realiza contactul intre cei doi electrozi(fig 11.a.b). Aceasta observatie ara ca legaturile de tip van der Walss dintre NTC si substrat nu sunt destul de puternice pentru a rezista miscarii NTC. Din contra, pentru esantioanele nasudate, cele doua capete ale NTC au ramas lipite chiar si dupa solicitarea NTC pana la rupere (fig 11.c). Acest lucru sugereaza ca legaturile pot suporta o solicitare mecanica rezonabila. Se observa ca segmentele de NTC apropiate de electrozi sunt inca perpendiculare pe acestia, intimp ce timp ce segmente aflate la suprafata de rupere sunt puternic indoite dupa testul de tragere cu AFM(fig 11.c). Acest fenomen poate fi explicat de catre existenta fortelor van der Walss intre NTC si substrat, fapt ce previne miscarea laterala a NTC si face ca NTC sa fie trase in lungul axei, formand o structura tensionata.

12

Figura 11. Caracterizarea stabilitatii mecanice a nanosudurii cu ultrasunete prin manipularea cu AFM(atomic force microscope) In final, trebuie mentionat ca experimente de sudarea cu ultrasunete au fost realizate si pentru imbinarea firelor de SiC sau Si cuelectrozi de Ti, sau a NTC cu un singur perete de electrozi de aur. Toate aceste imbinari sau dovedit a fi bune contacte electrice. Astfel, prezenta abordare este valabila pentru o raza mare de nanomateriale unidimensionale si de metale.

13

5. Concluzii

In studiile anterioarea au fost adoptate doua metode de formare a imbinarilor NTC-metal. In unul, electrodul de metal este preparat initial si apoi NTC se depoziteaza pe acesti electrozi metalici; cealalta metoda presupune depozitarea si sresterea de NTC pe substrat si apoi gasirea NTC si definirea electrozilor metalici la capetele NTC. Metodele actuale au ca principale probleme rezistenta mare a contactului, fiabilitatea scazuta in timpul procesului, procedurile complexe de realizare. Astfel, procesele mai simple, mai ieftine, mai scalabile sunt foarte de dorit. O noua tehnologie de nanosudura cu ultrasunete a fost introdusa ca solutie pentru imbinarea eficienta a NTC de electrozi metalici, prin presarea NTC cu un singur perete pe un electrod sub actiunea vibratiilor ultrasonice. Legaturile mecanice au o rezistenta mecanica deosebita. Prin aceasta tehnica s-a obtinut o stabilitate pe termen lung, o scadere a rezistentei contactelor,. Performanta efectului de camp realizat cu ajutorul nanosudurii cu ultrasunete a fost deasemenea imbunatatita. Tehnica nanosudurii cu ultrasunete nu depinde de tipul nanocomponentelor sau al electrozilor metalici. Mai mult, se spera ca sudura cu ultrasunete sa poata realiza legaturi multiple intr-un singur pas, la o singura presare si la o vibratie ultrasonica specifica. Astfel, aceasta tehnologie poseda potential pentru utilizarea industriala.

14

Bibliografie

1. W. Hoenlein, F. Kreupl, G.S. Duesberg, A.P. Graham, M. Liebau, R.V. Seidel, E. Unger. IEEE.Trans. Comp. Pack. Technol. 27, 629 (2004). 2. C.X. Chen, L.J. Yan, E.S.W. Kong, Y.F. Zhang, Nanotechnology 17, 2192 (2006). 3. Y. Woo, G.S. Duesberg, S. Roth, Nanotechnology 18, 095203 (2007). 4. C.X. Chen L.Y. Liu, Y. Lu, X.J. Sheng, H. Ding, Y.F. Zhang, Carbon 45, 436 (2007). 5. A. Javey, J. Guo, D.B. Farmer, Q. Wang, D. Wang, R.G. Gordon, Nano Lett. 4(3), 447 (2004). 6. C.X. Chen, Y.F. Zhang, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 172 (2006). 7. K. Xiao, Y. Liu, P. Hu, G. Yu, Y. Sun, D. Zhu J. Am. Chem. Soc. 127, 8614 (2005). 8. http://www.nanowerk.com

15