CUPRINS:

1. Introducere pag.2
2. Doparea GaAs cu Mn prin
implantare ionic pag.3
3. Formarea straturilor
semiconductoare
fieromagnetice
(AIII,Mn )BV prin metoda depunerii cu
laser pag.4
4. Metoda depunerii reactive prin
laser pag.6
5. Structuri de spin
fotoluminiscente pag.7
Bibliografie

1. Introducere
Spintronica, ca o ramur a tiinei i tehnicii, care se dezvolt foarte rapid, a fost
recunoscut n anul 2007 cu acordarea premiului Nobel n fizic profesorului A.Fert (Frana)
i P. Grunberg (Germania) pentru descoperirea efectului de rezisten magnetic gigantic
(efectul de magnetorezisten gigant a fost observat cu aproximativ cinsprezece
ani n urm, cnd s-a descoperit c rezistena unei structuri multistrat constnd
dintr-o succesiune de straturi magnetice i nemagnetice de grosimi de ordinul
nanometrilor, este puternic dependent de orientarea relativ a magnetizrilor
lmelor magnetice. Astfel, ntr-o conguraie antiferomagnetic(magnetizrile
lmelor sunt antiparalele) rezistentna este mai mare dect ntr-o conguraie
feromagnetic. Acesta indic faptul c momentul magnetic propriu al
electronilor, asociat cu spinul acestora, joac un rol esenial n determinarea
proprietilor de transport ale unor astfel de structuri). La baza funcionrii

dispozitivelor spintronice st utilizarea momentului magnetic propriu al micrii electronului

(spinului) pentru codificarea, transmiterea i pstrarea informaiei. Cercetrile n domeniul
spintronicii includ realizarea conceptelor i modelelor pentru dispozitive fizice, mbuntirea
tehnologiei de obinere a materialelor specifice care servesc ca baz acestor dispozitive,
cercetarea proprietilor materialelor i structurilor date. Dou direcii ale spintronicii
(metalic i semiconductoare) s-au dezvoltat practic paralel n lanul efecte-materiale i
heterostructuri-tehnologie-dispozitive i instalaii. Astfel, n anul 1988, n structurile periodice
(n super reele) metal fieromagnetic/metal obinuit a fost descoperit efectul rezistenei
magnetice gigantice (RMG). Iniial, pentru realizarea acestor structuri a fost utilizat metoda
epitaxiei din fascicol molecular (EFM) i doar dup cteva mbuntiri a metodei de
depunere magnetronic a structurilor RMG au fost realizate dispozitive industriale - la
nceput valva de spin i pe baza ei, n anul 2000- capuri de citire pentru winchestere. La fel,
dezvolatrea spintronicii semiconductoare a inclus n sine obinerea (anul 1992) a primelor
semiconductoare fieromagnetice de tip (AIII,Mn )BV i n continuare heterostructuri cuantodimensionale cu straturi magnetice, realizarea tranzistorului de cmp de spin, valvelor
semiconductoare de spin i dispozitivelor luminiscente de spin. n perspectiv, se
preconizeaz realizarea structurilor spintronice hibrid (metal-semiconductor) cu mbuntirea
posibilitilor de funcionare.
Interesul pentru obinerea i cercetarea materialelor, care pe lng proprietile de
semiconductor ar deine i proprieti de fieromagnetic a aprut la sfritul anilor 90. n
rezultat, n anul 2000 a fost depus cererea pentru realizarea proiectului individual
Modificarea proprietilor magnetice a structurilor semiconductoare cu ajutorul implantrii
ionice. Proiectul a fost aprobat de fodul de susinere a tiinei a statului Riu-Grandi-Du-Sul
(Brazilia) i a fost realizat n decursul unui an la Institutul de Fizic a Universitii Federale n
acelai stat. Pentru realizarea lui a fost folosit tehnic acceleratoare, instalaia de tratare
termic rapid i tehnic analitic a institutului menionat. Lucrrile de cercetare asupra
semiconductorilor GaAs, InAs, GaSb puternic dopate cu Mn au fost continuate la
Universitatea Oreneasc de Inginerie ncepnd cu octombrie 2001. ncet, s-a format un grup
de entuziati ai acestei noi direcii a fizicii i tehnologiei semiconductorilor. n anul 2002,
2

colaboratorii V.V.Podolskii i V.P.Lesnikov au nceput lucrrile de sintetizare a

semiconductorilor AIIIBV dopai cu Mn, prin metoda depunerii n vid cu laser. Un adevrat
succes n aceast tehnologie a fost atins cnd colaboratorul B.N.Zvoncov, n acelai an a
obinut n reactor prin epitaxia compuilor mtalo-organici (CMO) straturi de GaAs:Mn (cu
utilizarea evaporrii cu laser n flux de Oxigen i As). Astfel a aprut posibilitatea de a
combina structurile cu dimensiuni cuantice cu straturi de semiconductori magnetici.

2. Doparea GaAs cu Mn prin implantare ionic.

ncepnd cu mijlocul anilor 90, a devenit clar c creterea prin metoda epitaxiei din
fascicol molecular a straturilor de GaAs dopat cu Mn pn la concentraia de cteva procente
atomare, semiconductorul capt proprieti de fieromagnet. n plus, atomii de Mn
ndeplinesc aici rol dublu: ei servesc ca acceptori ncorporndu-se n nodurile subreelei de Ga
i au un moment magnetic necompensat din cauza umplerii pe jumtate a nveliului -3d.
Conform celui mai rspndit model Ruderman-Kittel-Kasuin-Iosid, interaciunea
fieromagnetic ntre atomii de Mn n GaAs se realizeaz datorit golurilor libere. Temperatura
Curie a straturilor de GaMnAs de obicei nu ntrece 110 K. A aprut un interes n cercetarea
posibilitii utilizrii pentru doparea GaAs cu Mn a implantrii cu ioni, care, fr dubii, este
cea mai eftin i industrial metod. Implantarea ionilor de Mn + s-a realizat n GaAs
semiizolat pe o int la temperatura camerei, cu energia de 50-200 keV. Cantitatea de ioni
varia de la 1013 la 5*1016cm-3. Pentru restaurarea structurii cristaline a GaAs, defectat n
rezultatul implantrii cu ioni a fost utilizat tratarea termic rapid (cu durata de 10-30s).
Dup tratare, la temperaturi mai mari de 600C straturile dopate cu Mn au demonstrat
conductibilitate de tip p. Concentraia golurilor n strat ajungea ns repede la saturaie cu
creterea dozei ionilor de Mn+ i nu ntrecea concentraia de 1014 cm-3. Pe lng aceasta,
conductibilitatea Hall a golurilor era de 230 cm2/V*s (msurrile au avut loc la
temperatura camerei). Rezultate mbucurtoare au artat msurrile efectului magneto-optic
Kerr (Efectul magnetooptic Kerr descrie transformrile luminii reflectate de la o suprafa
magnetizat. Lumina reflectat de la o aa suprafa i poate schimba polarizarea i
intensitatea datorit faptului c sufer o mic rotaie a planului de polarizare. Efectul Kerr
magneto-optic apare in urma interaciunii dintre radiaia optic liniar polarizat i o
suprafa magnetizat, radiaia reflectat fiind eliptic polarizat cu axa mare rotit cu un
unghi mic fa de planul de polarizare al radiaiei optice incidente, unghi ce poart
denumirea de rotae Kerr magneto-optic. Elipticitatea i rotaia Kerr depind liniar de
magnetizaie. Una din aplicaiile efectului Kerr magneto-optic este cea legat de posibilitatea
determinrii ciclului de histerezis magnetic corespunztor magnetizrii de suprafa .
Magneto-optica nu permite determinarea valorii absolute a magnetizaiei de suprafa a
probei, ci numai a valorii relative a acesteia (intensitatea radiaiei reflectate de suprafa a
probei fiind proporional cu magnetizaia acesteia). Se poate determina valoarea absolut a
cmpului magnetic coercitiv corespunztor magnetizrii de suprafa. Ciclul de histerezis
magnetic corespunztor magnetizrii de suprafa se obine prin inregistrarea intensit ii
radiaiei reflectate/rotaiei Kerr/elipticitate Kerr funcie de valoarea intensit ii cmpului
magnetic extern n care se afl proba magnetic.): semnalul descria o curb de histerzis din
3

dependena acestuia de cmpul magnetic exterior la temperatura de 300K. Acest semnal de tip
fieromagnetic aprea doar la doze de implantare mari (10 15 cm-3) i pentru un interval destul
de ngust a temperaturii de tratare (715-750 C). Semnalul maximal al efectului Kerr a fost
observat pentru urmtoarele condiii tehnologice: concentraia ionilor de Mn + egal cu (35)*1016 cm-3 la temperatura de tratare de 725 C n decurs de 10s. ns efectul Hall a fost
normal n msurrile la temperatura camerei, iar o anomalie nensemnat (n curba de
histerezis) a aprut doar la temperatura de 10K.
Cercetrile ulterioare au permis nelegerea mecanismului fenomenelor ce apreau n
rezultatul tratrii la temperaturi mari a stratului de GaAs dopat cu doze mari de ioni Mn +.
Cercetrile electromicroscopice a seciunii transversale a probelor implantate i tratate la
T=750C au artat prezena a dou tipuri de clusteri: cei poziionai aproape la suprafa de
tipul GaMn i cei aflai n adncime (n volum,) care depinde de energia implantrii i de tipul
MnAs cu diametrul de aproximativ 50nm. Compoziia clusterilor a fost foarte bine
determinat att prin metoda analizei energodispersive locale cu fascicol de electroni, ct i
prin metoda difractiei radiaiei Roentgen n sincrotron. Astfel, a fost observat un fenomen
interesant: la schimbarea temperaturii de msurare a fost nregistrat o trecere de faz de la
-MnAs la -MnAs. Spre deosebire de pelicolele masive MnAs, unde shimbarea de
faz de la faza fieromagnetic la cea paramagnetic este brusc (la temperaturi de 315K), n
Mn+ implantat n GaAs schimbarea de faz se ntinde pn la aproximativ 330K n urma
influenei matricei care nconjoar clusterii. n dependena parametrului reelei de temperatura
de msurarea fost observat histerezisul.
Astfel, din cauza dereglrii serioase a structurii GaAs la implantarea acesteia cu doze mari
de ioni grei de Mn+ (pn la formarea unui strat amorf) este necesar tratarea la temperaturi
destul de nalte. ns, din cauza solubilitii joase a Mn n GaAs (aproximativ 8*10 19 cm-3) n
procesul nclzirii are loc ieirea atomilor de Mn din soluia solid cu formarea unor
precipitate. Formarea acestor clusteri este avantajat i de mrirea coeficientului de difuzie a
Mn n GaAs la temperaturi nalte. Astfel, Mn formeaz o legtur puternic MnAs. O mic
concentraie de ioni de Mn rmne n soluia solid (stare acceptoare). Apariia efectului Kerr
de tip fieromagnetic este datorat acestor clusteri MnAs care au temperatura Curie mai mare
dect cea a camerei. n consecin, o astfel de abordare standart de implantare (implantarea
cu concentraii mari de ioni Mn+ cu temperatura nalt de ardere corespunztoare) nu permite
formarea straturilor semiconductoare fieromagnetice omogene.

3. Formarea
straturilor
semiconductoare
III
V
fieromagnetice (A ,Mn )B prin metoda depunerii cu
laser.
n legtur cu ncercrile nereuite de a forma straturi omogene de semicondcutori
feromagnetici prin metoda implantrii ionice, preul scump i inaccesibilitatea la instalaiile
speciale necesare (pentru dopare cu Mn sunt necesare instalaii EMR, destinate exclusiv
acestei operaii) au determinat cutarea tehnologiilor de obinere alternative. n continuare
sunt prezentate rezultatele obinute n urma utilizrii metodei de depunere cu laser. Aceast

metod, n varianta de vid, a nceput s fie utilizat n anii 80 pentru depunerea straturilor
semiconductoare i metalice i a materialelor supraconductoare la temperaturi nalte.
Primele experimente, efectuate n vid, au artat aplicabilitatea acestei metode pe exemplul
straturilor de GaMnSb. Aceste straturi, depuse la temperaturi de 200-440 C, s-au dovedit a fi
monocristale mozaice. Doparea cu Mn pn la concentraia de 4 atomare a determinat
concentraia purttorilor mai mare ca 1019cm-3. Straturile crescute la temperaturi de 200-300
C, dispuneau de proprieti feromagnetice pn la temperatura camerei, iar efectul Hall purta
un caracter anomal. ns rugozitatea straturilor obinute era destul de nalt, fapt condiionat
de depunerea pe surafaa n cretere, mpreun cu fascicolul de particule atomare, a unor
clusteri de dimensiuni mari formai n urma evaporrii intei de Mn i GaSb.
A fost folosit metoda evaporrii cu laser n atmosfer de gaz. Fascicolul de impuls al
laserului A:Nd trecea prin sistema de slbire a intensitii, sistema de scanare dup
suprafa i era introdus printr-un perete de cuar n reactorul de epitaxie CMO. Fascicolul
nimerea pe o int solid (din Mn metalic sau dintr-un disc semiconductor), situat la distan a
de 4-5 cm de la suportul rotitor nclzit. n procesul de cercetare, s-a dovedit c la presiunea
atmosferic (n flux de hidrogen) pn la suport ajunge doar o mic parte di materialul
evaporat. A fost descoperit c la presiunea hidrogenului n reactor de 25-50 Tor, viteza de
depunere se apropie de viteza de depunere n vid. Cu toate acestea fluxul de hidrogen n
reactor se pstra destul de nalt, ceea ce asigura puritatea atmosferei necesar n reactor.
Prezena atmosferei gazoase permitea excluderea nimeririi pe suprafaa stratului n cre tere a
clusterilor i a ionilor accelerai, spre deosebire de evaporarea cu laser n vid. n plus,
desfurarea procesului de epitaxie CMO permite la creterea arsenidelor sau a fosfidelor prin
introducerea n fluxul gazos de arsen sau fosfen, care discompunndu-se n plasma de laser, se
depun la suprafaa de cretere ca elemente a grupei a V-a, care compenseaz pierderile de
acestea la evaporare.
Primele rezultate n urma utilizrii acestei metode pentru obinerea straturilor de GaMnAs
au fost expuse la conferina din Saransc. A fost determinat, c straturile de GaMnAs, obinute
n diapazonul de temperaturi a creterii T=300-650C, deineau propriet i de semiconductor
(conductibilitate de tip p), ceea ce au artat dependen ele de temperatur a rezistivit ii si a
efectului Hall. n straturile de GaMnAs a fost observat efectul Hall anomal la temperaturi mai
mici de 60 K. Aceasta a permis de concluzionat c proprietile fieromagnetice a acestor
structuri legate cu polarizarea de spin a purttorilor, pot fi explicate calitativ n ramele teoriei
fieromagnetizmului n semiconductorii magnetici, determinate de interaciunea de schimb
ntre purttori i momentele magnetice a atomilor de Mn. Cercetarea efectului magnetooptic
Kerr n geometria meridional (cmpul este orientat la suprafa a probei), efectuate la
temperatura camerei, au artat prezena curbei de histerezis pe dependena unghiului de rotaie
a suprafeei de polarizare a fascicolului de laser (=632nm) de valoarea cmpului magnetic
exterior. Mrimea cmpului coercitiv Hc depindea att de coninutul de Mn, ct i de
temperatura de depunere a straturilor. n particular, pentru structurile cu straturi de GaMnAs,
crescute la temperatura de 400C, valoarea Hc atingea 390-480 Oerst. A fost expus
presupunerea, c n procesul de cretere a stratului n matricea GaAs dopat cu Mn, se
formeaz deasemenea clusteri de MnAs. Pe parcursul msurrii efectului magnetooptic Kerr a
fost descoperit o anizotropie puternic a curbelor de histerezis la suprafaa probei la
5


schimbarea direciei cmpului magnetic de la lungul axei [1 1 0] la cea [110]. Acest fapt
vine n acord cu presupunerile despre formarea n matricea semiconductoare a clusterilor de

MnAs, care au structur hexagonal i o ax de magnetizare uoar [2 1 1 0].

A fost descoperit, c tratarea cu un impuls de laser cu rubin (=0,68km, cu o durat de
25ns, densitatea puterii aproximativ 1*107 V/cm2) a dus la schimbarea semnificativ a
proprietilor de transport: rezistena la suprafa s-a micorat, iar probele la pstrarea
conductibilitii de tip p au artat efectul Hall anomal att la 77 K ct i la temperatura
camerei. Acest mecanism datorat influenei impulsului laser cu o durat de nanosecund
asupra proprietilor straturilor de GaMnAs poate fi legat cu montarea n subre eaua de Ga a
atomilor de Mn, care se afl n poziii neregulate. Cel mai probabil, pn la atratare cea mai
mare parte a atomilor de Mn se afla ntre noduri, determinnd stri donoare, care compensau
conductibilitatea de goluri.
Prezena n straturile obinute de GaMnAs a fieromagnetizmului aflat n consecin a
efectului magnetooptic Kerr i observarea efectului Hall anomal la temperatura camerei
numai dup tratarea termic cu laser, a dat posibilitatea presupunerii, c acest material con ine
dou faze de interaciune reciproc. Un astfel de sistem fieromagnetic poate prezenta n sine
clusteri de compoziie MnAs, montai n soluia solid de GaMnAs (semiconductorul care
poate fi fieromagnetic cu temperatura Curie dependent de concentraia Mn).
Au fost obinute straturi de InMnAs pe suporturi de GaAs. Este artat c straturile formate
de InMnAs au o structur monocristalin i dein proprieti de semiconductori de tip p.
Temperatura de precipitare a pelicolelor de InMnAs influeneaz semnificativ asupra
rezistenei ntre straturi: numai ntr-un diapazon destul de ngust de temperaturi T=280-330C
rezistena straturilor de InMnAs atinge valori minimale de aproximativ 10 4. O particularitate
important a straturilor de InMnAs, crescute la T=280-330C, este observarea efectului Hall
anomal la 77K i la temperatura camerei. Curba de histerezis confirm despre
fieromagnetismul acestor straturi. Cmpul coercitiv alctuia 310 Oerst la 300 K. Prezen a
proprietilor fieromagnetice a straturilor InMnAs, depuse n condiiile tehnologice expuse
mai sus, au fost confirmate de rezultatele cercetrilor efectului magnetooptic Kerr. Idealitatea
cristalului i compoziia de faz a straturilor de InMnAs au fost cercetate prin metoda
difraciei Roentgen. A fost stabilit c straturile de InMnAs au o structur de monocristal
mozaic cu faze active de MnAs. Experimentele efectuate pentru studierea rezonan ei
fieromagnetice n InMnAs au determinat prezena a dou a dou faze fieromagnetice.
Rspunsul de la una din ele disprea n intervalul de 313 332 K (cel mai posibil de la faza
MnAs), iar mai departe, pn la 475 K a fost observat semnalul rezistenei fieromagnetice a
altei faze fieromagnetice, pn cnd nedeterminat. Posibil c aceast a doua faz
fieromagnetic este matricea de InMnAs puternic dopat.
Efectul Hall anomal a fost observat pentru prima dat din curba de histerezis la
temperatura camerei n straturile de InMnAs. Aceast apariie a fost explicat calitativ prin
interaciunea purttorilor spin-polarizai cu momentele magnetice coninute n matricea
semiconductoare cu incluziuni fieromagnetice de MnAs.

Astfel, metoda depunerii cu laser n faza gazoas permite formarea straturilor de GaMnAs
i InMnAs, care pe lng proprietile de semiconductor prezint deasemenea i
comportament de fieromagnetic.

4. Metoda depunerii reactive prin laser

Interesul pentru legturile fieromagnetice semimetalice de MnAs i MnP, este legat cu
291 K pentru cristalele
faptul c aceste materiale dein o temperatur Curie ( 315 i
MnAs i MnP, corespunztor) destul de nalt pentru utilizarea lor practic, sunt compatibile
tehnologic cu straturile semiconductoare i pot fi utilizate n calitate de surse de purttori
spin-polarizai pentru injectarea lor n semiconductor.
Pentru creterea acestor materiale n reactor a fost efectuat evaporarea cu laser a Mn
metalic, iar n fluxul de hidrogen a fost adugat arsin i fosfin.
n procesul de analiz roentgen a structurii, a fost depistat c straturile de MnAs ob inute
prin metoda depunerii reactive cu laser au structur monoclistalin mozaic i conin o faz
-MnAs fieromagnetic hexagonal. Dependenele de cmpul magnetic a efectului
magnetooptic Kerr demonstreaz proprietile fieromagnetice a straturilor de MnAs i permit
de a obine informaii despre orientarea axei magnetizrii facile n direcia [110] a GaAs.
Dependena rezistenei straturilor probei de MnAs de temperatur, obinut la temperaturile
300 400C, poart caracter metalic. Toate structurile au conductibilitate de tip p la 295K i
77K. Pentru toate structurile, la temperatura de 295K, a fost observat efectul Hall anomal:
dependena rezistenei Hall de intensitatea cmpului magnetic are un aspect neliniar pe curba
de histerezis, ceea ce demonstreaz despre proprietile fieromagnetice a structurilor.
20

Aprecierea valorilor concentraiei purttorilor ( =9,5 10 cm

) i mobilitatii lor (

H =7 cm2 /V s ) au fost ndeplinite pentru prima dat pentru straturile de MnAs.

Structura i proprietile electrice a straturilor de MnP depindeau n mare parte de
temperatura lor de cretere. Straturile de MnP, depuse pe suportul de GaAs, aveau
conductibilitate de tip p, la fel ca i straturile de MnAs. Concentra ia purttorilor liberi
determinat la temperatura de 295K, alctuia 1*1021 cm-3 pentru T=300C i scdea pn la
3*1020 cm-3 cu mrirea temperaturii de cretere pn la T=450C. Efectul Hall al straturilor
crescute la 400 i 450C, era anomal cu curba de histerezis n intervalul de temperaturi de la
10 K pn la 295 K. Mrirea temperaturii de cretere a straturilor de MnP de la 300 la 450C,
ducea la mrirea valorii cpului coercitiv HC de la 135 Oerst la 1050 Oerst. Cercetarea
proprietilor galvanomagnetice a MnP pe suporturile de GaAs su fost efectuate pentru prima
dat.
Este marcat i faptul c n straturile de MnAs i MnP este observat efectul
magnetorezistenei negative cu caracter de histerezis i efectul magnetorezistenei anizotrope.
Se poate de afirmat c metoda evaporrii cu laser a unei inte metalice de Mn n flux de
hidrogen i hidride (arsin i fosfin) permite obinerea straturilor de MnAs i MnP, care de in
proprieti fieromagnetice aproape pn la temperatura camerei.
7

5. Structuri de spin fotoluminiscente

n aceste dispozitive, electronii spin-polarizai (sau golurile) sunt injectai n regiunea
activ, unde recombin cu golurile (sau electronii) nepolarizate cu emisia luminii liniar sau
circular polarizat. Legtura direct ntre polarizarea de spin i cea optic determin sursele
cu polarizare de spin sa fie destul de potrivite pentru un ir de aplicaii n criptografie,
structuri cu compui optici i pentru ntreruptori i modulatori de perspectiv. Elementele de
baz a diodei fotoluminiscente de spin (DFLS) de obicei sunt: a) injector feromagnetic, care
realizeaz polarizarea spinului purttorilor de curent, b) strat spacer, unde purttorii spinpolarizai se deplaseaz din injectorul feromagnetic, c) regiunea activ a dispozitivului, care
de obicei este compus din unul sau mai multe straturi de guri cuantice sau puncte cuantice,
unde n pe parcursul timpului mediu de via purttorii spin-polarizai recombin luminiscent
cu purttorii nepolarizai.
Prima variant a instalaiei DFLS a devenit cea pe substrat de n-GaAs cu groap cuantic
InxGa1-xAs/GaAs n rol de strat activ. n calitate de polarizator de spin al golurilor a fost folosit
un strat evaporat termic de Co (sau Ni). A fost artat c linia electroluminiscenei, care
corespundea recombinrii golurilor spin-polarizate i a electronilor nepolarizai din groapa
cuantic, la aplicarea cmpului magnetic H perpendicular la suprafa (geometria lui Faraday),
devine polarizat circular. Gradul de polarizare este o funcie de mrimea H (atinge 40% n
cmpuri puternice) i depinde de parametrii structurii i n primul rnd de stratul spacer.
O astfel de construcie permite fr probleme de a produce iluminare la aa lungimi de
und ntr-un substrat cu absorbie sczut. ns anizotropia formelor condiioneaz valori ale
rezistenei cmpului magnetic prea mari n aceast geometrie pentru a obine valori importante
a gradului de iluminare circular polarizat. Cu toate acestea au fost subliniate cteva
particularuti importante ale DFLS, care au influienat asupra cercetrilor ulterioare n
aceast direcie.
n primul rnd, grania de separare metal feromagnetic/GaAs conine aa-numitul strat
magnetic mort, prezena cruia duce la o micorare evident a coeficientului de injecie a
purttorilor spin-polarizai (deci i a relaxrii de spin la interfa). Depunerea unui strat triplu
de compoziie metalic de tipul Au/Co/Au a permis un grad important de micorare a acestui
efect. Pe lng aceasta stratul superior de Au a folosit pentru prevenirea oxidrii Co la
pstrarea dispozitivului la aer.
n al doilea rnd, a fost demonstrat experimental, c n pofida prerilor despre
imposibilitatea realizrii instalaiei DFLS din cauza relaxrii de spin puternice a golurilor
spin-polarizate, lungimea relaxrii de spin a golurilor n GaAs nedopat crescut prin epitaxie
cu utilizarea tehnologiei CMO, alctuia aproximativ 80 nm. Aceast valoare permite destul de
bine realizarea variantei de injectare a golurilor spin-polarizate i utilizarea substratului (bazei
diodei) de n-tip.
Al doilea model de DFLS, care a fost realizat, a revzut injectarea golurilor cu ajutorul
barierei Shottky la polarizare direct Au/GaAs. Particularitatea acestei construcii const n
faptul c n apropierea gropii cuantice, la distana stratului spacer se afla delta-Mn strat
dopat. De ce anume delta-strat? Deoarece, cum a fost menionat mai sus, atomii de Mn au un
coeficient mare de difuzie n GaAs. Nu este dorit cderea atomilor de Mn n groapa cuantic
din cauza activitii de recombinare, n rezultatul creia intensitatea iluminrii de recombinare
8

a gropii cuantice la lungimea de und corespunztoare tranziiilor energetice ntre nivelele

electronice scade observabil. Pe lng acestea, pentru Mn n GaAs este caracteristic
fenomenul de segregare n procesele epitaxiale, cnd pentru o concentraie mare a atomilor de
Mn acetia se mping sub forma unui strat crescut la suprafa. Pentru minimizarea segregrii
este necesar de a micora cantitatea Mn n structura de GaAs i/sau de micorat temperatura
epitaxiei. n conformitate cu acestea, a fost propus urmtoarea schem a proceselor de
cretere: nti, la temperatur nalt de 600-650 C, se crete o regiune de mrime cuantic
un strat de GaAs, groap cuantic In xGa1-xAs i spacer din GaAs nedopat. Apoi temperatura
substratului se scade pn ls 350-400C i n acelai reactor se depune stratul de Mn cu
grosimea (QMn) pn la 0,2 monostraturi, care la aceeai temperatur a substratului se acoper
cu un strat de GaAs dopat cu grosimea 20-40 nm. Pentru ndeplinirea operaiilor la
temperaturi joase se folosete evaporarea cu laser a unei inte metalice de Mn i GaAs
nedopat, corespunztor. Temperaturile menionate mai sus pentru ndeplinirea etapei
principale de formare a structurii reprezint un compromis ntre scderea temperaturii
necesar certerii (pentru minimizarea nimeririi prin difuzie a Mn n groapa cuantic) i
cerinele pentru obinerea stratului de GaAs cu calitate nalt a reelii cristaline (pentru aceasta
trebuie de ridicat temperatura substratului la depunerea cu laser).
S-a dovetit a fi c, introducerea delta Mn- strat dopat la cureni egali, diodele DFLS
mresc intensitatea electroluminiscenei mai mult dect cu un ordin, n comparaie cu aceeai
diod fr delta-dopare. Acest efect se explic prin modificarea structurii de benzi prin
introducerea stratului delta-dopat: apariia barierei pentru electronii dintre groapa cuantic i
suprafa i micorarea nlimii efective barierei de potenial pentru purttorii de curent
minoritari.
n cmp magnetic (geometria lui Faraday) iluminarea gropii cuantice este polarizat
circular: intensitatea electroluminiscenei stng- polarizat ntrece intensitatea celei dreptpolarizat sau invers, n dependen de direcia cmpului magnetic. Gradul de polarizare
circular a iluminrii se determin dup parametrii tehnologici: coninutul de Mn n stratul
delta i grosimea spacer-ului ntre groapa cuantic i delta-Mn- strat dopat. Cele mai bune
rezultate au fost obinute pentru concentraia Mn 0,150,2 i grosimea spacer-ului de 23 nm. Mai multe cercetri (n special studierea proprietilor galvano-magnetice a stratului
delta-Mn pe un substrat semiizolat de GaAs) au permis determinarea faptului c orientarea de
spin a golurilor are loc n interiorul gropii cunatice.
Valoarea gradului de iluminare polarizat circular atinge 50% i alctuiete n cmpuri
medii (pn la 1T) 1820 . Aceti parametri se gsesc la nivelul mondial al celor mai
bune rezultate pentru dispozitive de acest fel.
Acest tip de DFLS, ns, deine un ir de limite, care sunt legate de temperatura Curie mic
T 3035 K
a stratului dopat delta-Mn ( c
). Astfel, la T >35 K rmne doar o slab
polarizare a golurilor n groapa cuantic din cauza despicrii Zeeman (mai puin de 10% n
cmpuri de 9T).
Limitele specifice ale DFLS de tipul 1 i de tipul 2, au stimulat cercetrile n direcia
straturilor de semiconductori feromagnetici (InMnAs, MnP) cu o grosime destul de mare (
9

0,1 m ) n calitate de injectori DFLS. Astfel se ateapt mrirea temperaturii Curie pn

la

T c 300 K

a ctorva structuri mai simplificate, din contul excluderii etapei de formare a

barierei Shottky (stratul metalic, evaporat pe injector, se utilizeaz n calitate de contact

ohmic, sub forma unei concentraii mari de goluri n materialele sus- enumerate.)
Astfel, pe baza cercetrilor efectuate n laboratoarele de tehnologie epitaxial, a fost creat
o nou direcie n domeniul fizicii i tehnologiei semiconductoarelor: formarea structurilor i
dispozitivelor semiconductoare feromagnetice, bazate pe efectele de spin, cu ajutorul
metodicii combinate epitaxia CMO i depunerea cu laser. Aceast metod permite creterea
regiunilor de heterostructuri i straturi magnetice de mrimi cuantice ntr-un ciclu tehnologic
comun.

Bibliografie:
. . :
A3B5,
. . . , 2010, N#5(2), pag. 339-346.

10