CUPRINS:

1.
2.
3.

INTRODUCERE N LITOGRAFIE
RENTGENOLITOGRAFIA
BIBLIOGRAFIE

1. INTRODUCERE N LITOGRAFIE
Scopul proceselor de litografie este definirea configurailor geometrice n rezist pe plachete, a a
cum este ilustrat n figura 1.

Fig.1. Etapele principale ale unui process de litografie

Pentru nceput, rezistul este etalat pe plachete ntr-un strat uniform de aproximativ 1m grosime.
Dup un tratament de coacere, plachetele acoperite cu rezist snt expuse la acel tip de radiaie la care
este sensibil rezistul. n continuare, plachetele snt developate ntr-o soluie (developant) care dizolv
fie zonele expuse (ca n figura 1) fie zonele neexpuse, n funcie de timpul rezistului. Dup un
control sever i un nou tratament de coacere, procesul de litografie este ncheiat i, dac este cazul,
plachetele pot fi n continuare gravate (corodate selectiv ).
Dei toate etapele procesului litografic snt la fel de importante pentru trensferul su success
alconfiguraiilor, operaia critic este expunerea. Aceasta se realizeaz cu ajutorul unor echipamente
speciale, numite sisteme de alimentare (sau de aliniere-expunere). Un sistem de aliniere realizeaz
dou lucruri. Mai nti, cu ajutorul su se aliniaz masca de lucru cu placheta, astfel nct
configuraiile ce urmez a fi transferate s se suprapun cu precizie peste cele existente deja pe
plachet n urma etapelor anterioare de definire a geometriilor corespunztoare altor nivele (straturi)
ale circuitelor. n al doilea rind, sistemele de aliniere furnizez radiaia necesar expunerii rezistului.
Principalele tehnici de expunere existente n prezent snt ilustrate n figura 2.
Fig.2. Diferite variante de expunere

Astfel, configuraiile pot fi

transpuse

rezist

prin

expunere cu mti de lucru 1:1

(originale sau copii) sau prin
reticule

la

scara

10:1*

repetarea cipurilor direct pe

plachet. Expunerea

poate fi

fcut de asemenea direct pe

plachet, fr a mai fi necesare
nici un fel de mti. Din punct
de vedere al radiaiei utilizate
pentru expunere, sistemele de aliniere pot fi optice (cu lumin ultraviolet), cu fascicol de electroni,
cu raze X, sau cu fascicol de ioni. Cele mai rspndite n prezent i n viitorul apropiat snt sistemele
optice, de fotolitografie.
Tipul de rezist folosit ntr-o anumit tehnic litografic depinde de radiaia utilizat pentru
expunere. Exist astfel fotoreziti ,electronoreziti, reziti pentru raze X etc., fiecare tip avnd
caracteristici specific, care vor fi discutate n cadrul proceselor respective. Cu toate acestea, rezitii
au i proprieti commune, independente de tipul radiaiei la care snt sensibili. n primul rnd, orice
rezist trebuie s fie capabil s rezolve dimensiunele minime ale geometriilor ce urmez a fi
transferate. n al doilea rnd, rezitii trebuie s fie suficient de sensibili la radiaiile utilizate pentru
expunere, n scopul minimizrii timpului de expunere. n al treilea rnd, rezistul trebuie s aib n
acelai timp o bun aderen la diversele straturi utilizate n tehnologia circuitelor integrate, o bun
rezisten la corodare fa de agenii folositi pentru gravura straturilor respective i s fie uor de
nlturat dup gravur. n fine, rezitii trebuie s fie lipsii de particule n suspensie, s ofere o bun
reproductibilitate de la plachet la plachet i de la un lot de rezist la altul i s fie stabili pe durata
stocrii.
Rezitii snt de dou tipuri: pozitivi i negativi. Rezitii pozitivi devin prin expunere mai solubili
n developant (ca n figura 1), n timp ce rezitii negativi devin mai puin solubili, aa cum este
ilustrat n figura 3(a).
Fig.3. Caracteristici de expunere (grosimea stratului de resist n func ie de energia de expunere) (a) i
profile obinute dup developare (b), n cazul rezitilor pozitivi i negativi.

Solubilitatea rezitilor
pozitivi este finit chiar la
energia de expunere nul.
Odat

cu

creterea

energiei

de

expunere,

solubilitatea crete, astfel

nct peste un anumit prag
(ET)

rezistul

complet

solubil

developant.
negativi
solubili

devine
n

Rezitii
snt

la

complet

energii

de

expunere mici. Peste un

anumit
solubilitatea

prag
ncepe

(ET)
s

scad cu creterea energiei, astfel nct la energii mari foarte puin rezist mai poate fi dizolvat n
developant. Prin urmare, n cazul fotorezitilor pozitivi developarea ndeprteaz fotorezistul de pe
plachet n zonele transparente de pe masc, iar in cazul fotorezitilor negativi developarea
ndepartez fotorezistul n zonele opace, aa cum arat figura 3(b). caracteristicile de expunere, cum
snt cele din figura 3(a), snt determinate de toi parametrii procesului litografic,cum ar fi: grosimea
iniial a stratului de rezist, carecteristicile spectrale ale radiaiei de expunere, parametrii procesului
coacere, compoziia developantului, condiiile de developare etc.
Scopul procesului de litografie este de a transpune ct mai exact configuraiile geometrice de pe
masc n stratul de rezist, pentru a fi ulterior gravate n stratul existent pe plachet. Multiple
imperfeciuni ale proceselor litografice, concur n practic la deformarea geometriilor (imaginilor)
transferate. Principalii parametri care caracterizeaz un proces litografic snt: rezoluia, controlul
dimensional, precizia de superpoziie (alinierea) i densitatea de defecte introduse. Rezoluia este o
masur a dimensiunilor minime ce pot fi transferate n mod reproductibil n rezist. Desigur, rezoluia
global a procesului litografic este determinat de rezoluia sistemului de aliniere i de cea a
rezistului folosit. Controlul dimensional este o msur a gradului n care dimensiunele geometriilor
de pe masc snt replicate identic n rezist (i ulterior n stratul gravat). Un prim efect de control
dimensional imperfect a fost deja ilustrat calitativ n figura 3 (b). Se observ c forma geometriilor de
rezist aproximeaz geomeriile de pe masc fr a fi perfect identice, limea zonelor developante
avnd tendina s cresc prin supraexpunere. n particular, acest fenomen este datorat ptrunderii
luminii sub zonele opace ale mtii prin difracie. Multe alte efecte, legate de sistemele de aliniere4

expunere, de reziti, sau de relieful i natura substratului, contribuie la slbirea controlului

dimensional. Aceasta este o problem major n tehnologia circuitelor integrate pe scar mare i
foarte mare, datorit toleranelor foarte mici impuse dimensiunelor geometriilor (tipic 10% din
valoarea nominal, deci spre exemplu 0,2m pentru linii de 2m). Controlul dimensional statistic
este o operaie obligatorie n cadrul procesului de litografie. Aceasta se execut imediat dup
developare, iar plachetele care nu se ncadreaz n limitele de acceptare snt reciclate prin
ndeprtarea rezistului i reglarea de la nceput a procesului. Dei un control riguros are loc i dup
corodare, reciclarea plachetelor este mult mai dificil dup aceast etap, deoarece trebuie nlturat
complet nu numai rezistul ci i stratul gravat, iar plachetele trebuie reprocesate pentru realizarea din
nou a stratului respectiv. Aceast operaie nu este ntodeauna posibil, datorit efectelor pe care
refacerea stratului le poate avea

asupra structurilor (de exemplu distribuirea impuritilor ).

Observaiile de mai sus snt valabile i pentru ceeelalte categorii de imperfeciuni, respectiv erorile
de superpoziie i defectele. Prin urmare, controlul statistic dupa developare (i corodare) cuprinde
att faze de control dimensional, ct i de control de superpoziie i de defectele.
ntre configuraiile de pe nivelele succesive de mascare exist legturi spaiale stricte. De
exemplu, oxidul de poart trebuie s depeasc marginile insulelor de surs i dren, traseele de
metalizare trebuie s gsesc n interiorul zonelor difuze etc. n figura 4 este prezentat un exemplu,
n care un dreptunghi de pe nivelul 2 este proiectat s cad n interiorul unuia de pe nivelul 1.
Fig.4. Definirea erorii de superpoziie cu
ajutorul a dou dreptunghiuri aflate pe
nivele diferite i avnd pe layout acelai
centru.

Datorit unei multitudini de factori,

n practic geometriile respective vor fi
afectate

de

anumit

eroare

de

superpoziie, care implic respectarea pe

layout a unei anumite grzi (distane
minime) ntre marginele celor dou
figuri, astfel nct n final ele s nu se ating. Aceast gard constituie una din regulile de proiectare
utilizate la generarea layout- ului. Factorii care determin eroarea de superpoziie snt imprecizia de
aliniere a geometriei de pe nivelul 2 cu cea de pe nivelul 1 (manifestat n figura 4 prin deplasarea
relativ a centrelor dreptunghiurilor - Wa) i impreciziile de control dimensional pe cele dou nivele
(Wd1 i Wd2). Impreciziile de control dimensional rezult din combinaia mai multor erori, cum
ar fi erorile dimensionale existente pe mti, erorile introduse de procesele litografice (discutate mai
5

sus) i erorile introduse de procesele de corodare a straturilor de pe cele dou nivele. Imprecizia de
aliniere provine de la erorile de superpoziie existente pe mti, dilatarea termic diferit a mtilor i
plachetelor, distorsionarea plachetelor i erorile de aliniere. Erorile de aliniere snt datorate
operatorului care execut operaia de aliniere, sau sistemului de aliniere n cazul alinierii automate.
Presupunnd c Wd1, Wd2

i Wa au o distribuie statistic de tip Gauss, cu abaterile medii

ptratice d1, d2 i respectiv a, distana minim (garda) care trebuie s existe ntre cele dou
geometrii pe layout este (vezi figura 4):

( 14 ) (

W min=3 s=3 [ 2a +

2
d1

+ 2d 2 ) ]

1/2

unde s este abaterea medie ptratic de superpoziie total. Spre exemplu, pentru d1=d2 =0,4 m i
a=0,8m, rezult conform ecuaiei Wmin=2,55m. Este evident c pe lng rezoluie, densitatea de
mpachetare a structurilor definite prin litografie n circuite integrate pe scar mare este determinat
de controlul dimensional i precizia de aliniere.

2. RENTGENOLITOGRAFIA
Roentgenolitografia tehnologie de preparare a microschemelor electronice. Este un multiplu al
fotolitografiei, care folosete iradierea rezistului cu ajutorul razelor roentgen.
Metoda roentgenolitografic se bazeaz pe interaciunea reciproc dintre radiaia Roentgen i
roentgenorezist, prima ducnd la schimbarea proprietilor acestora mrirea sau micorarea
rezistenei la developant.
Ca elemente optice ale instalaiilor roentgenolitografice pot fi oglinzi reflectante (reflectori) pe
baza nanoheterostructurilor cu straturi de Ni-C, Cr-C, Mo-C, W-C. n calitate de ablon se folosesc
membrane metalice subiri (1m i mai puin). Oglinzile Roentgen stratificate favorizeaz reflec ia
Bragg cu condiia d = /(2sin), unde d- perioada structurii i - unghiul de alunecare. La cderea
perpendicular a radiaiei = 90 i perioada d = /2, grosimea fiecrui strat din oglinda Roentgen
este egal cu aproximativ /4 sau 1 nm.
Problemele de difracie care limitez expunerea optic prin proximitate pot fi mic orate prin
reducerea lungimii de und. Aceste probleme snt eliminate n cazul expunerii cu raze X, a cror
lungime de und este de ordinnul a 4-50A. n plus, nu apar efectele de mpra tiere caracteristice
electronolitografiei. Un sistem de expunere cu raze X generez un fascicol de electroni care este
focalizat pe o int rcit (realizat uzual din paladiu). Prin bombardarea intei snt generate raze X
(=4,36A) care trec din vid n camera de expunere umplut cu heliu printr-o fereastr de beriliu.
Heliul din camera de expunere mpiedic aerul s absorb razele X. Placheta acoperit cu rezist
sensibil la raze X este aliniat cu masca i apoi expus prin umbrire n proximitate (distan a tipic
6

dintre masc i plachet este cuprins ntre 20 i 40 m). Pe lng rezoluia nalt (limitat de
mpratierea electronilor secundari, care este de ordinul a 400 A) i productivitatea mare, tehnica
litografiei cu raze X mai prezint i avantajele de a nu necesita corecii de proximitate, de a putea fi
expuse n ntregime straturi relativ groase de rezist (rezultnd dup developarea profile cu perei
verticali) i de a fi mai puin sensibil la particulele care contamineaz masca ( i care nu absorb
semnificativ raze X).
Controlul dimensional, rezoluia i precizia de supoziie snt ns limitate de efecte geometrice,
ilustrate n figura 5.
Fig.5. Efecte geometrice care limiteaz
rezoluia i conduc la distorsionarea
imaginii transferate prin litografie cu
raze X.

Dac sistemul de expunere cuprinde

o surs de raze X cu diametrul
fascicolului a, situat la distana L de
masc, distana ntre masc i plachet
fiind g, imaginea transferat n rezist
este afectat la marginile geometriilor
de un efect de penumbr msurat prin imprecizia
d g/ L
Pentru valorile tipice a=3mm, g=40m i L=50 cm, penumbra rezult de ordinul a 0,2 m. Un al
doilea efect geometric este eroarea de mrire lateral, datorat sursei punctiforme i distanei finite
dintre surs i masc. Astfel, imaginile proiectate pe plachet snt deplasate lateral cu o distan
d=rg/L , unde r este distana fa de centrul plachetei. Eroarea crete liniar de la centrul plachetei
spre margini, conducnd la o imprecizie sistematic de superpoziie (run-out). Aceast eroare
poate atinge 4 m la marginile unei plachete de 100mm diametru (pentru g=40 m i L=50 cm). n
principiu, eroarea poate fi compensat la realizarea mtilor. Cu toate acestea, variaiile interstiiului
dintre masc i plachet, att n timpul unei expuneri ct i de la o masc la alta, pot produce erori de
superpoziie sistematice semnificative dac valoarea distanei g nu este ajustat cu precizie naintea
fiecarei expuneri, sau dac plachetele snt deformate.
Rezitii utilizai n litografia cu raze X snt expui (prin ruperea legturilor sau polimerizare) de
ctre electronii secundari rezultai n urma absorbiei razelor X. Prin urmare, to i electronorezi tii

pot fi folosii, n principiu, n litografia cu raze X. Roentgenorezist materiale polimere care se

distrug (pozitive) sau se compun (negative) sub aciunea radiaiei Roentgen. n transformrile
chimice, distrugerea sau compunerea moleculelor roentgenorezistului, rolul de baz l joac
electronii eliberai la iradiere de pe nveliurile interioare ale atomilor.
n practic, cel mai utilizat este rezistul pozitiv pe baz de polimetilmetacrilat (PMMA), care se
folosete i n electronolitografie. El se caracterizeaz prin stabilitate nalt a proprietilor,
insensibilitate la radiaia UV, rezisten la aciunea acizilor la developare.
Din pcate ns, sensibilitatea acestor reziti (de ordinul a 1-10 mJ/cm 2 min) este insuficient
pentru atingerea unei rezoluii nalte cu o productivitate acceptabil. Sensibilitatea rezitilor poate fi
mrit, ntr-o oarecare msur, prin creterea coeficientului de absorbie a razelor X, cre tere ce se
poate obine prin ncorporarea n rezist a unor elemente puternic absorbante cum este Cl. Rezi tii
negativi snt afectai de problema gonflrii n timpul developrii. Aceasta poate fi evitat prin
developarea uscat, n plasm de oxigen.
Sursa de raze X este format n mod obinuit dintr-o int metalic (Pd, Rh, Al) bombardat de
un fascicol de electroni. Eficiena este foarte sczut (sub 1%), deoarece cea mai mare parte din
energia fascicolului de electroni este disipat n int sub form de caldur. Chiar cu un sistem
eficient de rcire forat, disipaia intei nu poate depi circa 2 kW/mm 2, astfel nct fluxul de raze
X care ajunge pe suprafaa rezistului este mic (de ordinul a 0,1 mW/cm 2). Cum i rezitii snt puin
sensibili, iar razele X neputnd fi colimate, ar trebui minimizat distana L dintre surs i plachet.
Aceasta ns conduce, aa cum am vzut, la amplificarea efectelor geometrice defavorabile. n
concluzie, n sistemele convenionale de litografie cu raze X este necesar un compromis ntre
calitatea transferului de imagine i productivitate. Performan ele slabe ale surselor clasice de raze X
au stimulat interesul fa de utilizarea radiaiei sincrotronice produse de electronii accelera i radial
pe orbite din interiorul unui inel de accelerare (sincrotron), unde ating energii de peste 100 MeV.
Fascicolul de raze X obinut este aproape colimat (disprnd astfel efectele geometrice) i poate
atinge densiti de energie de ordinul a 100 mW/cm 2 la suprafaa plachetei. Dezavantajele evidente
ale unei astfel de surse snt gabaritul mare i costul enorm.
Mtile pentru litografia cu raze X se realizeaz dintr-un metal care absoarbe razele, depus i
configurat pe un suport foarte subire (1-3 m), transparent att razelor X, ct i n domeniul vizibil
(membran poliamidic, din Si, SiC, Si 3N4, Al2O3, sau diverse materiale combinate). Membrana
transparent este ntins pe un cadru realizat din siliciu i pyrex. Metalul de mascare (uzual Au) este
litografiat cu fascicol de electroni. Perfecionarea tehnologiei de realizare a mtilor, mpreun cu
realizarea de reziti cu performane superioare i de surse de raze X de putere mrit, vor condiiona
adoptarea litografiei cu raze X ca proces industrial.

Roentgenolitografia, ca i litografia optic, se realizeaz pe calea expunerii concomitente la

radiaia X a unui numr mare de detalii ale desenului, ns radiaia roentgen cu lungime de unda
scurt permite realizarea unui desen cu detalii mult mai fine i cu o rezoluie mult mai nalt (~ 10
nm). n comparaie cu electronolitografia i ionolitografia, roentgenolitografia se caracterizeaz prin
radiaie distructiv mic a structurilor formate i posibiliti de producere larg datorit posibilit ii
de prelucrare concomitent a unor suprafee mari ale probei.
Iradierea Roentgen caracteristic este determinat de interaciunea dintre electronii accelerai cu
electronii de pe nveliurile interioare ale atomilor materialului intei n procesul iradierii acesteia,
n rezultat, electronii atomilor intei trec de pe nveliurile interioare pe cele exterioare sau prsesc
atomul. La aceasta, tranziiile electronilor pe nivelele eliberate din nveliul interior al atomului sunt
nsoite de emisii roengen caracteristice cu lungimea de und 0,1 -10 nm.
n tehnologia microelectronicii se folosete metoda roentgenolitografiei proiec ional, anolog cu
metoda fotolitografic pe decalaj: ntre placa pe care este depus roentgenorezistul i sursa de
radiaie X se pune ablonul care ilustreaz configuraia unui strat topologic IMC. La iradiere
ilustraia ablonului se proiecteaz pe rezist. Este posibil iradierea concomitent a mai multor
plci.
Sistemul pentru realizarea litografiei este alctuit din instala ia Roentgen pentru expunere,
sistemul de introducere a ablonului cu rezistul i ablonul.
ablonul reprezint n sine o contrucie complicat. El este compus din suport, o membran de
staniol care permite trecerea radiaiei X i un strat care absoarbe bine aceast radia ie. De cele mai
dese ori, ablonul este pregtit din Si (suportul) care asigur construciei o rezisten mecanic
destul (fig.6).
Fig.6. Schema de pregtire a
ablonului:
a)depunerea straturilor de SiO2, Cr
i Au;
b)formarea desenului ablonului;
c)corodarea local Si-n+.

n calitate de membran de
staniol se utilizeaz oxid sau nitrid
de Si, apoi se depune stratul de Cr
i Au (fig. 6a), n care se formeaz
configuraia necesar (fig. 6b).
Pentru care, de regul, se folosete
electronolitografia.

La

ultima

etap, Si se corodeaz local n locurile ferestrelor n stratul de Au (fig. 6c).

Tehnologia roentgenolitografiei se alctuiete din urmtoarele operaii de baz:
9

Depunerea stratului de roentgenorezist (cel mai des prin metoda de centrifugare) cu

grosimea de 0,1-0,5 m.
Cuplarea ablonului cu placa acoperit cu roentgenorezist.
Expunerea la radiaie.
Developarea roentgenorezistului.

Sensul de baz a tehnologiei determin expoziiunea. Pentru realizarea ei se utilizeaz camere cu

vid speciale (fig. 7), care, cu scopul slbirii radiaiei Roentgen, se umplu cu He sau se aduc pn la
presiunea de 1,33 Pa.
Fig.7. Schema instalaiei pentru
roentgenolitografie: 1 - anodul rotitor;
2 - camera cuvid; 3 sursa de
electroni; 4 fereastr subire; 5 raze
roentgen; 6 microscop; 7 sablonul
roentgen; 8 placa cu rezist; 9
dispozitiv de combinare.

Principiul expoziiunii const n

aceea

electronii

emii

bombardeaz o int de Al (un

anticatod care se rotete), care emite
radiaie Roentgen. Aceast radiaie
trece

prin

fereastra

subire

membrana metalic subire, regiuni transparente ale ablonului i proiecteaz imaginea ei pe rezist.
Membrana metalic subire ecraneaz roentgenorezistul de radiaia termic i electronii care se
repet.
Pentru reducerea degradrii topologiei roentgenorezistului, se mrete distan a ntre surs i
ablon. Spaiul ntre ablon i plac alctuiete 3 10 m. Timpul de expunere depinde de
cantitatea radiaiei i se constituie de la cteva secunde pn la zeci de minute.
Roentgenolitografia se distinge prin capaciti de permitere mari, lipsa influien ei impurit ilor i
un termen de funcionare mare a ablonului.
Performanele roentgenolitografiei: rezoluie ridicat; eficien mare: 30 - 50 plachete/ora;
precizie de aliniere bun.

BIBLIOGRAFIE:
10

1. Radu M.Brsan, Fizica i tehnologia circuitelor MOS integrate pe scar mare

2. . . . , . . , . . , . .
., 1986. 464 .,
3. . . , , .: -,
2007. 416 c.

11