6.

TEHNICI DE LITOGRAFIE I DE GRAVUR

Procedeele tehnologice de realizare a dispozitivelor semiconductoare discrete ca
i a circuitelor integrate presupun realizarea de impurificri controlate, oxidri,
depuneri sau gravri de straturi conductoare sau izolante, n zone bine localizate, pe
suprafeele cipurilor din cadrul plachetei de siliciu. De asemenea, n scopul definirii
geometriei structurilor semiconductoare este necesar gravarea (corodarea selectiv)
unor straturi sau a unor zone de pe plachetele semiconductoare.

6. 1. Litografia

Procedeul de transfer al desenului (motivelor) de pe un ablon (masc fizic sau

virtual) spre plachet se numete litografie (de la cuvntul grec lithos = piatr).
Atunci cnd transferul imaginii de pe ablon spre plachet are loc prin intermediul
luminii procesul poart numele de fotolitografie sau proces fotolitografic. Procedeul
litografic permite transferul formei ntr-un strat solid subire (cum ar fi: nitrur, oxid,
metal, etc.), urmrind un desen bine definit.
Tehnica litografiei ofer posibilitatea localizrii pe placheta de siliciu a
operaiilor de: oxidare, dopri, metalizri, urmrind zone foarte bine definite i pe
suprafee din ce n ce mai mici, n scopul de a realiza dispozitive electronice
elementare i de a le interconecta pentru a obine microcircuite.
Clasificarea radiaiei, prin care are loc transferul structurii de pe ablon pe
substratul de material semiconductor, se poate face aa cum se indic n figura 6.1.

Tipul radiaiei

Radiaie electromagnetic Flux de particule

Radiaie optic Radiaie Rntgen Electroni Ioni

Fig. 6.1. Clasificarea radiaiilor folosite n litografie

6.1.1. Principiul litografiei

Procedeele fotolitografice au la baz reaciile fotochimice n diferite amestecuri

de substane organice (lacuri sensibile la radiaii numite i rezisturi), care sub aciunea
radiaiei sunt supuse unor procese de activare. Activarea cu ajutorul radiaiilor
menionate (fig. 6.1), spre deosebire de radiaia termic, are un caracter selectiv. n
cazul radiaiei optice, cuantele luminoase sensibilizeaz numai anumite molecule din
soluia de fotorezist (fotolac), lsnd intacte celelalte molecule.
70 Tehnologie electronic

n figura 6.2 se indic principiul procedeului fotolitografic n scopul transferrii

unui desen reprezentat pe un ablon (de exemplu un dreptunghi ce corespunde bazei
unui tranzistor bipolar) pe suprafaa plachetei din material semiconductor.
ablon

expunere
Fig. 6.2 Principiul transferului unui
desen de pe masc pe plachet

transfer

Rezoluia materialelor sensibile la radiaii (a fotorezisturilor tip: 1-AZ 2400, 2-

HPR 204, 3- AZ 1350) depinde de lungimea de und a radiaiei incidente, aa cum
se poate observa pe diagrama din figura 6.3.

Fig. 6.3 Rezoluia spectral a fotorezistului (1-AZ 2400,

2- HPR 204, 3- AZ 1350) n funcie de lungimea de und a radiaiei

Tehnica fotolitografic folosete expunerea cu lmpi cu vapori de mercur, avnd

componentele spectrale ale liniei g (=436 nm) i linia i (=365 nm). La noile sisteme
de iluminare se folosesc radiaiile laser cu kripton KrF (=248 nm) i argon ArF
(=193 nm). Pentru aceste radiaii au fost realizate substane fotosensibile (fotolacuri)
speciale.
La rngenlitografie se folosesc radiaii cu spectrul radiaiei n domeniul
lungimilor de und =0,4 5 nm. Pentru aceast metod este necesar o tehnic
deosebit de mascare i un rezist special.
La electronolitografie se folosesc fascicole de electroni, care sunt accelerate cu
tensiuni n domeniul Ua=10 200 kV. Lungimea de und (De-Broglie)
corespunztoare acestor radiaii se situeaz la valori 0,01 nm. Procesele de litografie
 Tehnici de litografie i de gravar 71

cu fascicol de electroni se caracterizeaz prin precizii foarte ridicate. Acestea se

folosesc pentru fabricarea mtilor i numai n cazuri speciale la litografia fr masc.
Ionolitografia (litografia ionic), n diferite variante, se situeaz nc n faz de
cercetare.

6.1.2. Tehnologia fotolitografiei

Etapele procesului fotolitografic pentru localizarea unor "ferestre" pe suprafaa

plachetei semiconductoare sunt:
- curirea i degresarea substratului (cu solveni organici);
- depunerea stratului de fotorezist pe suprafaa plachetei oxidate n prealabil;
- uscarea fotorezistului;
- poziionarea fotoablonului i expunerea;
- developarea i argsirea termic a stratului de fotorezist;
- corodarea chimic a stratului de oxid (SiO2) prin ferestrele fcute n
fotorezist;
- ndeprtarea stratului de fotorezist.
- splarea plachetelor; se face de mai multe ori pentru ndeprtarea tuturor
firicelelor de praf, dup care urmeaz degresarea cu solveni organici
(tricloretilen, triclorur de carbon, etc.), splarea cu aceton, alcool i n
ultima faz cu ap deionizat.
n figura 6.4 se indic principalele etape ale procesului fotolitografic folosit la
localizarea zonelor ce se impurific ("ferestre"), n cadrul tehnologiei planare.

SiO2 Developare Fotorezist

1
Si 4

Fotorezist Gravare
2
5
Expunere Radiaie UV

Fotoablon SiO2

3 6

Fig. 6.4 Principalele etape ale unui proces fotolitografic

n tehnica fotolitografiei se folosesc substanele fotosensibile (fotorezist) care se

expun radiaiei n scopul transferului imaginii de pe masc pe plachet i substane de
developare.
72 Tehnologie electronic

6.1.2.1. Rezisturi
Denumirea de rezist a stratului provine de la faptul c este rezistent la aciunea
agenilor de corodare utilizai n gravarea diferitelor straturi pe plachet. Rezisturile se
prezint sub forma unei rini sensibile la radiaia incident. n funcie de modul n
care rina i modific proprietile, ea poate fi: pozitiv sau negativ.
In cazul folosirii unei rini pozitive desenul de pe ablon se va regsi de aceiai
form pe stratul gravat pe plachet. De exemplu: unei zone opace de pe masc i va
corespunde pe plachet o zona similar, negravat. In cazul utilizrii rinilor negative
se obine pe plachet un desen complementar celui practicat pe masc (unei zone
opace de pe masc i corespunde pe plachet o zona gravat).
Materialele fotorezistive sunt sisteme multicomponente care au la baz un
polimer n care se adaug diferite substane n scopul obinerii urmtoarelor caliti
necesare procesului fotolitografic:
- sensibilitate mare ntr-un domeniu spectral;
- stabilitate la aciunea unor ageni chimici;
- obinerea unui anumit coeficient de vscozitate i de aderen la substrat.
Fotorezisturilor folosite n practic au compoziii bine precizate, acestea avnd la
baz: alcoolul polivinilic, poliesteri, poliamide, polivinil-acetai, rini epoxidice, etc.
Fotorezisturile se caracterizeaz prin urmtorii parametri: randamentul cuantic,
fotosensibilitatea, puterea de rezoluie, stabilitatea la aciunea agenilor chimici, etc.
Randamentul cuantic c stabilete predispoziia moleculelor la transformri
fotochimice. Acest randament se evalueaz prin raportul dintre moleculele care au
interacionat cu lumina NL i numrul de fotoni absorbii NF:

NL
C = (6.1)
NF

Conform legii lui Epstein fiecare cuant de lumin (h) produce excitarea unei
singure molecule. De aici ar rezulta c randamentul cuantic al unui produs fotochimic
este egal cu unitatea. n realitate randamentul cuantic c al unui produs fotochimic este
diferit de unitate (c1), datorit reaciilor secundare care au loc dup actul primar al
absorbiei.
Fotosensibilitatea Sh este un parametru invers proporional cu cantitatea de energie
luminoas necesar pentru a obine efect fotochimic n stratul de fotorezist la o
anumit grosime h:
1
Sh = (6.2)
E t ex
unde:
E - iluminarea;
tex timpul de expunere.
 Tehnici de litografie i de gravar 73

Efectul fotochimic const n scderea (fotorezist negativ) sau creterea (fotorezist

pozitiv) solubilitii regiunilor expuse la iradiere. Majoritatea materialelor
fotosensibile sunt sensibile n domeniul ultraviolet al spectrului, n domeniul lungimii
de und =300500 nm.
Puterea de rezoluie caracterizeaz dimensiunea minim a imaginii care se poate
obine, respectiv numrul maxim de linii care se pot trasa perpendicular pe o anumit
distan. Se obinuiete s se indice o putere de rezoluie a fotorzistului i o putere de
rezoluie a procesului fotolitografic. De exemplu, puterea de rezoluie a fotorzistului
poate fi 1000 linii/milimetru, iar a procesului fotolitografic de numai 500
linii/milimetru. Puterea de rezoluie a fotorzistului este limitat de granulaie i de
operaiile tehnologice. Puterea de rezoluie a procesului fotolitografic este limitat de o
serie de procese fizice cum ar fi: difracia, dispersia, reflexia luminii n sistemul format
din substrat, fotorezist i masc.
Stabilitatea la aciunea agenilor chimici caracterizeaz rezistena materialului la
aciunea acizilor (HF, HNO2, H2SO4) i a bazelor (NaOH, KOH, etc) la procesele de
corodare chimic sau la procesele de depunere electrolitic. Factorul de corodare
chimic kj se definete prin relaia:

h
kf = (6.3)
x

unde: h - grosimea stratului corodat;

x - adncimea de ptrundere prin corodare.
Rezistena materialului la aciunea acizilor i a bazelor este determinat att de
natura polimerului ct i de substanele de adaos. S-a constatat c o bun rezisten a
fotorezistului se obine dac se adaug rini epoxidice sau materiale pe baz de
cauciuc. Stabilitatea fotorezistului la ageni chimici depinde nu numai de compoziia
chimic, dar i de grosimea i de uniformitatea lui.
Fotorezisturile pozitive se caracterizeaz printr-o rezoluie mai bun dect cele
negative, deoarece la acestea nu mai apare efectul de aureolare. Alegerea unui tip sau
altul de fotorezist depinde de scopul procesului fotolitografic.
Depunerea stratului de fotorezist se face prin:
- imersie (cufundarea substratului) - procedeu puin folosit;
- centrifugare - procedeu des folosit la care grosimea peliculei este invers
proporional cu viteza unghiular de centrifugare;
- pulverizare - procedeu des folosit datorit avantajelor pe care le prezint n
asigurarea unei grosimi uniforme i controlabile a stratului depus.
n cazul centrifugrii, rina este uniformizat (ntins) pe plachet prin folosirea
un disc turnant care se rotete (fig. 6.5).
Placheta se fixeaz pe disc prin aspirare. Prin reglarea vitezei de rotaie i a
acceleraiei se obine ntinderea uniform a rinii pe plachet.
Uscarea fotorezistului are loc n dou etape, care cuprind:
74 Tehnologie electronic

- evaporarea lent a solventului la temperatura ambiant (=20C) cu o durat

t=1015 minute;
- fixarea stratului la temperatura =100150C cu o durat t=2060 minute.
rin
plachet

Fig. 6.5 Principiul depunerii rinii

rotaie fotosensibile prin centrifugare
aspiraie

Prin uscare, rina se durific, pentru a rezista atacului chimic ulterior cu acid
fluorhidric. Prin gravarea umeda cu HF este atacat stratul de oxid neprotejat de rina
solidificat. n faza urmtoare rina este ndeprtat de pe suprafaa plachetei folosind
un solvent (spre exemplu acetona). n unele cazuri se aplic gravarea cu plasm de
oxigen. Aceast metod se aplic n mod curent n tehnologiile submicronice, unde
rina este folosit ca strat de mascare la implantarea ionic.

6.1.2.2. abloane
abloanele sau mtile sunt supori fizici pe care se realizeaz modelul (motivul)
care urmeaz s se transfere pe substratul de material semiconductor. Materialul i
modul de construcie al abloanelor sunt n funcie de caracteristicile radiaiei folosite
pentru transfer.
Fotomasca este realizat dintr-o plac plan din sticl special i se folosete
pentru transpunerea modelului prin transparen pe suprafaa plachetei de material
semiconductor.
Fotomtile trebuie s ndeplineasc urmtoarele cerine:
- putere mare de rezoluie; se ajunge la rezoluii (elementele minime ale
desenului) mai mici de 0,1m.
- numr mare de imagini pe suprafaa de lucru; n funcie de complexitate, pe
suprafaa mtii pot fi reprezentate ntre 10104 de componente identice;
- precizie mare la reprezentarea elementelor din desen i a distanei dintre ele;
- planeitate bun a feei de lucru;
- precizie mare la poziionarea succesiv a setului de fotoabloane necesare
pentru realizarea dispozitivelor cu mai multe straturi.
Fotomtile sunt de dou feluri: pozitive i negative. La cele pozitive elementele
circuitelor integrate sunt reprezentate prin regiuni opace la radiaia activ pe un fond
transparent, iar la cele negative configuraia elementelor de circuit este realizat din
regiuni transparente pe un fond opac.
Realizarea fotomtii are loc prin transpunerea desenului dispozitivului (layout)
pe pelicula existent pe fotoablon. Desenul se obine prin mrirea originalului de 100-
 Tehnici de litografie i de gravar 75

1000 ori, iar apoi are loc transferarea sa pe sticl acoperit cu un lac netransparent, cu
ajutorul unui coordinatograf. Transpunerea pe fotoablon a desenului se face prin
micorarea de 500 ori. n acest fel precizia dimensional este mai bun de 0,5 m.
Micorarea dimensiunilor se realizeaz n mai multe trepte. Se folosesc dou
sisteme de reducere: una pentru obinerea imaginilor relativ mari cu rezoluie medie,
iar alta pentru obinerea imaginilor mici cu putere de rezoluie foarte bun. n afar de
acestea mai este necesar o instalaie pentru multiplicarea imaginilor pentru obinerea
fotoabloanelor finale sub forma unei matrice.
Plcile fotografice utilizate pentru obinerea imaginilor intermediare a
fotoabloanelor trebuie s aib o rezoluie mare i un contrast bun. Granulaia
substanei fotosensibile nglobate n gelatin trebuie s aib dimensiuni cuprinse ntre
0,01 i 0,1 m. Straturile fotosensibile depuse pe plci de sticl sau metilmetacrilat
trebuie s aib grosimi de 57 m. Fotoabloanele se realizeaz n urmtoarele
variante: cu emulsii, cu strat metalic i cu straturi de oxizi metalici.
a) Fotoabloanele cu emulsii se realizeaz relativ uor, dar prezint o serie de
inconveniente:
- sensibilitate la aciunile agenilor chimici;
- rezisten mecanic redus.
b) Fotoabloanele cu pelicule metalice se obin prin corodarea unui strat de oxid
metalic depus prin evaporare n vid pe supori de sticl optic. n cazul
straturilor subiri din crom desenele se obin prin tehnica fotolitografic
obinuit.
Fotoabloanele cu pelicul de crom prezint urmtoarele avantaje:
- rezisten mecanic mult mai bun dect a fotoabloanelor cu emulsii (de
aproximativ 100 ori mai bun);
- rezisten bun la solveni organici;
- putere de rezoluie mult mai mare dect a mtilor cu emulsii;
- prin corodare chimic se obin margini netede.
Obinerea fotoabloanelor cromate a nsemnat un progres n tehnica
fotolitografic. Acestea prezint i unele dezavantaje:
- reflexia parazit a luminii pe stratul de crom;
- poziionarea nu se poate controla vizual.
c) Fotoabloanele cu pelicule de oxizi se obin n mod asemntor cu a
peliculelor metalice. Rezultate bune se obin cu pelicule de oxid de fier
(Fe2O3) care se depun pe suportul transparent (sticl special) prin evaporarea
n vid sau prin descompunerea termic a pentacarbonatului de fier Fe(CO)5 n
atmosfer de oxigen.
Masca de Fe2O3 se caracterizeaz prin:
- grosimea stratului de este de aproximativ 0,25m;
- corodarea Fe2O3 se face cu acid fosforic la temperatura de 500C;
- poziionare mai simpl i mai precis dect la fotoabloanele cromate.
76 Tehnologie electronic

d) Mtile virtuale reprezint rezultatul unor programe specializate de proiectare

asistat pe calculator. Imaginea grafic se poate transfera din memoria
calculatorului spre dispozitivul de baleaj (linie cu linie) al sistemului (de
exemplu: litografia cu fascicol de electroni).

6.1.3. Expunerea

Expunerea plachetelor semiconductoare pentru transferul pe acestea a desenelor

de pe ablon se poate realiza prin: contact, proximitate i prin proiecie. Fiecare dintre
aceste procedee prezint avantaje i dezavantaje.
Expunerea prin contact asigur, teoretic, cea mai buna definiie a desenului, dar
conduce la deteriorarea progresiv a mtii dup fiecare operaie de mascare, datorit
frecrii de plachet.
Expunerea prin proximitate are loc fr un contact dintre masc i plachet.
Rezoluia este mai redus datorit difraciei luminii.
Proiecia conduce la o definiie optic mai puin bun, datorit efectului de
difracie a luminii. Prin proiecie ns se pot efectua micorri ale desenului pe cale
optic. n acest caz, fabricarea mtii este mai simpl, deoarece nu pretinde realizarea
unei definiii pe masc egal cu definiia desenului care se va transpune pe plachet.
n figura 6.6 se prezint caracteristicile de transfer ale imaginii de pe masc n
funcie de modul de expunere. Aparent, aa cum rezult din figura 6.6 proiecia
constituie un caz mai defavorabil, dar datorit faptului c rspunsul rinii la lumin
este neliniar, se poate ameliora definiia desenului reglnd cantitatea de fotoni
transmis (intensitatea luminoas i timpul de expunere).
proximitate
Intensitate

contact

proiecie
Fig. 6.6 Caracteristicile de
transfer ale imaginii n funcie
de modul de expunere
Dimensiuni [m]

n figura 6.7 se prezint construcia unui dispozitiv de expunere prin contact.

Acelai principiu este folosit i la expunerea prin proximitate, dar fr ca ntre masc
i plachet s existe contact. Dup ce masca este aliniat n raport cu placheta, sursa
luminoasa se deplaseaz deasupra ansamblului. Expunerea dureaz de la cteva zecimi
de secund la cteva secunde.
La expunerea prin proiecie cu fotorepetiie proiecia se realizeaz pe sectoare,
adic cip cu cip sau bloc cu bloc de mai multe cipuri. In acest caz, se cere o
poziionare foarte precis a plachetei n raport cu masca. O bun aliniere a desenului se
obine folosind un sistem de analiz de imagine i de poziionare a port-substratului
 Tehnici de litografie i de gravar 77

prin interferometrie LASER. Prin acest mod de expunere, folosit n cazul unei plachete
cu diametrul de 200 mm, timpul necesar expunerii este mai mare (de ordinul minute
pentru fiecare nivel de mascare).

Biocular

Iluminare
Portmasc
Surs UV
Masc
Plachet

Suport

Reglaj XY

Batiu

Fig. 6.7 Principiul expunerii prin contact

Procedeele fotolitografice clasice, folosind lumina din spectrul vizibil (n

apropiere de ultraviolet) nu pot obine definiii ridicate, aa cum se cer n noile
tehnologii de realizare a circuitelor integrate LSI i VLSI. Limitarea este cauzat, n
principal, de fenomenul de difracie. Astfel, reducerea dimensiunilor desenelor
necesit punerea la punct de procedee noi, cum ar fi litografia cu raze X sau cu
fascicul de electroni.
Litografia cu fascicul de electroni este un procedeu deosebit, dar care are totui
unele limitri. Aceste limitri se datoreaz n primul rnd duratei mari necesare pentru
expunere, aceasta deoarece explorarea desenului se realizeaz linie cu linie (fig. 6.8).

Lentile electromagnetice

Fascicol de electroni
Suprafaa
de baleaj

Fig. 6.8 Principiul gravrii cu fascicul de electroni prin baleaj

78 Tehnologie electronic

Fasciculul este modulat, iar baleiajul este realizat electronic. Determinarea

duratei necesare transferului unei structuri de pe masc pe suprafaa de baleaj se poate
urmri n exemplul de mai jos.

Exemplu:
S se determine timpul necesar pentru expunerea unor desene pe suprafaa de
100 cm2 (10x10cm) a unei plachete de siliciu de ctre un fascicol de electroni cu
diametrul de 1 m, dac frecvena sa de baleaj fb=10 Hz.
Rezolvare:
Timpul de expunere Texp se poate determina prin multiplicarea duratei unei linii
Tb cu numrul de linii NL corespunztoare explorrii suprafeei:
Texp = N L Tb

- numrul de linii NL descrise de fascicolul de electroni:

latimea de baleaj 0,1
- NL = = = 1 10 5
diametrul fascicul 1 10 6

- duratei trasrii unei linii Tb corespunde cu perioada baleajului:

1
Tb = = 0,1 s, iar prin nlocuire n relaia timpului de expunere Texp rezult:
fb

Texp = N L Tb = 1 10 5 0,1 = 10 4 s 2 ore i 47 minute

Acest timp este prea lung, cu att mai mult, cu ct el corespunde gravrii unei
singure plachete.
Avantajele de care beneficiaz litografia cu fascicul de electroni sunt
urmtoarele:
- utilizarea unei mti virtuale (masc informatic) obinut la calculator ca
rezultat al unui program specializat;
- realizarea pe aceeai plachet de circuite integrate complet diferite (pentru
clieni diferii); se pot realiza "circuite multi - proiect" (CMP).
Tehnica litografiei electronice este bine adaptat la fabricaia n serii mici.
Sistemul folosit la realizarea litografiei electronice (fig. 6.9) este foarte costisitor, el
trebuind s elimine orice vibraie mecanic a plachetei cu amplitudinea superioar unei
zecimi de micron. Pentru aceasta este necesar un dispozitiv antiseismic, compensat la
variaii de temperatur i protejat de orice particul de praf. Fascicolul de electroni,
care este asigurat de ctre filamentul incandescent, este focalizat i baleiat de ctre
lentila electrostatic.
 Tehnici de litografie i de gravar 79

Transfer
masc XY Filament

Lentil electrostatic

Bloc de Fascicol focalizat

control
Substrat

Port suport
Deplasare
XY Suport XY

Control XY

Fig. 6.9 Reprezentarea schematic a unui sistem de litografie cu fascicul de

electroni

Modularea fascicolului electronic se realizeaz de ctre blocul de transfer masc

XY. Dup accelerar, fascicolul de electroni ajunge la substratul de material
semiconductor fixat pe placa port suport,. care dup fiecare linie de baleaj realizeaz
deplasarea suportului XY.
Developarea const n ndeprtarea straturilor de fotorezist expuse la radiaii
(fotorezist pozitiv) sau ndeprtarea straturilor de fotorezist neexpuse la radiaii
(fotorezist negativ).
Corodarea are rolul de a ndeprta selectiv poriunile de oxid neprotejate.
Agentul care realizeaz corodarea este acidul flourhidric. Reacia care are loc n acest
caz este:
SiO2 + 4 HF SiF4 +2 H 2 O (6.4)

Tetraflorura de siliciu, care rezult n urma corodrii fiind gaz se degaj.

6.1.4. Direcii de perfecionare a litografiei

Principalele tendine ale tehnologiei litografice au n vedere urmtoarele cerine:

- reducerea costurilor abloanelor,
- micorarea dimensiunilor dispozitivelor i circuitelor realizate;
- creterea rezoluiei;
- creterea preciziei i reducerea timpilor de poziionare.
Aceste direcii de perfecionare ale tehnologiei sunt strns corelate ntre ele.
Creterea puterii de rezoluie a procesului litografic permite micorarea dimensiunilor
dispozitivelor i circuitelor realizate i creterea preciziei.
80 Tehnologie electronic

Creterea puterii de rezoluie

Creterea puterii de rezoluie a procesului litografic se poate obine prin scderea
lungimii de und a radiaiei folosite n procesul de transfer a modelului realizat pe
ablon. Conform fizicii optice rezult c dimensiunea minim xmin a fascicolului unei
radiaii optice este proporional cu lungimea de und a radiaiei i invers
proporional cu apertura A a sistemului optic:

x min (6.5)
A

La sistemele optice perfecionate A=1,66 i prin utilizarea unei surse de radiaii

ultraviolete (UV) cu =360 nm cu relaia (6.5) se obine puterea de rezoluie
xmin=0,225 m.
n cazul practic, puterea de rezoluie cu radiaii UV este cu pn la un ordin de
mrime mai mare, situndu-se ntre 1 i 2 m.
Creterea n continuare a rezoluiei s-a obinut prin reducerea lungimii de und a
radiaiei. n tehnologia planar au cptat rspndire expunerile cu radiaii Rntgen,
fascicole de electroni sau de ioni. n funcie de natura radiaiilor folosite n expunerea
rezistului, ansamblul de procese folosite la realizarea de circuite integrate poart
numele de rntgenolitografie, electronolitografie sau ionolitografie.
n cazul proceselor electronolitografice puterea de rezoluie se determin tot pe
baza relaiei (6.5). Lungimea de und echivalent a fluxului de electroni []
accelerai n cmp electric la diferena de potenial U [V] se determin cu relaia:

150
= (6.6)
U

De exemplu:
Considernd tensiunea de accelerare U=15.103 V, cu relaia (6.6) rezult
lungimea de und echivalent =0,1.
Aceast valoare fiind mult mai mic dect lungimea de und a radiaiei UV
permite definirea unor structuri cu rezoluie mult mai ridicat.

Corodarea anizotrop
Una din cile de perfecionare a litografiei, n scopul creterii gradului de
integrare, const n utilizarea unor tipuri noi de substane de corodare cu aciune
anizotrop. Viteza de corodare chimic a materialelor semiconductoare depinde att
de natura decapantului (soluiei de corodare) ct i de orientarea cristalografic.
Bazndu-se pe acest principiu s-a realizat un procedeu de izolare a elementelor
integrate printr-un strat de aer (izolare dielectric).
Etapele procesului de izolare anizotrop sunt urmtoarele:
- deschiderea ferestrelor n placheta semiconductoare (n stratul de SiO2) prin
expunerea acesteia prin fotoblon i corodarea stratului de SiO2 (fig. 6.10.a);
 Tehnici de litografie i de gravar 81

- corodarea cu decapant anizotrop (fig. 6.10.b);

- oxidarea prii corodate;
- depunerea prin cretere epitaxial a unui strat de siliciu policristalin peste
stratul de oxid (fig. 6.10.c);
- lefuirea plachetei pe partea opus fa de cea pe care s-a realizat creterea
pn la straturile ngropate.
Deoarece viteza de corodare n stratul (100) este de aproximativ 30 de ori mai
mare dect n stratul (111) (fig. 6.10) n placheta de siliciu se creeaz adncituri n
form de V a cror adncime depinde de limea ferestrei practicate prin ablon. Acest
procedeu a permis atingerea unor tensiuni de lucru de pn la 300V la distane de
ordinul a 10 m n structura semiconductoare a circuitelor integrate [3].
Tranzistoarele bipolare npn i pnp izolate prin acest procedeu funcioneaz la
frecvene mari (sute de MHz) i fabricarea lor necesit un numr mic de procese de
difuzie.

n n
a) b)

100 111
SiO2 Si cristalin de tip n

Expunere

c)
Fig.6.10 Izolarea prin metoda Si policristalin
decaprii anizotrope

6.2. Gravura

Gravura reprezint o tehnic de ndeprtare n mod selectiv a unor straturi

(conductoare, semiconductoare sau izolante) de pe plachetele semiconductoare n
scopul definirii unor elemente constitutive ale dispozitivelor electronice sau ale
circuitelor integrate.
n practic, se utilizeaz dou tehnici de gravur, care n funcie de mediul n care
se desfoar sunt ntlnite sub denumirea de gravur umed i respectiv gravura
uscat. Cele dou tipuri de gravur intervin de un numr mare de ori pe parcursul unui
procedeu modern de fabricaie. Aceste procese permit gravarea n mod selectiv a
straturilor sau peliculelor, pentru a crea zonele active ale dispozitivelor electronice,
grilele tranzistorelor, traseele de interconexiune, etc.
n operaiile de fotolitogravare se folosesc rini fotosensibile, prin care anumite
zone pot fi protejate contra gravrii. Vor fi gravate n acest caz doar zonele
neprotejate.
82 Tehnologie electronic

6.2.1. Gravura umed

Gravura umed se realizeaz prin atac chimic n soluii lichide formate din
reactivi (acizi n anumite proporii). Vitezele de gravare ale straturilor formate din
diverse tipuri de materiale, depind de concentraiile substanelor reactive. Gravarea pe
cale umed este izotrop, deoarece ea atac stratul de corodat n mod egal dup toate
direciile din spaiu.
n multe variante tehnologice gravura umed este folosit aproape majoritar,
aceasta fiind relativ simplu de realizat i n acelai timp este foarte productiv. Astfel,
n cursul unei singure etape tehnologice se poate grava un lot complet, format din pn
la 200 de plachete. Gravarea umed este o metod productiv, deoarece permite
prelucrarea simultan a unui grup de plachete (fig. 6.11). Plachetele fixate pe suport se
introduc n containerul ce conine soluia de corodare i se menin o durat
determinat.
Dup tratamentul chimic, este necesar ca plachetele sa fie bine cltite i apoi
uscate. Cltirea plachetelor are loc n containere cu apa deionizat. Apa folosit n
procesul de cltire este supus pe parcursul acestei etape msurrilor de rezistivitate n
scopul stabiliri cantitii de ioni contaminani care ar putea fi absorbii de plachete.
Atunci cnd rezistivitatea apei depete valoarea >1,6 105 m cltirea se poate opri
(rezistivitatea apei pure este =1,8 105 m).
plachete
Soluie de
gravare

container
Conteiner

Suport

Fig. 6.11 Gravarea pe cale umed a unui grup de plachete

Uscarea plachetelor se realizeaz n centrifuge de dimensiuni mari sau prin

suflare cu azot sau cu aer uscat.
Gravura umed prezint ns i unele inconveniente:
- gravura este izotrop (materialul este atacat n toate direciile din spaiu)
ceea ce conduce i la atacul lateral al zonelor acoperite cu rin,
- viteza de gravare depinde de concentraie i de tipul impuritilor coninute
n stratul de gravat; viteza depinde totodat de cantitatea de plachete tratate;
eficacitatea atacului scade dup mai multe loturi gravate;
- limita de gravare este dificil de controlat; apare riscul supragravrii laterale
sau verticale, n cazul n care selectivitatea este slab.
 Tehnici de litografie i de gravar 83

Soluiile folosite frecvent, n funcie de natura materialului gravat, sunt

prezentate n tabelul 6.1.

Tabelul 6.1 Soluiile folosite n gravarea umed

Materialul de gravat Soluia folosit
Siliciu policristalin HNO3 + HF
Siliciu monocristalin Hidrazina - N2H4 (65%) + H2O (35%)
SiO2 - dioxidul de siliciu HF + NH4F + H2O
Nitrura de siliciu H3PO4
Aluminiu: H3PO4 + HNO3 + acid acetic + H20

Vitezele de atac (de gravare) depind de concentraiile relative ale substanelor

care intr n compoziia soluiilor. Sfritul procesului de gravare, n cazul gravrii
unui strat de oxid depus peste siliciu monocristalin, este detectat prin apariia
fenomenului de hidrofobie. Acest fenomen const n tendina lichidului de a prsi
suprafaa plachetei n timp ce, n prezena oxidului, toat suprafaa era uniform
umezit. Acelai procedeu permite verificarea uniformitii grosimii straturilor i a
atacului.

6.2.2. Gravura uscat

Gravura uscat se bazeaz pe producerea de electroni, ioni i de componente

reactive (radicali) n plasm. Gravura uscat este de fapt o tehnic de gravare cu
plasm n care intervin, n acelai timp, efectele bombardamentului cu particule i
reaciile chimice. Se difereniaz urmtoarele variante: gravura cu radiaie ionic,
gravura ionic cu reactivi - tehnica aceasta este ntlnit sub abrevierea R.I.E.
(Reactive Ion Etching)- i gravura cu plasm.
Principiile diferitelor procedee de gravare uscat sunt prezentate schematic n
figura 6.12. Particule
Material Particule Gaze de reactive
Ion Gaze de
substrat reactive reacie
Ion reacie

a) b) c)

Fig. 6.12 Principiile gravrii uscate a) Gravura cu radiaie ionic

b) Gravura ionic cu reactivi c) Gravura cu plasm
La gravura ionic predomin mecanismele fizice de dizlocare a atomilor i
moleculelor materialului substratului, folosind energii ridicate (0,55 keV).
Principalul dezavantaj al gravurii ionice este cel al selectivitii sczute. Viteza
gravurii ionice la siliciu i SiO2 se siuiaz ntre 2040 nm/min [10].
Principalele caracteristici ale procedeelor de gravare uscat indicate anterior sunt
prezentate n tabelul 6.2.
84 Tehnologie electronic

Tabelul 6.2 Caracteristicile procedeelor de gravur uscat

Gravura cu radiaie ionic Gravura ionic cu reactivi Gravura cu plasm
Presiune 550 mPa Presiune 0,510 Pa Presiune 20500 Pa
Energia ionilor ridicat Energia de valoare medie Energia de valoare sczut
Gravur anizotrop Gravur parial anizotrop Gravur izotrop
Selectivitate sczut Selectivitate medie Selectivitate ridicat

La gravura cu plasm a siliciului plasma se formeaz n cmp electric prin

introducerea n mediul de corodare (reactor) a unor compui ai florului sau ai clorului,
care contribuie la formarea gazelor (F sau Cl) i a plasmei. Gazele injectate sunt
destinate gravrii stratului de la suprafaa plachetelor (fig. 6.13).
Instalaia folosit la gravura uscat cu plasm folosete un reactor cu placa port-
substrat orizontal. Pentru stimularea formrii substanelor active n reactor se
folosete un generator de radiofrecven. n cazul n care electrozii nu sunt polarizai,
atacul este izotrop, adic identic dup toate direciile. Dac ns materialele de gravat
au direcii prefereniale, cum este spre exemplu cazul cristalelor semiconductoare,
gravarea poate fi dirijat dup planurile reticulare sau dup axele cristalografice.
Reactorul este de obicei echipat cu un sistem de control al gravrii, pentru
detectarea sfritului procesului de gravare. Se folosete n acest scop un
interferometru cu laser, la care perioada semnalului detectat se modific odat cu
schimbarea naturii materialului vizibil pe suprafaa plachetei.
Generator RF

Interferometru laser substrat

Plasm
Electrozi

Port-suport
Injector Depresurizare Acces gaz

Fig. 6.13 Reactor de gravare cu plasma, cu placa port-suport orizontal

Principiul procedeului de gravare cu plasm poate fi rezumat astfel :

- generarea n plasm a substanelor reactive capabile s atace chimic
straturile de pe suprafaa plachetelor;
- transferul substanelor reactive spre suprafaa de gravat;
- absorbia substanelor reactive i atacul suprafeelor;
- reacii cu materialul de pe suprafa; produii de reacie trebuie s fie
volatili, pentru a putea degaja suprafaa;
- desorbia reactivilor;
- difuzia n mediul gazos.
 Tehnici de litografie i de gravar 85

Dac toate aceste condiii sunt ndeplinite, se poate spera ntr-un bun rezultat al
gravurii cu plasm. Pentru punerea la punct a acestei etape tehnologice, dificultatea
const n a genera produi volatili dup reacia la suprafa. Selectivitatea gravrii se
modific odat cu gradul de diluie. Ea va fi ajustat de la caz la caz, n funcie de
necesiti.
n funcie de reactivii introdui n reactor i n funcie de natura stratului de
gravat, viteza de gravare va fi diferit. Un bun control al gravrii se poate face
speculnd diferenele dintre vitezele de gravare pentru diverse substane. Precizia, n
special la sfritul gravrii, va fi cu att mai bun cu ct selectivitatea este mai mare.
Intr-adevr, trebuie s se poat grava un oxid, fr a elimina prin aceasta i stratul sub-
adiacent (spre exemplu, sursa unui tranzistor MOS). Un strat de siliciu policristalin
aflat deasupra unui strat de oxid se poate elimina, fr a-l afecta pe acesta din urm.
Prin reglarea proporiei gazelor reactive din incinta de gravare se ajusteaz
selectivitatea gravrii oxidului n raport cu cea a polisiliciului.
Diferena dintre cele dou viteze, datorat bombardamentului cu ioni dup
direcia vertical, permite realizarea unei gravri anizotrope. Se poate obine o gravare
izotrop sau una anizotrop, reglnd aciunea ionilor-proiectil din plasm i cea a
ionilor activi chimic. Printr-o tensiune continu de polarizare aplicat ntre cei doi
electrozi, pot fi accelerai ionii reactivi, pe direcii preferenial-orientate spre suprafaa
de gravat. Gravura va fi n acest caz anizotrop. Se acioneaz totodat asupra dozrii
raportului dintre bombardamentul ionic i atacul chimic. Figura 6.14 ilustreaz
anizotropia gravrii obinut prin folosirea unui bombardament ionic prin care se
crete viteza de gravare vertical n raport cu cea orizontal.
Viteza de gravare (A0/min)

Viteza de gravare vertical

Viteza de gravare orizontal

Flux de gaze (x 1015 molecule/s)

Fig. 6.14 Vitezele de gravare dup direciile vertical i orizontal obinute

prin bombardare ionic
Acest tip de gravur este util n special atunci cnd se dorete realizarea de "distanare"
de foarte mici dimensiuni, n tehnologiile ce folosesc autoalinierea. Se pot obine astfel
noi "mti de implantare" a cror deschidere este, spre exemplu, cu 0,2 m mai larg
sau mai ngust dect deschiderea preexistent. Procedeul se folosete la realizarea de
86 Tehnologie electronic

tranzistori MOS submicronici cu drena dublu dopat (dou zone cu dopaje diferite). In
tabelul 6.3 se indic principalele gaze utilizate n gravura uscat.

Tabelul 6.3 Gaze utilizate n gravura uscat

Materialul Siliciu SiO2 Siliciura
de gravat
SF6 CHF3 CFCl3
Gaze CF4 + O2 CF4 + O2 CF2Cl2
folosite HF CF4 + H2 CCl4
CFCl3 SiCl4 SF6

Diferena dintre cele dou moduri de gravur, izotrop i anizotrop este ilustrat n
figura 6.15. In cazul gravurii izotrope (cazul gravurii umede) corodarea (gravarea)
lateral este important (fig. 6.15.a). Pentru realizarea unor gravuri de dimensiuni
foarte mici, este preferabil gravura anizotrop (fig. 6.15.b), deoarece aceasta permite
o corodare diferit dup direciile de gravare.

Fig. 6.15. a) Gravura izotrop b) Gravura anizotrop

6.3. ntrebri recapitulative

1. n ce const tehnica litografiei?

2. Ce fel de radiaii se folosesc pentru transferul modelului pe plachet?
3. Care sunt principalele etape ale unui proces fotolitografic?
4. Ce este fotorezistul i prin ce se caracterizeaz?
5. Ce tipuri de abloane (mti) se folosesc n litografie i prin ce se caracterizeaz?
6. Ce posibiliti de expunere cunoatei i prin ce se caracterizeaz acestea?
7. Cum se determin grosimea stratului epitaxial depus?
8. Care sunt posibilitile de cretere a puterii de rezoluie a procesului litogafic?
9. Ce tehnici de gravura se utilizeaz i prin ce se caracterizeaz acestea?