Prelucrarea substraturilor

Plachetele de siliciu constituie substratul pentru majoritatea structurilor micromecanice.

Siliciul necesar pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare trebuie sa indeplineasca doua
conditii:
- puritate foarte inalta (continutul de impuritati naturale, adica un atom de corp strain la mai
mult de 1 miliard atomi de siliciu);
- structura monocristalina.
Siliciul :
- se gaseste sub forma de bioxid de siliciu(cuartita);
- aceasta este redusa prin topire in combinatie cu carbunele de siliciu metalurgic.
- Prin combinatie cu un acid clorhidric gazos se obtine o halogenura triclorsilan, care se purifica.
- Siliciul de puritate electronica se obtine din triclorsilan
- Din acest material policristalin se obtine un lingou de siliciu monocristalin cu propr mecanice,
fizice si chimice
- El repr fabricatul de la care incepe procesul de prelucrare al plachetelor de Siliciu.

Procesul de prelucrare al plachtelor de siliciu:

- Slefuirea cilindrica ext (de rotunjire);

- Prelucrarea unor tesituri in lungul cilindrului obtinut;
- Taierea lingoului de seiliciu (debitare) in plachete prin galvanostegie;
- Desprinderea plachetelor de pe suportul de grafit sub un jet de apa calda si indepartarea
urmelor de rasina prin degresare-decapare;
- Slefuirea plan-paralela cu scopul de a reduce grosimea la valoarea dorita si de a obtine
paralelismul dintre suprafetele plachetei;
- Slefuire contur pentru rotunjirea marginilor plachetelor;
- Corodarea chimica cu scopul de a indeparta stratul asezat in urma slefuirii;
- Polisare mecanico chimica, lustruirea fetei plechetei pe care or sa fie procesate microstructurile
astfel incat sa rezulte o suprafata “oglinda”;
- Deblocarea plachetelor pe plita calda si indepartarea impuritatilor ramase dupa polisare;
- Curatirea chimica se face la final, prin imersie sau jet de apa.
Fotolitografia

Litografia= procesul de transferare a configuratiilor geometrice de pe o masca pe un strat subtire de

material sensibil la radiatii .

Este cea mai veche si cea mai raspandita metoda litografica. Ea utilizeaza ca radiatie lumina ultravioleta.

Procesul fotolitografic consta in:

- Etalarea fotorezistului;
- Expunerea preliminara pentru a indeparta solventul din stratul de fotorezist si de a imbunatati
aderenta acestuia la substrat;
- Alinierea in raport cu masca;
- Expunerea la UV;
- Developarea fotorezistului prin pulverizarea developantului pe placheta;
- Clatire;
- Uscare;
- Recoacere pentru a intari aderenta rezistului la substrat.

Fotomastile sunt realizate prin plachete de sticla sau quartz, cu grosime de 1,5….3 mm.

In cazul obtinerii microstructurilor de densitate mica, masca se imparte pe nivele de mascare ce

corespund etapelor de prelucrare. Configuratiile geometrice sunt desenate pentru fiecare nivel de
mascare in parte.

In cazul obtinerii microstructurilor de densitate mare, acest procedeu nu mai este valabil, iar in schimb
se utilizeaza modele CAD cu ajutorul carora se actioneaza un generator de model geometric care
transfera configuratiile direct pe mastile sensibilizate.

Fotorezistii pozitivi au 3 componente:

- Una fotosensibila;
- O rasina de baza;
- Solvent organic ce controleaza vascuozitatea fotorezistului.

Fotorezistii negativi sunt polimeri combinati cu o component fotosensibila.

Fotorezistii pozitivi Fotorezistii negativi

- Nu se umfla, rezultand o rezolutie mai buna; - Se umfla dupa developare rezultand o

- Ferestrele developate au tendinta de marire a rezolutie scazuta;
dimensiunilor - Ferestrele developate tind sa fie mai mici
ceea ce compenseaza atacul lateral.
Exista 2 metode de expunere:

1. Prin umbrire (contact sau proximitate)– masca este lipita sau foarte apropiata de placheta, iar
configuratiile de pe masca sunt transpuse pe fotorezist prin expunerea ansamblului;
2. Prin proiectie - imaginea de pe masca este proiectata pe placheta de la distanta.

Rezolutia sistemelor de expunere este limitata de difractia luminii prin configuratiile mastii.

Expunere prin umbrire Expunere prin proiectie

- Apare difractia la distante apropiate, de tip - Are elemente optice atat de performante,
Fresnel; incat limitarea nu se face prin aberatii, ci
- (Contact) Distanta efectiva dintre masca si tot prin difractie, insa la distanta, de tip
placheta este de aprox jumatate din Fraunhoffer;
grosimea stratului de fotorezist, insa
aceasta distanta variaza de la o zona la alta
datorita neplaneitatii plachetei si a mastii
si datorita particulelor straine dintre ele;
- (Proximitate)rezolutia scade
corespunzator cu cresterea interstitiului
dintre masca si placheta si pot aparea
neuniformitati

Metode de crestere a rezoltutiei:

Metoda celor 3 straturi Metoda “mastii de faza” Metodele de formare Metoda rezistilor
artificiala anorganici

Grosimea fotorezistului Se bazeaza pe un nou Doar stratul Materialele anorganice

trebuie sa fie cat mai proces de realizare a monomolecular, situat pot fi folosite ca rezisti
mica; mastii prin litografie la suprafata, sufera o negativi;
optica; transformare datorata
Sistemul rezistului Acestia sunt compatibili
expunerii, care conduce
multistrat cu rolul de a Este recomandata la formarea imaginii; cu tehnicile de corodare
separa functiile de pentru formarea umeda si uscata si
formare a imaginii si de structurilor foarte reprezinta o rezolutie
acoperire a structurilor apropiate, care ar putea extreme de buna
deja formate fi deformate de
 interferentele care apar (200A);
in spatiul intermediar;
Au o sensibilitate mult
mai mica fata de rezistii
organici;

Electronolitografia

Este ultilizat un fascicul de electroni care poate fi baleiat electromagnetic, astfel incat configuratia
generata sa fie transferata intr-un resist sensibil la acest mod de expunere.

Acest tip de litografie este mai bun decat litografia clasica d.p.d.v al rezolutiei superioare. Insa, ea nu
este folosita la scara larga, din cauza eficientei scazute si costului foarte mare.

Este utilizata pentru realizarea fotomastilor datorita avantajelor:

- Distanta de focalizare mult mai mare;

- Absenta mastilor;
- Alinierea automata cu o precizie de superpozitie mult mai buna.

Principiul procesului

● Fasciculul de electroni este generat de catre

tunul electronic;
● Acesta e focalizat sub forma unui punct;
● Armaturile de intrerupere a spotului si
bobinele de deflexie sunt controlate prin
calculator si functioneaza la frecv mari;
● Deflexia are rolul de a directiona electronul
in orice loc din campul de baleiere din
substrat;
 ● Cu ajutorul detectorului de electron, se pot localiza electroni respinsi de catre placheta, se pot
determina corecturile necesare pt pozitionarea mesei si a fasciculului.

Tehnici de expunere

Exista doua tehnici de expunere prin baleiere:

● Tehnica liniara, unde fasciculul de electron este deplasat pe intreaga suprafata pe care limitele
de baleiere o admit;
● Tehnica vectoriala, atunci cand vrem sa prelucram o arie mica a mastii. Fasciculul este asezat in
zona dorita, aceasta fiind expusa prin aprinderea spotului si baleierea configuratiei, dupa care
spotul este inchis si indreptat catre o noua configuratie, iar procesul se repeta.

Mai exista un mod de expunere, prin proiectie. Are aceleasi caracteristici ca cele optice, insa proiectia se
face cu un fascicul de electroni si nu prin lumina UV.

Limitari: imprastierea electronilor

Litografia cu raze X

Litografia cu raze x utilizeaza o expunere prin umbrire, cu masca la scara 1:1. Aceasta are o precizie mult
mai mare fata de litografia cu electroni, deoarece utilizeaza expunerea paralela.

Avantaje:

● rezolutie inalta;
● eficienta mare;
● nu necesita corectii de proximitate;
● permite expunerea unor straturi relativ groase de rezist;
● sensibilitate redusa la particulele ce contamineaza masca;
Dezavantaje:

● masca trebuie realizata foarte precis si pe un suport foarte stabil;

● aparatura foarte scumpa

Ca rezisti pt razele X, putem folosi electronorezistii.

Masti de expunere:

● necesita constructive complicata;

● repr o folie suport f subtire fixate pe o rama f stabila;
● substrat= placheta de siliciu;
● material absorbant = aur, se depune galvanic, configurarea stratului absorbbant se realizeaza
prin litografie cu fasciculi de electroni
● placheta configurata e sustinuta de un inel din Pyrex, siliciul neacoperit de inel este indepartat
de corodarea din spate

Limitari: efecte geometrice: eroare de marire laterala si efect de penumbra

Metode de depunere a straturilor subtiri

1. Metode chimice
● din vapori a bioxidului de Si dopat/nedopat;
● posibilitatea obtinerii unor grosimi mai mari la temp mai joase si mai rapide;
● la temp joase sau medii (<800 grade) : oxizii care sunt destinati izolarii altor straturi

a. din vapori a naturii de siliciu – asigura protectie mare impotriva zgarieturilor si difuziei sodului,
densitate scazuta, vit de corodare in sol mare;
b. din vapori a siliciului policristalin – pt tensiuni interne recoacerea la temp inalta dupa depunere;
c. din vapori a diamantului sintetic – straturile subtiri de diamant pot fi depuse prin CVD la
presiune joasa folosind plasma sau microunde si prin depunere asistata de plasma generate de
microunde;
d. Oxidare termica – pot patrunde impuritati, temp si durate mari; obtinere straturi subtiri de oxid
de Si;
e. Depunere autocatalitica – procedeu de formare a straturilor subtiri metalice prin reducere
chimica intr-o sol de placare fara sursa exterioara de curent. Uniformitate f buna straturilor;
echipament de lucru f simplu

2. Metode fizice
 a. Polimerizare in plasma – echipament simplu, nr mare de monomeri ce pot fi utilizati;
b. Crestere epitaxiala = crestere orientata a cristalelor in straturi subtiri
Conditii substrat: compatibilitate cu structura cristalina si cu
coeficientul de diltare temica al materialului stratului;
absenta tensiunilor de suprafata
c. Pulverizare = bombardarea materialului tinta cu ioni pozitivi extrasi din plasma de joasa
presiune a unui gaz inert si accelerati de un camp electric continuu;
Vit de depunere mai scazuta;
d. Implantare ionica = procedeu de impurificare controlata a unui substrat/strat subtire
prin bombardarea suprafetei cu fascicul de ioni
Are loc la temp camerei, process curat, echipament f complex,
asigura un control riguros al concentratiei impuritatilor;
e. Evaporare termica in vid = cel mai raspandit procedeu de depunere
Vit de depunere mare, puritate ridicata a straturilor
subtiri; realizare la temp joase

Procese substrative
a. Eroziune chimica umeda = transportul agentului de corodare si al produsilor de reactive la
suprafata de prelucrat si in reactia propriu-zisa; buna selectivitate; rezolutie limitata; poluare
Nitrura de siliciu: dificil de corodat umed, vit de corodare depinde
puternic de metoda de depunere;
principiul de oprire a corodarii: anizotrop, selectiv sau electrochimic
b. Eroziune chimica uscata = utilizarea speciilor active ale plasmei generate printr-o descarcare
electrica intr-un gaz de presiune redusa; la suprafata stratului subtire apare bombardament
ionic

Microprelucrări bazate pe anizotropie cristalină.

Noțiuni de cristalografie legate de principalele plane și direcții cristaline  :Materialele
cristaline sunt structurate în 14 rețele tridimensionale de cristalizare, provenind din 7 sisteme
cristaline de bază, a căror celula elementară este un poliedru cu 6 fețe sub formă de patrulater.(12
muchii, 8 vârfuri) Direcțiile cristaline sunt determinate de drepte ce conțin cel puțin 2 vârfuri.
Exemplu direcție = [1 1 1] = direcția rezultată orin unirea originii celulei elementare cu vârful 1
1 1. Planul cristalin este determinat de 3 vârfuri ale rețelei și este notat prin indicii Miller.

Profile de corodare obținute prin eroziune chimică pot fi diferite în funcție de corelarea

anizotropiei substanței de atac cea a materialului de structurare.

Poziționarea măștilor  :Orientarea măștii în raport cu planele cristaline influențează atât forma
cavității cât și capacitatea de realizare a structurilor suspendate de tipul grindă sau micropunte
rezonantă. Orientarea sau eroarea de orientare a măștii pe direcția plachetei va duce la apariția
cavităților piramidale cu pereți înclinați.

Microprelucrări bazate pe selectivitatea procesului de corodare.

Definiție selectivitate :definită drept raportul dintre rata de corodare a stratului de structurare și
rata de corodare a materialului măștii sau a stratului de stopare a corodării.

Principalele soluții de atac pentru corodarea izotropă și anizotropă a siliciului monocristalin :

La obţinerea microstructurilor se utilizează, de obicei, ca material de structurare siliciul;

pentru măşti se recomandă: SiO2; Si3N4; Au; Cr; Ta; Mo; foto – sau electronorezist; ca strat de
stopare a corodării se poate utiliza: Si3N4; siliciu dopat.
Straturi sau numai zone din siliciu puternic dopate cu bor asigură rate foarte mici de corodare în
raport cu siliciul nedopat; această proprietate este utilizată pentru a stăpâni mai uşor adâncimea
de corodare, prin realizarea unui strat de stopare a corodării sub stratul a cărui grosime va
reprezenta adâncimea structurii de obţinut.

Corodarea siliciului policristalin și a altor materiale(straturile de sacrificiu)

Pentru obţinerea unei structuri de adâncime h, se porneşte de la un substrat din materialul de

structurare, de grosime mai mică (fig. 2 a) al cărui strat superficial este dopat cu un element care
reduce mult rata de corodare a materialului de structurare (fig. 2 b); după creştere epitaxială cu
grosimea h (fig. 2 c) şi aplicarea măştii (fig. 2 d), prin corodare în zonele descoperite de mască se
obţine structura dorită, a cărei adâncime h va fi condiţionată de stratul de stopare (fig. 2 e).

Selectivitatea poate fi influenţată de doi factori:

a)-Compoziţia substanţei de atac
b)-Temperatura băii.

Materiale pentru măști și pentru stratul de stopare a corodării siliciului.

Microprelucrare siliciu policristalin:

Succesiunea etapelor de lucru pentru aplicarea tehnicii stratului de sacrificiu la realizarea
structurilor mobile(exemplu=îmbinări roată-arbore utilizând ca material de sacrificiu PSG)
Are la bază depunerea şi configurarea unor straturi subţiri sau groase al căror profil în plan sau în
spaţiu reprezintă negativul unor spaţii sau cavităţi necesare obţinerii micro- sau nanostructurilor
şi care în finalul procesului tehnologic – sunt “sacrificate”, deci dispar.
Materialele din care sunt confecţionate straturile de sacrificiu pot fi:
- Materiale sublimabile (camphor, naftalină, iod);
- Polimeri care ard sau se topesc la temperaturi nu mai mari de 150⁰C;
- Substanţe care se dizolvă în diferiţi solvenţi.
Substanţele mai frecvent folosite sunt: fotoreziştii şi bioxidul de siliciu. Îndepărtarea lor se face
prin dizolvarea cu soluţii a căror selectivitate de acţiune face vulnerabile numai straturile de
sacrificiu, restul materialelor din care sunt alcătuite microstructurile rămânând inerte la această
acţiune.
Succesiunea etapelor de lucru pentru aplicarea tehnicii “stratului de sacrificiu” la structuri
mobile din siliciu policristalin:
a. prelucrarea mecanică şi mecano-chimică a plachetei de siliciu;
b. oxidare şi dopare pentru obţinerea stratului de sacrificiu;
c. sensibilizare pentru configurarea măştii stratului de sacrificiu;
d. expunere;
e. developare;
f. eroziune chimică selectivă a stratului de SiO2;
g. îndepărtarea măştii;
h. depunerea materialului de structurare;
i. sensibilizare pentru configurarea măştii stratului de structurare;
j. expunere;
k. developare;
l. eroziune selectivă a materialului de structurare;
m. îndepărtarea stratului de sacrificiu

Tehnologia procedeului LIGA

Definiție :se utilizează pentru obținerea microstructurilor metalice și din polimeri, dezvoltate
în spațiu pe 2, 3 și ½ axe, cu raport mare între înălțimea și dimensiunea lor în plan.
Aplicații :micromotoare magnetice și electrostatice.

Succesiunea de operații specifice: Grosimea stratului de rezist corespunde cu înălțimea dorită

a microstructurii.

● Expunere→piesă PMMA(rezist=plexiglas) unicat

● Developare→piesă metalică unicat
● GalvanizareI→piesă din polimeri. Producție tip serie
● Injectare→piesă metalică. Producție tip serie
● GalvanizareII→piesă ceramic. Producție tip serie
● Presare
 GalvanizareaI: Depunere galvanică=se realizează electrodepunerea metalelor pentru protecția
anticorozivă, pentru îmbunătățirea proprietăților metalice. Rezultă un profil negativ al formei
obținut din rezist. Depunerea se face pe substratul conductiv neacoperit de configurașia de rezist.
Rigiditatea formei depinde de grosimea stratului metalic care acoperă modelul.

Injectarea:prin aplicarea unei plăci de injectare(materiale plastice) se pot obține rapid și ieftin
numeroase copii de polimeri.

GalvanizareII:copiază în negativ profilul structurilor din polimeri fixate de placa de

injectare.. Depunerea galvanică reprezintă copia independentă metalică.

Materiale implicate:se poate depunde cupru, nichel, aur sau orice alt metal. Pentru injectare
se utilizează materiale plastice.

Masca pentru expunere la raze X  : are 3 componente :suport ce poate fi obținut sub formă de
membrană subțire(titan, beriliu, siliciu), material absorbant(aur, tantal) pentru asigurarea
contrastului, care să poată avea o grosime cât mai mare și o ramă care să asigure rigiditatea
mecanică necesară poziționării, centrării și schimbării automate a măștii.

Principalele etape ale tehnologiei de realizare a măștii pentru procedeul LIGA sunt:

● Obținere suport
● Structurare strat de rezist pentru masca intermediară
● Depunere galvanică a structurii absorbante
● Copiere mască intermediară pe masca de lucru
Masca intermediară se foloseste pentru configurarea structurii absorbante de grosime mare și are
ca suport o membrană de siliciu.

Rama poate fi confecționată din INVAR și este confecționată odata cu suportul prin:

-prelucrare mecanică a semifabricatului până la obținerea rugozității dorite, 0,25 micro.m

-aplicare strat suport

-corodare grosime ramă pentru menținere perete de 1 mm pentru rigidizare

-structurare strat rezist

-depunere galvanică selectivă a structurii absorbante

-îndepărtare rezist

-corodare completă perete INVAR

Aplicarea procedeului LIGA pentru reproducerea microstructurilor spațiale.
Realizarea unei microturbine prin procedeul LIGA în asociere cu tehnica stratului de sacrificiu.

Microturbina este confecționată odată cu locașul fix în care ea se rotește, ca și cu arborele ce o

centrează, prin tehnica straturilor de sacrificiu.Prezența fibrei optice complică procesul
tehnologic deoarece integrarea ei rigidă în ansamblu necesită 2 trepte de galvanizare. Între cele 2
galvanizări fibra este poziționată în dreptul fantei prin care ea primește lumina reflectată de
paletele turbinei și rigidizată cu microstructura metalică. Configurația stratului de sacrificiu se va
face prin litografie optică, în timp ce microstructura din PMMA va fi configurată prin litografie
adâncă cu radiație Rontgen sincrotronică.