Universitatea de Stat din Moldova

Facultatea de Fizică și Inginerie

Departamentul Fizică aplicată și Informatică

Referat
Tema: ,, Diodele laser cu fântâni cuantice: avantajele,
tehnologii de fabricare, construcții și aplicații.”

Lucrarea a fost elaborată de:

A verificat:
d.profesor
Culiuc Leonid

Chișinău 2023
1. Introducere
2. Densitatea de stari intr-un cristal semiconductor
3. Fenomene de absorbtie in gropi cuantice
3.1. Absorbtia fundamentala in gropi cuantice
3.2. Electroabsorbtia in gropi cuantice

4. Tipuri de laseri
4.1. Laserii cu structuri mezoscopice
4.2. Laserii cu gropi cuantice multiple

5. Fire cuantice semiconductoare

6. Concluzii
7.Bibliografie
1. Introducere
Intr-un cristal de semiconductor, electronii pot ocupa o stare intr-una din cele
benzile energetice. Cele mai importante si asupra carora se focalizeaza interesul sunt
benzile energetice superioare, banda de valenta si banda de conductie. Banda de
valenta, care este populata ( din plin) de electronii de joasa energie si banda de
conductie care este populata de electronii cu energii mari. Cele 2 benzii energetice
sunt separate de o banda energetica interzisa, banda in care nu exista stari permise
valabile pentru care electronul sa le ocupe.

Fig 1 Schema energetica a semiconductorilor cu a) gap direct si b)gap indirect

Semiconductorii pot fi impartiti in 2 categorii in functie de diferenta energetica dintre

cele 2 benzi, si anume semiconductori cu gap direct, in care maximul energetic al
benzii de valenta este situat la aceeasi valoare a vectorului de unda ca si minimul
benzii de conductie. In acest caz tranzitiile cu absorbtie de foton sunt verticale.
Semiconductorii care prezinta minimul benzii de conductie si maximul benzii de
valenta situate la puncte diferite se numesc semiconductori cu gap indirect,
tranzitiile din banda de valenta in banda de conductie (prin absorbtie de foton) se
produce numai cu participare de fonon
(absorbtie sau emisie). Astfel procesele cu participare de fonon fiind procese
multiparticula sunt mai putin probabil decat procesele numai cu participare de foton,
din acest motiv se prefera utilizarea semiconductorilor cu gap direct in dispozitivele
optoelectronice.
Laserele conventionale pe semiconductorii se bazeaza pe emisia unui foton de catre
un electron, la trecerea acestuia din banda de conductie in banda de valenta. Astfel,
lungimea de unda a fotonului depinde puternic de banda interzisa a materialului
semiconductor.

O groapa cuantica este o groapa de potential, care confera particulei, care se misca
liber in spatiul tridimensional, sa se miste liber numai pe 2 directii, obligand-o sa se
miste intr-o regiune planara. Aceste efecte de confinare au loc atunci cand grosimea
gropii cuantice este comparabila cu lungimea de unda de Broglie asociata carausului
(de obicei electron sau gol ), ducand la nivele energetice , numite nivele de
subbanda (adica purtatorii pot avea numai nivele discrete de energie).

Aceste heterostructuri sunt formate din "semiconductori grei" (GaAs) care se afla
intr-o structura de tip sandwich, celelalte 2 perechi fiind facute din AlGaAs (care
prezinta o diferenta de energie intre benzile de conductie si de valenta diferita de
cea a GaAs, astfel creandu-se groapa de potential). Aceste structuri pot fii create
utilizand epitaxia cu fascicul molecular sau depunere cu vapori chimici, controland
astfel grosimea stratului molecular, ajungand la state monoatomice.

2. Densitatea de stari intr-un cristal semiconductor

Datorita dualitatii sale, electronii din gropile cuantice au o densitate de stari mai
mare decat a materialelor obisnuite. De aceea gropile cuantice sunt des folosite in
constructia led-urilor, a diodelor laser sau a altor aplicatii optoelectronice (de ex.
Celulele fotovoltaice) . De asemenea sunt folositi in fabricarea tranzistoarelor cu
electroni de inalta mobilitate (HEMT's High Electrons Mobility Transistors).
Fotodetectorii in infrarosu sunt de asemenea bazati pe gropi cuantice.

Pentru determinarea proprietatilor dispozitivelor realizate cu aceste structuri,

trebuiesc cunoscute nivelele energetice caracteristice si densitatea de stari .

Astfel in cazul 3D se stie ca in spatiul dual al vectorilor de unda fiecarei stari a lui
ii revine un paralelipiped, cu latura . Energia este

iar numarul de electroni cu energia mai mica decat este: ,

factorul 2 aparand degenerarii datorata spinului, iar numarul de stari este:.

Fig 2.1 Densitatea de stari pentru un cristal 3D

In cazul unei miscari intr-o groapa cuantica, energia este o functie de tipul

numarul de electroni cu energia mai mica decat o energie este

si densitatea de stari este de tipul .

 Fig Densitatea de stari pentru o groapa cuantica

Pentru un fir cuantic calculele sunt mult mai laborioase, energia este data de

numarul de electroni si

Laserii cu structuri mezoscopice sunt structuri cu dimensionalitate redusa - gropi

cuantice, fire cuantice puncte cuantice. Laserii cu gropi cuantice prezinta o serie de
avantaje si anume: dimensiuni foarte mici ale zonei active, spectrul radiatiei laser
depinde de densitatea de stari din benzile de conductie si valenta. Aceasta densitate
de stari, care variaza parabolic cu energia in semiconductorul 3D, au un spectru
foarte bine localizat in jurul unor energii discrete (corespunzatoare unor stari
stationare) in structurile cu dimensionalitate redusa. Localizarea densitatii de stari in
jurul unor energii ofera o crestere a coeficientului de amplificare . De asemenea
pierderile prin procese neradiative sunt mici, valorile curentului de prag este mai
mic, care de altfel variaza slab cu temperatura. Laserii cu structuri mezoscopice
prezinta o banda larga de modulatie in frecventa.

Totusi puterea emisa de acesti laseri este mai mica decat in cazul laserilor cu
jonctiuni pentru ca numarul de purtatori implicati in tranzitii este mai mic.
Cresterea coeficientului de amplificare , a densitatii de curent de prag si
respectiv a largimii benzii de modulatie in laserii cu structuri mezoscopice, fata de
aceeasi parametrii in jonctiunile (alesi ca unitate) este data in tabelul 2.1,
astfel incat sa fie mai mare decat pierderile interne.

/3

Tabelul 2.1

3. Fenomene de absorbtie in gropi cuantice

3.1.Absorbtia fundamentala in gropi cuantice

Tinand cont ca in anumite conditii intre electroni si goluri pot aparea interactii
atractive, de tip coulombiene, avand ca rezultat formarea unei stari legate stabile ale
perechii electron- gol, stare ce se numeste exciton. Calculele se pot face prin doua
metode:

a) neglijand excitonii

In semiconductorii 3D tranzitiile din banda de valenta in banda de conductie cu

absorbtie de fotoni sunt verticale in spatiul .

Tranzitiile cu absorbtie in spatiul sunt verticale

Pentru gropi cuantice, pentru directia de crestere , in loc de conservarea

vectorului de unda, apare o noua regula de selectie si anume sunt permise numai
tranzitiile intre nivelele de energie cu acelasi numar cuantic principal. De altfel
aceasta regula este verificata riguros in cazul gropii infinite, probabilitatea de
tranzitie din starea initiala in starea finala este proportionala cu integrala de
suprapunere intre functiile Bloch corespunzatoare starilor initiale si finale. Aceasta
integrala este nenula numai pentru functii de aceeasi paritate. Regula se verifica
suficient de bine si pentru gropi finite, integrala de suprapunere avand valori
apreciabile numai pentru .

In structurile reale nu exista nivele discrete de energie, ci subbenzi" care incep de la

energiile calculate pentru starile localizate. Electronul (sau golul) intr-o astfel de
stare localizata poate avea orice valoare pentru energia cinetica "in plan" (planul
) si prin urmare un spectru continuu de energii (energia de
subbanda) deci densitatea de stari pentru o groapa de potential finita prezinta
"trepte" care incep la energiile discrete . In tranzitiile optice se conserva vectorul
de unda si pentru ca forma curbei de absorbtie este determinata de cea a
densitatii de stari, spectrul de absorbtie este in trepte, cate o treapta pentru fiecare
numar cuantic .
Regula de selectie: si conservarea

b) cu efectele excitonilor

Pentru un cristal de GaAs energia de legatura a unui exciton este de aproximativ de

astfel incat energia fotonului absorbit este . Efectele
excitonice apar in majoritatea semiconductorilor 3D cu banda interzisa directa, la
temperaturi scazute . La temperatura camerei, desi efectele excitonice sunt inca
importante, maximile corespunzatoare din curba de absorbtie sunt greu de observat.
Motivul este ionizarea excitonilor prin ciocniri cu fononi optici. Aceste procese de
ciocniri sunt rapide, astfel incat timpul de viata al unui exciton este scurt si conform
principiului de incertitudine al lui Heisenberg largimea liniei spectrale este mare. Prin
urmare linia corespunzatoare absorbtiei excitonice nu poate fi distinsa ca o
rezonanta clara. Comparativ cu semiconductorii 3D, in cazul unei gropi cuantice apar
2 diferente importante. In cristalul de GaAs diametrul excitonului este de . Intr-
o groapa cuantica cu dimensiunea excitonului se reduce, cel putin dupa
directia gropii de potential. Este de remarcat faptul ca dimensiunile se reduc si pe
celelalte 2 directii. Astfel distanta relativa electron- gol este mult mai mica decat in
cazul 3D, atunci coeficientul de absorbtie care este proportional cu integrala de
suprapunere intre functiile de unda asociate celor 2 particule este mai mare. De
asemenea energia de legatura a excitonului (data de atractia coulombiana ) este mai
mare decat in semiconductorul 3D si viteza pe orbita este mai mare (modelul Bohr).
Ca urmare, excitonul poate descrie o orbita completa inainte de a absoarbe fononul
optic si va exista o rezonanta bine definita. Echivalent se poate spune ca desi
largimea liniei excitonice este comparabila cu cea din cazul 3D, energia de legatura
in cazul unei gropi cuantice este mai mare si linia excitonica poate fi observata
distinctiv in curba de absorbtie din vecinatatea lui . Asa se explica de ce, chiar la
temperatura camerei, efectele excitonice sunt importante in cazul "quantum well

Se defineste un coeficient de castig (amplificare) in mediu, ca variatia relativa a

intensitatii pe unitatea de lungime ,
determinat de rata de emisie stimulata. El este pozitiv daca este realizata inversia de
populatie. Aceasta conditie este necesara, dar nu si suficienta pentru a obtine
amplificarea radiatiei. Acest termen trebuie sa fie nu numai pozitiv ci si mai mare
decat pierderile. In laserii cu semiconductori aceste pierderi sunt legate de faptul ca
un electron din banda de conductie avand energia poate absorbi radiatia de
energie pentru a trece in starea de energie .

Acest fenomen este cunoscut sub numele de efect Auger. El se manifesta si pentru
purtatorii liberi din banda de valenta. Pentru a descrie aceste pierderi se introduce
coeficientul de absorbtie pe purtatori liberi . Cum in material exista un numar
mare de purtatori liberi, necesari pentru a asigura degenerarea nu este neglijabil,
ordinul lui de marime fiind de .

Astfel se defineste coeficientul net de amplificare al mediului si

conditia de emisie stimulata se scrie .

Daca aceasta conditie este realizata, mediul poate amplifica radiatia cu frecventa

Cei "cativa fotoni" aparuti prin emisie spontana in vecinatatea jonctiunii vor fii
amplificati prin procesul de emisie stimulata. Atingerea pragului emisiei stimulate se
traduce printr-o crestere abrupta a semnalului luminos emis de dioda si printr-o
directivitate crescuta a acestuia. Se spune ca in acel moment dioda este
superradianta.

3.2.Electroabsorbtia in gropi cuantice

Se considera initial structura nepolarizata electric. In acest caz functia modulatoare

pentru un electron din banda de conductie verifica ecuatia lui Schrdinger

unde reprezinta potentialul de confinare in groapa unidimensionala,

numeste functie modulatoare (infasuratoare) si este solutie a ecuatiei

si se considera de forma .

Astfel se obtine valoarea energiei la marginea inferioara a subbenzi :

, unde reprezinta marginea inferioara a benzii de conductie, iar energia radiatiei
absorbite se poate scrie

cu masa redusa a perechii electron- gol. Folosind formula densitatii de stari in

cazul 2D se poate determina coeficientul de absorbtie

deci inaltimea fiecarei trepte este proportionala cu integrala de suprapunere .

Daca perpendicular pe straturile semiconductoare se aplica un camp electric, in

expresia hamiltonianului intervine si expresia campului electric. Astfel se observa o
deplasare a nivelelor energetice in camp electric, asa incat

este mai mic pentru . Golurile si electronii sunt deplasati in sensuri opuse de
catre campul electric, probabilitatea de localizare este maxima in vecinatatea lui
pentru electron respectiv , unde L este lungimea gropii de potential. De
asemenea functiile de unda (cel putin pentru nivelele inferioare) nu mai sunt
ortogonale pentru . Prin urmare, multe dintre tranzitiile interzise in absenta
campului (cand exista regula de selectie ) devin acum permise (in special in
gropile cu lungime mare).

4. Tipuri de laseri

4.1. Laserii cu structuri mezoscopice

Din punct tehnologic, laserii cu gropi cuantice sunt mai usor de obtinut, si din acest
motiv mult mai utilizati decat cei cu fire respectiv puncte cuantice.

Laserii cu gropi cuantice pot avea una sau mai multe gropi in mediul activ. In primul
caz se numesc SQW (single quantum well) in al doilea caz MQW ( multiple quantum
well). In ambele cazuri regina activa este separata printr-un start intermediar SCH
(separate confinement heterostructure) de regiunile dopate sau , care reprezinta
sursa de purtatori. Aceste regiuni au rolul de a creste gradul de confinare (localizare)
a radiatiei emise in regiunea activa, actionand ca un ghid de unda pentru radiatia
optica.

Structurile mezoscopice (in particular gropile cuantice) sunt nedopate, pentru ca

nivelele energetice sa ramana discrete.
 Fig 4.1 Schema de principiu a laserului cu groapa cuantica

4.2.Laserii cu gropi cuantice multiple

Laserii cu gropi cuantice multiple sunt realizati din 2 staturi alternative diferite de
semiconductori, de exemplu care formeaza o heterostructura cuantica.
Straturile sunt crescute folosind epitaxia moleculara sau depunere cu vapori. Unda
emisa este determinata de grosimea straturilor dar si de materialele utilizate. Acesta
este principalul avantaj fata de diodele laser, a carui lungime de unda depinde de
banda interzisa a materialului.

Lungimea de unda a laserelor este cuprinsa intre , acoperind astfel

infrarosul mediu.

Straturile alternative determina variatia potentialului pe toata lungimea materialului,

astfel se variaza si probabilitatea de ocupare de catre electron a diferitelor stari. Prin
alegerea cu grija a materialelor din compozitia laserului si cu un camp electric aplicat
structurii, subbanda energetica minima a unui strat poate fi adusa la acelasi nivel cu
energia minima a subbenzi superioare a stratului urmator.
 Fig 4.2 Schema de principiu a unui laser in cascada

Astfel un electron poate participa la o tranzitie optica intre benzile unui strat inainte
de a tunela in structura urmatoare. Acest proces se poate repeta de mai multe ori, in
functie de numarul de straturi, crescand astfel puterea optica de iesire.

Puterea de iesire mare, probabilitatea de tunelare ridicata si functionarea la

temperatura camerei permit folosirea acestui tip de laser la masurarea variatiei
atmosferei, inregistrandu-se concentratiile de gaze si poluanti (ca de ex.
sau ) dar si pe post de radar, in conditii de vizibilitate
scazuta. Independenta functionarii acestui tip de laser fata de valorile benzilor de
valenta si conductie ofera o flexibilitate ridicata fata de un laser cu semiconductor
(de ex. GaAs/AlGaAs)

5. Fire cuantice semiconductoare

Calculele facute sunt realizate in unitati atomice, si anume pentru distante unitatea
de masura este angstrom- ul , sau mai bine zis raza Bohr efectiva
, pentru energie, unitatea de masura este dublul Rydgberg efectiv.
Trecerea de la valoarea de dublul Rydgberg efectiv la o a alta unitate atomica a
energiilor se face: . In cazul de fata s-a considerat o raza a firului
cuantic de , raza efectiva determinata in urma primului program fiind de ,

in cazul electronului respectiv de in cazul golului. S-a considerat

ca golul fiind de tipul gol greu, pentru o comportare mai buna in camp magnetic.
Campurile considerate sunt campuri mari, cuprinse intre 0 si 15 de Tesla.
In rezolvarea programelor s-au ales functii de unda de tip hipergeometrice:

sau solutii ale functiilor Bessel:

sau . Raza efectiva a fost introdusa deoarece aceste functii

sunt determinate in cazul unei bariere de potential infinite (si nu finite cum este
real), asa ca pentru a compensa bariera de energie finite fata e cea teoretica infinita
fost folosita o raza efectiva in locul razei reale a firului cuantic.
Ecuatia Schrdinger, cu functii si valori proprii atemporala , unde expresia
hamiltonianului este de forma:
 reprezinta energia potentiala in camp magnetic . Simetria problemei impune
trecerea la coordonate cilindrice. In acest caz, h coordonate cilindrice. In acest caz,
hamiltanoianul se scrie:

Astfel primul program se refera la calculul razei efective, in cazul campului extern
, , solutia generala este de forma: o functie plana pe
directia Oz, semn ca electronul se misca liber pe aceasta directie, functie ce depinde
de numarul cuantic magnetic si o functie necunoscuta . In starea
fundamentala, , se poate scrie ca fiind:

, unde

este functia Bessel de ordinul intai, este functia Bessel de ordinul al doilea,

si .

Din conditia de continuitate in , se determina energia. Odata aflata energia, se

determina raza efectiva, din conditia anularii functiei Bessel.

Cel de-al doilea program permite determinarea energiei in camp magnetic. In acest
caz, starea fundamentala ecuatia functiei de unda este verificata de:

, unde in unitati atomice. Folosind schimbarea de variabila

, , cu .

Solutia cautata este de forma , asta inseamna , solutia fiind

satisfacuta de seria hipergeometrica degenerata .
Insa se poate calcula efectul campului magnetic asupra electronului folosind o
metoda variationala.

Fie o functie de patrat integrabil si se calculeaza , cu .

Se stie ca functiile proprii ale operatorului hamilton formeaza o baza

astfel incat se respecta regula de ortonormare a functiei , adica , iar

In urma calculelor, se obtin o serie de valori ale energiei, valoarea apropiata de

valoarea corecta fiind primul minim intalnit (parametru ).
B(T) Ee(dRy) Ee(meV) Ee(dRy) Ee(meV) Parametrul

Tabel 5.1 - contine valoarea energiei pentru campuri cuprinse intre 0 si 15 T, valori obtinute cu
metoda razei efective si metoda variationala

Similar cu primele doua programe se procedeaza si in cazul golurilor. Se determina

urmatoarele valori:
B(T) Eheavy-hole(dRy) Eheavy-hole(meV)

Tabel 5.2 contine valoarea energiei golului pentru campuri cuprinse intre 0 si 15 T

Astfel se poate determina valoarea potentialului in care se afla atat electronul cat si
golul. O structura de tipul cu este un semiconductor cu gap
direct (in cazul de fata ).

De asemenea

Astfel iar.
 Fig 5.1 Stratul de actioneaza ca o bariera de potential

B(T) Egap(dRy) Egap(meV)

Tabel 5.3-contine valoarea energiei benzii interzise a heterostructurii pentru campuri cuprinse intre 0
si 15T

De asemenea se poate reprezenta si grafic probabilitatile de localizare a particulelor.

De asemenea se observa ca, ca si in cazul electronilor, energia golurilor-grele creste
odata cu marirea campului magnetic. Odata cu cresterea campului, valoarea benzii
interzise creste, fapt ce a putut realizarea unor dispozitive cu banda interzisa
modulata prin variatia campului magnetic.
 Fig 5.2 Graficul densitatii de localizare a electronului folosind metoda razei efective, pentru B= [0,
2.5, 7.5, 15] T. Odata cu cresterea campului are loc si o crestere a densitatii de localizare a particulei
in centrul gropii de potential

Fig 5.3 Graficul densitatii de localizare a electronului folosind metoda variationala, pentru B=[2.5, 7.5,
15]T

Fig 5.4 Graficul comparativ al densitatii de localizare a electronului pentru B=2.5T, folosind ambele
metode. Functia de unda in cazul metodei variationale prezinta o comportare mai buna fata de
metoda razei efective (functia de unda prezinta valori semnificative numai in centrul gropii).
 Fig 5.5 Dependenta de B a energiei electronului

Fig 5.6 Graficul in functie de B

6. Concluzii
In 1963 H. Kroemer din S.U.A. si Kazrinov si Alferov din fosta U.R.S.S. au sugerat
primul laser cu gropi cuantice. In 1974 a fost facut primul laser cu gropi cuantice de
catre J.P. Van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, W. Wiegmann si W.R. Nordland, Jr. iar
in 1994 a fost elaborat primul laser cu cascada.

Cercetatorii din California au reusit sa faca asa numitele "straturi de fire cuantice",
folosind epitaxia de fasciculul molecular pentru a face straturi verticale. sau
orizontale alternative de GaAs si straturi de conductivitate mai scazuta (AlGaAs)

Spre deosebire de semiconductorii uzuali, bazati pe siliciu, "firele cuantice" pot

transforma energia de schimb a electronilor in lumina. Un electron excitat se poate
relaxa, prin recombinare cu purtatorul pozitiv in stratul de GaAs, ei emitand lumina
cu o lungime de unda specifica. Utilizand un laser, cu ajutorul caruia pompau
energie, sub forma uni fascicul de mai multe frecvente, energie corespunzatoare
unui dispozitiv simplu de "fir cuantic", ei au studiat energia de relaxare a
electronului, pe un nivel energetic inferior. Experienta a verificat calculele facute, si
anume lumina emisa de doua straturi diferite era diferita.

Aceste calcule au fost facute la laboratoarele AT&T Bell din Murray Hill si la institutul
Bell Core din Red Bank, New Jersey de catre James P. Harbison, Leonard C.
Feldman, F. Petroff

7.Bibliografie:
1. P. Sterian- Fotonica

Shallow Donors in a Quantum Well Wire: Electric Field and

Geometrical Effects

2.https://www.mtmi.vu.lt/pfk/funkc_dariniai/nanostructures/

quant_structures.htm

3.Donald A. Neamen Semiconductor Physics and Devices

4.https://edu.ioffe.ru/links/pub/?ref=110

5.Computational Optoelectronics of Semiconductor

Nanostructures Including Many-Body Effects Torsten Meier,

Huynh Thanh Duc, Matthias Reichelt, Bernhard Pasenow,

Tineke Stroucken and Stephan W. Koch