Referat

Tema: ,, Microscopia de tunelare cu sondă”

Microscopia
Istoric
In 1928 fizicianul și astrofizicianul american de origine rusă, George Gamrow a formulat teoria
dezintegrarii alfa a unui nucleu prin efectul tunel. Este nevoie de o cantitate foarte mare de energie
pentru a dezintegra nucleul deorece particula este mentinuta in nucleu tocmai datorita acestei energii
foarte mari. In mecanica cuantica particula poate evada prin potentialul nucleului ca printr-un
tunel.Gamrow a stabilit o relatie intre timpul de injumatarire a particulelor si energia emisiei, realizand
un potential model pentru nucleu. De asemenea Ronald Gurney si Edward Conton au contribuit la
studiul dezintegrarii alfa prin efectul tunel.

Acest efect a fost aplicat mai tarziu si in emisia la rece a electronilor, la fizica materialelor
semiconductoare si supraconductoare si la explicarea fenomenelor precum emisia de camp a
electronilor. Efectul tunel e important pentru fenomene ca radioactivitate, cataliza enzimatică.

Microscupul electronic cu efect unel (STM – Scanning Tuneling Microscope) a fost in 1981 de
catre Gerg Binning si Heinrich Rohrer, cercetarori la IBM Zurich Research Laboratory Ruschlikon din
Elvetia. Origininea sa provine din profilometrul non-contact sau topografiner-ul realizat de Russell
Young inca din 1971.

Pentru aceasta inventie cei doi au castigat premiul Nobel penru fizica in 1986, Binning fiind
prima persoana care observa un virus iesind dintr-o celula vie.

Alcatuire
-Proba care trebuie studiata

-Un varf ascutit de scanare

-scanner piezoelectric, forma de tub; Cristalele piezoelectrice se extind si se contracta in fuctie de

voltajul aplicat, acest principiu fiind folosit la stabilirea pozitiei orizontale (x,y) sau a inaltimii (z)
varfului de scanare

-unitate de scanare si controlare a distantei; Controlul este foarte fin datorita utilizarii piezoelectricitatii,
fiind necesar ca varful sa fie apropiat de proba inainte de controlul piezoelectric.
-Sistemul de vibratie si izolatie; STM se ocupa cu masuratori fine ale pozitiei astfel incat izolararea
oricaror vibratii este foarte importanta

-Computer; Calculatorul inregistreaza curentul efectului de tunel si controleaza voltajul spre tunurile
piezoelectrice pentru a produce o harta tridimensionala a suprafetei probei.

Aplicatii
Pentru STM o buna rezolutie este considerata0,1 nm lateral si a.a1 nm in adancime, mai mare
decat cea a microscopului bazat pe forta atomica (AFM – Atomic Force Microscope). Aceasta rezolutie
permite vizualizarea si manipularea individuala a atomilor.

Importanta deosebita a STM-ului rezida din multiplele sale aplicatii in cercetarea fundamentala a
fenomenelor fizice, chimice, biologice precum si pentru cercetarea aplicata in fizica semiconductorilor,
microelectronica, metalurgie si bioinginerie (G. Binnig, 1986; H. Rohrer, 1986).

De asemenea STM permite determinarea pozitiei fiecarui atom si vizualizarea regiunilor cu

densitate electronica ridicata. Toate acestea au condus la progrese in cunoasterea atomilor, fara a-i
distruge.

In 1988 Tomita Eisue, Sakuhara Toshihiko si Itaya Kingo creeaza microscopul de baleiaj cu
efect tunel electrochimic. Acesta detecteaza atat radiatia electrochimica cat si curentul care trece intre
suprafata si electrod fara bariera de potential (curent tunnel).

Principiu de functionare
Microscopia electronica cu efect tunel se bazeaza pe cateva principii importante ca de exemplu:
efectul cuantic de tunelare, ce permite vizualizarea suprafetei; un alf efect este cel piezoelectric, ce
permite scanarea la nivelul angstromilor.
 Varful se va deplasa pe sufrafata probei, se va folosi curemtul ca un semnal de feedback. Apoi
separarea varfului se suprafata este controlata pentru a ramane constanta prin mentinerea curentului
efectului de tunel la o valoare constanta. Voltajul necesar pentru a pastra varful la o separare constanta
este folosit pentru a produce imagini computerizate ale suprafetei.

Varfurile
STM-ul foloseste un ac conductiv foarte ascutit fabricat din wolfram (folosit la imagistica in vid)
sau platina (folosit la imagistica in aer). Este important ca varful sa nu se oxideze, pentru ca oxidul va
izola varful si masuratorile vor deveni dificile. Intre ac si proba este aplicat un curent. Caputul varfului
este reprezentat de o portiune numita appex.Varfurile STM-ului mai pot fi confectionate si dintr-un aliaj
din platina si iridium.

Efectul de tunel
Efectul de tunel, cel ce sta la baza microscopului electronic cu efect de tunel, este unul cuantico-
mecanic care permite o tranzitie, impiedicata de obicei de mecanica clasica. De exemplu o particula nu
poate depasi un obstacol (bariera) in cazul in care acesta nu are energia necesara pentru a face acest
lucru. Din punctul de vedere al mecanicii cuantice, o particula prezinta o sansa minima de a traversa,
spontan, printr-o bariera de inaltime nedefinita. Acest lucru poate fi aplicat si la electronii de solide;
probabilitatea ca unul sau mai multi electroni sa poata depasi, la un moment dat bariera de potential a
suprafetei solide este aproape nula.

Varful STM-ului se va misca deasupra suprafetei probei de studiu. Se va aplica o tensiune intre
proba si varf, iar in functie de aceasta atomii vor “tunela”, acest lucru insemnand deplasarea de pevard
pe sufrafata probei sau invers, in functie de polaritate, determinand un curent si o polaritate mai mica
(aceasta depinde de distanta dintre proba si varf). Pentru a se crea un curent, substratul scanat trebuie sa
fie conductor de electricitate si nu izolator. Fizica cuantica considera ca u exista curent intre varf si
suprafata daca acestea nu se afla in contact.

Efectul de tunelare descrie o particula, de exemplu un electron, descris printr-o functie de unda,
care are probabilitatea zero de a traversa bariera, aceasta insemnand spatiul dintre varf si suprafata, fiind
un fenomen interzis in fizica clasica.
 Doi conductori care sunt pozitionati la o distanta foarte mica unul de altul, dar fara sa se atinga, permit
curentului sa traverseze spatiul dintre ei. Fenomenul este numit tunelare si este un efect cuantic. Tunelarea are la
baza doi factori importanti:

-distanta dintre conductori

-proprietatile materialelor electrozilor

Ecuatia ce sta la baza fenomenului de tunelare este ecuatia Schoedinger:

Unde ħ este constanta lui Plank redusa,

z = pozitia

m = masa electronului

E = electron de energie

U(z) = bariera energetica de inaltime

Elecronul este reprezentat de functia de unda ψn(z).

Primul termen reprezinta energia cinetica, al doilea energia potentiala.

Observand mai atent tunelarea de la un metal la altel: E F reprezinta energia Fermi. Creand un voltaj
intre cele doua metale permite curent.

In mecanica clasica, energia unui electron care merge intr-un potential U(x) este dat de relatia:
Electronul are momentul nonzero atunci cand E > U(x), dar cand E<U(x) aria este interzisa

Descrierea mecanica cuantica a aceluiasi electron este

In regiunea clasica (E>U), exista doua solutii .

Acest lucra da acelasi rezultat ca si cazul clasic. Dar in regiunea clasica nepermisa (E<U), solutia este:

K-reprezinta constanta de descompunere, deci solutia dicteaza faptul ca functia de unda se descompune in directia
+x, iar probabilitatea gasirii unui electron in bariera este non-zero.

Ev este nivelul vidului sau nivelul energetic de referinta. E F este nivelul Fermi, care reprezinta cel mai inalt nivel
ocupat intr-un metal. ᶲs este functia de lucru a unei probe si este definica ca si cantitatea de energie care este
necesara pentru a indeparta un electron dintr-o parte majora la nivelul vidat. Functia de lucru a varfului este ᶲt.

Daca interferenta probei este pozitiva, nivelul Fermi al probei este mia mic ca cel al varfului, dedi
electronii merg spre proba. Atunci cand interferenta probei este negativa, nivelul Fermi al probei este mai mare
decat cel al varfului, deci electronii traverseaza de la varf catre proba.

Deci posibilitatea gasirii unui electron dupa o bariera, cu latimea d este:

Si:

Unde f(V) este o functie Fermi

Unde:

Folosind valori tipice pentru m,d si phi, unde phi este functia de lucru normala a varfului si a probei,
atunci d se incarca cu 1 Å si curentul se incarca cu un factor de aproximativ 10. Aducand varful suficient de
aproape de suprafata se poate crea curent de tunelare chiar si atunci cand exista o defectiune in circuit.
Dimensiunea decalajului pus in practica e de ordinul a catorva Angstromi (10-10 m), curentul fiind foarte sensibil
la distanta decalajului.
 Varful prezentat n imaginea de mai sus este astupat de aproximativ doi atomi si transporta de aproximativ
un milion de ori mai putin curent. Tocmai din acest motiv este neces ca varful sa fie atat de fin.

Daca se poate obtine un singur atom de catre varf, o parte majora a curentului va circula prin el si va
rezulta rezolutia atomica.

In cazul STM-ului, energia electronului este de cele mai multe ori mai mica decat un 1eV. Aceasta
energie corespunde unei lungimi de zeci pana la sute de Angstrom.

Daca distanta dintre varf si proba este de 10A, electronii de pe proba incep procesul de tunelare in urma
caruia rezulta un curent de tunelare ce variaza in functie de distanta dintre varf si proba , folosit la crearea
imaginilor STM.

Procesul de tunelare are loc doar daca acul si proba sunt conductoare sau semiconductoare. Nu se pot
obtine imagini ale probelor neconductive.

In cazul in care spatiul dintre ac si proba este schimbat cu 10 % (de ordinul 1A), curentul de tunelare
variaza cu un ordin de marime.

STM-ul este folosit in doua moduri:

-inaltime constanta : unde acul scaneaza in plan orizontal la o distanta constanta fata de proba; curentul de
tunelare variaza in functie de topografie sau de proprietatile electrice ale probei. Acest mod este mai rapid
deoarece nu trebuie sa varieze inaltimea scanner-ului, dar nu poate da decat informatii despre suprafete foarte
netede

-curent constant : unde STM-ul utilizeaza circuitul de feedback pentru mentinerea curentului de tunelare constant.
Acest lucru este realizat prin ajustarea inaltimii scanner-ului in fiecare punct al masuratorii. Acesta poate masura
cu precizie neregularitati ale suprafetelor. Un dezavantaj este faptul ca masuratoarea dureaza foarte mult.
STM-ul se bazeaza pe doi factori:

-apropierea controlata a varfului metalic, cu ajutorul unui tub piezoelectric

-sistem antivibratii performant

In modul de lucru constant, curba de feed-back mentine curentul constant datorita ajustarii dintre
varf si suprafata. Ca acest lucru sa fie realizat se creaza o tensiune intre doi electrozi piezoelectrici.
Trecand cu varful pe deasupra probei, scanand-o si masurandu-i inaltimea se reconstrieste suprafata
materialului in lucru.

STM-urile de calitate superioara pot atinge rezolutii suficiente pentru a vizualiza atomii.

Factorii care determina obtinerea unei imagini cu rezolutie mare sunt si:

-ascutimea varfului

-planeitatea probei

Pregatirea probelor sporeste calitatea imaginilor.

Substraturi folosite pentru STM

Unul dintre cele mai studiate suprafete in microscopia cu efect de tunel este grafitul pirolitic inalt
orientat (HOPG – Highly Oriented Pyrolytic Graphite). HOPG este relativ o noua forma de carbon de
puritate mare fiind utilizat in microscopie datorita suprafetei sale foarte netede. Motivul este faptul ca
acesta este simplu de preparat, iar deasemea se pot prelua imagini ale laticei de carbon de la suprafata.

Acesta este un material dispus pe mai multe straturi si are o suprafata inerta fata de aer.
Prepararea usoara este redata de “decojirea” primului strat. Rezulta o suprafata cu proprietatea ca
anumite parti sunt de 100x100 nm 2, perfect plane la nivel anatomic.

HOPG prezinta cute anatomice acre face posibila preluarea imaginilor structurilor anatomice.

HOPG
HOPG vizualizat cu Microscopul electronic cu efect tunel.

Un alt material stratificat folosit in microscopia cu efect de tunel este mica, datorita faptului ca la
nivelul ei se obtin suprafete perfect plane la nivel atomic. Aceasta este un material sin grupa silicatilor
cu sistem de cristalizare monociclic, cu structura complexa, care se substituie frecvent dar ramane in
raport constanta cu seilalti atomi. Materialul trebuie utilizat prin acoperirea lui cu un strat de metal nobil
(platina sau aur) cu mentinerea planeitatii plane ale sale pentru ca nu poate fi utilizat direct. De
asemenea mica mia poate fi acoperita si cu un strat de Si/SiOx si cuart cu avantajul ca prezinta punct de
topire ridicat.

Suprafete acoperite cu aur

Majoritatea probelor preparate pe substrat de cuart sunt acoperite cu un film subtire de aur.
Deoarece o portiune considerabila a probei are o rugozitate considerabila sun dificile de obtinut imagini
ale substantelor cu acest tip de microscop. Din acest motiv, pentru imbunatatirea planeitatii suprafetei
filmului de aur prin calirea sa intr-o flacara Bunsen. Se utilizeaza o flacara cu hidrogen la temperatura
100 C timp de 30 pana la 60 de secundesi lasarea in aer pentru racire, apoi se preiau imagini. Se
formeaza structuri granulare atomice plane, orientate in directia celei mai mici energii libere , separate
prin santuri de aproximativ 20 nm adancime. Santurile pot impiedica formarea unei distributii omogene,
deoarece particulele pot fi captate la marginile formatiunilor sau pot fi impinse spre varful
microscopului. Probele sunt taiate in fragmete mici pentru suportul de probe ( 3x3 mm2).

Suprafetele de aur mai pot fi preparate prin evaporarea aurului pe suprafata proaspat “decojita” si
apoi desprinderea filmului de aur folosind tetrahidrofuranul (THF- C4H8O).
Pasivitatea monostraturilor
Este necesara prezenta unei bariere de potential intre particule si substratul metalic de sub acestea
pentru a realiza studiul efectelor electronice asupra pachetelor din proba respectiva. Daca nu se aplica
acest lucru atunci nu se pot observa efectele de incarcare.

Crearea unei astfel de bariere se realizeaza simplu prin pasivitatea suprafetelor cu un strat
dielectric, care va forma o legatura intre suprafata de metal (pe o parte) si probele (pe alta parte).

Este de asemenea necesar ca stratul sa fie subtire, astfel incat varful microscopului sa se
deplaseze deasupra in timpul masurarii topografice a metalului de dedesubt.

Stratul este omogen si prezinta un spatiu mare pebtru transportul electronic, pentru a nu da
spectroscopiei caracteristici false.

Un exemplu pot fi monostraturile de autoasamblare (MAS) de molecule organice, care represinta

aranjamente spatiale ale moleculelor pe o suprafata.

Pot exista monostraturi de:

-platina si cisteamina

-de alcan-tiol si –ditiol

-4-aminotiofenol (ATP)
 STM-ul este totodata folosit ca un intrument pentru modificarea suprafetelor prin numeroase metode, ce
de exemplu: crestarea varfului substratului de electroni emisis de varf.

La temperaturi joase (4K) se poate observa miscarea atomilor cu mare acuratete cu ajutorul varfului
STM-ului.

Momentul in care STM-ul a fost folosit ca instrument si ca microscop a marcat aparitia nanostiintei,
acest lui fiind vital.

STM

Multe alte tehnici ale microscopiei au fost bazate pe STM:

Photon scanning microscopy (PSTM):

Diferite idei de utilizare a STM-ului

Se poate decide utilizarea sau nu a piezoelectricitatii pentru a mentine distanta intre varf si suprafata egal
pe parcursul timpului, iar in loc se poate utilizarea masuratorilor curente pentru determinarea suprafetei
unei probe.

Avantaje: se poate scana cat mai

Dezavantaje: Suprafata nu trebuie sa prezinte cavitati mai mult de cativa Angstromi in adancime (unul
sau doi atomi) datorita tunelarii.

Piezoelectricitate inversa
Piezoelectricitatea este proprietatea anumitor cristale de a produce voltaj atunci cand sunt supuse
unui stres mecanic.

La aplicarea unui camp electric unei cristal piezoelectric atunci cristalul distorsioneaza. Acest
lucru este denumit piezoelectricitate inversa. Distorsiunile sunt de ordinul micrometrilor, ceea ce
reprezinta scala necesara pentru a pastra varful STM-ului la distanta de cativa Angstromi de suprafata.

Camp electric
Pizos

Varf

Cercetari publicate pe PubMed

S-a creat un reactor cu presiune si temperatura crescuta, echipat cu un microscop cu efect de

tunel STM, ce prezinta o rezolutie crescuta, acestea fiind folosite pentru studii catalitice. In acest design,
STM, proba si varful sut plasate intr-un reactor de presiune ( de aproximativ 19 cm3) localizat intr-o
camera de vid ultrainalt, UHV (ultrahigh vacuum). Un port inchis ermetic situat pe peretele reactorului
separa mediul cu presiune inalta de mediul vidat al camerei STM-ului si permite tranferul probei si
schimbarea varfului in UHV. Acest reactor STM poate lucra la o presiune de 10-13 si o temperatura de
300- 700 K.Experimentele efectuate pe doua probe plasate in vid si in conditii de presiune inalta
demonstreaza capacitatea inversigatiilor “in situ” ale catalizei heterogene si a rezolutiei chimice atomice
la presiunea UHV-ului la o presiune mai mare de 1 atm.

Microscopia electronica cu efect prin tunel (STM) este un instrument ideal pentru a cercete
proprietatile starea suprafetelor izolatorilor topologici (topological insulators – TI) si a izolatorilor
cristalini topologici (topological crystalline insulators – TCI). Rezumand progresul recent in fazele
topologice descoperite prin STM. Aceste observatii descoperite cu ajutorul STM-ului au confirmat
existente starilor topologice ale suprafetelor si de asemea si a poprietatilor acestora. Alte studii sunt cele
ale superconductorilor topologici si ale starilor suprafetelor cristaline simetric protejate ale TCI. Acestea
au promovat intelegerea proprietatilor noilor faze topologice, creand noi provocari in acest domeniu.
STM-ul va continua sa prezinte un rol important in evolutia acestui domeniu din punctul de vedere al
fizicii fundamentae si al aplicatiilor pe care le prezinta.

Din momentul in care STM-ul a fost inventat, observarea suprafetelor celulelor vii a fost unul din
obiectivele aplicatiei biologice a STM-ului. Prin descoperirea unui nou tip de STM, care este combinat
cu un microscop prtic si un sistem de centralizare a celor doua imagini, s-au obtinut cu succs imagini ale
suprafetelor celulelor vii ale T24 (human bladder cancer cell line) si ale CHO (Chinese hamster ovary
fibroblast) cultivate intr-un grafit pirolitic inalt orientat in conditii adecvate. S- descoperit faptul ca
celulele T24 prezinta suprafete inegale. Celeulele CHO au prezentat o suprafata dura cu o panta mai
abrupta. Desi sistemul STM-ului are o rezolutie spatiala mai mica de 3nm, profilul suprafetei celulelor
vii este clar doar in momentul in care aria scanata era mai mare de 10 microni patrati.

Referință:
1. Stelian BĂRĂITĂREANU. DE LA MICROSCOPUL OPTIC LA
2. MICROSCOPUL DE FORŢĂ ATOMICĂ, pag. 449
3. http://noema.crifst.ro/doc/2011_3_10.pdf
4. 1.Margineau Damiana(Costin). Microscopul electronic prin efect tunel
5. Feng Tao, David Tang, Miquel Salmeron and Gabor A. Somorjai. Rev Sci Instrum. 2008 Aug. A
new scanning tunneling microscope reactor used for high-pressure and high-temperature
catalysis studies.
6. http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/19044362
7. http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope
8. http://saturno.fmc.uam.es/web/superficies/microscopias/Class2.ppt
9. 2. Kun Zhao J Phys Condens Matter. 2014 Oct 1.: Condens. Matter. Scanning tunneling
microscopy studies of topological insulators.
10. http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25214502
11. Etsuro Ito, Tetsuo Takahashi, Kiyoshi Hama, Tohru Yoshioka, Wataru Mizutani, Hajime
Shimizu, Masatoshi Ono. Volume 177, Issue 2, 14 June 1991, Pages 636–643. Biochemical and
Biophysical Research Communications. An approach to imaging of living cell surface
topography by scanning tunneling microscopy.
12. http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/2049086