5.

ANALIZA SPECTROCHIMICĂ PRIN METODELE

OPTICII ELECTRONICE

5.1. Principii de bază teoretice şi experimentale

În ultima vreme au fost puse la punct numeroase tehnici analitice

bazate pe studiul unor procese rezultate din interacţiunea unui fascicul de
electroni cu proba de analizat. Se obţin informaţii asupra compoziţiei
chimice, calitative, cantitative, structurale, texturale şi topografiei suprafeţei
metalelor, aliajelor şi materialelor eterogene.
Pentru obţinerea acestor tipuri de informaţii, a fost construită o gamă
largă de aparate de optică electronică cu aplicaţii atât în producţia
metalurgică cât şi în cercetare. Astfel de aparate folosesc fenomenele
rezultate din interacţiunea unui fascicul cu proba de analizat.

5.1.1. Tipuri de fenomene rezultate prin interacţiunea unui fascicul de

electroni incidenţi cu proba de analizat

Un fascicul de electroni emişi de filamentul incandescent al unui tun

electronic, acceleraţi la tensiuni de ordinul zecilor sau sutelor de kV, sau
chiar mai mult, este numit fascicul incident (primar). Acesta interacţionează
cu proba de analizat şi rezultă un grup de procese fizice pe baza cărora se
obţin informaţii asupra solidului cercetat.
În funcţie de grosimea probei de analizat, de compoziţia ei chimică şi
de tensiunea de accelerare a electronilor, deci de energia acestora, fasciculul
de electroni incidenţi se repartizează în trei grupe:

• electroni retroîmprăştiaţi;

• electroni transmişi;

• electroni absorbiţi.
O parte din electroni incidenţi pătrund în probă, îşi schimbă direcţia
într-o serie complexă de procese, reuşesc să se întoarcă spre suprafaţă şi
părăsesc proba ca electroni retroîmprăştiaţi. Dacă proba este suficient de
subţire, o parte din electronii incidenţi vor trece prin ea ca electroni
transmişi. Aceştia pot fi de transmisie liberă sau împrăştiaţi. Dacă proba este
groasă nu vor exista electroni transmişi deoarece rămân ca electroni
absorbiţi.
■ Electroni împrăştiaţi.
Împrăştierea electronilor este un fenomen important care are loc ca
urmare a interacţiunii fasciculului incident de electroni cu proba solidă de
analizat (poate avea loc atât în cazul electronilor absorbiţi cât şi a celor
transmişi).
Fenomenul de împrăştiere se produce în două moduri: elastic şi
neelastic.
- Electroni împrăştiaţi elastic
Electronii împrăştiaţi elastic îşi schimbă direcţia dar nu-şi modifică
practic energia iniţială, deci nici lungimea de undă. Împrăştierea se produce
în două moduri:
- împrăştierea Rutherford, care apare în câmpul coulombian al
nucleului sau învelişurilor electronice, ale atomilor probei de analizat.
Dacă electronul incident trece prin apropierea nucleului atomic al
atomilor probei, este atras de către acesta şi deviat. Devierea este
direct proporţională cu numărul atomic Z şi se micşorează cu cât
traiectoria electronului este la o distanţă mai mare de nucleu. O
deviere similară are loc când electronul incident trece în apropierea
învelişurilor electronice ale atomilor probei. În acest caz, electronul
suferă un proces de respingere.
- împrăştierea multiplă este compusă din mai multe stadii de
împrăştiere la unghiuri mici rezultate în urma trecerii electronului prin
norul electronic al atomilor probei care acţionează ca un câmp de
ecranare pentru nucleu.
- Electronii împrăştiaţi neelastic.
Împrăştierea neelastică se datorează faptului că electronii din
fasciculul incident, intră în coliziune cu electronii din învelişul atomilor
probei de analizat sau chiar cu nucleele acestora. Ca urmare, îşi micşorează
mult viteza, pierd din energie, deci lungimea de undă asociată lor, creşte. În
cazul microscopiei electronice de transmisie, electronii împrăştiaţi neelastic,
părăsesc proba sub un unghi mic, şi au un spectru larg de energii.
În cazul în care electronii împrăştiaţi neelastic interacţionează cu
nucleele atomilor probelor, se produc radiaţii X continue.
Dacă electronii împrăştiaţi neelastic interacţionează cu învelişul
electronic al atomilor probei, rezultă: electroni retroîmprăştiaţi
(retrodifuzaţi), electroni secundari, electroni Auger, radiaţii X caracteristice
şi catodoluminiscenţă.
− Procesele plasmonice apar ca urmare a interacţiunii de
împrăştiere neelastică a electronilor incidenţi care trac prin apropierea
electronilor "liberi" (care asigură legătura metalică) şi îi pun în oscilaţie.
− Procesele fononice sunt determinate de interacţiunea de
împrăştiere neelastică între electronii incidenţi şi reţeaua cristalină a probei
de analizat. Aceasta conduce la creşterea amplitudinii oscilaţiei reţelei
cristaline şi deci, la fluctuaţii poziţionale ale atomilor aranjaţi într-o anumită
ordine.
− Excitaţiile de valenţă. Ca urmare a împrăştieri neelastice au loc
tranziţii electronice între orbitalii de legătură şi cei de antilegătură.
− Tensiuni electromotoare. Ca urmare a interacţiunii fasciculului
primar de electroni cu joncţiuni din conductor, sau cu neomogenităţile
probei, se formează pile electrice, apar deci tensiuni electromotoare. Pe
ecranul monitorului se observă regiunile de pe suprafaţa probei care produc
sau nu tensiuni electromotoare. Acestea pot fi măsurate sau transformate în
imagini.
− Distribuţia energiei electronilor incidenţi în urma interacţiunii
cu proba de analizat. Energia electronilor retroîmprăştiaţi pentru elemente
cu Z mai mare decât 40 este aproximativ jumătate din energia electronilor
incidenţi. Ţinând cont de raportul intensităţii fasciculului electronilor
retroîmprăştiaţi şi a celui incident, şi de numărul atomic Z, s-a constatat că
numărul electronilor retroîmprăştiaţi este redus la jumătate, aşadar, energia
electronilor retroîmprăştiaţi este 1/ 4 din energia electronilor incidenţi. Dacă
proba este sub formă de film subţire, majoritatea electronilor incidenţi
traversează proba purtând cu ei cea mai mare parte din energia iniţială.
Diferenţa dintre energia electronilor incidenţi şi a celor transmişi se
distribuie aproximativ 99% în energie termică şi numai 1% este valorificată
analitic.
În mod similar, dacă proba este suficient de groasă, deoarece, nu
rezultă electroni transmişi, aproximativ 3 / 4 din energie iniţială a
electronilor incidenţi se distribuie 99% în energie termică şi 1% se valorifică
prin semnale.
Acest proces de generare a căldurii se datorează excitaţiilor
plasmonice, fononice şi de vibraţie a nucleelor rezultate ca urmare a
interacţiunii de împrăştiere neelastică între fasciculul de electroni incidenţi şi
atomii probei de analizat.
Excitaţiile electronice, plasmonice şi fononice se produc într-un
interval de timp de ordinul 10-12sec. Cele de vibraţie nucleară se
produc într-un timp de ordinul 10-10 sec.
În figura 5.1 se prezintă schematic principalele surse informaţionale
obţinute ca urmare a procesului de împrăştiere a electronilor incidenţi de
către atomii probei .
■ Electronii retroîmprăştiaţi. Sunt produşi de împrăştierile elastice
singulare la unghiuri mari şi de împrăştierile multiple la unghiuri mici.
Numărul împrăştierilor elastice (singulare şi multiple) creşte cu creşterea
numărului atomic Z al elementelor şi în acelaşi sens creşte şi coeficientul de
retroîmprăştiere a electronilor.
Rezultatele experimentale confirmă că împrăştierea are loc în
apropierea suprafeţei probei când electronii incidenţi pierd puţină energie.
Posibilitatea să se formeze electroni retroîmprăştiaţi scade repede cu
adâncimea. Electronii retroîmprăştiaţi se formează într-o zonă în apropierea
suprafeţei probei la o adâncime ce reprezintă o mică fracţiune din parcursul
electronilor incidenţi. Adâncimea medie de generare în probă a electronilor
retroîmprăştiaţi este funcţie de Z.
Cei mai mulţi electroni sunt retroîmprăştiaţi în apropierea suprafeţei şi
foarte puţini pătrund în adâncimea de difuzie completă. Poate fi îmbunătăţită
rezoluţia în adâncime a imaginii electronilor retroîmprăştiaţi dacă fasciculul
de electroni incidenţi este înclinat la 60° faţă de probă şi dacă electronii sunt
colectaţi sub un unghi care este apropiat de planul suprafeţei probei. Această
creştere în rezoluţie apare datorită faptului că un număr important de
electroni retroîmprăştiaţi părăsesc proba de la un unghi mic cu pierdere mică
de energie, ca urmare a unei împrăştieri singulare. Electronii împrăştiaţi
multiplu părăsesc proba în direcţii întâmplătoare şi provin de la adâncimi
mai mari. Mulţi dintre electronii care sunt retroîmprăştiaţi singular sau după
cel mult 10 evenimente de împrăştiere provin dintr-un volum mic al probei.
Electronii retroîmprăştiaţi proveniţi de la o suprafaţă plană, de
grosime foarte mică depind numai de numărul atomic al probei supusă
analizei metalografice.
Numărul de electroni retroîmprăştiaţi care sunt emişi de un punct al
probei în direcţia detectorului este dependent de unghiul dintre fasciculul
primar şi suprafaţa probei şi de direcţia de emergenţă.
Dacă suprafaţa probei este rugoasă, electronii retroîmprăştiaţi obţinuţi
pot fi absorbiţi selectiv sau pot fi multiplicaţi, depinzând de poziţia
fasciculului. De aceea, intensitatea electronilor împrăştiaţi este funcţie şi de
topografia suprafeţei probei.
Pentru determinarea numărului atomic mediu al probei de analizat,
suprafaţa probei trebuie şlefuită şi pregătită la fel ca la analiza cantitativă cu
raze X. Dacă suprafaţa nu este şlefuită se obţine o combinaţie de informaţii

Electroni împrăştiaţi

Electroni Electroni împrăştiaţi

împrăştiaţi elastic neelastic

Interacţiuni cu Interacţiuni cu
Procese Procese Excitaţii de
nucleele atomilor învelişul electronic
plasmonice fononice valenţă
probei al atomilor probei

Radiaţii X Electroni Electroni Radiaţii X Catodo-

continue secundari Auger caracteristice luminiscenţă

Fig.5.1 Fenomene rezultate prin interacţiunea de împrăştiere a electronilor incidenţi

de către atomii probei de analizat
topografice şi chimice.
■ Electroni secundari. Sunt eliberaţi de pe orbitalii atomilor probei
de analizat în urma interacţiunii cu fasciculul primat de electroni. Energia
acestor electroni este joasă, sub 50 eV şi ca urmare, puterea lor de
pătrundere este mică. De aceea, se consideră că sunt emişi numai electronii
secundari generaţi în stratul superficial al probei, de aproximativ 50A, când
energia lor este suficientă ca să depăşească bariera energetică de suprafaţă
(2…6 eV). Ei permit obţinerea unei imagini a suprafeţei cercetate.
Emisia de electroni secundari este funcţie de energia electronilor
incidenţi (cca.180 eV) de numărul electronilor de valenţă şi de raza atomică.
Distribuţia intensităţii electronilor emişi delimitează trei grupuri:
• electroni împrăştiaţi elastic, de energie apropiată a fasciculului de
electroni incidenţi:
• electroni împrăştiaţi multiplu, care revin la suprafaţă după ce au
trecut prin grosimi mai mari sau mai mici din probă;
• electroni secundari de energie joasă, care se desprind din straturile
exterioare de electroni ale atomilor probei de analizat; au energie de
cel mult 50 eV şi arată un maxim de distribuţie de câţiva eV. Sunt
folosiţi în microscopia de baleiaj pentru a reda topografia
suprafeţei.
Aşadar electronii emişi sunt atât electroni retroîmprăştiaţi cât şi
electroni secundari de energie joasă. Electronii secundari de energie joasă
sunt generaţi nu numai de electronii incidenţi ci şi de electronii
retroîmprăştiaţi de energie înaltă în timpul părăsirii probei. Electronii
retroîmprăştiaţi vor genera electroni secundari în acelaşi volum în care ei
sunt produşi. Fracţiunea de electroni secundari de energie joasă generaţi de
către electronii retroîmprăştiaţi creşte cu numărul atomic al ţintei. Informaţia
obţinută cu aceşti electroni secundari este diferită de cea produsă prin
impactul direct cu electronii incidenţi şi contribuie la obţinerea unei imagini
neclare (cu zgomot). Efectul nedorit al electronilor secundari generaţi de
electronii retroîmprăştiaţi de energie înaltă se manifestă deci prin limitarea
performanţelor de rezoluţie a microscoapelor electronice de baleiaj.
 Obţinerea electronilor secundari este dependentă de unghiul de
incidenţă. Dacă unghiul dintre fasciculul incident şi normala pe suprafaţa
probei, creşte, creşte şi numărul de electroni secundari. Modificarea
înclinării suprafeţei probei cu numai câteva grade este suficientă pentru ca să
producă o îmbunătăţire observabilă a imaginii finale.
■ Radiaţii X. Orbitalii mai apropiaţi de nucleu ai atomilor probei, de
unde au fost înlăturaţi electronii, se completează prin tranziţia unui electron
de pe orbitalii superiori.
Excesul de energie care rezultă în urma acestei tranziţii se eliberează
sub formă de radiaţie X caracteristică. Pentru producerea unui singur foton
de radiaţie X caracteristică trebuie să pătrundă în probă între 1000 şi 100000
electroni incidenţi.
Ca urmare există două tipuri de interacţiuni, între fasciculul incident
de electroni şi solid: spectrul continuu de radiaţii X şi spectrul
caracteristic de radiaţii X.
− Spectrul continuu de radiaţii X apare când electronii fasciculului
incident sunt împrăştiaţi neelastic în urma interacţiunii cu nucleele atomilor
ţintei de analizat.
Intensitatea spectrului continuu este funcţie de: tensiunea de
accelerare (dacă aceasta creşte se modifică spectrul continuu spre lungimi de
undă mai mic) şi de numărul atomic, Z, deoarece la elementele grele apar
mai multe împrăştieri pe nucleu şi mai puţine pierderi de energie prin
interacţiuni electron-electron.
− Spectrul caracteristic de radiaţii X este produs prin interacţiunea
electronilor incidenţi în straturile electronice interioare ale atomilor probei.
Dacă electronul incident are energie suficientă, acesta poate determina
tranziţie unui electron de pe un anumit strat pe un nivel energetic superior
(atomul trecând într-o stare excitată sau ionizată). Atomul revine
corespunzător la starea fundamentală printr-o tranziţie a unui electron de pe
nivelul superior în locul vacant al stratului inferior.
Detectarea spectrului de radiaţii X caracteristice pentru un element
indică prezenţa acestuia în probă şi reprezintă de fapt baza analizei
calitative, intensitatea spectrului de radiaţii X caracteristice reprezentând
baza analizei cantitative.
Pe lângă aspectele prezentate, analiza calitativă şi cantitativă
menţionată mai trebuie să ţină cont de:
− absorbţia radiaţilor X care sunt produse la diferite adâncimi în
interiorul probei, fiind parţial absorbite în drumul lor spre
suprafaţa acesteia;
− fluorescenţa de radiaţii X (radiaţia X secundară) care se
raportează la factorii incidenţi de raze X;
− adâncimea de pătrundere şi rezoluţia radiaţilor X care depind de
intensitatea fasciculului de electroni de penetraţie.
■ Electroni Auger. Diferenţa de energie care apare în urma trecerii
unui electron de pe un orbital pe altul este concretizată prin producerea de
electroni Auger. Dacă proba de analizat este bombardată cu electroni sau
raze X rezultă locuri vacante în straturile electronice interioare ale atomilor
probei, deci acestea se ionizează. Atomul revine la starea energetică
fundamentală prin umplerea golurilor cu electroni din straturile superioare.
Ca rezultat al tranziţiei, se emite energia corespunzătoare. Dar, numai o
parte din energie trece sub formă de fotoni de radiaţii X. Altă parte din
energie este consumată pentru emiterea unui electron Auger, de energie
caracteristică. În această situaţie, energia fotonului de radiaţie X sau a
electronului Auger este specifică pentru elementul ce emite astfel de radiaţii.
Analiza cu ajutorul electronilor Auger este avantajoasă la elementele
pentru care analiza de raze X caracteristică este mai dificilă.
Adâncimea medie analizată prin spectroscopie Auger este de 1…10
Å, iar domeniul de energie, de 10…1000 eV. Deoarece analiza Auger se
realizează la adâncimi mai mici de 10 Å, este sensibilă la contaminări de
suprafaţă cu câteva monostraturi. Se poate astfel determina mai curând
compoziţia contaminanţilor decât a probei de bază. De aceea, analiza
Auger trebuie să fie făcută la un vacuum de 10-8…10-9 torr.
■ Catodoluminiscenţa. Electronii secundari generaţi în zonele mai
adânci ale probei, având putere de penetraţie mică, nu mai pot ajunge la
suprafaţă. Aceştia se recombină cu atomii ionizaţi, respectiv cu golurile
formate în timpul procesului de împrăştiere în anumite materiale.
În urma recombinării se emite un foton care are lungimea de undă în
domeniul vizibil sau infraroşu apropiat. Acest efect se numeşte
catodoluminiscenţă.
Catodoluminiscenţa reprezintă deci, emisie de radiaţii în vizibil, de
anumite probe când sunt bombardate cu fascicule de electroni la o anumită
energie. Pentru fiecare grup de aproximativ 10 electroni incidenţi, care
interacţionează corespunzător cu proba se generează 1…20 electroni, în
funcţie de compoziţia aferentă probei.

5.1.2. Distribuţia spaţială a fasciculului de electroni incidenţi în proba

de analizat şi domeniile principalelor fenomene

În figura 5.2 se prezintă o secţiune a distribuţiei electronilor în probă

funcţie de energia lor şi de numărul atomic Z. La aceeaşi energie incidentă
electronii pătrund mai adânc în probele care conţin elemente cu număr
atomic mic, iar înfăşurătoarea are formă de pară.
Pentru probele care conţin elemente cu număr atomic mare
înfăşurătoarea are formă de semisferă. Dacă energia electronilor incidenţi se
măreşte, se măreşte atât traiectoria fiecărui electron cât şi înfăşurătoarea,
forma menţinându-se aceeaşi.
Parcursul electronilor R, este definit ca distanţa totală medie, măsurată
de la suprafaţa probei, iar distribuţia spaţială reprezintă împrăştierea
laterală a fascicului de electroni faţă de centrul impactului.
Parcursul electronilor R, şi distribuţia spaţială a electronilor incidenţi
sunt de aceeaşi mărime, în aceste condiţii fiind determinate de împrăştierile
electronilor.

Fig.5.2 Variaţia în probă a ciocnirilor
electronilor în funcţie de energie şi de
numărul atomic
decât dp.
În figura 5.3 este prezentată
interacţiunea electronilor incidenţi cu
un material metalic (proba de analizat),
care pune în evidenţă rezoluţia spaţială
şi domeniile semnalelor captate cu
detectorii specifici. Rezoluţia spaţială
pentru razele X şi pentru electronii
retroîmprăştiaţi este aproape aceeaşi ca
şi parcursurile Rx şi xd. Pe de altă parte,
rezoluţia spaţială a electronilor
secundari şi Auger este independentă
de parcursul acestor semnale şi este
aproximativ aceeaşi ca şi diametrul
fasciculului dp. Rezoluţia spaţială a
razelor X şi a electronilor
retroîmprăştiaţi este mult mai mare
 Fig.5.3 Parcursul şi rezoluţia spaţială a electronilor retroîmprăştiaţi,
electronilor secundari, radiaţiilor X şi a electronilor Auger în probă

5.1.3. Principalele moduri de selecţie şi obţinere a semnalelor

Ca urmare a interacţiunii unui fascicul incident de electroni cu proba

de analizat se obţin semnale care pot fi prelucrate prin următoarele metode:
spectrometria electronică, spectrometria de raze X, difracţia de raze X,
difracţia electronilor, spectrometria optică ş.a.
■ Spectrometria electronică. Experimental, spectrometriei
electronice îi este caracteristic domeniul de energie cuprins între 1 eV şi 106
eV, care acoperă:
✓ electronii secundari de la 1 eV la câteva zeci de eV;
✓ electroni Auger de la 10 eV la 1000 eV;
✓ electroni retroîmprăştiaţi de la câţiva keV la câteva zeci de keV;
✓ electroni transmişi de la câteva zeci de keV la câteva sute de keV.
 Se folosesc de obicei patru tipuri de agenţi externi în care se introduce
proba: radiaţii electromagnetice, flux de electroni, flux de ioni şi câmp
electric puternic.
Spectrometria electronică se poate împărţi în: spectrometria de
fotoelectroni, spectrometria electronilor secundari, spectrometria de
electroni şi ioni şi spectrometria electronică în cazul folosirii unor câmpuri
electrice puternice.
■ Spectrometria de radiaţii X. Spectrometria de radiaţii X acoperă
domeniul de energii necesar analizei elementelor de la Be la U; limita de
detecţie este aproximativ 0,001% (10 ppm)…0,1% exprimată în concentraţie
procentuală, sau 10-15…10-11 exprimată în masă absolută, în funcţie de
element.
În spectrometria de radiaţii X sunt cunoscute două metode de analiză:
✓ metoda dispersiei după lungimea de undă, care se bazează pe
măsurarea lungimii de undă şi a intensităţii radiaţiilor X
caracteristice în funcţie de lungimea de undă cu ajutorul cristalelor
analizoare;
✓ metoda dispersiei după energie, care poate fi aplicată la tipurile de
detectori a căror intensitate a semnalului de ieşire este
proporţională cu energia cuantei incidente, cum sunt: contorul cu
scintilaţie, contorul proporţional cu curent de gaz, detectorul
semiconductor.
■ Difracţia electronilor. Propagarea unui fascicul de electroni,
respectiv difracţia pe cristale, se poate explica în virtutea dualismului
corpuscul-undă. Rezultatele obţinute la difracţia razelor X, rămân valabile şi
pentru difracţia electronilor cu unele particularităţi.
Datorită eficienţei mai mari a împrăştierii electronilor de către atomi,
electronogramele sunt mult mai "luminoase" decât roentgenogramele şi pot
fi observate direct, cu ajutorul ecranului fluorescent.
Adâncimea de pătrundere a electronilor în majoritatea corpurilor
solide este mică, de aproximativ 500 Å pentru o tensiune de accelerare de 50
kV.
 Electronogramele se pot obţine prin transmisie sau prin reflexie, pe
probe monocristaline sau policristaline.
Ca şi în cazul difracţiei razelor X, prin difracţia electronilor pe o
probă policristalină, se formează conuri de difracţie care sunt coaxiale cu
fasciculul incident de electroni. Intersecţia acestor conuri cu planul plăcii
fotografice, aşezată normal pe direcţia fasciculului incident, reprezintă nişte
inele de intensitate şi dimensiuni diferite. Distanţa între inelele de difracţie,
corespunde distanţelor dintre plane în cristale. Dacă proba este texturată, în
locul inelelor continue se obţine segmente de inele.
Un alt tip de difracţie electronică este difracţia electronică de energie
joasă, cu un fascicul de electroni de câteva zeci de electron-volţi în vid.
Interacţiunea dă informaţii despre straturile monoatomice.
O metodă simplă şi exactă constă în expunerea imaginii difractate
direct pe o placă fotografică.
Metoda baleierii este, însă, mai avantajoasă pentru măsurarea
intensităţii fasciculului difractat deoarece transformă electronii difractaţi
direct în semnal electric prin intermediul unui detector de înaltă sensibilitate.
■ Spectroscopia optică. Aşa cum s-a mai arătat sub influenţa
fasciculului primat de electroni, unele probe, de exemplu semiconductori,
minerale sau oxizi, dau luminiscenţă catodică care poate fi examinată cu
spectroscopul optic.
■ Difracţia de raze X. Deoarece radiaţiile X au lungimi de undă de
ordinul distanţelor dintre atomi, la trecerea acestora prin cristal are loc
fenomenul de difracţie.

5.1.3.1. Analiza roentgenostructurală

Dintre principalele moduri de selecţie şi obţinere a semnalelor în

studiul metalelor, au găsit un domeniu larg de aplicare în special metodele
de analiză roentgenostructurală.
Difractometria cu radiaţii X pune în evidenţă tipul reţelei, dar în
acelaşi timp, evaluarea gradului de distorsiune a reţelei, a mărimii grăunţilor
cristalului, pune în evidenţă prezenţa defectelor de reţea, a orientării
cristalelor, a fazelor precipitate etc. De asemenea, mai poate fi utilizată la:
calculul densităţii metalelor, determinarea limitei de solubilitate,
determinarea compoziţiei chimice a unui aliaj monofazic identificarea
aliajelor heterofazice, studiul metalelor şi aliajelor deformate plastic. Studiul
proceselor care se produc în timpul prelucrărilor termice sau mecanice,
examinarea tensiunilor existente în materialul metalic respectiv etc.
Analiza roentgenostructurală are ca scop determinarea structurii fine,
a constantelor sau parametrilor reţelei cristaline, utilizând avantajul că razele
X (la fel ca radiaţiile luminoase), sunt radiaţii electromagnetice, dar cu
lungime de undă mult mai mică 1…2Å, de acelaşi ordin de mărime cu
parametrii reţelei cristaline. Acest tip de analiză are la bază difracţia
(reflexia) razelor X de către o serie de atomi ai unui corp cristalin.
Fenomenul complex de interferenţă a razelor X se produce în acelaşi
mod ca şi la radiaţiile care au suferit o reflexie secundară de la planele
atomice paralele ale cristalului. Această reflexie se poate produce numai în
cazul când este satisfăcută legea Wulf-Bragg:
Nλ = 2d sin θ (5.1)
în care:
λ – lungimea de undă a razelor X;
d – distanţa între planele cele mai apropiate ale cristalului analizor;
θ – unghiul dintre planul cristalului şi radiaţiile X incidente;
n – ordinul de difracţie (reflexie); n = 1, n .
În consecinţă difracţia radiaţiilor X pe cristale poate fi explicată pe
baza unei "reflexii" a radiaţiilor X pe un set de plane atomice paralele de
indici, h, k, l, separate
prin distanţa
interplanară dhkt
(fig.5.4). Pe aceste
plane atomice cade, sub
un unghi θ, un fascicul
de radiaţii X, perfect
paralel şi perfect
monocromatic. Unghiul
θ, este unghiul dintre

Fig.5.4 Difracţia razelor X pe planele cristaline

fasciculul incident şi planele reţelei cristaline. Radiaţiile X incidente sunt
împrăştiate coerent de atomi în toate direcţiile.
Pentru anumite direcţii, radiaţiile X împrăştiate coerent sunt în fază,
prin interferenţa lor constructivă rezultă un maxim de difracţie. Din figura
5.4 se observă că radiaţiile 1 şi 1'a sunt în fază sub un unghi de reflexie egal
cu unghiul θ, pentru că, în acest caz diferenţa de drum este raza de incidenţă.
Analog, radiaţiile împrăştiate în direcţie paralelă cu 1' de către toţi
atomii planului P sunt în fază şi vor contribui prin interferenţa lor la radiaţia
difractată. Aceasta are loc separat pentru oricare din planele h, k, l. Diferenţa
de drum dintre radiaţiile (1, 1') şi (2, 2') împrăştiate de atomii A, respectiv d,
aparţinând planelor atomice, succesive P, respectiv Q, este:
d = CD + DE = 2d hkl · sin θ (5.2)
Radiaţiile X împrăştiate 1' şi 2' vor fi în fază dacă această diferenţă de
drum este egală cu un număr întreg de lungimi de undă, adică:

2d hkl · sinθ = n λ (5.3)

Legea lui Bragg reprezintă condiţia pentru a avea un maxim de

difracţie. Ordinul de difracţie n poate lua orice valoare întreagă pentru care
sinθ≤1. Prin urmare, pentru valori date ale lui λ, şi dhkl pot exista câteva
unghiuri de incidenţă θ1, θ2, θ3, … corespunzătoare lui n=1, 2, 3, … la care
poate apărea difracţia radiaţiilor X. Dacă radiaţiile X depistate în acest fel
sunt înregistrate pe un film, se obţine o imagine de difracţie numită
roentgenogramă, iar dacă sporurile difracţiei sunt interceptate şi măsurate de
contoare de radiaţii, avem de-a face cu metode difractometrice.
Metodele roentgenografice cu înregistrare de film, se împart la rândul
lor în două mari categorii: cele aplicate la monocristale şi cele aplicate la
materiale policristaline sau polimeri; fiecare cu o serie de variante
experimentale adaptate scopului propus pentru cercetare.
În multe cazuri analiza roentgenostructurală necesită utilizarea unor
radiaţii monocromatice care se pot obţine, fie prin filtrarea radiaţiilor X, fie
prin folosirea unor cristale monocromatoare.
 Măsurarea intensităţii liniilor (sau inelelor de difracţie de pe
roentgenogramă se face prin determinarea transparenţei la lumină a
filmului fotografic. Cu cât intensitatea fasciculului difractat este mai mare,
cu atât densitatea de înnegrire a
liniei difractate este mai mare.
Determinarea densităţii de
înnegrire se face prin
microfotometrare pe un
microfotometru cu celulă
fotoelectrică, obţinându-se o
curbă microfotometrică aşa
cum este redată în figura 5.5.
Fig.5.5 Curba microfotometrică
Metodele de analiză
roentgenostructurală folosite pentru studiul monocristalelor sunt: metoda
Laue şi metoda cristalului rotitor, iar pentru studiul materialelor
policristaline există metoda pulberilor.
− Metoda Laue constă în următoarele: un fascicul de raze X
monocromatic cade pe un monocristal imobil. Fiecare serie de plane
cristalografice va difracta un fascicul de raze X care satisfac legea Wulf-
Bragg. În raport cu poziţia (sursa de raze X, cristal şi film) se cunosc două
variante: în prima, cristalul se aşează între film şi sursa de raze X (fig.5.6.a),
în cea de a doua, filmul este aşezat între cristal şi sursa de raze X – metoda
reflexiei înapoi (fig.5.6.b), fasciculul incident trecând printr-un orificiu
perpendicular pe difracţia fasciculului de raze X. Fasciculele difractate
formează spoturi pe filmul fotografic.
− Metoda cristalului rotitor (fig.5.6.c). În acest caz proba
(monocristalul) se montează pe axul unei camere cilindrice cu una din laturi
paralelă cu axul camerei, iar filmul se aşează pe pereţii camerei. Prin
mişcarea de rotaţie a cristalului, o serie de plane ajung cu direcţia
fasciculului la unghiuri care satisfac legea Wulf-Bragg.
− Metoda pulberilor. Una dintre metodele cele mai frecvent utilizate,
bazată pe difracţia radiaţiilor X de către atomii agregatelor cristaline, este
"metoda pulberilor" cunoscută şi sub denumirea de metoda Debye-Scherrer.
Un fascicul monocromatic de radiaţii X este dirijat asupra probei constituită
din pulberi fine sau din material compact sub formă de sârmă. Datorită
numărului mare de grăunţi se vor găsi suficiente plane cristalografice cu
orientări necesare pentru a se produce oricare dintre reflexiile posibile
(îndeplinirea condiţiilor Bragg de difracţie). O astfel de probă este
echivalentă cu un monocristal care s-ar roti în jurul tuturor direcţiilor
posibile. Se cunosc trei variante ale metodei pulberilor: metoda Debye-
Scherrer, metoda focalizării şi metoda cu film plan. În cazul metodei Debye-
Scherrer proba este aşezată între fascicul şi film (fig.5.6.d).
Înregistrarea radiaţiei difractate se face de obicei pe filme
fotosensibile aşezate pe circumferinţa interioară a camerei de difracţie
(fig.5.7). Fasciculul monocromatic X cade pe probă şi este difractat formând
mai multe conuri de difracţie care intersectează filmul după o serie de linii,
obţinându-se roentgenograma, care, după desfăşurarea filmului are aspectul
arătat în figura 5.6.e.
Poziţia şi intensitatea liniilor înregistrate pe film permit identificarea
tipului reţelei cristaline, a parametrilor acesteia, se pot studia procesele ce se
produc în timpul prelucrărilor termice sau mecanice, şi se pot examina
tensiunile existente în materialul metalic respectiv. În acest scop sunt
necesare deseori calcule complexe, iar interpretarea debygramelor poate fi
făcută numai de specialişti.
La cristalele cubice, tetragonale, hexagonale, cu o constituţie mai
simplă, este suficientă adesea o singură fotografie Debye-Scherrer pentru a
lămuri structura lor. Ţinând seama de poziţia liniilor şi de intensitatea
acestora se poate deduce apartenenţa la unul din cele trei sisteme cristaline şi
modul de centrare (reţea c.v.c., sau reţea c.f.c.). În funcţie de modul de
centrare, difracţia se realizează pe plane diferite ale reţelei.

5.1.3.2. Microroentgenografia

Această metodă constă în punerea în evidenţă a microstructurii unui

corp cu ajutorul unui fascicul de raze X ce străbate acel corp. Imaginile
obţinute cu ajutorul absorbţiei şi reflexiei razelor X, permit să se tragă unele
concluzii importante cu privire la distribuţia elementelor chimice
 Fig.5.6 Metode de analiză roentgenostructurală:
a – metoda Laue prin transmisie; b – metoda Laue prin reflexie
înapoi; c – metoda cristalului rotitor; d – metoda Debye-Scherre;
e – reprezentare schematică a roentgenogramei la
metoda Debye-Scherrer

componente pe suprafaţa analizată. Se deosebesc, ca tipuri

microroentgenografia prin absorbţie şi microroentgenografia prin reflexie.
Microroentgenografia prin absorbţie constă în obţinerea pe film
fotografic a imaginii structurii unei probe metalice subţiri prin care trece un
fascicul de raze X emis de un tub roentgen. Metoda se poate realiza prin
contact şi prin proiecţie.
− Microroentgenografia prin contact impune ca filmul să fie aşezat în
contact cu proba, amândouă fiind plasate la anumită distanţă de focarul
tubului de raze X (fig.5.8). Pentru a obţine prin această metodă o
microroentgenogramă, proba sub formă de placă subţire (0,05…0,15 mm)
se aşează în contact cu filmul fotografic într-o cameră specială (fig.5.9).
Fasciculul de raze X trece printr-o diafragmă, străbate proba şi cade pe
 pelicula fotografică producând pe aceasta imaginea microstructurii
materialului.

Fig.5.8 Microroentgenografia Fig.5.9 Cameră pentru Fig.5.10 Microroentgonografia

prin contact: obţinerea prin protecţie:
1 – tubul de raze X; microroentgenogramelor: 1 – tubul de raze X;
2 – anodul tubului de raze X; 1 – diagramă; 2 – anodul tubului de raze X;
3 – catodul tubului de raze X; 2 – proba; 3 – catodul tubului de raze X;
4 – piesa; 3 – filmul 4 – piesa;
5 – filmul 5 – filmul

− Microroentgenografie prin proiecţie. Dificultăţile legate de

utilizarea unor pelicule foto cu grăunţi foarte fini se pot evita dacă se aşează
proba în imediata vecinătate a focarului tubului de raze X, iar pelicula
fotografică la o distanţă mai mare, astfel încât să se obţină chiar de la
expunere o imagine mărită în continuare (fig.5.10). Pe această cale cresc atât
puterea de rezoluţie cât şi mărirea.
Microroentgenografia prin reflexie. La această metodă imaginea este
formată cu ajutorul razelor X difractate de suprafaţa probei (fig.5.11).

Imag
inea
microroent
genografică
se
deosebeşte
de
Fig.5.11 Microroentgenografie prin reflexie
fotomicrografia optică deoarece contrastul alb-negru pe
microroentgenogramă este determinat de capacitatea de absorbţie a razelor X
de către atomii (constituenţi structurali) care formează corpul.
După expunere filmul este developat şi fixat, iar apoi
microroentgenograma este copiată pe hârtie fotografică fiind mărită după caz
între 50…200 de ori.
Pentru a ilustra posibilităţile acestei tehnici în figura 5.12 este
prezentată o microroentgenogramă tipică. Figura 5.12.a redă microstructura
optică a unui bronz cu plumb turnat (80% Cu, 10% Sn şi 10% Pb), iar figura
5.12.b microroentgenografia aceluiaşi aliaj. În timp ce prin metoda optică
(fig.5.12.a) se văd clar cele două faze care formează structura (masa de bază
şi particule de plumb segregate) în microroentgenografia (fig.5.12.b), apar
clar dendritele, regiunile bogate în cupru fiind negre iar cele cu Sn şi Pb
fiind albe.

5.1.3.3. Difractometrul Dron-3

Pe lângă metodele de înregistrare pe film fotosensibil, fascicolele de

radiaţii difractate pot fi detectate direct, folosind tuburi contoare – fie
Geiger, fie de tip
scintilator. Schema
constructivă a
difractometrului Dron-
3 este arătată în figura
5.13.
Un fascicul
divergent de radiaţii
filtrate ori
Fig.5.12 Microstructura unui bronz cu plumb (80% Cu, 10%
monocromatizate este
Sn şi 10% Pb): a – microfotografie (25:1); b –
dirijat pe suprafaţa microroentgenografie obţinută cu radiaţie de Co, 30 KV (30:1)
probei C. Proba
policristalină trebuie
să posede o faţă perfect plană, îngrijit prelucrată şi se află în centrul arcului
goniometric, putând fi rotită în jurul axei goniometrului cu diferite viteze
unghiulare, ω0, sau în salturi discrete – în
funcţie de metoda de cercetare utilizată.
Radiaţiile X emise de sursa S,
monocromatizate, sunt difractate de probă
formând o rază convergentă focalizată în
diafragma F a contorului G. A şi B sunt
diafragme speciale ce delimitează radiaţia
incidentă, respectiv difractată. Contorul şi
diafragmele receptoare sunt fixate pe
căruciorul E care se poate deplasa pe cercul
goniometric continuu cu diferite viteze
unghiulare ω0, intermitent, sau poate rămâne
pe poziţii fixe. Poziţia unghiulară a contorului,
2θ, poate fi citită pe scala gradată K. Fig.5.13 Schema de principiu a
difractometrului Dron-3
Căruciorul E şi suportul probei sunt cuplate
mecanic, astfel încât la o rotaţie a contorului cu unghiul 2α, proba se roteşte
cu unghiul α.
Cea mai frecventă modalitate de utilizare a difractometrului pentru
materialele policristaline constă în rotirea continuă a probei cu viteza
unghiulară ωp şi a contorului cu viteza unghiulară ω0 = 2ωp. În poziţia
iniţială, fasciculul incident (diafragma A), proba şi fereastra de intrare în
contor (diafragma B) sunt coliniare. Prin rotirea contorului cu viteza
unghiulară ω0=2ωp, ori de câte ori fascicolul incident face cu suprafaţa
probei un unghi θ care satisface legea Wulff-Bragg, contorul se află la
unghiul 2θ faţă de fascicolul incident, în poziţia necesară pentru a primi
fascicolul difractat. Sistemul de înregistrare redă curba J=f(θ), aşa cum se
arată în figura 5.14.
Rezultatele măsurătorilor pot fi afişate numeric, înscrise pe banda
înscriptorului, sau pot intra direct în unitatea de calcul a unui calculator
cuplat cu difractometrul şi care posedă diferite programe de prelucrare a
datelor după scopul urmărit prin cercetare. Curbele J = f(θ) se mai numesc
difractograme. Distanţele liniare măsurate pe difractogramă pot fi convertite
în distanţe unghiulare cu ajutorul factorului de transformare K, care ţine cont
de viteza hârtiei v şi viteza unghiulară a goniometrului ω:

ω
∆θ = K ⋅ ∆l = ⋅ ∆l (5.4)
v
unde:
∆ℓ – distanţa liniară pe difractogramă;
∆θ –distanţa unghiulară.
Metoda menţionată serveşte la studiul ordonării soluţiilor solide, la
stabilirea defectelor de împachetare în metalele deformate, la determinarea
constantei elastice şi la studiul imperfecţiunilor în cristale.
Metoda înregistrării directe este aplicată şi în cazul orientării
preferenţiale a cristalelor în materialele texturate, precum şi în cazul
difracţiei la unghiuri mici (2θ<10º). Aceasta din urmă este utilizată
corespunzător în cazul studiului neomogenităţilor în cristalele (segregaţii,
impurităţi), al dislocaţiilor, vacanţelor, fazelor precipitate.
Difracţia radiaţiei X la unghiuri mici este atribuită diferenţei între
densitatea electronică a zonelor ce prezintă neomogenităţi (impurităţi, faze
precipitate, dislocaţii etc.) şi
matricea înconjurătoare.
5.1.4. Principalele domenii
de utilizare şi
valorificate a
semnalelor

Interacţiunea
fasciculului de electroni
incidenţi şi materialul metalic
analizat constituie un
fenomen complex,
caracterizat printr-o gamă
largă de efecte ("semnale"). Fig.5.14 Difractograma pulberii de aluminiu
Acestea pot fi captate cu realizată cu radiaţie X de Cu şi filtru de Ni
detectori specifici, analizaţi cu sistemele de prelucrare a semnalelor şi
utilizate în obţinerea de informaţii analitice calitative şi cantitative despre
proba investigată cu ajutorul microscopului electronic. Principalele tipuri de
valorificare a informaţiilor sunt:
• topografie şi textura probei poate fi obţinută din toate tipurile de
semnale cu excepţia radiaţiilor X;
• compoziţia elementară a probei poate fi obţinută din următoarele
semnale: radiaţii X caracteristice, electroni Auger, electroni
absorbiţi, electroni retroîmprăştiaţi, fotoluminescenţă;
• structura cristalină a probei se poate deduce din semnalele: electroni
retroîmprăştiaţi, electroni transmişi, electroni secundari, raze X,
difracţia radiaţiilor X;
• relaţii despre legătura chimică între constituenţii probei pot fi
obţinute
din:
difracţia
radiaţiilor
X, electroni
Auger;
• proprietăţile
electromag
netice pot fi
puse în
evidenţă
prin:
electroni
secundari,
forţe Fig.5.15 Posibilităţi de utilizare a semnalelor rezultate prin
interacţiunea unui fascicul de electroni cu proba de analizat
electromo-
toare.
Dacă se utilizează în mod corespunzător diferite tipuri de detectoare
de electroni, spectrometre de radiaţii X şi prin intermediul baleierii cu
fascicul primar de electroni, se pot obţine imagini care permit obţinerea
informaţiilor prezentate mai înainte.
 În figura 5.15 sunt prezentate câteva metode de utilizare a semnalelor
obţinute.

5.1.5. Principalele tipuri de microscoape electronice

Pentru a obţine informaţia referitoare a solidului cercetat, semnalele

rezultate în urma interacţiunii fasciculului de electroni incidenţi cu proba de
analizat metalografic, sunt recepţionate şi prelucrate pe aparate de tip
microscoape electronice.
În mod curent, microscoapele electronice furnizează două tipuri de
informaţii şi anume, de ordin morfologic şi ultrastructural. Ataşând însă unui
microscop electronic de înaltă rezoluţie un microanalizor de radiaţii X, se
poate obţine un al treilea tip de informaţii cu privire la compoziţia calitativă
şi cantitativă a probei.
Microscoapele electronice se împart, după tipul şi destinaţia lor, în
câteva grupe:
- microscoape electronice de transmisie, MET, (Transmision Electron
Microscope, TEM ) utilizate pentru cercetări ultrastructurale;
- microscoape electronice de baleiaj, MEB, (Scanning Electron
Microscope, SEM) folosite la studiul ultramorfologiei suprafeţei cu
ajutorul electronilor secundari sau retroîmprăştiaţi;
- microscoape electronice de transmisie şi baleiaj, METB, (Scanning
Transmision Electron Microscope, STEM) care permit studii
ultrastructurale prin transmisie de electroni şi a suprafeţelor cu
ajutorul electronilor secundari sau retroîmprăştiaţi;
- microscoape cu emisie fotoelectronică, MEF, (Photoelectron
Emission Microscope, PEM), cu aceleaşi aplicaţii la fel ca şi
microscoapele de baleiaj;
- microscoape ionice cu emisie de câmp, MIEC, (Field Ion
Microscope, FIM) care permit vizualizarea directă a modului de
orientare a atomilor într-o probă de analizat;
- microscoape electronice analitice de transmisie, MEAT,
(Transmision Electron Analytical Microscope, TEAM) cu aplicaţii în
cercetări ultrastructurale şi analitice;
5.2. Microscopul electronic

5.2.1. Noţiuni generale

Utilizarea fasciculelor de electroni în locul razelor luminoase a condus

la îmbunătăţirea substanţială a puterii rezolutive şi a măririi microscoapelor.
Mărirea utilă şi puterea de separare a unui microscop fiind cu atât mai
mari cu cât lungimea de undă a radiaţiei folosite este mai mică, au fost
obţinute rezultate spectaculoase prin utilizarea microscoapelor electronice în
care imaginile se formează, aşa cum s-a arătat, de către fascicule de electroni
acceleraţi. Lungimea de undă asociată unui electron de masă m şi viteză v
este:
h
λ= ·v (5.5)
m
relaţie în care h reprezintă constanta lui Plank.
Prin microscopie electronică se pot deosebi detalii structurale la măriri
de 1000:1…800.000:1. Avantajele microscopiei electronice însă, nu constau
numai din asigurarea unor puteri rezolutive şi a unor măriri foarte mari, dar
şi a unei adâncimi mari de claritate, putând studia în condiţii deosebit de
avantajoase structuri cu relief de suprafaţă pronunţat.
După modul de cercetare a probelor microscoapele electronice se
clasifică în:
● microscoape electronice prin transmisie, (transparenţă), la care
fluxul de electroni străbate proba (eşantioane subţiri), formând
imaginea pe un ecran fluorescent datorită diferenţelor de absorbţie a
electronilor la diferite părţi ale probei; este un tip foarte utilizat de
microscop electronic caracterizat prin puteri de separare foarte mari,
ajungând până la 1,5Å;
● microscoape electronice prin reflexie, care utilizează electroni
reflectaţi de suprafaţa probei iradiată cu un flux de electroni primari
(electroni incidenţi). De fapt electronii reflectaţi (care au energie mare
apropiată de cea a electronilor incidenţi) nu suportă o reflectare în
adevăratul sens al cuvântului ci o dispersie care nu respectă legile
reflexiei. Electronii incidenţi pătrunzând mai mult sau mai puţin în
material, părăsesc zona respectivă cu o energie largă şi o distribuţie
unghiulară. Ca urmare, la formarea imaginii participă puţini electroni,
la lentila obiectiv ajungând un număr restrâns de electroni
nemonocromatici, ceea ce afectează puternic puterea de rezoluţie şi
luminozitatea imaginii. În această categorie de microscoape se
disting: microscoapele electronice cu reflexie propriu-zisă şi cele cu
oglindă. Puterea lor de separare este de cca.500Å;
● microscoape electronice cu emisie, la care imaginea este formată de
electroni emişi chiar de suprafaţa probei examinate. În funcţie de
natura electronilor emişi există microscoape electronice cu: emisie
obişnuite; fotoemisie de electroni; emisie de electroni rezultaţi prin
bombardarea suprafeţei piesei cu electroni primari; emisie de
electroni reflectaţi prin bombardarea probei cu ioni; termoemisie;
emisie de câmp; emisie de baleiaj. În general imaginea se formează
pe un ecran fluorescent, iar puterea de separaţie este de cca.500Å;
● microscoape electronice de baleiaj, care folosesc un fascicul
subţire de electroni ce baleiază toată suprafaţa probei printr-o
comandă electronică, în urma impactului dintre fasciculul primar şi
probă rezultă electroni reflectaţi de pe formaţiunile superficiale
examinate care apoi sunt captaţi, transformaţi în semnal electric şi
afişaţi pe ecranul video al aparatului; puterea de separare ajunge până
la cca.50Å;
● microscoape ionice, care sunt asemănătoare ca principiu cu cele
electronice, de care se deosebesc prin faptul că imaginea este formată
de ioni. Se deosebesc microscoape cu emisie de ioni (amânaţi,
respectiv captaţi) şi autoionice (sau câmp ionic). În cadrul primei
categorii, un fascicul de ioni cu energie mare bombardează suprafaţa
probei, eliberându-se din material electroni, atomi, ioni pozitivi şi ioni
negativi. Aceştia sunt captaţi, acceleraţi şi focalizaţi pe ecran prin
intermediul unei lentile electronice. Puterea de separare este cuprinsă
între 0,2…1µm. Cea de-a doua categorie, a microscoapelor autoionice
se bazează pe formarea imaginii de către fascicule de ioni autoemise
(rezoluţia atinsă este sub 20Å).
 Fig.5.16 Comparaţie între schema de principiu a microscopului
optic (a) şi cea a microscopului electronic prin transmisie (b)

5.2.2. Microscopul electronic prin transmisie

Microscopia electronică prin transmisie este una dintre cele mai

răspândite metode de metalografie electronică ce permite studiul structurii
metalelor şi aliajelor, identificarea fazelor şi a constituenţilor structurali,
caracterizarea fenomenelor de la limitele grăunţilor, studiul dislocaţiilor, a
vacanţelor, a planurilor de alunecare din grăunţii cristalini, identificarea
naturii incluziunilor nemetalice, a caracteristicilor precipitărilor, a
caracterului fazelor fine (carburi, nitruri, boruri) etc.
Studiul structurii probelor metalice cu microscopie electronică prin
transmisie poate fi realizat prin trei metode diferite:
• studiul replicilor (a mulajelor) realizate asupra reliefelor structurale

puse în evidenţă prin diferite metode de atac;

• studiul foliilor (membranelor) metalice subţiri;

• studiul difracţiei fascicolului electronic pe fazele din structură

extrase, în vederea determinării structurii reticulare şi a orientării

cristalografice.
5.2.2.1. Principii constructive şi de funcţionare ale microscoapelor electronice
prin transmisie

Un microscop electronic prin transmisie (M.E.T.) se compune în

general din următoarele părţi: coloana microscopului; instalaţia de vidare;
sursa de curent de înaltă tensiune; sursa de curent pentru alimentarea
lentilelor magnetice; sistemul electronic de comandă, reglare şi control.
Partea cea mai importantă a acestui tip de microscop este coloana care
funcţionează pe principii asemănătoare cu microscoapele optice (fig.5.16).
În locul sursei de lumină se utilizează un tun electronic, care furnizează un
fascicol electronic de mare viteză. De asemenea, în locul lentilelor optice
apar lentile obiectiv şi proiectoare electronice, magnetice sau electrostatice
de formă inelară (lentile electromagnetice, respectiv lentile electrostatice).
La microscopul electronic prin transmisie electronii sunt deviaţi de
câmpurile magnetice şi electrice. Asemenea câmpuri sunt aplicate simetric
faţă de o axă, şi pot fi folosite ca lentile influenţând un fascicul de electroni
în acelaşi mod în care o lentilă convergentă influenţează un fascicul de
lumină.
În principiu microscoapele M.E.T. existente sunt construite ca un
microscop de lumină emergentă, cu lentile condensor, lentile obiectiv şi
lentile de proiecţie (corespunzătoare ocularului), iar imaginea mărită a
obiectului examinat se obţine pe un ecran fluorescent de BaS, CdS, ZrO2, ori
pe o placă sau un film fotografic (fig.5.16). Se utilizează atât lentile
electrostatice cât şi electromagnetice, ultimele asigurând corespunzător o
putere de separare mai bună.
La majoritatea microscoapelor electronice prin transmisie sursa de
electroni este un filament de W (catod) încălzit de un curent de 10…400 µA.
Randamentul catodului poate fi îmbunătăţit crescând densitatea fluxului de
electroni şi în acest scop există catozi din hexaborură de lantan (LaB6) a
căror emisie termică specifică este de cca.10 ori mai mare decât a celor de
W. De asemenea, mai există surse de electroni constituite din fire
monocristaline de W (cu o rază de cca. 100Å) care funcţionează prin emisie
de câmp (emisie Schottky) şi care au un randament de 100 ori mai mare
comparativ cu catozii clasici în formă de V.
 Electronii emişi de
catod sunt acceleraţi pe
traiectul lor către anod sub o
diferenţă de potenţial care la
aparatele obişnuite variază
între 20 şi 200 kV. În urma
focalizării de către lentilele
condensator, fasciculul de
electroni traversează obiectul
de examinat (replici sau folii
metalice). Electronii care nu
sunt absorbiţi şi nici
împrăştiaţi vor fi transmişi
prin obiect şi captaţi de către
lentila obiectiv în fiecare punct
într-o cantitate proporţională
cu neregularităţile reliefului,
cu compoziţia sau structura
obiectului cercetat. În final,
imaginea obiectului va fi
proiectată prin intermediul
unei lentile proiector pe un
Fig.5.17 Secţiune prin microscopul electronic
IEM-1005
ecran fluorescent sau pe o
placă fotografică.
Pentru a se evita ciocnirea electronilor cu moleculele de aer, aceştia se
deplasează într-un vid înaintat. Sistemul de vidare al microscopului este
format dintr-o pompă rotativă cu ulei care realizează un vid preliminar (10-
2
…10-3 mm Hg) şi o pompă de difuzie cu ulei care realizează vidul înaintat
(10-4…10-5mm Hg).
Lungimea de undă asociată fasciculului de electroni este dependentă
de tensiunea de accelerare considerată: λ = 150 U ; pentru U=60.000 V,
λ = 0,05 Å. Puterea de separare (rezoluţia) este determinată de lungimea de
undă şi de apertură (d=λ/A), având valori maxime de 3…5 Å. În microscopia
 electronică nu se pot folosi decât aperturi foarte mici, deoarece în optica
electronică nu se pot corecta aberaţiile lentilelor. De aceea, lentilele obiectiv
conţin întotdeauna o diafragmă amovibilă care reduce apertura, micşorându-
se deci aberaţiile. Pentru o focalizare cât mai bună a imaginii filamentului,
respectiv pentru evitarea deteriorării prin încălzire a zonei investigate din
probă, microscoapele electronice
sunt prevăzute cu două lentile
condensoare. În fine, prezenţa unei
lentile intermediare alături de
lentilele obiectiv şi proiector permite
varierea în limite foarte largi a puterii
de mărire, obişnuit între 1.500:1 şi
250.000:1.

În figura 5.17 se prezintă

principiul de funcţionare al unui
microscop electronic prin transmisie
(I.E.M.1005): un filament
incandescent de wolfram constituie
catodul 1 ce emite un fascicul de
electroni care, sub o diferenţă mare
de potenţial (50…100 kV) este
puternic accelerat în spaţiul dintre
catod şi anodul 2. Fasciculul de
electroni străbate spaţiul lentilelor
condensoare 3 şi 4 ce realizează
concentrarea acestuia asupra probei
transparente situate în camera 5,
trecând apoi prin lentila
electromagnetică obiectiv 6 (care
produce o mărire intermediară a
imaginii) lentila intermediară 7 şi
lentila proiectoare 8 care determină

Fig.5.18 Microscopul electronic EM 400

mărirea finală a imaginii, vizualizarea făcându-se pe ecranul fluorescent 9
prevăzut şi cu un sistem de fotografiere 10. Pentru a se evita impactul
electronilor cu diferitele particule atmosferice, deplasarea fasciculului de
electroni are loc într-un spaţiu vidat la 10-5…10-6 mbar prin racordul 11 care
face legătura cu o pompă de vid.
Se caracterizează prin puteri de rezoluţie (separare) foarte mari,
ajungând până la 1,4Å, la tensiuni cuprinse între 40 kV şi 3 MV. Aceste
microscoape asigură puteri de mărire uzuale de 5000…500000 x.
Figura 5.18 prezintă o imagine de ansamblu a microscopului
electronic EM400 (Philips) care la
tensiune de 20…120 kV prezintă
puteri de mărire de 50…800000 x şi o
putere maximă de separare de 2 Å.
În general un microscop
electronic mai poate fi prevăzut cu
goniometru pentru rotirea probei,
dispozitiv pentru încălzirea sau
răcirea sub 0ºC a probei, dispozitiv de
tensionare sau de anticontaminare a
probei.
Probele ce urmează a fi
cercetate trebuie să prezinte
transparenţă suficientă faţă de
fasciculul de electroni, să nu se
distrugă în vid sau sub acţiunea Fig.5.19 Principiul realizării replicilor şi a
electronilor şi să nu se încarce sau să formării imaginii în microscopul
electronic prin transmisie
se ionizeze. În practica metalografică,
pentru obţinerea probelor se folosesc metoda replicilor şi metoda foliilor
metalice.

5.2.2.2. Pregătirea replicilor

Replica este o amprentă, un mulaj realizat de pe suprafaţa probelor

metalografice, cu ajutorul unui strat de grosime mică, de ordinul zecilor şi
sutelor de Å. În figura 5.19 este prezentată tehnologia cea mai utilizată
pentru obţinerea replicilor şi modul de interpretare a imaginilor electronice
obţinute. Pentru studiile la microscopul electronic prin transmisie suprafaţa
probelor metalografice se pregăteşte prin acelaşi procedeu ca şi în cazul
studiului la microscop optic, prin şlefuire, lustruire şi atac metalografic, însă
prelucrarea trebuie să fie mult mai îngrijită, nefiind admise zgârieturi,
denivelări, smulgeri de grăunţi sau oxidări. Atacul are ca scop punerea în
evidenţă a diferenţelor de relief între grăunţii, fazele sau constituenţii
aliajului, fără ca atacul să fie prea adânc, deoarece se îngreunează
desprinderea matriţelor pentru replică. Pentru studii metalografice la
microscopul electronic este deosebit de avantajoasă lustruirea electrolitică a
probei.
Pentru obţinerea unei matriţe, pe suprafaţa pregătită a probei se
întinde un strat de masă plastică sau de colodiu (fig.5.19.a), care după uscare
este desprins cu grijă (fig.5.19.b), Apoi, într-un aparat de metalizare în vid,
pe matriţa de masă plastică se depune un strat de carbon amorf (fig.5.19.c).
Se îndepărtează matriţa prin dizolvare şi rezultă o replică de carbon care
urmăreşte relieful suprafeţei probei metalografice.
Pentru a mări contrastul imaginii electronice se poate face o umbrire
prin metalizare cu metale grele (Cr, Pt, Au etc.) sub un unghi mic al
suprafeţei replicii. Astfel fascicolul electronic care străbate replica
(fig.5.19.d) suferă un grad diferit de absorbţie în funcţie de grosimea replicii
în direcţia fascicolului, dând naştere la o variaţie a intensităţii care reflectă
relieful probei. Acolo unde replica este mai groasă, imaginea va fi
întunecată, iar la suprafeţe plane, mai luminoasă. Prin umbrire cu metal,
suprafeţele înclinate vor fi mai acoperite dintr-o parte, dând naştere la o
imagine cu relief şi mai pronunţat.
La un microscop electronic prin transmisie, contrastul imaginii este
cauzat în principal de dispersia electronilor care traversează obiectul de
examinat şi doar într-o mică măsură de absorbţia acestora. În cazul replicilor
de carbon şi de masă plastică, electronii sunt dispersaţi într-o zonă
unghiulară a cărei mărime este proporţională cu "grosimea masică", definită
prin produsul dintre grosimea efectivă şi densitatea materialului.
 Apertura obiectivului restrânge electronii dispersaţi, mărind contrastul
imaginii. Dacă obiectul de examinat este un material uniform, cum e cazul
replicilor de carbon şi mase plastice, variaţia de luminozitate a imaginii este
datorată numai variaţiilor de grosime a replicii.
În cazul unei replici din carbon, care are practic o grosime uniformă,
limitele de separaţie dintre zonele situate în plane diferite apar întunecate, iar
microzonele orizontale vor apărea de culoare albă, în general fiind
imposibilă evidenţierea diferenţelor de nivel a fazelor constitutive ale unui
aliaj. La replicile din masă plastică se obţin intensităţi scăzute ale părţilor
care reprezintă adâncituri pe suprafaţa probei şi intensităţi mari la părţile
aflate în prim plan pe suprafaţa acesteia.
La examinarea structurilor foarte fine, replicile din masă plastică nu
dau puteri de separare suficient de mari, impunându-se utilizarea replicilor
de carbon, care au o rezoluţie mult mai bună, în ciuda dezavantajelor arătate.
Pentru replicile utilizate la microscopie electronică se pun următoarele
condiţii: să fie transparente pentru fascicolul electronic; să fie stabile la
uscare şi în vid; să reziste bombardamentului electronic; să nu se ionizeze;
să aibă rezistenţă mecanică. Pentru obţinerea replicilor în principal sunt
folosite două metode mai importante:
• metoda indirectă, la care prima dată se realizează o matriţă de lac
sau masă plastică, care apoi, după desprindere este acoperită prin
evaporare cu o peliculă de carbon amorf, umbrită cu platină,
dizolvând în final matriţa iniţială;
• metoda directă, la care se realizează replica direct pe suprafaţa
probei, din carbon sau Formvar, stratul întăritor de lac având rolul
de a desprinde mai uşor replica.
Replicile, în cele mai multe cazuri,
sunt realizate din următoarele materiale:
material plastic (colodiu, Zapon-lac, Formvar
etc.); carbon amorf; oxizi metalici (oxid de
aluminiu, de nichel, de fier, de siliciu etc.);
metale (argint, mangan, platină, aur, uraniu
etc.). Fig.5.20 Grile-suport pentru
aşezarea replicilor
 Pentru susţinerea replicilor uşor fiabile, în vederea montării în
microscopul electronic, sunt folosite grile metalice având diametrul de
3…5mm, ştanţate din plase de sârmă metalică antimagnetică de Cu, Ni sau
bronz, cu 50…150 ochiuri/cm2, adică orificii de 0,08…0,1 mm (fig.5.20).
Pentru puteri rezolutive mari sunt folosite grilaje electrolitice de 200…400
mesh.

5.2.2.3. Replica din material plastic

Se realizează prin metoda directă, folosind soluţii de concentraţie

redusă a diferitelor materiale prezentate în tabelul 5.1.
Pentru obţinerea unei replici pe o probă metalografică pregătită, se
parcurg mai multe etape:
• realizarea amprentei de Formvar (sau colodiu) se face prin imersia
suprafeţei pregătite în soluţie, turnarea soluţiei pe suprafaţa probei
sau folosind un dispozitiv de picurare. Pentru uscare proba se
aşează pe o hârtie de filtru cu suprafaţa pregătită în poziţie verticală
şi se acoperă cu un pahar de sticlă pentru a reduce viteza de uscare.
Grosimea peliculei obţinute se apreciază pe suprafaţa probei prin
culorile de Tabelul 5.1
interferenţă în Materiale plastice utilizate la confecţionarea replicilor
lumină polarizată.
Denumirea Concen-
• desprinderea Solventul
materialului traţia
replicii se face
Nitrat de celuloză Acetat de amil
după ce a fost (Zapon-lac, sau Acetonă
întărită, tot prin Parlodeon) Acetat de etil 0,5…1%
imersie sau turnare Dinitrat de celuloză Acetat de metil
cu un strat de (Colodiu)
0,2…0,5 mm de Polivinil-formaldehidă Dioxan
(Formvar sau Cloroform
colodiu sau zapon- 0,1…1%
Mowital) Dicloretan
lac de 4% dizolvat Dicloretilen
în acetat de amil. Polistirol Benzol
După uscarea Xilol 0,5…1%
stratului (8…12 h), Toluol
Alcool polivinilic Apă 0,5…1%
Acetat de celuloză Acetonă 0,2…0,5%
Metilmetacrilat Cloroform 0,5…1%
 desprinderea se face sub apă distilată cu o lamă, începând de la
margine şi apoi prin tragere cu o pensetă.
• dizolvarea stratului de întărire şi aplicarea replicii pe grilaje
suport; replica cu întăritură de colodiu se introduce în acetat de
amil, care nu dizolvă Formvarul; pelicula replicii se ridică la
suprafaţa lichidului, peste care se aşează grilajele suport, care
aderând la replică se scot cu o lamă de sticlă.
Deoarece replicile de material plastic se ionizează uşor, ceea ce
reduce calitatea imaginii, se recomandă acoperirea lor cu un strat subţire de
carbon amorf (cca.30Å). În toate cazurile trebuie avut în vedere ca partea
activă, reliefată a replicii să fie deasupra, în aşa fel încât aşezând-o în
microscop, fascicolul electronic să atace această parte.

5.2.2.4. Replica din carbon

Se execută după metoda directă sau indirectă prin depunere în vid, cu

ajutorul unui aparat de metalizare. Ea prezintă avantajul că permite obţinerea
de putere rezolutivă de 10Å şi nu se modifică în bombardamentul electronic,
însă se desprinde mai greu de pe suprafaţa probei în cazul folosirii metodei
de depunere directă. Evaporarea carbonului se obţine în vid înaintat de 10-4 –
10-5 mm Hg, prin trecerea curentului electric între doi electrozi de carbon
sau grafit de înaltă puritate, având un contact punctiform între ele. Cea mai
folosită este varianta cu un electrod ascuţit iar celălalt plat, parametrii de
lucru fiind următorii: tensiunea curentului: 10…30 V; intensitatea
curentului: 30A; distanţa electrozi-probă: 8…11 cm; timpul de depunere:
2…3 sec.
Grosimea peliculei se apreciază vizual pe o plăcuţă de sticlă sau pe o
suprafaţă lustruită de metal (foiţă de aluminiu), în lumină polarizată, după
culorile de reflexie. Grosimea optimă este 10 nm.
În cazul realizării replicilor prin metoda directă se execută
următoarele operaţii:
• pregătirea probei conform metodicii pentru microscopie optică,
lustruirea efectuându-se electrolitic. Pentru atacul suprafeţei la
 oţeluri şi fonte se recomandă utilizarea unei soluţii de 10% acid
cromic în apă;
• acoperirea cu un strat subţire de carbon prin evaporare în vid, cu
parametri mai sus prezentaţi. În cazul unui relief pronunţat
suprafaţa probei poate fi aşezată oblic faţă de sursa de evaporare şi
proba se roteşte în timpul depunerii;
• desprinderea peliculei de carbon pe cale electrolitică cu 10% acid
azotic în alcool de 96%, dar se pot folosi şi soluţii de acid percloric
sau acid acetic. Pelicula de pe suprafaţa probei, în prealabil, se taie
în fâşii de 4 mm lăţime.
• spălarea replicii în alcool, sau în amestec de apă-alcool prin care se
reduce tendinţa de încovoiere a peliculelor. În apă pelicula de
carbon devine sfărâmicioasă. Transferul peliculelor se face cu plasă
de sârmă montată pe suport inelar cu mâner. După 3…5 spălări
replicile se transferă în apă, de pe suprafaţa acesteia fiind ridicate
cu grilajele suport, grilaje pe care apoi se usucă în aer.
Pentru obţinerea unui contrast mai bun al imaginii electronice se
recomandă o acoperire simultană cu carbon şi platină. În acest scop pe parte
ascuţită a electrodului de cărbune se înfăşoară un fir de platină.
La metoda indirectă, aplicată în special pentru probe cu relief
pronunţat (secţiuni de rupere) se face o matriţă de colodiu (sau Formvar),
detaşarea peliculei de plastic realizându-se în apă. Peliculele se scot din apă
cu o lamă de sticlă, cu parte activă în sus şi se realizează depunerea de
replică de carbon. Apoi matriţa de colodiu se dizolvă în acetat de amil, după
ce în prealabil dubla peliculă a fost tăiată în pătrăţele de 4 x 4 mm. Partea
posterioară a replicii de carbon poate fi întărită cu un strat subţire de 0,5%
Formvar în cloroform, înainte de dizolvarea matriţei.

5.2.2.5. Replici speciale

Sunt utilizate în cazul studiului unor metale şi aliaje cu proprietăţi

speciale. Sunt folosite replici de SiO-SiO2, Al2O3, NiO, FeO, Ag, Cr, Mn, Pt,
Au, U, precum şi replici combinate de plastic – SiO2, polistirol – SiO,
Mowital, Zapon-lac, carbon metil-metacrilat – SiO etc.
 Replica de oxid de aluminiu se utilizează în cazul studiului
aluminiului şi a aliajelor de aluminiu, obţinând filmul de oxid prin oxidare
anodică 2,5% soluţie de borat de amoniu, la 20 V tensiune.
Replica de oxid de siliciu se aplică pe suprafeţe metalice lustruite
electrolitic, având o foarte bună rezoluţie. Depunerea se face prin
evaporarea amestecului de SiO2 + Si, la temperatura de 1200°C în vid de 10-
5
mm Hg, folosind creuzet de tantal sau spirală conică de wolfram (∅ 0,5
mm), la o distanţă de 100 mm de probă.
Un mare interes îl prezintă încorporarea în replică a particulelor de
precipitat situate la suprafaţa probei. O astfel de amprentă se numeşte
replică de extracţie; importanţa ei constă în faptul că, spre deosebire de
replicile obişnuite, care dau numai topografia suprafeţei probei, ea oferă şi
informaţii despre morfologia particulelor de precipitat în poziţiile lor
originale pe care le ocupau pe suprafaţa probei, în plus fiind posibil ca prin
difracţie electronică să se determine şi natura acestor precipitate.
Pentru obţinerea unei astfel de replici mai întâi se atacă intens
suprafaţa probei metalice cu un reactiv care să dizolve matricea şi să lase
particulele de precipitat relativ libere. După aceasta se procedează identic ca
la obţinerea replicilor negative. Admiţând că pentru replică se foloseşte
material plastic, când acesta este întins pe suprafaţa probei particulele de
precipitat sunt înglobate în el şi ca urmare la desprinderea replicii de pe
suprafaţa probei ele vor rămâne în replică.

5.2.2.6. Umbrirea prin metalizare oblică a replicilor

În scopul măririi contrastului, a puterii rezolutive şi a efectului de

relief a imaginii se recurge la "umbrirea" peliculelor de plastic, carbon sau
oxid, prin evaporare şi condensare în condiţii de vid (10-4 mbar). Ca sursă de
vapori metalici se folosesc fire subţiri înfăşurate pe sârmă de wolfram
îndoită în V, spirale conice de wolfram, în care se aşează metalul de
evaporat, sau mici creuzete presate din platbenzi de tantal. Elementele cele
mai folosite şi condiţiile de evaporare sunt: Al, Be, Cr, Ge, Mn, Mo, Pd, Pt,
Ag, Si, V etc.
 Schema procesului
de umbrire este prezentată
în figura 5.21. Unghiul de
depunere α rezultă între
direcţia sursei de vapori şi
planul replicii. Grosimea
stratului depus este în
general între 10…100Å, dar
în cazul umbririi cu Pt, Pd,
Fig.5.21 Umbrirea replicii
V grosimea optimă este de
5…15Å, iar la Cr de 10…50Å.
Unghiul de depunere pentru replicile de Formvar sau Mowital este de
10…25º, însă dacă atacul probei a fost adânc, unghiul poate fi mărit la
25…45º. În cazul metalizării cu metale cu densitate mai mică (Cr, Mn, W
etc.), unghiul de depunere este mai mic, iar la metale grele se adoptă un
unghi mai mare (Pt, Pd, U). Distanţa între sursa de evaporare şi suprafaţa
replicii este de 8…12 cm., iar timpul de metalizare este 3…20 sec.
Determinarea corespunzătoare a grosimii stratului depus se poate face
vizual, după culorile de reflexie a luminii polarizate, dar mai precis cu
ajutorul unui monitor cu cristal de cuarţ a cărui frecvenţă proprie scade cu
grosimea stratului depus.

5.2.2.7. Construcţia şi funcţionarea aparatului de metalizare în vid

Aparatul de metalizare în vid (tip B30.2) se compune dintr-un clopot

de metalizare, un agregat de vidare format dintr-o pompă rotativă şi o pompă
de difuzie sursă de curent de mare intensitate (2,5 kVA), sursă de curent de
înaltă tensiune de 3kV (1 kVA) şi aparatura de măsurare a vidului.
Toate componentele sunt montate într-un pupitru de comandă,
deasupra aflându-se clopotul de metalizare (fig.5.22). Sub clopotul de
metalizare din sticlă 1 (∅ 300 x 500) se poate realiza un vid de 2⋅10-6 mm
Hg, timpul total de vidare fiind de 4 min. În clopot se poate monta un
evaporator simplu 4, cu încălzire prin rezistenţă la 12 V sau 24 V, cu un
curent maxim de 100 A.
 Elementul de încălzire poate fi sârmă de wolfram îndoită în V, sub
formă de spirală sau bandă de W, Mo sau Ta. Evaporatorul poate fi reglat
radial, pe verticală sau se poate înclina până la 90°. Distanţa dintre
evaporator şi măsuţa cu proba poate fi reglată până la aproximativ 310 mm.
În locul evaporatorului cu rezistenţă poate fi montat un evaporator de carbon
cu electrozi ascuţiţi (100A), care mai permite în plus obţinerea vaporilor de
carbon-platină pentru replicile aferente.
De asemenea, se poate instala în clopotul de metalizare un dispozitiv
de evaporare cu fascicol electronic (25A, 10 kV). Sub clopot se mai află o
diafragmă rabatabilă comandată din afară 5 pentru metalizări indirecte Sub
clopot se află montată şi măsuţa pentru probe de metalizat 8.
Poziţia măsuţei este reglabilă în coordonate plane, poate fi înclinată la
45°, iar placa port probe se poate roti electric cu o turaţie cuprinsă între 15 şi
200 t / min.
Aparatul mai are o sursă de curent continuu de înaltă tensiune (3 kV,
300 mA) pentru curăţirea electrică a suprafeţei probei şi favorizarea
depunerii de vapori metalici. Tot pentru curăţire, masa cu proba de metalizat
poate fi încălzită până la cca. 400°C.
 Fig.5.22 Aparatul de metalizare în vid (tip B30.2) pentru realizarea şi
umbrirea replicilor
1 – clopot de metalizare din sticlă;

5.2.2.8. Metoda foliilor metalice

Pentru a fi cercetate, foliile metalice trebuie să prezinte grosimi de

50…500Å (funcţie de densitatea materialului şi valoarea tensiunii de
accelerare), să aibă pe cât posibil suprafeţe mari cu această grosime şi să fie
şlefuite şi curăţite îngrijit pe ambele părţi. În majoritatea cazurilor folia se
prepară dintr-un material "masiv" provenit dintr-o piesă industrială sau dintr-
o probă căreia i s-a măsurat macroscopic o anumită proprietate. Forma
optimă a probei iniţiale este aceea a unei table cu o grosime de 0,1…1 mm.
Aceasta este şlefuită metalografic (lustruită electrolitic) pe ambele părţi şi
absolut plan paralel până la grosimi de 0,15mm, folosind un şablon special
din oţel călit. Din tabla şlefuită, se ştanţează plăcuţe de diametru egal cu cel
 al suportului probei de la microscopul
electronic (2,3…3 mm). În continuare,
plăcuţele sunt lovite în zona centrală
cu un jet dublu de electrolit (fig.5.23),
realizându-se subţierea finală până la
apariţia unui microorificiu; zonele din
vecinătatea găurii centrale au grosimi
de 50…500Å, astfel că pot fi pătrunse
de către fasciculul de electroni la
tensiuni de accelerare de 100…1000
kV.
Fig.5.23 Metoda subţierii Prin metoda foliilor metalice
electrolitice subţiri se pot studia de exemplu
dislocaţiile din aliajele deformate,
zonele Guinier-Preston din duraluminiuri, precipitare unor faze ultrafine la
limitele grăunţilor, transformarea martensitică etc. Se pot obţine folii subţiri
pe cale mecanică (prin şlefuire, laminare), prin metode electrochimice
(corodare chimică, subţiere electrolitică, prin eroziune electrică) sau prin
metalizare (evaporare în vid, precipitare din soluţii, depunere electrolitică
sau metalizare din fază lichidă).
Pentru a folosi folii mai groase, în scopul evitării dificultăţilor la
obţinerea foliilor prea subţiri au fost construite microscoape cu tensiuni de
accelerare mai mare de 200 kV, ca de exemplu 300, 500, 700, 1000 şi 1500
kV. Astfel de microscoape sunt cunoscute sub numele de microscoape
electronice de înalt voltaj. Dintre avantajele prezentate de aceste
microscoape se menţionează în primul rând faptul că grosimea foliei de
examinat este mult mai mare variind în funcţie de material între valorile
1…10µm. De asemenea datorită energiei mari a fasciculului de electroni, la
trecerea lui prin probe suficient de groase nu se produc încălziri şi ionizări
importante, iar aberaţiile cromatice se micşorează. Dintre dezavantaje se
menţionează: scăderea contrastului imaginii, creşterea aberaţiilor de
sfericitate, a pericolului de iradiere şi a preţului de cost al negativului
5.2.2.9. Metode speciale de microscopie electronică prin transmisie

− Metoda câmpului întunecat. Ca şi în microscopia optică este posibil

şi în microscopia electronică cu transmisie să se îmbunătăţească contrastul
imaginii dacă examinarea se face în câmp întunecat. Pentru studierea
obiectului în câmp întunecat este necesară devierea fasciculului de electroni
primari astfel încât la formarea imaginii să participe numai electronii
dispersaţi. Pentru devierea fasciculului de electroni primari se pot utiliza
procedee mecanice (introducerea unei diafragme inelare între tunul de
electroni şi condensor, înclinarea sistemului de bombardare cu electroni sau
deplasarea diafragmei de apertură a obiectivului) sau electronice
(introducerea unei lentile electromagnetice în scopul devierii).
Rezoluţia microscopului electronic care lucrează în regim de câmp
întunecat este relativ mică, cu valori de numai 100…200Å pentru particule
cu cristalinitate slab exprimată şi cu valori de circa 50Å pentru particule cu
cristalinitate puternic exprimată.
− Microscopia electronică cu contrast de fază. Această metodă nu se
deosebeşte principal de microscopia optică cu contrast de fază. În acest caz
ca placă de fază este utilizat un film de carbon, care trebuie să creeze în
trenul de unde o diferenţă de fază ∆φ egală cu ±π/2, ceea ce corespunde unei
diferenţe de drum optic între fasciculele de electroni considerate de ±λ/4
(placă sfert de undă). Se impune şi ca placa de fază să acopere complet
maximul de difracţie central al imaginii de difracţie şi să lase neacoperită
imaginea de difracţie a detaliilor obiectului, imagine care trebuie să aibă
contrast ridicat.
− Microscopia electronică cu contrast de focalizare. Metoda se
bazează pe faptul că un defect de focalizare la iluminarea cu un fascicul
coerent determină apariţia unor franje Fresnel. Această metodă prezintă
interes la studiul structurilor periodice, înţelegând că atât ele cât şi
proprietăţile lor se repetă periodic în spaţiu. Concepţia despre obiecte ca
structuri periodice este importată; în principiu toate obiectele pot fi
considerate ca formate din suprapunerea unor structuri periodice.
− Tehnica Moiré. Metoda are ca scop punerea în evidenţă a reţelelor
cristaline cu distanţe interplane mici, de ordinul angstromilor.
 Metoda Moiré constă în suprapunerea a două reţele cristaline care se
deosebesc puţin prin parametri sau orientare. Datorită efectului Moiré (la
formarea imaginii participă nu numai fasciculele difractate de reţeaua care
interesează, ci şi fasciculele difractate de reţeaua suprapusă) se obţine o
imagine a reţelei cristaline cu dimensiuni mărite faţă de imaginea normală.
− Tehnica contrastului de difracţie în câmp luminos. Această metodă
permite punerea în evidenţă a unor defecte ale reţelei cristaline, în principal
a dislocaţiilor, chiar în reţelele metalice.
Metoda se bazează pe faptul că, deşi reţelele cristaline nu sunt
rezolvate prin microscopie electronică cu transmisie, folosind o lentilă
obiectiv cu apertură mică fasciculele difractate sunt îndepărtate, neajungând
la lentilele de protecţie, motiv pentru care distorsiunile reţelei din imediata
vecinătate a dislocaţiilor apar pe imagine cu aspect întunecos.

5.2.2.10. Domenii de utilizare ale analizei cu microscopul electronic prin

transmisie

Aşa cum s-a mai arătat, deoarece microscopul electronic prin

transmisie are o putere de separare foarte mare şi posibilitatea de mărire
variabilă între 1500…250000 x, acesta poate permite evidenţierea unor
detalii extrem de fine ale structurilor materialelor metalice, detalii care nu ar
putea fi vizualizate cu ajutorul microscopul optic.
Aplicaţiile cele mai utilizate ale acestui mijloc de investigaţie sunt
următoarele:
• studierea morfologiei transformărilor fazice din metale şi aliajele
metalice, în timpul dferitelor prelucrări de natură termică,
mecanică, fizică şi chimică;
• evidenţierea gradului de dispersie şi a naturii fazelor secundare
precipitate;
• examinarea structurii dislocaţiilor sub aspectul densităţii,
configuraţiei şi a interacţiunii acestora cu particule de faze
intermediare submicroscopice;
• cercetări microfractografice privind caracterul suprafeţelor de
rupere, amorsele şi modul de propagare a fisurilor pentru stabilirea
 cauzelor care au generat producerea unor avarii ale produselor
finite.
În sensul celor afirmate anterior, în figurile 5.24 şi 5.25 sunt
prezentate corespunzător micrografii electronice ale unor constituenţi
metalografici aferenţi câtorva oţeluri.

5.2.3 Microscopul electronic de baleiaj

Microscopia electronică de baleiaj (M.E.B.) s-a impus în analiza

suprafeţelor datorită unor avantaje nete care o recomandă în defavoarea
microscopiei electronice prin transmisie (M.E.T.).
Astfel s-a extins puterea de mărire de la cea a microscoapelor optice
până la cea a M.E.T. şi de asemenea, suprafeţele pot fi examinate direct
eliminându-se procesul dificil şi consumator de timp pentru obţinerea
replicilor necesare investigaţiilor la metoda M.E.T.

5.2.3.1 Principii constructive şi de funcţionare ale microscoapelor

electronice de baleiaj

Microscopul electronic de baleiaj este unul dintre cele mai folosite

instrumente pentru examinarea şi analizarea caracteristicilor
microstructurale ale metalelor şi aliajelor. Prin realizarea unui câmp larg de
focalizare, se formează imagini tridimensionale ale probei. Cu semnalele
date de electronii secundari, retroîmprăştiaţi, Auger, sau absorbiţi,
catodoluminiscenţă, raze X se obţin informaţii complexe cu privire la
structura probei de analizat.
 Fig.5.25 Micrografii electronice ale unor constituenţi de călire şi revenire la diverse
oţeluri (replici colodiu-carbon, umbrire Au-Pd, a, b şi c; replică de extracţie cu carbon,
d):
a – martensită uşor autorevenită (oţel aliat cu 13%Cr, călit de la 1000°C în ulei),
15200:1;
b – bainită superioară (oţel cu 0,6%C, austenizat la 820°C
şi menţinut izoterm 150 s/450°C), 25000:1;
c – bainită inferioară – cristale aciculare de ferită cu precipitări fine globulare şi
lamelare de cementită (oţel aliat cu 1%Cr, austenizat la 840°C
şi menţinut izoterm 16min/360°C), 15000:1;
d – sorbită de revenire – carburi aliate pe limite şi sublimite în masă de bază feritică
(oţel aliat cu 13%Cr, călit şi revenit 3h/670°C), 75000:1.
 Microscopul electronic cu baleiaj nu permite examinarea optică
luminoasă pe baza imaginilor mărite cu ajutorul lentilelor electromagnetice
ci prin intermediul electronilor. Ideea de bază în concepţia sa este baleierea
pe principiul folosit în televiziune a unui fascicul de electroni pe suprafaţa
obiectului de examinat. Mărirea realizată este dată de raportul dintre
dimensiunile ecranului catodic şi cele ale ariei baleiate pe obiect.
Valoarea sa maximă este limitată de diametrul fasciculului în punctul
de impact. În funcţie de calitatea sistemului electrono-optic ce echipează
microscoapele, acest diametru variază între 200…500Å şi în asemenea
condiţii puterea de mărire maximă
atinge valori de 200000:1.
Pe de altă parte, deschiderea
unghiulară foarte mică a fasciculului
(de ordinul a 10-2 radiani) antrenează o
mare profunzime a câmpului.
În figura 5.26 este redată schema
de principiu a microscopului electronic
cu baleiaj.
Părţile principale ale
microscopului electronic cu baleiaj
sunt: tunul electronic, sistemul de
lentile, colectorul de electroni, tubul
catodic de vizualizare şi înregistrare
precum şi electronica asociată cu
acestea.
Un fascicul primar de electroni Fig.5.26 Schema de principiu a unui
microscop electronic cu baleiaj
este concentrat într-un spot de diametru
mic pe suprafaţa superioară a obiectului de examinat cu ajutorul unui sistem
de lentile electromagnetice. Electronii produşi de iradiere sunt atraşi către un
sistem colector de electroni alcătuit dintr-un electrod de concentraţie
electrostatică şi dintr-un scintilator cuplat optic la un fotomultiplicator. La
ieşirea din fotomultiplicator, semnalele sunt prelucrate într-un
preamplificator, apoi într-un amplificator video şi în final în unitatea de
vizualizare. La aceasta din urmă, semnalele amplificate modulează
luminozitatea fasciculului unui tub catodic prin modificarea polarizării grilei
tubului. Fasciculul baleiază ecranul tubului unităţii de vizualizare într-o
sincronizare perfectă cu baleierea obiectului de către fasciculul primar de
electroni.
Pe ecranul tubului catodic se poate astfel obţine, în funcţie de genul de
semnal folosit pentru modulaţia în strălucire a rastrului tubului, o imagine de
electroni secundari, retroîmprăştiaţi, absorbiţi, de razele X.
Imaginea rezultată este deci reconstituită punct cu punct şi prezintă o
aparenţă tridimensională, ca urmare a contrastului creat prin varierea
numărului de electroni emişi sau reflectaţi de către diversele părţi ale
obiectului cercetat. Dacă însă proba este constituită dintr-o folie iar
detectorul culege un semnal de electroni transmişi, aparatul se numeşte
microscop electronic cu baleiaj prin transmisie (M.E.B.T.), iar rezoluţia
poate să ajungă la cca.15Å.

5.2.3.2 Aspecte practice şi domenii de utilizare ale analizei cu

microscopul electronic de baleiaj

Microscoapele electronice cu baleiaj sunt utilizate pentru observarea

unor procese desfăşurate pe suprafaţa examinată (tipuri de ruperi, uzuri sau
deformări) pulberi, straturi subţiri, studiul structurii metalografice a
suprafeţelor atacate chimic, studii de morfologie a suprafeţelor pe diverse
eşantioane.
− Limitele rezoluţiei în microscopul electronic de baleiaj. Rezoluţia
reprezintă distanţa minimă între două puncte de pe probă, care pot fi
separate. Este în funcţie de proprietăţile semnalului şi de caracteristicile
interacţiunii electron-probă. O dată cu descreşterea tensiunii de accelerare,
se evidenţiază tot mai bine caracteristicile suprafeţei din zonele cu
luminozitate puternică.
Rezoluţia punct cu punct, la microscopul electronic de baleiaj, este
limitată la aproximativ 30Å, adică cu un ordin de mărire inferior
microscoapelor M.E.T.
 O altă trăsătură a microscopului electronic de baleiaj este faptul că,
odată ce microscopul a fost focalizat la măriri mari, pentru a obţine o
imagine corespunzătoare, imaginile de măriri mai mici, pot fi obţinute
printr-o simplă schimbare a comutatorului de mărire, fără nici o refocalizare.
− Pregătirea probelor. În microscopia electronică cu baleiaj,
suprafeţele de analizat pot fi examinate fără nici o pregătire prealabilă.
Probele masive sunt limitate, ca dimensiuni, pe considerentele de
introducere în camera probei şi de proprietăţile magnetice ale probei. Pentru
examinarea imaginilor şi a contrastelor de topografie, pentru probe ce
conduc curentul electric este important a efectua o degresare a suprafeţei
probei, pentru a se evita contaminările cu hidrocarburi şi alte impurităţi, care
pot să micşoreze emisia de electroni secundari. Imaginile cele mai bune se
obţin prin lustruirea mecanică a suprafeţei, urmată de o electropolarizare.
Materialele izolatoare se examinează la microscopul electronic cu baleiaj,
după o prealabilă acoperire cu un strat conductor sau se pot aplica şi alte
tehnici.
Datorită adâncimii mari de focalizare şi a rezoluţiei bune care se
obţine în microscoapele electronice de baleiaj, este posibilă folosirea
tehnicilor stereo pentru examinarea suprafeţelor rugoase.
Micrografiile stereo sunt obţinute prin înregistrarea ariei de interes, de
două ori, cu proba înclinată la unghiuri de aprox.15° faţă de fascicul, în cele
două imagini, separarea unghiulară a imaginilor perechi stereo, depinzând de
mărire. Perechea stereo este examinată apoi cu un sistem optic adecvat, care
ajută observatorul să găsească o imagine integrată de la cele două fotografii:
se obţine o imagine în adâncime, prin efect de paralaxă. Efectul de adâncime
este o iluzie, deoarece, a treia dimensiune, normală pe planul fotografiei,
este formată numai de procesul vizual al observatorului.
Microscopul electronic cu baleiaj este utilizat frecvent pentru
efectuarea unor observaţii metalografice clasice la măriri intermediare între
cele două microscoape, optic şi M.E.T. Eşantioanele sunt şlefuite şi atacate
chimic cu un reactiv adecvat, ca şi pentru microscopie optică. Marea
profunzime de câmp asociată M.E.B. oferă posibilitatea observării
suprafeţelor atacate puternic. La examinarea unor detalii foarte fine, atacul
chimic trebuie să fie mai puţin intens. În aceste condiţii se obţin rezoluţii
ridicate, dar şi o diminuare a contrastului imaginii.
O examinare acceptabilă se obţine prin creşterea corespunzătoare a
tensiunii de accelerare a electronilor şi înclinarea eşantionului faţă de
normala la fasciculul incident.
− Domenii de utilizare. Microscopia electronică de baleiaj oferă o
tehnică de mare utilitate pentru descifrarea multor fenomene metalurgice. În
continuare, vor fi prezentate unele domenii, care pot fi investigate:
▪ Observarea unor procese care se petrec la suprafaţa metalelor şi
aliajelor metalice:
− ruperea prin clivaj;
− deformări simple nefragile (ondulaţii simple, ondulaţii
dendritice, tensionări etc.);
− ruperea la oboseală (striaţii, fisuri, crăpături);
− studiul structurii interne (faze, precipitări, eutectice etc.);
− examinarea suprafeţelor rugoase şi a celor de rupere (ruperi
ductile determinate de existenţa scobiturilor sau cavităţilor
supuse suprasarcinilor, ruperi intergranulare etc.).
▪ Studii de morfologie ale suprafeţelor metalice (structura şi orientarea
electrodepunerilor, oxizilor, polimerilor de pe suprafeţele metalice).
▪ Studii asupra proceselor de metalurgie chimică:
− examinarea structurii şi morfologiei produselor oxidării
metalelor şi aliajelor la temperaturi înalte;
− stabilirea proprietăţilor structurilor de oxizi de pe suprafeţele
metalice;
− examinarea structurii şi distribuţiei cavităţilor care se formează
la interfeţele oxid metalic – metal;
− studierea influenţei vaporilor de apă sau altor substanţe asupra
suprafeţelor metalice;
− studierea fenomenelor de transport chimic în metale;
− observarea domeniilor magnetice în probe masive de fier, sau
aliaje feromagnetice.
 ▪ Stabilirea compoziţiei chimice calitative şi cantitative a probei de
analizat (prin folosirea spectrometrului şi a calculatorului, ataşate la
microscopul electronic de baleiaj).

5.3. Microsonda electronică

Un mijloc modern de investigaţie şi studiu, utilizat frecvent în

metalografie, este microsonda electronică.
Analiza cu microsonda electronică constituie o metodă eficientă de
stabilire a compoziţiei chimice (calitative şi cantitative) şi structurale dintr-o
anumită zonă microscopică a eşantionului supus cercetării.

5.3.1. Principii constructive şi de funcţionare ale microsondelor

electronice

Concepţia de bază este relativ simplă: un fascicul de electroni având

un diametru de cca.0,5 µm este proiectat pe suprafaţa obiectului de examinat
şi în urma interacţiunii cu atomii materialului se produc raze X.
Prin măsurarea lungimii de undă şi a intensităţii razelor X generate
sunt posibile determinări ale naturii şi concentraţiei elementelor care intră în
microvolumul de metal analizat. Aria pe care se produc raze X poate fi
considerabil mai mare decât a fasciculului incident deoarece electronii pot
străbate o distanţă relativ mare înainte de a se ciocni cu un atom al
materialului şi de a produce radiaţii. Analiza probelor se face în filme subţiri
(mai puţin de 100Å grosime).
Toate instalaţiile realizate conţin următoarele părţi principale
(fig.5.27):
 • sistemul
electrono-optic
pentru
producerea
fasciculului de
electroni de
diametru îngust;
el este alcătuit
dintr-un tun de
electroni şi din
două lentile
electromagnetic
e.
• spectrometre de
raze X (unul sau
mai multe),
pentru
măsurarea
lungimii de
undă şi a
intensităţii Fig.5.27 Schema de principiu a microsondei
electronice
radiaţiilor
caracteristice produse.
• microscopul optic pentru localizarea câmpului de cercetat din
obiectul supus analizei.
Atât sistemul electrono-optic, cât şi spectrometrele de raze X operează
într-un vid înaintat de 10-4…10-5 mmHg. Tunul de electroni constă dintr-un
filament de W, un anod şi un al treilea electrod (cilindru Wehnelt) situat
aproape de filament (fig.5.27).
Fasciculul de electroni emişi de filament este numit "sondă" şi va fi
accelerat către anod sub o diferenţă de potenţial de 5…50 kV în funcţie de
energia impusă; al treilea electrod operează de obicei cu tensiuni de
100…600V şi are rolul de a focaliza fasciculul de electroni şi de a-l trece
prin orificiul din centrul anodului. În continuare, cu ajutorul a două lentile
electromagnetice, diametrul fasciculului este micşorat la 0,5µm.
Volumul foarte mic al părţii iradiate cu fasciculul de electroni (∼
3
1µm ) devine astfel sursa unei emisii de raze X caracteristice. Prin metoda
dispersiei radiaţiilor X după energie sau după lungimea de undă sunt
furnizate corespunzător date asupra compoziţiei chimice calitative (natura
elementelor), cantitative (concentraţia acestora) şi structurale a unei zone
microscopice din proba de analizat.
Microzona excitată, selectată din suprafaţa şlefuită metalografic a
probei de analizat, prin bombardarea cu electroni este localizată şi observată
cu un microscop.
Cu ajutorul microsondelor electronice se pot obţine imagini de
electroni secundari, retroîmprăştiaţi, absorbiţi, precum şi imagini de radiaţii
X. Imaginile sunt afişate pe ecranul unui tub catodic, iar rezultatele
analizelor sunt obţinute în urma prelucrării pe calculator.
Sensibilitatea metodei este de 10-4g dintr-un element, iar precizia
determinărilor este de ordinul zecimilor de procente pentru elemente uşoare
şi de ordinul sutimilor de procente pentru elementele medii şi grele.
Instrumentele moderne permit determinare elementelor cu Z ≥ 5.
Spectrul de raze X emis de microvoltmetrul de material analizat este
difractat pe un cristal analizor. Pentru a putea fi examinate toate elementele
chimice, trebuie considerat un domeniu larg al lungimilor de undă (0,5 la
100Å).
Majoritatea microsondelor au cel puţin două spectrometre de raze X
echipate cu mai multe cristale diferite, ce pot fi schimbate printr-un simplu
proces de rotaţie, fără o perturbare a vidului. Acest aranjament permite
măsurarea simultană a cel puţin două elemente chimice.
În general, detectorul la microsonde este fie un contor cu scintilaţii,
fie un contor proporţional, care poate opera cu viteze mari de numărare a
impulsurilor şi totodată voltajul la ieşire este proporţional cu energia
cantităţii de radiaţii incidente.
Pentru analize cantitative, suprafaţa cercetată este adusă sub fasciculul
de electroni şi intensitatea razelor X, pentru un anumit element chimic, se
măsoară prin numărul de impulsuri care ajung la detector într-un timp dat.
Profilele compoziţionale pot fi măsurate mişcând progresiv epruveta sub
fasciculul de electroni.
Unele instalaţii sunt echipate cu un sistem de analiză pe etape, care
deplasează automat epruveta pe o distanţă fixă, măsurând impulsurile la
spectrometru, tipărind rezultatul, apoi mutând din nou epruveta şi reluând
automat procesul.

Fig.5.28 Microsonda electronică JSM-P15

Indicaţii utile asupra compoziţiei unui microvolum de material pot fi

obţinute şi prin baleierea fasciculului pe suprafaţa obiectului de examinat
("imagini scanning").
O parte din electronii care iradiază suprafaţa probei sunt retrodifuzaţi
şi nu mai produc raze X. Ei sunt folosiţi pentru obţinerea pe ecranul
fluorescent a reliefului suprafeţei eşantionului, respectiv a topografiei. De
asemenea, pot fi obţinute imagini cu ajutorul electronilor emişi absorbiţi şi a
electronilor emişi secundar.
Puterea de mărire a microsondelor electronice fabricate în prezent
atinge cca.360000x la tensiuni de accelerare de până la 50 kV şi dispun de
până la 5 spectrometre de raze X (microsonda electronică JCXA-733, JEOL-
Japonia).
În figura 5.28 se prezintă microsonda electronică JSM-P15 care,
pentru o tensiune de accelerare de 15kV realizează puteri de mărire a
imaginii scanning de până la 50000 x, la un diametru al fasciculului
electronic, la suprafaţa probei, de 0,2µm.

5.3.2. Aspecte practice şi domenii de utilizare ale analizei cu

microsonda electronică

− Pregătirea suprafeţei probelor. Aşa cum s-a arătat, în analizele cu

microsonde electronice se măsoară radiaţiile X caracteristice dintr-un strat
de câţiva microni grosime de la suprafaţa probei. Acest strat trebuie să fie
reprezentativ pentru probă. Pentru aceasta, la prelucrarea suprafeţei trebuie
să se ţină cont de o serie de factori care sunt mai importanţi decât în
metalografie sau fluorescenţă de raze X şi anume: netezimea suprafeţei,
starea de corodare, conductibilitatea electrică, unghiul de ieşire al razelor X
şi fluorescenţa secundară.
O primă cerinţă este lustruirea în aceleaşi condiţii atât a suprafeţei
probei de analizat cât şi a probei standard. Metodele practice de lustruire
sunt aceleaşi cu cele utilizate în metalografie. Din rezultatele experimentale
se constată că, cu cât intensitatea radiaţiei X obţinute experimental este mai
mică, cu atât netezirea suprafeţei probei trebuie să fie mai avansată.
Nelustruirea corectă conduce la creşterea erorilor.
În al doilea rând, cantitatea de element de determinat trebuie să fie
proporţională cu unghiul de emergenţă al radiaţiei X măsurat faţă de
suprafaţa probei. Dacă valoarea lui este mare, se pot neglija efectele de
rugozitate.
O altă problemă este analiza incluziunilor în diferite matrici. Aceasta
este asemănătoare cu analiza suprafeţelor formate din faze diferite. O
particularitate constă în aceea că incluziunile de obicei sunt mici şi pot fi
îndepărtate în timpul pregătirii suprafeţei.
Tehnica standard pentru a reţine incluziunile este de a folosi
tratamente termice de durificare a pieselor înainte de prelucrare sau de a
realiza electropolizarea probei. În cazul probelor metalice, care conţin
incluziuni mari nemetalice, se cere acoperirea probei pentru a asigura
conductibilitatea electrică. Acoperirile se execută de obicei cu un film
subţire de 50…500Å de C, Al, Au sau aliaj Au-Pb. Cu cât este mai subţire
filmul de acoperire, cu atât va fi mai mică absorbţia radiaţilor X în film,
pierderea de energie a fasciculului de electroni ce intră în probă şi emisia de
raze X a stratului de acoperire. Materialul de acoperire poate fi depus prin
tehnici standard de evaporare în vid. Microscoapele, echipate cu lumină
polarizată, pot pune în evidenţă foarte bine diferenţele de fază sau de
orientare.
S-a constatat experimental că prezenţa straturilor subţiri de oxizi de
100…1000Å, formate pe suprafeţele metalice, conduc la rezultate eronate.
De aceea, se recomandă a fi îndepărtate printr-un atac corespunzător al
suprafeţei. Acest tratament nu modifică compoziţia chimică a suprafeţei
probei.
Este de menţionat faptul că există un număr mare de tehnici de
pregătire a suprafeţelor metalografice. Netezirea uniformă a suprafeţei se
face relativ simplu, când proba este omogenă. În cazul probelor eterogene,
netezirea uniformă nu este posibilă datorită durităţii diferite a materialelor
când apar suprafeţe ascuţite la marginea fazelor. Astfel de efecte trebuie
luate în considerare pentru a face o analiză corectă şi a regiunii din
apropierea marginilor (de obicei se utilizează două spectrometre plasate la
180º unul faţă de celălalt. Problema importantă este ca abrazivul de lustruit
utilizat să fie astfel ales, încât să nu impurifice suprafaţa probei. O lustruire
bună a suprafeţei se poate realiza utilizând ţesături moi şi maşini de lustruit
cu viteze de rotire mici.
− Alegerea suprafeţei pentru determinare. Următoarea etapă în
cercetarea suprafeţelor cu microsonda electronică este alegerea suprafeţei
potrivite pentru determinarea dorită; analiza calitativă, cantitativă,
determinarea naturii incluziunilor, a zonelor de difuzie etc. Aceasta se
realizează cu ajutorul microscopului optic.
− Analiza probelor în filme subţiri. Există câteva tipuri de probe care
se prezintă sub formă de film subţire (mai puţin de 100 Å grosime) şi
anume: secţiunile de depuneri electrochimice în strat subţire, filme obţinute
prin evaporări în vid, galvanoplastia straturilor de metal, filme pentru unităţi
de memorare pentru calculatoare, filme de corodare a suprafeţelor metalice
ş.a.
Intensitatea razelor X caracteristice, generate în filmele subţiri, este
mai mică decât aceea a razelor X obţinute din acelaşi metal masiv datorită
faptului că grosimea probei este cel mai adesea prea mică pentru a opri toţi
electronii din fasciculul incident.
Intensitatea a fost normalizată prin împărţire la intensitatea
corespunzătoare a razelor X caracteristice provenite de la metalul masiv.
Pe lângă analize cantitative, aceste curbe permit şi estimarea grosimii
filmului. Grosimea minimă de detecţie este de 10 Å.
• identificarea incluziunilor nemetalice în oţeluri;
• stabilirea compoziţiei chimice şi a structurii fazelor precipitate în
aliajele industriale;
• determinarea compoziţiei şi structurii straturilor superficiale ale
pieselor tratate termochimic;
• studii asupra fenomenelor de segregare;
• studierea cineticii proceselor de transformare în stare solidă;
• studierea compoziţiei şi structurii de difuzie la îmbinările sudate.
Numele şi prenumele studentului:
…………………………………..
…………………………………..
Data…………………….
Specializarea.……………………
Anul de studiu.…………………..
Grupa.……………………………

TEMĂ DE CASĂ

Să se efectueze o evaluare a importanţei şi avantajelor utilizării

aparaturii optice electronice (şi a accesoriilor acestora) de investigare
microstructurală a probelor metalografice.
Este indicat ca evaluarea să folosească drept criterii de apreciere
principiile constructive şi de funcţionare, precum şi principalele
caracteristici de lucru ale aparatelor, instalaţiilor şi accesoriilor din domeniu.

*
Lucrarea elaborată va conţine minim 4 pagini, va fi scrisă de mână pe
format A4, va fi datată şi semantă de către autor, şi se va preda
examinatorului odată cu prezentarea studentului la examenul aferent
disciplinei.