Universitatea Ecologică Bucureşti Facultatea de Inginerie Managerială

NOTE DE CURS
LA DISCIPLINA MATERIALE PENTRU INDUSTRIA ELECTRONICĂ şi ELECTROTEHNICĂ

TITULAR DISCIPLINĂ
LECTOR UNIV.DRD.ING. GEAMBAŞU LAURENŢIU

ANUL UNIV.2008/2009

1

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Semiconductorii sunt corpuri (substante) solide cristaline, cu o conductibilitate cuprinsa intre cea a metalelor si a dielectricilor 10-5*Ω*m <ρs< 1016* Ω*m, caracterizati printr-o latime a zonei interzise in jur de 3 eV . Teoria functionarii semiconductorilor s-a dezvoltat ca o consecinta directa a teoriei electronice a metalelor, cu care se completeaza reciproc. Totusi mecanismul aparitiei conductibilitatii in semiconductoare se deosebeste principial si calitativ de mecanismul aparitiei conductibilitatii in metale. Pe cand in metale exista electroni de conductie liberi care nu trebuie obtinuti printrun anumit proces fizic, in semiconductori, electronii de conductie trebuie creati prin intermediul unui purtator de energie (temperatura, iradiere,etc.). De aceea, rezistenta semiconductorilor depinde de temperatura si se micsoreaza cu cresterea acesteia, iar coeficientul de crestere a rezistivitatii cu temperatura are totdeauna valori negative. O alta deosebire esentiala dintre semiconductori si metale consta in numarul diferit de electroni din banda de energie, care la metale este foarte mare, pe cand la semiconductori numarul electronilor si golurile este considerabil mai mic si dependent de temperatura. Electronii liberi se recruteza din electronii de valenta ai atomilor care sunt mai slab legati de nucleu . In general electronilor de valenta le trebuie o energie pentru a iesi din atom si pentru a deveni liber. Este clar ca electronul liber are o energie si un nivel energetic mai mare decat electronul de valenta, Vom numi nivel energetic al electronului liber NIVEL DE CONDUCTIE ( deoarece electronii liberi determina conductibilitatea electrica a substantei) iar nivelul energetic al electronului de valenta NIVEL DE VALENTA.

2

B c B c C) B c

Bi

D E Bi

D E

‫) ﻻ‬

B ‫ﻻ‬ B ‫ﻻ‬ B ‫ﻻ‬

Figura 1 : a) Niveluri de energie şi Benzi de energie; b) c) a) b) la metale;c) semiconductoare;d) izolatoare.

d)

Dar intr-un solid nivelurile de valenta, pe de o parte, si nivelurile de conductie, pe de alta parte, ale diversilor atomi nu sunt absolut egale, ci difera putin intre ele datorita faptului ca atomii interactioneaza. De aceea, intr-un solid vor exista tot atatea niveluri de valenta (v) foarte apropiate si tot atatea nivelurile de conductie (c) foarte apropiate cati atomi contine solidul. Totalitatea nivelurilor v din solid constituie o banda numita BANDA DE VALENTA(Bv), iar totalitatea nivelurilor c formeaza o alta banda numita BANDA DE CONDUCTIE(Bc). Printre particularitatile caracteristice semiconductorilor se afla si mobilitatea purtatorilor de curent (electroni) care ating valori mari 80.000cm2/v la In.sb si 4.000cm2/v.s la Ge, pe cand in cazul metalelor mobilitatea electronilor de conductie nu depaseste cateva sute. Dupa cum se vede, criteriul principal pentru clasificarea corpurilor solide in conductoare, semiconductoare si izolatoare il constituie latimea benzii de niveluri interzise.

3

La randul lor acestia se impart in: a) semiconductori de tip n (donari de electroni). aceste tipuri de purtatori de sarcina aparand pe seama teoriei electronilor din banda de valenta in banda de conductie. semiconductorii se clasifica in SEMICONDUCTORI INTRINSECI SI SEMICONDUCTORI EXTRINSECI. Semiconductori intrinseci. Semiconductori extrinseci. Gratie acestui mecanism. constand in miscarea electronilor in sensul invers campului electric. cand conductia electrica este asigurata numai de miscarea electronilor din banda de conductie (Bc) si a golurilor din banda de valenta (Bv). comportandu-se ca sarcini positive. fiind capabil sa primeasca electroni . cand conductibilitatea este marita in urma unui adaos de impuritati special introduse in cristal. putandu-i furniza acetuteia electroni. incat sub actiunea unui camp electric se produce o dubla deplasare dirijata. acest “gol” este ocupat de electronul unui atom vecin . care la randul lui va lasa alt “gol” si asa mai departe. dar in sens contrar. un atom de element va pierde un electron. In cele din urma “golurile” se succed si ele. intr-un semiconductor va apare simultan o conductie de electroni si alta prin “golurile” rezultate. cand atomii de impuritate prezinta nivele situate in apropierea benzii de conductie.In functie de modul cum se asigura conductia electronica. Conductivitatea intriseca apare numai la materialele semiconductoare pure. 4 . Mecanismul conductiei electrice intr-un semiconductor are loc in felul urmator: sub actiunea unui camp electric. b) semiconductori de tip p (acceptori de electroni) cand atomii de impuritate care se afla in apropierea benzii de valenta au niveluri acceptoare. In locul parasit de electron ramane un “gol” si atomul care a parasit electronul se pozitiveaza. Ulterior.

17 1.29 1.84 1.45 Al Sb 1.30 Pb Se 0.58 2.43 In P 1. concentratie intrinseca: no = po = ni.67 Si 1.34 Intr-un semiconductor pur (fara impuritati) la echilibru termic. eV 0K 300K Cd Se 1. Pentru o temperatura data.35 Ga Sb 0. purtatorii mobili apar numai datorita generarii termice a perechilor electron-gol.19 0.91 3.78 Zn Sb 0.74 Cd Te 1.17 - Cristalul Banda Interzisa.2 Zn D2 3.32 2.5 Se(amorf) 2.44 3.42 Ga P 2. eV 0K 300K Ge 0. astfel incat vor rezulta tot atatia electroni de conductie cate goluri.17 0.0 Cd S 2.74 0. unde no si po reprezinta concentratiile de electroni.26 Cu2 D 2.03 Si C(4ex) 3.52 1. iar concentratia respectiva ni. Semiconductorul in care concentratia de electroni este egal cu cea de goluri se numeste SEMICONDUCTOR INTRINSEC.52 Ga As 1.35 Pb Se 0.81 1.6 Zn D 3.65 1.61 1. no si po sunt marimi care depind de natura semiconductorului pur. 5 .27 Pb S 0.56 In As 0.56 0.29 0. respective de goluri.36 0.4 Zn S 3.Principalii conductori intriseci Cristalul Banda Interzisa. in semiconductorul pur de echilibru termic.14 Se(cristal) 1.

b) Legăturile covalente ale cristalului de germaniu pur (reprezentare simbolică bidimensională a modelului spaţial). bismut. impurificate care se mai numeste si dotarea sau doparea semiconductorului. 6 . semiconductoare de tip n. a) b) SEMICONDUCTOARE CU CONDUCTIVITATE EXTRINSECA Conductivitatea extrinseca apare la semiconductoarele impurificate in mod special cu alte elemente. Acestea se obtin prin dotarea semiconductorului pur cu atomi pentavalenti de: fosfor.+ + + + + Figura 2: a) Mmodul spaţial al legăturilor unui atom de germaniu pur. Patru dintre atomii materialului impurificator vor forma legaturi covalente cu atomi vecini ai demiconductorului de legatura. 1. In functie de elementele folosite pentru impurificare exista doua tipuri de semiconductoare extrinseci: tip n si tip p. in concentratii mici de ordinul 10-7. arsen.

2. bor. galiu. RECOMBINAREA PURTATORILOR DE SARCINA In oricare semiconductoare apare simultan cu procesul de generare a purtatorilor de sarcina (electroni si goluri) un proces de disparitie a lor prin captarea electronilor de conductie de catre goluri.0 eV pentru a efectua aceasta trecere. un electron dintr-o legatura vecina poate sa completeze legatura nesatisfacuta lasand in urma sa un gol. in acest caz “sarcinilor pozitive”. Impuritatile trivalente se numesc impuritati acceptate. iar golurile (“sarcini positive”) reprezinta purtatori minoritari. In consecinta.Al cincilea electron va fi atras numai de nucleul propriu. semiconductoare de tip p. 7 . fata de 0. chiar la temperatura normala.05 eV pentru a deveni electron liber. Aceste semiconductoare se obtin prin dotarea semiconductorului pur cu elemente trivalente: aluminiu. Conductivitatea electrica datorindu-se in principal. Conductivitatea electrica datorindu-se in principal sarcinilor negative(electroni liberi). o legatura ramanand nesatisfacuta (un gol). semiconductorul se numeste de tip p. Atomul de impuritate devine in acest caz ion pozitiv. In acest caz atomii materialului impurificator satisfac numai trei legaturi covalente cu atomii materialului de baza. iridium. Acestui electron ii este suficient un aport de energie de 0. Acestui electron ii este suficient un aport de energie de numai 0. deoarece primesc electroni de la atomii vacini de germanium. Datorita agitatiei termice. deci va avea o legatura mai slaba.76 eV pentru producerea unei perechi electron-gol (in Ge). semiconductorii se numesc de tip n. la semiconductoarele cu impuritati pentavalente electronii (sarcini negative) reprezinta purtatori majoritari de sarcina.

apare o sarcina spatiala pozitiva. In regiunea n. golurile vor trece prin jonctiune din regiunea p in regiunea n. Din cauza concentratiilor diferite de goluri si de electroni. Intervalul de timp intre generarea si disparitia unui purtator de sarcina se numeste timpul de viata al purtatorului care alaturi de rezistivitate este o caracteristica importanta a semiconductorului. apare o sarcina spatiala negativa. in vecinatatea jonctiunii. plecand electroni si lasand goluri. aceasta ionizeaza pozitiv atomii donori. plecand goluri si vazand electroni.Prin recombinare. iar golul dispare. in timp ce in regiunea p golurile sunt purtatori majoritari si electronii purtatori minoritari. zona de contact intre doua regiuni ale aceluiasi cristal de semiconductor. dotata cu impuritati dorsare de tip n. 8 . In regiunea n purtatorii majoritari sunt electronii si purtatori minoritari sunt golurile. din imediata vecinatate a jonctiunii. o regiune. dotata cu impuritati acceptoare. acestia sunt captati de atomii acceptori ionizandu-i negativ. In regiunea p. iar electronii vor trece din regiunea n in regiunea p. electronii liberi devin electroni de valenta. de tip p si o alta regiune. JONCTIUNEA pn Se numeste jonctiunea pn. la aceasta deplasare participand in primul rand purtatorii mobili de sarcina din imediata vecinatate a jonctiunii.

de semne contrare. 9 . Acest camp electric impiedica trecerea in continuare a purtatorilor de sarcina. In aceasta regiune. deoarece sarcina spatiala din regiunea de trecere impiedica difuzia golurilor din p in n. - Deci de o parte si de alta a jonctiunii apar doua straturi cu sarcini electrice. JONCTIUNEA pn POLARIZATA DIRECT Polarizarea directa a unei jonctiuni se face cu ajutorul unei surse de curent (de tensiune) electrica exterioara. legandu-se borna pozitiva a sursei la regiuea p si borna negativa la regiunea n. in care transportul de electroni si de goluri inceteaza. datorita sarcinilor spatiale de semne contrare apare un camp electric orientat dinspre regiunea n spre regiunea p (de sarcini positive la sarcini negative). numit camp de contact Ec.+ + + + + + + - - + + - electron liber gol atom donor ionizat atom acceptor ionizat Figura 3. Se creeaza astfel o stare de echilibru. iar sarcina spatiala negativa din regiunea de trecere impiedica difuzia electronilor din n in p. Aceasta regiune cu sarcini spatiale se numeste regiune de trecere (zona hasurata in figura 3).

se departeaza de zona de contact (jonctiune) iar golurile din 10 . Electronii din regiunea n atrasi de potentialul pozitiv al sursei trec cu usurinta prin jonctiune. prin jonctiunea pn polarizata direct se stabileste un curent electric. care are semn invers campului de contact Ec. deplasarea purtatorilor de sarcina este determinata de acest camp. care se numeste curent direct si are sensul “conventional” de la p la n. fiind atrasi de potentialul pozitiv al sursei. Campul electric produs de aceasta tensiune este orientat in acelasi sens cu campul de contact Ec. golurile din p difuzeaza prin suprafata de contact spre potentialul negativ al sursei. Deoarece campul aplicat are valoare mai mare decat campul de contact. Intensitatea curentului direct creste repede cu cresterea tensiunii de polarizare directa. orientat de la p la n. - Ip In U + + In Ip I direct I invers U - + + - Figura Jonctiunea pn polarizata direct 4. Jonctiunea pn polarizata invers JONCTIUNEA pn POLARIZATA INVERS Polarizarea inversa a jonctiunii pn se obtine prin legarea bornei minus a sursei de tensiune la regiunea p si a bornei plus la regiunea n. intarind actiunea acestuia. In concluzie.Tensiunea aplicata creeaza un camp electric E. Electronii din regiunea n.

dar cu proprietati mai slabe.fosforul. arseniul. siliciu si seleniul. grafitul si artimoniul sunt elemente semiconductoare. densitatea 5. Ca urmare. Functionarea tuturor dispozitivelor semiconductoare se bazeaza pe procese fizice care au loc in jonctiunea pn.33 kg/dm3 la 250C si temperatura de topire 9700C. GERMANIUL este un element tetravalent si se gaseste in natura sub forma de minereu de germaniu.regiunea p. cu o rezistenta electrica foarte mare. in stanga si in dreapta jonctiunii apare o zona saracita de purtatori de sarcina. iar alte dispozitive semiconductoare contin trei sau mai multe jonctiuni pn. numit germanita. zona denumita strat de blocare (zona hasurata in desen). Intensitatea curentului invers este practic independenta de tensiunea de polarizare inversa. Dioda semiconductoare este o jonctiune pn. Germaniu are numarul atomic Z=32. Datorita stratului de blocare. fiind atacat de putini acizi si baze. care contine 3-10% germaniu. In circuit se stabileste totusi un curent extrem de mic datorat purtatorilor minoritari (perechi electron-gol) ca urmare a agitatiei termice. 1. cu sensul “ conventional” de la n la p. Se 11 . jonctiunea pn are proprietatea de a lasa sa circule curentul intr-un singur singur sens. atrase de potentialul negative se departeaza si ele de jonctiune. ELEMENTE SEMICONDUCTOARE Principalele elemente semiconductoare sunt: germaniu. proprietate folosita la redresarea curentului alternativ. Din punct de vedere chimic germaniul este stabil. In afara acestora si telurul. prin care nu circula curent electric determinat de purtatori majoritari. foarte dur si casant si se prelucreaza foarte greu. denumit curent invers. apa nu are nici o influenta asupra germaniului. Este un metal de culoare argintie.

mol-1 g.1019 6. Siliciul are numar atomic Z=14.9.35 0.31 1415 4.6. 102 12.10-6 4.09 2.4. densitatea 2.0.102 1.46 1.05 2.1.45 Masa atomica Densitatea materialului Concentratia atomica Latimea benzii interzise Densitatea efectiva a starilor in banda de conductie Densitatea efectiva a starilor in banda de valenta Mobilitate electronica Mobilitatea golurilor Permitivitatea relativa Camp de strapungere Afinitate electronica Coeficient termica de Caldura specifica Conductivitate termica Temperatura de topire dilatare 144.26 4.6 1. DE A Valorile unor parametric importanti pentru citeva materiale semiconductoare Ge Si GaAs GaP MATERIAL MASURA Structura cristalina PARAMETRUL DE NOTATI UNITATI VALOARE Diamant Diamant Zinc Blende Zinc Blende Parametrul retelei cristaline a M r N Eg Nc Nv μn A0 g.45.14 4. 103 5.1018 3. deosebit de raspandit in natura sub forma de silicate si bioxid de siliciu sau cuart.1.42 2. 103 16 100 4 5. Caracteristicile electrice sunt influentate de concentratia si felul impuritatilor continute in el.32 4.9.86.10-6 0.8.8.1017 1. 102 14 300 4. fiind al doilea element ca raspandire dupa oxigen si reprezinta 25. SILICIUL este un element tetravalent.9.1022 0. 103 μp Er Ecv Cs Ct C l Tf cm-3V-1s-1 kV.4.7.dizolva intr-un amestec de acid azotic si acid fluorhidric chiar la temperatura camerei.0.1019 1.33kg/dm3 si temperature de topire 14000C.0.43 28.103 5.0.1022 1022 1.10-6 0.65.07 3.5.75% din scoarta pamantului.1 1240 1457 12 .1019 8.1 300 150 4.04. Are culoare cenusie-albastra si luciu metalic.63 5.5.7 1.1019 7.31 0.66 72.63 1 5.43 0.9 11.6 C 937 4.8 6.9.1022 1.cm-3 cm-3 eV cm-3 cm-3 cm-3V-1s-1 5.32 4.1018 1. 102 1.12 2.1019 1.0.6 5. 2.33 5.cm-1 eV K-1 Jg-1k-1 Wcm-1k-1 0 1. 10-6 0.

17 1.354 0.81 6.32 712 0.96.06 6.1016 4.10-6 4.5.34 3.48 5.37.8.1017 0.7 50 4.6.1022 2.5 5.77 4.27 942 4.25 0.0.1022 0. 102 4.10-6 0.vale” GaAs valenţă 13 .1019 3.104 5.1017 1.1016 5.vale” foton Zinc Blende Zinc Blende Zinc Blende Zinc Blende Emisie GaSb 6.0.1022 5.3.4. 102 1.3..102 8.7.1 15.38 4.103 6.0.7.1 5.59.6. 104 7.5).2.61 5.68 5.9 4.20 0.06 7.0.10-6 0..1. 1018 7. 103 4.75.7 12.10-6 0.B in Semiconductoare cu bandă indirectă E(k) .18 527 40 10 15.94. 1018 1.25 0.61 3.726 2.5. 103 15.52.869 InAs InSb InP valenţă [100] K Figura 5: Materiale semiconductoare cu bandă directă şi cu bandă indirectă conduc ţie GeSi Bandă interzisă (Eg) A Semiconductoare cu bandă directă Emisie foton E(k) . 1019 8. 103 1.68 1060 (1.1.31 0.59 5.1022 3.7.

Cand temperatura scade. Cand temperatura creste. Apare evident ca un semiconductor poate avea un comportament intrinsec chiar daca este puternic dopat – daca temperatura suficient de mare duce la o concentratie intrinseca care sa depaseasca concentratia de donori sau acceptori. densitatea purtatorilor majoritari este aproximativ aceeasi cu a ionilor dopati deoarece energia de ionizare a impuritatilor are valori reduse. concentratia electronilor fiind inferioara concentratiei de impuritati donoare . La temperaturi joase energia termica a cristalului nu este suficienta pentru ca toate impuritatile donoare sa fie ionizate. semiconductorul devine izolat. si comportamentul este intrisec. concentratia electronilor fiind egala cu concentratia impuritatilor donoare. la temperaturi ridicate ni devine dominant. Astfel. Chiar daca temperatura va creste in continuare concentratia electronilor va ramane practic constanta pe un interval destul de larg de temperatura. Odata cu cresterea temperaturii se atinge conditia de ionizare completa. Acum. Purtatorii devin „inghetati”. (ni››ND sau NA). sau (NA) –densitatea atomilor acceptori raman constante. Se observa ca odata cu cresterea temperaturii comportarea semiconductorului dopat devine „intrinseca”. concentratia intrinseca devine comparabila cu concentratia de atomi donori. reducandu-se astfel concentratia purtatorilor majoritari. din ce in ce mai putini dintre atomii dopati se pot ioniza.EFECTUL TEMPERATURII ASUPRA CONCENTRATIEI DE PURTATORI La temperatura camerei. concentratia intrinseca (ni) creste exponential cu temperatura in timp ce (No) – densitatea atomilor donatori. 14 . In acest context ni≈n≈p.

T(°k) 15 .(n) intrinsec a) extrinsec îngheţare 1/T nn (cm -3) 2•10 6 Ionizare complet a impurităţilor ă intrinsec b) 10 6 extrinsec Figura 6: Dependenţa concentraţiei de purtători în funcţie de temperatură în materialele 300 100 200 400 semiconductoare.

In miscare de deplasare dirijata electronii sufera o tendinta de infranare datorita lovirii lor de structura cristalina a metalului. reprezentand aproximativ 30-40% din numarul pieselor unui aparat electronic. potentiometer. megaohm (MΩ). In mod current in radioelectronica se utilizeaza multiplii lui: kiloohm (kΩ). fiind de tipuri diferite: rezistoare. Conductorul va prezenta o rezistenta R care depinde de natura metalului.TEHNOLOGIA DE FABRICATIE A REZISTOARELOR ELECTRICE Rezistenta electrica reprezinta proprietatea materialelor de a se opune trecerii curentului electric prin ele. termostate. variatoare. Ele au forme si dimensiuni variate. Unitatea de masura pentru rezistenta electrica este ohm-ul (Ω) cu multiplii sai. 16 . 1 kΩ = 103 Ω 1mΩ = 106 Ω 1GΩ = 109 Ω Rezistoarele sunt componente pasive de baza in aparatura electronica. lungimea l si sectiunea S conform relatiei: R=ρ l S . unde ρ = rezistivitate (o constanta ce de depinde de natura materialului) Componentele construite in mod special pentru a prezenta o anumita rezistenta electrica se numesc rezistoare. gigaohm (GΩ).

16 . a caror rezistenta stabilita in procesul de fabricatie ramane constanta pe intreaga perioada de functionare a rezistorilor.CLASIFICAREA REZISTOARELOR R E Z IS T O A R E Mă r im e a c u r e n ţ ilo r .tu rn a te d in .s la b i T ip c o n s tr u c tiv .v a ria b ile E le m e n t c o n d u c to r D s e m ir e g la b ile C u r e n ţi s la b i C u r e n ţi ta r i .ş ta n ţa te d in .fix e po te n ţio m e tr e .ta ri .sp ira liz a te d R e z is to a r e R e z is to a r e n e lin e a r e -p e lic u la re -te rm is to a re -b o b in a te -v a ris to a re -d e v o lu m -fo to re z is te n ţe Dupa tipul constructiv. rezistoarele se clasifica in: rezistoare fixe.

2. O categorie aparte o constituie rezistoarele neliniare care folosesc proprietatile semiconductoare in realizarea unor anumite caracteristici tehnologice. pentru ca in practica. fata de valoarea nominala Rn: t = ± max | R − R1 | x100 R In functie de toleranta. marimea rezistentei nominale este cuprinsa in serii – alcatuind progresii geometrice – de valori nominale 17 . fara a modifica parametrii circuitului unde sunt folosite. exprima in procente abaterea maxima admisibila a valorii reale R a rezistentei. Unitatea de masura este ohm-ul (Ω). Parametrii rezistoarelor Rezistoarele fixe sunt caracterizate printr-o serie de parametric electrici si neelectrici (mecanici si climatici). Toleranta. A obtine toate valorile de rezistenta necesare in montajele electronice ar insemna o marire inutila a complexitatii procesului tehnologic. in vederea efectuarii unor operatii de reglaj. t. Rezistenta nominala Rn – este valoarea rezistentei ce trebuie realizata prin procesul tehnologic si reprezinta marimea rezistentei prezentata in curent continuu la temperatura normala. alcatuindu-se serii de valori in functie de clasele de toleranta (conform recomandarilor Comitetului Electrotehnic International). Toleranta – reprezinta abaterea in procente a valorilor reale fata de valoarea nominala.• rezistoare variabile a caror rezistenta poate fi modificata in anumite limite. in timpul functionarii. principalii parametri electrici sunt: 1. Ea este marcata pe corpul rezistoarelor in clar sau prin codul culorilor. valorile rezistoarelor pot avea abateri de la valorile normale. Din aceasta cauza s-au ales discontinuu valorile nominale ale rezistentei rezistoarelor ce urmeaza a se fabrica.

4 2.3 4.5 1.8 2 2.6 1.9 4.3 4.05 1.1 1.95 2 2.2 3.55 1.06% ±0.3 3.2 4.40 1.525 1.125 1.85 1.7 3 3.25 1.1 1.5 1.45 1.3 1. 100-1000.2 1.2 3.35 1.5 1.3 3.35 3.2 2.3 1.8 1. etc.10 2.2 1.6 2.75 3.3 2.75 1. E6 E12 E24 E28 E96 E192 Seria ±20% ±10% ±5% ±1.025 1. 10-100.1 4. E12 (10%).8 2.5 1.5 3.2 1.1 1.70 1. E24 (5%).250 1.15 1.8 1.050 1. iar seria E24 va contine 24 de valori.75 2.6 3.6 3.05 2.575 1.93 3 3.15 2.5 1.25 2.75 3.4 4.5 2.5 2.5 1 1.9 2 2.6 1.2 1.9 3.150 1. De exemplu seria E6 contine 6 valori.8 3.3 1 1.4 3.6% Toleranta 1 1 1 1.4 1.6 18 .25% ±0.175 1.30 2.2 2.6 3.15 3.2 2.25 3.55 1.7 2.45 2.8 3 3.35 2. Numarul seriei arata cate valori sunt cuprinse intr-o scala de valori: 1-10.90 1.3 1.075 1.70 1.2 2.3 3.65 1.9 4 4.3 3.40 2.5 4.stabilite de recomandari internationale.9 4.4 3.7 2. etc.275 1.4 2.8 1.3 3.7 2.1 4.1 2. Fiecare serie cu numere mai mari de valori va contine si valorile seriilor anterioare.225 1.20 2. Aceste serii sunt notate cu: E6 (20%).6 1.7 3.

5.05.125 125 0.Puterea de disipatie nominala Pn (exprimata in walt) impreuna cu Un.25 250 0. 0. [1 / k ] R dT Pentru o variatie liniara cu temperatura coeficientul devine: 19 .10. exista in seriile de valori nominalizate o singura valoare numita rezistenta critica. definit astfel: αR = 1 ∆R . 16.25. reprezinta puterea electrica maxima si respectiv tensiunea electrica maxima ce se pot aplica rezistorului in regim de functionare indelungata fara a-i modifica caracteristicile. 0. 2. Influenta temperaturii asupra influentei rezistorului este pusa in evidenta de coeficientul termic al rezistentei. 1. 25. in aceeasi clasa de putere si tensiune.Tensiunea nominala. Puterile uzuale standardizate ale rezistoarelor sunt: 0. 40. toate valorile (in afara de valoarea egala cu Rnc) sunt limitate fie de tensiune. 50.125. 4. reprezinta intervalul de temperatura in limitele caruia se asigura functionarea de lunga durata a rezistorului. 12. 6. 1. 1.5 350 1 500 2 700 4. Rnc. 100. Intervalul temperaturilor de lucru. Tensiunile nominale corespunzatoare puterilor nominale (pentru rezistoarele peliculare) Pn(W) Un(V) 0. [1 / k ] R ∆T sau αR = 1 dR . fie de putere. 2 Un Rnc = Pn Deci. Pentru o tensiune nominala Un data si o putere disipata maxima Pn impusa. care poate fi utilizata simultan la cei doi parametric nominali si care este data de relatia: 3.

5.5 « 1μV ±2.5/±5 < 1 μV ±5/±10/±20 < 15μV Valori ale coeficientilor de variatie foarte mici medii mari 20 .5. 15. este exprimata in μV. 6.αR = 1 R2 − R1 . 5. [1 / k ] R1 T2 − T1 unde R1 si R2 reprezinta rezistenta rezistorului la temperatura normala T1 si respectiv la temperatura T2. la sarcina nominala.100[ %] R unde R1 si R2 sunt valorile rezistentei inainte si dupa actiunea factorului considerat. rezistoarele se impart in trei categorii: Categoria de rezistoare Rezistoare etalon Rezistoare de precizie Rezistoare de uz curent Toleranta Tensiune (%) de zgomot ±1/±2. In functie de performante (toleranta. 7. Denumirea clasei de precizie: 0. imbatranire. tensiune de zgomot. 2. Precizia rezistoarelor. este data de obicei de coeficientul de variatie la imbatranire dupa 5. 7. etc este dat de relatia: KR = R2 − R1 . umiditate. Tensiunea electromotoare de zgomot reprezinta valoarea eficace a tensiunii electromotoare care apare la bornele rezistorului in mod aleatoriu si care se datoreste miscarii haotice si miscarii termice a electronilor precum si trecerii curentului prin resistor. In functie de precizia lor .000 de ore de functionare. valori maxime admisibile ale coeficientilor de variatie) rezistoarele se impart in clase de precizie. Coeficientul de variatie a rezistentei la actiunea unor factori externi cum ar fi: depozitare.

pe scara din stanga se citeste curentul I = 10mA. se citeste pe scara din dreapta tensiunea U = 100V. de proprietatile elementului rezistiv si de puterea sa nominala sunt: 150. tensiunea nominala se limiteaza la procesul de incalzire care apare in resistor cand prin el trece curent electric. Cu ajutorul diagramei de mai jos pot fi calculate usor valorile curentilor si tensiunilor corespunzatoare puterii nominale de disipatie. Tensiunea nominala – reprezinta tensiunea care poate fi aplicata rezistorului in conditii normale ale mediului inconjurator fara ca rezistorul sa se distruga. care lucreaza in aer. 8. 200.Diagrama se foloseste in felul urmator: se presupune Rn = 10kΩ si Pn = 1W si se cere sa se determine curentul admisibil I si tensiunea U. Continuand perpendiculara pana la linia corespunzatoare aceleiasi puteri. Pentru rezistoare cu valori relative mai mari ale rezistentei electrice. insa indreptata spre dreapta. 250. 350. Pentru rezistoare de mica rezistenta. influenta principala asura tensiunii de lucru o are strapungerea care poate apare intre terminalele rezistorului si chiar intre spirele alaturate ale elementului conductor. Tensiunea corespunzatoare puterii nominale de disipatie Pn poate fi calculata cu relatia: U = Pn * Rn unde Rn este rezistenta nominala a rezistorului. 21 . 500. din punctul corespunzator valorii de 10kΩ se duce o perpendiculara pe axa orizontala. Marimea tensiunii nominale depinde de dimensiunea si constructia rezistorului. 100V. 750. pana la intersectia cu linia corespunzatoare Pn = 1w (a treia linie oblica de jos in sus indreptata catre stinga). Pentru rezolvare.

Figura7 : Diagrama curenţilor şi tensiunilor corespunzătoare puterii nominale de disipaţie Tensiunea la care se incearca rezistoarele Uproba. este mai mare decat tensiunea nominala.5 – 2) * Un SIMBOLIZAREA SI MARCAREA REZISTOARELOR 22 . de obicei Uproba = ( 1.

O: rezistor cu rezistenta neliniara. dependenta de tensiune (semn tolerat). semn tolerat. F: rezistor cu contact mobil.Rezistoarele sunt marcate conventional. E: rezistor cu contact mobil. G: potentiometru cu contact mobil. K: şunt. M: rezistor cu rezistenta neliniara. dependenta de temperatura –semn tolerat. B: rezistor – semn tolerat. L: element de incalzire. J: rezistenta cu doua prize fixe. cu pozitie de intrerupere.varistor P: resistor cu rezistenta neliniara. N: rezistor cu rezistenta neliniara. dupa cum urmeaza: A B C D E F G H I J K L to M N U O P A: rezistor –semn general. dependenta de tensiune . C: rezistor – semn nestandardizat. dependenta de temperatura(termistor). I: potentiometru cu ajustare predeterminata. 23 . H: potentiometru cu contact mobil. D: rezistor cu rezistenta variabila.

indiferent de modalitatea adoptata. benzi.toleranta valorii nominale in clar (in %) literal sau in codul culorilor. in cod literal sau in codul culorilor.Rezistorul este marcat in clar sau codificat (prin inele. puncte sau prin simboluri alfanumerice codificate international. . Marcarea rezistoarelor in codul culorilor: Culoare Maro Rosu Portocaliu Galben Verde Albastru Violet Gri Alb Negru Auriu Argintiu Nici o culoare Prima cifra 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A doua cifra 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 Coeficient Toleranta de multiplicare 10 ±1% 2 10 ±2% 103 104 105 106 107 108 109 1 10-1 ±5% -2 10 ±10% ±20% 24 .rezistenta nominala cu (Rn) unitatea de masura in clar. in mod obligatoriu se inscrie pe orice tip de resistor: .

permitand obtinerea acetora intr-o gama larga de valori si puteri. In proiectarea si realizarea rezistoarelor se foloseste relatia de mai sus. dar materialele utilizate si modalitatile de fabricatie a rezistoarelor reale sunt destul de variate. datorita pretului de cost unic sunt rezistoarele peliculare.5 F ±1 G ±2 J ±5 K ±10 M ±20 N ±30 REZISTOARE FIXE REZISTOARE PELICULARE Se stie ca pentru un conductor de sectiune S si lungime l. Rezistoarele cele mai frecvent utilizate in industria electronica.Codificarea literala a coeficientilor de multiplicare la valorile rezistentei exprimata in ohmi: Litera Toleranta % B C D ±0. 25 . dintru-un anumit material caracterizat prin rezistivitatea ρ. rezistenta lui electrica este data de relatia urmatoare: R=ρ l S Dependenta rezistentei de acesti parametri este ilustrata in figura 8.25 ±0.1 ±0.

ρAl > ρCu R3 > R 26 .R Cu l S Cu l’ l’ > l R’ > R S Cu l S’ S’ > S R2 > R Al l S Figura8.

care este filetata pentru a creste si a ajusta valoarea rezistentei pana la valoarea nominala dorita. lipirea terminalelor la tronsonul resistor se face prin sudura cu un aliaj de lipit (fludor) 5. care permite realizarea contactului dintre elemental rezistor si terminalele rezistorului 6. cu temperatura constanta. Pelicula rezistiva de carbon se obtine in urma unei reactii chimica – piroliza – de descompunere a unei hidrocarburi saturate (metan. a) Figura 9.Rezistoare peliculare cu pelicula de carbon. benzene. este depusa prin piroliza o pelicula de carbon 2. La capetele tronsonului. keptan. rezervor de azot 2 si un cuptor electric 3. peste pelicula de carbon se depune o pelicula metalica din nichel 4. staniu si decapomt de calofoniu. Structura unui astfel de resistor este prezentata in figura urmatoare si anume. Rezistorul este protejat cu o pelicula de vopsea (lac dielectric). pe un tronson ceramic 1. terminalele axiale si sunt de marimi diferite in functie de puterea nominala disipata. Structura interna a unui resistor cu pelicula de carbon: 1) tronson ceramic 2) pelicula de carbon 3) sant filetat in pelicula de carbon pana la tronsonul ceramic 4) pelicula metalica 5) aliaj de lipit 6) terminal 7) pelicula de vopsea protectoare 27 . benzina de extractie) in atmosfera de azot sau gaz inert. Principial o astfel de reactie se obtine intr-o instalatie alcatuita dintr-un rezervor de hidrocarbura 1. au forma cilindrica. din plumb.

de compozitia amestecului hidrocarbura-azot si de viteza de trecere a tronsoanelor prin cuptor. 1w. rezistorul astfel format este acoperit cu vopsea protectoare si apoi marcat. 0. la un anumit regim termic. Rezistoarele cu pelicula de carbon se realizeaza la urmatoarele puteri nominale: 0. Stratul de carbon depus poate fi strict controlat pentru ca este dependent de temperatura cuptorului. Fazele tehnologice de fabricatie a rezistoarelor cu pelicula de carbon este prezentata pe pagina urmatoare. dupa piraliza si depunerea peliculei de Ni la capete.Tronsoanele ceramice intra in cuptor pe o banda transportoare 4. tronsonul este spiralizat pentru a se ajunge la valoarea nominala dorita pentru resistor. tronsonului astfel obtinut I se lipesc prin sudura terminalele din sarma de cupru dublu cositorita.5W.25W. 2W. Materialele ceramice amestecate cu un liant formeaza o pasta din care se preseaza tronsonul la dimensiunile dorite (in functie de puterea nominala). Procedeul continuu de obtinere a rezistoarelor cu pelicula de carbon: 1) rezervor cu hidrocarbura 2) rezervor de azot 3) cuptor electric 4) banda transportoare 28 . are loc descompunerea hidrocarburii si depunerea stratului de carbon pe tronson. Figura 10. in incinta acestuia.

Urmeaza apoi spiralarea. protejarea cu vopsea si marcarea rezistoarelor astfel obtinute 29 . Deosebita este insa depunerea elementului rezistiv pe tronsonul ceramic: pe suprafata tronsonului se obtine o pelicula de nichel prin depunerea chimica de grosime mai mica de 100 μm (cu cat pelicula este mai subtire. lipirea terminalelor. au un proces tehnologic asemanator cu cel descris mai sus. cu atat se obtine o valoare niminala mai mare).5) tronson ceramic 6) tronson acoperit cu pelicula de 7) carbon si metalizat la capete 8) tronson spiralizat 9) tronson cu terminale sudate 10) resistor vopsit a) tronson ceramic b) tronson acoperit cu pelicula de carbon si metalizat la capete c) tronson spiralizat d) tronson cu terminale sudate e) resistor vopsit b) Rezistoarele cu pelicula de nichel.

Fixarea acestor pelicule se obtine prin tratament termic. Protectia rezistorului astfel obtinut se face prin acoperire cu rasina termodura. urmata de cernire . dimensiuni mici. Acest proces tehnologic este folosit pentru obtinerea valorilor nominale unice. Serigrafia peliculei resistive nu permite obtinerea exacta a valorii nominale si urmeaza o ajustare la valoarea dorita in limetele clasei de toleranta fixate. ceea ce permite realizarea a 100-200 „cipuri” rezistive simultan. Prin aceeasi tehnologie se obtin si rezistoare pentru inalta tensiune (pana la 4 kw). coeficient de variatie cu temperatura scazuta. dar si din alumina (material ceramic special). Separarea cipurilor resistive se face cu laser.(sunt identice la infatisare cu rezistoarele cu pelicula de carbon). Prin serigrafie se depune pe aceste cupiuri o pelicula de Ag-Pd (care va permite conectarea terminalelor) si apoi o pelicula rezistiva formata din oxizi metalici. c) 30 . Ajustarea se face automat. cu ajutorul unor capete de masura care exploreaza placa suport cip cu cip si comanda un jet de pulbere abraziva care inlatura surplusul de pelicula rezistiva pana cand valoarea rezistiva obtinuta se inscrie in clasa de toleranta fixate. intre 1Ω ÷ 330Ω. Rezistoarele cu pelicula de oxizi metalici (sau cu glazura metalica) sunt componente profesionale caracterizate prin precizie si stabilitate ridicate. prin sudura cu aliaj de lipit se asigura plasarea terminalelor din cupru pe zonele de Ag-Pd. retelele rezistive sau de atenuare. In prima etapa. suportul izolant se realizeaza la dimensiuni mari.

Rezistorul bobinat cimentat este alcatuit dintr-un tronson din fibre de sticla 1. Figura 11. 31 . 4 – pelicula de vopsea. 2.Structura internă a unui rezistor bobinat cimentat. 3 – strat de ciment.fir resistor bobinat. 3.REZISTOARE BOBINATE Pentru circuite in care intervin puteri mari ( de la 1W pana la 250 W) se folosesc rezistoare bobinate (cimentate sau corp ceramic). 5 – terminal cu capacel. Procesul tehnologic de obtinere a tronsonului rezistiv echipat cu terminale cu capacel este similar la ambele tipuri. 1. pentru realizarea contactelor exterioare se folosesc terminale axiale prevazute cu capacele. pe care se spiraleaza un fir rezistiv 2. Protectia se realizeaza cu un strat de ciment siliconial peste care se aplica o pelicula de vopsea. In figura 11 este redata structura interna a unui resistor bobinat cimentat. Pentru puteri cuprinse in domeniul 2W ÷ 20W se folosesc rezistoare bobinate in corp ceramic.tronson de fibra de sticla.

termice si electrice. . Din acest tronson se taie tronsoane rezistive necesare obtinerii unei anumite valori nominale (toate aceste operatii se executa la o instalatie complexa complet automata). b) tronson resistor prevazut cu capacele fixate prin presare.prin rasucirea unui manunchi de sticla se obtine un tronson continuu cu bune proprietati mecanice.Principalele faze ale fluxului tehnologic pentru acest tip de rezistoare sunt urmatoarele: . b) c) 32 .pe acest tronson se bobineaza un fir rezistiv din din aliaj CuNi sau Cr-Ni care este fixat pe tronson cu ajutorul unui loc dielectric. cimentate: a) a) tronson de fibra de sticla cu fir conductor spiralat si fixat pe suport.tronsonul este prevazut cu terminale axiale cu capacele care se conecteaza prin presare. c) resistor protejat cu un strat de ciment siliconic. .urmeaza apoi vopsirea si marcarea rezistorului Fazele tehnologice de fabricare a rezistoarelor bobinate.rezistorul astfel obtinut este protejat prin acoperire cu un strat de ciment siliconic. . .

la capetele tronsonului.) sau prin glazurare (terminalele sunt plate. In afara de aceste doua tipuri de rezistoare de putere folosite in aparatura electronica.rezistoare bobinate antiparazitare. Ele constau dintr-un suport izolant (fibre de sticla) pe care se bobineaza un fir conductor fixate cu ajutorul unui lac dielectric. etc. cu sectiune patrata. se mai realizeaza alte tipuri cum ar fi: . iar protectia lor se realizeaza prin cimentare (strat de ciment siliconic. la capete se cimenteaza (cu ciment siliconic). Acest tip de rezistoare se construiesc pentru puteri cuprinse intre 5÷250W. Rezistoarele bobinate de putere sunt construite prin bobinarea unui fir conductor pe un suport ceramic tubular. terminalele sunt sub forma unor capacele … care prin presare realizeaza contactul electric cu firul rezistiv. pot fi reglabile sau fixe.Fazele tehnologice de fabricatie a rezistoarelor bobinate introduce in corp ceramic sunt urmatoarele: 1) obtinerea tronsonului cu conductor spiralizat. sunt acoperite apoi cu un lac protector. Rezistoarele antiparazitare sunt folosite la motoarele auto pentru antiparazitare. . terminalele – fiind coliere radiale de care se pot atasa cabluri litate. 2) fixarea prin presare a terminalelor neegale prevazute cu capacele 3) obtinerea corpului ceramic (prin tehnologie) care poate fi tubular. fixate la capete).rezistoare bobinate de mare putere. 33 . 4) rezistorul este introdus in acest corp ceramic in spatial liber ramas se umple cu material izolant (nisip cuartos). profilat pe diferite dimensiuni.

caolin. Compozitia unui element rezistiv poate fi: carbon-ceramica.etc. 34 . negru de fum) si un material izolant de umplutura (talc. bioxid de titan.Fazele tehnologice de fabricare ale unui resistor bobinat introdus in corp ceramic: atronson rezistiv btronson rezistiv cu terminale fixate ccorp ceramic dprodus final.).Figura 12. lacnegru de fum. O categorie aparte de rezistoare de volum o constituie rezistoarele realizate din materiale semiconductoare. REZISTOARE DE VOLUM Rezistoarele de volum sunt realizate dintr-un amestec de material conductor (grafit. metal-ceramica. la care elementul rezistiv este constituit dintr-o bara de material semiconductor.

Figura 13. admit suprasarcini de scurta durata. chiar si in conditii climatice dificile. Se realizeaza intr-o gama larga de valori (rezistente: 10Ω … 10MΩ) la puteri de 0. 1 si 2W. dar majoritatea proprietatilor electrice sunt inferioare altor tipuri.5. de curent alternative si in impulsuri.Acest tip de componente are o tehnologie simpla si prezinta robustete elastica si mecanica buna. Pot functiona in circuite de curent continuu. sunt ieftine. Rezistoarele de volum au dimensiuni mici. 0.25. nu sunt de precizie si au o siguranta in functionare ridicata. a) structura interna a unui resistor bobinat: 1-granule de material conductor 2 -material izolant b) schema electrica echivalenta 35 . se fabrica usor.

care indica variatia valorii rezistentei electrice R ce trebuie obtinuta la iesirea potentiometrului in functie de pozitia unghiulara sau liniara a cursorului. care depinde de materialul rezistiv si de rezistenta de contact dintre cursor si elementul rezistiv.exponentiale In afara de parametrii electrici proprii fiecarui resistor. el este realizat cu cel putin trei borne de legatura. C. S.logarithmic. intre cursor si elementul rezistiv.invers exponential. c) precizia reglarii.doua corespund capetelor elementului rezistiv si una cursorului. potentiometrele se impart in: .liniare .exponential. b) rezistenta de contact. E.dublu logarithmic. d) legea de variatie a rezistentei. prin deplasarea unui contact mobil (cursor) pe suprafata elementului rezistiv. Constructiv.curba in forma de S (sinusoida. Dupa modul de variatie a rezistentei in functie de unghiul de rotatie al axului. potentiometrele sunt caracterizate de cativa parametri specifici: a) rezistenta reziduala (initiala sau finala) R0 [Ω] este egala cu valoarea maxima admisibila a rezistentelor electrice masurate intre iesirea cursorului si unul din terminal cand cursorul se afla la una din extremitatile unghiului de reglaj.logaritmice . B.liniar. F. cosinusoida) 36 .invers logarithmic. D. Rk. Legile de variatie uzuale sunt: A.REZISTOARE VARIABILE SI SEMIVARIABILE Rezistoarele variabile sau potentiometrele sunt rezistoare a caror rezistenta poate fi variata continuu sau in trepte intre anumite limite.

echipate cu un singur element rezistiv si care pot fi: . .reglabile continuu (de translatie). circulare. .cu comutator si intrerupator.logaritm ic 100 80 C . .Legile de variaţie ale potenţiometrelor. .potentiometre peliculare.cu intrerupator. 37 .circulare (cu o singura rotatie).invers exponen F .multitura (rectilinii. cu pelicula metalica.exponen ţial E . .cu rotatie continua.curb ă în form de S ă 20 ţial 40 E C S 60 A F B D O 20 40 Fig. 14.fotopotentiometre Dupa criterii constructive potentiometrele se impart in: a) simple. elicoidale).dublu logaritm ic S . 60 80 10 In functie de modul de realizare a elementului rezistiv potentiometrele se clasifica in: .Legile de varia ţie ale potenţiom etrelor R/R1 [% ] A . .invers logaritm ic D .potentiometru miniatura (pentru cablaje electronice).liniar B .potentiometre bobinate . cu pelicula de carbon si cu pelicula metalo-ceramica .

Este prevazut cu un mic cilindru de grafit care trebuie sa realizeze contactul electric in orice pozitie a cursorului si sa nu lezeze pelicula rezistenta. elementul rezistiv este o pelicula de grafit. Potentiometrele bobinate sunt folosite in circuite de putere si constau dintr-un suport dielectric (pertinax sau material ceramic) pe care se bobineaza un fir conductor. . Codul folosit pentru potentiometre este P-XXXX.multiax. Dupa modul de executie. Cu. iar toleranta este: ±20% pentru Rn ≤ 250 kΩ si ±30% pentru Rn > 250 kΩ REZISTOARE NELINIARE 38 . Cursorul se realizeaza din bronz fosforos sau aliaj din Ni. Fazele tehnologice de obtinere a potentiometrelor sunt in principiu comune cu cele de la obtinerea rezistoarelor: apar insa repere mecanice specifice si operatii de montare menite sa asigure legatura electrica a cursorului cu exteriorul si protectia componentei.tandem ( cu doua sau mai multe sectiuni comandate de un singur ax pe care sunt fixate cursoare). combinate cu intrerupator. miniatura. Potentiometrele peliculare au un suport dielectric din … sau alumina.inchisa. Cursorul se realizeaza dintro lamela de otel calita care poarta la un capat un element de grafit sau de bronz grafitat.b) multiple: .deschisa. de oxizi metalici sau pelicula cermet. . potentiometrele se impart in varianta: .

fotorezistoare –folosesc proprietatile materialelor semiconductoare pentru a realiza o dependenta neliniara intre tensiune si curent. in acest fel marindu-se conductibilitatea si variatia cu temperatura a rezistivitatii.Pentru rezistoarele fixe sau variabile studiate pana acum.15.pentru varistoare 39 . Caracteristici tensiune-curent pentru rezistoare: a. varistoare. Pentru obtinerea termistoarelor NTC se folosesc oxizi si elemente din grupa fierului: Fe. Mn. prin impurificare cu ioni straini aceste materiale se transforma in semiconductoare. intre tensiunea U care li se aplica si curentul I care le strabate exista o relatie liniara (legile lui Ohm). Ni. in functie de modul de variatie al rezistentei se obtin termistoare cu coeficient de temperatura negativ – NTC (rezistenta scade odata cu cresterea temperaturii) sau cu coeficient de temperatura pozitiv – PTC (rezistenta creste odata cu cresterea temperaturii).rezistoare liniare b. TERMISTOARELE sunt rezistoare a caror rezistenta depinde puternic de temperatura. U = R⋅I sau I = U R deci R= U I Rezistoarele neliniare –termostoare. Cr. Fig.pentru termistoare c.

Intensitatea curentului in ampere (sarcina electrica exprimata in … care trece prin aria sectiunii conductorului intr-o secunda) corespunzatoare acestei sarcini este:
I = q e ⋅ ne ⋅ S ⋅ v e ,

in care

ve[ m / s ] =

l1 [ m] t[ s]

Prin ciocnirea electronilor cu atomii metanului, acestia cedeaza o parte din energia lor cinetica, ce se transforma in caldura ceea ce duce la marirea agitatiei termice rezultand cresterea rezistivitatii. Pentru a caracteriza cresterea rezistivitatii cu temperatura la materialele conductoare s-a adoptat COEFICIENTUL DE TEMPERATURA AL REZISTIVITATII, notat cu α. Considerandu-se ca la temperatura θ1, rezistivitatea materialului este ρ1 care creste la ρ2 cand temperatura creste la θ2, coeficientul de temperatura al rezistivitatii este dat de relatia:
α= ρ 2 − ρ1 ρ1 (θ 2 − θ 1 )

unde:
ρ 2 − ρ1 = cresterea rezistivitatii pe intervalul θ2 −θ1 ρ 2 − ρ1 θ −θ1 ρ1 = cresterea unitatii de rezistivitate pentru intervalul 2

α = cresterea unitatii de rezistivitate pentru o crestere a

temperaturii cu o unitate Valoarea acestui coeficient este totdeauna mai mare decat zero pentru materialele conductoare. Dupa modul in care se comporta cand sunt strabatute de curentul electric, materialele conductoare se clasifica in: - conductoare de ordinul I: metodele si aliajele lor - conductoare de ordinul II:electrolitii. ● Metalele au insusiri specifice care le deosebesc de celelalte 23 de elemente nemetale. Cu exceptia cateorva metale pretioase care se
40

gasesc in scoarta pamantului in stare nativa, restul metalelor se gasesc sub forma de combinatii chimice (oxizi, sulfuri, sulfati, carbonate, silicate, etc.) numite minerale. Mineralele se gasesc in roci impreuna cu care formeaza minereurile. Metalele se extrag din minereuri prin diferite metode. ●Aliajele metalice sunt substante obtinute din contopirea intima a doua sau mai multor elemente chimice dintre care cel putin unul aflat in proportia cea mai mare in aliaj si numit component de baza este un metal. Aliajele se obtin prin topirea elementelor componente.

PROPRIETATILE METALELOR SI ALIAJELOR

41

1. OPTICE 1.1. Culoarea 1.2. Opacitatea 1.3. Luciu metalic 2. FIZICE 2.1. Densitatea 2.2. Fuzibilitatea 2.3. Dilatarea termica 2.4. Conductibilitate termica 2.5. Conductibilitate electrica 2.6. Supraconductibilitate 2.7. Volume si raze atomice 2.8. Raze ionice 2.9. Emisie fotoelectrica 3. MECANICA 3.1. Elasticitate 3.2. Plasticitate 3.3. Duritate 3.4. Rezilienta 3.5. Rezistenta mecanica 3.6. Rezistenta la oboseala 3.7. Tenacitate 4. TEHNOLOGICE 4.1. Capacitate de turnare 4.2. Forjabilitate 4.3. Maleabilitate 4.4. Ductilitate 4.5. Sudabilitate 4.6. Prelucrabilitate 5. CHIMICE 5.1. Starea de oxidare 5.2. Potentialul de oxidare(sau de electrod) METALE SI ALIAJE FOLOSITE IN ELECTROTEHNICA
42

aluminiu mangan: Al+Mn 5.1.2. Fe. silumin: Al+Si 4.alame .obisnuite (Cu+Zn) .speciale : .2. aur (Au) 5.Cu+Ag. Cuprul (Cu) 2.Cu+Al. +Cd. niobiu (Nb) 9. argint (Ag) 5.4.1. Cu+Mn.2. molibden (Mo) 8. +Be. Si. staniu (St) 9. Aluminiu (Al) 4.obisnuite (Cu+Sn) . Si. Aliajele aluminiului 4.2. wolfram (W) 8. +Cr . Cu+Zn 3. zinc (Zn) Metalele folosite pentru obtinerea termistoarelor cu coeficient de temperatura pozitiv sunt pe baza de titan de bariu (BaTiO3) sau 43 .speciale Cu+Zn+Mn.3. Pb. tantal (Ta) 8. Fierul (Fe) 7.3. Metale pretioase 5.4.1. platina (Pt) 6.3. Metale cu inalta temperatura de topire 8. bronzuri . Metale cu joasa temperatura de topire 9.1. P. Aliajele cuprului 2. aldrei: Al+Mg+Si+Fe 4.A.3. duraluminiu: Al+Cu+Mn+Mg 4. DE INALTA CONDUCTIVITATE ELECTRICA 1. Al. Ni.2. Nichelul (Ni) 8. 2.1. plumb (Pb) 9.

Termistoarele cu coeficient de temperatura pozitiv sunt utilizate ca traductoare de temperatura. prin sudura se lipesc terminalele: urmeaza protejarea termistoarelor astfel obtinute cu lac si marcarea. B. cilindri. Marcarea valorii rezistentei nominale se face in clar sau in codul culorilor specificat in catalog (prin benzi colorate sau prin colorarea stratului de protectie). termistoarele se pot obtine sub forma de plachete. PROPRIETATILE ELECTRICE ALE MATERIALELOR ELECTROIZOLANTE 44 B . C sunt constante de material. urmata de tratament termic. Principalele faze tehnologice de obtinere a termistoarelor sunt: 1. impurificate cu ioni tri-. 2. discuri. astfel: B . filament (protejate in tuburi de sticla).pentru termistoarele tip NTC exista relatia: RT = A ⋅ e T pentru termistoarele tip PTC exista relatia: RT = A + C ⋅ e T unde A. pentru compensarea variatiei cu temperatura a altor elemente si ca traductor de temperatura. Legile de variatie ale rezistentei cu temperatura sunt exponentiale. iar T este temperature in 0 K. 3.solutie solida de titan de bariu si titan de strontiu. metalizarea discului prin depunerea peliculei de argint pentru a permite lipirea terminalelor. obtinerea discului termistorului prin presarea materialului ( sub forma de pulbere amestecata cu liant). Termistoarele cu coeficient de temperatura negativ sunt utilizate ca elemente neliniare pentru stabilirea tensiunii sau curentului. tetra-. stabilizatoare si limitatoare de curent in aplicatii ce realizeaza protectia la scurt circuit sau supratensiune. Materialele astfel obtinute sunt amestecate cu un liant si li se aplica o tehnologie asemanatoare materialelor ceramice. sau pentavalenti se obtin materiale semiconductoare de tip n.

pe suprafata dielectricului a) Fig.prin masa (volumul) dielectricului . Acest curent de scurgere este extrem de mic in comparatie cu curentii care trec prin elementele conductoare ale instalatiei electrice. continue Curentul total (curentul de scurgere I) care se stabileste are doua componente: 45 .Proprietatile electrice sunt determinate de cele doua fenomene care apar in dielectrici: de conductie si de polarizare. a) curentul de scurgere in cazul unui dielectric solid supus unei tensiuni continue: a1.a2-armaturi d . In timpul functionarii dielectricul permite trecerea unui curent electric. a) Rezistivitatea de volum si rezistivitatea de suprafata si respectiv rezistenta de volum si rezistenta de suprafata sunt proprietati ale materialului legate de fenomenul de inductie electrica.dielectric b) b) schema echivanenta a dielectricului supus tens. Curentul de conductie are doua cai de trecere prin dielectric: .

care trece de la o armature la cealalta pe suprafata dielectricului I = IV + I S Trecand prin cele doua cai curentul intampina o rezistenta de volum R si o rezistenta de suprafata Rs. Rezistenta totala a dielectricului Riz se determina astfel: U R = . deoarece cele doua rezistente Rv si Rs sunt legate in paralel.I.dielectric 46 . Adica: curentul Iv.a2 – armature b) de suprafata d . care trece intre cele doua armature prin volumul dielectricului curentul Is. II. Rezistenta unitatii de volum este rezistenta specifica de volum si se numeste rezistivitate de volum. Figura Schema de principiu pentru determinarea rezistivitatii dielectricilor solizi a) de volum a1. I iz in care Riz = Rv ⋅ R s Rv + R s .

c) Constanta dielectrica sau permitivitatea dielectrica este o proprietate a materialului legata de fenomenul de polarizare electrica. Fig.armaturile condensatorului se incarca cu sarcini egale si 47 . Rezistivitatea de suprafata ρs este definite ca rezistenta electrica masurata in curent continuu a unei suprafete de dielectric d delimitate de doi electrozi in forma de cutit (vezi figura de mai sus a1 si a2). Aplicand condensatorului din figura o tensiune continua U. de unde ρ v = Rv ⋅ S h . ρv si = [ Ω⋅ cm ] in care: h = inaltimea cubului S = aria unei fete a cubului Rezistenta unitatii de suprafata este rezistenta specifica de suprafata si se numeste rezistivitate de suprafata. de unde ρ s = Rs ⋅ b l in care: l = lungimea electrozilor-cutit l = distanta dintre electrozi.Rezistivitatea de volum ρv este definita ca rezistenta eletrica masurata in curent continuu cu un cub din dielectric cu latura egala cu unitatea. Rezistenta de suprafata este: Rs = ρ s ⋅ l b . Rezistenta de volum este: Rv = ρ v ⋅ h S .

cu valoarea masura farad pe metru (F/m). in care: C = capacitatea condensatorului cu dielectricul considerat Co = capacitatea condensatorului cu dielectricul vid. definit de relatia: 48 . iar daca condensatorului I se aplica o tensiune alternative. iar campul electric corespunzator acestei tensiuni se numeste camp de strapungere sau rigiditate dielectrica.semnul sarcinilor pe armaturi se inverseaza in permanenta. Q = C ⋅U in care: C = factor de proportionalitate si poarta numele de capacitate electrica a condensatorului U = tensiunea aplicata condensatorului Marimea care caracterizeaza fiecare dielectric se numeste constanta dielectrica absoluta sau permitivitate absoluta si se noteaza cu epsilon (ε). unde ε = ε0 ⋅εr in care: ε0 = permitivitatea vidului. .de semn contrar +Q si –Q. 4 4π ⋅ 10 9 εr = si unitatea de C C0 εr = permitivitatea relativa a dielectricului. Tensiunea la care are loc strapungerea se numeste tensiune de strapungere Ustr. Prin urmare se poate scrie expresia capacitatii sub forma: C =ε ⋅ S d . c)Rigiditatea dielectricului este o proprietate a materialului legata de fenomenul de strapungere (pierderea proprietatii de izolant) sub influenta campului electric.

Daca dielectricii condensatorului ar fi ideali (nestrabatut de curent). in timp ce dielectricii solozi se distrug prin strapungere. cat si de fenomenul de polarizare. Pierderile in dielectric reprezinta putere: 2 P = U ⋅ I ⋅ cos ϕ si cum ϕ= π 2 → cos ϕ = o . dar pentru dielectricul real curentul I este π defazat fata de tensiune cu un unghi ϕ =< 2 .E str = U str d . deci P =o la dielectricul ideal. fenomen care determina pierderi electrice in dielectrici. ar fi defazat inaintea tensiunii cu un unghi π ϕ= . Complementul unghiului de defazaj se noteaza cu δ si se numeste unghi de pierderi. prin sursa. Dielectricii gazosi si lichizi isi refac proprietatile izolante dupa strapungere indata ce campul electricdispare. curentul care se stabileste in circuit intre cele doua armaturi. δ= π −ϕ 2 49 . c)Tangenta unghiului de pierderi este o proprietate a materialului legata atat de fenomenul de conductie. unde: d = grosimea dielectricului. Rigiditatea dielectrica se masoara in KV/cm sau KV/mm.

Influenteaza tangenta unghiului de pierderi (care creste odata cu cresterea umiditatii din material)si rezistivitatea de volum ρv (care scade cu cresterea umiditatii). masa Densitatea d = volum . se exprima in kg/dm3 Parazitatea este raportul dintre Vp – volumul parilor si Vt – volumul total al unei mostre de material: P( % ) = Vp Vt ⋅ 100 A) B) C) 50 . precum si de parazitatea materialului.Unghiul de pierderi in dielectric: a) defazajul dintre tensiune si curent in cazul dielectricului ideal b) defazajul dintre tensiune si curent in cazul dielectricului real PROPRIETATILE FIZICO-CHIMICE ALE MATERIALELOR ELECTROIZOLANTE Higroscopicitatea este proprietatea dielectricului de a absorbi umiditatea din mediul ambient si depinde de compozitia chimica si structurala.

F. cu conditia sa-si pastreze caracteristicile de baza garantate. E. 180o si peste 180o C. 155o. B.D) E) F) G) H) I) Conductibilitatea termica reprezinta proprietatea materialului de a conduce caldura si se apreciaza prin conductivitatea termica numeric egala cu caldura care trece in unitatea de timp prin unitatea de suprafata considerate. Stabilitatea la temperaturi scazute este proprietatea materialelor electroizolante de a-si mentine principalele caracteristici electrice si mecanice in conditiile temperaturilor scazute (-60o ÷ -70o C). Se masoara in wait pe metro si grad de temperatura. apa. In functie de temperatura maxima admisibila de utilizare materialele termoizolante se incadreaza in urmatoarele sapte clase de izolatie: Y. Stabilitatea chimica reprezinta rezistenta materialelor fata de acizi. etc. H si C carora le corespund urmatoarele temperaturi maxime admisibile de utilizare: 90o. Stabilitatea termica este proprietatea materialelor electroizolante de a rezista timp indelungat la o anumita temperatura admisibila. 120o. Solubilitatea este proprietatea materialelor electroizolante de a se putea dizolva intr-o substanta lichida numit solvent. A. 51 . gaze. 130o. baze. saruri solubile. pentru diferenta de temperatura de un grad. Punctul de aprindere si punctual de inflamabilitate reprezinta temperatura cea mai joasa la care un material emite o cantitate suficienta de vapori care poate da cu aerul inconjurator un amestec combustibil ce se poate aprinde cu ajutorul unei flacari – caz in care se determina punctul de inflamabilitate sau se poate aprinde singur – caz in care se determina punctul de aprindere. 105o.

micsorandu-se astfel sansele de formare a arcului electric dintre doi electrozi sau ajutand la stingerea sa (hexaflorura de sulf – SF – Frigen 12 pentru Germania sau Genetron 12 – pentru SUA – folosit ca izolant sau agent de racire la frigidere electrice). Se utilizeaza ca dielectric in condensatoare de inalta tensiune. o actiune coroziva asupra unor metale. la transformatoare cu ulei – perne de azot – pentru evitarea oxidarii si sub presiune este folosit la ungerea unor cabluri de inalta tensiune. GAZELE ELECTRONEGATIVE – se numesc astfel. HIDROGENUL – este cel mai usor gaz. dar transmit mai bine caldura.MATERIALE ELECTROIZOLANTE GAZOASE AERUL – la presiune normala este present in toate dispozitivele si instalatiilor electrotehnice. MATERIALE ELECTROIZOLANTE LICHIDE Sunt materialele care in timpul exploatarii se gasesc in stare lichida.4 ori mai mica decat cea a aerului) frecarile in masinile electrice rotative sunt de doua ori mai mici la utilizarea sa ca mediu de racire in locul aerului. Este lipsit de toxicitate dar exercita in timp. datorita tendintei lor de a absorbi electronii liberi cu care vin in contact. Se utilizeaza ca mediu de racire in special la masinile electrice cu turatie mare. iar in unele dintre acestea si la presiuni ridicate sau foarte scazute. Majoritatea dielectricilor lichizi sunt inflamabili. AZOTUL are aproximativ aceleasi caracteristici ca si aerul fara insa sa favorizeze oxidare a uleiurilor si a materialelor electroizolante. Amestecul hidrogenului in anumite proportii cu aerul este exploziv. se 52 . Sunt mai grele si mai vampe decat gazele. Din cauza densitatii sale reduse (14. o actiune de degardare asupra unor materiale electroizolante si de oxidare a uleiurilor. Ele prezinta avantajul ca ocupa toate spatiile libere si dupa strapungere se regenereaza instantaneu.

termoplaste sau termorigide. . insa se transforma ireversibil. 1) Rasini – sunt substante macromoleculare (contin peste 1000 de atomi in molecula) naturale sau sintetice. Rasina termoplasta la caldura se inmoaie si se topeste reversibil (poate fi retopita).tangenta unghiului de pierderi. . . adica se carbonizeaza.rigiditatea dielectrica.ulei de transformator .oxideaza in timp.clorurate . .uleiuri vegetale (de in ) .punct de inflamabilitate. Ca dielectrici lichizi se utilizeaza: . .ulei de condensator .temperatura maxima admisibila de exploatare.uleiurile minerale: . Proprietatile esentiale ale uleiului variaza cu compozitia lui si sunt: .siliconice Toate uleiurile sintetice sunt mai scumpe decat uleiurile naturale. rasina termorigida (sau termoactiva) nu se inmoaie la caldura. MATERIALE ELECTROIZOLANTE SOLIDE.vascozitate mica. dau amestecuri gazoase inflamabile sau toxice si ataca intr-o oarecare masura materialele conductoare si electroizolante solide cu care vin in contact. 53 . adica compusi ai carbonului.fluourate . ORGANICE Cea mai mare parte dintre aceste materiale sunt materiale organice. .uleiuri sintetice: .ulei de cablu .permitivitatea relativa.rezistivitatea.

uneori si termice superioare rasinilor.2. 1. Rasini sintetice de polimerizare:. policondensare si poliaditie). Materialul plastic presat este alcatuit din: .polisterii 1. 1.poliuretonice Materiale plastice presate – au caracteristici mecanice. sunt obtinute prin gruparea moleculelor mici (monomerul sub efectul presiunii si al temperaturii si in prezenta unor catalizatori prin urmatoarele reactii: polimerizare.fenoplastele (rasini bachelitice) . coloranti si alte substante care ii maresc plasticitatea si ii micsoreaza fragilitatea si care ii dau culoare. 1. In functie de rasina utilizata ca liant se deosebesc materiale plastice termoplaste si termorigide. fire textile) si anorganica (cuart.epoxidice . Exemple de rasini naturale: selacul.2. Rasini sintetice de polimerizare:.1. al unor arbori rasinosi sau obtinute din arbori rasinosi aflati in pamant in descompunere.3. colofoniu. Rasini sintetice de polimerizare:.2.2. Materialul plastic poate sa mai contina plastifianti. dar si ii inrautatesc proprietatile electrice. praf de mica.polietilena .policlorura de vinil . hartie. Rasini sintetice.liant (rasina pura) . 2) 54 . in schimb au proprietati electrice mai slabe decat acestea. azbest).2. sunt produsul fiziologic al unor vietati.polistirenul .aminoplastele .politetrafluoretilena 1.Rasini naturale.poliamidele .umplutura organica (rumegus de lemn. capolurile (chihlimbarul).1.

rezistenta mare la sfasiere. Stratificatele se fabrica sub forma de placi. melaminice. topindu-se. care se introduce apoi in prese incalzite. Hartiile cele mai utizate sunt urmatoarele: . cu greutate moleculara intre 1000 si 2000 g ce se obtine din lemnul de conifere. siliconice. cartoanelor si tesaturilor. bumbac. 3) Materiale plastice stratificate Stratificatele se realizeaza din straturi suprapuse (din hartii de impregnare. Stratificatele in placi se obtin suprapunandu-se hartile. fire de sticla cu lungimi de cca 45 mm. tuburi sau cilindri din care se realizeaza diverse piese.1.06 – 0. rigiditate dielectrica mare. tesaturi din fire de sticla sau din fire de azbest. carbomidice. patrunde in porii materialului suport. 4. obtinandu-se placile termorigide. impregnate cu lac pe baza de rasini termorigide. densitate mica. deci si foarte higroscopica aceasta fiind si cauza pentru care toate produsele pe baza de celuloza sunt utilizate in electrotehnica numai impregnate cu lacuri (aceste produse nu pot suporta temperaturi ridicate). iar apoi prin policondensare (sau poliaditie) se intareste.08 si 0. . care se obtin introducandu-se in masa lor. in canepa etc. densitate mica. inca fluida. tesaturi din fire de bumbac sau din fire sintetice.034 mm. 55 . stabilitate chimica si termica si bune proprietati electrice. tesaturile sau furnirul. rigiditate dielectrica mare. In timpul presarii rasina. epoxidice. tangenta unghiului de pierderi mica. furnir de lemn) fixate intre ele printr-o rasina termorigida. 4) Materiale pe baza de celuloza Celuloza este substanta macromoleculara naturala.pentru cabluri electrice grosime 0. Celuloza se utilizeaza in industria electrotehnica la fabricarea hartiilor. ceea ce le confera acestora rezistenta mare la incovoiere si intindere.Recent sau realizat materiale plastice armate cu fire de sticla.pentru condensatoare grosime 0.12 mm. Este foarte poroasa. Ca rasini se folosesc cele bachelitice. permitivitate 45.

. .03 mm.pentru produsele de mica cu grosimi intre 0. 4. formand o pelicula electroizolanta. .tesaturi textile impregnate cu lacuri uleiose (tesaturi galbene) . lacuri are ca rezultat cresterea rigiditatii dielectrice de la 20 la 70 KW/cm.tesaturi textile impregnate cu lacuri bituminoase (tesaturi negre) Firele sintetice sunt superioare firelor naturale din punctu de vedere al rezistentei mecanice si al proprietatilor electroizolante. presate in stare umeda.fire de bumbac sau matase (izolarea conductoarelor) . densitate redusa 0.05 mm si rezistenta mare la rasucire).umplutura la materialele plastice presate (sub forma de rumegus).pene pentru crestaturile masinilor electrice.stalpi pentru liniile electrice si de telecomunicatii.07 mm. .pentru impregnare si rulare grosimi 0.05 – 0. 5) Lacuri electroizolante. cu rezistenta de rupere la tractiune. . Impregnarea lemnului cu ulei de transformator. sunt materialele lichide in timpul utilizarii lor si se solidifica dupa aplicare. 4.0025 si 0. desi nu poate fi considerat ca un material electroizolant propriuzis isi gaseste utilizarea in electrotehnica la fabricarea unor piese: .suporturi pentru miezul transformatoarelor in ulei.3.25 si 7 mm. 4.hartia acetilata obtinuta cu tratarea cu acid acetic a fibrelor de celuloza in prezenta unui catalizator. Este utilizat in constructia masinilor electrice. a miezurilor magnetice.2. 56 .de telefonie – pentru izolarea cablurilor telefonice si a conductoarelor de bobinaj (grosime 0.4. Lemnul.12 mm respective 0.5 – 0. .parghii de intrerupatoare si separatoare. . . cu parafina. Cartorul electrotehnic sau presparul este format din numeroase straturi de hartie fina. fiind complet nehigroscopice.6 kg/dm3. Fire si tesaturi textile naturale .. rezultand grosimi intre 0. transformatoarelor si condensatoarelor.de talc – pentru izolarea acestora.

baza lacului (rasina naturala sau sintetica. numite si asfalturi sunt provenite din zacaminte care se gasesc in apropierea celor de titei din care sau format. toluene. uleiuri fara sa contina solventi. Sunt utilizate la fabricarea lacurilor de impregnare.lacuri de acoperire . iar la temperature obisnuita sunt fragile si au higroscapacitate redusa. In functie de domeniul de utilizare se deosebesc: . iar masa izolanta se obtine prin racirea compundurilor topite (nu formeaza pelicule). Bitumurile si asfalturile au culoarea neagra sau brun-inchisa. bitumuri. Bitumurile naturale. plastifianti. glicerina.compunduri de impregnare . bitum.lacuri de lipire . se sulf si oxigen. ceruri. in cantitati mici. catalizatori.) Lacurile electroizolante mai pot contine materiale auxiliare ca: pigmenti. in uleiuri si mai greu in benzina.lacuri de impregnare .compunduri de umplere. ulei … sau amestecuri din aceste materiale) care va forma pelicula. etc. . Bitumuri sunt amestecurile de hidrocarburi cu continut. etc. dar se dizolva in hidrocarburi aromatice.solventul (alcool. 6) Compunduri(mase electroizolante). Bitumurile artificiale – numite simplu bitumuri – se obtin din distilarea produselor petroliere.Componentele principale ale unui lac electroizolant sunt: . a compundurilor de impregnare si acoperire. Pentru a fi utilizate ele se incalzesc si se inmoaie. Astfel se deosebesc: . Prin adaos de sulf ambele devin termorigide. cloroform. benzene.lacuri de emailare. sunt amestecuri de rasini. Nu sunt solubile in apa si nici in alcool. 7) 57 . sunt termoplastice.

au cost mai ridicat.MATERIALE ELECTROIZOLANTE SOLIDE.sticla pentru emailare.proprietati electrice slabe . azbestul.nu pot fi obtinute in grosimi mici si in fire subtiri .stabilitate termica ridicata (peste 200 C) . transparent. ceramica. organice. Ele prezinta.sticla pentru izolare .sunt fragile si au o rezistenta redusa la intindere .sticla de umplutura. . . nu este atacata de baze si acizi cu exceptia acidului fluorhidric In functie de domeniul de utilizare se deosebesc: . organice: . fata de materialele electroizolante solide. casant. 58 . ANORGANICE Materialele electroizolante solide. ardezia. STICLA – rezulta din topirea amestecului de cuart (bioxid de siliciu) cu diversi oxizi metalici si racire brusca a amestecului topit. urmatoarele avantaje: o . marmura.nu se carbonizeaza si nu se corodeaza sub efectul arcului electric . . nehigroscopic.nu se oxideaza . obtinandu-se diferite sticle cu proprietati in functie de oxidul metallic folosit. .au o buna stabilitate chimica.se prelucreaza mai greu . Este un material termoplast.sticla pentru lampi electrice si tuburi electronice. mica.sticla pentru fibre. anorganice folosite in electrotehnica sunt: sticla. dar prezinta si unele dezavantaje fata de materialele electroizolante solide.sticla pentru condensare.

10-4 800oC Produse pe baza de mica: . MICA – este material electroizolant natural.micalexul.hartia de mica.8 5. are proprietati asemanatoare cu mica naturala.2 [kg/dm3] 6.fibre de sticla pentru comunicatii.micabanda. Azbestul este foarte higroscopic. AZBESTUL – este material natural. In electrotehnica sunt utilizate doua varietati de mica: muscovite si flogopit. de garnitura. de colector. de fluorura de potasiu si siliciu.0 2000 … 2500 1015 … 1014 3. au lungimi pana la 25 mm si sunt mult mai subtiri decat cele de bumbac si lana (pot avea pana la 1/1000 din diametrul firului de par). ..10-4 500oC FLOGOPIT 2. . 59 .6 … 2. .micafoliu. pe care o poate inlocui.micanitele: de formare.termomicanita. flexibile. Mica sintetica este un amestec de oxizi de aluminiu. .0 … 7. serpentinul fiind cel mai raspandit minereu de azbest.cm] tangenta unghiului de pierderi [tg δ] temperature maxima de lucru = Qmax MUSCOVIT 2. avand coeficientul de dilatare liniar apropiat de cel al materialelor utilizate (ca valoare a coeficientului). Se utilizeaza si ca izolant termic avand temperatura maxima de 315oC de folosire.0 2000 13 10 … 1015 15.7 … 3. . Firele de azbest sunt flexibile. de siliciu. CARACTERISTICI densitate = d[kg/dm3] permitivitate relativa = εr rigiditate dielectrica = Estr [kv/cm] rezistivitate de volum = ρv [Ω. .hartia de sticla.0 … 6. are pierderi dielectrice mari si pentru a putea fi folosit ca material termoizolant se impregneaza.

portelanul electrotehnic .ceramica cu compusi de titan CABLAJE IMPRIMATE NOTIUNI GENERALE Utilizarea cablajelor (circuitelor) imprimate constituie actualmente solutia constructiva cea mai perfoemanta si mai raspandita de interconectare a componentelor in circuite electrice / electronice din montaje. Pentru obtinerea pieselor din ceramica. introducand modificari importante in constructia si tehnologia echipamentelor electronice atat profesionale cat si de larg consum. Element sau componenta imprimata este un rezistor. filare (conventionale). realizata pe un suport izolant sub forma unor acoperiri metalice sau de alte materiale.ultraportelanul .stealita . 60 . prin diverse procedee de modelare se obtin piese. etc. aparate si echipamente electronice. Folosite pentru prima data in 1945 (in aparatura militara) cablajele imprimate au inlocuit treptat si pretutindeni.ceramica de oxid de aluminiu . vechile cablaje “ spatiale”. Ceramicele electrotehnice sunt: . elementele componente se amesteca cu apa formand o pasta. bobina. care se usuca si se ard in cuptoare tunel la anumite temperaturi.CERAMICA ELECTROTEHNICA – se obtine din amestecuri de silicate si oxizi. iar din pasta. Conductor imprimat este o portiune a acoperirii conductoare depusa pe un suport izolant. condensator.

Dezavantajele utilizarii circuitelor imprimate sunt: . .asigura pozitionarea precisa si fixa a componentelor electronice. .dispunerea bidimensionala a cablajelor imprimate limiteaza folosirea eficienta a contactelor multipin. creand conditii pentru mecanizare si automatizare. termice si mecanice. modulelor) functionale din structura aparatelor sau echipamentelor electronice.Cablaj imprimat este un cablaj prefabricat in care legaturile conductoare intre componentele discrete sunt realizate sub forma de benzi sau suprafete conductoare depuse pe un suport izolant. . . Avantajele utilizarii circuitelor imprimate sunt: . deoarece se reduce cantitatea de lucru pentru asamblare. .realizeaza o mare densitate de montare a componentelor.productivitate mare.fac posibila unificarea si standardizarea constructiva a subansamblelor (blocurilor. permitand reducerea volumului si a greutatii (deci miniaturizarea) aparatelor electronice. .majoritatea tipurilor de cablaje imprimate sunt sensibile la soc termic – ceea ce impune unele precautii la lipirea/dezlipirea terminalelor componentelor.orice modificari ulterioare ale circuitelor sunt relative dificil de efectuat. rapida si precisa a acestora.legaturile de IF sunt greu de … . .asigura o rezistenta superioara echipamentelor electronice (din care fac parte) la solicitari mecanice. 61 . permitand interconectarea simpla. iar circuitele care prelucreaza semnale de RF de putere cer consideratii speciale in proiectoare.

Din cadrul acestei categorii materialul cel mai folosit este PERTINAXUL (temperatura maxima de lucru 105oC) rezultat pe baza de textura de hartie imprimata cu rasini fenolice. electrice. rezistenta termica mare.material de umplutura: hartie. azbest. . sticla. 62 . .conditii geometrice = plancitate. rezistenta mecanica si la socuri.conditii electrice = rigiditate dielectrica si permitivitate corespunzatoare conditiilor climatice de utilizare.material de impregnare: rasini epoxidice.material de impregnare: rasina sintetica fenol sau crezolformalalchida. a) suport izolant al circuitelor imprimate este realizat din materiale avand proprietati fizico-chimice.conditii fizico-chimice = omogenitate. etc. mecanice si termice adecvate si anume: . Ca materiale suport pentru cablaje si circuite imprimate se folosesc stratificate organice si suporturi anorganice. Este considerat materialul standard pentru solicitari normale in cele mai diverse aplicatii. au rezistenta mecanica si chimica buna. capacitate de absortie a apei. densitate. nilon.STRUCTURA SI CLASIFICAREA CABLAJELOR IMPRIMATE Un cablaj imprimat este un sistem de conductoare plate (imprimate) amplasate in unul. conductibilitate termica mare. 1) stratificate fenolice: . 2) stratificate epoxidice: .conditii termice = coeficient de dilatare mic. rezistenta de izolatie. dimensiuni prescrise in tolerante date . tesaturi de bumbac. . pot fi folosite la temperature mari.caracteristici: sunt ieftine. doua sau mai multe plane paralele si fixate cu adezivi pe suprafata unui electroizolant (dielectric) care asigura si sustinerea mecanica a componentelor. .

rezistenta buna la izolatie. Cablajele imprimate cu suport stratificat epoxidic se utilizeaza in aparatura electronica din mediul marin si in scopuri militare datorita proprietatilor deosebite. tesaturi de bumbac. rezistenta buna la caldura si umiditate (coeficient mic de dilatare). lipirea foliei de cupru se face fara adezivi. Se folosesc in deosebi la aparatura electronica de masurare si control si la construirea comutatoarelor. pierderi mici. tractiune.material de umplutura: azbest. nilon. sticla: . .material de impregnare: rasini siliconice.material de umplutura: azbest.material de umplutura: hartie. azbest. pierderi mici. Din cadrul acestei categorii cel mai folosit este STECLOTEXTOLITUL (temperatura maxima de lucru 150oC) pe baza de textura din fibra de sticla impregnate cu rasini epoxidice. compresiune si flexiune).material de impregnare: rasini fluorocarbonice. . din cauza constantei dielectrice mici. tesaturi de bumbac. Se utilizeaza numai la frecvente inalte si in circuite cu densitate mare de componente. rezistivitate mare. nylon. .caracteristici: rezistivitate ridicata. azbest. TEFLON (max. . 4) stratificate siliconice: .caracteristici: rezistenta mecanica foarte buna (la soc. prezinta o buna adeziune la metal si nu are nevoie de adezivi. sticla. Materialul de baza este ceramica. 274oC) si 63 . 5) stratificate cu teflon: .. . sticla. Suportul pe baza de teflon are aplicatii limitate deoarece este scump. 200oC).material de umplutura: hartie. . coeficient de dilatare foarte mic. sticla. Circuitele imprimate flexibile utilizeaza drept suport materiale termoplate ca: ACLAR (max.material de impregnare: rasini melamino-gliptolice. nilon.caracteristici: buna planeitate. 3) stratificate melaminice: . hartie.caracteristici: absortie de apa nula.

In general. cele mai utilizate ca suport de cablaje in circuite imprimate sunt: . Folia de cupru se obtine prin depunerea cuprului pe un tambur de plumb care se roteste cu o viteza constanta si mica in baia electrolitica (vezi figura).anod 64 .materialele ceramice.metalele.5%). Dintre suporturile anorganice.sticla. in deosebi aluminiul. cel mai frecvent utilizat material este cuprul electrololitic de inalta puritate (99. b) Metalul de placare Traseele conductoare (cablajul imprimat propriu-zis) se realizeaza din matriale avand proprietati adecvate: rezistivitate electrica redusa. rezistenta mare la coroziune. Alte materiale folosite sunt: BERILIU (max. fie de la pulbere de argint. 1600oC). 1500oC) si ALUMINA (max. la care izolatia electrica se obtine prin formarea unui strat de oxid la suprafata. Fig. Procedeul de obtinere a foliei de cupru prin depunere electrolitica: 1 – tambur 2 – folie de cupru 3 – catod 4 . . . pe care se fac depuneri de argint plecand fie de la solutii coloidale.KAPTON (max. 400oC). buna sudabilitate.

CU SUPORT FLEXIBIL -au tendinta de a inlocui – in ultimul timp. CLASIFICAREA CABLAJELOR IMPRIMATE CU O FATA .placat”.. poliviril butinol. atat cablajele imprimate rigide alaturate cat si . de exemplu. In unele aplicatii profesionale se pot utiliza si aurul. Procesul de realizare este mai complex. Nu se folosesc adezivi pe baza de rasini termoplastice. fiind destinate – in special aparaturii electronice de larg consum. dar si pentru asigurarea unor contacte electrice fiabile folia se acopera uneori cu o pelicula de cositor (ce contine Sn 55-75%) de aur sau de argint. Dar procesul lor tehnologic de realizare este complex si costisitor deoarece metalizarea gaurilor este mult mai dificila.formele de cablu (compuse din diferite tipuri de conductoare) care interconecteaza subansamble ale echipamentelor electronice. motiv pentru care ponderea lor pe ansamblul productive de cablaje imprimate este in scadere.. implicand in unele cazuri si metalizarea gaurilor in care se implanteaza terminalele componentelor electronice. Argintul micsoreaza. 65 . Materialele electroizolante. dupa care I se asperizeaza suprafata pentru aderarea adezivului si se aplica pe suprafata suportului electroizolant cu care formeaza semifabricatul . izocianati. Nu permit obtinerea unor densitati mari de montaj.simplu strat” sau monostrat – sunt cele mai vechi si mai frecvent utilizate cablaje. policloropen modificat cu rasini fenol furfurolic pentru suporturi tip PERTIMAX. argintul sau nichelul in scopul facilitarii lipirii terminalelor componentelor – pe busole conductoare.Folia de cupru se obtine si prin laminare. se exfoliaza metalul de pe cablaj. Au cel mai simplu process tehnologic de fabricatie si cele mai reduse costuri de productie. Lipirea componentelor pe astfel de cablaje este mai avantajoasa daca se efectueaza manual sin u automat. deoarece acestea au o rezistenta termica redusa.. MULTISTRATAT Sunt destinate exclusive echipamentelor electronice profesionale intrucat asigura o densitate de montaj si proprietati electrice superioare tuturor celorlalte tipuri – permitand interconectarea mai simpla a numeroase circuite integrate de tip LSI sau VLSI. CU DOUA FETE . umiditate si tensiune. stratificate epoxidice si stratificate teflonice – de tip STECLOTEXTOLIT nu au nevoie de adezivi pentru lipirea foliei metalice. c) Adezivii Folositi la placarea stratificatelor (fixarea foliei de cupru pe suportul electroizolant) sunt de regula rasini epoxidice plastifiante. iar la temperatura de lipire a aliajului de lipire a componentelor..dublu strat” actualmente cele mai utilizate in constructia aparatelor si echipamentelor electronice profesionale intrucat asigura o densitate mare de montaj la un prêt de cost relative scazut. rezistenta durica dar are tendinta de migrare in materialul dielectric in functie de temperatura. cauciuc … .

3 – metoda transferului. Exista si o a treia categorie de metode (mai rar utilizata) ..de depunere”) impunand metalizarea unui semifabricat din material electroizolant neplacat. productivitatea fabricatiei. 2 – metoda arderii in cuptor. Aceasta operatie se realizeaza 66 . Aceste metode implica prelucrarea unui semifabricat placat cu cupru si obtinerea traseelor circuitului imprimat prin inlaturarea unor portiuni din folia electroconductoare aderenta la suprafata suportului electroizolant. Actualmente predomina metodele substractive. principial opuse: a) metodele substractive (de corodare) 1 – metode fotografice 2 – metode derigrafice 3 – metode affset. 1 – metoda electrochimica. b) metode aditive (. precizie a reproducerii … de cablaj (finete sau rezolutie). Gruparea acestor metode se face in doua mari categorii.metode combinate” – la care se folosesc tehnologii specifice atat metodelor substractive cat si celor aditive. dar a aparut si o tendinta de extindere a metodelor de depunere – avand in vedere necesitatea reducerii consumului de cupru.. 4 – metoda pulverizarii catodice si termice. prin segmentarea si eliminarea foliei).METODE DE REALIZARE A CABLAJELOR IMPRIMATE Pentru realizarea cablajelor imprimate – cu mijloace industriale sau artizanale – se pot utilize peste 30 de metode (tehnologii) diferite – alegandu-se metoda care corespunde scopului principal urmarit: aderenta buna a foliei metalice la suportul izolant. Indepartarea acestor zone se poate face fie pe cale chimica (prin corodare) – avand in prezent cea mai mare pondere pe ansamblul cablajelor imprimate (fie pe cale mecanica. Aproape in toate cazurile este necesara transpunerea configuratiei circuitului de realizat de pe un desen pe semifabricatul de prelucrat.

. Modalitatile de realizare a unui fotooriginal pentru cablaje imprimate sunt urmatoarele: REALIZAREA FOTOORIGINALUL UI AUTOMATIZAT COORDINATOGRAF CU COMANDA NUMERICA MANUAL PRIN APLICAREA DE BENZI ADEZIVE COORDINATOGRAF CU COMANDA MANUALA DESEN 67 . iar artizanal – prin desenare manuala sau vopsire cu sablon si pensula (sau pulverizator).. prin fotografierea configuratiei originale a cablajului imprimat.film fotografic” sau . serigrafice sau offset. REALIZAREA FOTOORIGINALULUI Configuratia cablajului imprimat de realizat este transpusa pe folia de cupru a semifabricatului – printr-una din metodele de mai sus indicate – plecand de la un fotosablon (.industrial – cu metode fotografice.masca”) ce se obtine la randul lui. Prin fotooriginal se intelege acest suport informational al configuratiei cablajului imprimat de realizat.

fotooriginalul este un desen la scara marita (2:1 … 4:1) al cablajului si realizat pe hartie speciala care asigura atat stabilitatea dimensionala cat si contrastul necesar fotografierii.distanta minima intre doua trasee conductoare invecinate este determinata de diferenta de potential dintre acestea.latimea traseelor conductoare depinde de intensitatea curentului prin ele. forma dreptunghiulara este cea economica pentru fabricatie. PROIECTAREA CABLAJELOR IMPRIMATE Forma cablajului imprimat este dictata de forma echipamentului electronic in care urmeaza sa fie montat. Executarea desenului implica de fapt proiectarea cablajului imprimat – proces relativ complex.. . In proiectarea desenului de cablaj imprimat se urmareste configuratia schemei de principiu si se tine cont de parametrii electrici ai blocului functional care impune distanta minima intre trasee vecine. fie automatizat (. avand.gaurile pentru terminalele componentelor se plaseaza in nodurile unei retele (imaginare). de temperatura mediului ambient si de grosimea foliei de cupru (0.conductorul de masa se realizeaza distinct de celelalte conductoare imprimate.5 mm.35 μm sau 0. etc.70 μm – standardizat). . caile de joasa frecventa si cele de inalta frecventa. ce se realizeaza fie manual. respectand anumite reguli. . de preferinta o latime mai mare. . Principalele aspecte ce trebuie avute in vedere sunt urmatoarele: . avand pasul de 2.proiectare asistata de calculator”).pentru reducerea la minimum a posibilelor influente reciproce se amplaseaza cat mai distantat – grupate separate – traseele de semnal mic si cele de semnal mare.. lungimea si latimea traseelor (fara ca acestea sa se intersecteze in acelasi plan). 68 .De regula.

desenul cablajului imprimat poate fi realizat si direct pe folia de cupru (fara fotooriginal si fara fotosablon). desen de echipare. In absenta unor astfel de elemente adezive si numai in cazul unicatelor. In cazul unicatelor (inclusiv al cablajelor experimentale). utilizand lichide speciale ( de exemplu: tus. Pe desenul fotooriginalului se prezinta traseele conductoare si toate gaurile (pentru componente si fixare) – fie prin trasare cu tus negru.Avand in vedere aceste considerente. desenul de acoperire selectiva. In figura alaturata se da rezistivitatea cuprului in functie de temperatura. carmine. tincture de cositorit) rezistente la actiunile clorurii ferice din baia de corodare. special concepute. fie prin lipirea unor elemente adezive.a. unele tipuri de elemente adezive pot fi fixate direct pe folia de cupru – inainte de corodare – preluand rolul protector al fotorezistorului (de la metoda fotografica) sau al cernelii serigrafice (de la metoda serigrafica). a) CURENTUL care circula prin traseele conductoare impun latimea acestora. lac diluat. desenul de pozitionare a gaurilor. Precautia majora care trebuie luata la asezarea traseelor conductoare pe suprafata utila repartizata circuitului este de a izola pe cat posibil traseele de semnal mic de cele de putere si c. Utilizarea elementelor adezive este foarte eficienta intrucat permite realizarea rapida si estetica a fotooriginalului. se realizeaza mai intai o schita preliminara de montaj pe baza careia – dupa optimizarea si definitivarea tuturor pozitiilor si dimensiunilor – se executa FOTOORIGINALUL. In afara fotooriginalului (desen de cablaj) documentatia tehnica necesara productiei in serie a unei placi de cablaj imprimat cuprinde: desenul de baza. desenul de pozitionare (sau de inscriptionare). Punctul Toρo este luat ca 69 .

sin nu un coeficient de temperatura al rezistivitatii pentru o temperatura data: α = 1 ρ − ρ0 ⋅ ρ 0 T − T0 ρ = ρ 0 (1 + α ⋅ ∆T ) . relatie ce da o precizie suficient de buna pentru cazurile practice.5 Ωm pentru un conductor depus electrolitic. Variatia rezistivitatii cu temperatura este data de relatia: unde α este coeficientul de temperatura … al rezistivitatii intre doua temperaturi alese.78 Ωm la 20oC pentru un conductor obtinut prin corodarea pertinaxului placat si ρo=2. unde m este masa si c este caldura specifica. pleaca de la relatia P = m ⋅ c ⋅ θ . . 70 .punct de referinta ρo=1. Calculul de temperatura al rezistivitatii este: α= 1 dρ ⋅ ρ dT Calculul supraincalzirii (θ) conductorului de cupru la trecerea I prin el a unui current de densitate ρ = S .

Calculul termic al cablajelor imprimate tine seama ca evacuarea caldurii Q. b) Tensiunea intre conductoare cc. se realizeaza prin convectie si radiatie la suprafata exterioara a traseului conductor de la (flux termic Q1 si rezistenta termica R1 de convectie si radiatie directa a peliculei metalice) si prin conductibilitate termica spre suportul izolant(fluxul termic Q2). datorita pierderilor in cupru. Spatial minim (mm) sau valoarea la varf ca [V] A. suport izolant. Spatiul dintre traseele conductoare este dependent de diferenta de potential ce exista intre doua puncte ale traseului si de protectia traseelor. TENSIUNEA.000 m) 71 . acoperire de protectie) intre traseele cablajului. Distanta intre conductoare (de la nivelul marii … 3. Distanta minima necesara intre doua trasee conductoare tinand seama de parametrii conditiilor climatice si dielectricul materialului izolant este data in functie de tensiunea intre traseele conductoare. luand un coeficient de siguranta pentru neatingerea limitei de strapungere. Aceste date sunt considerate plecand de la calculul tensiunii de strapungere a dielectricului (aer.

respective dublu placat.524 501 … 0. c) 72 .508 151 – 300 0.381 51 – 150 0.762 301 – 500 1.000m) 0 – 50 0. FRECVENTA impune restrictii numai cand lucreaza la valori foarte inalte si intervine capacitatea distributiva intre traseele conductoare.65 151 – 300 1.175 171 – 250 6.005 B.50 peste 500 0.0 – 150 0.003 In anumite aplicatii distantele intre trasee pot fi crescute din cauza efectelor capacitatii de cuplare intre traseele paralele la inalta frecventa sau pentru a reduce riscul unei reactii parasite.635 51 – 100 1. Pentru proiectarea unui cablaj imprimat pentru un circuit cu functionare la inalta frecventa intervin urmatorii parametrii: dimensiunile traseelor (latimea conductorului. grosimea conductorului). este reprezentata in cele doua grafice 1 s respective 2.0254 C. Distanta intre conductoare (altitudine peste 3. Capacitatea de cuplaj distribuita pe unitatea de lungime intre doua trasee conductoare paralele si identice. natura conductorului.254 31 – 50 0. natura si grosimea suportului izolant.350 251 – 500 12.30 301 – 500 2.524 101 – 170 3. pentru pertinax simplu placat.700 501 … 0. Distanta intre conductoare (orice altitudine) 0 – 30 0. distanta intre trasee.

capacitatea distribuita parazita se obtine inmultind datele din graficele prezentate mai sus cu 1.Cand traseele conductoare nu sunt egale si anume unul este de 2. Capacitatea distribuita de cuplare intre traseele paralele conductoare pe suport izolant de pertinax: 1 – simplu placat 2 – dublu placat 3 – trasee conductoare neegale simplu placat 4 .5 ori mai lat decat celalalt.25.trasee conductoare neegale dublu placat 73 . Fig.

34 0.73 0. REALIZAREA DESENULUI 74 .52 0. Intre valoarea rezistentei si lungimea traseului conductor este o relatie liniara data de: R = ρ⋅ l s Temperatura este de 20oC.68 0. rezistenta pe care o ofera traseul conductor semnalului intre elementele conectate are o mare importanta pentru inrautatirea acestuia (pierderi de semnal … si zgomot introdus de zgomotul termic al rezistentei echivalente).36 REZISTENTA DE PIERDERI.57 0. In figura alaturata se da variatia rezistentei conductorului de cupru in functie de dimensiunile lui.Capacitatea distribuita intre doua trasee conductoare paralele si identice pe un suport de 2 mm grosime este prezentata in urmatorul tabel: Latimea traseului Capacitatea [pF/cm] pentru o distanta intre trasee [mm] de cupru [mm] 1 2 3 4 2 4 6 d) 0.38 0.60 0.46 0.62 0.30 0. Pentru caile de semnal mic sau pentru traseele conductoare de intrare in circuite cu mica impedanta de intrare.43 0.

Depunerea electrolitica a cuprului pe stratul izolant: 75 .DEPUNERE GALVANICA Cablajele imprimate se realizeaza prin depunerea electrolitica a cuprului pe suport izolant urmand desenul de cablaj.ETAPE ALE UNUI PROCES DE REALIZARE A CABLAJELOR IMPRIMATE REALIZAREA FOTOSABLONULUI TRANSPUNEREA IMAGINII CABLAJULUI PE SUPORTUL PLACAT PRELUCRARI MECANICE METODE ADITIVE DE REALIZARE A CABLAJELOR IMPRIMATE Se pleaca de la suportul izolant neacoperit cu metal si se urmareste realizarea cablajului imprimat prin depunerea realizarilor corespunzatoare desenului de cablaj. A.

4) acoperirea cu cerneala neconductoare electric a portiunilor care urmeaza sa ramana neacoperite cu metal. electrodul de depunere fiind constituit de pulberea de argint neacoperita de cerneala. 5 – traseele conductoare ale cablajului. C. a adezivului si a cernelii de pe portiunile necuprate.pe o placa de otel se realizeaza desenul negativ de cablaj (se acopera cu cerneala neconductiva portiunile care in circuitul final de cablaj trebuie sa ramana izolant). 7) polimerizarea adezivului dintre suportul izolant si stratul de cupru depus (lipirea foliei metalice de suport). 3) se pulverizeaza cu pistol (sprituire) metalul de acoperit. 3 – pulbere de argint. 4 – cupru. CABLAJE TRANSFER IMPRIMATE REALIZATE PRIN Procesul tehnologic consta in: . 5) introducerea in baia de galvanizare: se depune cupru de grosimea dorita. 6) spalarea cu solvent a pulberii de argint.1 – substrat. 2 – adeziv. B. Procesul tehnologic de galvanotehnica este urmatorul: obtinere a cablajelor prin 1) taierea la dimensiuni si gaurirea suportului. 76 . 2) acoperirea cu adeziv a suportului ce urmeaza a fi placat. 3) pulverizarea fina cu praf de argint. PULVERIZAREA METALICA Procesul tehnologic consta in: 1) se sableaza suportul izolant ce urmeaza a fi acoperit pentru a obtine o aderenta buna a metalului. 2) se acopera portile ce urmeaza a fi /ramane izolant neacoperit cu metal (desen negativ) folosind un sablon.

.suportul izolant este acoperit prin pulverizare cu pulbere metalica. Procedeul de realizare prin transfer a cablajelor imprimate: 1 – substrat. Prin presare.se preseaza matrita incalzita pe suportul izolant acoperit cu pulbere metalica. 4 – cupru Pentru fabricatia in productie de serie mare. . 3 – placa de otel. 77 . iar cuprul se depune galvanic pe proeminente. se usuca (suspensie de pulbere in apa). 2 – adeziv.se spala pentru indepartarea pulberii metalice de pe portiunile nepresate. .se depune electrolitic cuprul pe placa de otel (in portiunile neacoperite cu cerneala)..se polimerizeaza adezivul. pe placa de otel se realizeaza desenul de relief. CABLAJE IMPRIMATE REALIZATE CU PULBERI PRESATE Procesul tehnologic consta in: .se realizeaza o matrita cu desenul de cablaj in relief (imaginea pozitiva – proeminentele corespund traseelor ce urmeaza a fi constituite de metal). pulberea metalica se aglomereaza si intra partial in suportul izolant. cerneala neconductoare acopera adanciturile. D. . . prin aceasta se asigura un transfer mai bun al acoperirilor de cupru pe suportul izolant acoperit cu adeziv.se transfera cuprul cu configuratia obtinuta de pe placa de otel pe suportul izolant acoperit cu adeziv. metalul rezultat de la spalare este recuperat.

Presarea uniforma pe toata suprafata face ca folia de cupru sa se lipeasca de izolant. . Se pleaca de la suportul izolant acoperit cu adeziv si folia metalica a carei grosime depinde de scopul urmarit la proiectarea electroconstructiva. conexiunile avand o grosime uniforma infundata in stratificat. Procedeul este intrebuintat indeosebi la acoperirea cu argint.se realizeaza matricea cu relieful corespunzator desenului de cablaj .se preseaza la cald suportul izolant termorigid nepolimerizat acoperit cu adeziv si folie metalica. METODE SUBSTRACTIVE DE REALIZARE A CABLAJELOR IMPRIMATE Procedeul mecanic de realizare a cablajelor imprimate. a) 78 . Etapele acestui procedeu sunt: .Tehnologia de fabricatie a cablajelor imprimate prin presare de pulbere metalica: 1 – substrat. 2 – pulbere argint.

prin aceasta. polistiren (0.1%) sau placi de sticla (cele mai stabile). astfel obtinandu-se negativul desenului de cablaj.se realizeaza desenul de cablaj la o scara marita (x10 pentru cablaje de finite. suportul se inmoaie.efectuarea unor prelucrari mecanice adecvate (dupa realizarea corodarii) gaurire. obtinandu-se astfel originalul desenului cablajului imprimat. x2 pentru cablaje normale) pe hartie speciala conform principiilor de proiectare a cablajelor. . . Procedee chimice (gravare) de realizare a cablajelor imprimate constau in : .se realizeaza filmul fotografic (fotosablonul sau marca) prin fotografierea desenului original pe film de mare contrast (micsorand de 10 ori..se realizeaza cablaje prin gravare.retusarea cliseului. . Traseele conductoarelor imprimate se realizeaza cu tus negru sau cerneala neagra sau mata (made in China) la care gaurile se reprezinta prin cercuri albe in interior φ 1 mm sau folosind benzi negre adezive. respective de 2 ori.5%).se curata metalul nelipit cu piatra de polizor sau cu benzi abrasive cu mers continuu. serigrafic si prin transport (sau offset). imperfectiunile de executie ale desenului sunt reduse corespunzator). b) 79 . debavurare. se foloseste suport izolant cu procent mare de rasina (stratificatul este sarac in material de umplutura) care dupa realizarea cablajului imprimat este supus unei incalziri si presari intre doua placi. iar metalul se imprima in suport. urmate de realizarea unor acoperiri de protectie. . etc. fixare si uscare sunt de 0. necesare la sectiuni de comutatoare in special. taiere. obtinandu-se nivelarea cablajului. decupare. Pentru realizarea de cablaje nivelate. transpunerea (imprimarea) imaginii cablajului de pe filmul fotografic pe stratificatul placat cu cupru se poate face prin mai multe metode: fotografic. Acesta se executa fie pe film de celuloid (variatiile in timpul procesului de developare.

In faza urmatoare b) se expune stratul de fotorezist la lumina prin intermediul fotosablonului (realizat anterior) – vezi figura de 80 . b) expunerea la lumina a placii sensibilizate prin cliseul fotografic. imaginea nu poate fi mai buna decat cliseul. utilaj redus. (fotorezistent). productivitate scazuta. cere calificare in executie. d) spalarea. indepartarea substantei fotosensibile nepolimerizate de pe placa.1. Procedeul este convenabil pentru fabricatie de serie mica si de unicate. Procedeul fotografic consta in: a) acoperirea (prin pulverizare. (acoperirea intregii placi cu material fotosensibil). fixarea. Dupa prima faza a) spalarea si degresarea prealabila a foliei de cupru aceasta se acopera cu un strat de fotorezist. e) corodarea. Prelucrarea stratului de fotoresist negativ Avantaje: trasee fine (rezolutie buna definite prin grosimea celei mai fine linii conductoare sau ca numarul de linii rezolvate pe milimetru). Fig. c) developarea. Dezavantaje: costuri mari. scufundare sau prin valturi) a intregii suprafete de cupru a stratificatului placat cu cupru cu o substanta fotosensibila (alcool polivirilic sensibilizat cu bicromat de amoniu – fotorezist lichid) de grosime intre 4 – 12 μm.

cel din figura – o acoperire a foliei de cupru cu fotorezist. corespunzand. . iar celelalte pot fi dizolvate si indepartate cu ajutorul unui solvent special. Stratul ramas se fixeaza pentru a-i mari rezistenta la reactivul de corodari. Corodarea poate dura pana la cateva zeci de minute si se considera incheiata atunci cand in zonele neacoperite de fotorezist apare suportul electroizolant al fabricatului. 81 . (deci portiunile opace ale fotosablonului. Astfel la fotorezistul negativ. Cea mai importanta etapa consta in corodare (specifica metodelor substractive). Dupa developare si fixare fotografica. prelucrarea foliei de cupru. zonele neexpuse la lumina. Se obtine astfel – in primul caz. Dupa corodare se realizeaza succesiv: . portiunile expuse la lumina polimerizeaza si devin insolubile. Urmeaza.indepartarea stratului protector de fotorezist (depus pe traseele circuitului imprimat). Au loc reactii chimice determinand corodarea si indepartarea foliei de cupru numai in zonele neacoperite cu stratul protector de fotorezist (vezi figura de mai sus). implicand inversarea semifabricatului placat intr-o cuva (de dimensiuni adecvate) cu clorura ferica. anumite zone din fotorezist devin insolubile. doar in zonele corespunzatoare portiunilor transparente ale fotosablonului. in cazul fotorezistorului negativ.decuparea/debitarea placii la dimensiunile finale.mai sus transferandu-se astfel configuratia circuitului imprimat de realizat pe folie de cupru. spre diferenta de fotorezistul pozitiv la care zonele neexpuse luminii devin insolubile. conform fazelor prezentate.

Desi aceasta metoda realizeaza unii parametrii calitativi inferiori celor obtinuti prin metoda fotografica (rezolutie 1. prin impresionare fotografica folosin cliseu. Aceasta sita (sau . .5 mm in loc de 0.corodarea.. Procedeul serigrafic Transpunerea imaginii cablajului imprimat pe semifabricatul placat cu cupru se poate efectua si prin . configuratia cablajului imprimat de realizat este protejata impotriva corodarii prin aplicarea unui strat de vopsea /cerneala serigrafica speciala. Se obtine astfel un produs finit – placa cu cablaj imprimat sau cu . 2. precizie ± 0.debavurarea muchiilor placii si a gaurilor.lacuirea – in scopul asigurarii protectiei anticorozive si a facilitarii efectuarii lipiturilor – lipirilor cu cositor.sablon”) este de regula o .circuite imprimate”) – pe care urmeaza sa se monteze (prin implantare si lipire automatizata sau manuala) toate componentele pasive si active prevazute.. permitand totodata automatizarea totala a procesului tehnologic respectiv.. polister sau otel inoxidabil) acoperita cu alcool polivinilic concentrate. In acest caz.panza cu ochiuri foarte fine si bine intinsa pe o rama 82 .efectuarea gaurilor necesare montarii componentelor pe placa si a placii in aparat (echipament). imagine ce reprezinta desenul negativ al cablajului imprimat.site serigrafice” specifice. . Se realizeaza pe o sita (de matase.pregatirea suportului placat.15 mm) ea este larg utilizata in productia industriala de mare serie a cablajelor imprimate intrucat asigura obtinerea unei productivitati maxime si a unui pret de cost mai redus.acoperirea de protectie. cu ajutorul unei . Etapele acestui procedeu sunt: .3 mm in loc de ± 0. .serigrafie”..realizarea sitei serigrafice..5 mm.. . . .acoperirea suportului placat cu cerneala serigrafica.

pe sita. insotita de o anumita presare cerneala este obligata sa treaca prin ochiurile ramase libere ale sitei. o distanta prea mare ducand la dublarea. In acest scop. (Distanta maxima la care poate fi mentinut ecranul (sita) este de 3-4 fata de placa de cupru. Sita trebuie sa fie intinsa iar firele acesteia sa fie perpendiculare intre ele. umbrirea imaginii serigrafice). 83 . respective libere. Realizarea sitei serigrafice implica obturarea anumitor ochiuri in scopul transpunerii imaginii alb/negru de pe filmul fotografic intr-o imagine cu ochiuri obturate. In locurile iluminate fotorezistorul polimerizeaza si se intareste (fixandu-se pe sita si obturand ochiurile). In etapa urmatoare. pe sita care are toate ochiurile libere se aplica mai intai un strat fotosensibil din FOTOREZIST care este expus la lumina prin intermediul fotosablonului pozitiv (continand configuratia cablajului imprimat). se pune sita in contact direct cu folia. iar pe cealalta fata a sitei se aplica vopsea/cerneala serigrafica prin intindere – pe intreaga suprafata a sitei – cu ajutorul unei radete (spaclu) speciale. se transpune (imprima) aceasta imagine pe folia de cupru a semifabricatului placat. Pentru aceasta..negativ” continand imaginea cablajului imprimat.dreptunghiulara avand dimensiunile mai mari decat cele ale placii cu cablaj imprimat. Translatand aceasta radeta. imprimandu-se pe folia de cupru – zona ochiurilor abturate ramanand neacoperita cu cerneala. aceasta depinzand de puterea de patrundere a lacului sau cernelei utilizate. in timp ce in zonele neluminate fotorezistorul poate fi indepartat (prin spalare cu apa calda) permitand reaparitia ochiurilor libere. Astfel sita devine un .

cerneala serigrafica. Imprimarea prin intermediul sitei serigrafice cu cerneala serigrafica: 1. Se poate apoi face spalara prin injectare. Cerneala serigrafica este de natura oleogliceroftab. Dezavantajele constau in aceea ca procedeul cere calificare si experienta in procesul de fabricatie.pozitiva” si in relief a cablajului imprimat. in functie de scopul urmarit. Pentru circuite simplu sau dublu placate. Compozitia de corodare este injectata prin duze. utilaj redus. care dupa serigrafie sunt acoperite electrochimic se foloseste cerneala albastra tip wornow 145-14-M. Argon 19700.Fig. 84 . Avantajele acestui procedeu sunt: finete medie a traseelor conductoare. Dinachem 2001.. Exista tipuri diferite de cerneluri si lacuri. Procedeul este convenabil pentru serii medii si mari unde se utilizeaza masini specializate manuale. si retus negative prin indepartarea portiunilor serigrafice care au un plus de cerneala. Pentru cositorirea selective a circuitelor imprimate se utilizeaza lac sicativ tip Solder Mask 727. Pentru circuitele dublu placate sau multistrat. prin adaugarea cu pensula a cernelei pe portiuni unde aceasta lipseste. 2 – radeta. Argon 19490..Curatirea cernelei de protectie a acoperirilor conductoare de cupru cu ajutorul unui diluant prin stergerea cu o carpa inmuiata in diluant. semiautomate sau automate. realizata cu ajutorul vopselei/cernelei serigrafice. Grosimea stratului depus este de 8-12 μm. Se poate face o corodare pe ambele fete in cazul cablajului dublu placat. greu sicativa ce se dilueaza cu terebentina. se pot utiliza : cerneala neagra tip wornow 145-14-O. 3 – ochiuri obdurate 4 – sita serigrafica(sablon) Astfel se obtine pe folia de cupru o imagine . la care operatia urmatoare serigrafiei este corodarea. consum redus de cerneala serigrafica. Retusul serigrafic consta in retus pozitiv. Argon 19400.

Se foloseste pentru acoperire in mod deosebit coloforiu activat dizolvat in alcool.protectia plastica cu rasini sau lacuri. rezistenta mecanica la suprafata a cablajului imprimat scade.protectia metalica. scufundare sau prin intinderea uniforma de catre tambur. Acoperirile galvanice inainte de gravare constau in depuneri de cositor sau de argint. De aceea dupa curatirea mecanica (cu abrazivi) si chimica pentru indepartarea oxizilor.Dupa corodarea chimica pot aparea reactii secundare care duc la formarea oxizilor de cupru si de fier ce raman sub forma unei pelicule foarte rezistente pe cuprul cablajului. consta in depunerea electrochimica in baia de galbanizare a unui metal rezistent la coroziune. se acopera cablajele imprimate cu straturi de protectie. prin aceasta se protejeaza de la oxidare si in acelasi timp. iar rezistenta electrica de contact creste considerabil aparand aproape impasibila lipirea componentelor. Se pot folosi in acest scop urmatoarele posibilitati: . se usureaza lipirea in bare se cositor. Dupa spalarea cernelii raman acoperite traseele conductoare de cupru cu metalul de protectie. Acoperirea se realizeaza prin stropire (pulverizare). . Fig. Corodarea cuprului de pe portiunile neprotejate se face in solutie acida care nu ataca metalul de protectie depus galvanic. ci numai cuprul neprotejat. Din cauza ciclurilor de temperatura si umiditate. Acoperirea de protectie a cablajelor 85 . catodul de depunere fiind constituit din cuprul imagine pozitiva neacoperit cu cerneala neconductiva.

argint (anodul este argint. cupru. o a doua rola de transport preia cerneala de pe placa de metal si o depune pe suportu placat (figura de mai jos). nichel (anodul este nichel pur. .se realizeaza o placa de metal (otel. iar electrolitul solutie de arama dubla de argint si potasiu).imprimate cu solutie de coloforiu in alcool: 1 – cablaj imprimat. 2 – tambur. se depune cerneala pe proeminentele placii metalice. iar electrolitul este solutie de sulfat dublu de nichel si uraniu). cu o rola de … care se inmoaie inaintea fiecarei operatii in cerneala. 3. Fig. 3 – solutie de coloforiu Acoperirea metalica dupa gravare consta in depunerea electrodului mica cu metal de protectie peste cuprul ce reprezinta traseele conductoare (catodul baii de galvanizare). Se fac depuneri de protectie de crom (baie cu acid cromic). Procedeul imprimarii affset consta in: .se depune prin transport cerneala de pe placa pe stratificatul placat. 86 . zinc. Procedeul imprimarii prin transfer pentru realizarea cablajelor imprimate: 1 – suport placat. aluminiu) gravata in relief dupa desenul de cablaj scara 1:1.

2 – cupru. apa oxigenata.). persulfatul de amoniu coloreaza orice fel de circuite imprimate. acid clorhidric. Dupa realizarea acoperirilor de protectie a cuprului ce placheaza stratificantul izolant in portiunile care trebuie sa ramana conductoare. 4 – rola de transport . Are avantajul ca se recupereaza cuprul dizolvat in solutie. Procedeul este convenabil pentru serii mari si foarte mari. saramura (cablaje imprimate realizate in I.clorura cuprica.clorura ferica slab acida (concentratie 30-40 Baume) cu agitarea acidului la temperatura de 30-35oC. Avantajele procedeului constau in productivitate foarte mare. corodarea este curate si nu produce reziduri insolubile (deci problema indepartarii acestora este inlaturata).persulfat de amoniu (NH4)S2O8. . Dezavantajele sunt: necesita utilaje scumpe.S.R. Corodarea metalizarilor neprotejate se face in: o . Avantajul este ca. . 87 .corodarea. consum redus de cerneala. Corodarea se realizeaza cu o viteza de 50μm/5minute. 3 – rola de acoperire. urmeaza corodarea cuprului de pe portiunile neacoperite. dau o precizie si o finete a traseelor mica. inclusiv circuitele imprimate cositorite.P.

a constatat ca.n. adica cu 21 de secole mai tarziu. etc. franturi mici de paie.). William Gilbert. Si pentru ca in vechea limba elena. chihlimbarul capata proprietatea de a atrage firisoare de lana sau de matase. a dat acestui fenomen numele de ELECTRIZARE. fulgi.MATERIALE CONDUCTOARE Pentru prima data filozoful grec Thales din Milet. Franklin a stabilit conventia conform careia exista electricitate pozitiva si electricitate negativa.n.e. care a trait cu 600 de ani i. Electrizarea unui corp poate fi pusa in evidenta mai usor de observat 88 .e. doctorul Gilbert. incercand sa faca o apropiere intre atractia produsa de un magnet. chihlimbarul inseamna electron. (640 – 548 i. Experimental. repeta experienta lui Thales. frecand o bucata de chihlimbar cu haina sa de lana. Prin anul 1600.

iar electrizarea negative corespunde unui adaos de electroni liberi. format dintr-o bobita de maduva de soc. care intra in alcatuirea corpurilor si constituie. 3. rezulta ca sarcinile positive din nucleul atomului sunt neutralizati se sarcinile negative ale electronilor si atomul este neutru d.p. Fig.corpurile incarcate cu acelasi fel de electricitate se resping. In timpul electrizarii prin fiecare apar intotdeauna doua feluri de sarcini electrice – pozitiva. Experimental se observa urmatoarele 2 situatii: 2. Electrizarea pozitiva corespunde unei pierderi de electroni. in acelasi timp sarcina elementara de electricitate negativa.d. INTERPRETAREA ELECTRONICA A ELECTRICITATII ELECTRONUL este o particula cu masa foarte mica. numarul electronilor sateliti fiind egal cu numarul protonilor din nucleu si pentru ca fiecare proton este purtatorul unei sarcini electrice positive.intrebuintand pendulul electric. suspentat de un suport cu … izolata din sticla.corpurile incarcate cu sarcini electrice de semn contrar se atrag. fixate la capatul unui fir de matase. respectiv negativa – in cantitati egale.electric. egala si de semn contrar cu sarcina unui electron. sar. 89 . Electronii graviteaza in jurul nucleelor atomice pe diferite orbite stationare.v.

atomii sunt atat de apropiati intre ei. [ ρ ] SI = Ω ⋅ m2 = Ω⋅m m In tehnica. Atomii care au pierdut unul sau mai multi electroni se numesc IONI. Conductoarele au. Clasificarea materialelor in conductoare. Conductoarele tinute in mana nu pot fi electrizate deoarece electronii sunt imediat inlocuiti cu altii. adica atomii lor sunt astfel dispusi incat nucleele lor. Deci. semiconductoare si electroizolante s-a facut tinandu-se cont de rezistivitatea electrica a frecarii fiecarui material in parte. conductoarele sunt neutre.Corpurile conductoare si corpurile izolatoare se deosebesc intre ele prin microstructura lor. se gasesc in nodurile unei retele cristaline spatiale. Electronii liberi apartin astfel intregului conductor. se foloseste pentru rezistivitate o unitate conventionala care da valori numerice de 106 ori mai mari. Prin REZISTIVITATE (rezistenta specifica) ELECTRICA a unui material se intelege rezistenta electrica pe care o opune un conductor din acel matrial. in metale. la trecerea curentului electric prin el avand lungimea egala cu unitatea de lungime (1 m) si aria sectiunii egala cu suprafata unitatii de suprafata (1m2). nodurile retelei cristaline sunt formate din ioni pozitivi. incat orbitele electronilor periferice se intrepatrund. Din punct de vedere electric. Aceasta se numeste ohm-milimetru patrat si se obtine din relatia: R = ρ⋅ l S 90 . care vin din pamant prin corpul nostru. deoarece numarul electronilor liberi este egal cu numarul sarcinilor positive ale ionilor. printre care se misca electroni liberi. in general o structura cristalina. In aceasta structura. legatura acestor electroni periferici cu nucleul lor devine atat de slaba incat electronii respectivi nu se mai rotesc in jurul nucleului ce se misca dezordonat printre nodurile retelei cristaline.

a benzilor de energie caracteristice pentru diferiti electroni. Teoria lui Paul Drude nu poate explica insa caldura specifica a metalelor. La stabilirea acelei conceptii. prezinta un anumit nivel de energie si ca valoarea acestuia este cu atat mai mare cu cat este mai indepartat de nucleu. o importanta deosebita prezinta principiul stabilit in 1925. cu privire la natura fortelor de coeziune care iau nastere in cristalele metalice si care mentin atomii in anumite pozitii din cristale. se noteaza cu G. γ = ρ . dar care da si o explicatie. intr-un cristal. Prin urmare. se 1 noteaza cu γ. potrivit caruia fiecare strat de electroni. Legatura metalica in ansamblu este asigurata de atractia exercitata asupra ionilor de gaz electronic.unde: R – rezistenta electrica a materialului l – lungimea conductorului S – aria sectiunii conductorului Luand lungimea in metrii si sectiunea in mm2. exista in permanenta un nor de electroni liberi ce se deplaseaza dezordonat in interiorul miscarii de vector. Pauli spunea ca pe un anumit strat (nivel) de energie nu pot sa existe decat cel mult 2 91 I . legatura metalica este explicate pe baza formarii. filozoful Paul Drude a conceput teoria gazului electronic in metode. In present. fara aport de energie din exterior. care se pot desprinde usor de atractia nucleului. iar intervalul rezistentei se numeste CONDUCTIVITATE. de elvetianul Wolfgang Pauli.mm2/m Inversul rezistivitatii se numeste CONDUCTIVITATE. devenind electron liber.m = 102Ω. Conductivitatea electrica ridicata a acestora se datoreaza faptului ca au cel mult trei electroni de valenta. In jurul anului 1900. cu ajutorul careia au putut fi explicate multe din proprietatile metodelor. G = R .m = 106Ω. Cele mai importante materiale conductoare sunt metalele si aliajele lor. rezulta: R⋅S l 2 −6 2 [ ρ ] = Ω ⋅ mm = Ω ⋅10 m = 10 −6 Ω ⋅ m m m ρ= 1Ω.

.000005 0.42.10 0.10-6 0. Electronii liberi din metal (avand sarcina negativa) sunt supusi la forte in sens opus campului deplasandu-se in conductor de dinspre capatul 2 spre 92 .m2/m ] 0.055.0041 -6 Aluminiu 0.950.0042 -6 Wolfram 0.10-6 1.50.120.0060 -6 Platina 0. dar de numar cuantic de spin opus (avand semnul + semn – si care se orienteaza fie in sensul campului magnetic.10 0.0045 -6 Fier 0.028.10 0.20.10 0.10-6 Coeficient tehnic 0.107.000086 0.10. unde: U – tensiunea plicata.10-6 0.electroni.10 0. Substanta ρ[Ω. cu potential mai ridicat spre capatul 2 cu potential mai scazut.10 0. fie in sens opus). avand aceeasi energie. acesti electroni liberi devin electroni de conductie si formeaza CURENTUL ELECTRIC DE CONDUCTIE notat cu E.0040 -6 Cupru 0. L – lungimea conductorului E= U L Campul electric este orientat dinspre capatul 1.00027 0.m2/m] Coeficient tehnic -6 Argint 0.00015 Sub influenta unui camp electric exterior.0039 Substanta Nichel Mangan Const onton Mercur Nichel-Crom Bismut ρ[Ω.10-6 0.016.017.10-6 1.43.0002 0.

l1 se gasesc ne = S.l1 colombi. SENSUL CONVENTIONAL AL CURENTULUI ESTE INVERS SENSULUI REAL.l1 .ne. curentul electric(m2). ne – numarul de electroni de conductie din 1m3 de conductor.10-19 C. fiind distanta parcursa de electroni intro secunda).602. unde: ve [ m / s ] = l1 [ m] t( s) Pentru a caracteriza cresterea rezistivitatii cu temperatura la materialele conductoare s-a adoptat COEFICIENTUL DE TEMPERATURA AL REZISTIVITATII. In deplasarea lor. Considerandu-se ca la temperatura θ1. rezistivitatea materialului este ρ1.l1 (l1 = lungimea conductorului exprimata in metri. notat cu α. electronii se ciocnesc de atomii metalului descriind un drum foarte complicat si inainteaza prin conductor cu VITEZA MEDIE DE DEPLASARE relativ mica. coeficientul de temperatura al rezistivitatii este dat de relatia: α= ρ 2 − ρ1 ρ1 (θ 2 − θ 1 ) 93 . ve – viteza medie de deplasare a electronilor de conductie prin conductor exprimata in m/s. constituind o sarcina electrica de qe. Daca se noteaza cu: S – aria sectiunii conductorului prin care se stab. atunci intr-o secunda vor trece prin aria sectiunii conductorului toti electronii de conductie. qe – sarcina electrica a unui electron. care se gasesc in volumul de conductor S.capatul 1.S.electroni de conductie. Intensitatea curentului in ampere (sarcina electrica exprimata in colombi care trece prin aria sectiunii conductorului in 1/s) corespunzatoare acestei sarcini este: I = q e ⋅ ne ⋅ S ⋅ v e . care creste la ρ2 cind temperatura θ1. exprimata in colomb = 1. In volumul S.

Aliajele se obtin prin topirea elementelor component PROPRIETATILE METALELOR SI ALIAJELOR 1. Culoarea 1. carbonate.3.2.1.1. Cu exceptia catorva metale pretioase care se gasesc in scoarta pamantului in stare native.conductoare de ordinul I: metalele si aliajele lor . Mineralele care se gasesc in roci impreuna cu care formeaza minereurile. Densitatea II. restul metalelor se gasesc sub forma de combinatii chimice (oxizi. etc. • Metalele cu insusiri specifice care le deosebesc de celelalte 23 elemente nemetale.FIZICE II.Metalele se extrag din minereuri prin diferite metode.OPTICE 1. silicate. Dupa modul in care se comporta cand sunt strabatute de curentul electric. materialele conductoare se clasifica in: . Luciu metalic 2.ρ 2 − ρ1 = cresterea rezistivitatii pentru intervalul θ2 −θ1 ρ 2 − ρ1 = cresterea unitatii de rezistivitate pentru intervalul ρ1 de temperature θ2 −θ1 α = cresterea unitatii de rezistivitate pentru o crestere a temperaturii cu o unitate.2. Valoarea acestui coeficient este intotdeauna mai mare decat zero pentru materialele conductoare.) numite minerale. sulfuri. • Aliajele metalice sunt substante obisnuite din contopirea a doua sau mai multor elemente chimice dintre care cel putin unul aflat in proportia cea mai mare in aliaj si numit component de baza este un metal. Fuzibilitatea 94 .conductoare de ordinal II: electrolitii. sulfati. Opacitatea 1.

II.3. Dilatarea termica II.4. Conductibilitate termica II.5. Conductibilitate electrica II.6. Supraconductibilitate II.7. Volume si raze atomice II.8. Raze ionice II.9. Emisie fotoelectrica 3.MECANICA 3.1. Elasticitate 3.2. Plasticitate 3.3. Duritate 3.4. Rezilienta 3.5. Rezistenta mecanica 3.6. Rezistenta la oboseala 3.7. Tenacitate 4.TEHNOLOGICE 4.1. Capacitate de turnare 4.2. Forjabilitate 4.3. Maleabilitate 4.4. Ductilitate 4.5. Sudabilitate 4.6. Prelucrabilitate 5.CHIMICE 5.1. Starea de oxidare 5.2. Potentialul de oxidare(sau de electrod) METALE SI ALIAJE FOLOSITE IN ELECTROTEHNICA A. DE INALTA CONDUCTIVITATE ELECTRICA 1. Cuprul (Cu) 2.Aliajele cuprului 2.1.alame - obisnuite (Cu+Zn) - speciale Cu+Zn+Mn; Fe; Al; P; Pb; Si; Ni; Si.
95

2.2. bronzuri - obisnuite (Cu+Sn) - speciale : - Cu+Al; +Be; +Cd; +Cr - Cu+Ag; Cu+Mn; Cu+Zn 3. Aluminiu (Al) 4. Aliajele aluminiului 4.1. duraluminiu: Al+Cu+Mn+Mg 4.2. silumin: Al+Si 4.3. aldrei: Al+Mg+Si+Fe 4.4. aluminiu mangan: Al+Mn 5. Metale pretioase 5.1. argint (Ag) 5.2. aur (Au) 5.3. platina (Pt) 6. Fierul (Fe) 7. Nichelul (Ni) 8. Metale cu inalta temperatura de topire 8.1. wolfram (W) 8.2. molibden (Mo) 8.3. tantal (Ta) 8.4. niobiu (Nb) 9. Metale cu joasa temperatura de topire 9.1. staniu (St) 9.2. plumb (Pb) 9.3. zinc (Zn) B. DE INALTA REZISTIVITATE ELECTRICA 1. pentru rezistente etalon si de precizie 1.1. manganina (Cu+Mn+Ni sau Al) 1.2. pe baza de metale pretioase (Au+Cu; Ag+Mn+Sn; Ag+Ni) 2. pentru rezistoare 2.1. constantanul(Cu+Ni) 2.2. nichelina(Cu+Ni+Mn) 2.3. aliaje(Cu+Zn) 2.4. alpoca(Cu+Zn+Ni)
96

2.5. fonta 3. pentru elementele de incalzire 3.1. pe baza de nichel 3.1.1. nicrom(Ni+Cr) 3.1.2. feronicrom 3.2. pe baza de fier 3.2.1.cromalul 3.2.2. feeralul 3.2.3. kanthalul CUPRUL (Cu) = este al doilea metal descoperit, in ordine cronologica, avand cea mai larga utilizare in lumea antica. Azi, el detine un loc de frunte in dezvoltarea civilizatiei, dupa Fe si Al, fiind cel mai intrebuintat material metalic. Cuprul este foarte ductil si maleabil, se lipeste si se sudeaza cu usurinta si are rezistenta satisfacatoare la coroziune ceea ce il face sa fie utilizat in electronica si electrotehnica: pentru conductoare de bobinaj, benzi, table, tevi, piese de contact, linii de transport a energiei electrice, redresoare, etc. Cuprul se foloseste si in aliaje magnetice, in aliaje de mare rezistenta si in aliaje cu rezistenta mecanica sporita fata de cupru (alame si bronzuri). ALAMA = este un aliaj al cuprului cu Zn (50% -60%Cu). Pe langa alamele obtinute (Cu+Zn) se folosesc si alame speciale care contin: fier, mangan, aluminiu, staniu, plumb, siliciu, nichel. Caracteristicile electrice, mecanice, termice depind de continutul – proportia – elementelor componente. BRONZUL = este un aliaj (Cu+Sn) si al cuprului cu: Al, Ca, Be, Cr, Pb, Te, Ti, etc. Bronzurile se caracterizeaza prin duritate mare, rezistenta mare la coroziune si proprietati elestice foarte bune. ALUMINIUL(Al) = este cel mai raspandit metal din scoarta pamintului si se gaseste sub forma de minereuri, cele mai importante fiind bauxite si criolita. Este cel mai usor dintre

97

AuNi. Titlul aurului in aliaj de aur este exprimat in carate: 24 karate = 1.000 portii = 100% (Au pur). nichel. cupru. principalele utilizari in electronica si electrotehnica fiind: . 98 .000 mm. Au-Pt.realizarea infasurarii transformatoarelor si masinilor electrice. La temperature obisnuita si chiar la temperaturi inalte. Aliajul Ag-Cu-Zn se foloseste ca aliaj de lipit pentru lipiturile care lucreaza la temperaturi ridicate. la aparatele de control si in automatizari etc. fiind metalul cu cea mai mare conductivitate electrica si termica. Aliaje ca Au-Ag-Cu. argintul se aliaza cu alte metale: Cu. Argintul si aliajele sale sunt folosite pentru armaturi de condensatoare pentru curenti de inalta frecventa. AURUL (Au) = este cel mai ductile si maleabil dintre metale. sunt folosite la contactele electrice ale instrumentelor de precizie. . fuzibile pentru sigurante. Se realizeaza contacte electrice. nichel. se aliaza cu iridium. Pb.metalele folosite in tehnica. Au-Co. Pentru marimea duritatii. Este foarte maleabil. PLATINA (Pt) = se gaseste in nisipuri aurifere si este cel mai stabil metal din punct de vedere chimic. ARGINTUL(Ar) = se gaseste in natura sub forma de minereu numit argentite (Ag2S) sau in galenele argentifere (PbAg2S). fire de suspensie pentru aparate de masura etc. putandu-se lamina in foite si trefila in fire foarte subtiri – cel mai scump dintre metale. Au-Ar-Pt. Au. . Argintul este un component in aliajele de metale pretioase folosite la realizarea reostatelor de precizie si etalon. ductile.realizarea conductoarelor si cablurilor de transport si distributie a energiei electrice. argintul este foarte rezistent la oxidare.fabricarea armaturilor pentru condensatoare.fabricarea mantalelor de protectie a cablurilor electrice. Din aur se pot obtine foite cu grosimea de 1/10. wolfram. argint. Fiind foarte moale. Este metalul care nu se oxideaza la nici o temperature. duritatea este mica. aurul se aliaza cu metalele: platina. cobalt. .

FIERUL(Fe) = se utilizeaza in anumite situatii ca material conductor in locul Cu si al Al. casant. ductil si sudabil. atat datorita costului mult redus pe de o parte. El poate fi trefilat pana la dimensiuni de sutimi de mm. zincit. Ni se utilizeaza la fabricarea carozilor bailor galvanice si la nichelarea metalelor pentru protectia impotriva coroziunii. NICHEL (Ni) = este un metal foarte raspandit in scoarta pamantului. cand necesita atmosfera protectoare. WOLFRAM(W) = se gaseste sub forma de minereuri. iar produsul poate fi trefilat pana la dimensiuni de sutimi de mm prin tehnologii complicate. incepe sa oxideze la peste 700oC. elemente de aliere in OL. mai putin in stare nativa si mai mult in stare de combinatii chimice. Fierul se utilizeaza pentru linii de telecomunicatii. Se obtin prin metalurgia pulberilor la temperaturi foarte inalte. calomina. la electrozi in tuburile electronice. greu prelucrabil si nu oxideaza la temperaturi obisnuite. linii electrice de alimentare cu energie electrica ce trebuie sa suporte o sarcina mecanica importanta. la electrozi in tuburile cu incandescenta. Nu se oxideaza in atmosfera si in apa la temperatura obisnuita este maleabil la cald si la rece. ca electrozi pentru sudura. Este foarte dur. la contacte electrice. stratul de oxid care se formeaza la suprafata metalului este 99 . Utilizarea wolframului in industria electronica si electrotehnica sunt filamentele lampilor cu incandescenta. sub forma de funie ca miez al conductoarelor din Al cu inima de otel. Aplicatiile molibdenului sunt: la lampi cu incandescenta. electrozi de sudura. ca anod in tuburile Röentgeu. ZINCUL(Zn) = se gaseste in mineralele blenda. Fierul are rezistivitate electrica mult mai mare decat Cu si Al si o rezistenta slaba la coroziune. intre care wolframita este cel mai raspandit si este metalul cu cel mai ridicat punct de topire dintre toate metalele. In stare pura. suport de filamente. rezistenta pentru cuptoare electrice de topire si tratamente termice. si datorita rezistentei mecanice – pe de alta parte. la realizarea contactelor electrice. MOLIBDENUL(Mo) – se oxideaza la temperaturi peste o 600 C.

forjat. component al alamelor. Aplicatiile zincului : zincarea tablelor. trefilat. Materiale conductoare Materialele conductoare au rezistivitatea cea mai mica (10-2 – 10 Ωmm2/m). sarmelor de fieroperatii de galvanizare. E= U [ v m] l unde: E – camp electric U – tensiune electrica l. deci au conductivitatea electrica cea mai ridicata datorita faptului ca au cel mult trei electroni de valenta. devenind electroni liberi.unul protector. care se pot desprinde usor de atractia nucleului. Nu este atacat de apa . La temperatura obisnuita. zincul este casant. Sub influenta unui camp electric exterior acesti electroni liberi devin electroni de conductie si formeaza curentul electric de conductie.lungimea conductorului 100 . dar la temperaturi intre 100oC si 150oC devine maleabil si astfel poate fi laminat. realizarea elementelor galvanice si lamelelor fuzibile pentru sigurante. Peste 150oC redevine casant.

acestia cedeaza o parte din energia cinetica. ce se transforma in caldura. [K ] −1 −1 101 .I = q e ⋅ ne ⋅ S ⋅ v e [ A] I= U R 1 q e ⋅ ne ⋅ v1 ρ =− γ = 1 ρ unde: S – aria sectiunii conductorului ne – numarul de electroni de conductie ve – viteza medie de deplasare a electronilor de conductie qe – sarcina electrica a unui electron (qe = 1. α= ρ 2 − ρ1 ρ1 (θ 2 − θ 1 ) [C ].602. cresterea numarului de ciocniri si deci cresterea rezistivitatii (pentru aceasta crestere s-a adoptat coeficientul de temperatura al rezistivitatii – α).10-19C) I – sensul conventional al curentului care este invers sensului real ρ – rezistivitatea electrica γ – conductivitatea electrica In drumul lor electronii de conductie se ciocnesc de atomii metalului. Cresterea temperaturii unui conductor metalic duce la marirea agitatiei termice.

isi micsoreaza rezistivitatea cu cresterea temperaturii si sufera modificari chimice cand sunt strabatuti de curent electric. isi maresc rezistivitatea cu cresterea temperaturii si nu sufera modificari chimice cand sunt strabatute de curent electric. aflat in proportia cea mai mare in aliaj si numit component de baza este un metal. tenacitate. impreuna cu care formeaza minereurile. Se obtin prin topirea elementelor componente. dar dispare in timp ca urmare a reactiilor de oxidare in atmosfera (fac exceptie metalele pretioase si aliajele inoxidabile). ductilitate. anumite minerale. Proprietatile fizice ale materialelor si aliajelor Luciu metalic – proprietatea metalelor si aliajelor de a reflecta puternic razele de lumina care cad pe suprafetele proaspat taiate. Aliajele metalice sunt substante obtinute din contopirea a doua sau mai multe elemente chimice dintre care cel putin unul. Mineralele se gasesc in roci. Metalele se extrag din minereuri prin diferite procedee. maleabilitate. Metalele au insusiri specifice comune ca: luciu metalic. sulfuri. Electrolitii sunt conductoare de ordinul II – au conductivitate ionica. Se gasesc sub forma de combinatii chimice (oxizi. sulfati) cu exceptia aurului si platinii. Se accentueaza prin lustruire mecanica. conductibilitate termica si electrica.Coeficientul de temperatura al rezistivitatii reprezinta cresterea unitatii de rezistivitate pentru cresterea temperaturii cu un grad Celsius (Kelvin). d= m V [kg / m ] 3 102 . Metalele si aliajele lor sunt conductoare de ordinul I – au conductivitate electronica. Densitatea – masa pe care o are unitatea de volum a corpului considerat.

Metalele cu cea mai mare conductivitate termica sunt: argintu. Caracteristicile mecanice ale metalelor si aliajelor 103 . caracterizata prin marimea numita conductivitate electrica γ  1  Ω  . Temperatura la care are loc topirea metalului se numeste punct de topire. Conductivitatea termica reprezinta conductibilitatea termica a unui corp omogen si izotrop in care o variatie de temperatura termodinamica de 1K produce un flux termic de 1W intre doua plane paralele care au. Legatura dintre temperatura T exprimata in Kelvin si temperatura T exprimata in grade Celsius: [C ] = T [ K ] − 273 . aurul. caracterizata de marimea numita conductivitate termica λ[W / m ⋅ k ] sau [cal / s ⋅ cm⋅o C ] . Aliajele au in general conductivitate termica diferita de cea a metalelor componente. cuprul.β . aria de 1 m2 si sunt situate la distanta de 1 m unul de celalalt.dilatarea liniara: caracterizata prin coeficientul de dilatare liniara  1  1  α o  . Aliajele au conductivitate electrica diferita de cea a metalelor componente. .Fuzibilitatea . fiecare. β = 3α Conductibilitatea termica – proprietatea metalelor de a transmite caldura.proprietatea metalelor de a trece din starea solida in starea lichida sub influenta caldurii (de a se topi).    C  K  dilatarea in volum – caracterizata prin coeficientul de dilatare liniara .  m Argintul este metalul cu conductivitate electrica cea mai mare.proprietatea metalelor si aliajelor de a conduce curentul electric. Conductibilitatea electrica .16 K o Dilatarea termica – modificarea dimensiunilor metalelor si aliajelor cand sunt incalzite.

Rezilienta (rezistenta la soc) . Curgerea . Dizolvarea metalelor prin intermediul acizilor oxidanti se pe un proces de inlocuire a oxigenului.proprietatea metalelor de a rezista la forte dinamice. Cea mai raspandita metoda de determinare a duritatii este metoda Brinell. Plasticitatea . Proprietatile chimice se reflecta in comportarea fata de acizi oxidanti. avand o mare importanta. Elasticitatea – proprietatea corpurilor de asi schimba forma sub actiunea unor forte exterioare. saruri. mai ales in stabilirea conditiilor de intrebuintare.proprietatea corpurilor de asi schimba forma sub actiunea unor forte exterioare.Caracteristicile mecanice sunt proprietatile care reflecta comportarea metalelor si aliajelor la actiunea fortelor mecanice exterioare la care sunt supuse.proprietatea metalelor de a se deforma plastic sub actiunea unor forte practice constante dupa depasirea limitei de elasticitate. Cele mai puternice conditii de 104 . Duritatea – proprietatea metalelor si a aliajelor de a se opune patrunderii in masa lor a altor corpuri solide. Rezistenta la oboseala . relativ mici si de a reveni la forma initiala de indata ce fortele exterioare nu mai actioneaza. relativ mari si de a ramane deformate permanent si dupa ce fortele exterioare nu mai actioneaza. Proprietatile chimice ale conductoarelor Compozitia chimica reprezinta o proprietate de baza a materialelor conductoare care determina proprietatile electrice ale acestora.proprietatea metalelor de a rezista la actiunea unor solicitari variabile si repetate. care tind sa le deformeze suprafata.

procedee chimice (degresare cu anumiti solventi sau lesie) si procedee electrochimice. ρcu=0. vopselele.temperatura de topire.60 – 99. θtoCu = 1083 C. Metale si aliaje folosite in electrotehnica Cuprul – in industria electrotehnica se utilizeaza exclusiv cuprul electrolitic de puritate 99.forjabilitatea. Caracteristici: 3 . . o .oxidare se obtin la acidul sulfuric fierbinte si concentrate care dizolva toate metalele. .rezistivitate electrica. 2 o . . .prelucrabilitatea.maleabilitatea. γcu = 58 m/Ωmm (la 20 C). .densitatea.conductivitatea electrica. Coroziunea poate fi uniforma (pe intreaga suprafata in mod egal) si locala (pe anumite portiuni. slefuire).01724 Ωmm /m (la 20 C). den = 8. Exista o serie de procedee de indepartare si prevenire a coroziunii: procedee mecanice (frecare. care sunt fenomene de degradare bazate pe procese chimice si electrochimice.capacitatea de turnare. Dintre procedeele de prevenire a coroziunii se folosesc: lacurile. Coroziunea poate fi produsa de agentii atmosferici. Proprietatile tehnologice Printre proprietatile tehnologice ale metalelor si aliajelor gasim: .90%. cauciucurile. de electroliti din aer sau din sol. Metalele sufera procese de coroziune. materialele plastice. 2 o . 105 .9 kg/dm . sau alegand doar unii componenti din aliaje).ductibilitatea.sudabilitatea.

redresoare. linii de transport energie. Zn 40 ÷ 50%.alame obisnuite (Cu+Zn) . Cr.70 kg/dm . . 3 .10 W/m. .cm. Al.1868. lamele de colector la masinile electrice. rezistenta mai mare la temperaturi ridicate.conductivitatea termica. θtAl= 658 C. Sn) Bronzul . circuite imprimate.cel mai raspandit metal din scoarta pamantului si se gaseste sub forma de minereuri ca: bauxite si criolita. Si. Mn.se gasesc: .zincul din alama mareste rezistenta si plasticitatea aliajului . Aliajele cuprului .este ductile si maleabil.938cal/S.4.extragerea in Romania are doua etape: extragerea aluminei Al2O3 din bauxita la Oradea si extragerea aluminiului din alumina la Slatina. 106 .se dizolva in acid sulfuric si azotic. piese de contact. dar cu o conductivitate mai mica.90%.densitatea. Ni. . Fe.k(la 20 C). Pb.are aplicatii multiple in electrotehnica si electronica: conductoare pentru bobine. Aluminiul (Al) .ocupa locul doi dupa argint la conductivitate termica si electrica.bronzul obisnuit (Cu+Sn).938. benzi si table de diferite dimensiuni. .alame speciale (Cu+Zn+Mn. Ag.puritatea variaza 98 ÷ 99. λcu=0. - Alama Cu 50 ÷ 60% . Zr). Prin alierea cuprului cu alte metale se obtin materiale cu caracteristici mecanice mai bune. zinc restul . . o . .oC = 2 o 0.temperatura de topire. Be. dAl = 2.bronzuri speciale (Cu+Al. .tambacul – Cu mai mare de 80%. P. .

• infasurari la transformatoare si masini electrice.10 W/m.conductivitatea electrica.6% Si.53.25% Fe.aluminiu-mangan.7% Mg.duraluminiu 4% Cu. 0. rezistenta mecanica mare la tractiune . restul aluminiu. ρAl=0. .5% Si.utilizari: • fabricarea armaturilor pentru condensatoare cu hartie.5% Mg.5% Mn. - Aliajele aluminiului .oC = 2 o 0.aldrei: 0. restul aluminiu. 2 o . γAl = 37 m/Ωmm2 (la 20oC). 0.cm.4.conductivitatea termica. 0. .027 Ωmm /m (la 20 C).rezistivitatea electrica. 0. restul aluminiu. • realizarea conductoarelor si cablurilor de transport si distributie a energiei electrice.53cal/S. folosit la coliviile rotoarelor motoarelor. Argintul (Ag) Se gaseste sub forma de minereu numit argentina Ag2S sau in galenele argentifere PbAg2S. Caracteristici: 107 . λAl=0.k(la 20 C). .1868. rezistenta la coroziune superioara aluminiului . electrolitice si cu anod in condensatoarele din circuitele integrate peliculare.pentru marirea rezistentei mecanice . are caracteristici mecanice superioare aluminiului.silumin: 13. • fabricarea mantalelor de protectie a cablurilor electrice.

o 2 . cuprul .conductivitatea electrica. Ag-Pl utilizare pentruu contacte Aurul (Au) Se gaseste in formatiuni vulcanice.5 kg/dm3.32 kg/dm . Ag-Au.16 Ωmm2/m (la 20oC).densitatea.densitatea.1868.conductivitatea termica.10 W/m.4. conductivitatea termica.k(la 20oC).4 m/Ωmm (la 20 C).45 kg/dm . dPt = 21.cm. Caracteristici: 3 .022 Ωmm /m (la 20 C). o . θtAg= 961oC. argintul.096cal/S.temperatura de topire.k(la 20 C). nichelul. are conductivitatea electrica si termica cea mai mare maleabil. ρAu = 0.cel mai ductil si maleabil dintre metale . o . temperatura de topire. θtAu= 1063 C.nu se oxideaza la nici o temperatura . dAu = 19.4.096. cobaltul. depuneri pe grilele tuburilor electronice. 2 o .cm.aliajele utilizate la contactele electrice ale instrumentelor de precizie.5 m/Ωmm2 (la 20oC). λAg=1.temperatura de topire.7cal/S.7. Caracteristici: 3 . zacaminte filoniene. 108 .utilizat la acoperiri.rezistivitatea electrica. ρAg = 0. la aparate de control si in automatizari. Platina (Pt) Se gaseste in nisipuri aurifere. conductivitatea electrica. ductil are afinitate fata de sulf cu care da sulfuri rezistent la oxidare la temperatura obisnuita si chiar la temperaturi inalte argint-dur 3% Cu – duritate foarte mare argint – cadmiu. λAu=0. dAg = 10. . C = 0. γAu = 45.oC = 2 o 1.- - densitatea. θtPt= 1770 C. rezistivitatea electrica. 2 o . pe electrozii celulelor fotoelectrice .10 W/m. γAg = 62.1868.se aliaza cu platina.

la linii electrice. .4.k(la 20 C). ca funie-miez la conductoarele de aluminiu.167.1868.54 m/Ωmm (la 20 C).2 m/Ωmm2 (la 20oC). .conductivitatea electrica.13 Ωmm /m (la 20 C).k(la 20 C).9 kg/dm .105 – 0.098 Ωmm /m (la 20 C).oC = 2 o 0.densitatea.10 W/m. λFe=0. γFe = 7. 2 o . 2 o .rezistivitatea electrica.10 W/m. wolfram. o . dNi = 8. 109 . Caracteristici: 3 .densitatea.8 kg/dm .conductivitatea termica. θtFe= 1533 C.temperatura de topire. 2 o .4.167cal/S.174.8 – 9. . nichel.cel mai stabil metal sin punct de vedere chimic .cm.la folosirea conductoarelor din fier in curent alternativ apare pronuntat efect pelicular .cm.oC = 2 o 0. dFe = 7. λPt=0.rezistivitatea electrica.utilizat la contacte electrice aliat cu iridium.foarte maleabil si ductile se lamineaza si se trefileaza . γPt = 10. Nichelul (Ni) Se extrage din minereu de sulfuri si arsenuri. Caracteristici: 3 .se utilizeaza la linii de telecomunicatii.conductivitatea termica.cel mai scump metal .174cal/S.1868. . ρFe = 0. - Fierul (Fe) Fierul este un material conductor.conductivitatea electrica. ρPt = 0.

densitatea. dMo = 10.rezistivitatea electrica.068 Ωmm /m (la 20 C). o . 2 o . Caracteristici: 3 . tuburi electrinice.utilizat ca anod in condensatoarele electrolitice si in tuburile electronice de emisie.temperatura de topire. dW = 19.se oxideaza la temperaturi peste 600 C .ductil si sudabil .055 Ωmm /m (la 20 C). Tantalul (Ta) Caracteristici: 3 . o . ca element de aliniere in otelurile speciale. dur casant si greu prelucrabil .rezistivitatea electrica. dTa = 16.densitatea. θtW = 3380 C.utilizari: la filamentele lampilor.rezistivitatea electrica. .are cel mai ridicat punct de topire.125 Ωmm /m (la 20 C). 2 o . o .rezistivitatea electrica. - Wolfram (W) Se extrage din minereuri de wolframita.utilizat la anozii bailor galvanice. ρTa = 0.temperatura de topire.maleabil la cald si la rece .utilizat la: lampi cu incandescenta. θtMo= 2630 C.25 kg/dm . ρMo = 0. . 2 o .6 kg/dm . ca anod in tuburile Röntgen.temperatura de topire. θtTa= 2990 C. .densitatea. electrozi. Molibdenul (Mo) Caracteristici: 3 . la suportul filamentelor. o . ρW = 0. θtNi = 1455oC.052 Ωmm /m (la 20 C).temperatura de topire.2 kg/dm . 2 o . Niobiul (Nb) Caracteristici: 110 . ρNi = 0.

element in aliaje dure. temperatura de topire. ρNb = 0. utilizat ca element pentru aliajele rezistente la temperaturi inalte. θtNb= 2470oC.56 kg/dm3.- densitatea. rezistivitatea electrica. dNb = 8.142 Ωmm2/m (la 20oC). Universitatea Ecologică Bucureşti Facultatea de Inginerie Managerială NOTE DE SEMINAR LA DISCIPLINA MATERIALE PENTRU INDUSTRIA ELECTRONICĂ şi ELECTROTEHNICĂ 111 .

GEAMBAŞU LAURENŢIU ANUL UNIV.2008/2009 112 .TITULAR DISCIPLINĂ LECTOR UNIV.ING.DRD.