CHIMIE

Curs 4-Semiconductori
Conf. dr. ing. Nicoleta Badea

CUPRINS
1.
2.
3.
4.

5.
6.
7.

Definitie
Exemplu de semiconducturi
Structura semiconductorilor
Conductibilitate de tip n i p
Semiconductori intrinseci
Semiconductori dopati
Aplicatii

Definitie

Semiconductorii sunt materiale a crui rezistivitate este

cuprins ntre cea a materialelor conductoare i izolatoare, n
care predomin legturile covalente.

Semiconductorii tipici sunt elementele din grupa a IV a: Si,

Ge, Sn

Prezinta o retea covalenta de tip diamant, in care fiecare atom

se gaseste in starea de hibridizare sp3

Structura -Siliciu

Structura cristalului de Si -2D

Configuratia electronica a atomului de Si

Structura cristalului de Si -3D

Semiconductori

Banda de conductie si banda de valenta sunt separate printr-o

banda interzisa

Saltul electronilor din banda de valenta in banda de conductie

se face cu aport de energie

Metale

Banda de valenta (BV)- banda cu energie joasa (la T = 0 K)

completata cu electroni

Banda de conductie (BC) - banda alaturata, de energie inalta

La metale banda de valenta si banda de conductie sunt

alaturate

Saltul electronilor din banda de valenta in banda de conductie

se realizeaza fara aport de energie

Izolatori

Substante care nu conduc curentul electric;

Banda interzisa este extinsa

Saltul electronilor se face cu aport mare de energie

Diamantul devine conductor, daca energia de excitare este

mai mare decat energia benzii interzise (iradiere cu radiatii )

Dimensiunea benzii interzise variaz

Element

Reea

diamant

5,6

izolator

Si

diamant

1,1

semiconductor

Ge

diamant

0,7

semiconductor

Sn

diamant

0,08

semiconductor

Pb

cubic

Energia benzii
interzise [eV]

Proprieti electrice

conductor metalic

Conductibilitate de tip n i p
Conducia electric n semiconductori este datorat att
electronilor din banda de valen ct i golurilor din banda de
valent.
Conductibilitate de tip n conducie, prin electroni;

conductibilitatea benzii de

Conductibilitate de tip p - conductibilitatea datorat golurilor

pozitive din banda de valen

Semiconductori intrinseci

Consideram
un
semiconductor pur la T = 0 K
Nu exista niciun electron in
banda de conductie

La T > 0 K un numar de
electroni sunt excitati termic
in banda de conductie lasand
acelasi nr goluri in banda
valenta

Semiconductor intrinsec la T >0 K

Electronii si golurile determina curentul electric cand se

aplica o tensiune

Si si Ge pur conduc curentul electric printr-un nr. egal de

electronii si golurile

Conductibilitatea electrica
Depinde de:
temperatura si energia benzii interzise (nr de electroni

promovati in banda de conductie )

mobilitatea electronilor

Influenta temperaturii asupra conductibilitatii electrice

la metale conductibilitate electrica scade;
la semiconductori conductibilitatea electrica creste (creste nr.
de sarcini din banda de conductie)
Mobilitatea electronilor
- La cresterea temperaturii mobilitatea electronilor scade
interactiunile dintre electroni cresc;
- Depinde de defectele de retea si de impuritati

Consideram EV = 0, cand EC = EI
E = EI

Nr de electroni este egal cu nr. de goluri, ne = np

ne = nh creste rapid cu temperatura

Semiconductori dopai

Se obin prin ncorporarea controlat a impuritilor n

structura
semiconductorilor
n
scopul
mbuntirii
conductibilitii electrice a acestora.
n funcie de natura impuritii se pot obine:

semiconductori de tip n (Si dopat cu P, As);

semiconductori de tip p ( Si dopat cu Al).

Proprieti electrice ale semiconductorilor pot fi modificate
drastic prin dopaj

Semiconductori de tip n

substitirea unui atom de Si (grupa a IVA) cu un

atom din grupa a V-A (ex. As sau P).

1 atom de P la 108 atomi de Si

atomul de Si are 4 electroni de valenta care

participa la formarea legaturii covalente

cand elementul din grupa a V A inlocuieste un

atom de Si, foloseste doar 4 electroni,
1 electron trece in banda de conductie
semiconductori donori

Semiconductori de tip n

- Impuritati creaza un nivel de energie

n cadrul benzii interzise, aproape de
banda de conductie
-Nivelurile sunt apropiate de banda de
conductie, astfel nct energia
necesar pentru a ioniza atomul este
mic si o fractiune considerabil de
atomi de donatori vor fi ionizati, la
temperatura camerei

Semiconductori de tip p

substitirea unui atom de Si (grupa a IVA) cu un atom din grupa

a III-A (ex. Al sau In)

cand elementul din grupa a III A inlocuieste un atom de Si,

foloseste doar 3 electroni in formarea legaturii covalente

1 gol pozitiv ramane in banda de valenta

semiconductori acceptori

Semiconductori de tip p

Semiconductori se numesc de tip p, deoarece acestea contine

purttori de sarcin pozitivi

Semiconductori de tip p

Impuritati creeaz niveluri "superficiale in cadrul benzii

interzise - niveluri foarte apropiate de banda de valen, astfel
nct energia necesar pentru a ioniza atomul (accepta electroni
care umple golul i sa creeze un alt gol n continuare de la

atomul substituit) este mic

Semiconductori de tip p

Un dopant cu mai putini electroni decat reteaua sa

poate forma o banda ingusta care accepta electroni
de
la
banda
de
valenta.
Golurile
din
banda
sunt
mobile,
semiconductor de tip p (fig a)

Un dopant cu mai multi electroni decat reteaua sa

poate forma o banda ingusta care trimite electroni
de
la
banda
de
conductie.
Electronii
trimisi
sunt
mobile,
semiconductor de tip n (fig b)

Aplicatii -proprietati optice

Dac semiconductorul sau izolatorul nu prezinta impuriti n banda,

fotoni cu energii mai mici dect energia benzii nu poate fi absorbit

Semiconductori cu band ngust (Si, GaAs) nu sunt

transparenti, iar izolatorii si semiconductori de banda larga sunt
transparenti in UV

Aplicatii

Proprietati optice
emisie: diode emitatoare de lumina (LED) si diode laser (LD)
absorptie: (filtrare)

ochelari de soare

Filtre de Si: transmiterea radiatiei IR si blocarea radiatiei UV

Aplicatii
Fotoconductivitatea - conductivitatea semiconductorilor poate fi
crescuta cu ajutorul luminii

Celule solare converteste lumina in curent electric

Detectori de radiatii IR
Celule fotoelectrice utilizate la usile automate;
Xerografie firul de Se amorf este incarcat electrostatic
Camere digitale

Diode

Dioda semiconductoare este un dispozitiv

electronic constituit dintr-o jonciune p-n
prevzut cu contacte metalice la regiunile p
i n i introdus ntr-o capsul din sticl,
metal, ceramic sau plastic.

Anodul diodei - regiunea p a jonciunii;

Catodul diodei - jonciunea n;
O jonctiune intre un semiconductor de tip n si unul de tip p permite
trecerea curentului intr-o singura directie.
Apare o bariera de potential la jonctiunea n-p, difuzia electronilor si
golurilor inceteaza cand se atinge o anumita valoare a potentialui.

Procesele care au loc ntr-o jonciune (sau n urma interaciunii mai

multor jonciuni), determin proprietile electrice ale dispozitivelor
semiconductoare.

Aceste procese sunt influenate de regimul de polarizare a regiunilor.

1. n absena unei tensiuni aplicate din exterior
- o parte din golurile libere ale regiunii p (aflate n zona de vecintate),
difuzeaz n regiunea n , unde se recombin cu electronii;
- o parte din electronii liberi ai regiunii n (aflai n zona de vecintate),
difuzeaz n regiunea p , unde se recombin cu golurile.

Aceste sarcini electrice creeaz un cmp electric ndreptat de la n spre

p i produc o barier de potenial care se opune difuziei purttorilor
majoritari, favoriznd trecerea prin jonciune a purttorilor minoritari.

Diode

Semiconductor

PN-Junction Diode

Bipolar Junction Transistor

Concluzii

Cel mai utilizat semiconductor este Si

Cristalele pure se numesc semiconductori intrinseci

Cristalele dopate se numesc semiconductori extrinseci

Semiconductorii dopati sunt de tip n sau p

Semiconductorii de tip n semiconductori cu exces de electroni (-),

transportori minoritari de goluri.

Semiconductorii de tip p - semiconductori cu exces de goluri (+),

transportori minoritari de electroni.

Semiconductorii sunt materiale de baz pentru fabricarea

dispozitivelor i a circuitelor integrate, ct i a nanocristalelor.

Exemplu de semiconductori utilizai n electronic:

- semiconductori simpli: Si, Ge, Sn,
- compusi semiconductori:
- compusi binari din grupele (III/V, II/VI, I/VII, IV/IV)
SiC, SiGe, GaAs, GaSb, CdSe, CdS, ZnS;
- compusi ternari: ZnGeAs, ZnSiP2, etc.