Sunteți pe pagina 1din 5

Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Colegiul de Construcii din Chiinu

Catedra Fizic, Chimie i Biologie


Laboratorul de fizic

Comunicare
Tema:

Curentul electric n diferite medii

A efectuat:
Eleva grupei DI.12.09.2,
Scotigor Ioana
A verificat:
Profesor de fizic
Rusu Ion

Chiinu 2013

Micarea ordonat a purttorilor de sarcin electric n cmp electric se numete curent


electric. Curentul electric poate trece prin diferite medii n condiii diferite. Una dintre aceste
condiii este prezena unui numr mare de particule ncrcate libere .

Curentul electric n metale


n metale purttorii de sarcin liber snt electronii. n afara cmpului electric electronii liberi
se afl ntr-o micare haotic. ns, sub aciunea cmpului electric exterior, electronii i
continu micarea haotic n direcia aciunii cmpului. Prin urmare curentul electric n metale
este micarea ordonat a electronilor n cmp electric.

La trecerea curentului electric prin metale, acestea se nclzesc. Prin urmare ionii reelii
cristaline ncep a oscila n jurul poziiei de echilibru. n rezultat curentul de electroni liberi se
ciocnete mai des de reeaua cristalin i rezistena n conductor crete. Rezistena metalului
crete odat cu nclzirea acestuia.Fiecare substan are un coeficient termic propriu.

,unde

Utilizarea curentului electric n metale


Becul electric(incandescent) produce lumin prin trecerea curentului electric printr-un
filament. Substana din care este confecionat filamentul are o temperatur de topire nalt (spre
exemplu Wolframul), nclzindu-se pn la o temperatur de 2500-3250 K. Filamentul este
introdus ntr-un balon de sticl cu gaz inert.

Curentul electric n semiconductoare


Semiconductoarele snt substanele, rezistivitatea crora scade odat cu mrirea temperaturii.
(Unii dintre reprezentanii semiconductoarelor snt cristalele de Germaniu i Silex). n aceste
cristale atomii snt unii prin legatur covalent. La nclzire legtura se distruge i atomii se
ionizeaz. Aceasta duce la apariia electronilor liberi i a golurilor-locuri unde nu ajunge un
electron. Electronii atomilor vecini ocup locul liber formnd alte goluri. Astfel att
electronii ct i golurile se pot deplasa prin semiconductor. Nimerind n cmp electric
electronii i golurile se deplaseaz ordonat prin semiconductor astfel apare curentul electric.
Conductibilitatea, bazat pe micarea electronilor liberi i a golurilor, care snt egali n numr
n semiconductorul pur se numete conductibilitate proprie.
Conductibilitatea electric a semiconductoarelor cu impuriti

Cunductibilitatea semiconductoarelor depinde de prezena impuritilor n acestea. Impuritile


pot fi donore sau acceptoare.
Impuritile donore snt cele care cedeaz uor electoni i prin urmare mresc numrul
electronilor liberi. De exemplu pentru siliciul tetravalent impuritate donor este arseniul, care
are cinci electroni de valen. Patru dintre aceti electroni particip la formarea legaturii
covalente , iar al cincilea devine electron liber. Prin urmare n semiconductor numrul
electronilor liberi prevaleaz numrul golurilor aa tip de semiconductor de numete de tip n
(negativ). n acest caz electronii snt purttori de sarcin principali, iar golurile-neprincipale.
Impuritile acceptoare snt cele care au valena mai mic dect a semiconductorului. De
exemplu pentru siliciul tetravalent slixul cu atomii trivaleni este o impuritate acceptoare.
Cei trei electroni particip la formarea legaturii covalente, iar din cauza insuficienei unui
electron se formeaz un gol. Astfel numrul golurilor prevaleaz numrul electronilor liberiacest semiconductor se numete de tip p (pozitiv). Aici purttorii de sarcin principali snt
golurile, iar neprincipali-electronii.
Jonciunea p-n
Contactul semiconductoarelor de tip p i n se numete jonciune p-n. La formarea contactului
o parte din electronii semicondunctorului de tip n, trec n cel de tip p, iar golurile n sens opus.
n zona de trecere apare un cmp electric care treptat ncepe s se opun deplasrii electronilor
i a golurilor.

Exist dou modalit de conectare a semiconductorului cu jonciunea p-n ntr-un circuit:


Jonciunea direct: Bateria se leag astfel nct potenialul semiconductorului de tip p s fie
pozitiv, iar a celui de tip n-negativ. Astfel prin zona de trecere trec purttorii de sarcin
principali, conductibilitatea va fi mare, iar rezistena mic.
Jonciunea invers: Bateria se leag astfel nct potenialul semiconductorului de tip p s fie
negativ, iar a celui de tip n-pozitiv. Acum trecerea este realizat de purttorii neprincipali,
deaceea conductibilitatea probei este mic , iar rezistena mare, prin urmare se formeaz un strat
de baraj.

Curentul electric n gaze


n stare obinuit gazele sunt dielectrici (nu conduc curentul electric) fiind constituite din
atomi i molecule neutre. Conductor poate deveni numai gazul ionizat, cnd conine electroni,
ioni pozitivi i negativi. Ionizarea poate aprea la nclzirea gazului sau aciunea razelor
ultraviolete, Rontgen, radiaiei radioactive etc.
Gazul ionizat parial sau total, n care densitile sarcinilor pozitive i negative practic coincid
a primit denumirea de plasm. n Univers plasma este cea mai des ntlnit stare de agregaresoarele, stelele i straturile superioare ale atmosferei se afl n stare de plasm.
Trecerea curentului electric prin gaze se numete descrcare. Ea are loc la utilizarea unui
ionizator exterior. Descrcarea care continu i dup deconectarea ionizatorului se numete
autonom.