F.E.G.

“Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune

Modulul nr. 6. REALIZAREA CIRCUITELOR ELECTRONICE

DIN INSTALAŢIILE ELECTRICE

Dispozitive semiconductoare.
Semiconductoarele sunt materialele care se situează între izolatoare şi conductoare dpv al
conductivităţii.
Atomul este format dintr-un nucleu central în jurul căruia se află învelişul electronic. În învelişul
electronic se găsesc electronii, particule elementare încărcate cu sarcină electrică negativă, care se rotesc pe
orbite în jurul nucleului.
În mişcarea lor, electronii cu caracteristici apropiate se grupează în straturi. Mai multe straturi
formează o orbită.Electronii au energii bine definite şi de aceea ei se situează pe anumite nivele de energie
(nivele energetice). Electronii pot trece de pe o orbită pe alta emiţând sau absorbind energie.
Electronii mai apropiaţi de nucleu sunt sunt mai puternic atraşi de acesta, iar cei periferici, sunt mai
slab legaţi de nucleu.
Electronii de pe ultima orbită se numesc electroni de valenţă pentru că ei determină comportarea
atomului respectiv faţă de alţi atomi cu care intră în reacţii chimice. Electronii de valenţă pot părăsi atomul
devenind electroni liberi. Pentru a putea părăsi atomul, ei trebuie să aibă un nivel de energie relativ mare.
Aceste nivele de energie se numesc nivele de excitaţie şi formează banda liberă sau de conducţie.
Nivelele de energie minimă alcătuiesc banda ocupată sau banda de valenţă. La izolanţi şi semiconductoare,
între banda de valenţă şi cea de conducţie se află o banda interzisă.
Metalele au o reţea regulată de ioni pozitivi în jurul cărora se mişcă electroni liberi proveniţi dintre
electronii de pe ultima orbită care sunt mai puţin atraşi de nucleu. Dacă la capetele conductorului metalic se
aplică o diferenţă de potenţial, atunci în conductor apare un câmp electric care va acţiona asupra electronilor
liberi ordonându-le mişcarea. Prin conductor va trece curent electric. Viteza de deplasare a electronilor de
conducţie (electroni liberi) este limitată din cauza ciocnirilor dintre aceştia şi ionii reţelei. Cu cât ciocnirile
sunt mai numeroase, cu atât viteza este mai mică. Dacă temperatura creşte, ciocnirile sunt din ce în ce mai
dese, viteza de deplasare dirijată a electronilor scade, creşte rezistenţa electrică, iar curentul scade.
În semiconductoare şi izolanţi, la temperaturi joase, toţi electronii sunt suficient de legaţi de nucleu,
nu există electroni liberi, nu există curent electric. Prin creşterea temperaturii unui semiconductor creşte
agitaţia termică, electronii capătă energii suplimentare şi pot trece pe un nivel de energie superior. Conducţia
electrică poate apărea numai dacă unii electroni din banda de valenţă capătă energii suficient de mari, pentru
a sări din banda de valenţă prin banda interzisă în banda de conducţie. În locul electronului apare un gol care
poate fi ocupat de un alt electron situat pe un nivel energetic mai apropiat de nucleu. Astfel, golul se va
deplasa spre o altă orbită.
Prin creşterea temperaturii unui izolant, energia pe care o capătă electronii nu este suficientă pentru a
le permite să treacă din banda de valenţă în banda de conducţie, deoarece banda interzisă are o lăţime foarte
mare. De aceea materialele izolante nu asigură conducţia electrică.
După modul în care asigură conductivitatea, semiconductoarele pot fi:
 Semiconductoare cu conductivitate intrinsecă
 Semiconductoare cu conductivitate extrinsecă

Semiconductoare cu conductivitate intrinsecă.

O astfel de conductivitate o au substanţele chimic pure, care au patru electroni de valenţă. Aşa sunt:
carbonul, siliciul, germaniul, staniul, plumbul şi compuşii lor.

1
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune
La aceste materiale, în reţeaua cristalină fiecare atom este aşezat la egală distanţă de patru atomi
vecini şi împarte cu aceştia câte un electron de valenţă. Dacă nu intervine nicio excitaţie exterioară (câmp
electric intens), iar temperatura corpului este scăzută, electronii de valenţă rămân ataşaţi atomilor. În reţeaua
corpului nu există electroni liberi şi de aceea acesta se comportă ca un izolator. La o temperatură mai
ridicată, datorită mişcării de agitaţie termică a atomilor reţelei, unii dintre electronii de valenţă primesc o
energie suficient de mare pentru a învinge forţele care îi leagă de nucleu. Astfel se obţin electroni liberi,
denumiţi electroni de conducţie. Un electron devenit electron de conducţie lasă în urma sa un gol. Sub
influenţa unui câmp electric, un electron de valenţă poate părăsi legătura sa şi poate trece în golul lăsat de
electronul liber. Rămâne un alt gol care va fi ocupat de un alt electron, etc. În concluzie, producerea unui
electron liber duce la deplasarea succesivă a întregii serii de electroni de valenţă. Fenomenul se produce ca şi
cum locul lăsat liber de electronul de conducţie s-ar fi deplasat în sens invers electronilor. Deplasarea
electronilor are loc în sens invers câmpului electric, iar deplasarea golurilor în sensul câmpului.
La un semiconductor pur, conductivitatea electrică este datorată atât electronilor cât şi golurilor lăsate
de aceştia. Numărul de electroni de conducţie şi de goluri este egal.

Semiconductoare cu conductivitate extrinsecă.

Prezenţa unui număr însemnat de atomi străini, sub formă de impurităţi, în reţeaua cristalină a unui
semiconductor, poate modifica foarte mult conductivitatea electrică a acestuia.

Dotarea cu impurităţi donoare (de tip n) .

Constă în introducerea în reţeaua cristalină a semiconductorului pur (germaniu) a unui număr mic de
atomi pentavalenţi care ocupă poziţii izolate în diferite puncte ale reţelei. Din cei 5 electroni de valenţă ai
atomilor pentavalenţi, 4 vor fi atraşi de atomii de germaniu, stabilindu-se legături covalente. Un electron va fi
atras de un singur nucleu, fiind mai slab legat de atomul său. În acest caz, chiar la temperaturi mai mici decât
ale mediului ambiant, electronul poate deveni liber.
În acest fel, atomii pentavalenţi de impuritate reprezintă surse de electroni de conducţie în reţeaua
semiconductorului. Se numesc atomi donori. În urma saltului electronului nu se formează un gol ci un ion
pozitiv de impuritate. La un astfel de semiconductor, numit semiconductor de tip n, conducţia curentului
electric se realizează prin electroni. Nivelul energetic al unei impurităţi donoare se plasează în banda
interzisă, mai aproape de banda de conducţie. Energia necesară pentru ca un electron de pe un nivel donor să
sară în banda de conducţie este mult mai mică. De aceea, la temperatura normală toţi electronii atomilor de
impurităţi se transformă în electroni de conducţie.

Dotarea cu impurităţi acceptoare (de tip p)

Constă în introducerea în reţeaua cristalină a semiconductorului a unor impurităţi trivalente. Atomii
de impuritate vor forma 3 legături covalente cu atomii vecini. Un atom semiconductor rămâne fără o legătură
covalentă. Datorită agitaţiei termice, chiar la temperatură normală, un electron de la un atom vecin poate
completa legătura covalentă. În urma sa, acest electron lasă un gol. Atomul de impuritate se transformă în ion
negativ. Astfel de impurităţi se numesc impurităţi acceptoare, iar semiconductorul este de tip p. Conducţia
curentului electric se realizează prin goluri. Nivelele energetice ale atomilor de impurităţi acceptoare se
plasează în banda interzisă, mai aproape de banda de valenţă. Energia necesară ca un electron din banda de
valenţă să sară pe un nivel acceptor este mai mică. Electronii care trec pe nivelele acceptoare formează în
urma lor goluri care participă la conducţia curentului electric. Electronii de pe nivelele acceptoare nu pot
participa la conducţia curentului pentru că sunt prinşi în legăturile covalente ale atomilor acceptori.

2
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune

Diode semiconductoare.
Dioda semiconductoare (jocţiunea pn) este un cristal semiconductor care are două regiuni dotate
diferit: o regiune de tip n şi una de tip p. În regiunea de tip p golurile sunt purtători majoritari, iar electronii
sunt purtători minoritari, concentraţia golurilor fiind mult mai mare decât a electronilor. În regiunea n
purtătorii majoritari sunt electronii, iar golurile sunt purtători minoritari. Concentraţia electronilor este mult
mai mare decât a golurilor.

Golurile libere din porţiunea p difuzează dincolo de suprafaţa de joncţiune, în regiunea n, unde se
recombină cu electronii de aici. Electronii din regiunea n difuzează în regiunea p unde se recombină cu
golurile de aici.
Ca urmare a difuziei, în vecinătatea suprafeţei de separaţie a celor două regiuni se formează o sarcină
spaţială. În regiunea p, din imediata vecinătate a suprafeţei de separaţie, apare o sarcină electrică spaţială
negativă, iar în regiunea n se formează o sarcină spaţială pozitivă. În vecinătatea suprafeţei de separaţie se
formează astfel două straturi, I şi II, cu sarcini electrice egale şi semne diferite, astfel că întreg dispozitivul
este neutru din punct de vedere electric. Regiunea în care apare sarcina spaţială se numeşte regiune de
trecere. Regiunile p şi n din afara regiunii de trecere se numesc regiuni p şi n neutre.
În regiunea de trecere, pe măsura difuziei golurilor şi electronilor, apare un câmp electric din ce în ce
mai intens, orientat dinspre regiunea n spre regiunea p. Acest câmp electric produce o diferenţă de potenţial
între regiunile p şi n, care va opri fenomenul de difuzie. Variaţia potenţialuli prezintă o barieră de potenţial în
regiunea de trecere. Se creează astfel o stare de echilibru, în care transportul de goluri şi electroni încetează,
deşi în interiorul regiunii de trecere există sarcini electrice separate. În ansamblu semiconductorul este neutru
din punct de vedere electric.

3
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune
Dacă pe extremităţile porţiunilor p şi n se aplică doi electrozi de mare suprafaţă şi dacă între electrozi
se aplică o diferenţă de potenţial cu polaritatea din figura a), câmpul creat de sursă având sensul np, va
îndepărta electronii din regiunea n în sens invers câmpului şi golurile din regiunea p în sensul câmpului. De o
parte şi de alta a suprafeţei de contact se formează o zonă complet lipsită de purtători de sarcină, zonă numită
strat de blocare. Acesta are o rezistenţă foarte mare, astfel încât prin circuitul format nu circulă curent.
Bariera de potenţial creşte.
Dacă se inversează polaritatea tensiunii de alimentare, diferenţa de potenţial dintre regiunile p şi n
scade, grosimea stratului de blocare se reeduce sau se anulează complet şi în circuit apare un curent electric.
Datorită stratului de blocare, joncţiunea pn are proprietatea de a lăsa să circule curentul într-un singur
sens, proprietate folosită la redresarea curentului alternativ.

Golurile libere din porţiunea p difuzează dincolo de suprafaţa de joncţiune, în regiunea n, unde se
recombină cu electronii de aici. Electronii din regiunea n difuzează în regiunea p unde se recombină cu
golurile de aici.
Ca urmare a difuziei, în vecinătatea suprafeţei de separaţie a celor două regiuni se formează o sarcină
spaţială. În regiunea p, din imediata vecinătate a suprafeţei de separaţie, apare o sarcină electrică spaţială
negativă, iar în regiunea n se formează o sarcină spaţială pozitivă. În vecinătatea suprafeţei de separaţie se
formează astfel două straturi, I şi II, cu sarcini electrice egale şi semne diferite, astfel că întreg dispozitivul
este neutru din punct de vedere electric. Regiunea în care apare sarcina spaţială se numeşte regiune de
trecere. Regiunile p şi n din afara regiunii de trecere se numesc regiuni p şi n neutre.
În regiunea de trecere, pe măsura difuziei golurilor şi electronilor, apare un câmp electric din ce în ce
mai intens, orientat dinspre regiunea n spre regiunea p. Acest câmp electric produce o diferenţă de potenţial
între regiunile p şi n, care va opri fenomenul de difuzie. Variaţia potenţialului prezintă o barieră de potenţial
în regiunea de trecere. Se creează astfel o stare de echilibru, în care transportul de goluri şi electroni
încetează, deşi în interiorul regiunii de trecere există sarcini electrice separate. În ansamblu semiconductorul
este neutru din punct de vedere electric.

Tranzistorul.

4
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune

Tranzistoarele sunt triode semiconductoare cu două joncţiuni. Ele sunt formate din trei regiuni: pnp
sau npn. Cele trei regiuni se numesc: emitor, bază şi colector. În funcţionare normală, emitorul este alimentat
în sens direct, iar colectorul în sens invers.
Partea centrală, de tip n la tranzistorul pnp, are grosimea mult mai mică decât lungimea de difuzie a
golurilor din zonele de tip p. Regiunile laterale, de tip p, au grosimea mult mai mare decât lungimea de
difuzie a purtătorilor minoritari din aceste regiuni. Regiunile laterale sunt mult mai dotate cu impurităţi decât
baza. Joncţiunea emitorului fiind polarizată în sens direct , un număr mare de goluri difuzează din E în B,
determinând un curent de goluri din emitor, I pE . Pentru că baza are o grosime mult mai mică decât lungimea
de difuzie a golurilor, numai un număr foarte mic de goluri se vor recombina în bază, producând un curent
mic de recombinare în bază, I pEB. Majoritatea golurilor se îndreaptă spre colector. Aici, datorită polarităţii
colectorului, bariera de potenţial favorizează trecerea golurilor în colector, formând un curent I pEC.
IpE= IpEB+ IpEC
La joncţiunea emitorului, alimentată în sens direct, circulă şi un curent de electroni din B în E. Acest
curent este mult mai slab decât curentul de goluri, pentru că baza are mai puţine impurităţi decât emitorul.
IE=IpE+InB
La joncţiunea colectorului, care reprezintă o diodă alimentată în sens invers, circulă un curent invers,
IBC0. Curentul colectorului va fi:
IC=IpEC+IBC0
IE=IC+IB
Conexiunile tranzistoarelor:

5
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune
Redresoare. Instalaţii pentru redresarea curentului.
Producerea, transportul şI distribuţia energiei electrice se realizează numai în curent alternativ. În
unele utilizări curentul continuu este prioritar (tracţiunea electrică, industria chimică, comenzile instalaţiilor
automate, instalaţii de semnalizare, staţii pentru încărcarea acumulatoarelor, etc.) Pentru astfel de
consumatori, curentul alternativ trebuie transformat în curent continuu.
Redresarea curentului monofazat se poate obţine prin:
- Redresarea unei singure alternanţe – când curentul redresat trece prin rezistenţa de sarcină numai în timpul
unei semiperioade a tensiunii alternative a sursei de alimentare
- Redresarea ambelor alternanţe – când curentul redresat trece prin rezistenţa de sarcină în timpul ambelor
semiperioade ale tensiunii alternative a sursei de alimentare

Pentru redresarea ambelor alternanţe ale curentului se utilizează instalaţii cu priză mediană la
transformator şi instalaţii în punte.
În instalaţia cu priză mediană redresarea ambelor alternanţe se realizează utilizând un transformator
monofazat cu priză mediană în secundar. Luând în fiecare dintre cele două porţiuni ale înfăşurării secundare
ca sens pozitiv al tensiunii sensul de la capetele exterioare a şi b spre punctul zero, se observă că tensiunile
înfăşurărilor secundare sunt în opoziţie. Pentru una din semiperioade, când tensiunea din înfăşurarea 0a
acţionează în sens pozitiv, borna a este la potenţial mai mare faţă de punctul 0 şi faţă de catodul redresorului
conectat la punctul 0 prin rezistorul de sarcină. În această semiperioadă curentul trece prin redresorul 1 care
are anodul pozitiv faţă de catod. În aceeaşi semiperioadă borna b a înfăşurării 0b este la potenţial inferior faţă
de priza mediană şi de aceea al doilea redresor nu lasă curentul să treacă, pentru că anodul legat la borna b
este negativ faţă de priza mediană şi faţă de catod.
În semiperioada următoare, tensiunile din înfăşurarea primară şi secundară îşi inversează sensul,
curentul trece prin primul redresor şi îl blochează pe al doilea.

6
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune

La instalaţia în punte se folosesc diode în cele patru braţe, la una dintre diagonale este legată
înfăşurarea secundară a transformatorului, iar la cealaltă diagonală se leagă rezistorul de sarcină. Diodele se
leagă astfel încât într-o semiperioadă să conducă o pereche de diode, iar în semiperioada următoare să
conducă cealaltă pereche de diode. Prin sarcină curentul va trece de fiecare dată în acelaşi sens.

Schema trifazată în punte are 6 elemente redresoare, care pot fi împărţite în două grupe. Redresoarele
1,2,3 au catozii legaţi electric între ei, formând polul pozitiv al circuitului exterior, iar anozii sunt legaţi la
secundarul transformatorului. Redresoarele 4,5,6 au anozii legaţi electric, constituie polul negativ al
circuitului exterior, iar catozii sunt legaţi la secundarul transformatorului.

7
F.E.G. “Education”
Centrul de Formare si Evaluare Profesionala Electrician Exploatare Medie si Joasa Tensiune

În timpul fiecărei treimi de perioade, funcţionează redresorul din prima grupă care are anodul la
potenţialul cel mai mare şi cel din grupa a doua care are catodul cel mai negativ. Fiecare redresor conduce
succesiv o treime de perioadă.