Semiconductoare

Semiconductorul este un material a crui rezistivitate este cuprins ntre cea a conductoarelor i izolatoarelor. Un cmp electric poate schimba rezistivitatea semiconductorilor. Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare sunt baza electronicii moderne, fiind pri componente n radiouri, computere, telefoane i multe altele. Dispozitivele semiconductoare sunt: tranzistorul, celulele solare, mai multe tipuri de diode, inclusiv dioda luminiscent i circuite integrate. Panourile solare fotovoltaice sunt dispozitive semiconductoare care transform energia luminii n energie electric. ntr un conductor metalic, curentul este reprezentat de flu!ul de electronii. ntr un semiconductor curentul este reprezentat fie de flu!ul de electroni fie de flu!ul de "goluri" din structura electronic a materialului.

Materiale semiconductoare
#unt utilizate la ob$inerea dispozitivelor semiconductoare: tranzistoare, diode, etc precum %i la realizarea circuitelor integrate. 1. Materiale semiconductoare intrinseci. &aterialele semiconductoare intrinseci sunt materiale semiconductoare pure, la care atomii din re$eaua cristalin sunt de un singur tip, din grupa a'(a a tabelului periodic al elementelor %i anume: #iliciul %i )ermaniul. n prezent, cel mai utilizat element pentru ob$inerea materialelor semiconductoare este siliciul, structura sa fiind prezentat n *igura +.

*igura +. ,evenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de --., electronii sunt plasa$i numai n banda de valen$. Deoarece nu e!ist electroni de conduc$ie /electroni liberi0, n structura materialului semiconductor nu se genereaz curent electric. 1a temperaturi mai mari de --., o parte a energiei termice este preluat de ctre electronii de valen$, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece de nivelele energetice din banda interzis %i a2unge pe nivelele energetice din banda de conduc$ie, devenind liberi s se deplaseze prin structura materialului. Prin plecarea acestor electroni din banda de valen$, locul ocupat ini$ial de ctre ace%tia pe nivelul energetic din banda de valen$ devine liber, altfel spus gol. 3cest gol poate fi ocupat *igura 5. 4

de un alt electron de valen$, fr un aport energetic substan$ial. 3cest al 6lea electron de valen$, prin ocuparea nivelului energetic lsat liber de primul electron, las la rndul lui un nou loc liber, un nou gol, pe nivelul energetic ocupat n banda de valen$. #e constat astfel, o deplasare a golurilor n banda de valen$, motiv pentru care %i golul este un purttor de sarcin mobil. 3cest fenomen este prezentat n *igura 5. 3cela%i fenomen poate fi e!plicat pe baza structurii re$elei cristaline a atomului de siliciu. 1a temperatura de --., atomii de siliciu sunt lega$i prin legturi covalente la care fiecare dintre ace%tia particip cu cte 5 electroni de valen$. 1a nivelul re$elei cristaline, electronii de valen$ pot cpta suficient energie astfel nct s rup legturile covalente n care au fost fi!a$i. Prin ruperea legturii covalente, electronii de valen$ devin liberi /devin electroni de conduc$ie0 %i las n urm, la nivelul atomului de unde au plecat un gol, caracterizat printr un un e!ces de sarcin pozitiv la nivelul atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere electric, cu o sarcin electric pozitiv fictiv. n continuare, dac un alt electron de valen$ rupe o legtur covalent, devenind liber, poate ocupa golul lsat de primul electron de valen$. 3cest fenomen este sugerat n *igura 7.

*igura 7. Purttori mobili de sarcin electric Purttorii mobili de sarcin electric n semiconductoare sunt electronii de conducie i golurile. Deoarece ace%tia sunt mobili, se pot deplasa prin structura semiconductorului. n cazul n care deplasarea purttorilor de sarcin este orientat /nu este haotic0, fenomen care se poate observa, de e!emplu, n cazul n care se aplic asupra semiconductorului un cmp electric, prin structura semiconductorului se observ apari$ia unor fenomene de conduc$ie electric /fenomene legate de generarea curentului electric0. n consecin$, fenomenele de conduc$ie n materialele semiconductoare sunt generate pe baza electronilor de conduc$ie %i a golurilor. Generarea purttorilor mobili de sarcin Din cele prezentate mai sus se constat c, ntr un material semiconductor, purttorii mobili de sarcin /electroni de conduc$ie %i goluri0 sunt genera$i prin ruperea legturilor covalente. n plus, se constat c prin cre%terea temperaturii, numrul de electroni de valen$ care capt suficient energie pentru a rupe legturile covalente, cre%te. n concluzie, prin cre%terea temperaturii, tot mai multe legturi covalente se rup %i astfel sunt genera$i tot mai mul$i purttori mobili de sarcin. &ecanismul de generare a purttorilor mobili de sarcin n semiconductoare pe baza cre%terii temperaturii se nume%te generare termic de purttori de sarcin. 6

Din fenomenele descrise mai sus s a constatat c, prin ruperea legturilor covalente, electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi. Deoarece electronii de conduc$ie %i golurile sunt genera$i n perechi, concentra$iile de purttori mobili de sarcin electric ntr un semiconductor intrinsec sunt egale. 8oncentra$iile de purttori mobili de sarcin electric ntr un semiconductor se noteaz astfel: n 9 concentra$ia de electroni de conduc$ie, p 9 concentra$ia de goluri. (aloarea comun a acestor concentra$ii se nume%te concentraie intrinsec %i se noteaz cu ni. n concluzie, pentru un semiconductor intrinsec este valabil rela$ia:
n = p = ni

/40

8oncentra$ia intrinsec cre%te cu cre%terea temperaturii semiconductorului. 1a temperatura camerei, considerat +---., ni are valoarea 4,574-4-cm + pentru siliciu, respectiv 64-4+cm +, la germaniu. n *igura : se prezint modul n care variaz cu temperatura ; concentra$ia intrinsec a unui material semiconductor din siliciu.

*igura :. Recombinarea purttorilor de sarcin n cadrul semiconductoarelor, pe lng mecanismul de generare a purttorilor de sarcin este prezent %i mecanismul invers, care duce la dispari$ia purttorilor de sarcin. &ecanismul respectiv se nume%te recombinare de purttori de sarcin %i este caracterizat prin revenirea electronilor de pe un nivel energetic superior, din banda de conduc$ie, pe un nivel energetic inferior, n banda de valen$. ,evenirea n banda de valen$ a unui electron de conduc$ie duce att la dispari$ia unui electron de conduc$ie ct %i a unui gol. Deci, mecanismul de recombinare a purttorilor de sarcin duce la dispari$ia n perechi a acestora. 2. Doparea materialelor semiconductoare. Materiale semiconductoare e trinseci. *enomenul de dopare const n introducerea n materialul semiconductor intrinsec, prin diverse procedee controlate, a unor atomi diferi$i fa$ de cei din #i sau )e, denumi$i %i atomi de impuritate, n scopul modificrii propriet$ilor electrice ale materialului semiconductor. Un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate se nume%te material semiconductor e trinsec. 8ondi$ia necesar ca un material semiconductor s fie e!trinsec este ca concentra$ia de atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec, notat !impuriti s fie mult mai mare dect concentra$ia intrinsec ni: +

N impuritati >> ni

/60

&aterialele semiconductoare e!trinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode. 3tomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi din grupele (, respectiv ''', din care cei mai frecvent utiliza$i sunt cei prezenta$i n *igura <. n func$ie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoare intrinseci, materialele semiconductoare e!trinseci se mpart n 6 categorii: materiale semiconductoare de tip ! materiale semiconductoare de tip P

*igura <. Materiale semiconductoare de tip ! Pentru ob$inerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate pentavalen$i, /din grupa a (a a tabelului periodic al elementelor chimice0, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru din cei cinci electroni de valen$ a atomului de impuritate formeaz 5 legturi covalente cu electronii de valen$ ai atomilor de #iliciu sau )ermaniu nvecina$i, n timp ce al 7lea electron de valen$ al atomului de impuritate este slab legat, astfel c la temperatura camerei prime%te suficient energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de conduc$ie, capabil s participe la fenomenele de conduc$ie, a%a cum este prezentat %i n *igura =.

*igura =. 5

#e constat c formarea electronului de conduc$ie nu este nso$it de generarea unui gol. >lectronii de conduc$ie ob$inu$i n acest mod sunt genera$i prin doparea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de ob$inere a electronilor de conduc$ie, ace%tia mai pot fi genera$i %i prin mecanismul de generare termic /prin cre%terea temperaturii0, dar, n acest caz, generarea unui electron de conduc$ie este nso$it de generarea unui gol. Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip ?, concentra$ia de electroni de conduc$ie este mult mai mare dect cea de goluri. Din acest motiv, electronii de conduc$ie se numesc purttori de sarcin ma"oritari, iar golurile se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 7lea electron de valen$, el se nume%te atom donor. n urma cedrii celui de al 7lea electron, atomul donor devine ion pozitiv /se reaminte%te c un atom este neutru dpdv electric@ prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv, iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ0. Materiale semiconductoare de tip P Pentru ob$inerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivalen$i, /din grupa a '''a a tabelului periodic al elementelor chimice0, cum ar fi borul, galiul, indiul, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. 3tomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valen$ ai si, la formarea numai a trei legturi covalente cu electronii de valen$ ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecina$i, lsnd electronul de valen$ al celui de al 5lea atom de siliciu nvecinat fr legtur covalent, astfel crend un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv. >lectronul de valen$ al celui de al 5lea atom de siliciu nvecinat /n *igura A, atomul de siliciu din dreapta0 poate forma o legtur covalent cu un alt electron de valen$ al unui alt atom de siliciu nvecinat, care, prin completarea acestei legturi covalente, las la rndul su, n urma sa un gol.

*igura A. #e constat c formarea unui gol nu este nso$it de generarea unui electron de conduc$ie. )olurile ob$inute n acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de ob$inere a golurilor, acestea mai pot fi generate %i mecanismul prin generare termic /prin cre%terea temperaturii0, dar, n acest caz, generarea unui gol nu este nso$it de generarea unui electron de conduc$ie.

Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip P, concentra$ia de goluri este mult mai mare dect cea a electronilor de conduc$ie. Din acest motiv, golurile se numesc purttori de sarcin ma"oritari, iar electronii de conduc$ie se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate prime%te un electron de valen$ de la un atom de siliciu nvecinat, el se nume%te atom acceptor. n urma primirii acestui electron, atomul acceptor devine ion negativ.