LICEUL TEHNOLOGIC SEBES ANUL SCOLAR 2019-2020

SCHITA LECTIE

PROFESOR: JUMOLEA ALINA

DISCIPLINA: BAZELE ELECTRONICII ANALOGICE

Clasa : a X- a C

Domeniul: Electronica - automatizari

Subiectul lectiei: Jonctiunea pn

Numar ore: 5 ore

Tipul de lectie: mixta

Scopul lectiei: completarea sistemului de cunostinte al elevilor cu metodele de realizare si

caracterizare a dispozitivelor electronice

Competente specifice:
UC1:Identificarea tipurilor de materiale semiconductoare
UC2: Intelegerea comportarii jonctiunii pn in functie de polarizare si in regim dinamic

Competente derivate:
C1: sa identifice tipurile de materiale semiconductoare
C 2:sa precizeze comportarea jonctiunii pn polarizata direct si invers

Metode si procedee: conversatia euristica, descoperirea dirijata, explicatia, demonstratia

Mijloace de invatamant: pentru activitatea individuala – caiet
pentru activitatea frontala – tabla

Evaluare ; formativa prin chestionare orala, fise de lucru, test

Joncţiunea PN
Studiul materialelor semiconductoare mi s-a părut mereu ceva total inutil din
punct de vedere practic. Această părere mi s-a întărit în timp, observând că
reuşeam să-mi dezvolt montajele electronice pe care mi le doream fără să am
niciodată nevoie de cunoştinţele despre fizica materialelor semiconductoare,
despre joncţiunea PN etc. Totuşi, mi-am dat seama că fără să înţeleg măcar în
mare cum funcţionează toate componentele electronice cu care am de a face,
este mai greu să înţeleg ca lumea toate modurile în care le pot folosi. Fizica
semiconductoarelor este un subiect greu digerabil aşa că m-am hotărât ca prin
acest articol să te ajut să o înţelegi mai uşor. Aşadar, astăzi vom vorbi despre:

 Ce sunt materialele semiconductoare ?

 Cum funcţionează materialele semiconductoare ?
 Joncţiunea PN
Ce sunt materialele semiconductoare ?
Sunt materiale care au conductivitatea electrică undeva între cea a metalelor şi
cea a materialelor izolatoare. Ce le face însă cu adevărat importante în
electronică este faptul că în anumite condiţii îşi pot schimba radical
conductivitatea electrică.
Cum funcţionează materialele semiconductoare ?

Pentru a putea înţelege mai uşor cum funcţionează şi cum se fabrică

semiconductoarele, fie că ne place sau nu, trebuie să înghiţim întâi puţină
chimie.

Aşadar, chimia ne spune că electronii unui atom nu se rotesc în jurul lui aşa
oricum, ci în nişte straturi sau orbite care se află la distanţe precise faţă de
centrul atomului. Altfel spus, un atom poate fi privit ca o ceapă: centrul
acesteia este echivalent cu nucleul atomului, iar foiţele cepei corespund cu
straturile în care se plimbă electronii în jurul nucleului. În fiecare din aceste
straturi poate încape doar un număr limitat de electroni.

Aşezarea electronilor în straturi are loc la fel cum se aşează spectatorii în sala
de spectacol. Dacă este vorba de un spectacol la care vine puţină lume, vor fi
pline doar locurile din primele două-trei rânduri, dacă este un spectactol la
care vine mai multă lume, se ocupă şi rândurile trei-patru şi tot aşa mai
departe. Similar, dacă un atom are puţini electroni, aceştia vor ocupa doar
primele straturi, dacă atomul are mai mulţi electroni, se vor ocupa şi câteva din
straturile următoare şi aşa mai departe.

La fel ca şi în analogia cu sala de spectacol, în cazul multor elemente chimice,

ultimul strat nu se completează 100% cu electroni. În aceste cazuri, electronii
de pe ultimul strat pot fi folosiţi de către atom pentru a forma legături chimice
cu alţi atomi.

Acum, după această scurtă lecţie de chimie, ştim destule pentru a putea
înţelege funcţionarea materialelor semiconductoare.
Materiile prime folosite la fabricarea materialelor semiconductoare sunt
cristalele de diamant, germaniu şi mai ales siliciu. Aceste materiale sunt
speciale prin faptul că absolut toţi electronii de pe ultimul strat sunt folosiţi la
crearea de legături cu atomii vecini. În cazul lor, pe ultimul strat încap maxim 8
electroni.
Acest lucru se observă foarte bine în figura 1 (inspirată dintr-un document mai
amplu). Sferele albastre reprezintă electronii de pe ultimul strat (pe cei din
straturile inferioare nu i-am mai pomenit pentru că practic nu au nici o
influenţă). Atomul de germaniu (simbolizat Ge) din centrul figurii 1 are doar 4
electroni pe ultimul strat şi visează să mai facă rost de încă 4 pentru a-şi ocupa
toate cele 8 locuri de pe ultimul strat. Fiind de aceeaşi natură, acelaşi lucru şi-l
doresc şi atomii vecini. Cum îşi rezolvă aceştia problema lipsei de electroni ?
Simplu, electronii vecini îşi pun la comun câte un electron la fel cum amicii pun
bani mână de la mână pentru a-şi cumpăra lucruri pe care nu şi le pot permite
singuri, lucruri pe care apoi le folosesc împreună. Altfel spus, dacă doi atomi îşi
pun la comun câte un electron, perechea respectivă de electroni va fi folosită
simultan de ambii atomi. Astfel, fiecare din cei doi atomi se va simţi ca şi cum
ar avea 5 electroni pe ultimul strat. În figura 1 se observă că fiecare atom de Ge
îşi împarte toţi cei 4 electroni de pe ultimul strat cu patru atomi învecinaţi, ceea
ce îl face să se simtă ca şi cum nu ar avea nici un electron lipsă. În chimie,
această înţelegere poartă denumirea de legătură covalentă.

Figura 1. Reţeaua cristalină a unui cristal de germaniu

Această situaţie lasă materialul semiconductor fără electroni liberi. Fără
prezenţa electronilor liberi, semiconductoarele nu pot conduce curentul
electric şi deci, teoretic, sunt materiale perfect izolatoare. De ce le-am vrea
izolatoare ? Pentru a le putea face să devină conductoare doar în modul în care
dorim noi, nu haotic aşa cum ar putea-o face diferitele impurităţi. Din acest
motiv, puritatea materiilor prime semiconductoare trebuie să fie mai mare
de 99,9999%.
Ultima etapă în fabricarea materialelor semiconductoare constă în
transformarea lor din izolatori electrici în conductori electrici. Această
transformare se obţine prin doparea (amestecarea) semiconductoarelor cu
nişte impurităţi speciale, numite impurităţi de tip P sau impurităţi de tip N.
Impurităţile de tip P constau în cantităţi foarte mici de bor (B) sau galiu (Ga),
atomi care în mod natural au pe ultimul strat doar 3 electroni (din maximul de
8 care pot încape în acest strat). Acest fapt este reprezentat în figura 2 unde se
observă cum atomul de bor (căruia îi lipsesc 5 electroni de pe ultimul strat) pur
şi simplu fură 1 electron de la un atom de germaniu vecin pentru a putea
stabili 4 legături covalente cu atomii vecini (3 legături cu electronii lui naturali
şi una cu electronul furat). La fel de bine se poate întâmpla ca atomul de bor să
fie cinstit, să nu fure electroni de nicăieri, să formeze doar 3 legături covalente
şi să rămână cu un loc gol pe ultimul strat. În oricare din aceste situaţii ne-am
afla, vom avea mereu aceeaşi consecinţă: în semiconductorii dopaţi cu atomi de
tip P, mereu vor exista locuri libere pentru alţi electroni (proveniţi de undeva din
exteriorul materialului. În literatura tehnică de specialitate, aceste locuri libere
se numesc goluri. Deoarece aceste goluri pot primi electroni de undeva din
exterior, rezultă că în acest caz semiconductorul poate conduce curentul
electric.

Figura 2. Doparea unui cristal de germaniu (Ge) cu atomi de bor (B).

Nota: Te-ai putea gândi că după ce conectezi semiconductorul la o sursă de
alimentare cu energie electrică, toate golurile se vor umple cu electroni luaţi
din borna negativă a sursei respective (care este doldora de electroni) şi că, în
cele din urmă, semiconductorul redevine izolator. Într-adevăr, golurile vor
absorbi electronii făcuţi cadou de sursa respectivă, însă nu-i vor putea înţepeni
în legături covalente pentru că toate legăturile covalente posibile sunt deja
făcute încă din etapa de fabricaţie a semiconductorului. Asta înseamnă că
electronii primiţi cadou de la sursa de alimentare vor putea ocupa golurile, însă
pentru că nu-i împiedică nici o legătură covalentă, la nevoie pot părăsi acele
goluri pentru a forma un curent electric.
Aşadar, semiconductorul rămâne conductor şi în acest caz.

Materialele semiconductoare dopate cu impurităţi de tip P se

numesc materiale semiconductoare de tip P.
Impurităţile de tip N constau în cantităţi foarte mici de fosfor sau arsenic, atomi
care în mod natural au pe ultimul strat doar 5 electroni (din maximul de 8 care
pot încape în acest strat). Situaţia este reprezentată în figura 3 unde se observă
cum funcţionează doparea cristalelor de germaniu cu atomi de arseniu (cărora
de pe ultimul strat le lipsesc doar 3 electroni). Cu toate că ar avea nevoie doar
de 3 atomi, atomul de arseniu încearcă să se “integreze în societate” şi
formează 4 legături covalente cu 4 atomi de germaniu vecini. Astfel atomul de
arseniu simte că s-a ales cu 4 electroni, deci cu unul în plus faţă de cât ar avea
nevoie pentru a-şi completa ultimul strat. Electronul care este în plus nu este
acceptat de nici unul din atomii vecini, pentru că aceştia au format deja toate
legăturile covalente posibile. Asta înseamnă că electronul rămas în plus este de
fapt un electron liber, care poate ajuta oricând la formarea unui curent electric.
Notă: presupun că în acest caz te-ai putea gândi că după ce conectezi
semiconductorul la o sursă de alimentare cu energie electrică, toţi electronii
liberi din semiconductor ar putea fi absorbiţi de borna pozitivă a sursei
respective (care este mereu flămândă după electroni) şi că, în final,
semiconductorul redevine izolator. Într-adevăr, electronii liberi vor fi absorbiţi
de borna pozitivă însă fără aceşti electroni o parte din atomii
semiconductorului vor deveni ioni pozitivi, care mereu vor fi dornici să
primească electroni pentru a redeveni neutri. Altfel spus, absorbind electronii
liberi, nu faci decât să creezi nişte goluri de electroni în care se pot instala
foarte bine nişte electroni veniţi de undeva din exteriorul semiconductorului.
Cum nici în acest caz nu se mai pot forma alte legături covalente, rezultă că
electronii care ar ocupa acele goluri ar putea-o lua oricând din loc pentru a
forma un curent electric. În concluzie, şi în acest caz semiconductorul rămâne
conductor.
Materialele semiconductoare dopate cu impurităţi de tip N se
numesc materiale semiconductoare de tip N.
 Figura 3. Doparea unui cristal de germaniu (Ge) cu atomi de arseniu (As)
Joncţiunea PN

Din discuţiile de mai sus rezultă că atât semiconductoarele de tip P cât şi cele
de tip N, luate separat, sunt materiale conductoare. Când însă sunt puse în
contact, electronii liberi din semiconductorul N se năpustesc să ocupe golurile
de electroni din semiconductorul P. Zona de contact dintre semiconductorul
de tip N şi cel de tip P poartă numele de joncţiunea PN (vezi figura 4). Pe
măsură ce electronii liberi din N ocupă golurile din P se întâmplă următoarele
lucruri:
 în semiconductorul P creşte numărul de electroni, fapt pentru care în
acesta încep să apară ioni negativi (punctele albastre din figura 4);
 în semiconductorul N scade numărul de electroni, fapt pentru care în
acesta încep să apară ioni pozitivi (punctele roşii din figura 4).
Probabil mai ţii minte de la chimie că ionii negativi, având exces de electroni,
tind să respingă electronii liberi de prin apropiere. Asta înseamnă că
neutralizarea golurilor din semiconductorul P cu electroni liberi din
semiconductorul N, continuă doar până când ionii negativi care apar în
semiconductorul P ajung să fie atât de mulţi încât formează o barieră care nu
mai permite trecerea electronilor liberi prin joncţiunea PN. Această barieră se
numeşte barieră de potenţial sau zonă de golire (depletion zone). Primii
electroni liberi şi primele goluri care se “mănâncă” reciproc sunt cele din
imediata vecinatate a joncţiunii PN şi de aceea mijlocul barierei de potenţial
coincide cu zona de contact a semiconductorului de tip N cu cel de tip P.
 Figura 4. Joncţiunea PN
Ai putea spune, “nu mai înţeleg nimic, electronii liberi vor sau nu să ocupe
toate golurile disponibile ?”. Asta m-a bulversat şi pe mine până când am
înţeles că este vorba de două fenomene care se petrec în acelaşi timp dar au
efecte contrare:

primul fenomen – am spus mai sus că în semiconductorul P, unii atomi din

materialul de bază sunt deposedaţi de un electron de către atomul de
impuritate. Per total însă, numărul de electroni ai semiconductorului P rămâne
constant. În urma electronului “răpit” rămâne un gol care ţipă că vrea umplut
înapoi. Drept consecinţă, zonele cu mai puţini electroni din semiconductorul P,
atrag prin joncţiunea PN electroni din semiconductorul N;
al doilea fenomen – când un electron liber ajunge din semiconductorul N într-
un gol din semiconductorul P, acesta rezolvă problema golului însă în acelaşi
timp reduce numărul de electroni din semiconductorul de tip N. Drept
consecinţă, semiconductorul N cere înapoi semiconductorului P electronii luaţi
în cadrul primului fenomen.
Datorită apariţiei zonei de golire, în mod normal electronii liberi nu mai pot
circula prin joncţiunea PN. Trecerea curentului electric prin joncţiunea PN este
totuşi posibilă dacă neutralizăm efectul barierei de potenţial aplicând o
tensiune electrică de aceeaşi valoare dar de sens contrar. Această tensiune
electrică “de neutralizare” poartă denumirea de tensiune de prag. Valoarea
tensiunii de prag depinde de materialul de bază din care este construită
joncţiunea PN. De exemplu, pentru cele din siliciu este de cca. 0,65V, pentru
cele cu germaniu este în jur de 0,15V şi aşa mai departe
Cea mai importantă proprietate pe care o posedă joncţiunea PN este faptul că
nu conduce curentul electric decât într-un singur sens. În continuare vom vorbi
puţin despre ce se întâmplă în joncţiunea PN atunci când o conectăm o sursă
de tensiune electrică, în fiecare din cele două sensuri posibile.
Joncţiunea PN polarizată în sens direct. În acest mod, electronilor din materialul
N li se adaugă electroni trimişi de borna – (minus) a sursei, iar numărul de
goluri din materialul P este crescut de electronii absorbiţi de borna + (plus). În
acest mod, practic se măreşte numărul de electroni liberi din materialul N şi
numărul de goluri din materialul P. Din acest motiv, în sens direct, joncţiunea
PN conduce curentul electric (bineînţeles, dacă la bornele ei aplicăm o tensiune
electrică cel puţin egală cu tensiunea de prag). Fenomenul este schiţat în figura
5 unde se observă că bariera de potenţial are dimensiuni mai reduse la
polarizarea în sens direct faţă de cazul din figura 4 în care joncţiunea PN nu
este conectată nicăieri.

Figura 5. Joncţiunea PN polarizată în sens direct

Joncţiunea PN polarizată în sens invers. În acest caz, toţi electronii liberi din
materialul N sunt înghiţiţi de borna + (plus) iar toate golurile din materialul P
sunt completate de electronii veniţi de la borna – (minus). În această situaţie,
semiconductorul de tip N devine izolator pentru că fără electroni liberi nu mai
are cine conduce curentul electric. În acelaşi mod şi materialul P devine izolator
pentru că nemaiavând locuri libere, nu mai poate accepta electroni de nicăieri.
În altă ordine de idei:

 în sensul direct, tensiunea aplicată pe joncţiunea PN reduce grosimea

barierei de potenţial, putând-o chiar anula dacă are o valoare mai mare
decât tensiunea de prag;
 în sensul indirect, tensiunea aplicată pe joncţiunea PN măreşte grosirea
barierei de potenţial.
Fenomenul este schiţat în figura 6 unde se observă că bariera de potenţial are
dimensiuni mult mai mari la polarizarea în sens invers faţă de cazul din figura
4 în care joncţiunea PN nu este conectată nicăieri.
 Figura 6. Joncţiunea PN polarizată în sens invers
După cum vezi, joncţiunea PN are o funcţionare destul de simplă (DACĂ
stăpâneşti bine destul de multe noţiuni de chimie şi fizică moleculară). Sunt
multe moduri de a explica aceste lucruri, însă eu sper că am reuşit să le aleg
doar pe cele care sunt pe înţelesul tau.
 Fisa de lucru

Tipul activitatii: Peer learning – metoda grupurilor de experti

Sugestii:

- elevii se vor imparti in 3 grupe

- timp de lucru recomandat: 20 minute
Obiectivul: Dupa aceasta activitate veti fi capabili:

- sa identificati tipurile de materiale semiconductoare

- sa precizati comportarea jonctiunii pn polarizata direct si invers.
Enunt : Cercetati si aplicati!

Fiecare grupa trebuie sa se documenteze despre tipuri de materiale

semiconductoare si comportarea jonctiunii pn polarizata direct si invers,
folosind materialul din fisa de documentare 1.1 .

Fiecare grupa trebuie sa completeze cate o coloana din tabelul de mai jos.

Pentru acest lucru aveti la dispozitie 10 minute. Dupa ce ati devenit „experti” in
subtema studiata, reorganizati grupele astfel incat in grupele nou formate sa existe
cel putin o persoana din fiecare grupa initiala. Timp de 10 minute veti impartasi cu
ceilalti colegi din grupa nou formata cunostintele acumulate la pasul anterior.
 Tipuri de Comportarea jonctiunii pn Comportarea jonctiunii pn

materiale polarizata direct polarizata invers

semiconductoare
Tipuri de materiale La jonctiunea pn polarizata direct La jonctiunea pn polarizata invers
semiconductoare . sensul curentului este de la sensul curentului este de la
…………….. ……………..
Materialele semiconductoare de tip
p se obtin prin doparea Rezistenta electrica a unei diode Rezistenta electrica a unei diode
semiconductorului pur cu elemente polarizate direct este…………. polarizate invers
…………….. este………………
Jonctiunea pn este polarizata
Materialele semiconductoare de tip direct daca plusul sursei de Jonctiunea pn este polarizata invers
n se obtin prin doparea tensiune se aplica pe . si minusul daca plusul sursei de tensiune se
semiconductorului pur cu pe …………….. aplica pe …………… si minusul
elemente…………………. pe ……………
Rezistenta jonctiunii polarizate
direct este . Cresterea brusca a curentului invers
este datorata .. si ..

Curentul invers depinde de .

Rezistenta jonctiunii polarizate

invers este .

Evaluare:La final fiecare grup va prezenta cunostintele acumulate dupa faza a doua a grupelor, altele decat cele studiate in
prima faza.Daca ati obtinut suficiente informatii, puteti trece la urmatoarea activitate, in caz contrar, consultati fisa de
documentare 1.1 si refaceti activitatea.