Curs 1 (30-IX-2010)

Electronica este stiinta si tehnologia miscarii sarcinilor intr-un gaz, vid sau semiconductor.
Obs: Miscarea sarcinii nu este considerata ca tinand de electronica.
Istoria electronicii este divizata in 2 perioade majore de timp:
-era tubului cu vid (pana in anul 1947)
-era tranzistorului (incepand cu 1947)
1. Tubul cu vid
In decembrie 1947, laboratoarele Bell au inventat primul transistor.
In 1837, Samuel Morse, professor la Universitatea din New York, pune la punct telegraful si
utilizeaza pentru transmisie alfabetul morse
In 1876, Graham Bell inventeaza telefonul si pune la punct un sistem de codare a informatiei
vorbite in semnal electric la emitator, respectic un sistem de decodare al sistemului electric in semnal
sonor (audio), la receptor.
In 1877, Thomas Edison pune la punct un fonograf prin care o serie de semnale electrice sunt
stocate si inregistrate secvential pentu ca ulterior sa poata fi redate.
O contributie majora la comunicatiile radio o aduce James Clark Maxwell care, in 1865 reuseste
sa structureze cercetarile sale anterioare intr-o consistenta teorie a electromagnetismului
(Relatiile/Ecuatiile lui Maxwell). Prin teorie, Maxwell prevede ca undele electromagnetice pot fi
transmise in spatiu. Peste 23 de ani, Hertz produce experimental asemenea unde electromagnetice intr-un
laborator.
In 1896, Marconi a transmis succesiuni de astfel de unde pe care a reusit sa le detecteze la o
distanta de 2 mile fata de pozitia emitatorului, punand bazele telegrafiei fara fir. Se obtine deci in 1896
telegrafia fara fir.
Era tubului cu vid acopera prima jumatate a secoulului XX. In 194, Fleming inventeaza un
dispozitiv: clasica dioda numita de el lampa. Acest dispozitiv consta intr-un fir incalzit, botezat filament,
care in cazul diodei joaca rol si de catod, care prin efect Edison emitea electroni care puteau ajunge la
anodul dispozitivului. Acesta era separat de un platou metalic iar intreaga structura era incapsulata in vid
printr-un balon de sticla.
In 1906, DeForest introduce un al treilea electrod(numit grila) intre platou si catodul tubului lui
Fleming si obtine un dispozitiv nou numit trioda.
Era alcatuita dintr-un filament si un anod. Potentialul aplicat pe grila putea controla cantitatea de
electroni ce puteau parasi filamentul.
Televiziunea alb-negru apara dupa 1925 si consta intr-un iconoscop si cinescopul lui Zworykin.

TRANZISTORUL
In 1947, in laboratoarele Bell, un grup de cercetatori condus de Shockey au terminat
experimentele legate de transistorul cu jonctiune. Circulatia curentului din transistor, considerau
ei ca se datoreaza celor doi purtatori de sarcina: electroni si goluri, considerand ca sunt
tranzistori bipolari.
In 1956, datorita inventiei tranzistorului, grupului condus de Schockley i se acorda
premiul Nobel pentru fizica.
Intre 1952 1953 Shockley si Pearson pun la punct tranzistorul cu efect de camp numit
jonctiune, iar in 1953 Lask inventeaza tranzistorul unijonctiune.
In 1961, firmele Fairchild si Texas Instruments au trecut la comercializarea circuitelor
integrate. Primul amplificator operational a fost dezvoltat de Fairchild in anul 1964.
MECANISMUL CONDUCTIEI
Atomul este format dintr-un nucleu , care contine neutroni(particule fara sarcina
electrica) si potroni. In jurul nucleului graviteaza electroni. Cand numarul protonilor este egal cu
numarul electronilor, atomul este neutru din punct de vedere electric.
In anumite imprejurari, electronii pot sa sara de pe orbita pe alta, emitand sau absorbind
cuante de energie. Electronii situati pe ultima orbita purtand numele de electroni de valenta sa
fie mai slabi legati de nucleu. Acesti electroni de valenta definesc comportarea atomului
respectiv in concordanta privind alti atomi.
In miscarea lor electronii dispun de energii bine definite posedand anumite niveluri
energetic. Unitatea de masura a unui nivel energetic este eV.
1eV=1,6 x 10-19 J
Materialul este unul de tip cristalin. Asistam la cuplarea electronilor de valenta, a unor
atomi vecini si ca urmare electroni de valenta au posibilitatea sa ocupe nivele energetic cuprinse
in anumite benzi de energie, si deci nu mai au nivele energetice discrete asa cum erau in cazul
unui atom izolat.

Banda
libera

Banda
libera (de
conductie)

E banda
interzisa

Banda
ocupata
(de
valenta)

Banda
ocupata

Fig 1.

Fig 2.

Banda libera

Banda ocupata

Fig 3.

La corpurile izolate (Fig 2.) numarul electronilor liberi este foarte mic, iar benzile de
conductie si de valenta sunt separate printr-o banda interzisa. Conductia poate sa apara numai
daca unuii electroni din banda de valenta dobandesc prin incalzire puternica sau sub actiunea
unui camp electric de intesitate mare, suficienta energie pentru a deveni liberi.
Corpurile semiconductoare au o structura a benzilor de energie asemanatoare cu cea a
izolatoarelor, singura deosebire fiind largimea mai mica a benzilor interzise. La germanium,
largimea bezii interzise este E=0,76eV iar siliciu E=1,1eV.
Cele 2 benzi permise sunt separate printr-o a 3 banda numita banda interzisa, latimea
acesteia este destul de mare.
Semiconductoarele au o structura asemanatoare cu ce am intalnit la izolatoare, diferenta
consta ca latimea benzii E este mult mai mica.
3

Cand electronul poseda suficienta energie el trece din banda de valenta in banda de
conductie lasand in urma sa un nivel energetic neocupat. Absenta unui electron din banda de
valenta poarta numele de gol. Golul, din punctul de vedere al mecanicii cuantice trebuie privit ca
o particula cu sarcina electrica pozitiva, egala cu sarcina electronului. La aceste material
electronii si golurile purtand numele de purtatori de sarcina, ei contribuie la conductive electrica
in material semiconductor.
In majoritatea cazurilor, acesti electroni nu sunt liberi sa se deplaseze in intregul volum
al semiconductorului. Ei participa la formarea unor legaturi stranse (legaturi covalente) intre
electroni de valenta la atomii vecini asa incat, prin intermediul acestor legaturi se mentine
ansamblul structurii cristaline respective. Rezulta ca in reteaua cistalina atomii din varfurile unui
tetraedru care are 4 din electronii lor de valenta pusi in comun pt a forma o legaturi covalente. In
cazul unor materiale izolatoare din grupa a IV, legaturile covalente sunt stabile si deci nu vom
avea circulatie de current. La semiconductoare la temperaturi superioare lui 0 absolut, o parte din
aceste legaturi covalente se deterioreaza iar acei electroni nu mai sunt mentinuti in regiunea
legaturilor, devenind liberi.
Un atom din fiecare 10 miliarde are o legatura deteriorata la temperatura normala a
camerei (25 grade Celsius). Desi rare, defete au efect enorm asupra proprietatilor electrice ale
semiconductorilor.
In cazul in care numarul de legaturi rupte este de ordinul 10
considerat semiconductor si nu izolator

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

cm3 , materialul este

Consecinte
La realizarea conductiei electrice vor participa 2 categorii de purtatori de sarcini. Prima
categorie este datorata electronilor de conductie care apar de indata ce o parte din electronii de
valenta se elibereaza din legaturile respective datorita agitatiei termice. Pe de alta parte, datorita
4

legaturilor deteriorate in reteaua cristalina apare o regiune cu sarcina pozitiva in raport cu sarcina
negativa existenta, aceasta regiune poartand numele de gol.