MECANISMUL CONDUCIEI N SEMICONDUCTORI Conducia electric poate avea loc n solide (metale sau semiconductori).

Curentul electric este o manifestare a micrii sarcinii n interiorul unui material. n czul metalelor, curentul este dtorat deplasrii e ntr-o anumit direcie cu o anumit vitez medie. n cazul materialelor semiconductoare, la nivel microscopic, conducia poate fi explicat prin cele 2 tipuri de micri distincte i independente ale e - crora le corespund, la nivel macroscopic, micri ale unor sarcini electrice ne ative (e-) i pozitive ( oluri). !.p.d.v. rosier, atomul poate fi reprezentat ca fiind constituit dintr-un nucleu (neutroni, protoni) i nveli extern pe care raviteaz e-. Cei mai apropiai de nucleu sunt maai str"ns le i de acesta, iar cei din exterior sunt mai sla# le ai. $i pot primi sau emite cuante de energie i pot trece de pe o or#it pe alta. %.m. pentru cuanta de ener ie este de &e'(&.)*&+-&,-. n cazul materialelor cristaline, e- nu ocup nivele ener etice distincte, ci se sesc pe anumite benzi de energie permise. .e distin 2 #enzi/ banda de valen (ocupat) i banda de conducie (liber). #and li#er(conducie)

2anda ocupata(de valenta)

n cazul metalelor, cele 2 #enzi se ntreptrund i, datorit a itaiei termice, e - pot prsi #anda de valen, devenind e- li#eri n #anda de conducie. n cazul materialelor izolatoare, cele 2 #enzi permise sunt separate printr-o band interzis cu limea de 01&+ e'. Ca urmare, puini din e - de valen vor reui s prseasc 2' devenind e - li#eri n 2C. 3cest lucru se va nt"mpla numai su# influena unor c"mpuri electrice puternice. n cazul materialelor semiconductoare, modul de dispunere a #enzilor este similar cu cea de la izolatoare, doar c #anda interzis este mai n ust (+,4) e' la 5e i &,&2 e' la .i). n cazul acestor materiale, prsirea 2' de ctre un e - la n urma sa o re iune de sarcin spaial e al n valoare a#solut cu arcina e-, numit gol. 6aterialele semiconductoare de #az (5e, .i) sunt elemente din rupa a 7'-a a ta#loului lui 6endeleev, deci dispun de 8 e- de valen. 9rin urmare, ntr-o structur cristalin, 2 c"te 2 din e - de valen a atomilor vecini se pun n comun, form"nd le turi covalente.

!$

.$67C:;!%C<:=

n cazul materialelor izolatoare (de ex. diamantul), e - sunt str"ns le ai n cadrul le turilor covalente i nu pot deveni e- li#eri. >a semiconductori ns, la temperaturi de peste + ?, datorit a itaiei termice, parte din le turile covalente se deterioreaz, e- respectivi devenind li#eri n reeaua respectiv. 9rsirea le turii covalente de ctre un e- las n urma sa o re iune de sarcin spaial, pozitiv ( ol). !atorit a itaiei termice, un e- de la un atom vecin vine s completeze le tura nesatisfcut, n sens invers asist"nd la o deplasare a olului. 9roprietile fizice i electrice ale materialelor semiconductoare sunt puternic m#untite dac procedm la impurificarea materialului cu elemente din rupa a '-a (pentavalente) sau rupa a 777-a (trivalente). 1. Impurificarea cu elemente pentavalente (Sb, F, ) en acest caz, doar 8 din cei 0 e- de valen formeaz le turi covalente cu 8 din atomii vecini, cel de-al 0-lea devenind li#er. 9rsirea atomului de ctre e- nu las n urm un ol, ci un ion pozitiv fix n reea. .e o#ine astfel un semiconductor de tip n!, la care e- sunt purttori ma@oritari, iar olurile A minoritari.

ion D

". Impurificarea cu elemente trivalente (In, #l, $a, ) n acest caz, e - de valen vor putea s formeze doar B le turi covalente, o a 8-a rm"n"nd nesatisfcut. !atorit a itaiei termice, un e- de la un atom vecin va veni s satisfac le tura deteriorat, lu"nd natere un ion ne ativ fix n reeaua cristalin. :#inem un semiconductor de tip p!, la care purttorii ma@oritari sunt olurile, iar minoritari - e-.

ion -

e-

n aceast manier, putem distin e 2 cate orii de materiale semiconductoare/ Intrinseci (p(n) %&trinseci - de tip n (nCCp) - de tip p (pCCn)