Sunteți pe pagina 1din 19

Efectulfotovoltaic,Celulesolare

(Material orientativ pentru documentare i formare a unui nivel minimal de cunotine de baz.)

Istoric
Efectul fotovoltaic este principalul proces fizic care st la baza tehnologiilor de
construcie a celulelor solare care convertesc lumina de la soare n electricitate. n anul 1839,
Edmund Becquerel, fizician francez n vrst de 19 ani, descoper efectul fotovoltaic n timpul
unui experiment cu o celul electrolitic fcut din doi electrozi de metal. Acesta a descoperit
c anumite materiale pot produce mici cantiti de energie electric atunci cnd sunt expuse la
lumin.
Prima celul solar a fost construit de Charles Fritts care a acoperit seleniu
semiconductor cu un film subire de aur pentru a forma o jonciune metal semiconductor.
Dispozitivul avea o eficien de 1%. Celulele solare au devenit de uz practic ca surse de
energie dup ce Russel Ohl, n anul 1941, a dezvoltat tehnologia jonciunilor p/n ce a permis
atingerea unor eficiene mai mari de 5% prin anii 1950-1960. Astzi celulele solare dezvoltate
la nivel de laborator ating eficiene >20%, iar la nivel industrial se situeaz n medie la 13 %
(vezi raportul comisiei Europene- bibliografie).
Vrsta modern a tehnologiilor solare a venit n 1954 de la Bell Laboratories care
dezvoltau experimente cu semiconductori, descoperind accidental ca siliciu dopat cu anumite
impuriti era sensibil la lumin. Daryl Chapin, Calvin Fuller i Gerald Pearson [D. M.
Chapin, C. S. Fuller, and G. L. Pearson; J. Appl. Phys. 25, 676 (1954)] au inventat primul
dispozitiv practic de conversie a energiei solare n energie electric cu o eficien de 6%.
Prima baterie de celule solare a fost construit n aprilie, 1954. Primul panou solar a fost
folosit pe satelitul Vanguard 1 lansat n Martie 1958 i era format din celule solare produse
Hoffman Electronics. Acest eveniment a creat interes pentru producerea i lansarea de
comunicaii geostaionare cu satelii alimentai cu energie electric de la panouri solare.

n 1970 a fost creat prima heterostructur de GaAs pe care s-au construit celule solare
de mare eficien. Zhores Alferov [Alferov, Zh. I., V. M. Andreev, M. B. Kagan, I. I.
Protasov,and V. G. Trofim (1970). Fiz. Tekh. Poluprovodn 4: 2378, Nobel Prize 2000] a creat
primul heterotranzistor care a revoluionat telefonia mobil i comunicaiile prin satelit.
Tehnologia folosit MOCVD- Depunere chimic din faz de vapori a compuilor
metaloorganici- dezvoltat n 1980 a permis elaborarea celulelor solare pe GaAs. n SUA
prima celul solar cu eficiena de 17% fa de coeficientul AM0 (vezi anexa) a fost dezvoltat
de Applied Solar Energy Corporation (ASEC). ASEC a dezvoltat celule cu jonciune dual
prin depunerea de GaAs pe substrat de Ge ce a permis tensiuni mari n circuit deschis. Celule
cu jonciune dual pe structuri GaAs au atins n anii 2007 o eficien de 30% AM0.

Principiul de realizare

O celul fotovoltaic este alcatuit din dou straturi de siliciu semiconductor dopat.
Fotonii din radiaia solar ce cad pe siliciu sunt absorbii inducnd procese de generare de
electroni liberi. Doparea siliciului cu diferite metale/nemetale intensific generarea de sarcini
electrice.
2

Doparea cu fosfor induce n siliciu sarcini negative suplimentare. Siliciu dopat cu


fosfor se numete dopat n sau N-Si. Siliciu dopat n este un conductor electric mai bun dect
siliciu monocristalin pur. (Fosforul are valena 5, iar siliciu valena 4, prin urmare orice
impuritate cu valena mai mare dect a siliciului este capabil s doneze electroni suplimentari).
Doparea cu bor produce semiconductori de tip p (exces de sarcini pozitive). O lips de
electroni genereaz locuri cu ioni pozitivi n siliciul dopat p. Aceste locuri ncrcate pozitiv se
numesc goluri.
Pentru a nelege cum funcioneaz orice dispozitiv electronic, inclusiv celulele
fotovoltaice este necesar n primul rnd s vedem structura semiconductorilor care stau la baza
ntregii electronici de astzi. Germaniu i siliciu sunt reprezentativi, ns siliciul este cel mai
intens utilizat n aplicaiile moderne.

Structur i dopare
Structura siliciului pur este
reprezentat
tridimensional

printr-un
n

care

cristal
atomii

ocup vrfurile unui cub dup cum


sunt dirijai i electronii si de
valen.
Siliciu este element din grupa a IV-a n Tabelul Periodic din care face parte i
carbonul, germaniul. Caracteristica esenial a acestor elemente este ca fiecare atom are patru
electroni de valen pe care i poate pune n comun cu cei ai atomilor vecini formnd legturi.
Dac exist un factor extern, de exemplu, temperatura, atunci cu creterea ei, datorit agitaiei
termice o parte din legturi elibereaz electroni n reeaua cristalin. n consecin crete
conductivitatea electric a siliciului.

Locurile rmase neocupate de electroni


(valenele

libere)

se

numesc

goluri.

Concentraiile de goluri (np) i electroni (ne)


sunt egale, iar semiconductorul se numete
intrinsec.

Transportul

sarcinilor

semiconductorul intrinsec sub aciunea unui


potenial este prezent sugestiv n figura
alaturat.
Curentul

care

curge

prin

semiconductorul intrinsec este format din dou componente: electroni i goluri. Electronii au
avut nevoie pentru a rupe legatura covalent de o anumit cantitate de energie minim
necesara pentru a putea trece liber n spaiile interstiiale ale reelei de siliciu. Aceast energie
minim de a trece din stare legat (valen) n stare liber (de conducie) se numete energia
benzii interzise. Golurile rmn localizate pe strile energetice libere din zona de valen
(band de valen) care are o structur de nivele de energie provenit din nivelele atomice de
valen ale siliciului. Domeniul de energii pe care le iau electronii liberi formeaz banda de
conducie.
n concluzie electronii sar ntre poziiile reelei pentru a umple vacanele lsate de
electronii eliberai. Ei se mic liber n zona de energii ce formeaz banda de conducie.
Golurile se mic n banda de valen n sens opus. n exterior ntotdeauna msurm un curent
de electroni i nu de goluri.

Cumseformeazstructuradebenzi?!
Atomii individuali au electronii dispui pe nivele de energie. Electronii de pe ultimul
nivel energetic sau electronii de valen sunt determinani n inducerea caracteristicilor de
conducie a materialelor.
Atunci cnd atomii sunt n stare liber (vapori sau gaz) ei au configuraia electronic
conform descrierii din Tabelul Periodic (a).

Prin condensare i solidificare distana dintre atomi se reduce pn la atingerea unor


valori de echilibru care sunt dependente de natura atomului i structura nivelelor energetice a
electronilor de valen.

Dei au aceeai configuraie electronic ns2p2 funcie de natura interaciilor reciproce i


a miezului ionic nivelele energetice ale atomilor se separ n subbenzi de valen pe care o
ocup electronii de valen i n benzi cu nivele energetice libere (banda de conducie)
(b,c,d,e)
Lrgimea benzii interzise i natura conduciei electrice este puternic determinat de
distana interatomic, diametrul atomilor, natura configuraiilor interne a restului de electroni
(miezul ionic).

Doparenip
Introducerea de impuriti
cum ar fi arsen sau fosfor prin
substituirea atomilor de siliciu
induce o cretere a numrului de
electroni,

iar

semiconductorul

devine dopat n. Arsenicul sau


fosforul sunt elemente din grupa a V-a din tabelul periodic,
avnd 5 electroni de valen. Patru din ei formeaz legturi
chimice cu atomii de siliciu adiaceni. Al cincilea electron rmne nemperecheat i n
consecin poate fi deplasat sub aciunea unui cmp electric. Semiconductorii cu exces de
electroni se numesc de tip n.
Dac
substituional

se

introduc

atomi

cu

trei

electroni de valen ( de exemplu


Al din grupa a-III-a sau Ga) atunci
se pot forma numai trei legturi
cu atomii adiaceni de siliciu. Cea
de a patra legatur nu poate fi format i n consecin
avem un gol n cristal sau o lips de electroni.
Experimentele arat c acolo unde exist un loc liber atunci electronii se vor deplasa spre acel
spaiu pentru a-l completa.
Electronii ce se deplaseaz s umple un gol va lsa n urm legatura covalent goal
pe care ali electroni vor ncerca s o completeze. n acest sens golurile apar a se deplasa ca
sarcini pozitive prin cristal. Acesta este un semiconductor de tip p.

Echilibrultermodinamicalpurttorilordesarcini,potenialulchimic
saunivelulFermi
NivelulFermisaupotenialulchimic
Pentru a nelege cum funcioneaz jonciunile din celulele solare este necesar s
introducem o noiune ce descrie echilibrul sarcinilor electrice din semiconductorii intrinseci
sau extrinseci ( dopai).
ntr-un semiconductor intrinsec concentraiile purttorilor de sarcini sunt egale. Se
pune ntrebarea: care este nivelul maxim de energii pe care il pot ocupa electronii?. Identic
pentru goluri. La 0K unde agitaia termic este nul atunci electronii vor ocupa un nivel
maxim al energiei, iar golurile unul minim, iar concentraiile lor sunt egale. Pentru aceasta,
termodinamica ne spune c potenialele chimice ale celor dou componente trebuie s fie
egale. Enrico Fermi dezvolt aceasta teorie i deduce c la 0K energia maxim pe care o ocup
electronii se afl la mijlocul benzii interzise pentru semiconductorii intrinseci (A, B).

Banda de conducie (BC): zona de energii unde conducia electric ( micarea liber a
electronilor) este posibil. Electronii cu aceste energii se elibereaz de atomii originali i se
mic liber prin cristal.

Banda de valen (BV) zona de energii unde conducia electric nu este posibil.
Electronii sunt legai de atomi.
Banda interzis- intervalul energetic dintre banda de valen i cea de conducie unde
electronii nu pot rmne. Ei trebuie fie s ctige energie pentru a trece n banda de conducie
fie s piard energie i s revin n banda de valen.
Nivel Fermi- acesta este cel mai nalt nivel de energie din cristal ce poate fi populat cu
electroni la temperatura de 0K. Electronii cu energie mai mare dect valoarea EF sunt
disponibili pentru conducie, invers ei sunt legai n structura cristalului. Nivelul Fermi este
identic ca semnificaie cu potenialul chimic definit n termodinamic.
Diagrama A- reprezint un conductor electric cum ar fi Cu sau Ag. BC i BV se
suprapun, iar electronii trec liber fr a fi necesar un supliment de energie.
Diagrama B prezint un izolator tipic (sticle, ceramici). Toi electronii sunt localizai
pe structura atomic i necesit energii mari pentru a fi extrai n BC.
Diagrama C reprezint un cristal dopat N de tipul Si sau Ge. Lrgimea benzii interzise
este prezent ( 0.5-3 eV), dar mult mai mic fa de un izolator (> 5eV). Dac el este dopat N,
atunci electronii au suficient energie termic pentru a sri n BC. Nivelul Fermi este deplasat
nspre banda de conducie.
Diagrama D- reprezint un semiconductor de tip P. Impuritile de tip P tind s atrag
i s rein electronii liberi. Aceasta trage nivelul Fermi n jos spre banda de valen.
Cnd punem n contact un semiconductor n cu unul p are loc un transfer reciproc de
sarcini pn cnd nivelele Fermi ale celor dou se echilibreaz (egalitatea potenialelor
chimice). n consecin benzile de conducie i de valen se deplaseaz spre atingerea unei noi
stri de echilibru (diagrama E). La interfaa de contact dintre cei doi semiconductori se va
forma un strat de sarcini electrice (strat de baraj) caracteristic jonctiunii p-n ce va crea un
cmp electric a crui valoare maxim depinde de concentraiile dopanilor.
Acum este simplu de nteles de ce semiconductorul n este expus la lumin ntr-o celul
solar. Sub aciunea radiaiei incidente se genereaz perechi electron-gol care vor reduce
bariera de potenial i va permite curgerea unui curent electric.

n concluzie, conversia cuantei luminoase n energie electric poate fi facut cu


ajutorul semiconductorilor, pentru care excitarea electronului i generarea de perechi electrongol indus de cuanta luminoas are un puternic efect asupra conductivitii.
Nu este suficient ca electronii s fie excitai i s se miste liber, dac nu este nici o
for care s i fac s se mite. O astfel de for poate fi provocat de prezena unui gradient al
potenialului electric, cum ar fi cea gasita n jonciunea p-n a semiconductorilor dopai.

Jonctiuneapn(cumvedeunstudentecuaiileiformulele)
O component esenial a unei celule fotovoltaice este jonctiunea p-n. Jonctiunea p-n
se formeaz atunci cnd un semiconductor de tip p i un semiconductor de tip n sunt n
contact, deci au o suprafa comun. Initial n jonciunea p-n electronii vor merge n direcia np datorit densitii de electroni mai mare n materialul de tip n dect n cel de tip p i datorit
densitii de goluri mai mare n banda de valen pentru materialul de tip p dect cel de tip n.
Putem determina condiia de echilibru n funcie de energia Fermi. Iniial, energiile
Fermi (potenialele chimice) pentru materialul de tip p i cel de tip n, p i n, sunt diferite dar
la echilibru p = n (Fig. 1).

Numrul de electroni n banda de conducie poate fi determinat astfel:

, unde Ec i Ec sunt limitele de energie din banda de conducie, n(E) este numrul de
stri per unitatea de energie n interval i f(E) este distribuia Fermi-Dirac. Dac electronii sunt
liberi rezult c:

,unde h este constanta lui Planck i m este masa electronului.

CeluleSolare(versiuneaexpunerealaradiaiesemiconductorulp)
Sistemele fotovoltaice sunt sisteme ce produc energie electric direct din radiaia
solara.

Sistemele fotovoltaice sunt sisteme ce produc energie electric fr a consuma

combustibili fosil.
Jonctiunea p-n poate fi folosit pentru a converti radiaia solar n energie electric.
Celula solar este format n aa fel nct materialul de tip p s poat fi expus la radiaia solar
incident, de exemplu prin depunerea unui strat subire de material de tip p pe un
semiconductor de tip n. n ntuneric, curentul total dat de jonciune este zero.

Generaii de celule solare


Celulele solare sunt clasificate n trei generaii care indic ordinea n care ele au cptat
importan practic-comercial. n prezent prima generaie de celule solare este i cea mai larg
10

comercializat ocupnd aproape 90% din pia n 2007 [Hirshman, William P; Hering, Garret;
Schmela,

Michael

(March

2008),

Market

Survey:

Cell

&

Module

Production

http://www.photon-magazine.com]

Primageneraie
Sunt dispozitive unijonciune construite pe siliciu monocristalin. Jonciunile p-n pe
siliciu monocristalin ating limita teoretic n eficien de 31 % [Green, Martin A (Aprilie
2002), "Third generation photovoltaics: solar cells for 2020 and beyond", Physica E: Lowdimensional Systems and Nanostructures 14 (1-2): 6570]. Rata de amortizare a investiiei
este estimat la 5-7 ani (vezi bibliografie, Photovoltaics_payback)

Adouageneraie
Celule solare n strat subire. Sunt rezultatul dezvoltrii unor noi tehnologii alternative
de producie: depunerile din faza de vapori, electrodepuneri, pulverizare ultrasonic, procese
ce simplific metodele de fabricaie i costurile per celul solar. A doua generaie de
materiale de mare succes sunt: CdTe (telurida de cadmiu), CuInGaSe (selenide Cu Indiu
Cadmiu), siliciu amorf, siliciu micromorfic. Aceste materiale sunt depuse secvenial n filme
subiri pe substraturi de sticl, ceramic sau chiar plastice.
CIGS- cupru-indiu-galiu-diselenid: este un compus I-III-VI2 cu caracteristici de
material semiconductor. Materialul este o soluie solid de Cu-In-Se (abreviere CIS) i
seleniura de galiu cu formula chimic, CuInxGa(1-x)Se2, unde x ia valori ntre 0 i 1. Structura
semiconductorului este tetraedric de tipul calcopiritelor cu lrgimea benzii interzise variind
continu de la 1 eV (x=1, CuInSe2) la 1.7 eV pentru CuGaSe2 (x=0)
Celule DSC- celule solare cu sensibilizatori pe baz de colorani. Descoperite de
Grtzel sunt celule solare care exploateaz transferul de electroni de la un colorant printr-un
electrolit solid sub aciunea radiaiei solare.
CdTe- Teluridele de cadmiu sunt utilizate ca ferestre optice n infrarosu i ca
material pentru celulele solare. De regul este utilizat un sandwich de CdTe-CdS pentru
a forma o jonciune fotovoltaic p-n.
11

Comercializarea acestor tehnologii este nca dificil. n 2007 compania First Solar a
realizat o centrala fotovoltaic de 200MW din celule solare CdTe. Wurth Solar
comercializeaza GICS producnd 15MW. Nanosolar comercializeaz tehnologie GICS cu o
capacitate de producie de 430MW n 2008.

Atreiageneraiedetehnologii
Se refer la mbuntirea performanelor electrice ale generaiei a doua (tehnologiile
planare pe straturi subiri) meninnd preurile de cost ct mai mici.
Cercetrile curente au ca scop atingerea eficienei de conversie de 30-60%. Ele pot
depi limitele teoretice de conversie calculate pentru o jonctiune p-n pe siliciu monocristalin
n anii 1960 de ctre Shockley i Queisser (limita Schockley). Limita estimat de 31% pentru 1
soare (1370 W/m2).
O alta direcie este de a concentra radiaia solar pe arii de celule fotovoltaice utiliznd
oglinzi Fresnel. Se pot atinge prin concentrare aproximativ 46000 de sori i n consecin un
randament sporit.
Celulele fotovoltaice multijonciunie sunt proiectate s absoarb spectrul solar de la
infrarosu la UV ceea ce va permite s funcioneze i pe perioada nopii.

12

Eficiena celulelor solare funcie de tehnologia utilizat (compilare NIST-Japan)


Tip

Eficienta

Fiabilitate Cost

conversiei

Productia

Alte

Aplicatii

de

caracteristici

principale

energie
Abundant

Single-crystalsilicon cell
Polycrystallinesilicon cell

records of use

14 17

Suitable for
volume

12 15

Satellite use
Power-generation use
Powergeneration use

production in
future

Amorphoussilicon cell

Tends to
deteriorate

6 9

Consumerproduct use (Electric

rapidly. Suitable calculators,


for flexible

wristwatches, etc.)

products
Single-crystal-

compound cell

Heavy and

Satellite use

fragile

(GaAs)
Polycrystalline-

Low material

compound cell

availability.

(CdS, CdTe,

Some materials

CuInSe2,etc.)

contain
environmental
pollutants.

13

Consumer-

Pentruavansai
Efectul fotovoltaic- teorie ( pentru avansai)
Const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-un semiconductor iluminat.
Interaciunea dintre un solid i undele electromagnetice determin, printre alte
fenomene, absorbia radiaiei incidente. n cazul semiconductorilor, unul din mecanismele
absorbiei const n tranziia unui electron din banda de valen n banda de conducie (n urma
absorbiei unui foton). n consecin numrul purttorilor de sarcin liberi crete, ceea ce
determin creterea conductivitii electrice, fenomen numit fotoconductibilitate (sau efect
fotoelectric intern). Generarea perechilor electron-gol sub seciunea luminii este o condiie
necesar pentru producerea efectului fotovoltaic dar nu i suficient. Noii purttori de sarcin
trebuie s se redistribuie, determinnd apariia unei diferene de potenial ntre suprafaa
iluminat i cea neiluminat. Redistribuirea poate fi determinat de:
1)

generarea neuniform a purttorilor de sarcin ntr-un semiconductor omogen

(efectul Dember);
2)

un cmp intern local din semiconductor care poate fi realizat prin doparea diferit

a semiconductorului (jonciune p-n);


3)

un gradient al timpului de via al purttorilor de sarcin;

4)

prezena unui cmp magnetic (efectul fotoelectromagnetic), etc.

ntr-un semiconductor intrinsec, banda de conducie este nepopulat la 0K i este


separat printr-o band interzis Eg de banda de valen ocupat. Diferena dintre valoarea
maxim a energiei n banda de valen i valoarea minim n banda de conducie determin
valoarea minim a intervalului de energie interzis.
ntr-un semiconductor extrinsec, nivelele energetice ale impuritilor se gsesc n zona
interzis, mai aproape de marginea inferioar a zonei de conducie pentru atomii donori i n
vecintatea marginii superioare a zonei de valen pentru atomii acceptori. Deoarece diferena
de energie dintre nivelele impuritilor i marginea zonei de valen sau de conducie este mic
(0,01 eV) chiar la temperatura camerei, energia termic este suficient pentru ionizarea

14

acestor atomi. Acest lucru explic creterea conductibilitii electrice determinate de


impuriti.
Pentru majoritatea semiconductorilor intervalul de energie interzis Eg are valori ntre
0,2 i 2,3 eV. Deci vor produce tranziia electronului din B.V. n B.C. fotonii cu frecvene de
cel puin:

Eg

(1)

Intervalului energetic 0,2 2,3 eV i corespunde intervalul de lungimi de und 6,2 0,5
m, deci fotonii din domeniul vizibil i infrarou sunt cei ce determin tranziia.
Dac notm cu n0 i p0 concentraiile electronilor i golurilor n lipsa iluminrii i la
echilibru termic, sub aciunea unui cmp electric E apare un curent de drift cu densitatea:

v v v
r
r
j = j n + j p = n0 evn + p0 ev p

(v

(2)

innd cont de legtura dintre vitezele vn i vp i mobilitile n i p

= n E , v p = p E ) , se obine:

j = e(n0 n + p0 p )E = 0 E

(3)

0 = e(n0 n + p0 p )

(4)

deci

Dac n urma iluminrii concentraiile electronilor i golurilor se modific cu n i p,

n = p , schimbarea conductivitii va fi:

n n + p p (1 + b )n
=
=
0
n0 n + p 0 p
n0 b + p 0
n relaia (5) s-a notat b = n p .
15

(5)

Notm cu coeficientul de absorbie definit ca raportul dintre cantitatea de energie


absorbit de unitatea de volum n unitatea de timp i energia incident pe unitatea de suprafa
n unitatea de timp. Se poate arta c atunci cnd d<<l (unde d grosimea stratului
semiconductor) intensitatea radiaiei este uniform n prob i deci n i p nu variaz n
prob. Dac ns d>>l, intensitatea radiaiei la distana z n prob este:

I ( z ) = I 0 (1 )e z

(6)

unde este coeficientul de reflexie la suprafaa iluminat. n consecina va apare un


gradient de concentraie care va determina apariia unor cureni de difuzie pentru goluri i
electroni. Considernd o variaie liniar a concentraiei, densitile curenilor de difuzie sunt:

j n = eDn

n
z

j p = eD p

(7)

p
z

(8)

unde Dn i Dp sunt coeficieni de difuzie. Curentul total va fi suma dintre curentul de


drift (3) n prezena iluminrii i cel de difuzie:

n
p

j z = e(n n + p p )E z + e Dn
Dp

z
z

(9)

innd cont c: n = n0 + n , p = p 0 + i n = p , rezult:

j z = e(n n + p p )E z + e(Dn D p )

n
z

(10)

Aadar, n circuit deschis (jz=0)ntre faa iluminat i cea neiluminat apare un cmp
electric:

Ez =

n
z
n n + p p

(D

Dp )

16

(11)

i deci o diferen de potenial V. Dac Dn=Dp (atunci cnd n = p) atunci Ez=0 i

V=0.
ntr-o jonciune p-n, ca urmare a difuziei
electronilor din domeniul n n domeniul p i difuziei
golurilor n sens invers, apare un cmp electric n stratul
de baraj i corespunztor o diferen de potenial (fig. 1.).

p
-

+
+
+
+

Acest cmp electric mpiedic continuarea difuziei i n


acelai timp duce la apariia unor cureni de drift care se
opun celor de difuzie. n stare de echilibru, curenii de
difuzie vor fi egali cu cei de drift, astfel nct curentul

x
p
q

x
x

rezultant va fi nul.
Dac jonciunea p-n este iluminat, se vor crea
perechi electron-gol n exces. Dac d>>l, fluxul de
fotoni va varia exponenial cu adncimea, conform relaiei (6). Electronii n exces creai n
regiunea p pot difuza prin jonciune i coboar bariera de potenial spre zona n. Golurile n
exces create n zona n pot difuza i ele prin jonciune. Apare astfel o sarcin pozitiv pe faa p
i una negativ pe faa n. Aceste densiti de sarcin micoreaz diferena de potenial de la j0
la j0 V.
Ecuaia de curent -tensiune este:

eV

j = j 0 e kT 1 + j L

unde:

(12)

j0 densitatea curentului invers la saturaie n absena iluminrii, V

tensiunea aplicat jonciunii, k constanta lui Boltzmann, jL curentul de generare


independent de V i direct proporional cu intensitatea iluminrii (determinat de perechile
electron-gol generat de lumina incident).
Relaia (12) este ilustrat n fig. 2, pentru iluminri diferite ale jonciunii. Pentru j=0 se
obine din relaia (12) tensiunea n circuit deschis Voc:
17

Voc =

j
kT
ln(1 L )
e
j0

(13)

Curentul de scurt circuit se obine punnd


condiia V=0 n relaia (13). Rezult:
j sc = j L

Voc

(14)

1
2
3

Isc

4> 3> 2> 1

Coeficientulmasicdeaer(AIM)
AIM caracterizeaz spectrul solar dup ce radiaia solar a trecut prin atmosfer. El
este folosit la caracterizarea performanelor celulelor solare n condiii standardizate definite
de simbolul AM i un numr. De exemplu AM1.5 este universal folosit de a caracteriza
puterea generat de panourile solare.

Descriere
Radiaia solar este foarte apropiat de un radiator ideal echivalent cu radiaia
spectral a unui corp negru la temperatura de 5800K. Radiaia solar traversnd atmosfera
reacioneaz cu anumii compui chimici care adsorb anumite lungimi de und din spectru.
Cel mai bun exemplu este absorbia ultravioletelor de ctre ozon n atmosfera
superioar ce reduce dramatic cantitatea de lungimi scurte de und s ajung pe pmnt. O
component mult mai activ sunt vaporii de ap care adsorb spectrul solar pe diverse lungimi
de und. Oxigenul, bioxidul de carbon i azotul contribuie i ei la adsorbia radiaiei solare.
Prin urmare spectrul solar ce ajunge la suprafaa pmntului este restrns ntre infrarou
ndeprtat i ultraviolet apropiat.
mprtierea radiaiei n atmosfer deasemeni joac un rol important. Din acest motiv
cnd soarele este la apus drumul radiaiei este mai lung, iar mprtierea radiaiei cu lungimi
18

mici de und este mprtiat mai mult. Soarele la apus arat de culoare roie datorit
fenomenelor de mprtiere. Pentru o grosime l0 a atmosferei funcie de unghiul de inciden a
radiaiei, , ea parcurge un drum mai lung:
l = lo / cos
Raportul l / lo este coeficientul massic al aerului [Peter Wrfel (2005). The Physics of
Solar Cells. Weinheim: Wiley-VCH. ]
Spectrul solar n afara atmosferei corespunztor radiaiei corpului negru la 5800K va
avea AM0 semnificnd zero atmosfere. Celulele folosite pentru tehnologia spaial cum ar fi
comunicaiile prin satelit sunt n general caracterizate folosind AM0.
Spectrul solar la nivelul apei mrii cnd soarele este perpendicular coeficientul este
AM1 ceea ce semnific o atmosfer. Celulele solare pe baz de siliciu nu sunt sensibile la
spectrul pierdut n atmosfer. Ele sunt dependente de lrgimea benzii interzise care este
corespondent energiei fotonilor din spectrul vizibil. Prin urmare celulele solare sunt mai
eficiente la AM1 dect la AM0.
Panourile solare n general opereaz sub o anumit grosime a atmosferei dac soarele
este incident sub un unghi de vizibilitatea diferit de cel de la ecuator. Deoarece dezvoltarea
celulelor solare este concentrat n SUA, Japonia, EUROPA se ia n considerare standardul
AM1.5, adica 1.5 grosimea atmosferei ceea ce corespunde un unghi de zenit solar de 480. Este
considerat standardul terestru de caracterizare a panourilor solare.
Panourile solare ce opereaz la poli va trebui s fie folosit AM2 iar cele care opereaz
la altitudini mari atunci AM<1.

19