MATERIALE SEMICONDUCTOARE

MATERIALE SEMICONDUCTOARE
1.1 Clasificarea materialelor semiconductoare; Legtura covalent
Pentru a stabili proprietile pe care le implic tehnologia dispozitivelor
semiconductoare trebuie mai nti studiate proprietile i structura intern a
materialelor cu proprieti semiconductoare.
Materialele semiconductoare (MS) sunt materiale a cror conductivitate
electric se situeaz ntre conductoare i izolatoare, aa cum se prezint n
fig.1.1.

Fig.1.1 Conductivitatea tipic pentru izolatori, semiconductori i conductori.

n general, MS sunt rezistene neliniare i rezistivitatea lor este puternic

influenat de defectele existente n structura cristalin a materialelor i de
factorii externi (tensiunea aplicat, iluminarea la care sunt supuse, temperatura
etc.), n timp ce la conductori acestea n-au practic nici o influen.
Coeficientul de temperatur al rezistivitii semiconductoarelor este
negativ n domeniul de temperaturi ce intereseaz n tehnic, asemnndu-se din
acest punct de vedere izolatorilor.
Clasificarea MS poate fi fcut dup diferite criterii: chimic, fizic i
funcional.
n funcie de numrul elementelor chimice care intr n structura
chimic, exist MS elementare (n numr de 12, din grupa a patra a tabelului
Mendeleev: C, Si, Ge, Sn; din grupa a treia: B; din grupa a cincea: P, As i Sb;
din grupa a asea: S, Se, i Te; din grupa a aptea: I) i MS compuse (n numr
de cteva sute, compui binari de tipul III-V, IV-IV, II-IV, II-V, II-VI, I-V, I-VI,
III-VI etc.; compui ternari de tipul I-III-V, II-IV-V, I-IV-VI, I-II-VI, IV-IV-VI
etc.; compui cuaternari de tipul I-IV-V-VI, CuPbAsS3; soluii solide Ge-Si,
InAs-InSb, PbSe-PbTe etc.).

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n funcie de natura legturii interatomice care st la baza structurii lor

MS se clasific n urmtoarele categorii:
- semiconductoare cu legtur covalent direcional, caracterizate prin
rigiditate i duritate deosebite, cazul Si, Ge, Se, Te;
- semiconductoare cu legtur hibrid covalent-ionic, caracterizate
de gradul de ionicitate (SiC 18%, CdS 69%, GaAs 32%).
Din punctul de vedere al ordinii cristaline, MS se clasifica astfel:
- S cu structur cristalin monoclinic LiAs;
- S cu structur cristalin ortorombic CdAs2, SnS, SnSe, Ag2Te;
- S cu structur cristalin trigonal Bi2Se, Sb2Te3;
- S cu structur cristalin hexagonal GaSe, ZnSb, CdSb;
- S cu structur cristalin cubic Si, Ge, SiC, GaP, GaAs, InSb;
- S cu structur cristalin policristalin As2Se3AsS3.
Din punctul de vedere al funciilor de utilizare, MS se clasific n:
- funcia de conducie comandat n tensiune electric (cmp electric);
- funcia de conversie optoelectronic;
- funcia de detecie a radiaiilor nucleare;
- funcia de conversie electrooptic;
- funcia de conversie termoelectric;
- funcia de conversie magnetoelectric (efectul Hall i efectul
magnetorezistiv);
- funcia de conversie mecanoelectric (efectul piezosemiconductor).
MS sunt utilizate la obinerea dispozitivelor semiconductoare:
tranzistoare, diode, etc. precum i la realizarea circuitelor integrate.
Dup apariia tranzistorului (1950), germaniul era principalul material
semiconductor, dar prezenta dezavantajul curentului rezidual ridicat la
temperaturi mari pecum i proprieti modeste ale oxidului de germaniu. Dup
1960, siliciul devine nlocuitorul practic al germaniului, datorit:
- curenilor reziduali mult mai mici,
- proprietilor remarcabile ale oxidului de de siliciu,
- considerente economice (costul siliciului monocristalin destinat
dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate este cel mai sczut).
n ultimii ani, Si devine i el de multe ori inutilizabil datorit limitelor de
performan la frecvene ridicate sau n domeniu optic.
Astfel, au aprut materiale semiconductoare compuse, compuii
intermetalici: SiC, GaP, GaAs, InSb, CdS etc.
Tipurile reprezentative de reele cristaline sunt determinate de caracterul
i intensitatea forelor de legtur din cristal. Legtura covalent, ce
caracterizeaz i modul de cristalizare pentru Ge i Si (cristalizeaz n sistemul
cubic tip diamant), reprezint una din cele mai puternice fore de legtur
chimic. Particulele constituente tind s-i formeze o configuraie electronic
stabil; acest lucru realizndu-se de aceast dat prin punerea n comun a unor

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

perechi de electroni de valen, electronii fiind colectivizai doar parial ntre

doi atomi.
Siliciul, n prezent cel mai utilizat element pentru obinerea materialelor
semiconductoare, ca i celelalte materiale semiconductoare pure, la care atomii
din reeaua cristalin sunt de un singur tip, din grupa a IV-a a tabelului periodic
al elementelor, are structura sa, cu cei patru electroni de valen, prezentat n
fig.1.2.

Fig.1.2 Atomul de Si

La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin legturi

covalente, aa cum se prezint n fig.1.3, la care fiecare dintre acetia particip
cu cte patru electroni de valen.

Fig.1.3 Legtura covalent

n general, rezistivitatea conductoarelor pure (sau intrinseci) este prea

mare pentru necesiti practice.
Revenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de 00K,
electronii sunt plasai numai n banda de valen. Deoarece nu exist electroni de
conducie (electroni liberi), n structura materialului semiconductor nu se
genereaz curent electric.
Obs. Banda interzis Fermi pentru siliciu, wi 1eV, este prea mare pentru
a permite trecerea, sub aciunea unui cmp E, a unui numr suficient de mare de
electroni din banda de valen BV n banda de conducie BC, chiar la
temperatura camerei.
3

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1.2 Conducia intrinsec

Conducia unui semiconductor intrinsec se poate totui realiza prin
promovarea unor electroni din BV n BC.
La temperaturi mai mari de 00K, o parte a energiei termice este preluat
de ctre electronii de valen, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece
de nivelele energetice din banda interzis i ajunge pe nivelele energetice din
banda de conducie, devenind liberi s se deplaseze prin structura materialului.
Prin plecarea acestor electroni din banda de valen, locul ocupat iniial de
ctre acetia pe nivelul energetic din banda de valen devine liber, altfel spus
gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt electron de valen, fr un aport
energetic substanial. Acest al 2-lea electron de valen, prin ocuparea nivelului
energetic lsat liber de primul electron, las la rndul lui un nou loc liber, un nou
gol, pe nivelul energetic ocupat n banda de valen. Se constat astfel, o
deplasare a golurilor n banda de valen, motiv pentru care i golul este un
purttor de sarcin mobil (purttor fictiv). Acest fenomen este prezentat n
fig.1.4.

Fig.1.4 Apariia unui electron i a unui gol de conducie n benzile energetice

Acelai fenomen poate fi explicat pe baza structurii reelei cristaline a

atomului de siliciu. La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin
legturi covalente la care fiecare dintre acetia particip cu cte 4 electroni de
valen. La nivelul reelei cristaline, electronii de valen pot cpta suficient
energie astfel nct s rup legturile covalente n care au fost fixai. Prin
ruperea legturii covalente, electronii de valen devin liberi (devin electroni de
conducie) i las n urm, la nivelul atomului de unde au plecat un gol,
caracterizat printr-un un exces de sarcin pozitiv la nivelul atomului respectiv.
Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere electric,
cu o sarcin electric pozitiv fictiv. n continuare, dac un alt electron de
4

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

valen rupe o legtur covalent, devenind liber, poate ocupa golul lsat de
primul electron de valen. Acest fenomen este sugerat n fig.1.5.

Fig.1.5 Reeaua cristalin, apariia unui electron liber i a unui gol

Purttorii mobili de sarcin electric n semiconductoare sunt

electronii de conducie i golurile. Deoarece acetia sunt mobili, se pot deplasa
prin structura semiconductorului. n cazul n care deplasarea purttorilor de
sarcin este orientat (nu este haotic), fenomen care se poate observa, de
exemplu, n cazul n care se aplic asupra semiconductorului un cmp electric,
prin structura semiconductorului se observ apariia unor fenomene de
conducie electric (fenomene legate de generarea curentului electric).
n consecin, se poate apune c ntr-un semiconductor intrinsec procesul
de conducie se realizeaz prin electronii din banda de conducie i prin golurile
din banda devalen, ca n fig.1.6; conducia astfel realizat se numete
conducie intrinsec
.

Fig.1.6 Conducia n semiconductorii intrinseci

Generarea purttorilor mobili de sarcin. Din cele prezentate mai sus

se constat c, ntr-un material semiconductor, purttorii mobili de sarcin
(electroni de conducie i goluri) sunt generai prin ruperea legturilor covalente.
n plus, se constat c prin creterea temperaturii, numrul de electroni de
valen care capt suficient energie pentru a rupe legturile covalente, crete.
5

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n concluzie, prin creterea temperaturii, tot mai multe legturi covalente

se rup i astfel sunt generai tot mai muli purttori mobili de sarcin.
Mecanismul de generare a purttorilor mobili de sarcin n
semiconductoare pe baza creterii temperaturii se numete generare termic de
purttori de sarcin.
Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat c, prin ruperea legturilor
covalente, electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi.
Deoarece electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi,
concentraiile de purttori mobili de sarcin electric ntr-un semiconductor
intrinsec sunt egale. Concentraiile de purttori mobili de sarcin electric
ntr-un semiconductor se noteaz astfel:
n = concentraia de electroni de conducie,
p = concentraia de goluri.
Valoarea comun a acestor concentraii se numete concentraie
intrinsec i se noteaz cu ni. n concluzie, pentru un semiconductor intrinsec
este valabil relaia:
(1.1)
n p ni

Fig.1.7 Variaia cu temperatura a concentraiei intrinseci la Si i Ge

Concentraia intrinsec crete cu creterea temperaturii semiconductorului.

La temperatura camerei, considerat 3000K, ni are valoarea 1,451010cm-3 pentru
siliciu, respectiv 21013 cm-3, la germaniu. n fig.1.7 se prezint modul n care
variaz cu temperatura T concentraia intrinsec a unui material semiconductor
din siliciu sau germaniu.
6

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Recombinarea purttorilor de as rcin. n cadrul semiconductoarelor,

pe lng mecanismul de generare a purttorilor de sarcin este prezent i
mecanismul invers, care duce la dispariia purttorilor de sarcin. Mecanismul
respectiv se numete recombinare de purttori de sarcin i este caracterizat
prin revenirea electronilor de pe un nivel energetic superior, din banda de
conducie, pe un nivel energetic inferior, n banda de valen.
Revenirea n banda de valen a unui electron de conducie duce att la
dispariia unui electron de conducie ct i a unui gol.
Deci, mecanismul de recombinare a purttorilor de sarcin duce la
dispariia n perechi a acestora.
1.3 Conducia extrinsec
Fenomenul de dopare const n introducerea n materialul semiconductor
intrinsec, prin diverse procedee controlate, a unor atomi diferii fa de cei din Si
sau Ge, denumii i atomi de impuritate, n scopul modificrii proprietilor
electrice ale materialului semiconductor. Un material semiconductor dopat cu
atomi de impuritate se numete material semiconductor extrinsec. Condiia
necesar ca un material semiconductor s fie extrinsec este ca concentraia de
atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec, notat
Nimpuriti s fie mult mai mare dect concentraia intrinsec ni:
(1.2)
Nimpuritati ni
Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea
dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode.
Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare
intrinseci sunt atomi din grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent
utilizai sunt cei prezentai n fig.1.8.

Fig.1.8 Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare

n funcie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele

semiconductoare intrinseci, materialele semiconductoare extrinseci se mpart n
dou categorii:
- materiale semiconductoare de tip n;
- materiale semiconductoare de tip p.

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n concluzie, semiconductorii extrinseci au banda interzis Fermi prin

care trece nivelul wF = Ei relativ larg, astfel nct conducia electric este
posibil numai prin crearea unor niveluri permise adiionale ce rezult prin
doparea cu atomi strini de tip donor Ed, semiconductor de tip n, ca n fig.1.9a
sau acceptor Ea, semiconductor de tip p, ca n fig.1.9b; n prezent, n tehnic se
utilizeaz numai semiconductori extrinseci.

Fig.1.9 Niveluri permise adiionale de tip donorEd (a) sau acceptor Ea (b)
nbanda interzis Fermi

Materiale semiconductoare de tip n. Pentru obinerea acestui material

electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate
pentavaleni, din grupa a V-a a tabelului periodic al elementelor chimice, care n
structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru
din cei cinci electroni de valen ai atomului de impuritate formeaz 4 legturi
covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai,
n timp ce al 5-lea electron de valen al atomului de impuritate este slab legat,
astfel c la temperatura camerei primete suficient energie pentru a se
desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de
conducie, capabil s participe la fenomenele de conducie, aa cum este
prezentat i n fig.1.10.

Fig.1.10 Crearea unui electron de conducie

8

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Elementele pentavalente formeaz niveluri donoare apropiate de banda

de conducie ca n fig.1.11, pentru ca tranziia s se efectueze i la temperatura
ambiant; conducia electric se realizeaz n acest caz prin intermediul
electronilor ajuni n banda de conducie, iar semiconductorii respectivi sunt
numii semiconductori de tip n; impurificarea germaniului i siliciului pentru
obinerea semiconductorilor de tip n se face cu fosfor, arseniu sau stibiu.
Pentru aceste elemente se prezint n continuare poziiile nivelelor
wd
wgermaniu
donoare n banda interzis Fermi
: . Astfel,
w
d n
c wd
este de: 0,012 eV pentru P, 0,0127 eV pentru As i 0,0096 eV pentru St. Iar n
siliciu wd este de: 0,044 eV pentru P, 0,049 eV pentru As i 0,039 eV pentru
St.

Fig.1.11 Dopare cu elemente donoare; nivelul adiional donor Wd

Se constat c formarea electronului de conducie nu este nsoit de

generarea unui gol.
Electronii de conducie obinui n acest mod sunt generai prin doparea
materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a
electronilor de conducie, acetia mai pot fi generai i prin mecanismul de
generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui
electron de conducie este nsoit de generarea unui gol.
Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului
semiconductor de tip n, concentraia de electroni de conducie este mult mai
mare dect cea de goluri. Din acest motiv, electronii de conducie se numesc
purttori de sarcin majoritari, iar golurile se numesc purttori de sarcin
minoritari.
Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 5-lea electron de valen,
el se numete atom donor. n urma cedrii celui de al 5-lea electron, atomul
donor devine ion pozitiv (se reamintete c un atom este neutru din punct de
vedere electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv,
iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).
Materiale semiconductoare de tip p. Pentru obinerea acestui material
electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivaleni, (din
9

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

grupa a III-a a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul, galiul,

indiul, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau
germaniu. Atomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valen
ai si, la formarea numai a trei legturi covalente cu electronii de valen ai
atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai, lsnd electronul de valen al celui
de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat fr legtur covalent, astfel se creaz un
gol la nivelul atomului de impuritate respectiv.
Electronul de valen al celui de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat,
fig.1.12 (atomul de siliciu din dreapta), poate forma o legtur covalent cu un
alt electron de valen al unui alt atom de siliciu nvecinat, care, prin
completarea acestei legturi covalente, las la rndul su, n urma sa un gol.

Fig.1.12 Crearea unui gol, purttor fictiv de sarcin electric pozitiv

Elementele trivalente utilizate ca impuriti formeaz niveluri acceptoare

situate imediat deasupra benzii de valen ca n fig.1.13, astfel c tranziiile se
efectueaz i la temperatura ambiant; deoarece conducia se realizeaz prin
golurile din banda de valen, semiconductorii dopai cu elemente acceptoare
sunt numii semiconductori de tip p; impurificarea germaniului i siliciului
pentru obinerea semiconductorilor de tip p se face cu cu bor, aluminiu, galiu,
indiu.

Fig.1.13 Dopare cu elemente acceptoare; nivelul adiional acceptor Wa

10

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Pentru aceste elemente se prezint n continuare poziiile nivelelor

acceptoare n banda interzis Fermi: wa wa wv . Astfel, n germaniu

wa este de: 0,0104 eV pentru B, 0,0102 eV pentru Al, 0,0108 eV pentru Ga i

0,0112 eV pentru In. Iar n siliciu wa este de: 0,045 eV pentru B, 0,057 eV

pentru Al, 0,065 eV pentru Ga i 0,16 eV pentru In.

Se constat c formarea unui gol nu este nsoit de generarea unui
electron de conducie.
Golurile obinute n acest mod sunt generate prin impurificarea
materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a
golurilor, acestea mai pot fi generate i mecanismul prin generare termic (prin
creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui gol nu este nsoit de
generarea unui electron de conducie.
Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului
semiconductor de tip p, concentraia de goluri este mult mai mare dect cea a
electronilor de conducie. Din acest motiv, golurile se numesc purttori de
sarcin majoritari, iar electronii de conducie se numesc purttori de
sarcin minoritari.
Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un
atom de siliciu nvecinat, el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui
electron, atomul acceptor devine ion negativ.
Prin doparea unei zone dintr-un cristal semiconductor cu impuriti
acceptoare i o alt zon separat de prima printr-o suprafa plan dopat cu
impuriti donoare, se obine jonciunea p-n, care st la baza construciei
dispozitivelor electronice.
1.4 Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele
semiconductoare extrinseci
n cazul n care un material semiconductor nu este supus nici unei surse
de energie extern i nu exist variaii n timp ale mrimilor care l
caracterizeaz (de exemplu concentraiile de purttori de sarcin) se spune c
acesta lucreaz n regim de echilibru termic.
Concentraiile de purttori de sarcin electric la echilibru termic ntr-un
semiconductor se noteaz astfel:
n0 = concentraia de electroni de conducie,
p0 = concentraia de goluri.
La echilibru termic, legtura dintre concentraiile de purttori mobili de
sarcin dintr-un semiconductor i diagramele energetice se poate exprima prin
relaiile:
- concentraia de electroni de conducie la echilibru termic:

E Ei
n0 ni exp F

k T

(1.3)

11

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- concentraia de goluri la echilibru termic:

E Ei
p0 ni exp F

k T

(1.4)

unde:
- EF este nivelul energetic din diagrama benzilor energetice, care se numete
nivelul Fermi la echilibrul termic i care are o valoare constant n tot volumul
materialului;
- Ei este nivelul energetic din diagrama benzilor energetice, care reprezint
nivelul Fermi pentru un semiconductor intrinsec, fiind situat la mijlocul benzii
interzise;
- k este constanta lui Boltzmann;
- T este temperatura.
Din relaiile de mai sus, rezult c, ntr-un material extrinsec, legtura
dintre concentraiile celor dou tipuri de purttori mobili de sarcin electric
este:
(1.5)
p0 n0 ni2
Aceast relaie este adevrat pentru orice tip de semiconductor, cu
condiia ca acesta s fie la echilibru termic.
n cazul materialelor semiconductoare omogene, dopate uniform cu
impuriti, legtura dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin electric
i concentraiile de atomi de impuritate se determin din condiia de
neutralitate electric a unui material semiconductor, care indic faptul c,
ntr-un material semiconductor aflat la echilibru termic, densitatea de sarcin
electric din volumul semiconductorului este nul:
(1.6)
q 0
unde prin q s-a notat densitatea de sarcin electric din volumul materialului
semiconductor, aceasta fiind exprimat n [C/cm3].
Cunoaterea valorii densitii de sarcin electric ntr-un material
electronic este deosebit de util n analizarea fenomenelor de conducie sau
pentru determinarea concentraiei de purttori de sarcin electric din acesta.
Prin definiie, densitatea de sarcin electric ntr-un material este egal cu
produsul dintre sarcina electric elementar, notat cu +q, respectiv q, n
funcie de semnul sarcinii, pozitiv, respectiv negativ i concentraia
purttorilor de sarcin electric n volumul materialului considerat, notat
generic cu Cq:
(1.7)
q q Cq
Sarcina electric q se msoar n Coulombi [C] i este egal cu 1,6x10-19
[C], semnul depinznd de tipul sarcinii electrice: negativ pentru electroni,
pozitiv pentru goluri.
ntr-un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate, exist
tipurile de purttori de sarcin, n concentraiile specificate n Tabelul 1.1:
12

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Tabelul 1.1
semnul
purttorilor de
sarcin
negativi

pozitivi

purttori mobili

purttori imobili

Electroni de
conducie:
n0
Goluri:
p0

Ioni acceptori:
NA*
Ioni donori:
ND*

Se reamintete c numai purttorii mobili de sarcin electric sunt

responsabili pentru fenomenele de conducie din semiconductor, fiind generai
prin dopare i generare termic; ionii provin din atomii de impuritate, prin
cedarea, respectiv acceptarea electronilor de valen.
Pe baza relaiei (1.7) i a Tabelului 1, rezult c densitatea de sarcin
electric din volumul unui semiconductor dopat cu impuriti donoare i
acceptoare este:
(1.8)
q q p0 q N D* q n0 q N A*
Pentru ca relaia (4.8) s fie util n calcule, este necesar cunoaterea
valorilor concentraiilor de ioni din materialul semiconductor dopat. Deoarece
procesul de dopare al semiconductorului intrinsec este controlat, concentraiile
de atomi de impuritate se cunosc, acestea fiind notate ca mai jos:
- ND = concentraia de atomi de impuritate donori (pentavaleni).
- NA = concentraia de atomi de impuritate acceptori (trivaleni).
Ambele concentraii se expim n [particule/cm3].
Se poate considera c la temperatura camerei toi atomii de impuritate
cedeaz, respectiv primesc electroni de valen, devenind ioni. Din acest motiv,
concentraiile de ioni din materialul semiconductor dopat se pot aproxima ca
mai jos:

N D* N D

(1.9)

N A* N A

Astfel, pe baza relaiilor (1.8) i (1.9), densitatea de purttori de sarcin

din volumul unui semiconductor se determin cu relaia de mai jos:
q q p0 q N D q n0 q N A
(1.10)
innd cont de condiia de neutralitate electric (4.6), specific
materialului semiconductor i valoarea densitii de sarcin electric (4.10), se
poate obine relaia de calcul a concentraiilor de purttori mobili de sarcin i
concentraiile de atomi de impuritate:
p0 n0 N A N D
(1.11)
13

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Astfel, n cazul unui semiconductor dopat cu impuriti, relaiile (1.5) i

(1.11) formeaz un sistem cu necunoscutele care reprezint concentraiile de
purttori mobili de sarcin din care se pot calcula valorile acestor necunoscute.
Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele
semiconductoare de tip N. Un material semiconductor devine extrinsec dac
concentraia de atomi de impuritate este mult mai mare dect cea intrinsec.
Pentru un semiconductor extrinsec de tip N, concentraia de atomi de impuritate
respect relaiile:
(1.12)
N D ni si N A 0
Utiliznd sistemul compus din relaiile (1.5) i (1.11), innd cont de
concentraiile de atomi de impuritate i de faptul c ntr-un astfel de material
n0>>p0, relaiile de legtur dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin i
concentraiile de atomi de impuritate sunt:

n0 N D

si

ni2
p0
ND

(1.13)

Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele

semiconductoare de tip P. Pentru un semiconductor extrinsec de tip P,
concentraia de atomi de impuritate respect relaiile:
N A ni si N D 0
(1.14)
Utiliznd sistemul compus din relaiile (1.5) i (1.11), innd cont de
concentraiile de atomi de impuritate i de faptul c ntr-un astfel de material
p0>>n0, relaiile de legtur dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin i
concentraiile de atomi de impuritate sunt:

p0 N A

ni2
si n0
NA

(1.15)

1.5 Fenomenele de conducie electric din materialele

semiconductoare
Chiar i n condiii de echilibru termic, purttorii de sarcin mobili se afl
ntr-o continu micare aleatorie (micare brownian) datorit energiei termice,
sensul micrii fiind imprevizibil i dictat de ciocnirile frecvente ale purttorului
mobil de sarcin cu atomii din structura semiconductorului, aa cum este sugerat
i n exemplul din fig.1.14, n care se prezint traiectoria aleatorie a unui
purttor de sarcin n structura unui semiconductor.
n condiii de echilibru, aceast micare termic aleatorie nu d natere la
fenomene de conducie. Echilibrul se poate perturba n dou moduri:
- prin aplicarea asupra semiconductorului a unui cmp electric;

14

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de purttori mobili de

sarcin electric n volumul semiconductorului.

Fig.1.14 Traiectoria aleatorie a unui purttor de sarcin

n condiii de echilibru, aceast micare termic aleatorie nu d natere la

fenomene de conducie. echilibrul se poate perturba n dou moduri:
- prin aplicarea asupra semiconductorului a unui cmp electric;
- prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de purttori mobili de sarcin
electric n volumul semiconductorului.
n ambele cazuri, purttorii mobili de sarcin electric vor suferi o
deplasare (micare) orientat, care permite apariia fenomenelor de conducie
electric n structura semiconductorului. Fiecare mecanism care duce la
perturbarea echilibrului unui semiconductor permite generarea unui curent
electric. Curenii electrici generai prin aplicarea asupra semiconductorului a
unui cmp electric se numesc cureni de cmp (sau cureni de drift), iar
curenii electrici generai prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de
purttori mobili de sarcin electric n volumul semiconductorului se numesc
cureni de difuzie.
Curenii de camp. Aplicarea unui cmp electric de intensitate E asupra
unui semiconductor, face ca purttorii mobili de sarcin electric s se deplaseze
orientat, n funcie de sensul cmpului electric aplicat asupra semiconductorului,
aa cum se sugereaz n fig.1.15 n care se prezint traiectoria unui electron
liber, orientat n sens invers sensului cmpului electric aplicat asupra
semiconductorului. Electronii se vor deplasa n sens opus direciei cmpului
electric iar golurile pe direcia cmpului electric.
Ca urmare a aplicrii cmpului electric asupra semiconductorului,
purttorii mobili de sarcin electric capt o vitez medie pe direcia cmpului
electric, acest fenomen purtnd denumirea de drift. Viteza medie a purttorilor
mobili de sarcin electric este direct proporional cu intensitatea cmpului
electric:

electroni : vn n E
goluri :

v p p E
15

(1.16)

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Fig.1.15 Deplasare orientat a purttorilor la aplicarea unui cmp electric

unde: E este intensitatea cmpului electric i se msoar n , vE

/ cmvitezele
vVp sunt
n i
de cmp sau de alunecare n benzi, ale purttorilor de sarcin i se msoar n ,
iar n i p se numesc
mobilitatea
electronului,
/s
v cm

cm2
respectiv a golului i se msoar n
(cm = centimetru, V = volt V s
unitatea de msur a tensiunii electrice, s = secund).

Fig.1.16 Mobilitatea purttorilor mobili de sarcin electric

Mobilitile purttorilor mobili de sarcin electric reprezint o msur a

lejeritii cu care purttorii mobili de sarcin electric se pot deplasa orientat,
n funcie de sensul cmpului electric aplicat, reprezentnd un rezultat al
ciocnirilor purttorilor mobili de sarcin electric cu atomii din reeaua cristalin
a semiconductorului. Mobilitatea purttorilor mobili de sarcin electric depinde
invers proporional de temperatur i de concentraia total de atomi de
impuriti din semiconductor, situaie prezentat n fig.1.16, n care s-a
16

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

considerat un material semiconductor la T=300K, din care se remarc faptul c

golurile au o mobilitate inferioar electronilor de conducie.
Deplasarea purttorilor mobili de sarcin electric la aplicarea unui cmp
electric asupra unui semiconductor genereaz un curent electric compus dintr-o
component datorat deplasrii electronilor de conducie i o component
datorat deplasrii golurilor.
Densiti de curent (intensitatea de curent pe suprafaa de arie) ale acestor
cureni electrici sunt egale cu produsul dintre densitatea de sarcin electric a
purttorilor mobili de sarcin i viteza medie de deplasare a acestoa sub aciunea
cmpului elctric aplicat:
(1.17)
J q v
Densitatea de curent se exprim n J A / cm , unde A = amper
(unitatea de msur a curentului electric).
innd cont de (4.7) i de concentraiile purttorilor mobili de sarcin
electric, densitile curenilor de cmp se pot defini astfel:
2

electroni : J Cn q n vn
goluri :

sau, innd cont de (4.16),

(1.18)

J Cp q p v p

electroni :

J Cn q n n E

goluri :

J Cp q p p E

(1.19)

Densitatea totat de curent electric, datorat aplicrii cmpului electric

asupra unui semiconductor, reprezint suma densitilor de curent electric a
celor dou componente:
(1.20)
J C q n n E q p p E
Pe baza legii lui Ohm se poate defini rezistivitatea semiconductorului,
care se noteaz cu :

E
,
JC

cm

(1.21)

i care, pe baza relaiei (4.21), se poate calcula cu relaia:

1
q n n p p

(1.22)

Se definete conductivitatea materialului semiconductor ca inversul

rezistivitii:

cm

17

(1.23)

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Pe baza relaiei (1.22) i a relaiilor de calcul pentru concentraiile

purttorilor mobili de sarcin electric, rezistivitatea materialelor
semiconductoare extrinseci se poate calcula cu formulele:

1
q N D n

material _ semiconductor _ N ,

material _ semiconductor _ P,

1
p
q NA p

(1.24)

Din relaiile (1.24) se observ c rezistivitatea unui material

semiconductor depinde invers proporional cu nivelul de dopare cu impuriti al
semiconductorului, iar n fig.1.17 se exemplific aceast observaie.

Fig.1.17 Variaia rezistivitaii semiconductorului n funcie de dopare

Curenii de difuzie. n cazul n care exist concentraii neuniforme de

purttori mobili de sarcin electric n volumul unui semiconductor, acetia au
tendina de a se deplasa din regiunea n care sunt n concentraie mare spre
regiunea n care sunt n concentraie mic, pentru uniformizare. Acest fenomen
se numete difuzia purttorilor mobili de sarcin electric. n fig.1.18, se
sugereaz difuzia electronilor de conducie din regiunea n care sunt n
concentraie mare spre regiunea n care sunt n concentraie mic.

Fig.1.18 Difuzia electronilor de conducie n funcie de concentraie

18

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Ca urmare a deplasrii purttorilor mobili de sarcin electric n volumul

unui semiconductor, iau natere cureni electrici. Curenii electrici generai prin
difuzia purttorilor de sarcin se numesc cureni de difuzie i au dou
componente, una de electroni i una de goluri, pentru fiecare fiind definit cte o
densitate de curent conform relaiilor de mai jos

electroni :

J Dn q Dn n

(1.25)

goluri : J Dp q Dp p
Ca atare, fluxul J de particule de impuritate care trece n unitatea de timp
prin unitatea de suprafa este proporional cu gradientul de concentraie (prima
lege a lui Fick dedus pentru difuzia gazelor n medii izotrope) i unde
coeficienii notai cu D se numesc coeficieni de difuzie pentru electroni,
2
respectiv pentru goluri i se exprim n D cm / s , reprezentnd o msur a
lejeritii difuziei purttorilor mobili de sarcin electric, iar reprezint
gradientul acestora; pentru concentraii care variaz dup o singur direcie x, se
poate considera c: d / dx .
Coeficienii de difuzie D ai impuritilor n corpul (mediul) considerat
depind de tipul atomilor ce difuzeaz, de natura materialului n care difuzez,
precum i de temperatura la care are loc procesul de difuzie.
ntre coeficienii de difuzie D i mobilitaile purttorilor mobili de sarcin
electric exist urmtoarea relaie de legtur:

Dn

Dp

k T
q

(1.26)

unde k, T, q au semnificaiile deja introduse.

Coeficientul de difuzie a purttorilor depinde de drumul liber mediu sau
mijlociu al acestora, ca i mobilitatea. De asemenea, se precizeaz c purttorii
particip la procesele de transport pe durata numit timp de via mediu,
timp n care respectivii purttori parcurg prin difuzie n semiconductor o distan
L numit lungime de difuzie.
ntre parametrii L, i D exist relaiile:

Ln n Dn , pentru electroni

(1.27)

Lp p Dp , pentru goluri.

(1.28)

1.6 Ecuaiile curenilor n semiconductoare

Pentru un semiconductor, se definete ca densitate total de curent J
suma dintre densitatea curenilor de cmp i densitatea curenilor de difuzie,
generai de deplasarea electronilor i densitatea curenilor de cmp i densitatea
curenilor de difuzie generai de deplasarea golurilor:

19

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

J J Cn J Dn J Cp J Dp J n J p

(1.29)

Densitatea de curent total are o component de cmp i o component de

difuzie, ambele componente incluznd cte o component de electroni i una de
goluri:

componeta _ de _ electroni :

J n q n n E q Dn n

componenta _ de _ goluri :

J p q p p E q Dp p

(1.30)

1.7 Dependena de frecven a conductivitii electrice

a materialelor semiconductoare
Un material semiconductor se comport n cmp electric ca un material
dielectric cu pierderi prin conducie relativ ridicate, ntruct limita inferioar a
conductivitii materialului semiconductor este egal cu limita superioar a
conductivitii unui material dielectric: =10-8[S/m]. n materialul
semiconductor, deoarece pierderile prin conducie sunt preponderente, cele prin
polarizare se pot neglija.
Schema echivalent a unui condensator cu material semiconductor ntre
armturi este identic cu cea a condenstorului cu polarizare de deplasare i
pierderi prin conducie, i reprodus n fig.1.19a.

Fig.1.19 Schemele echivalente ale unui condensator cu semiconductor (a) i

cea corespunztoare unitii de volum a materialului semiconductor (b);
Dependenele de frecven a componentelor conductivitii complexe (c, d)

Admitana condensatorului cu material semiconductor, avnd suprafaa S,

a armturilor i distana d ntre ele, conform schemei echivalente, are expresia:

1
j rC0 ,
rp

(1.31)

20

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

unde: rp

S
d
este rezistena de pierderi prin conducie, iar C0 0 este
S
d

capacitatea condensatorului cu aceleai dimensiuni, dar avnd aer ntre armturi.

Considernd mrimile cu variaie sinusoidal n timp, reprezentate n
complex simplificat, pentru o tensiune U U exp jt , aplicat armturilor,
se stabilete un curent: I Y U i un cmp E U / d ntre armturi.
Relaia (4.31) obine forma:

Y I / U JS / Ed

S
S
j r 0 ,
d
d

(1.32)

unde: J , este densitatea de curent, iar conductivitatea s-a considerat mrime

complex, ntruct n regim nestaionar, datorit anizotropiei materialului sau a
frecvenelor ridicate, liniile densitii de curent J E i ale curentului
I J S sunt diferite de liniile cmpului electric E .
Relaia (1.32), corespunztoare unitii de volum a materialului
semiconductor, are expresia n complex simplificat:
(1.33)
J j 0 r E
Densitatea de curent J I / S este curentul electric care strbate unitatea
de suprafa a semiconductorului, iar intensitatea cmpului electric: E U / d ,
este tensiunea electric distribuit pe unitatea distanei dintre armturi sau a
grosimii semiconductorului. Termenul al doilea al relaiei (4.33), s-a introdus
pentru a caracteriza comportarea dielectric a materialului semiconductor, iar
primul termen este asociat proprietii de conducie a materialului
semiconductor.
Comportarea semiconductorului n regim nestaionar poate fi descris prin
aceleai expresii ca i n regim staionar, constanta de timp de relaxare fiind ns
o mrime complex:

0
,
1 j 0

(1.34)

n
0
p
n p e2

,
m m
1 j
p
n

(1.35)

unde: 0 reprezint constanta de timp de relaxare pentru regimul staionar.

Expresia conductivitii complexe este similar expresiei (4.34):

unde: 0 este conductivitatea n regim staionar.

Cu relaia (1.35), relaia (1.33) obine forma:

21

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1
J
j 0 r E
j 0 r E (4.36)
1

0
0

Schema echivalent corespunztoare unitii de volum a materialului

semiconductor este reprezentat, conform relaiei (1.36), n fig.1.19b i este
compus din rezistena unitar ru 1/ 0 , capacitatea unitar Cu 0 r i
inductivitatea unitar: Lu / 0 . Schema echivalent pune n eviden
apariia rezonaei la frecvena:

fr

2 Lu Cu

2 0 r
0

1
2

0
,
0 r

(1.37)

care are valori n domeniul microundelor.

Relaia (4.35) poate fi scris sub forma:

1 j
0
0
0
0

j
1 j
1 ( )2
1 ( ) 2
1 ( ) 2

(1.38)

Utiliznd relaiile (4.33) i (4.38), din relaia:

' j ''

(1.39)
rezult prin identificare expresiile componentelor conductivitii complexe a
materialului semiconductor n funcie de frecvena cmpului electric aplicat:

'

0
,
2
1

'' 0 r

(1.40)

0
2
1

(1.41)

Dependenele de frecven, la temperatura mediului ambiant, ale

componentelor conductivitii (partea real) i (partea imaginar)
normate sunt reprezentate n fig.4.19c,d. Interaciunile purttorilor de sarcin cu
impuritile ionizate i cu fononii sunt predominante.
1.8 Factorii care influeneaz proprietile semiconductoare
Influena impuritilor. Creterea gradului de impurificare prin dopare
sau accidental (impuriti necontrolate) determin creterea conductivitii
semiconductorilor. Impurificarea necontrolat afecteaz negativ caracteristicile
funcionale ale semiconductorului respectiv i de aceea trebuie evitat n
procesul de fabricare.
22

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Influena temperaturii. Odat cu creterea agitaiei termice a particulelor,

crete numrul electronilor din banda de conducie i al golurilor din banda de
valen, i deci crete conductivitatea total a semiconductorului; spre deosebire
de metale, n domeniul temperaturilor uzuale rezistivitatea semiconductorilor
scade pe msur ce temperatura crete, fig.1.20.

Fig.1.20 Infleuna temperaturii asupra

conduciei semiconductorilor i metalelor

Fig.1.21 Efectul Hall n semiconductori

Influena cmpului electric. Probabilitatea de tranziie a electronilor de

pe nivelurile donoare (sau din banda de valen) crete odat cu creterea
intensitii cmpului electric, ceea ce conduce la creterea conductivitii
electrice. n cazul cmpurilor electrice foarte intense, poate avea loc trecerea n
avalan a electronilor n banda de conducie, adic strpungerea
semiconductorului care devine inutilizabil datorit efectului distructiv al
strpungerii. Anumii semiconductori prezint fenomenul de luminiscen sub
aciunea cmpului electric datorit unor tranziii cu efect radiativ n domeniul
spectrului vizibil.
Influena cmpului magnetic. Aciunea cmpurilor magnetice exterioare
se manifest prin efectul Hall i efectul magnetostrictiv. Efectul Hall const n
apariia unei tensiuni electrice UH ntre feele laterale ale unei plci
semiconductoare de grosime d parcurs de curentul I i situat ntr-un cmp
magnetic de inducie B, perpendicular pe plac, fig.1.21,
Tensiunea UH are valoarea:

UH

RH BI
,
d

(1.42)

unde RH este constanta Hall a semiconductorului respectiv; generatoarele Hall

construite pe baza acestui efect au aplicaii n msurarea cmpului magnetic, a
intensitii curentului electric etc.
Efectul magnetostrictiv n general const n modificarea dimensiunilor unui corp
sub aciunea unui cmp magnetic; efectul magnetostrictiv la semiconductoare
este mai redus dect n cazul unor metale.

23

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Influena radiaiilor. Lumina sau a alte radiaii acioneaz asupra

semiconductorilor prin creterea energiei purttorilor de sarcin, ceea ce poate
avea urmtoarele efecte:
- efect fotoelectric manifestat prin smulgerea unor electroni din suprafaa
materialului (fotocatozi);
- efect fotoconductiv manifestat prin creterea conductivitii electrice;
- efect fotovoltaic manifestat prin apariia unei tensiuni electromotoare la
jonciunea p-n dintre dou semiconductoare;
- luminiscen ce se manifest ndeosebi la aciunea radiaiilor cu energii
mai mari (ultraviolete sau Rentgen).
Influena solicitrilor mecanice. Solicitrile mecanice produc
modificarea distanelor interatomice n reeaua cristalin, ceea ce are ca efect
modificarea rezistivitii corpurilor.

Fig.1.22 Fenomenul piezoelectric n cristale

n cazul unor cristale semiconductoare prin deformarea reelei cristaline corpul

se polarizeaz electric i produce o tensiune electromotoare, efect numit
piezoelectricitate. Pentru exemplificare n fig.1.22 se prezint cazul unei reele
cristaline n care n absena solicitrilor mecanice ionii formeaz triplete ABC
simetrice, cu moment electric nul; prin solicitarea cu fore F, reeaua se
deformeaz, se modific ungiurile legturilor i suma momentelor electrice nu
mai este nul, adic se produce polarizarea electric. Efectul piezoelectric este
utilizat la construirea traductoarelor mecano-electrice i a generatoarelor de
ultrasunete.
Din analiza factorilor care influeneaz proprietile semiconductoare se
deduc cu uurin i funciile materialelor semiconductoare:
- funcia de conducie comandat n tensiune;
- funcia de conversie opto-electronic;
- funcia de detecie a radiaiilor nucleare;
- funcia de conversie electro-optic;
- funcia de conversie termo-electric;
- funcia de conversie magneto-electric;
- funcia de conversie mecano-electric.
24

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1.9 Tehnologia materialelor semiconductoare

Realizarea dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate
comport mai multe etape tehnologice:
- obinerea unui material semiconductor policristalin cu puritatea necesar
pornind de la compui chimici ai acestuia;
- realizarea unor lingouri monocristaline (de form cilindric cu diametre
de ordinul a 100-200 mm) dopate uniform, avnd puritate nalt;
- tierea lingourilor n plachete (wafer) cu grosimi de ordinul a 300 m, i
marcarea acestora ( pentru a putea distinge tipul de conductivitate, doparea);
- prelucrarea plachetelor prin metode litografice combinate cu procedee
de impurificare selectiv i controlat (pentru a obine jonciuni n diferite zone
ale plachetei) pentru a obine simultan mai multe dispozitive (sau circuite
integrate) pe o aceeai plachet;
- tierea plachetelor n "structuri" componente dup ce acestea au fost
testate funcional i marcate cele defecte;
- ncapsularea structurilor i marcarea acestora.
n fig.1.23 sunt exemplificate simplificat etapele principale n tehnologia
siliciului pornind de la lingoul monocristalin, realizarea structurilor i
ncapsularea acestora.

Fig.1.23 Etape tehnologice parcurse pentru obinerea circuitelor integrate

Obinerea unui material semiconductor plecnd de la compui ai acestuia,

implic:
- obinerea pe cale chimic a materialului semiconductor de puritate
metalurgic (de exemplu pentru Si, MGS metalurgical grade silicon) din
compui naturali;
- purificarea chimic prin care se obine materialul de puritate tehnic;
- purificarea fizic prin care se ajunge la puritatea necesar (EGS
electronic grade silicon, consumul mondial de EGS este n prezent de cca 5000
tone/an);
- obinerea materialului sub form de monocristal cu o densitate redus a
defectelor de structur.

25

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1.9.1 Metoda cristalizrii directe (procesul de solidificare normal)

n aceast metoda tot materialul este topit iniial i apoi rcit gradat,
unidirecional; n fig.1.24 este prezentat un lingou orizontal "strbtut" de la
stnga la dreapta de un front de solidificare, FS.
Se presupune c:
difuzia impuritilor din lichid n solid este neglijabil;
coeficientul de segregaie este constant;
modificrile de densitate n cursul solidificrii sunt nesemnificative.

Fig.1.24 Determinarea concentraiei de impuriti n lingoul semiconductor

n urma cristalizrii directe

1.9.2 Metoda tragerii din topitur (Czochralsky-CZ)

Metoda CZ este practic una din cele mai utilizate metode de obinere a
monocristalelor. Procedeul a fost folosit prima dat n 1918 i a fost permanent
perfecionat. Procesul de tragere CZ este artat schematic n fig.1.25. Instalaia
de tragere este format, n principal din trei componente principale:
- cuptorul care include un creuzet aezat pe un susceptor din grafit, un mecanism
de rotaie, un element de nczire i o surs de alimentare;
- mecanismul de tragere care include o mandrin pentru germene (smn), o
surs de gaz (cum ar fi de exemplu argonul);
- procesul este controlat n ntregime de un sistem electronic cu microprocesor
care menine parametrii de lucru (cum ar fi temperatura, diametrul lingoului tras,

26

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

vitezele de rotaie ale mandrinei i creuzetului etc.) n limite optime pentru

calitatea cristalului.

Fig.1.25 Instalaie de tragere din topitur; Metoda Czochralsky

Iniial, policristalul este topit n creuzet (4) cu ajutorul bobinelor de

radiofrecven (5). Instalaia este plasat ntr-o "camer de cretere" (nefigurat)
n care presiunea este sczut (pint ~ 10-5Torr) sau este umplut cu gaz inert
(argon) sau hidrogen.
n mandrin portgermene (1) se fixeaz un monocristal (germene) cu o
anumit orientare. Acesta este cobort (odat cu mandrina) pn cnd germenele
atinge topitura. Din acest moment mandrina este tras cu vitez constant. Pe
timpul tragerii, mandrina se rotete simultan cu creuzetul dar n sensuri i cu
turaii diferite n scopul uniformizrii temperaturii la interfaa solid lichid (3).
Cristalul cilindric obinut prin tragere "copiaz" modul de aranjare al atomilor
germenului, diametrul acestuia depinznd de parametrii procesului. Un
termocuplu (6) ataat la creuzet permite micorarea puterii de nclzire pe
msura tragerii (deoarece scade cantitatea de material topit i temperatura la
interfa trebuie s rmn constant).
Metodele recente utilizeaz un control automat riguros al diametrului,
reglnd dinamic cu precizie parametrii procesului. Pentru Si (unul dintre cele
mai utilizate materiale semiconductoare) apar probleme datorit reactivitii
ridicate a acestui material n stare topit, existnd posibilitatea de a se contamina
prin reacie cu creuzetul (din silice).
27

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Astfel pot apare concentraii relativ importante de oxigen (n principal)

care produc microdefecte de structur pe durata creterii i a tratamentelor
ulterioare; n plus exist pericolul contaminrii cu carbon (de la susceptorul de
grafit al creuzetului i de la elementele de nclzire).
n cazul compuilor intermetalici unul din componeni poate fi mai volatil
i astfel, nepstrndu-se proporia ntre atomii din topitur cristalul va avea
defecte de structur. Pentru a evita aceste neajunsuri se folosesc variante
modificate ale procesului de tragere.
1.9.3 Metoda tragerii Czochralsky pentru materiale
semiconductoare compuse
n principiu, pentru ca metoda CZ s aib rezultate bune, materialul
trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii:
- punct de topire convenabil;
- conductivitate termic ridicat;
- vscozitate sczut;
- presiune de vapori sczut; lipsa tranziiilor de faz ntre temperatura de topire
i temperatura ambiant.
Materialele semiconductoare elementare la temperatura de topire prezint
presiuni sczute de vapori. Dimpotriv, materialele compuse conin constituieni
care se pot evapora cu uurin din topitur dac nu sunt luate precauii speciale.
Din acest motiv s-au dezvoltat tehnici speciale de cretere (LEC - liquid
encapsulated CZ, tragere magnetic CZ, reactor Bridgman orizontal etc). Toate
aceste metode impun o cretere ntr-un sistem nchis.
n fig.1.26 sunt prezentate trei variante ale metodei CZ. Prima metod
folosete un tub nchis (folosit iniial pentru GaAs i InAs i dezvoltat ulterior i
pentru ali compui). Cu ajutorul unui magnet exterior reactorului i a unei piese
polare interioare este tras mandrina portgermene.

Fig.1.26 Variante ale metodei de tragere pentru compui semiconductori binari

276

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

n cazul GaAs, stoechiometric, As reprezint componenta volatil. Este

necesar a aduga n topitur o cantitate suplimentar bine determinat de As care
evaporndu-se creeaz la temperatura de lucru o presiune parial a As n reactor
la nivelul presiunii maxime care oprete (din momentul stabilirii) evaporarea As,
meninndu-se echilibrul ntre cei doi componeni ai materialului. Complicaiile
legate de tubul nchis sunt rezolvate de varianta tubului seminchis n care
semireactorul superior este etanat prin topitur materialului ce reprezint
componenta volatil. Principiul este asemntor.
n cazul n care presiunea de vapori este prea mare (de exemplu pentru
GaP presiunea necesar a P este n jur de 35 atm) primele dou metode sunt
nlocuite de o a treia: LEC. n aceast variant componenta volatil este
mpiedicat s se evapore (pstrnd astfel proporia celor dou componente)
printr-un lichid "ncapsulat" n prezena unei presiuni importante (30) de gaz
neutru n reactor. Metoda este larg folosit pentru materiale A III-B V.
Procesul este monitorizat cu un sistem de televiziune iar cristalul care
crete este controlat cu raze X (inclusiv diametrul lingoului).
1.9.4 Metoda zonei flotante
Cu toate c metoda CZ este versatil (materiale semiconductoare,
conductoare, organice, disociabile i chiar refractare) i conduce la cristale de
calitate, pentru a evita contaminarea topiturii datorit creuzetului au fost
dezvoltate (n particular pentru siliciu) tehnici fr creuzet.
Metoda zonei flotante este o alternativ a tragerii Czochralski. Instalaia
este prezentat schematic n fig.1.27.
Procesul este iniiat prin topirea zonei inferioare a barei monocristaline cu
ajutorul bobinelor de radiofrecven.
Zona topit (meninut prin tensiuni superficiale) este adus n contact cu
gemenele monocristalin (orientat ntr-un anumit fel), dup care bobinele de
nclzire ncep s urce cu vitez constant.
Cele dou zone solide ale lingoului se rotesc n sensuri diferite
uniformiznd topitura.
Atmosfera "protectoare" n care se desfoar procesul este important
deoarece aceasta este o cale de impurificare necontrolat. Se prefer folosirea
unor gaze (H2, inerte) n locul vidului pentru a evita condensarea siliciului
evaporat din topitur pe pereii reactorului.
Metoda FZ poate fi folosit i pentru purificarea fizic prin topire zonar
sau pentru doparea uniform a lingoului monocristalin (dac procesul se
desfoar n atmosfera unui gaz purttor cu impuriti introduse controlat).
n general puritatea materialului semiconductor (nedopat) obinut prin
FZ este superioar celei obinute prin metode de tragere CZ (n urma creia sunt
posibile impurificri necontrolate semnificative ca de exemplu oxigen, carbon,
bor sau alte materiale metalice n cazul siliciului). Din acest motiv pentru

29

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

aplicaii care implic rezistiviti mari FZ devine preferabil, putnd fi obinute

pentru siliciu rezistiviti n domeniul 10-200 ... 30.000 .cm.

Fig.1.27 Instalaie de tragere vertical folosit n metoda zonei flotante

Metoda FZ este n general mai scump dect CZ i nu poate realiza cu

aceeai uurin lingouri de diametre mari (150 - 200 mm) ca n cazul CZ. De
asemenea de-a lungul lingoului FZ pot apare variaii de rezistivitate mai mari
dect n cristalele CZ. Acestea pot fi n general eliminate prin "NTD" (neution
transmutation doping). Prin aceast metod, cristalele FZ de mare rezistivitate
sunt plasate ntr-un reactor nuclear i expuse unui flux de neutroni termici.
Prin controlul fluxului apare n lingou o dopare uniform cu P la nivelul
necesar. Materialul FZ NTD este apoi tratat termic pentru restabilirea reelei
cristaline alterat prin bombardamentul neutronic.
Pentru materialele semiconductoare cu rezistivitate redus metoda este
neatractiv datorit costului i performanelor mai modeste.
1.9.5 Metoda de cretere prin depunere chimic
din faza de vapori (CVD)
CVD este o metod puternic n tehnologia actual. Ea permite:
- realizarea unor straturi epitaxiale la temperaturi (ce) inferioare temperaturii
de topire (t);
- controlul relativ simplu al grosimii stratului epitaxial i a doprii (uniforme) a
acestuia;
30

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

- perfeciune cristalin ridicat a stratului (mai ales n varianta homoepitaxial);

- folosirea unor presiuni "rezonabile" n reactor (0.1-3 atm) evitnd dificultile
tehnologice pentru producerea unui vid naintat;
- creterea unor straturi compuse (muli component).
Exist sigur i unele dezavantaje legate de:
- complexitatea fazei de vapori; urme ale gazului purttor n stratul depus;
- reacii chimice nedorite; interdifuzii strat - substrat; autodopare;
- echipamentul CVD se poate realiza n diferite variante de reactoare: verticale,
orizontale, Barrel, Pancake, etc. n funcie de tipul epitaxiei i productivitatea
necesar.
n general, trebuie asigurate:
- nclzirea uniform a plachetelor;
- rcirea pereilor reactorului cu aer sau ap de rcire.

Fig.1.28 Reactor pentru cretere epitaxial a straturilor dopate de siliciu

Doparea poate fi realizat nglobnd n gazul purttor specii dopante

(fig.1.28) cum ar fi diboran B2H6 (gaz), pentru B n siliciu sau fosfin (PH3),
arsin (AsH3) pentru dopani de tip n cum ar fi fosfor respectiv arseniu.
1.9.6 Metoda MOVPE pentru InGaAsP
Aceast metod folosete compui metal organici pentru epitaxie din faza
de vapori. Aceti compui, fierb la temperaturi joase i au presiuni de vapori
extrem de sczute. Schia instalaiei este prezentat n fig.1.29. Pe un suport de
grafit la o temperatur n domeniul 550-7000oC sunt dispuse plachetele din InP
n reactorul de epitaxie. Pentru Ga i In sunt folosii doi compui metalorganici
(MO) prin care trece gazul purttor (H2 sau He). Compuii MO utilizai sunt
TMIn i TMGa.

31

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Viteza de cretere poate fi cuprins ntre 1 i 10 micrometru/or, mult mai

mic dect vitezele obinuite, depinznd de viteza gazului, presiunea din reactor
i presiunea de vapori a compusului MO. Aceast valoare redus permite
controlul riguros al grosimii straturilor.
Metoda MOVPE a fost folosit cu succes pentru realizarea structurii
cristaline a LED-urilor cu emisie n albastru.

Fig.1.29 MOVPE pentru realizarea uniu compus semiconductor ternar InGaAsP

1.9.7 Metoda de dopare selectiv i controlat

a materialelor semiconductoare
Cea mai folosit metod este difuzia. Difuzia este un proces prin care o
specie atomic neuniform distribuit ntr-un anumit spaiu, se deplaseaz
pentru a realiza o distribuie uniform n acel spaiu.
Procesul de difuziune are dou etape importante:
- predifuzia (difuzia din sursa finit de impuriti), prin care se introduce
superficial, n placheta semiconductoare o cantitate bine determinat de atomi de
impuritate;
- difuzia propriu-zis (difuzia n surs constant) care realizeaz o redistribuire
convenabil a impuritilor predifuzate.
Predifuzia se desfoar ntr-un reactor n care, ntr-un gaz purttor se
introduc (din surs solid, lichid sau prin reacie chimic de suprafa)atomi de
impuritate a cror presiune parial (n gaz) depete o valoare ce ar corespunde
solubilitii maxime a impuritii n materialul semiconductor la temperatura de
lucru.
Difuzia propriu-zis urmeaz predifuziei (sau unei operaii de implantare
ionic prin care, superficial, a fost introdus o anumit cantitate de dopant).
Difuzia propriu-zis se desfoar n atmosfer oxidant i lipsit de
impuriti ntr-un reactor de difuziune. Oxidul ce se formeaz mpiedic alte
impuriti s intre n plachet i le pstreaz pe cele deja introduse.
32

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1.9.8 Echipamentul de implantare ionic

Implantarea ionic este un proces prin care ionii dopani sunt introdui
direct ntr-un substrat (prin bombardament ionic) dup ce n prealabil au fost
accelerai, cptnd energii ntre 10-200 KeV10.
Tehnologia de implantare trebuie s permit:
- introducerea unei cantiti exacte (specifice de impuriti);
- speciei dopante s ajung n locurile i la adncimea necesar n substrat;
- activarea electronic a ionilor implantai;
- modificarea minim a structurii cristaline a substratului n timpul procesului
de implementare.
Echipamentul de implantare (implantoarele), sunt practic cele mai
complexe sisteme folosite n fabricarea circuitelor integrate pe scar larg, VLSI
(fig.4.10).

Fig.1.30 Reprezentare schematic a unui echipament de implantare ionic

Ele conin mai multe sisteme:

- sursa de alimentare cu dopant care conine speciile ce vor fi implantate; cei
mai comuni ioni folosii pentru implantare n siliciu sunt B, P i As; sursele
preferate sunt gazoase, astfel nct se folosesc compui ai acestor dopani; o
valv reglabil permite alimentarea cu un astfel de gaz a sursei de ioni;
- sursa de ioni cu sursa proprie de alimentare i pomp de vid ce permite
ionizarea gazului furnizor de ioni dopani producnd plasm cu presiune redus
10-3 Torr; n surs ionii sunt formai fie prin ciocnire cu electronii produi
printr-o descrcare n arc fie produs prin emisia termic a unui catod fierbinte
(de tip Freeman n implantoare de curent mediu);
- extractor de ioni i dispozitiv de analiz prin care sunt selectai anumii ioni
n funcie de masa lor.
33