Tranzistorul TEC-MOS

(tranzistorul cu efect de camp cu

grila izolata)

Tranzistoarele TEC-MOS sunt dispozitive electronice cu trei

terminale active:poarta G(de la Gate- n limba englez) , Drena
D i Sursa S. n plus, ele mai au un terminal numit substrat S,
care este legat la stratul pe care a fost realizat tranzistorul, care
trebuie meninut la cel mai cobort (sau ridicat, dup tipul
tranzistorului) potenial din circuit.Principala diferen ntre acest
tip de tranzistor i tranzistoarele cu gril jonciune o constituie
faptul c de aceast dat grila tranzistorului este izolat de canal
printr-un strat de oxid.Stratul de oxid izolator fiind foarte subire
exist pericolul strpungerii acestuia prin
descrcare electrostatic de ctre sarcina electric acumulat n
mod nedorit (operator sau echipamentul care l manipuleaz).
inndcontdemoduldefuncionaretranzistoareleTEC-MOSsunt
de2feluri:
cu canal iniial,cazncarecanalulsuperficialestentotdeauna
prezentfiindrealizatprinmijloacetehnologice;
cu canal indus,situaiencarecanalulaparencondiiilencare
tranzistorulestepolarizatcorespunztor(suntcelemaifolositetipuride
tranzistoare).
Duptipuljonciuniipotfi:
cu canal n(NMOS)
cu canal p(PMOS),
LatranzistoareleTECMOS(MetalOxidSemiconductor)poarta
esteizolatprnintermediulunuistratdeoxiddesiliciuicurentulde
poartestedeordinulzecilordepicoamperi.

TEC-MOS cu canal indus:

Structura este format dintr-un substrat de material
semiconductor, de exemplu de tip p, iar zona centrala a
suprafeei superioare a materialului este acoperit cu un strat
subire de oxid de siliciu care este un foarte bun izolant
electric. Suprafaa
stratului de oxid este metalizat. n substratul semiconductor
de tip p, la marginile stratului de oxid, se creeaz dou insule
de tip n, ai cror electrozi metalici sunt sursa (S) i drena(D).
Grila este conectat la suprafaa metalic a stratului de oxid.
Un al patrulea electrod, numit baz, este conectat la
substratul sermiconductor i este de obicei legat intern la
surs

Funcionare:
Daca grila nu este polarizat atunci ntre surs i dren sunt trei zone: n, p i n care sunt
echivalente cu dou diode aezate n opoziie i de aceea curentul nu poate trece.
Dac se scurt circuiteaz grila la surs se constat c nici n acest caz nu exist curent de
dren deoarece jonciunea dren substrat este polarizat invers si nu permite inchiderea
circuitului.
Dac grila este polarizat cu o tensiune pozitiv U GS suficient de mare atunci ntreaga
tensiune se regasete pe stratul izolant, structura MOS se comport ca un condensator plan.
Pe contactul metalic al grilei apar sarcini pozitive i, prin influen electrostatic, pe partea
opus, adic n substrat apar sarcini negative, unind cele dou regiuni ntre ele printr-un canal
de tip n i pemind trecerea curentului. Tensiunea U GS la care se induce canalul i apare
curentul se numete tensiune de prag.
Caracteristici statice :
a) de ieire ID=f(UDS), cu UGS=const.
b) de transfer ID=f(UGS), cu UdS=const

a)

b)

Caracteristici statice :

TEC-MOS cu canal
iniial:

Structura pentru TEC-MOS cu canal

iniial este asemntoare cu a celui cu
canal indus, cu deosebirea c ntre
surs i dren, la suprafaa substratului
semiconductor exist un canal
conductor.
Funcionarea implic unele deosebiri
fa de cel cu canal indus deoarece
existena canalului face ca prin tranzistor
s circule un curent de dren pentru
tensiunidegrilattpozitivecti
negative.

Funcionare:
La tensiune de gril zero curentul de dren nu mai este
nul ci are o anumit valoare.
La TEC cu canal iniial de tip n, tensiunile pozitive pe gril
vor mri conductana canalului i curentul de dren (pentru
o tensiune de dren dat) pentru c atrag mai muli
electroni n canal, iar tensiunile negative vor micora
conductana canalului, pentru c resping electronii din
canal.

Caracteristici statice :

a) caracteristici de ieire

b) caracteristici de transfer

Pentru tranzistoarele MOS cu canal

Polarizarea TECMOS
Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus tensiunile de pe
dren i gril au aceeai polaritate i de aceea se poate folosi
o surs unic de c.c.
UGS= UDDR2 / (R1+R2)
UDS= UDD RDID

Pentru tranzistoarele MOS cu canal iniial

polarizarea se face astfel nct tensiunea de gril s
poat avea att valoripozitive ct i negative.
Acestea se obin prin alegerea convenabil a
rezistenelor R1, R2 i Rs.
UGS= UDDR2 / (R1+R2) RSID

Precauii i msuri speciale de utilizare a TEC-MOS

Datorit rezistenelor mari i capacitilor mici ale structurii gril-canal din
tranzistorul MOS, pot aprea tensiuni mari de strpungere datorate acumulrii de
sarcin electrostatic chiar la manipularea tranzistoarelor. Cum capacitatea
depunerii metalice a grilei fa de ceilali electrozi este foarte mic (ordinul 10 -12),
sarcini extrem de mici, accidentale (10-10 C) pot determina tensiuni de ordinul 102 V.
Aceste tensiuni strpung oxidul stratului izolator, de grosime foarte mic (de
exemplu SiO2 de 0,1 m ) i distrug tranzistorul.
Acumularea de sarcini electrostatice poate aprea datorit containerelor de
plastic utilizate la transportul materialelor semiconductoare, datorit tensiunii
electrostatice cu care este ncrcat o persoan ce ine n mn asemenea
tranzistoare deplasndu-se ntr-o ncpere cu covor de plastic, datorit
echipamentului de testare sau lipire dac nu este legat la pmnt.
Pentru a proteja tranzistoarele, uneori, n procesul de fabricaie, ntre gril i
substrat sunt introduse diode Zener. Aceste diode protejeaz tranzistoarele ns
reduc rezistena de intrare.
La manipularea i utilizarea tranzistoarelor cu efect de cmp trebuie luate
anumite msuri de protecie cum ar fi:
scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel care va fi ndeprtat) att timp ct
tranzistorul este depozitat sau manipulat;
legarea la mas a vrfului pistolului de lipit cu care se lucreaz;
n montaje este indicat ca tranzistorul s fie protejat de un ecran mpotriva
ncrcrilor electrostatice;
-respectarea unor tehnologii speciale de testare, montare i depanare