Îndrumar de laborator

L4 GENERATOARE DE TENSIUNE LINIAR VARIABILĂ

4.1. Noţiuni teoretice

4.1.a. Introducere

Generatoarele de tensiune liniar variabilă sunt foarte răspândite în electronică, fiind

utilizate în tehnica TV, aparate de măsură, circuite de conversie a datelor etc.

4.1.b. Generatoare TLV - parametri şi metode de obţinere

Curba tensiunilor liniar variabilă este reprezentată în Fig. 4.1.1. Parametri principali care
caracterizează o tensiune liniar variabilă sunt:
- durata cursei utile TU

Fig. 4.1.1 Variaţia în timp a tensiunii liniar

variabile
- durata cursei de revenire TR
- perioada de repetiţie T0
- amplitudinea Um
- tensiunea iniţială Ui
- viteza medie de creştere pe porţiunea liniară v = Um / TU
- coeficient de utilizare a tensiunii sursei de alimentare x = Um / E
- coeficient de neliniaritate a cursei utile, e
- stabilitatea

Evaluarea gradului de neliniaritate se poate face prin mai multe metode, una fiind metoda
coincidenţei punctelor iniţiale şi finale a tensiunii Uc(t) cu a unei drepte. În acest caz, coeficientul
de neliniaritate se poate determina astfel:

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 1

 Îndrumar de laborator

U m
e  100 [%]
Um
(4.1.1)
De cele mai multe ori Uc(t) are expresia unei curbe exponenţiale:
  
t
U c  t  E   1  e   (4.1.2)
 
Se poate arăta că:
 1 U   1
e     m     x (4.1.3)
 B  E   B
Coeficientul de neliniaritate poate atinge valori minime de ordinul 10 -3. Durata cursei
utile poate varia într-un domeniu destul de larg (ms - min). Limita inferioară a acestei mărimi este
determinată de valorile minime a capacităţilor parazite, de valorile minime ale rezistenţelor de
încărcare şi de limitele puterii disipate în elementele active de circuit. Limita superioară este
determinată de valorile maxime ale capacităţilor, valorile maxime ale rezistenţelor de încărcare
(şi cele de scăpări), de curenţii minimi la care elementele active funcţionează încă satisfăcător.
Durata cursei de revenire trebuie să fie cât mai mică şi poate avea valori cuprinse între
câteva procente şi câteva zeci de procente din durata cursei utile.
Pentru obţinerea tensiunii liniar variabile se folosesc de obicei încărcarea (sau
descărcarea) unui condensator printr-un dipol de încărcare (sau descărcare) şi readucerea sa apoi
la starea iniţială printr-un dipol de descărcare (respectiv încărcare). De obicei dipolul de
încărcare asigură un curent de încărcare constant pentru condensator iar cel de descărcare este
un comutator comandat care este deschis în timpul cursei utile şi închis în intervalul pauzelor.

Fig. 4.1.2 Schema funcţională a unui generator TLV

Păstrarea unui curent constant de încărcare pe toată durata cursei utile active rezultă din
relaţia:
1 It
U C  t 
C  idt 
C
(4.1.4)

2 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

Se observă că pentru obţinerea unei tensiuni absolut liniare este suficient să se asigure un
curent de încărcare constant. În mod practic apar unele probleme. O primă problemă constă în
stricarea liniarităţii la conectarea unei rezistenţe de sarcină în paralel cu condensatorul. Circuitul
care urmează va trebui de aceea să aibă o impedanţă mare de intrare.
Liniaritatea este afectată de asemenea şi de rezistenţa finită a dipolului de descărcare. O
altă dificultate constă în realizarea unei surse de curent stabile şi cu dispersie redusă a
parametrilor.
Există mai multe metode de obţinere a tensiunii liniar variabile:
- cu circuit de încărcare (simplu sau cu generator de curent constant)
- cu circuit de încărcare cu reacţie pozitivă de tensiune
- cu circuit de încărcare cu reacţie negativă de tensiune.

4.1.c. Exemple de GTLV cu circuit simplu de încărcare şi descărcare prin tranzistor

bipolar

Cel mai simplu circuit de obţinere a tensiunii liniar variabile este cel prezentat în Fig.
4.1.3. care conţine un tranzistor în regim de comutaţie şi un circuit RC. Înainte de începutul
perioadei utile, tranzistorul este saturat şi condensatorul este descărcat. La aplicarea unui impuls
de polaritate negativă, tranzistorul se blochează şi condensatorul C începe să se încarce prin
rezistorul R de la sursa de tensiune Ec.

Începutul tensiunii liniar variabile este iniţializat faţă de momentul în care se aplică pe
baza tranzistorului treapta negativă de tensiune.
Această întârziere este egală cu
suma dintre durata intervalului de timp de
resorbţie a purtătorilor minoritari din bază şi
durata determinată de viteza de scădere a
curentului de colector, tensiunea la bornele
condensatorului crescând după o lege
parabolică.

Fig. 4.1.3 Circuit TVL cu cuplaj în c.c. -

schema de principiu

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 3

 Îndrumar de laborator

După trecerea tranzistorului în starea blocată condensatorul se încarcă conform schemei

echivalente din Fig. 4.1.4.a. în care tranzistorul blocat este înlocuit cu un generator de curent
ICB0 şi o
rezistenţă r'c.
Schema
poate fi
transformată
ca în Fig.
4.1.4.b.

Fig. 4.1.4. Schema echivalentă a tranzistorului blocat, schema

detaliată (a) şi schema echivalentă (b).
Dacă se notează cu
RL
E 'c  E c  ; R' = R  RL / (R+RL) (4.1.5)
RL  R
şi dacă se consideră Ui = U''CE » 0, parametrii circuitului din Fig. 4.1.4.b. sunt:

 rC' 
EE   '
r  R

'   E C  R 'I CB0  (4.1.6)
c 

RE = R'  r'C / (R' + r'C) (4.1.7)

Prin urmare condensatorul C se va încărca după legea:

 t

U C  E E  1  e  E  (4.1.8)
 
în care  = RE  C. Pentru t = TU avem UC = Um, deci:

  TU

U m  E E  1  e E  (4.1.9)
 
coeficientul de nelianiaritate se calculează din relaţia:
e = TU  100 / 8  tE [%] (4.1.10)

După încetarea acţiunii impulsului din comandă negativ, are loc procesul de descărcare
a condensatorului C prin tranzistor.
În timp ce nivelul tensiunii pe baza tranzistorului este pozitiv, tranzistorul poate să se
găsească fie la pragul de saturaţie, (I B = IBS) fie în starea de saturaţie puternică (I B > IBS). În
practică este de preferat al doilea regim deoarece durata de restabilire a schemei este mult mai
redusă. Condensatorul se descarcă la un curent egal cu:
E
I D  h 21e  I B  c (4.1.11)
R'
Acceptând curba de revenire ca fiind liniară, durata de restabilire (de descărcare a
condensatorului) se determină din relaţia:

4 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

C  Um
TR » (4.1.12)
ID

Fig. 4.1.5. Circuit TLV cu cuplaj în c.c. şi cu Fig. 4.1.6. Circuit de tensiune liniar variabilă
condensator de accelerare cu cuplaj RC

Pentru schema din Fig. 4.1.3, şi pentru E1 = 4V, E2 = 0V, RL = 10 MW şi T = 100 ms se

obţine Um = 6,8V; T = 1,2 ms; TR = 0,5 ms. Pentru E1 = 2V, E2 = 0V obţinem T = 0,5 ms şi TR =
1,5 ms.
Din cele arătate rezultă că pentru scurtarea duratei T R este de dorit să se lucreze la o
saturaţie cât mai profundă, ceea ce duce la creşterea întârzierii începutului intervalului util. O
soluţie ar fi utilizarea unui condensator de accelerare conectat ca în Fig. 4.1.5.
Schema din Fig. 4.1.6 asigură un interval scurt de revenire datorită curenţilor de
încărcare şi de descărcare ai condensatorului CB. Constanta de încărcare a condensatorului
trebuie să fie mai mare decât durata intervalului T. De asemenea, condensatorul C trebuie să se
descarce complet în intervalul T0-TU adică constanta de timp de descărcare (determinată şi de
rezistenţa de intrare a tranzistorului saturat) trebuie să fie de câteva ori mai mică decât durata
pauzei T0-TU. Pentru valorile din schemă se obţine: T = 0,1 ms şi T1 = 1,5 ms.
O tensiune liniar variabilă descrescătoare cu valori pozitive se poate obţine cu schema
din Fig. 4.1.7., utilizând un tranzistor pnp. Cu valorile din schemă se obţine: T  = 0,2 ms , TR =
0,2 ms şi TU = 62 ms. pentru Um = 2V.
Dacă în schema din Fig. 4.1.3 se foloseşte un tranzistor pnp alimentat prin R de la o
tensiune negativă, se obţine o tensiune liniar variabilă descrescătoare cu valori negative
(simetrica faţă de axa timpului a celei din Fig. 4.1.4).
În mod similar, dacă în Fig. 4.1.6 utilizăm un tranzistor npn alimentat în emitor de la o
tensiune negativă, se obţine o tensiune liniar variabilă crescătoare cu valori negative.

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 5

 Îndrumar de laborator

Fig. 4.1.7. Circuit de tensiune liniar variabilă descrescătoare cu valori pozitive

4.2. Desfăşurarea lucrării

1. Se identifică montajul de laborator şi se alege configuraţia de studiat ( una din

schemele prezentate)
2. Se aplică semnal de comandă de la un generator de semnal dreptunghiular
3. Cu ajutorul osciloscopului se vizualizează formele de undă la ieşirea montajului şi în
diverse puncte ale schemei (în baza tranzistorului, de exemplu)
4. Se desenează oscilogramele obţinute şi se notează parametrii formelor de undă
vizualizate

4.3. Întrebări

1. Care sunt parametrii unei tensiuni liniar variabile în timp? Exemplificarea pe schemele
studiate.
2. Ce condiţii trebuie să îndeplinească elementele de circuit pentru ca forma de undă să
fie cât mai liniară? Ce posibile îmbunătăţiri pot fi aduse schemelor prezentate?
3. Precizaţi câteva utilizări ale GTLV.

4.4. Conţinutul referatului

- schema circuitului utilizat şi valorile componentelor

- funcţionarea schemelor utilizate
- formele de undă şi parametrii determinaţi teoretic
- formele de undă şi parametrii determinaţi practic
- justificarea deosebirilor care apar între determinarea teoretică şi practică
- răspunsurile la întrebările de mai sus
- observaţii personale

Bibliografie

Mitrofan Gh, - Generatoare de impulsuri de tensiune liniar variabilă, Ed. tehnică, Buc., 1980.

6 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

I.5. REDUCEREA TIMPILOR DE COMUTAŢIE

5.1. Noţiuni teoretice

5.1.a. Introducere

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 7

 Îndrumar de laborator

Pentru a pune în evidenţă regimul de comutaţie la tranzistorul bipolar vom considera

următoarea familie de caracteristici:

Fig. 5.1.1.Familii de caracteristici

RS - regiunea de saturaţie
RA - regiunea de străpungere prin avalanşă
R.B- regiunea de blocare
R act. - regiunea activă
Pe planul acestor caracteristici se pot pune în evidenţă regimurile de comutaţie:
- comutaţia între RS şi RB ( AB ) - regim de saturaţie
- comutaţia între RB şi R act. ( CD ) - regim de curent
- comutaţia între RA şi RB ( EF ) - regim de avalanşă

Regimul de saturaţie
Acest tip de comutaţie este specific la nivel mare de semnal. Dependenţa între curent şi
tensiune sunt descrise de ecuaţia ... pentru tranzistorul ideal.
Comutaţia tranzistorului în schema de comutaţie:

Fig. 5.1.2. Fig. 5.1.3

AB - dreapta de sarcină
Blocarea se realizează pentru tensiunea UBE>0 la pnp, şi negativă la npn.
IC=aIE+ICB0 (5.1.1)

8 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

IE=0 => IC=ICB0 (corespunzător lui A') (5.1.2)

I C + IE + IB = 0 (5.1.3)
IE=0 => (5.1.4)
IB=-ICB0 (5.1.5)
IC=ICB0 (5.1.6)
IB=0 => (5.1.7)
C=ICB0 (corespunzător lui C). (5.1.8)
Starea de saturaţie: joncţiunea emitorului şi a colectorului trebuie polarizată direct în
saturaţie. Este necesar ca UBE>UD (de deschidere). La limita de intrare în saturaţie există
proprietatea:
IC=bIB (5.1.9)
IC=aIE. ( 5.1.10)
Punctul de intrare în saturaţie este punctul B(0,ICS).

Fig. 5.1.4. Fig. 5.1.5.

În cazul blocării: iC  ICB0

=> iC=-ICB0 ( corespunzător lui A' ) (5.1.11)
iE=0 (5.1.12)
Regiunea pentru care ICB0<IC<ICE0 se numeşte regiune de tranziţie între starea de blocare
şi starea de amplificare.
Pentru starea de saturaţie regiunea CB' corespunde RAN, iar începând cu B ' avem RS:
UCEsat>0.
Valoarea curentului de saturaţie se obţine pentru situaţii extreme:
E
I ES  I CS  C (5.1.13)
RC
Condiţia de saturaţie impusă tensiunilor nu este comodă se foloseşte condiţia pentru
curenţi:
IES<IE (5.1.14)
IBS<IB (5.1.15)
IB>IC/b (5.1.16)
Se poate definii în cadrul saturaţiei gradul de saturaţie măsurabil prin factorul de
supracomandă:

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 9

 Îndrumar de laborator

(5.1.17) IE
SE 
I ES
IB
SB 
I BS

(5.1.18)

5.2. Timpii de comutaţie ai tranzistorului bipolar

La joasă frecvenţă tranzistorul bipolar poate fi considerat element de comutaţie ideal. La

creşterea frecvenţei comutaţia se înrăutăţeşte datorită timpului necesar trecerii purtătorilor din
emitor în colector ( inerţie ).
Proprietăţile de inerţie sunt puse în evidenţă de factorul de curent ce corespunde cu:
h21b
h21b ( f )  0

f (5.2.1)
1
fa
fa=1/2a - frecvenţa de tăiere; a - constanta de timp pentru conexiunea BC.
Comportarea tranzistorului la înaltă frecvenţă este influenţată de dimensiunile fizice ale
tranzistorului şi capacitatea joncţiunii.
Pentru o joncţiune se definesc două capacităţi:

qU A
C d  Cd0 exp
kT
Cb0
Cb 
UA
1
U0
( polarizare directă ) (5.2.2)

( polarizare inversă ) (5.2.3)

Proprietăţile de comutaţie sunt influenţate şi de purtătorii de sarcină din regiunea bazei.

Timpii de comutaţie sunt influenţaţi şi de natura sarcinii.
Dacă reprezentăm răspunsul unui tranzistor la un curent de bază de tip impuls se obţine:

10 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

Fig. 5.2.1.

tC - timp de creştere;
tS - timp de ieşire din saturaţie;
tB - timp de blocare;
tS+tB=tp - timp de comutaţie inversă;
ton - pentru comutaţia directă;
toff - pentru comutaţia inversă.
IBh21E>>ICS - condiţia de saturaţie

I CS
t C  a
I B1
I CS
t S  a
I B2
( I B1  I B 2 )h21E
t B   a ln
I CS  h21E I B 2
(5.2.4)

(5.2.5)

(5.2.6)

Se observă că timpii depind de curenţii din bază, cât şi de a numită constantă de timp de
stocare.

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 11

 Îndrumar de laborator

Avantaje:
- stabilitate bună ( tranzistorul îşi păstrează starea de saturaţie sau blocare la
perturbaţii mari );
- număr redus de componente;
- proiectare uşoară;
- disipaþie termicã redusã.
Dezavantaje: - viteză redusă de comutaţie.

5.3. Posibilităţi de reducere a timpilor de comutaţie

Există mai multe variante pentru reducerea timpilor de comutaţie:

a) reducerea timpilor de comutaţie prin utilizarea unor tranzistoare cu frecvenţă de tăiere
ridicată.
b) utilizarea condensatoarelor de accelerare - asigură o supracomandă în baza
tranzistorului. Mărimea de control a curentului de bază în general nu este recomandată deoarece
IB pentru comutaţia directă, respectiv inversă au influenţe contrare.
O soluţie practică uzuală constă în modificarea formei de undă de comandă cu ajutorul
unor elemente pasive.
Forma de undă ideală pentru comanda în bază este următoarea ºi care are ca efect
reducerea timpilor de comutaþie este:

Fig. 5.3.1

Timpul de comutaţie directă tc poate fi redus prin mărirea curentului de comandă IB peste
valoarea normală de menţinere în saturaţie.
Aceasta influenţează negativ timpul de ieşire din saturaţie determinat de timpul de
stocare a purtătorilor t s. De aceea, pentru comutaţia inversă, se urmăreşte aplicarea unei
supracreşteri similare pentru reducerea timpului de comutaţie t s+tB'.
O astfel de formă de undă este dificil de realizat în practică motiv pentru care se
utilizează următorul compromis.
Presupunem că tensiunea de comandă e având urmãtoarea variaþie:

12 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

Fig. 5.3.3.

Fig. 5.3.2.

Pentru e(t)=E1 ,tranzistorul fiind iniţial blocat, după aplicarea saltului E 1:

E1  U C ( t1 )
I B1  (5.3.1)
rs  Rin

Fig. 5.3.4
UC - tensiunea pe condensator
Rin=Rb
Pe măsură ce condensatorul se încarcă IB se micşorează şi:
E1
I BS 
rs  R  Rin
Pentru ca prin tranzistor să se stabilească curentul de regim staţionar, I BS, înainte de
terminarea impulsului de comandă ( t 2 ) trebuie satisfăcută relaţia:
T
 c  C R||(rs  Rin )  0 (5.3.2)
3
În momentul blocării tranzistorului:
E 2  U C (t 2 )
I B2  (5.3.3)
rs  Rin
Pe măsură ce condensatorul se descarcă IB scade către ICB0. Pentru a accelera descărcarea
condensatorului după blocarea tranzistorului s-a introdus dioda D care protejează joncţiunea BE
la supracomanda inversă. Această metodă este utilă cu precădere în cazul tranzistoarelor având
parametrul h21E cu dispersie redusă.

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 13

 Îndrumar de laborator

Obs. Rezistenţa sursei, rs, poate să fie diferită pe durata comutării directe, respectiv
inverse ( ca exemplu avem cazul generării tensiunii e(t) de către un etaj similar cu tranzistoare
bipolare ).
c) Evitarea intrării în saturaţie a tranzistorului bipolar cu ajutorul relaţiei negative
neliniare.

Valoarea rezistenţei R trebuie astfel aleasă încât pentru valoarea maximă a lui h 21Emax
căderea de tensiune pe R să fie mai mare decât căderea de tensiune pe D.
R( I B  I1 )  U D
Ec
IB 
RC h21E
E
I1  B
R1
(5.3.4)

Fig. 5.3.5
(5.3.5)

(5.3.6)

În aceste condiţii :
UD
R
Ec E (5.3.7)
 B
h21E RC R1

R1 se calculează din condiţia de blocare sigură a tranzistorului.

RC se determină din condiţia de obţinere a curentului comandat necesar.
Cu ajutorul acestei metode timpul de stocare care intervine în cazul lui t off este redus la 0
(dispare).

14 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

L6. CIRCUITE BISTABILE DE TIP SCHMITH

6.1. Noţiuni teoretice

6.1.a. Introducere

Un astfel de circuit este caracterizat cu două stări cu echilibru stabil. Structura unui astfel
de circuit este asimetrică şi constă dintr-un amplificator cu două etaje cuplate direct pe o
rezistenţă comună de emitor (circuite cu cuplaj prin emitor).

Fig. 6.1.1. Structura unui circuit de tip Schmith

Fig. 6.1.2. Caracteristica de transfer

pentru o anumită valoare critică RC1
Caracretistica de transfer este determinatã de RC1.
Pentru o anumită valoare critică Rcr se pot defini mai multe tipuri de caracteristici de
transfer:

1) - În acest caz circuitul se comportă ca amplificator.

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 15

 Îndrumar de laborator

Pentru:
RE
U 1  U 1'  U 2  const .  E c ' "
R E  R C 2 U1  U1  U1  U2 creşte liniar până la valoarea
Ec, interval ce corespunde amplificării.

Fig. 6.1.4. Caracteristica de transfer

U 1  U  U 2  const .  E c
"
1

Fig. 6.1.3. Caracteristica de transfer

2) - Circuitul se comportă ca un bistabil având pragul U1'  U1" . Saltul tensiunii de ieşire de la
U2 la Ec are loc prin următorul proces negativ:
IC1, UC1¯, UCE¯, UB2¯, IC2¯, UC2, UE1¯, UC1¯, IC1.

3) - Porţiunea de caracteristică cu panta negativă este instabilă şi nu poate fi obţinută practic.

Instabilitatea constã în instabilitatea PSF-ului. Practic comutarea se realizează conform săgeţilor.
În funcţie de forma tensiunii U1 şi de forma de polarizare a tranzistorului există mai multe
posibilităţi de utilizare a unui circuit de tip Trigger-Schmith.

6.2. Determinarea pragurilor de basculare

16 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

Fig. 6.2.1. Schemă pentru

determinarea tensiunii de
intrare

Pentru această schemă simplificată putem determina tensiunea de intrare.

Când T1 trece din starea de blocare în saturaţie se obţine prima tensiune de prag:
RE
U1'  ( E c  U CE 2 sat )  U DT1
R E  RC2

Când T1 trece din saturaţie în blocare rezultă:

RE
U1"  ( E c  UCEsat )  U DT1
R E  R C1

Posibilităţi de utilizare a circuitului Trigger-Schmith:

1) formator de impulsuri; tensiunea de intrare trebuie suprapusă peste o valoare de
polarizare prestabilită.
2) memorator de polaritate;

Fig. 6.2.3. Memorator de polaritate

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 17

 Îndrumar de laborator

Fig. 6.2.2. Formator de impulsuri

Acest circuit memorează printr-un nivel ridicat (scăzut) polaritatea ultimului impuls aplicat.

3) comparator de amplitudine;

Fig. 6.2.4. Fig. 6.2.5. Comparator de amplitudine

6.3. Trigger-Schmith cu amplificatoare operaţionale

Fig.6.3.1.Circuit Trigger-Schmith cu amplificatoare operaţionale

18 Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceva

 Îndrumar de laborator

-definirea mărimilor care rezultă din bilanţul de tensiuni:

R1
U p'  U p  (U out  U p )
R1  R2
U p  U prag
dU in  0  U outH

a) Uin, atunci când se atinge pragul Up UoutH®UoutL ceea ce corespunde unei tensiuni de
intrare pentru această basculare:
R1
U in  U 1  U p  (U outH  U p )
R1  R2
b)Uin¯ de la valoarea maximă la 0, la atingerea valorii de prag:
R1
U outL ® U outH , U in  U p  (U outL  U p )
R1  R2
Putem defini tensiunea de histerezis UH care reprezintă ....
dintre valorile de prag ale tensiunilor de intare U1 şi U2:
R1
U H  U 1  U 2  (U outH  U outL )
R1  R2

Universitatea “Ştefan cel Mare” Suceava 19