Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
13.1.a.Introducere
Circuitul CMOS standard din Fig. 13.1.1 constã din douã tranzistoare MOS
complementare , cu canal p ºi cu canal n, realizate pe acelaºi substrat . In aceastã configuraţie,
baza (B) ºi sursa (S) fiecãrui tranzistor sunt legaþi împreunã , drenele (D) tranzistoarelor
conectate în paralel constituie borna de ieºire , iar grilele (G) tranzistoarelor, conectate ºi acestea
în paralel, formeazã borna de intrare a circuitului CMOS standard.
Tensiunea de alimentare Vdd a unui circuit CMOS poate varia intre 3V si 15V. Valoarea
tensiunii de alimentare ºi capacitatea de sarcinã determinã duratele timpilor de propagare
duratele timpilor de tranziþie ºi puterea disipatã.
13.1.b.Inversorul CMOS
Intrare Ieºire
Sus (VDD) Jos (VSS)
Jos (VSS) Sus (VDD)
REGIUNEA III:
pentru Vin = Vin* ; Vin* - Vtn < Vout < Vin* - êVtp ê (13.1.5)
REGIUNEA IV:
Vout = Vin -Vtn - [(Vin -Vtn) 2 Kp/Kn (Vin -VDD-Vtp)] (13.1.6)
care este valoarea minimã a tensiunii de alimentare pentru orice circuit CMOS din
seria 4000 .
Experimental pentru determinarea caracteristicii de transfer se va utiliza
montajul urmãtor :
0.9 C1 V K Vtp
Tp [(1 tn ) 2 n (1 ) 2 ]
Vd K n Vdd Kp V pp
(13.1.10)
Dupã cum se observã din relaþie , influenþa tensiunii de prag a
tranzistoarelor asupra timpului de propagare este redusã aceste variind liniar cu
factorii Cl/Vd ºi 1/Kn (Fig. 13.1.6) (C1este capacitatea sarcinii) .
Fig. 13.1.6. Timpul [ns] de propagare, funcþie
de C1 la diferite tensiuni de alimentare Vdd
Observaþie :
Capacitatea de intrare a dispozitivelor CMOS este funcþie de semnalului de
intrare datoritã existenþei capacitãþiilor parazite inerente In timpul comutãrii capacitate
staticã de intrare (tipic 5pF) creºte de 5…10 ore datoritã efectului Miller
(multiplicarea capacitãþii 4 din reacþia unui amplificator cu amplificare mare).
Deoarece de obicei în dispozitiv MOS comandã alt dispozitiv MOS , acest efect
poate deveni supãrator la frecvenþe mari.
Fig. 13.1.7.
Dacã t1,t2 < < T (caz tipic) , atunci Pd2 << Pd1 .
Observaþie:
Datoritã consumului foarte redus al unei porþi inversoare pentru determinarea
curentului absorbit , se vor lega în paralel toate cele 6 porþi ale unui MMC 4069
(configuraþia pinilor este cea figuratã în anexã ).
In cadrul seriei 4000 se gasesc mai multe tipuri de circuite integrateĺ care realizeazã
funcþiile de inversor , neinversor ºi buffer :
MMC 4000 conþine douã porþi SAU-NU (NOR cu trei intrare ºi un inversor ;
MMC 4007 conþin douã perechi complementare de tranzistoare MOS cu canal n
ºi MOS cu canal p ºi un inversor ;
MMC 4041 conþine patru etaje buffer inversoare/neinversoare ;
MMC 4049 conþine ºase etaje buffer inversoare ;
MMC 4050 conþine ºase etaje buffer neinversoare ;
MMC 4069 conþine ºase inversoare farã etaje buffer la intrãri ºi ieºiri ;
MMC 4503 conþine ºase etaje buffer neinversoare cu ieºiri " 3 - state " ;
13.4. Intrebãri :
- schemele utilizate
- tabelele cu datele obþinute la cel puþin 3 valori ale
tensiunii de alimentare
- se vor trasa dependenþele grafice , pe hîrtie milimetricã ,
pe baza tabelelor anterioare
- justificarea teoreticã a rezultatelor obþinute
- rãspunsul la întrebãrile de mai sus
- observaþii personale
Bibliografie :
14.1.1. Introducere
Fig. 14.1.1.
Trensferul este bidirecþional la memoriile RAM, EEPROM ºi unidirecþional pentru ROM,
PROM, EEPROM.
- geometria sau modul de organizare = lungimea unui cuvânt ºi numãrul de cuvinte memorate;
- capacitatea memoriei = numãrul total de biþi ce pot fi memoraþi ( 1 Kbit = 1024 biþi );
- timpul de acces la memorie = timpul necesar pentru citirea sau scrierea unei informaþii ( ms,
ns );
- puterea consumatã ( mW / bit );
- volatilitatea - posibilitatea "pierderii" informaþiei ( datoritã modului de stocare la RAM-ul
dinamic, dispoziþiei tensiunii de alimentare la RAM-ul static ).
Celula de memorie este circuitul elementar care realizeazã memorarea unui bit :
- tranzistoare bipolare
- tranzistoare MOS.
Circuitul de memorie conþine
celule elementare organizate matricial ca în
Fig. 14.1.2. :
Pentru accesul la celula (i, j ) se selecteazã linia WLI ºi coloana prin perechea DLj * DLj.
Capacitatea memoriei este n x n biþi.
Fig. 14.1.3.
Fig. 14.1.7.
Citire : R /WL la potenþial ridicat; T3 conduce ºi se poate sesiza starea lui T1 ( permite
sau nu circulaþia unui curent din linia de bit ).
Înscrierea : cu împãmântarea poziþionatã pe linia W / WL => se deschide iar potenþialul
liniei de bit este transmis capacitãþii C.
Reîmprospãtarea sarcinii : nu se mai face automat la citire deoarece lipseºte bistabilul.
Se face separat : în urma citirii se înregistreazã informaþia stocatã ºi se reînscrie printr-o operatie
de scriere obiºnuitã.
Sunt necesare circuite anexe complexe, dar permite densitãþi foarte mari.
Cea mai simplã structurã :
Capacitatea CS este realizatã independent de
tranzistor. Selectia se face prin deschiderea
tranzistorului ( + pe WL ). Datele sunt citite sa înscrise
pe linia de bit DL.
Fig. 14.1.8.
Existã o mare varietate de celule de memorare ( statice sau dinamice ), principiul însã
fiind asemãnãtor. Circuitele anexã care asigurã functionarea unei celule de memorie sunt :
- circuite de selecþie : decodificatoare de linii ºi coloane pentru selectarea WLi ºi Dlj.
- circuite de citire de informaþii din celulã conectate pe liniile de bit DLj ºi DLj; aceste circuite
sunt comune unei coloane ºi sunt acþionate de decodificatorul de coloanã ;
- circuite de înscriere a informaþiei în celulã : sunt conectate tot pe liniile de bit DLj ºi DLj; ele
asigurã forþarea potenþialelor corespunzãtoare ºi sunt acþionate de decodificatoare de coloane.
Concluzie:
Memoriile RAM bipolare sunt mai rapide decât cele MOS ( de 10 ori ) dar consumã mai
mult ºi au densitate de integrare relativ micã.
Fig. 14.2.1.
PROM : programate de utilizator o singurã datã.
- au la bazã un fuzibil din polisiliciu care se arde la înscriere. Pentru înscriere se deschide T cu
ajutorul WL iar DL se menþine la potenþial coborât; curentul de emitor "arde" fuzibilul.
Programarea se face succesiv pe fiecare celulã sau pe toatã linia.
EPROM : folosesc un tranzistor cu efect de câmp cu dublã poartã, una comandatã ºi una izolatã.
- tranzistorul MOS cu canal iniþial este realizat între cele douã regiuni n. Poarta izolatã se
gãseºte în apropierea substratului ºi a regiunilor n+. A doua poartã situatã deasupra primeia
constituie în acelaºi timp ºi selecþia liniei, iar drena este conectatã pe linia de date.
Dacã pe poarta izolatã este acumulatã sarcinã electricã negativã atunci aplicarea unor
tensiuni pozitive pe grila a doua ( VG ) nu poate aduce în stare de conducþie tranzistorul. Dacã
pe poarta izolatã nu este acumulatã o sarcinã, atunci aplicarea tensiunii pozitive pe V G creeazã
un câmp care duce la formarea canalului n ºi la conducþia tranzistorului. Nivelul pe linia de bit
este 1 când tranzistorul este blocat ºi 0 când acesta conduce. Injectarea de sarcini negative pe
grila izolatã se face prin aplicarea unei tensiuni drenã sursã mari (cu + în drenã) ºi o tensiune
pozitivã pe grilã. Tensiunea VDS mare duce la strãpungerea tranzistorului ºi electronii acceleraþi
de câmpul electric intern intens, trec prin stratul de oxid foarte subþire ºi se acumuleazã în grila
izolatã. Pentru ºtergerea informaþiei din celulã ºi revenirea în stare neprogramatã (tranzistor
blocat) se expune tranzistorul la acþiunea radiaþiei ultraviolete. Electrozii din grilã preiau
energie de la radiaþie ºi trec înapoi în substrat prin stratul izolator.
Fig. 14.3.1.
* criptarea se face pe baza unei chei memorate intern.
Dacã la intrare avem semnal dreptunghiular
15.1. a. Introducere
Circuitele PLL (Phase Locked Loop) sau buclele cu calare pe fază prelucrează semnale
alternative, având largi aplicaţii în telemetrie sau telecomunicaţii. Se utilizează ca demodulatoare
pentru semnale modulate în frecvenţă (MF), în sinteza frecvenţelor, la sincronizare la
transmiterea datelor, codarea şi decodarea telemetrică, stabilizarea frecvenţelor, filtrarea
zgomotelor etc.
Deşi principiul de funcţionare al PLL este cunoscut de multă vreme în sistemele de
comunicaţie, utilizarea lor a devenit eficientă pentru aplicaţiile de uz general abia după ce
progresele în tehnologia integrată au permis realizarea lor monolitică. Ele apar astăzi ca module
universale, caracteristice circuitelor de prelucrare a fecvenţei.
15.1.b. Principiul calării pe fază
Bucla PLL poate fi privită ca un sistem de reglaj automat al frecvenţei f2 a uni semnal
generat de un oscilator (Fig. 15.1.1.). Această frecvenţă trebuie să rămână egală cu valoarea
prescrisă f1, indiferent de perturbaţiile p care acţionează în sistem: zgomote externe, variaţia
parametrilor generatorului sub influenţa temperaturii sau a tensiunii de alimentare etc. Orice
modificare a frecvenţei f2 faţă de valoarea f1 este transmisă prin reacţie negativă la intrare.
Eroarea e = f1 - f2 furnizată de elementul de comparaţie Ceste prelucrată după o anumită lege
f2(e), până la atingerea frecvenţei f1. În acest moment se spune că sistemul a captat frecvenţa f1,
sau s-a prins pe această frecvenţă. Mai mult, captarea frecvenţei f1 este însoţită de sincronizarea
celor două semnale, cel generat în buclă şi cel aplicat la intrare. În momentul atingerii regimului
staţionar caracterizat de f2=f1, defazajul între cele două semnale rămâne constant, cu alte cuvinte,
semnalele sunt calate pe fază.
Pentru a realiza un circuit PLL este nevoie deci de un element de comparaţie pentru
frecvenţele celor două semnale (s2 - de ieşire şi s1 - de intrare) şi de un oscilator comandat,
capabil să-şi modifice frecvenţa în funcţie de semnalul de eroare furnizat de comparator.
În caz că f1 şi f2 sunt suficient de apropiate, frecvenţele celor două armonici sunt destul de
îndepărtate:
f1-f2 < fT < f1+f2 (15.1.2)
astfel ca armonica utilă având frecvenţa e = f1-f2 poate fi uşor separată de un filtru trece-jos
(FTJ) cu bandă de trecere fT.
Ca urmare, compararea a două frecvenţe poate fi realizată cu un circuit multiplicator,
urmat de un FTJ (Fig. 15.1.2). Acelaşi raţionament este valabil şi în cazul că unul sau ambele
semnale sunt dreptunghiulare. Produsul lor conţine o armonică de joasă frecvenţă (jf) egală cu
diferenţa frecvenţelor fundamentale.
FTJ având răspunsul de frecvenţă F(j) va reţine doar armonica de joasă frecvenţă, iar
semnalul la ieşirea sa va avea forma:
v 0 t K V1 V2 F j 1 2 cos 1 2 t (15.1.3)
iar informaţia asupra erorii se pierde, deoarece armonica este suprimată complet de FTJ, v0
rezultând de valoare neglijabilă.
În cazul frecvenţelor suficient de apropiate, v0 acţionează asupra oscilatorului,
modificându-I frecvenţa f2, până la sincronism, când f2 = f1 şi = ct. Din acest moment ,
semnalul de eroare (3) rămâne constant, conform relaţiei :
v 0 K V1 V2 F0 cos K D cos K D sin (15.1.5)
Observaţie: Sensibilitatea reprezintă panta caracteristicii v0( ) pentru variaţii mici ale unghiului
de eroare, când
v0 » KD (15.1.6)
Aşa cum se va vedea în continuare, de cele mai multe ori comparatoarele de fază din CI
PLL asigură dependenţa liniară (15.1.6) pe întreg intervalul + p/2 de variaţie al unghiului (Fig.
15.1. 4)
Schema bloc a circuitului PLL astfel conceput este prezentată în Fig. 15.1.3.. Circuitul
este neliniar, dificil de analizat pentru cazul general. Parametrii şi caracteristicile sale
experimentale sau liniarizările în jurul punctelor sale de funcţionare permit caracterizarea
suficientă a acestor circuite în scopul utilizării lor corespunzătoare şi a sintezei corecte a
circuitelor aferente.
În cazul când f1 este suficient de apropiată de frecvenţa liberă fosc, reacţia negativă permite
captarea frecvenţei f1 la ieşire, adică modificarea frecvenţei OCT până la valoarea f2=f1.
Circuitul sincronizat pe frecvenţa prescrisă va fi caracterizat simultan de relaţiile (15.1.5) şi
(15.1.7), adică
1 = 2 = osc + K0 KD cos (15.1.8)
Se pate observa astfel că la sincronism defazajul între semnalele s1 şi s2 este constant, iar
cos = (1- osc )/ K0 KD = (1- osc )/ KA (15.1.9)
În cazul când f1 diferă mult de fosc, armonicele de la ieşirea multiplicatorului sunt suprimate
în întregime de FTJ, iar tensiunea de eroare v0 este nulă, OCT oscilând pe frecvenţa proprie fosc.
Pentru a putea intra în sincronism, ar trebui ca oscilatorul să poată oscila pe frecvenţa f2 =
f1. Pentru aceasta el are nevoie de o tensiune de comandă conform relaţiei
1 osc
v 0OCT
K0
având valori cu mult mai mari cu cât 1 este mai independent de osc. Această tensiune trebuie
furnizată de FTJ (v0).
Micşorarea distanţei 1-osc permite atingerea limitei pentru care v0 = v0 OCT, adică pentru
care bucla PLL poate căpăta frecvenţa f1.
În acest sens se defineşte banda de captare Bc:
- banda de captare Bc este domeniul frecvenţelor în jurul frecvenţei centrale f osc, pentru bucla
PLL poate intra în sincronism cu semnalul de intrare.
Neliniaritatea sistemului nu permite calculul exact al benzii de captură. Un calcul
acoperitor (pornind de la condiţia v0M = v0OCT, pentru f1 = fc) conduce la
F j c
Bc 2 f c f osc K 0 K D Bu F j c (15.1.11)
p
unde s-a notat cu c 2 p f c f osc
În cazul procesului de urmărire regimul tranzitoriu trebuie să fie cât mai scurt, dar
suficient de lin. Oscilaţiile prea mari ale frecvenţei în jurul valorii de referinţă pot duce uşor la
ieşirea din sincronism, prin depăşirea benzii de urmărire. De aceea parametrii buclei trebuie aleşi
încât să asigure o variaţie a unghiului de eroare în limita ±p/2i şi un compromis între abaterea
maximă în regim tranzitoriu şi timpul de repaus. Comportarea buclei PLL în regim tranzitoriu se
poate studia considerând modelul simplificat liniarizat (Fig.15.1.6)
Funcţia de transfer a buclei PLL va fi de forma
K A F s
H s (15.1.12)
s K A F s
unde KA este amplificarea buclei iar F(s) funcţia de transfer a FTJ.
Fig. 15.1.7. Configuraţii de FTJ, caracteristicile lor de frecvenţă şi
caracteristicile de frecvenţă ale buclei PLL având aceste FTJ.
captură este t c »
1 osc
2
Aşa cum s-a arătat, tensiunea de eroare v0 se modifică odată cu variaţia frecvenţei f1, la
intrare. Dacă semnalul s1 este modulat în frecvenţă, v0 va urmări variaţiile semnalului modulator.
Dacă m(t) este semnalul modulator, frecvenţa semnalului de intrare va fi
f1 f osc f m t (15.1.13)
f fiind deviaţia de frecvenţă faţă de frecvenţa centrală fosc. Ştiind că semnalul eroare este
de forma (7)
2 osc
v0 (15.1.14)
K0
şi că la sincronism 2 = 1, rezultă că:
2p f 1 f osc 2p f m t
v0 (15.1.15)
K0 K0
Prin urmare în bucla PLL calată, semnalul de eroare v0 care apare la ieşirea FTJ este
proporţional cu semnalul modulator m(t). De aici rezultă posibilitatea utilizării buclei ca
demodulator pentru semnale MF, conform schemei bloc reprezentate în Fig. 15.1.8.
Influenţa zgomotelor.
Zgomotele alterează atât amplitudinea cât ş faza semnalelor utile şi sunt echivalente unor
semnale n(t) aleatoare care modulează semnalul de intrare în amplitudine şi frecvenţă:
t
s1 t V1 1 n 1 t cosê osc t m q dq n 2 t (15.1.16)
0
15.1.g. Concluzii
Captarea frecvenţei f1 a semnalului de intrare se poate face în limitele de captură Bc, dacă
2 f 1 f osc £ Bc
În caz contrar trebuie luate măsuri de micşorare a distanţei între f1 şi frecvenţa oscilaţiei
libere fosc a OCT, prin
- modificarea frecvenţei semnalului de intrare
- modificarea frecvenţei libere a OCT.
Odată sincronizat, semnalul generat de OCT urmăreşte variaţiile de frecvenţă ale
semnalului de intrare atât timp cât aceste variaţii sunt cuprinse în limitele benzii de urmărire Bu,
adică
2 f 1 f osc Bc
Depăşirea benzii de urmărire duce la ieşirea din sincronism, iar resincronizarea sistemului
se face în banda de captură
Bc < Bu
În regim staţionar sincron frecvenţa f2 a semnalului generat de OCT este egală cu frecvenţa
f1 a semnalului de intrare. Defazajul al acestor semnale depinde de f1 şi de parametrii buclei PLL.
La sincronizare pe frecvenţa centrală fosc, defazajul între cele două semnale este de p/2. Pentru
ca semnalele să poată să rămână calate, trebuie să rămână în limitele 0 şi p . În literatura de
specialitate se ia frecvent în considerare unghiul de eroare = (p/2) - , unghi care trebuie să fie
cuprins între ±p/2 pentru păstrarea sincronismului.
Parametrii buclei PLL se aleg în funcţie de aplicaţia concretă a circuitului, căutând să se
asigure performanţele statice şi dinamice dorite. Circuitul PLL se utilizează în două direcţii
fundamentale.
Alimentarea se face în c.c. de la două surse (Fig. 15.2.1.b) sau de la o sursă (Fig.
15.2.1.c). Etajul diferenţial de intrare al CP necesită o polarizare în c.c. care se realizează
conectând rezistenţele R la bornele de intrare şi la potenţialul median de alimentare. Tensiunea
de alimentare simetrică poate fi cuprinsă în limitele ±5 V - ±12 V
Aplicaţiile circuitului bE 565 (vezi Fig. 15.3.1.) rezultă din posibilităţile de prezentare
pentru cazul general:
- demodulator MF
- decodificator FSK (Frequency Shift Keying)
- sinteze frecvenţelor prin divizare sau multiplicare
- convertor frecvenţă-tensiune
Valori limită:
Tensiunea de alimentare ±12V (terminalele 10,1)
Tensiunea diferenţială la intrare ±1 V (terminalele 2,3)
Puterea disipată 500 mW
Parametrii electrici pentru tensiunea de alimentare ±
CP: Nivelul minim al semnalului de intrare pentru funcţionarea în limitele 100 mV
Valoarea tensiunii de ieşire de mod comun 4,5V
Tendinţa de dezechilibru (între terminale 6 şi 7) 100 mV
Tensiunea de referinţă de c.c. (terminalul 6) 0,88 Vcc
Stabilitatea CP KD = 0,68 V/rad
OCT: Semnal dreptunghiular (terminal 4) 5,4V v-v
Semnal triunghiular (terminal 9) 2,4 Vv-v
Frecvenţa oscilaţiei libere fosc = 1/(3,7 R0 C0)
frecvenţa maximă de lucru 500 kHz
Sensibilitatea OCT K0 = 4,1 rad/secV
Performanţele circuitului în bucla închisă:
Câştigul static Al buclei KA = 2,8 fosc [sec -1].
Amplitudinea semnalului demodulat pentru o deviaţie de 10% este de 800mV
Pentru o tensiune de alimentare oarecare VA sunt valabile relaţiile:
K A 33,6 f osc / VA
Pentru mărirea stabilităţii buclei se recomandă plasarea unui condensator de 1 nF între bornele 6
şi 7.
Demodulator
Fig.15.3.1. FSK
Aplicaţii tipice ale circuitului PLL BE 565
Fig. 15.3.2. Schema electrică a circuitului PLL BE 565
15.4. Întrebări
Bibliografie
Repeanu R. ş.a. - Circuite integrate analogice, catalog Ed. tehnică, Bucureşti, 1983
Simion E. ş.a. - Montaje electronice cu circuite integrate analogice, Ed. Dacia,
Cluj-Napoca, 1986
ANEXE
bE 565
VALORI LIMITĂ ABSOLUTĂ
Tensiunea de alimentare (diferenţială) ±12V
Tensiunea diferenţială de inatrare ±1V
Gama temperaturilor de funcţionare 0°C … +70°C
Gama temperaturilor de stocare -55°C … +125°C
Temperatura joncţiunii +125°C
Puterea disipată 500 mV
Rezistenţa termică joncţiune-ambiant 200°C/W
PERFORMANŢA ELECTRICE