Elemente de electronic analogic

Tranzistoare compuse

sunt mai multe posibiliti de interconectare a dou tranzistoare
care s se comporte global ca un tranzistor echivalent; este necesar
ca dispozitivul rezultat s aib tot trei terminale.
din cele 4 posibiliti practice utilizate, dou permit i o polarizare
direct n curent continuu fr elemente ajuttoare, ceea ce
reprezint un avantaj n utilizarea lor n special n circuite integrate
liniare.


Tranzistor compus de tip Darlington

schema de principiu (tranzistoare de tipul npn):



prin conectarea celor dou tranzistoare se obine un dispozitiv cu
trei terminale cu semnificaiile E,B,C:

pentru tranzistorul T se obine un curent de baz egal cu curentul
de emitor al tranzistorului T, iar tensiunile dintre colectoarele i
emitoarele celor dou tranzistoare pot fi simultan pozitive ceea ce
asigur o funcionare n RAN.

la un curent de colector al tranzistorului compus prestabilit, se
obine un curent de baz la intrare de valoare mic, ceea ce
sugereaz posibilitatea utilizrii acestei structuri n etajele de intrare
ale amplificatoarelor.

tranzistoarele sunt caracterizate n curent continuu prin factorii de
curent
'
o
| i
"
o
i se poate deduce c, dac se noteaz cu
C
I ,
curentul de colector al tranzistorului compus, atunci curentul de
baz de la intrare va fi:
Elemente de electronic analogic
' '
0
'
0
'
0
) 1 ( + +
=
C
B
I
I

deci tranzistorul compus Darlington are un factor de curent echivalent
pentru conexiunea EC de valoare:

" ' " ' " '
o o o o o o o
~ + + =

aproximarea fiind justificat de neglijarea lui 1 n raport cu fiecare dintre
factorii de curent ai tranzistoarelor componente.

la o polarizare n curent continuu simpl, n care curentul de emitor al
tranzistorului T este curent de baz pentru tranzistorul T se constat c,
prin cele dou tranzistoare, circul curent de colector, n PSF, de valori
mult diferite; din acest motiv, performanele de ansamblu ale structurii
sunt inferioare celor ce rezult din analiza simplist a schemei.

factorul de curent al tranzistorului n conexiune EC depinde puternic de
curentul de colector din PSF cnd acesta se modific n limite largi;



tranzistoarele utilizate n tranzistorul compus Darlington, fiind de acelai
tip, este dificil s se aleag curenii de colector din PSF pentru ambele
tranzistoare ' T i " T n zona n care factorul de curent
0
s fie maxim
i puin dependent de variaiile curentului de colector din PSF; unul dintre
tranzistoare va avea o valoare redus a factorului de curent.

deoarece tranzistorul compus Darlington se folosete n etaje de intrare,
este important i zgomotul propriu produs de tranzistor. Tensiunea
echivalent de zgomot depinde i ea de curentul de colector din PSF:

Elemente de electronic analogic


aceast curb este tipic fiecrui tranzistor i nu se pot alege curenii de
colector din PSF astfel nct ambele tranzistoare s se situeze n zona de
zgomot minim.

pentru evitarea acestor inconveniente, este necesar s se mreasc
curentul de emitor al tranzistorului ' T aa cum se sugereaz n figur n
care generatorul de curent I se poate realiza n mai multe variante
concrete.


din punct de vedere dinamic parametrii tranzistorului compus Darlington
se pot deduce din n funcie de parametri de cuadripol hibrizi [ ' h],
respectiv [ " h ].


Elemente de electronic analogic

- la relaiile care descriu cele dou tranzistoare de forma :

+ =
+ =
'
2
' '
1
' '
1
'
2
'
0
'
1
' '
2
U h I h U
U h I h I
r i
f

+ =
+ =
' '
2
' ' ' '
1
' ' ' '
1
' '
2
' '
0
' '
1
' ' ' '
2
U h I h U
U h I h I
r i
f


- se adaug relaiile rezultate din scrierea ecuaiilor Kirchhoff n nodurile i
ochiurile formate.

= +
+ = + = =
= + =
' '
1
'
2
'
1
' '
2
'
2 2
' '
1
'
2
' '
2 2
'
1 1
' '
1
'
1 1
; ;
; ;
I I I
I I I U U U U
I I U U U

- din aceste 10 ecuaii, se elimin mrimile ce caracterizeaz cele dou
tranzistoare componente i cele dou relaii rmase se aranjeaz sub
forma:

+ =
+ =
2 1 1
2 0 1 2
U h I h U
U h I h I
e
r
e
i
e e
f


de unde, prin identificare se determin parametrii hibrizi ai tranzistorului
compus .
Calculele sunt laborioase i se rocomand deducerea acestor parametri
pornind de la definiie. Astfel, condiia 0 U
2
= duce la urmtorul
circuit echivalent.

Elemente de electronic analogic


Pentru
e
i
h se aplic relaia pentru un tranzistor T' cu o impedan n
emitor:
' ' '
0
' ' '
1
'
i
i i
e
i
h h
N h h
h
+
+
=
unde:
'
'
r
'
f
h h 1 h N' A + + = .

- n condiiile unor aproximri acceptabile:
( 1 h N' si 1 h h
"
f
"
i
'
0
+ ~ << )
rezult:
"
i
'
i
'
i
e
i
1)h (h h h + + ~

- pentru schema de polarizare standard: (adic
'
E
"
B
I I = ), se poate face
urmtoarea observaie:

deoarece:

'
'
'
'
'
' '
E
f
E C
i
qI
kT
h
qI
kT
qI
kT
r h = ~ = ~
H

i:
'
'
' ' "
"
" "
"
"
" "
f
i
E E B C
i
h
h
qI
kT
I q
kT
I q
kT
qI
kT
h = = = = =

Elemente de electronic analogic
rezult:
'
'
'
' '
2 ) 1 (
i
f
i
f i
e
i
h
h
h
h h h ~ + + ~
- Deci mrirea parametrului
e
i
h

nu este foarte mare aa cum apare n relaia
iniiala, ci se constat doar o dublare a parametrului respectiv al primului
tranzistor.

- din punct de vedere practic, acest lucru nseamn c tensiunea variabil
care se aplic la intrarea tranzistorului compus Darlington se repartizeaz
n mod egal pe intrrile celor dou tranzistoare.

- pentru determinarea factorului de amplificare n curent al tranzistorului
echivalent,
e
f
h

, trebuie determinat curentul
2
I sub forma:

" " '
2 2 i f
I h I I + =
Curentul
'
2
I

este curentul de colector n scurtcircuit al unui tranzistor (T')
care are o impedan n emitor (
"
i
h ):

1
'
0
"
'
0
" '
'
2
1
I
h h
h h h
I
i
i f
+

=

Pe de alt parte, curentul I
2

este dat de relaia:

"
1
" "
2
I h I
f
=
unde
"
i
I

este curentul de ieire al repetorului pe emitor format de
tranzistorul ' T care lucreaz pe impedana
"
i
h .
Rezult, conform relaiei amplificrii n curent a repetorului pe emitor:

1
" '
0
'
"
1
1
) 1 (
I
h h
h
I
i
f
+
+
=



Elemente de electronic analogic
Prin nlocuire, se obine:

1
'
0
"
'
"
1
'
0
"
'
0
" '
2
1
1
1
I
h h
h
h I
h h
h h h
I
i
f
f
i
i f
+
+
+
+

=
'
0
"
' " '
0
" '
1
) 1 (
h h
h h h h h
h
i
f f i f e
f
+
+ +
=
n cazurile de aproximare unanim acceptate 1 (
" '
0
<<
i
h h ) se obine relaia
aproximativ:

" ' " ' " '
f f f f f f
e
f
h h h h h h h ~ + + =

- se constat c, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus
Darlington are factorul de amplificare n curent de valoare foarte mare.
Este adevrat c factorii de amplificare n curent ai celor dou tranzistoare
sunt afectai de valorile foarte diferite pe care le au curenii de colector
din punctele statice de funcionare ale celor dou tranzistoare.

Panta tranzistorului echivalent:

' " '
'
0
" " ' " '
N h h
h h h h h h
h
h
S
i i
i f f f f
e
i
e
f e
+
+ +
= =

cu aproximrile acceptate:

' " '
" '
' " '
" '
) 1 (
f i i
f f
f i i
f f e
h h h
h h
h h h
h h
S
+
~
+ +
~
sau:
2 2
"
'
" '
'
'
' '
" '
S
h
h h
h
h
h h
h h
S
i
f f
f
i
f i
f f
e
= =
+
=
adic panta tranzistorului echivalent este numai jumtate din panta celui
de al doilea tranzistor, ceea ce nseamn c impedana de ieire oferit de
tranzistorul compus Darlington este de circa 2 ori mai mare dect cea
Elemente de electronic analogic
oferit de tranzistorul T'
luat separat ca repetor pe emitor (fr a lua n
considerare rezistena generatorului de semnal al crei efect este mult
micorat datorit faptului c factorul de amplificare n curent al
tranzistorului echivalent este mult mrit;
- fizic, deoarece tensiunea de intrare
'
i
U se repartizeaz n pri aproape
egale pe intrrile celor dou tranzistoare, adic
"
1
'
1
U U ~ i, deoarece
curentul n scurtcircuit este dat, n principal, de curentul celui de-al doilea
tranzistor, rezult reducerea pantei echivalente la jumtate din panta celui
de-al doilea tranzistor,
"
T .
- dezavantaj al tranzistorului compus Darlington, dar mai puin important
dect avantajele pe care le prezint din alte puncte de vedere.
Pentru calculul celorlali doi parametri, se pune condiia 0 I
1
= i se
obine o schem echivalent:



deoarece
"
1
'
2
I I = , rezult:

2
"
0
'
2
"
2
"
0
'
1
" '
2
"
2
'
2 2
) 1 ( U h I h U h I h I I I I
f f
+ + = + + = + =

Dar:
'
0
"
2
"
2 2
'
2
1
h
h
U h U
I
i
+

=
Elemente de electronic analogic
Deci:
2
"
0
'
0
"
"
2 2
"
2
1
) 1 (
) 1 ( U h
h
h
h U
h I
i
f
+
+

+ =
adic:
" '
0
" '
0
"
0
'
0
"
'
0
"
0
"
"
0
'
0
"
" "
0
1
1 1
) 1 )( 1 (
i
i i
r f e
h h
N h h
h
h
h
h
N
h
h
h
h h
h
+
+
=
+
+
= +
+
+
=

n condiiile obinuite de aproximare, rezult:

) 1 (
" '
0
"
0 0
+ + =
f
e
h h h h

adic de valoare foarte mare, mai mare dect la fiecare dintre cele dou
tranzistoare luate separat.
Observnd c:
'
"
2
"
2 2
"
2 2
'
2
'
1
1
"
o
i
i r
h
h
U h U
h U h U h U
+

+ + =
i c:
'
0
"
"
2
'
0
'
2
1
) 1 ( 1
h
h
h U
h
U
i
r
+

= ,
dup calcule elementare, rezult c:

" '
0
'
0
" ' " " '
1
i
i r r r r
e
r
h h
h h h h h h
h
+
+ +
=

Aceast relaie se poate reduce la forma aproximativ:

'
0
" ' "
h h h h h
i r r
e
r
+ ~

o expresie care nu se mai poate simplifica avnd n vedere faptul c cei
trei termeni pot avea valori apropiate.
Elemente de electronic analogic
- parametrii dinamici aproximativi ai tranzistorului compus
Darlington vor fi:

=
+ + = + =
= =
2
) 1 ( ;
; ; 2
"
" '
0
"
0
'
0
" ' "
" ' '
S
S
h h h h h h h h h
h h h h h
e
f
e
o i r r
e
r
f f
e
f i
e
i


- deci, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington
prezint un factor de amplificare n curent mrit, dar panta
echivalent redus este la jumtate. Reacia intern este
comparabil cu aceea a unuia dintre tranzistoarele componente, iar
la ieire el se comport ca un tranzistor cu impedan de ieire mai
mic dect cea a tranzistoarelor componente.
- rmn ns importante proprietile tranzistorului compus
Darlington n curent continuu prin care se asigur un curent
continuu de baz de valoare foarte mic. De asemenea, prin artificii
de circuit, n special n circuitele integrate lineare, se pot
mbuntii i performanele dinamice.

Tranzistor compus super-G

schema de principiu:



n ambele cazuri, tranzistorul echivalent este de tipul primului
tranzistor din combinaie i va avea E i B comune cu acesta.
se poate realiza o polarizare a tranzistoarelor n RAN.
n ambele cazuri se constat c, n curent continuu, curentul de
colector al primului tranzistor, T', este curent de baz pentru cel
de-al doilea tranzistor, T". Deci, ntr-o astfel de structur, se
Elemente de electronic analogic
asigur curent de intrare continuu de valoare mic iar curentul prin
sarcin este asigurat, practic, de cel de-al doilea tranzistor.
se poate deduce foarte simplu factorul de curent al tranzistorului
compus:

"
0 0
'
0
"
0
'
0
"
0
'
0 0
) 1 ( ~ + = + =
e


curenii continui prin cele dou tranzistoare fiind foarte mult diferii
(n raportul
"
0
), rezult c se vor pstra dezavantaje relevate la
tranzistoare compuse Darlington cu privire la dependena de
curentul de colector a factorului de zgomot propriu al
tranzistoarelor i a factorului de curent al tranzistoarelor. n mod
normal se pot folosi aceleai metode pentru reducerea efectului
acestora.
din punct de vedere dinamic, parametrii tranzistorului echivalent, se
determin din circuitul echivalent:



Se pot scrie relaiile de legtur:

= = =
= = =
'
1 1 2
'
2
"
1
'
2 2
'
1
'
2
'
1 1 2
"
2
; ;
; ; ;
U U U U U U U
I I I I I I


Dac se adaug relaiile dintre curenii si tensiunile corespunztoare
fiecrui tranzistor, se pot elimina mrimile:
"
2
"
1
' '
2
"
1
'
2
'
1
'
2
'
1
, , , , , , I si I U U I I U U i rezult dou relaii de forma:
Elemente de electronic analogic

+ =
+ =
2 0 1 2
2 1 1
U h I h I
U h I h U
e e
f
e
r
e
i


Prin identificare, se pot deduce parametrii hibrizi ai tranzistorului compus.
Pornind de la definiie, se pot deduce mai direct aceeai parametri.
- parametrul
e
i
h :

" '
0
' " '
1
i
i i
e
i
h h
h h h
h
+
A +
=

n mod obinuit, 1
'
0
"
s h h
i
i
' " '
h h h
i i
A > , astfel nct:
'
i
e
i
h h ~
adic parametrul
e
i
h al tranzistorului compus super-G este determinat de acelai
parametru al primului tranzistor.

- parametrul
e
f
h :
" ' " '
" '
0
'
"
) 1 (
1
) 1 (
f f f f
i
f
f
e
f
h h h h
h h
h
h h ~ + ~
+
+ =

Factorul de amplificare n curent al acestui tranzistor compus va avea
valoarea foarte mare.

- panta tranzistorului compus echivalent.

" '
'
" '
f
i
f f
e
i
e
f
e
h S
h
h h
h
h
S = ~ =

- foarte mare n comparaie cu panta primului tranzistor (i, de aici,
denumirea sa, deoarece panta tranzistorului se mai noteaz i cu
m
g ) .
- se observ c:
'
"
' "
" '
i
i
f f
e
h
h
h S h S S = =
Elemente de electronic analogic
- deoarece, pentru o schem elementar de polarizare curenii continui
prin cele dou tranzistoare sunt n raportul factorilor de cureni ai celor dou
tranzistoare, se poate scrie:

' "
0
'
" "
"
'
" "
"
'
" "
'
"
"
"
' "
C
C
f
C
C
f
C
C
f
C
f
C
f
f
e
I
I
h S
I
I
h S
I
I
h S
qI
kT
h
qI
kT
h
h S S

~ ~ = =
- n aceast ultim relaie, dac se apreciaz c, numeric,
"
0
"
=
f
h ,
rezult:
"
S S
e
=

- acest lucru se poate interpreta n felul urmtor: tranzistorul compus
super-G asigur o pant echivalent mare (panta tranzistorului
"
T prin care
circul curent continuu de valoare mare), n condiiile n care parametrul
e
i
h are
i el valoare mare fiind asigurat de primul tranzistor
'
T , prin care circul curent
continuu de valoare mic.

- comparnd rezultatele obinute cu cele ale tranzistorului compus
Darlington, se constat c diferenele nu sunt eseniale:
- pentru tranzistorul compus Darlington:

~ =
2
; 2
"
'
S
S h h
e
i
e
i

- pentru tranzistorului compus super-G:

{
" '
; S S h h
e
i
e
i
~ =

- aceste rezultate nu trebuie s surprind prea mult, deoarece n ambele
cazuri, produsul
e
i
e
h S este
e
f
h , adic aproximativ
" '
f f
h h .

- diferenele pe care le impun aproximrile fcute pe parcurs nu sunt
eseniale, efectul lor rmnnd n zona n care se poate considera c
factorul de curent al unui tranzistor este mult mai mare dect 1 (de cel
puin 20-50 ori).
Elemente de electronic analogic

- parametrul
e
r
h :
' " '
'
0
"
'
1
1
r r r
i
r
e
r
h h h
h h
h h ~ +
+
=

- c reacia intern n tranzistorul compus super-G este dat, practic, de
primul tranzistor.

- parametrul
e
h
0
:
"
0
" '
0
"
0 0
h h h h h
e
~ A + =
- acest parametru este dictat de cel de-al doilea tranzistor.

- valorile aproximative ale parametrilor sunt de forma:

=
= =
= =
"
"
0 0
'
" ' '
; ;
; ;
S S
h h h h
h h h h h
e
e
r
e
r
f f
e
f i
e
i


- prin comparaie cu parametrii tranzistorului compus Darlington) se
observ c, n afara celor spuse despre
e
i
h ,
e
f
h i
e
o
h , se poate aduga
faptul c tranzistorul super-G se comport mai bine ca generator de curent
dect tranzistorul compus Darlington.

- tranzistorul compus super-G se folosete ori de cte ori este necesar
obinerea unei impedane de ieire de valoare ct mai mic, chiar i n
circuitele funcionnd la semnale lent variabile sau continue cum ar fi
sursele de alimentare.

- n locul tranzistorului T, se poate utiliza un alt tranzistor compus (de tip
Darlington sau de tip super-G) care s asigure un factor de amplificare n
curent de valoare ct mai mare.

- exerciiu: s se determine pantele echivalente ale trazistoarelor compuse
triplei n funcie de panta ultimului tranzistor, considernd c n schema
de polarizare n curent continuu nu intervin alte elemente i c factorii de
Elemente de electronic analogic
amplificare n curent i factorii de curent ai celor 3 tranzistoare sunt toi
egali cu
f
h .



Observaie:
- n toate cazurile, mrirea pantei echivalente a tranzistorului compus
provine n principal din fructificarea pantei mari a ultimului tranzistor (prin care
circul cel mai mare curent).
- structurile de tranzistor de tip super-G sau Darlington, se pot obine i n
cazul unor polarizri de alt tip ale tranzitoarelor pentru a obine alte valori ale
parametrilor individuali ai tranzistoarelor prin care s se mbunteasc
parametri globali, n particular, panta echivalent:


Tranzistor compus superD

schema cu TBIP NPN;

sunt posibile variante i cu tranzistoare complementare. n toate
cazurile, nu este posibil polarizarea n curent continuu fr
elemente ajuttoare ceea ce reprezint un dezavantaj al acestui
tranzistor compus n comparaie cu celelalte.

Elemente de electronic analogic


din punct de vedere dinamic, comportarea lui este asemntoare cu
a tranzistorului compus Darlington. Se remarc i aici faptul c,
prin tranzistorul
'
T circul curentul de baz al tranzistorului
"
T ,
ceea ce permite obinerea unei pante echivalente mari cu impedana
de intrare de asemenea mare.
parametrii echivaleni sunt:
- parametrul
e
i
h :
" '
0
' " '
1
i
i i
e
i
h h
N h h
h
+
+
=

cu:
' ' ' '
1
r f
h h h N A + + =
- n condiiile unor aproximri acceptabile ( 1
" '
0
s
i
h h i 1
' '
+ =
f
h N ),
rezult:
' ' '
) 1 (
i f i
e
i
h h h h + + ~
- parametrul
e
f
h :
'
0
"
' "
'
0
"
'
0
" '
" "
1
) 1 (
1 h h
h h
h h
h h h
h h h
i
f f
i
i f
f f
e
f
+
+
=
+

+ =
cu relaia aproximativ:

" ' ' "
) 1 (
f f f f
e
f
h h h h h ~ + ~

adic nu mult diferit de parametrul corespunztor al tranzistorului compus
Darlington.



Elemente de electronic analogic
- parametrul
e
r
h :
" '
' "
1
) 1 (
i o
r r
e
r
h h
h h
h
+

=
aproximativ:
"
r
e
r
h h ~
- parametrul
e
h
0
:
' "
" ' "
1
o i
o o
e
o
h h
h h h
h
+
A +
=
cu aproximarea:
"
o
e
o
h h ~

- proprietile la ieire ale tranzistorului compus super-D sunt determinate
numai de tranzistorul
"
T , aa cum este evident i din modul de conectare.

- panta echivalent se calculeaz cu formulele aproximative, sub forma:

" ' '
" '
) 1 (
i f i
f f e
h h h
h h
S
+ +
=

- n funcie de modul de polarizare, panta echivalent poate lua valori
diferite; astfel, dac, prin polarizarea n curent continuu, se realizeaz cureni de
colector egali prin cele dou tranzistoare (sau aproximativ egali) atunci
" ' '
) 1 (
i f i
h h h + s i
"
S S
e
~ , iar dac, prin polarizarea n curent continuu, se
realizeaz un curent de baz pentru T" identic cu curentul de emitor al
tranzistorului T', atunci, n condiiile egalitii numerice a factorilor de curent
ai acestora, se obine
2
"
S
S
e
~ .

- rezult c, n funcie de polarizare, panta echivalent este cuprins ntre
2
"
S
S
e
~ i
"
S , situaie mai bun dect la tranzistorul compus Darlington
clasic unde panta echivalent este
2
"
S
.

Elemente de electronic analogic
Observaie:
Pentru toate aceste trei tipuri de tranzistoare compuse se constat c se
mrete substanial factorul de amplificare n curent echivalent, ceea ce
reprezint un ctig pentru mbuntirea unor perfomane de regim dinamic ale
circuitelor n care sunt folosite.

Tranzistor compus cascod

structura de tranzistor compus cascod prezint o serie de proprieti
remarcabile i const din conectarea n cascad a dou tranzistoare
n conexiune EM respectiv BM:



din punct de vedere dinamic tipurile tranzistoarelor
'
T i
"
T nu
conteaz, dar condiiile de funcionare n RAN ale celor 2
tranzistoare depind de tipurile lor i de circuitele de polarizare; nu
este posibil o polarizare n curent continuu fr elemente
ajuttoare;
parametrii dinamici ai tranzistorului echivalent arat c acest
tranzistor compus poate fi utilizat ca un circuit de intrare
performant n special la frecvene nalte;

deducerea parametrilor hibrizi echivaleni se face dup schema
echivalent n care, pentru al doilea tranzistor a fost utilizat
schema echivalent n parametrii
b
h n conexiunea baz comun.






Elemente de electronic analogic
parametrii hibrizi se pot determina pornind de la definiie;

- n condiiile de scurtcircuit la ieire, dispare generatorul de tensiune
2
"
U h
rb
i parametrul
e
i
h rezult ca fiind impedana de intrare n
tranzistorul
'
T avnd ca sarcin pe
"
ib
h .
Deci:
'
0
"
" '
1 h h
h h
h
ib
ib i
e
i
+
+
=
Dar:
1 ; ;
1
'
0
2 ' "
"
"
"
s s A
+
~ h h h h h
h
h
h
ib i ib
f
i
ib
,
rezult:
'
i
e
i
h h ~
- observnd c
'
2
"
1
I I = i c raportul
'
1
'
2
I
I
reprezint amplificarea de
curent a primului tranzistor, rezult:

" '
'
" ' "
2
'
1
"
1
"
2
1
"
1
"
2
1
2
1
0 0 0
ib o
f
fb i fb
fb
fb
e
f
h h
h
h A h
U
I
I
h
U
I
I I
U
I
I
h
+
= =
=
=

=
=
=
=
=

deoarece:
1
1
"
"
"
~
+
~
f
f
fb
h
h
h
Rezult:
'
f
e
f
h h ~

- parametrii circuitului echivalent de intrare sunt determinai de parametrii
primului tranzistor.
Elemente de electronic analogic
- pentru parametrii circuitului de ieire, deoarece, 0
1
= I , generatorul de
curent
'
1
'
I h
f
nu mai conteaz.
"
"
'
0
'
0
'
1
2
'
2
'
2
1
1
2
1
1
1
0 0
rb
ib
r
e
r
h
h
h
h
h
I
U
U
U
U
I
U
U
h
+
=
=
=
=
=
sau:
" '
" '
1
ib o
rs r
e
r
h h
h h
h
+
=

- produsul de la numrtor este foarte mic (ordinul de mrime este
10 9
10 10

) astfel nct se poate considera: 0 ~
e
r
h , ceea ce arat
c n acest tranzistor compus nu exist reacie de la ieire la intrare.
Pentru calcularea lui
e
h
0
se observ c:

" '
0
'
0
" "
"
0
2
'
0
2
2
"
"
2
"
0
1
2
"
1
"
2
"
0
1
1
1
0
1
1
0 0
ib
rb fb
b
ib
ib
fb b
fb b
e
h h
h h h
h
U
h
h
U h
h U h
I
U
I h U h
I
U
I
h
+
+ =
=
|
|
|
|
.
|

\
|
+
+
=
=
+
=
=
=


dar:
"
0
'
0
" "
b rs fb
h h h h s ,
astfel:
Elemente de electronic analogic
1
"
"
0
"
0 0
+
~ ~
f
b
e
h
h
h h

- impedana de ieire echivalent pentru tranzistorul compus cascod este
foarte mare, corespunztoare unui tranzistor cu baz la mas. Deci el se
comport ca un foarte bun generator de curent la ieire, ceea ce permite
conectarea ca sarcin a unui circuit oscilant paralel, fr ca acesta s fie
amortizat sensibil prin impedana de ieire a amplificatorului.

- panta echivalent a tranzistorului compus cascod este:

'
S
h
h
S
e
i
e
f
e
~ =

Aadar, la intrare ) (
e
i
h , tranzistorul compus este caracterizat de primul
tranzistor, transferul (
e
f
h sau
e
S ) este determinat tot de acesta, iar la ieire este
determinant impedana tranzistorului al doilea cu baz la masa neexistnd
reacii interne.
Utilizarea sa n circuite de intrare mai este facilitat i de ali parametri
aa cum se va vedea i n paragrafele urmtoare.