SEMICONDUCTORI.

FIZICA NUCLEULUI

Semiconductorul este un material a crui rezistivitate este cuprins ntre cea a

conductoarelor si izolatoarelor. Un cmp electric poate schimba rezistivitatea
semiconductorilor. Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare sunt
baza electronicii moderne, fiind pri componente n radiouri, computere,
telefoane i multe altele. Dispozitivele semiconductoare sunt: tranzistorul,
celulele solare, mai multe tipuri de diode, inclusiv dioda luminiscent i circuit
integrat. fotovoltaice sunt dispozitive semiconductoare care transform energia
luminii n energie electric. ntr-un conductor metalic, curentul este reprezentat
de fluxul de electroni. ntr-un semiconductor curentul este reprezentat fie de
fluxul de electroni fie de fluxul de "goluri" din structura electronic a materialului.
Un semiconductor este un material care are conductivitatea electrica cuprinsa
intre conductivitatea unui metal (ex. Cupru) si a unui izolator (ex. Sticla).
Semiconductorii sunt fundatia electronicii moderne. Exista in doua tipuri
materialele semiconductoare elemente si compusi. Aranjamentul unic al
atomilor din Siliciu si Germaniu fac ca aceste doua elemente sa fie cele mai
folosite in prepararea materialelor semiconductoare. Noile descoperiri legate de
semiconductori au facut posibila cresterea complexitatii si vitezei
microprocesoarelor si dispozitivelor de memorie.
Conductivitatea electrica a unui material semiconductor creste odata cu
cresterea temperaturii, comportamentul opus fata de metale. Dispozitivele
semiconductoare pot avea multe proprietati folositoare, precumtrecerea
curentului mai usor intr-o directie decat in cealalta, avand rezistente variabile,
sensibilitate la lumina sau caldura. Din cauza ca proprietatile electrice ale unui
material semiconductor se modifica din cauza impuritatilor, campurilor electrice
sau luminii, dispozitivele facute din materialele semiconductoare pot fi folosite
pentru amplificarea, transformarea sau conservarea energiei.
Conductivitatea curentului intr-un semiconductor are loc prin miscarea
electronilor liberi (-) si a golurilor (+), acestia fiind cunoscuti ca si conductori de
sarcina. Adaugand atomi impuri intr-un material semiconductor (procedeu numit
dopare), numarul de conductori de sarcina dintr-un semiconductor poate creste
substantial. Cand un semiconductor are majoritar goluri, acesta este numit
semiconductor de tip p, iar cand un semiconductor are majoritar electroni liberi,
acesta este numit semiconductor de tip n. Un singur semiconductor poate avea
mai multe regiuni de tip p si de tip n; spatiul dintre aceste regiuni sunt
responsabile de comportamentul electric.

Unele proprietati ale materialelor semiconductoare au fost observate de la

jumatatea secolului XIX pana la prima decada a secolului XX. Dezvoltarea fizicii
cuantice a permis dezvoltarea tranzistorilor in 1947. Desi unele elemente pure si
multi compusi au proprietati semiconductoare, siliciul, germaniul si compusi ai
galiului sunt cele mai folosite in dispozitivele electrice. Elementele aproape de
scara metalelor in sistemul periodic al elementelor sunt de obicei folosite in
semiconductori.
Denumirea din partea sudica din nordul Californiei este numita Sillicon Valley
(Valea Siliciului) din cauza influentelor companiilor tehnologice care au sediul
prinipal acolo. O parte integrala din dispozitivele tehnologice de astazi este
facuta din semiconductori, in principal din siliciu. Unele dintre cele mai mari firme
include Marvell Technology Group, National Semiconductor si Advanced Micro
Devices (AMD).
Proprietati
Conductivitate variabila
Semiconductorii in starea naturala sunt conductori slabi deoarece un curent este
necesar miscarii electronilor si semiconductorii au octetul satisfacut. Exista
diferite moduri prin care semiconductorii se pot comporta ca si materialele
conductoare (ex. doparea). Aceste modificari au doua finalitati: crearea
semiconductorilor de tip n si p. Acestea se refera la exces sau insuficienta de
electroni. Un numar neechilibrat de electroni poate cauza conducerea electronilor
prin material.
Heterojunctia
Heterojunctia are loc cand doua tipuri de dopare a unui semiconductor are loc in
acelasi material. Spre exemplu, o configuratie care consta in Germaniu de tip n si
Germaniu de tip p. Din aceasta rezulta interschimbarea golurilor cu electronii
liberi. Transferul are loc pana la atingerea echilibrulu printr-un proces numit
recombinare, care face ca electronii din tipul n sa intre in contact cu golurile din
tipul p. Un produs al acestui proces sunt ioni cu sarcina din care rezulta curent
electric.
Electronii excitati
O diferenta in potentialul electric al unui material semiconductor poate distruge
echilibrul termic si poate crea o situatie de dezechilibru. Aceasta introduce
electroni si goluri in sistem, care interactioneaza printr-un proces numit difuzie
ambipolara. Cand un echilibru termic este deranjat intr-un semiconductor,
numarul de goluri si electroni se schimba. Aceasta distrugere poate avea loc ca
un rezultat al diferentei de temperatura sau fotoni, care pot intra in sistem si sa

creeze electroni liberi si goluri. Procesul care creaza si anihileaza electronii si

golurile sunt numite generatie si recombinatie.
Emisia de lumina
In anumiti semiconductori, electronii excitati se pot relaxa prin emiterea de
lumina, in loc de producerea caldurii. Acesti semiconductori sunt folositi in
fabricarea LED-urilor (diodelor emitatoare de lumina) si punctelor cuantice
fluorescente.
Conversia energiei termince
Semiconductorii au factori termo-electrici care ii fac folositori in generatoarele
termo-electrice si de asemenea in racitoare termo-electrice.
Materiale
Un numar mare de elemente si compusi au proprietati semiconductoare,
incluzand:
- Elemente pure din Grupul XIV al tabelului periodic; cele mai importante fiind
siliciul si germaniul. Siliconul si Germaniul sunt folosite efectiv, deoarece au 4
electroni de valenta, astfel avand proprietatea de a primii si ceda electroni in
aceasi masura.
- Compusii binari, in particular elemente dintre Grupul III si V, Grupurile II si VI,
grupurile IV si VI si intre elemente diferite din Grupul IV.
- Compusi tetravalenti specifici, oxizi si aliaje.
- Semiconductori organici, facuti din compusi organici.
Cele mai cunoscute materiale semiconductoare sunt cristaline solide, dar si
semiconductori lichizi si fara forme sunt de asemenea cunoscuti. Acestia include
siliciul fara forma hidrogenat si amestecuri de arseniu, seleniu si telur intr-o
varietate de proportii. Acesti compusi impart cu cateva materiale
semiconductoare proprietati intermediare ale conductivitatii si variatia rapida
dintre conductivitate si temperatura, dar de asemenea ocazional rezistenta
negativa. Acestor materiale le lipsesc rigiditatea structurii cristaline conventionala
a semiconductorilor, precum siliciul. Ele sunt in general folosite in structuri subtiri,
care nu au nevoie de materiale cu conductivitate electrica mare, fiind relativ
insensibile la impuritati si radiatii.
Fizica si semiconductorii

Semiconductorii sunt definiti prin comportamentul lor electro-conductiv unic,

undeva intre cel al metalelor si al izolatorilor. Aceasta diferenta intre aceste
materiale poate fi inteleasa prin stadiul cuantic al electronilor, fiecare continand
zero sau un electron (Principiul Pauli). Aceste stari sunt asociate cu structura
benzilor electronilor ale materialului. Conductivitatea electrica creste datorita
prezentei electronilor in stare libera, desi pentru ca transportul de electroni sa
aiba loc, materialul trebuie sa fie partial plin. Daca starea este mereu ocupata cu
un electron, atunci trecerea altor electroni este blocata in acea stare.
Un semiconductor pur nu este util, deoarece nu este nici bun conductor, nici bun
izolator. Dar o calitate importanta a semiconductorilor (si unele izolatoare
cunoscute ca semi-izolatoare) este acea de a creste conductivitatea si controlul
acesteia prin dopare cu impuritati si prin aplicarea campurilor electrice.
Purtatori de sarcina
Electronii umplu locurile de la baza benzii de conducere care poate fi inteleasa
ca adaugarea electronilor pe acea banza. Electronii nu sunt statici (datorita
recombinatiei termice naturale), acestia miscandu-se constant. Concentratia
obisnuita de electroni este foarte scazuta, si (spre deosebire de metale) este
posibil sa ne gandim la electronii dintr-o banda de conductie a unui
semiconductor ca la un fel de gaz ideal, unde electronii zboara in jur liberi fara
a se supune Principiului Pauli. In majoritatea semiconductorilor, benzile de
conductie au o relatie de dispersie parabolica si astfel electronii raspund fortelor
(campurilor electrice, magnetice etc.) la fel cum ar face in vid, cu mase efective
diferite.
2.1.1 Conductoare, izolatoare, semiconductoare
Din punctul de vedere al proprietii corpurilor solide de a fi strbtute de curent
electric sub aciunea unei tensiuni electrice continue aplicate din exterior,
acestea se mpart n trei mari categorii:
- conductoare (metalele);
- semiconductoare;
- izolatoare.
Dup cum s-a artat anterior, n metale ntlnim o structur cristalin, unde n
nodurile reelei cristaline se gsesc plasai ioni pozitivi, n timp ce printre noduri
se mic liber i haotic electroni. Apariia electronilor liberi se explic prin fora de
legtur foarte slab a electronilor de valen. Concentraia electronilor liberi este
de ordinul 1028 m-3 i nu depinde practic de temperatur. Rezistena electric a
metalelor este determinat de frecvena ciocnirilor electronilor liberi cu ionii
pozitivi din nodurile reelei. Ionii sunt ntr-o permanent vibraie termic n jurul
unei poziii de echilibru. Cu creterea temperaturii, amplitudinea oscilaiilor
crete, ceea ce frneaz micarea de ansamblu a electronilor liberi sub aciunea

unui cmp electric exterior. Aa se explic creterea rezistenei (rezistivitii)

metalelor cu temperatura.
Din punct de vedere al conductivitii ( = 1/), metalele nregistreaz valori
foarte mari, m [106, 108] -1m-1. Exist i o categorie de materiale, numite
izolatoare, pentru care conductivitatea este extrem de mic, i [10-12,10-20] -1m1
. Electronii de valen ai atomilor acestor materiale sunt foarte puternic legai de
atomi. Izolatoarele nu conduc curentul electric deoarece n interiorul lor, practic,
nu exist purttori liberi de sarcin electric. Aceste materiale, cum ar fi mica,
materiale plastice, sticla, ceramica, marmura, hrtia, cauciucul etc. sunt foarte
folosite n electrotehnic n general pentru a realiza diferite izolaii electrice.

ntre metale i izolatoare, din punct de vedere al conductivitii, se plaseaz

semiconductoarele, pentru care s [104, 10-8] -1m-1. Spre deosebire de metale,
la semiconductoare, conductivitatea crete puternic cu temperatura (absolut),
aa cum se indic n fig. 2.1.
La temperaturi foarte coborte, semiconductoarele sunt izolatoare, iar la
temperaturi ridicate sunt conductoare destul de bune. n categoria
semiconductoarelor intr o mare varietate de substane: oxizi, compui, elemente
chimice ca siliciul, germaniul, seleniul, etc. n dispozitivele electronice
semiconductoare, cele mai utilizate materiale sunt cristalele elementelor
tetravalente Ge i Si i a unor compui intermetalici, ndeosebi GaAs (arseniur
de galiu).
n cazul semiconductoarelor, electronii de valen sunt legai de atom mai slab
dect la materialele izolatoare. Aceste legturi pot fi rupte dac electronii primesc
o energie suficient devenind astfel electroni liberi. Pentru trecerea electronilor
din stadiul de electroni legai de atom n starea de electroni liberi, trebuie
transmis o energie minim W, numit energie de activare. Pentru
semiconductoare, energia de activare se plaseaz n domeniul 0,025 3 eV.
Fiecare material semiconductor n parte este caracterizat de o anumit valoare a
energiei de activare. Astfel, pentru Ge avem W = 0,72 eV, pentru Si, W = 1,1
eV, etc. Folosind acelai criteriu, al energiei de activare, putem constata c la
metale, W = 0, iar la izolatori, W = 3 10 eV. Energia de activare la metale
fiind nul, la orice temperatur numrul electronilor liberi este acelai. n cazul
izolatoarelor, energia de activare fiind foarte mare, prin nclzire, practic nu apar
purttori liberi.
Datorit valorilor mici, energia de activare poate fi transmis electronilor de
valen din materialele semiconductoare de energia de agitaie termic a ionilor
reelei cristaline. Spre deosebire de metale, cu creterea temperaturii n
semiconductoare crete numrul electronilor liberi. De exemplu, la Si pur,
concentraia electronilor liberi crete de la 10 17 m-3 (la temperatura camerei) pn
la 1024 m-3, la temperatura de 700 C (legea 3/2).

2.1.2 Purttori de sarcin n semiconductoare. Semiconductoare

intrinseci
La semiconductoare este caracteristic faptul c la conducie particip pe lng
electronii liberi (de conducie) i electronii de valen, rmai legai de atomii din
reeaua cristalin. Pentru nelegerea acestui tip de conducie analizm
comportarea electronilor dintr-un cristal de germaniu. Atomul de germaniu are
patru electroni de valen. n reeaua cristalului de germaniu, fiecare atom este
nconjurat echidistant de patru atomi. Fiecare electron de valen al unui atom
formeaz o pereche cu un electron de valen din atomul vecin. Electronii devin
comuni ambilor atomi. Acest tip de legtur, caracterizat prin punerea n comun
a electronilor de valen ntre atomii vecini, se numete legtur covalent. n
fig. 2.2 a se reprezint modelul spaial al legturilor unui atom de germaniu din
reeaua cristalin, iar n fig. 2.2 b modelul plan (simplificat) al legturilor
covalente dintre atomii de germaniu.
Starea legturilor din fig. 2.2 corespunde temperaturilor foarte sczute, cnd
cristalul se comport ca un izolator aproape perfect. La temperaturi mai nalte,
datorit caracterului fluctuant al energiei de agitaie termic, o parte din electronii
din legturile covalente pot deveni electroni liberi, primind o energie (cel puin)
egal cu energia de activare. Electronii eliberai din atomii neutri las n locurile
pe care le prsesc ''goluri'', adic legturi covalente nesatisfcute. Sub aciunea
unui cmp electric exterior, electronii din unele legturi covalente ale atomilor
vecini

pot ''umple'' aceste ''goluri''. Ca urmare, n atomii de unde au plecat rmn alte
''goluri''. Dup apariia unui ''gol'', un electron dintr-un atom vecin l umple, lsnd
n urma lui alt gol. Prin urmare, are loc o deplasare a electronului legat (de
valen) ntr-un sens i a golului n sens contrar. n acest fel, golurile se comport
ca nite particule fictive, cu sarcin pozitiv +e i mas mp , care se deplaseaz
prin cristal i contribuie, alturi de electronii liberi, la conducia electric.
Micarea electronilor liberi, eliberai din legturile covalente, se poate reprezenta
printr-o micare clasic, supus legilor mecanicii newtoniene, sub aciunea
forelor externe (cmpuri electrice exterioare), a unei particule fictive, numit
electron de conducie. Acesta are sarcina electric -e i o mas mn. n mn se
include efectul cmpului electric periodic, datorat ionilor reelei cristaline,
electronul fiind supus doar forelor externe, macroscopice.
In concluzie, n semiconductoare particip la conducie dou tipuri de purttori de
sarcin mobil: electronii (negativi) i golurile (pozitive).
ntr-un semiconductor pur, la echilibru termic, purttorii mobili apar numai prin
generarea termic a perechilor electron-gol. n acest fel, vor rezulta tot atia
electroni de conducie cte goluri.
Semiconductorul n care concentraia de electroni este egal cu cea de goluri se
numete semiconductor intrinsec, iar concentraia respectiv ni , concentraia
intrinsec:
n0 = p0 = ni (2.1)
unde n0 i p0 reprezint concentraiile de electroni, respectiv de goluri, n
semiconductorul pur, la echilibru termic. Pentru o temperatur dat, n0 i p0 sunt
mrimi constante care depind de natura semiconductorului pur respectiv.
Nucleul unui atom este ncrcat cu ntreaga sarcin electric pozitiv a atomului
i ocup centrul acestuia concentrnd practic toat masa atomului. Nucleul este
alctuit din dou tipuri fundamentale de particule stabile, protonul i neutronul,
numite nucleoni.
Protonul are sarcina electric e+, masa de repaus egal cu 1836 mase
electronice, numrul cuantic de spin 2/1, iar momentul magnetic este , unde
NP793,2=eNm2eh= este magnetonul nuclear.
Neutronul este o particul neutr din punct de vedere electric, masa sa de
repaus este practic egal cu masa protonului, numrul cuantic de spin este , iar
momentul su magnetic este 2/1Nn91,1=.
Numrul de protoni din nucleu numit numr atomic , determin numrul de
ordine al elementului chimic cruia i aparine nucleul n tabelul periodic al lui
Mendeleev. Numrul total de nucleoni este denumit numr de mas ZA, iar:
ZAN= (12.1)
reprezint numrul de neutroni din nucleu. Maxima stabilitate se manifest n
regiunea nucleului de Fe . Stabilitatea tinde s se realizeze prin reacii de fisiune
n domeniul numerelor de mas mare i prin reacii de fuziune n regiunea cu
vqalori mici pentru A.

Energia de legtur per nucleon are valori de~8MeV adic mult mai mare
dect energia de legtur a electronilor ~ eV.