Sunteți pe pagina 1din 31

Iankovszky Cristina

Cuprins:
Benzile de energie. Conductori, semiconductori, izolatori
Semiconductori intrinseci
Semiconductori extrinseci
Probleme
Jonciunea pn. Dioda semiconduc toare
Caracteristicile diodei semiconductoare
Trasarea experimental a caracteristicilor diodei
semiconductoare
Redresarea curentului alternativ
Probleme
Benzile de energie.
Conductori, semiconductori, izolatori

Banda de valenta
Banda de conductie
Banda
interzisa
N
i
v
e
l
e



e
n
e
r
g
e
t
i
c
e

Banda de energie provenit
de la nivelul energetic discret al
atomului pe care se afl
electronii de valen se numete
band de valen.
Gradul de ocupare cu
electroni a nivelelor energetice
de valen depinde de natura
chimic a atomilor, de structura
cristalin sau de ali factori; ea
poate fi ocupat parial sau
complet de electroni. n mod
normal electronii aflai n banda
de valen au cea mai mare
energie.
n atomul liber, deasupra
nivelului de valen, se gsesc
nivele energetice care,dei sunt
libere, ele pot fi ocupate cu
electroni n urma excit rii
atomului. n cristal nivelul
liber al atomului se transform
ntr-o band de sbnivele libere
care poart denumirea de
band de conducie.
Banda de valen este
separat de banda de conducie
printr-un interval energetic,
denumit band interzis, n care
nu exist nivele energetice pentru
electroni. Ocuparea cu electroni a
nivelelor din banda de conducie
poate ncepe numai n momentul
cnd electronii din banda de
valen primesc o energie cel
puin egal cu lrgimea benzii
interzise.
Prin nivel energetic
ntelegem o stare energetic
posibil ntr-unsistem cuantic
atom, molecul, nucleu, cristal,
etc.)
Fiecare nivel energetic
discret al atomului, caracterizat
prin perechea de numere
cuantice (n,l), n cristal se
transform ntr-o band
energetic.
Noiunea de benzi
energetice (nivele energetice)
reflect numai starea energetic
a electronilor dintr-un corp
solid.
(Click pe fiecare termen daca dorii sa aflai mai mult..)
(nucleu)
E
g

n funcie de gradul de ocupare cu electroni a benzilor de energie,
corpurile solide pot fi mprite n: conductoare, semiconductoare,
izolatoare.
E
g
> 3 eV
Banda de valenta
Banda de conductie
Izolatoarele sunt substane care
nu permit trecerea curentului
electric. Orict energie ar primi
electronii din banda de valen
nu ar putea face saltul n banda
de conducie deci nu avem
sarcini electrice libere care s
participe la formarea curentului
electric.
Izolatoare
E
g
< 3 eV
Corpurile solide a cror band de
valen este complet ocupat cu
electroni, iar banda de conducie
complet liber este separat de
banda de valen printr-o band
interzis ngust de lrgime E
g
< 3
eV , sunt semiconductoare.
Semiconductoare
Conductoare
Conductoarele (metalele) au
deasupra benzii de valen complet
ocupat cu electroni o band de
conducie parial ocupat cu
electroni.
Electrical Current.swf
Semiconductori
Semiconductoarele sunt corpuri a cror conductivitate
electric = 1/ = 10
4
....10
-8
1/m este cuprins ntre cea
a metalelor i cea a izolatoarelor, fiind influenat de
temperatur ( la temperaturi joase sunt izolatoare i la
temperaturi nalte sunt conductoare.
Semiconductoare
Semiconductoare intrinseci ( pure)
Semiconductoare
extrinseci ( cu
impuriti
de tip n
de tip p
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Conducia electric a semiconductorilor
La temperaturi joase un semiconductor este un isolator
cu rezisten electric foarte mic.

Atomii aflai n
nodurile reelei
cristaline oscileaz n
jurul poziiei de
echilibru. La o
anumit
temperatur vor
avea o energie
cinetic finit,
existnd posibilitatea
ca electronii
periferici s
prseasc atomii
devenind liberi.

Si
Si
Si
Si
Si
Si
BV
BC
Aducerea unui electron n starea de conducie nseamn trecerea lui din banda de
valen (BV) n banda de conducie (BC).
Prin plecarea electronului din BV n BC, n urma lui apare un nivel energetic liber
numit gol. Apariia unui gol este echivalent cu apariia unei sarcini electrice pozitive.
E
g

B
e
n
z
i

d
e

e
n
e
r
g
i
e

(
e
V
)

Cristal de siliciu ( germaniu )
BV
BC
E
g

B
e
n
z
i

d
e

e
n
e
r
g
i
e

(
e
V
)

F
e
F
e

E
Dac semiconductorului i se aplic o
diferen de potenial, electronii din
banda de valen vor ncepe s se
deplaseze n sens invers cmpului electric;
golurile vor fi ocupate tocmai de acei
electroni care se apropie de ele, lsnd n
urma lor noi goluri.
Electronii se vor deplasa de la - la +
iar golurile n sens invers.
n semiconductoare sunt posibile dou tipuri de
conducie electric:
- conducia electronic, determinat de
deplasarea electronilor n banda de conducie;
- conducie de goluri, determinat de
deplasarea golurilor n banda de valen.
Semiconductori intriseci
BV
BC
E
g

B
e
n
z
i

d
e

e
n
e
r
g
i
e

(
e
V
)

g
e
n
e
r
a
r
e

r
e
c
o
m
b
i
n
a
r
e

n cazul semiconductorilor intrinseci, datorit
agitaiei termice electronii pot trece din banda de
valen n banda de conducie BC, procesul
numindu-se excitare termic intrinsec ( generare
termic intrinsec ). n urma acestui proces apar
electroni i goluri n numr egal.
Pe de alt parte are loc i procesul invers
generrii i anume recombinarea electronilor cu
golurile, respectiv trecerea electronilor din banda de
conducie BC n banda de valen BV.
Prin urmare, n regim de echilibru
termodinamic la o anumit temperatur T, numrul
actelor de generare este egal cu numrul actelor de
recombinare, iar n semiconductor se va stabili o
concentraie staionar de electroni i goluri libere,
concentraia electronilor liberi n
0
fiind egal cu
concentraia golurilor libere p
0
:
n
0
= p
0
= n
i n
i
concentraia intrinsec unde
Semiconductor de tip n
Si
Si
Si
Si
Si
Si
As
As
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip n se introduc ntr-un
semiconductor pur impuriti donoare ( donori ) adic, atomi cu valena V
precum fosfor (P) sau arseniu (As).
BV
BC
E
g

E
d

n = p

+ N
d

E
d
energia de ionizare
N
d
concentraia donorilor
- atomi donori
n - concentraia total a
electronilor liberi din BC
- ioni ai atomilor donori
p - concentraia golurilor n BV
Donorii dau nivele energetice mai apropiate de banda de
conducie, electronii putnd fi uor transportai de pe un astfel de
nivel pe banda de conducie.
Trecerea electronilor de pe nivelul donor n banda de
conducie poart numele de excitare (generare) termic extrinsec
a electronilor. Poate avea loc i procesul invers de trecere a
electronilor din banda cde conducie pe nivelul donor, proces
denumit recombinarea electronilor pe nivelul donor.
Semiconductor de tip p
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip p se introduc ntr-un
semiconductor pur impuriti acceptoare ( acceptori) adic, atomi cu
valena III precum bor (B) sau galiu (Ga) .
B
BV
BC
E
g

E
a

p = n

+ N
a

E
a
energia de ionizare a acceptorilor
N
a
concentraia acceptorilor
- atomi acceptori
p - concentraia total a golurilor
din BV
- ioni ai atomilor acceptori
n - concentraia electronilor n BC
Procese care au loc n semiconductorii de tip p
la temperaturi coborte predomin schimbul de
goluri dintre BV i nivelul energetic Ea al
acceptorilor, avnd loc acte de generare i
recombinare a golurilor;
la temperaturi mai nalte are loc i generarea
intrinsec.
Jonciunea p-n
E
Jonciunea p-n reprezint zona de trecere ( contact) care se
formeaz ntr-un cristal semiconductor, la care o parte conine
impuriti acceptoare ( tip n) iar cealalt impuriti donoare (tip p).
Ea are o lrgime l = 10
-4
.10
-5
cm.
n p
Dioda semiconductoare
Jonciunea pn are caliti redresoare.
Astfel aplicnd o tensiune continu cu :
- polaritate direct (polul plus la regiunea
p i polul minus la regiunea n), prin
jonciune trece un curent electric a crui
intensitate crete cu creterea tensiunii
aplicate, deoarece rezistena electric este
mic (R
j
= 10 );
- polaritate invers, practic nu trece
curent deoarece are loc o lrgire a
stratului de baraj care capt o rezisten
electric foarte mare (R
j
= 10
4
...10
5
); n
acest caz se spune c dioda este blocat.
Caracteristicile diodei semicoductoare
U
U
b

U
b
+U
la echilibru
U
U
b

U
b
-U
la echilibru
Tensiune
directa
Tensiune
inversa
Prin aplicarea cmpului exterior
n sens direct are loc o micorare a
duferenei de potenial (barierei)
dintre cele dou regiuni, deoarece
cmpul extern are sens invers
cmpului de baraj, ceea ce nlesnete
micarea purttorilor majoritari. n
felul acesta, la polarizare direct
curentul electric trece prin diod.
Cnd dioda este polarizat invers, cmpul
extern aplicat avnd acelai sens cu cmpul de
baraj, micarea purttorilor majoritari este
mpiedicat. n acest caz, curentul ce strbate
dioda, format numai din purttori minoritari,
este extrem de slab ( de ordinul mA la dioda cu
Si i de ordinul A la cea cu Ge), aa nct l
putem considera practic nul. Spunem c la
polarizarea invers dioda nu conduce curentul
electric.
Schema i simbolul
diodei
p n
Dioda funcioneaz ca
o supap ce permite
trecerea curentului
electric ntr-un singur
sens (cnd este
polarizat direct).
Caracteristica real a unei diode cu
jonciune.
n figur se reprezint caracteristica I = f(U)
a unei diode. Ea pune n eviden
urmtoarele:
a) Intensitatea curentului n sens direct,
dup ce se depete tensionea de
deschidere U
D
, crete exponenial i
rezistena diodei devine foarte mic.
b) n sens contrar, pentru U < 0, intensitatea curentului care trece prin diod este foarte mic,
cu multe ordine de mrime mai mic dect n sens direct. n majoritatea aplicaiilor
practice se consider egal cu zero. Dac tensiunea crete peste o anumit valoare critic
numit tensiune de strpungere dioda (jonciunea) se strpunge i intensitatea
curentului ncepe s creasc brusc. Fenomenul de strpungere este unul negativ. n
practic se urmrete crearea de jonciuni care s reziste la tensiuni inverse ct mai mari,
mii de voli.

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

u
i
u
i

0
U
D

Caracteristica static liniarizat aproximeaz
destul de bine, pentru cureni lent variabili,
caracteristica real a diodei.
Definim rezistena dinamic a diodei prin
relaia:
i
u
R
dm
A
A
=
pentru poriunea nclinat,
corespunztoare conduciei diodei. Acest
raport reprezint tangenta unghiului de
nclinare fa de vertical a poriunii
rectilinii nclinate R
dm
= tg .
O diod ideal ar funciona ca un
ntreruptor care este nchis pentru
tensiuni u < 0 (polarizare invers) i
deschis pentru tensiuni pozitive u > 0
(polarizare direct). Ea ar prezenta la
polarizare invers o rezisten infinit,
iar n conducie direct, o rezisten
nul.
0
i
u
Caracteristica liniarizat ar
corespunde modelului electric
echivalnd cu o diod ideal nseriat cu
o rezisten, reprezentnd rezistena
dinamic a diodei i cu un generator
ideal de tensiune electromotoare egal
cu tensiunea de deschidere U
D
a diodei
reale. (a)
Din compunerea celor trei
caracteristici individuale (b) rezult
caracteristica liniarizat (c).
Reinem c U
D
i R
dm
sunt
parametrii modelului. Modelul este
descris matematic de funcia:
D
ideala
R
dm
U
D

(a)
0
i
u
D.id
U
D

i
i
0
U
D

u
(b) (c)

>

<
=
D
dm
D
D
U u
R
U u
U u
i
,
, 0
Trasarea experimental a caracteristicilor
diodei semiconductoare
Materiale necesare:

diod semiconductoare;
resistor (cel puin 10 )
surs : 0 12 V c.c.
conductori de legtur;
voltmetru, ampermetru;
reostat.
Trasarea experimental a caracteristicii diodei Materiale necesare: - diod semiconductoare; - resistor (cel puin 10 ) - surs : 0 12 V c.c. - conductori de legtur; - voltmetru, ampermetru; - rheostat. Mod de lucru: - se realizeaz montajul din figur; - variai tensiunea aplicat i notai valorile corespunztoare ale curentului n tabel: Tensiune la bornele diodei (V) Intensitatea curentului prin diod (A) 4 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0 - pentru a nregistra rezultatele pentru valori negative ale tensiunii se inverseaz bornele diodei; - trasai graficul: I = f(U) - rezistena diodei pentru o anumit tensiune este egal cu raportul dintre tensiune i intensitate; folosii graficul pentru a calcula rezistena diodei pentru diferite tensiuni; - descriei cum variaz rezistena cu tensiunea aplicat; este rezistena diodei aceeai pentru o tensiune pozitiv i pentru o tensiune negativ.
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS/weteis/diode1.htm

Redresarea curentului alternativ

Prin redresarea curentului alternative se nelege transformarea curentului alternativ
de joas frecven n curent pulsator, utiliznd un dispozitiv numit redresor.
Pentru redresarea curentului alternativ se poate folosi dioda cu jonciune.
n mod obinuit un redresor cu dispozitiv semiconductor este compus din:
elementul redresor ( dioda semiconductoare ),sursa de curent alternativ (reea de
alimentare cu energie electric sau transformator) i un filtru de netezire..
Transformator
Redresor
Filtru de netezire
Retea
Spre
sarcina
~
Transformatorul din
circuitul redresor separ
componenta de curent
alternativ de cea de curent
continuu i determin de
obicei valoarea tensiunii
continue pentru o valoare
dat a tensiunii de reaea.
Redresorul
propriu-zis este un
element neliniar
(sau mai multe)
care permite
trecerea curentului
ntr-un singur
sens.
Filtrul are rolul de a
reduce (netezi)
pulsaiile tensiunii
redresate. Filtrele se
realizeaz de obicei cu
elemente de circuit
reactive: condensatoare,
bobine, uneori i
rezistoare.
Redresor monoalternan
Redresorul monoalternan este cel mai simplu redresor. Blocul redresor
coine un singur element redresor, o diod.
Randamentul sczut este unul dintre dezavantajele acestui redresor. Un al
doilea dezavantaj este ncrcarea nesimetric a reelei, puterea fiind absorbit doar n
timpul unei singure semialternante. Redresorul monoalternan este ns destul de
folosit la puteri mici deoarece este cel mai simpu i cel mai ieftin.
Redresarea ambelor alternane
Redresor dubl alternan cu punct median
n cazul acestui tip de redresor transformatorul este necesar i el trebuie s aib
un secundar cu dou nfurri nseriate, care au acelai numr de spire, cu un punct
median ntre ele, astfel ca s furnizeze blocului redresor compus din dou diode dou
tensiuni identice, u2. Ansamblul poate fi privit i ca dou redresoare monoalternan
legate la aceeai sarcin, n cazul acesta rezistena RS.
n prima semiperioad cele dou diode
sunt polarizate astfel: D1 direct, plusul
tensiunii transformatorului la anod, iar D2
invers. Schema echivalent este aceea din
figura (b) (D1 scurtcircuit, D2 ntrerupt) i
tensiunea pe sarcin este egal cu u
2
, adic
o semialternan pozitiv.
n a doua semiperioad cele dou diode sunt
polarizate astfel: D1 invers, minusul tensiunii
transformatorului la anod, iar D2 direct. Schema
echivalent este aceea din figura (c) (D1
ntrerupt, D2 scurtcircuit) i tensiunea pe
sarcin este egal cu minus u
2
(negativ n acest
semiinterval), adic din nou o semialternan
pozitiv.
Se obine n acest fel o redresare dubl
alternan.
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html


Redresor dubl alternan n punte
Redresorul dubl alternan n punte are schema,
forma tensiunilor i schemele
echivalente n semiperioadele distincte de
funcionare prezentate n figur. n cazul
acestui tip de redresor transformatorul poate lipsi.
Se obine n acest fel o redresare dubl
alternan la fel ca n cazul anterior.
Avantajul schemei, valoarea medie dubl
fa de redresarea monoalternan i
deci o eficacitate dubl a redresrii dar i
faptul c este nevoie de o singur surs de
alimentare.
Blocul redresor este format din 4 diode legate n punte (formnd un patrulater)
ntr-o anumit succesiune a terminalelor. La una din diagonalele punii se conecteaz
sursa de tensiune alternativ, sau secundarul transformatorului dac acesta exist, iar la
a doua diagonal se conecteaz sarcina, R n cazul acesta.
n prima semiperioad sunt polarizate
direct diodele D2 si D3 i sunt polarizate
invers diodele D1 i D4. Schema
echivalenta este aceea din figur i
tensiunea pe sarcin este egal cu u2,
adic o semialternan pozitiv.
n a doua semiperioad sunt polarizate
invers diodele D2 i D3 sunt
polarizate direct diodele D1 i D4.
Schema echivalent este aceea din
figur i tensiunea pe sarcin este egal
cu minus u2 (negativ n acest
semiinterval), adic din nou o
semialternan pozitiv.
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr

Bibliografie
Manual pentru clasa a XI-a; N. Gherbanovschi, M.Prodan,St. Levai; Ed.
Didactica si Pedagogic; Bucuresti 1990
Fizica Manual clasa aXII-a; O. Rusu,L. Dinica, C-tin Traistaru, M. Nistor; Ed.
Corint; Bucuresti 2007
http://mritsec.blogspot.com/2009/01/electronic-device-animations.html
http://www.ibiblio.org/kuphaldt/socratic/output/animation_bridge_rectifier
_nonideal_fast.gif
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS/wet
eis/diode1.htm
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.ht
http://www.micro.magnet.fsu.edu/primer/java/leds/basicoperation/
LED
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weT
EiS/weteis/diode1.htm
Caracteristica diodei
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
Dioda semiconductoare
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr
Redresarea cu pynte
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html
Redresarea cu 2 diode