Username / Paro

email
Login

Am uitat parola x Cre

Home

Exploreaza

Upload

Administratie Arta cultura Biologie Casa gradina Diverse Economie Geografie Gradinita Istorie Jurnalism Limba Literatura romana Management Medicina Personalitati Profesor scoala Sociologie Stiinta Arhitectura constructii

DIODA SEMICONDUCTOARE

ALTE DOCUMENTE
RADIAIILE I RADIOPROTECIA DIODE SEMICONDUCTOARE Descoperirea radioactivitatii viata in lipsa gravitatiei. Tester logic - schema Surse sonore DETERMINAREA SARCINII SPECIFICE A ELECTRONULUI PRIN METODA DEVIATIILOR IN CAMPURI ELECTRICE SI MAGNETICE TRANSVERSALE FIs DE RECAPITULARE Marimi fizice LUCRUL MECANIC

Astronomie Chimie Drept Fizica Informatica Matematica Stiinte politice Tutorials

Tehnica mecanica Timp liber

partner-pub-9275

ISO-8859-2
Cautare

DIODA SEMICO NDUCT OARE

1.1. Caracteri stici statice

w w w .scritube.co w w w .google.ro/u

Dispozitivele electronice sunt componente electronice a caror functionare se bazeaza pe controlul miscarii purtatorilor de sarcina n diferite medii (gaz, solid, lichid). Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces, prin intermediul carora se realizeaza controlul purtatorilor de sarcina. n conditiile n care are 2 borne de acces se numeste dipol (figura 1.1, a), iar daca are 4 borne de acces se numeste cuadripol (figura 1.1, b).

Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre exemplu tranzistorul) se trateaza ca si un cuadripol, una din borne fiind comuna intrarii si iesirii. n figura 1.1,b borna 3 este notata cu 1' borna de intrare si cu 2' care este borna de iesire. a) b)

Fig. 1.1 Bornele de acces sunt numite de intrare (si notate cu 1) sau de iesire (notate cu 2) n functie de sensul transferului de putere sau n functie de sensul de circulatie al semnalului. La bornele de intrare se conecteaza sursa de semnal iar la bornele de iesire se percepe rezultatul prelucrarii semnalului de catre cuadripol. n figura 1.1 sensul circulatiei puterii este figurat prin sageti. Descrierea functionarii circuitului n regim static se face prin intermediul unor functii numite caracteristici statice, care exprima dependenta marimilor de iesire de semnalul aplicat la intrare si de structura interna a circuitului. Regimul static precizeaza faptul ca marimile sunt constante n timp, ceea ce nseamna ca timpul nu este o variabila - toate marimile ramn la aceeasi valoare din momentul cnd s-a aplicat semnalul la intrare 20320k1022u si pna la infinit. Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate n mai multe moduri: prin intermediul unor relatii analitice (matematice);

prin intermediul unor relatii grafice. Caracteristicile statice reprezinta un mod de exprimare a modelului circuitului . Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regula sunt neliniare, ceea ce nseamna ca si caracteristicile statice vor fi la fel. Liniaritatea se refera la faptul ca marimile de iesire depind de marimile de intrare printr-o relatie

de forma: marime de iesire = (coeticient1) x (marime de intrare) + (coeficient2), unde cei doi coeficienti depind de structura circuitului. n cazul modelelor neliniare cei doi coeficienti depind de structura circuitului si de marimile de intrare (uneori nici nu poate fi explicitata marimea de iesire, ca n relatia de mai sus). Spre exemplu n figura 1.2,a este prezentat un dipol (o dioda semiconductoare) pentru care caracteristica statica poate fi exprimata prin relatia .

Daca relatia ntre intrare si iesire este liniara caracteristica statica poate fi exprimata grafic ca n figura 1.2,c ceea ce nseamna ca dioda poate fi definita prin rezistenta interna R. Caracteristica statica se exprima analitic prin relatia (de definitie a rezistentei electrice)

, unde G este conductanta.

Att modelele matematice ct si caracteristicile statice nu sunt unice (spre exemplu exista modele matematice specifice zonelor de functionare). Uneori, putem avea un model matematic general si o caracteristica statica unica, dar datorita complexitatii modelului se prefera a se utiliza modelele matematice mai simple care sa fie valabile pentru anumite zone de functionare. Spre exemplu caracteristica statica neliniara din figura 1.2,b poate fi exprimata prin doua drepte, ca n figura 1.3 , sau poate fi descrisa aproximativ prin doua ecuatii, (fiecare valabila pe domeniul specificat)

, unde este rezistenta diodei la

polarizarea directa si [4] reprezinta rezistenta interna a diodei la polarizarea inversa a dispozitivului. n cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne, deci 4 marimi la borne (figura

1.4).

Modelul matematic trebuie sa contina 2 ecuatii care sa exprime dependenta dintre marimile de iesire si cele de intrare care poate fi

, sau poate fi

n majoritatea aplicatiilor cele doua functii (f1 si f2 ) pot fi liniarizate n raport cu marimile de la bornele cuadripolului astfel nct modelul este exprimat ca suma a contributiei fiecarei variabile independente

, n care termenii Zij - numiti parametrii de cuadripol (de natura unor impedante) nu depind de marimile independente de la borne (curenti sau tensiuni ).

Daca drept variabile independente se adopta tensiunile la borne modelul cuadripolar contine admitantele Yij

. Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare avnd alte marimi independente. Nota: Pentru a fixa notiunile n figura 1.5 este prezentata o forma de unda (sinusoidala) a unei marimi variabile n timp.

Daca perioada T este suficient de mare, regimul este cvasistationar - la fiecare timp (n T) marimea "v" are aceeasi valoare, iar trecerea de la o valoare la alta are loc prin intermediul unei succesiuni de regimuri stationare. Marimea este caracterizata, n afara de perioada "T" prin valoarea efectiva Vef si valoarea medie VM, definite astfel

. Regimul static este regimul n care marimile sunt aceleasi la orice moment de timp. n cazul figurii 1.5, pentru regimul cvasistationar, marimile constante n timp sunt VM si Vef.

1.2. Semiconductori intrinseci

Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din grupa a IV-a datorita faptului ca legatura dintre atomi este covalenta (legatura chimica care se realizeaza prin punerea n comun a electronilor de valenta a 2 atomi nvecinati). Dintre elementele grupei se utilizeaza cu precadere Siliciul si apoi Germaniul. Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul ca energia electronilor se gaseste pe nivele energetice situate n benzi. Banda de valenta BV contine nivele energetice ale electronilor de energie mica, electroni care sunt prinsi n legaturi covalente. Energia maxima a benzii de valenta se noteaza Wv. Electronii care au posibilitatea sa se deplaseze n spatiul interatomic (electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice corespunzatoare benzii de conductie BC. Energia minima a benzii de conductie se noteaza Wc. ntre cele doua benzi permise (BC si BI) se afla banda interzisa BI, (vezi figura 1.6) a carei latime energetica W = Wc - Wv, este o

constanta de material fiind specifica naturii semiconductorului - spre exemplu Semiconductori realizati din Si au latimea benzii interzise 1,12 eV [2]. Un electron cu energia Wv , pentru a se desprinde din legatura covalenta, ca sa devina electron liber, trebuie sa primeasca pe o cale oarecare (spre exemplu prin impuls, adica prin ciocnirea cu un electron de viteza mai mare) o energie suplimentara de cel putin W. n aceste conditii energia electronului va depasi BI si va trece pe un nivel din interiorul BC - electronul este liber. Parasirea legaturii covalente de electronul care a primit suficienta energie determina o legatura covalenta nesatisfacuta n structura semiconductorului numita gol. n cazul metalelor, conductia curentului electric se face prin electroni. n cazul semiconductorilor, conductia curentului electric se face att prin electroni ct si prin goluri. ntelegem prin conductie a curentului electric transferul de sarcina electrica printr-o suprafata .

Curentul electric este o miscare ordonata a unor purtatori de sarcina printr-o suprafata , caracterizat prin intensitatea curentului electric de conductie. Intensitatea curentului electric "i" de conductie este definita prin variatia a sarcinii electrice care trece prin suprafata n unitatea de timp.

Pentru figura 1.7, avnd n vedere ca 3 goluri "g" trec de la stnga la dreapta prin suprafata si doi electroni "e" trec de la dreapta spre stnga, rezulta ca prin suprafata trece o sarcina electrica pozitiva egala cu sarcina electrica transportata de un gol (qp = - qe = 1,6 10-23 C). Daca consideram ca situatia se mentine dinamic pentru un interval de timp de 1 secunda, prin suprafata va circula un curent electric de conductie, cu sensul de la stnga spre dreapta, cu intensitatea de 1,6 10-23 A.

Conductia curentului este realizata de goluri (legaturi covalente nesatisfacute) prin intermediul electronilor prinsi n legaturi covalente ale atomilor nvecinati golului. Un electron dintr-o legatura covalenta, datorita unei forte (spre exemplu datorita fortei determinate de un cmp electric), pleaca din legatura si se pozitioneaza la atomul cu legatura covalenta nesatisfacuta. Golul din pozitia veche nu mai exista - legatura a fost refacuta de electronul sosit, dar apare un gol n pozitia din care aplecat electronul. Aceasta deplasare este echivalenta cu deplasarea golului n sens invers miscarii electronilor. Electronul care s-a deplasat si a ocupat legatura covalenta nesatisfacuta are o energie aflata n BV. n conditiile n care legatura covalenta nesatisfacuta (golul) este ocupata de un electron a carui energie este n banda de conductie BC procesul se cheama de recombinare. Electronul nu a plecat dintr-o legatura covalenta, ca sa determine formarea unui nou gol. Dispare, pentru procesul de conductie, att electronul ct si golul, pentru ca electronul liber a fost prins n legatura covalenta nesatisfacuta numita gol. La temperatura camerei, numarul de electroni liberi este egal cu numarul de goluri, pentru ca fiecare electron devenit liber a plecat

dintr-o legatura covalenta care a devenit nesatisfacuta (gol). Concentratia de electroni liberi egala cu

concentratia de goluri se numeste concentratie intrinseca ni. [numar de purtatori/cm3].

S-au folosit notatiile si cu indice zero pentru a specifica faptul ca semiconductorul se afla la echilibru termodinamic. Cele doua concentratii fiind egale semiconductorul este electric neutru. Concentratia intrinseca poate fi exprimata n principal n functie de latimea benzii interzise W si de temperatura "T", prin relatia

n relatie intervine constanta lui Boltzman (k = 23 1,38 10- J/K) si o constanta (A) care sa preia influentele factorilor nespecificati. Orientativ n cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300 K, care are o concentratie de atomi atomi/cm3, concentratia intrinseca este purtatori/cm3, ceea ce nseamna ca la fiecare 1012 atomi exista o legatura covalenta nesatisfacuta (un gol) si un electron liber.

Relatia dintre concentratiile purtatorilor, la echilibru termodinamic,

este valabila att n cazul semiconductoarelor intrinseci ct si n cazul semiconductorilor extrinseci. Modificarea numarului de purtatori se face prin: - cresterea temperaturii semiconductorului; - iradiere; - iluminare; - injectie de purtatori din exterior. Primele trei metode de modificare a concentratiei intrinseci determina un aport energetic din exteriorul semiconductorului. O parte din electroni, prin acest aport energetic, si cresc energia peste Wc, devenind electroni liberi. Se genereaza totodata si un gol datorita aparitiei unei legaturi covalente nesatisfacute, legatura din care a plecat electronul respectiv. Concentratia de electroni si goluri fiind egala semiconductorul va fi tot neutru. Numarul de purtatori este conditionat n principal de temperatura, pentru care concentratiile la echilibru termodinamic sunt notate n0 si p0. n conditiile n care apare o perturbare (injectie de purtatori din exterior ) astfel nct sa se modifice concentratia unuia dintre purtatori, intervine procesul de generare sau recombinare de purtatori astfel nct concentratiile sa revina la echilibrul stabilit de

valoarea temperaturii, respectiv n0 si p0. Odata cu ncetarea perturbatiei semiconductorul actioneaza n scopul anularii excesului de purtatori pentru a ajunge n vechea stare de echilibru. Semiconductori intrinseci sunt folositi la realizarea rezistorilor si a termistorilor (rezistoare a caror rezistenta se modifica cu temperatura, proprietate utilizata la masurarea pe cale electrica a temperaturii).

1.3. Semiconductori extrinseci

Semiconductorul extrinsec este format dintrun material semiconductor intrinsec n structura caruia s-au introdus elemente din grupa a III-a (Bo, Al, s.a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, s.a.). Concentratiile de elemente straine, voit introduse, sunt foarte mici (1012...1018 atomi/cm3) n raport cu numarul atomilor semiconductorului ( 1022 atomi) motiv pentru care sunt numite impuritati [8]. Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de elemente din grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea n legaturi covalente a 4 electroni ai impuritatii cu atomii semiconductorului de baza ramnnd un electron foarte slab legat de atomul de impuritate, care electron la temperatura camerei este electron liber (are energia n BC). Impuritatile din grupa a V-a sunt donoare (de electroni) si introduc un nivel energetic apropiat de banda de conductie Wc notat Wn n figura 1.8.

Fig.1.8.

Notam cu [atomi/cm3] concentratia de impuritati introdusa. Impuritatile fiind ionizate (au pierdut un electron) vor modifica numai concentratia de electroni liberi

innd seama de relatia dintre concentratiile la echilibru se obtine

. Semiconductorul se numeste N pentru ca, conductia curentului electric este asigurata n principal de electroni si anume de electronii liberi furnizati de impuritati. Semiconductorul de tip P realizeaza prin introducerea n structura semiconductorului de baza de elemente din grupa a III-a, ceea ce face ca cei 3 electroni ai impuritatii sa formeze legaturi covalente cu atomii semiconductorului, ramnnd o legatura covalenta nesatisfacuta. Impuritatile introduc un nivel energetic Wp n banda interzisa a semiconductorului de baza,

nivel apropiat de limita benzii de valenta WV, ca n figura 1.9.

Notnd cu NA concentratia de impuritate introdusa, obtinem concentratiile de purtatori n semiconductorul de tip P

Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P si de tip N dupa semnul sarcinii purtatorilor majoritari, respectiv golurile de sarcina pozitiva (pentru P) si electronii de sarcina negativa (pentru N). Nivelul Fermi WF, este acel nivel energetic sub care se gaseste energia tuturor electronilor unui solid n conditiile n care temperatura acestuia este de zero grade Kelvin. Concentratia purtatorilor de sarcina poate fi exprimata n functie de pozitia nivelului Fermi prin relatiile

, care verifica conditia de echilibru termodinamic ( np= ).

Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la jumatatea benzii interzise se noteaza acest nivel cu

, n functie de nivelul intrinsec pot fi exprimate concentratiile purtatorilor pentru semiconductorul extrinsec

Se remarca faptul ca la semiconductorii extrinseci nivelul Fermi este diferit de nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec, fiind "tras" de impuritati.

1.4. Densitati de curent n semiconductori

Curentul electric de conductie este definit prin miscarea ordonata a purtatorilor de sarcina printr-o suprafata data. n general, daca nu actioneaza nici o forta curentul este zero. Curentul electric de conductie apare n

conditiile n care asupra purtatorilor de sarcina actioneaza o forta (electrica sau de difuzie) care sa orienteze vitezele purtatorilor catre suprafata n cauza, ca n figura 1.10a. Forta electrica este datorata prezentei unui cmp electric de intensitate E n semiconductor. Valoarea fortei electrice cu care actioneaza cmpul electric de intensitate E asupra unui purtator de sarcina qe este , unde (semnul minus pentru electroni si plus pentru goluri).

Forta de difuzie este acea forta care apare datorita neuniformitatii de concentratie a purtatorilor n diferite zone ale semiconductorului fiind proportionala cu gradientul concentratiei

. Pentru a caracteriza local starea de conductie electrica se foloseste densitatea "j" a curentului electric de conductie. Integrala de suprafata a densitatii de curent exprima valoarea curentului electric de conductie care strabate respectiva suprafata . n conditiile unei densitati de curent uniforme avem

, unde Sj este aria suprafetei . Forta electrica determina aparitia unei densitati de curent prin suprafata care este - pentru goluri

- pentru electroni , Semnul minus se datoreaza faptului ca electronii se misca invers liniilor de cmp electric, ca n figura 1.10b. Cele doua densitati de curent se nsumeaza daca exista doua tipuri de purtatori de sarcina. .

Expresia din finala se obtine deoarece . Legea de material a conductiei poate fi utilizata pentru a stabili expresia rezistivitatii a unui semiconductor

. Expresie care sugereaza modalitatile de modificare a rezistentei unui semiconductor, si anume prin modificarea concentratiei de impuritati. Mobilitatea purtatorilor este afectata de temperatura crescnd odata cu cresterea temperaturii, de concentratia de impuritati care determina scaderea mobilitatii, de intensitatea cmpului electric aplicat din exterior (la intensitati mari mobilitatea scade).

Forta de difuzie determina densitati de curent n semiconductor a caror expresii se pot exprima

, n functie de gradientul de concentratie, de sarcina purtatorilor si de coeficientii de difuzie Dp, Dn ai fiecarui tip de purtator de sarcina. Coeficientii de difuzie sunt marimi dependente de materialul semiconductorului, fiind

corelate cu mobilitatea purtatorilor prin relatiile Euler

. Densitatile de curent ale celor doi purtatori de sarcina se nsumeaza . Densitatea de curent care se stabileste printro suprafata a unui semiconductor cnd actioneaza att forta electrica ct si forta de difuzie sumeaza efectul celor doua forte

, Expresia densitatii de curent contine un termen (ultimul) dependent de viteza de variatie n timp a cmpului electric

, care poarta numele de "densitate de curent de deplasare". Densitatea curentului de deplasare este semnificativa cnd intensitatea cmpului electric are o viteza mare de variatie n timp. Generarea si recombinarea purtatorilor de sarcina Fenomenul de recombinare consta n scaderea energiei unui electron liber sub valoarea

nivelului Wv , ceea ce determina fixarea acestuia ntr-o legatura covalenta nesatisfacuta. Daca legatura covalenta provine de la materialul semiconductor de baza rezulta disparitia a 2 purtatori de sarcina (att un electron ct si un gol). Daca electronul este prins ntr-o legatura a impuritatii sau a unui centru de recombinare se pierde numai un electron pentru procesul de conductie, vezi figura 1.11a, deoarece atomul de impuritate este ionizat si primind un electron devine neutru.

Generarea purtatorilor de sarcina se poate face n perechi (un electron si un gol) daca electronul provine dintr-o legatura covalenta. Se genereaza numai un purtator daca electronul provine de la un atom de impuritate

care, prin cedarea sau acceptarea, unui purtator se ionizeaza. Semiconductorul ramne neutru pentru ca sarcina purtatorului generat este egala si de semn opus sarcinii ionului format, vezi figura 1.11. Viteza neta de recombinare a purtatorilor U este definita drept variatia excesului de sarcina n unitatea de timp fata de sarcina stabilita de echilibrul termodinamic

, unde n si p reprezinta timpul de viata al electronului si respectiv al golului, n si p sunt concentratiile de purtatori iar nt si pt reprezinta concentratii fictive de purtatori daca acestia ar avea energia corespunzatoare nivelului de captura (n cazul recombinarii prin neutralizarea unei impuritati ionizate, energia nivelului de captura corespunde nivelului energetic introdus de impuritate - ca n 1.11 a). La echilibru termodinamic ntre concentratiile de purtatori avem relatia n p = ni2 U= 0,

pentru ca U este viteza neta de recombinare, adica diferenta ntre viteza de recombinare a purtatorilor si viteza de generare a acestora, viteze care la echilibru termodinamic sunt egale.

1.5. Jonctiunea p-n la echilibru termodinamic

Jonctiunea PN este linia care separa doua zone semiconductoare diferite - una de tipul P si cealalta de tipul N - care au fost puse n contact. La echilibru termodinamic temperatura este constanta si nu exista schimb de energie cu exteriorul. Concentratiile purtatorilor n cele doua zone semiconductoare sunt prezentate n tabelul de mai jos.
P N

goluri - majoritare electroni - minoritari electroni - majoritari goluri - minoritare

Datorita faptului ca n zona P avem multe goluri, n conditiile n care se pune n contact cu N, apare fenomenul de difuzie care determina transferul de goluri din zona P n zona N. La fel se pune problema pentru electronii din zona N, asa nct plecnd golurile de la suprafata semiconductorului de tip P aceasta zona este saracita n purtatori si plecnd electroni de la suprafata semiconductorului din zona N aceasta este saracita n sarcini negative, ca n figura 1.12. n zona de jonctiune, datorita plecarii purtatorilor de sarcina, ramn numai ionii de impuritate. Ionii de impuritate de la suprafata semiconductorului de tip N sunt sarcini pozitive (pentru ca au cedat un electron) si determina o densitate de sarcina q = qe ND pe intervalul 0,..., ln ,

(se nmulteste sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona semiconductoare N).

Ionii de impuritate de la suprafata semiconductorului de tip P sunt sarcini negative (pentru ca au primit un electron) si determina o

densitate de sarcina q = -qe NA pe intervalul -lp ,..., 0 (se nmulteste sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona semiconductoare P). Prezenta celor doua acumulari de sarcina la jonctiune conduce la aparitia unui cmp electric de intensitate notata cu E. Intensitatea cmpului electric poate fi calculata pe baza legii fluxului electric, care stabileste faptul ca fluxul inductiei D a cmpului electric printr-o suprafata nchisa este egal cu cantitatea de electricitate-sarcina electrica din volumul delimitat de suprafata respectiva grad () = q . n conditiile din figura 1.12, cnd intensitatea cmpului se modifica numai pe OX gradientul contine numai derivata pe axa "x"

. Separnd variabilele se obtin expresiile cmpului electric

, ca n figura 1.13. Din conditia de continuitate a cmpului n origine E(-0) = E(+0),

se obtine o relatie ntre latimile zonelor de golire in cele doua zone semiconductoare NA lp = ND ln .

Considernd drept referinta a tensiunii zona neutra a semiconductorului P (V(-lp) = 0) si plecnd de la definitia caderii de tensiune , particularizata pentru jonctiune , se obtine expresia tensiunii pe jonctiune cunoscuta sub numele de bariera de potential

care se opune transferului de purtatori prin jonctiune.

De fapt cmpul electric determina forta electrica Fe , din figura 1.14, care este de sens opus fortei de difuzie Fd . La conectarea celor doua zone ncepe procesul de difuzie a purtatorilor, zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a jonctiunii creste, cmpul electric creste si forta electrica creste asa nct

diferenta celor doua forte se micsoreaza. Transferul de sarcina si extinderea zonelor golite n purtatori nceteaza cnd forta electrica egaleaza forta de difuzie. Notnd latimea totala a zonei de golire l = lp + ln din ecuatia barierei de potential se obtine

. Deoarece avem doua acumulari de sarcini opuse separate printr-o zona de latime l n care se stabileste un cmp electric, rezulta ca avem un condensator a carei capacitate

, este numita capacitate de bariera.

Expresia barierei de potential poate fi dedusa pe baze energetice, avnd expresia

unde

reprezinta concentratia intrinseca si are valoarea .

1.6. Polarizarea jonctiunii P-N

Polarizarea jonctiunii P-N consta n aplicarea din exterior a unei surse de tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele neutre ale semiconductorului. Daca borna pozitiva a sursei se aplica pe zona P polarizarea este directa, iar cnd pe zona P se aplica borna negativa polarizarea este inversa. n cazul polarizarii directe a jonctiunii t.e.m. EAA determina aparitia unui cmp electric notat EA care este de sens invers cmpului electric intern notat E0. Rezulta ca valoarea cmpului electric care actioneaza asupra purtatorilor se micsoreaza, ceea ce nseamna ca o parte din purtatori vor traversa datorita fortei de difuzie zona de golire. Golurile din zona P vor ajunge n zona N pna la o distanta Lp = lp + p (vezi figura 1.16), numita lungime medie de difuzie a golurilor si definita drept acea distanta pe care o parcurge un golul pna la recombinarea cu un electron. Lungimea medie de difuzie poate fi exprimata

prin - coeficientul de difuzie si - timpul de viata al golurilor (definit drept timpul ct golul se misca n zona N - de la intrare si pna la recombinare).

Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distanta p, concentratia purtatorilor minoritari din zona N. Concentratia de goluri, pe distanta p, va diferi de concentratia impusa de echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcina suplimentara numita sarcina n exces. Aceleasi considerente se fac pentru electronii proveniti din zona N si injectati n zona P. Acumularile de sarcina excedentara determina definirea unei capacitati numita capacitate de difuzie

. Aceasta teorie este valabila n cazul nivelelor mici de injectie adica atunci cnd curentul electric

de conductie prin semiconductor nu are valori foarte mari, ceea ce nseamna ca numarul de purtatori care sunt injectati prin suprafata semiconductorului este mic n raport cu numarul de purtatori majoritari din zona respectiva. Exemplu numeric:

n zona P:

la nivele mici concentratia de purtatori majoritari (goluri n zona P) nu se modifica prin injectie de purtatori minoritari. Dar golurile care ajung n zona N (unde sunt minoritari) vor modifica concentratia de purtatori minoritari (pe distante mici). La fel se prezinta situatia pentru electronii care ajung n zona P. Sursa de t.e.m. furnizeaza numai purtatorii care au fost injectati (spre exemplu furnizeaza electroni pentru zona N), dar numarul acestora este mic fata de ce exista deja n zona, rezulta ca vor determina un curent de valoare mica n zonele neutre (unde sunt plasate bornele sursei). Curentul de valoare mica determina caderi de tensiune mici, motiv pentru care se neglijeaza caderile de tensiune pe zonele neutre. Reformulnd putem spune ca ntreaga tensiune furnizata de sursa de t.e.m. se aplica jonctiunii. La polarizarea inversa a jonctiunii intensitatea cmpului intern are acelasi sens cu valoarea cmpului - determinat de sursa de t.e.m.

(vezi figura 1.17).

n acest caz, cmpul electric este favorabil miscarii purtatorilor minoritari, miscarea purtatorilor majoritari fiind blocata att de bariera de potential ct si de cmpul stabilit n materialul semiconductor de sursa externa. Constatam ca avem de-a face cu un transfer de goluri din zona N n zona P care determina un curent electric de conductie de valoare mica (pentru ca exista putini purtatori de sarcina goluri n zona N). La polarizarea inversa curentii prin dispozitiv sunt determinati de fenomenul de "generare de purtatori" n zona de trecere sau n zonele neutre. n figura 1.18 se prezinta densitatile curentilor care circula prin jonctiunea P-N la polarizarea directa si separat la polarizarea inversa.

La polarizarea directa intervin densitatile de curent datorate difuziei purtatorilor, care pot fi exprimate n functie de tensiunea VA de pe jonctiune (la nivele mici de injectie VA = EAA)

. Densitatile de curent jr ,reprezinta curentii de recombinare directa a purtatorilor de sarcina (n zona de golire) si pot fi exprimati prin relatia

. Densitatile j0 si j0r sunt constante, dependente de natura semiconductorului de baza si doparea acestuia cu impuritati.

Curentul prin dispozitiv se obtine nmultind densitatea de curent cu suprafata transversala a semiconductorului. Att pentru polarizarea directa ct si pentru polarizarea inversa, curentul prin jonctiune poate fi descris de ecuatia

unde m este coeficientul de neidealitate, iar este valoarea tensiunii aplicate pe jonctiune. Dispozitivul este ideal pentru m=1. n figura 1.19 este prezentata caracteristica statica a jonctiunii P-N, conforma cu modelul exponential (caracteristica statica exprimata analitic). La polarizarea directa curentul este mic pna cnd tensiunea de polarizare ajunge la valoarea tensiunii Vp numita tensiune de prag. Tensiunea de prag are valori diferit n functie de tipul semiconductorului de baza Vp = 0,7 V la Si, Vp = 0,3 V la Ge, Vp = 1,0 V la As.

La polarizarea inversa curentul are valori foarte mici si creste putin la cresterea tensiunii inverse. n figura 1.20 este prezentata jonctiunea P-N n corespondenta cu dispozitivul semiconductor numit dioda semiconductoare realizat pe baza unei jonctiuni P-N. Anodul diodei A este zona P a jonctiunii iar catodul K este dat de zona semiconductoare N a jonctiunii. Aplicarea tensiunii de polarizare pe jonctiunii se face prin intermediul unor electrozi metalici.

1.7. Fenomene care modifica caracteristica statica a jonctiunii P-N

A: Efectul nivelelor mari de injectie n conditiile n care curentul prin dispozitiv are valori mari, acesta fiind dat de purtatorii injectati nseamna ca putem spune ca dispozitivul

functioneaza la nivele mari de injectie. Nu mai pot fi neglijate caderile de tensiune Vl pe zonele neutre ale fiecarui semiconductor, rezistenta acestora se noteaza RN n figura 1.21a [8, 9].

Pe jonctiune nu mai ajunge toata tensiunea sursei ci numai Vj , , ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca n figura 1.21,b. Curentul prin dispozitiv se obtine din sistemul de ecuatii

B: Efectul cresterii temperaturii Temperatura determina concentratia

intrinseca de purtatori de unde rezulta ca va creste numarul de purtatori (minoritari si majoritari) si curentul rezidual - se dubleaza curentul rezidual la fiecare crestere cu 10C a temperaturii jonctiunii. Tensiunea pe jonctiune VAK =Vj scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la fiecare crestere de 1C a temperaturii. Tensiunea la temperaturi uzuale este . Efectul temperaturii asupra caderii de tensiune pe jonctiune este utilizat la realizarea traductoarelor de temperatura, pentru o gama de temperaturi din domeniul -10,..,+1000C. Temperatura jonctiunii este limitata la Tjmax = 125 C n cazul n care semiconductorul de baza este Si. O temperatura mai mare conduce la ambalarea termica a dispozitivului cu efecte ireversibile.
0

C: Efectul prelucrarii suprafetei semiconductorului

Prelucrarea necorespunzatoare a suprafetei semiconductorului determina absorbtia pe suprafata acestuia de elemente straine, care se constituie n impuritati nedorite. Acestea vor determina nivele energetice aflate n interiorul benzii interzise BI a semiconductorului, numite centre de recombinare. Se modifica astfel necontrolat proprietatile electrice ale semiconductorului (creste curentul rezidual si curentul de recombinare).

D: Efectul cresterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului

Cresterea tensiunii inverse aplicata jonctiunii determina o crestere a curentului invers. Pentru o anumita valoare a tensiunii inverse notata cu numita tensiune de strapungere (vezi figura 1.22), apare un canal conductor ntre anod si catod. Spunem ca dispozitivul s-a strapuns. Se comporta n circuit ca un rezistor de valoare foarte mica. Strapungerea are loc prin 3 fenomene fizice: multiplicarea n avalansa a curentului; tunelarea (efectul Zener); atingere.

1. Multiplicarea n avalansa consta n cresterea curentului datorita faptului ca sub influenta cmpului electric extern creste energia electronului astfel nct ciocnirea acestuia de un atom neutru sa determine smulgerea unui electron. Se genereaza astfel doi purtatori de sarcina, un electron si a unui gol. La rndul lui electronul secundar poate sa genereze prin acelasi mecanism alti putatori de sarcina.

Cresterea numarului de purtatori determina cresterea curentului n dispozitiv. Daca curentul prin dispozitiv nu depaseste o anumita valoare maxima fenomenul este reversibil - adica la scaderea tensiunii inverse curentul scade, altfel canalul conductor este permanent si dispozitivul se comporta rezistiv. 2. Efectul de tunelare se obtine la dispozitivele semiconductoare a caror concentratie de impuritati este mare . n aceste conditii, limitele benzii de valenta din una din zone este apropiata de limitele benzii de conductie din zona cealalta. Un electron dintr-o legatura covalenta trecnd peste zona de golire va deveni n cealalta zona electron liber (pentru ca energia lui corespunde energiei benzii de conductie BC). Apar astfel putatori de sarcina suplimentari care determina cresterea brusca a curentului fara ca tensiunea sa se fi modificat [18]. 3. Fenomenul de atingere apare n conditiile n care dispozitivul semiconductor este realizat cu

zone semiconductoare subtiri.

1.8. Circuite echivalente ale jonctiunii PN n regim static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente pasive si surse comandate sau necomandate, care poate nlocui dispozitivul semiconductor fara ca regimul de tensiuni si curenti sa se modifice n exteriorul dispozitivului. Altfel spus aplicnd un semnal la intrarea dispozitivului si acelasi semnal la intrarea circuitului echivalent cele doua raspunsuri vor fi identice, pentru un anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru tot domeniul permis. n figura 1.23 a) este prezentata caracteristica statica sub forma grafica a dispozitivului numit dioda semiconductoare (jonctiunea PN), al carui simbol si model matematic sunt reluate n 1.23b. Pornind de la caracteristica statica se pot realiza scheme echivalente pentru diferite domenii de functionare al caror raspuns sa fie suficient de aproape de raspunsul real.

Caracteristica statica din figura 1.23a poate fi liniarizata ca n 1.24.

Se definesc : - tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este n conductie (circula un curent semnificativ)
-

rezistenta interna n conductie, este rezistenta dispozitivului pentru VAK > VP

- rezistenta interna n blocare, este rezistenta pentru

VAK < VP , Schema echivalenta corespunzatoare caracteristicii statice din figura 1.24 este prezentata n figura 1.25.

Circuitul din figura 1.25 contine doua comutatoare care lucreaza n opozitie - cnd este unul nchis celalalt este deschis. Deasupra fiecarui comutator este nscrisa conditia care daca este ndeplinita determina nchiderea comutatorului. Daca ntre cele doua tensiuni exista relatia VAK < VP numai comutatorul de jos este nchis si VAK = Rinv IA. Pentru VAK > VP numai comutatorul de sus este nchis si VAK = Rd IA + VP .

n conditiile n care tensiunea de prag VP este mica n raport cu tensiunea aplicata la bornele

dispozitivului se poate folosi una din schemele echivalente din figura 1.26 n care se considera VP = 0. Rezistentele interne au valori din domeniile , .

Daca rezistenta la polarizarea inversa este foarte mare se foloseste schema echivalenta din figura 1.26b, considernd Rinv = "infinit" , pentru VAK > 0 , comutatorul este nchis si n circuit ramne rezistenta interna de la polarizarea directa Rd , pentru VAK < 0 , comutatorul este deschis si circuitul va fi n gol (curentul IA = 0 ).

1.9. Circuite echivalente ale jonctiunii PN n regim cvasistationar

Regimul cvasistationar este caracterizat prin faptul ca viteza de variatie a marimilor cmpului electromagnetic este suficient de mica pentru a considera ca trecerea de la un regim la altul se face printr-o succesiune de regimuri stationare. Regimul cvasistationar se obtine n cazul n care tensiunea care se aplica este formata prin suprapunerea a doua semnale - un semnal de c.c. VA si un semnal de c.a. .

Semnalul variabil n timp este un semnal periodic de perioada T[s] sau de frecventa carei valoare medie ,a este nula.

Semnalul din figura 1.27 este periodic, de perioada "T" pentru ca oricare ar fi momentul de timp "t" avem egalitatea .

Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul seriilor Fourier, ntr-o suma formata din componenta de curent continuu si un numar de semnale sinusoidale de amplitudini diferite si frecvente multiplii ai frecventei semnalului. Rezulta ca este suficient sa aflam raspunsul sistemului liniar la un semnal format din componenta de curent continuu si o singura

sinusoida de frecventa neprecizata , n care .

n figura 1.27 este prezentat a)semnalul aplicat si b) simbolul diodei semiconductoare. Pentru ca tensiunea are variatii att pozitive ct si negative modelul dispozitivului electronic folosit este modelul complet

. Daca se aplica numai semnalul de curent continuu va = 0 , pentru curentul continuu prin dispozitiv IA se obtine expresia

. n conditiile n care se aplica semnalul complet (c.c +c.a), curentul prin dispozitiv poate fi scris sub forma

. Se noteaza tensiunea termica

, si se scriu primii termeni ai dezvoltarii n serie de puteri

Constatnd inegalitatea de mai jos se pot retine numai primii doi termeni din dezvoltarea n serie de puteri

. n conditiile aproximarii de mai sus expresia curentului

, va contine componenta de curent continuu IA (a carei expresie am stabilit-o) si o componenta variabila, notata ia . n expresia componentei variabile a curentului intervine partea variabila a tensiunii si conform legii lui Ohm

, putem identifica expresia rezistentei diodei n

regim variabil

n conditii de regim variabil, dioda semiconductoare se exprima la polarizarea directa printr-o rezistenta notata cu valoare a carei

, depinde de valoarea componentei de curent continuu . Rezistenta inversa a dispozitivului este de cele mai multe ori considerata foarte mare, asa nct pentru regimul cvasistationar se utilizeaza schema echivalenta din figura 1.28,a .

n cazul n care frecventa semnalului este mare, schema echivalenta se completeaza cu cele doua capacitati, si anume la polarizarea directa cu capacitatea de difuzie si la polarizarea inversa cu capacitatea de bariera. Se obtine schema echivalenta din figura 1.28b . Diodele semiconductoare se utilizeaza la realizarea circuitelor redresoare, a detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune continua (diode Zener) s.a.

1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonctiune

n prezentul paragraf se trec n revista principalele tipuri de diode utilizate curent n aplicatii. Diferentierea se face n functie de zona de functionare pe care o foloseste aplicatia [3, 4, 26 ] A. diode la care se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea n conductie a diodei, cealalta ramura a caracteristicii fiind utilizata pentru blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistenta sa fie infinita) B. diode se utilizeaza caracteristica statica

de la polarizarea inversa a diodei, cealalta ramura nefiind utilizata (dioda Zener) Notatii: - curentul la polarizare directa; - caderea de tensiune la polarizarea directa; - tensiunea inversa maxima - curentul la polarizare inversa. A. Diode n polarizare directa ;

Diode de comutatie - sunt caracterizate prin viteza mare de raspuns, pentru ca evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra la frecvente mari ale tensiunii de alimentare. ; ; Diode de uz general ; ; Diode de nalta tensiune - sunt caracterizate prin faptul ca suporta tensiuni mari de polarizare inversa. Spre exemplu TV13, TV18, s.a. ; ; ; ;

Diode de putere - sunt realizate pentru a

vehicula puteri mari si foarte mari. ; ; ; ; ;

B. Diode n polarizare inversa Diode stabilizatoare - sunt realizate asa fel nct sa poata functiona n zona reversibila de strapungere. Este cunoscuta sub numele de dioda Zener. ; ; ; Puteri disipate 0,4W | 1W | 4W | 10W | 20W. n figura 1.29 este prezentata caracteristica statica a diodei Zener. Zona de polarizare inversa, corespunzatoare strapungerii reversibile poate fi aproximata prin ecuatia , n care apar Vz0 - tensiunea de stabilizare si rz rezistenta interna a diodei.

Rezistenta interna se defineste prin relatia

. Tensiunea de stabilizare se modifica cu temperatura conform ecuatiei: , n care coeficientul de variatie cu temperatura are valori din domeniul

Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n domeniul 1,5...,200V. cu tensiunea < 5V avem negativ pentru ca predomina fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V este pozitiv pentru ca predomina fenomenul de avalansa.

1.11. Principiul superpozitiei

n cazul general circuitele electronice primesc la intrare un semnal variabil a carui componenta de curent continuu este nenula. Semnalul poate fi considerat ca fiind format prin suprapunerea unui semnal de c.c. VA si un semnal periodic va(t) fara componenta de curent continuu, altfel spus a carui valoare medie este nula. Fie semnalul VA(t)=VA + va(t), unde Vmed = .

n figura 1.30 este prezentat un astfel de semnal unde componenta variabila este sinusoidala va(t)= Vmax sin( va(t)= Vef sin( ), )

a carui frecventa este

f=

Se definesc marimile

numite - pulsatie, - faza si Vef - valoarea efectiva. Orice semnal variabil poate fi exprimat printr-o suma de semnale sinusoidale de frecvente (pulsatii) diferite:

va(t)=

=V1sin( + , 2)+... unde

1)+

V2sin(

tg

k=

; Vak =

iar termenii Ak si Bk provin din dezvoltarea n serie Fourier a semnalului si pot fi calculati cu relatiile

AK=

BK=

. Valoarea efectiva si respectiv valoarea medie a semnalului se calculeaza cu relatiile

Vef =

, .

Vmed =

Forma de unda este caracterizata, din punctul de vedere al apropierii acesteia de o marime continua, de unul din factorii factorul de forma

sau de factorul ondulatie

. Pentru un semnal continuu factorul de forma este zero iar factorul de ondulatie este 1. Principiul suprapuneri efectelor sau al superpozitiei afirma faptul ca raspunsul unui sistem este dat de suma raspunsurilor sistemului la aplicarea marimii de c.c. si la aplicarea marimii de c.a. Altfel spus se calculeaza mai nti raspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni de curent continuu ;

se calculeaza raspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni de curent alternativ ; raspunsul sistemului este dat de suma celor doua raspunsuri.

Rezolvarea circuitelor neliniare Exista doua metode consacrate si anume metode grafica si metoda analitica. n cadrul metodelor grafice se utilizeaza caracteristici statice ale dispozitivelor exprimate sub forma grafica. n cadrul metodelor analitice se utilizeaza caracteristici statice ale dispozitivelor exprimate sub forma unor ecuatii matematice. Se exemplifica ambele metode pentru circuitul cu dioda semiconductoare din figura 1.31.

Metoda grafica

Teorema a II-a a lui Kirchhoff RIA+ VAK = VA, determina ecuatia dreptei de sarcina. Dreapta de sarcina se reprezinta prin intersectiile cu axele de coordonate IA=0, si VAK=VA (VA, 0),

VAK=0

IA =

n planul caracteristicilor statice ale dispozitivului semiconductor (n acest caz ale diodei). Solutia se obtine la intersectia celor doua curbe. Spunem ca solutia determina punctul static de functionare al dispozitivului P.S.F. (VAo,IAo).

Metoda analitica Ecuatiile din care se determina PSF sunt 1. V1+VAK=RIA+ VAK (dreapta de sarcina)

2.

IA= Io(e -1) dispozitivului)

(modelul analitic al

Sistemul se rezolva printr-o metoda oarecare - spre exemplu direct

Daca semnalul este cvasistationar solutia analitica se obtine cu ajutorul transformarii n complex a circuitului. n conditiile n care viteza de variatie a semnalului este mare si frecventa este mare, sau n conditiile tranzitiei de la o stare la alta a circuitului spunem ca avem de-a face cu un sistem dinamic. Pentru rezolvarea analitica se recurge la reprezentarea sistemului neliniar cu ajutorul transformatei Laplace.

1.12. Circuite de redresare

Circuitele de redresare au rolul de a transforma marimea alternativa de la intrare ntr-o marime a carei componenta medie este nenula. Redresoarele pot fi monofazate polifazate

n functie de tensiunea aplicata la intrarea circuitului. Dupa modul de utilizare a alternantelor tensiunii variabile de la intrare redresoarele pot fi:

monoalternanta, cnd numai una din alternantele tensiunii de intrare participa la obtinerea tensiunii de pe sarcina; bialternanta, cnd ambele alternante sunt utilizate la formarea tensiunii de curent continuu. Redresorul monofazat monoalternanta cu sarcina rezistiva Redresorul din figura 1.33 este monofazat pentru ca se alimenteaza cu o singura tensiune , este monoalternanta pentru ca avnd un singur element neliniar de circuit, si anume dioda D, poate prelucra o singura alternanta a tensiunii de intrare v i (ca n figura 1.5) si este cu sarcina rezistiva pentru ca la iesire se afla rezistorul RS .

Dioda semiconductoare rezistenta interna

este

modelata

prin

Rint =

n circuitul avem un singur curent, circuitul fiind neramificat i =

Valoarea de curent continuu este valoarea medie a curentului

0 4

Fig.1.34.

S-a notat cu Imax valoarea maxima a curentului n decursul unei perioade a tensiunii de alimentare. Din figura 1.34 se constata ca valoarea medie se obtine prin egalarea ariei marginita de curba i = f(t) cu aria unui dreptunghi de lungime 2 si naltime I0 naltime numita valoarea medie a curentului. Componenta de curent continuu a tensiunii se afla cu relatia lui Ohm

Din figura 1.34 constatam ca tensiunea pe sarcina nu este tocmai continua ci are variatii n jurul valorii medii. De fapt este un curent (si tensiune) variabil n timp. Valoarea efectiva a acestui curent este

De unde avem expresia valorii efective a curentului

. Pentru a efectua o comparatie ntre valoarea efectiva si valoarea de curent continuu se exprima una n functie de cealalta

. Din reteaua de curent alternativ circuitul absoarbe numai putere activa (pentru ca nu contine dect rezistoare, ceea ce nseamna ca defazajul dintre tensiune si curent este nul)

. Randamentul este definit prin eficienta conversiei puterii de curent alternativ (a puterii active) n putere de curent continuu.

Puterea n regim de curent continuu contine valorile medii

Randamentul este mic

Pentru a exprima continuitatea tensiunii - altfel spus ct de aproape de o linie paralela cu axa timpului este tensiunea - se foloseste factorul de forma [13, 14 ]

, a carei valoare ar trebui (n conditii perfecte) sa fie egal cu 1, sau se foloseste factorul de ondulatie , a carei valoare ar trebui sa fie ct mai aproape de zero. Dependenta dintre tensiunea de la iesire si curentul absorbit de sarcina reprezinta caracteristica externa a redresorului. Caracteristica externa ne spune ce se ntmpla cu valoarea tensiunii furnizate de o sursa cnd creste numarul consumatorilor conectati (n paralel) la respectiva sursa, conform figurii 1.35. Dioda este solicitata la valoarea medie a curentului si la o tensiune inversa egala cu valoarea maxima a tensiunii de alimentare . Caracteristicile reale ale dispozitivului semiconductor vor modifica, n anumite conditii de functionare, forma de unda a semnalului de pe sarcina. Dioda nu ncepe sa conduca curentul de la o tensiune de 0V ci de la o tensiune mai mare (0,5V) n aceste conditii forma de unda se modifica n sensul ca vom avea curent nul si n alternanta pozitiva a tensiunii de intrare. Curentul ncepe sa creasca cnd dioda intra n conductie si anume cnd vi depaseste pragul de (0,5V). La valori mici ale tensiunii de alimentare (pna la 1V) nu se mai poate neglija modul de variatie al tensiuni care decurge dupa o lege exponentiala ceea ce nseamna ca la tensiuni mici

, curentul are o forma exponentiala si nu (ca tensiunea de intrare) o forma sinusoidala. Daca tinem seama ca Rinv finita, n aceste conditii prin dispozitiv va circula un curent si n alternanta negativa a tensiunii de alimentare, ca n figura 1.36.

Orice forma de unda nesinusoidala (exponentiala) poate fi descompusa ntr-o suma de sinusoide numite armonici ale fundamentalei, de frecvente multiplu ntreg al frecventei fundamentalei. Este de dorit sa nu apara armonici pentru ca deranjeaza alti consumatori. n cazul circuitelor de redresare cu diode

semiconductoare avantajul este ca armonicile apar la tensiuni mici, ceea ce nseamna ca amplitudinea lor este mica si acest fenomen poate fi neglijat n majoritatea cazurilor. (Nu poate fi neglijat daca tensiunea de alimentare este prea mica.) Circuite de redresare bialternanta Circuitele de redresare monofazate bialternanta sunt realizate n doua variante: - cu transformator cu priza mediana, ca n figura 1.37; - cu diode n punte ca n figura 1.39. n figura 1.37 este prezentat redresorul monofazat bialternanta cu transformator cu priza mediana, iar n figura 1.38 sunt prezentate formele de unda asociate.

Transformatorul TR n fiecare alternanta a tensiunii din primar induce n fiecare sectiune a secundarului o tensiune de aceeasi polaritate cu tensiunea de intrare.

D1

D2

D1

D2

Fig.1.38.

Tensiunea din primar Vi= n alternanta pozitiva polarizeaza n conductie, prin tensiunea din secundar, dioda D1, iar n alternanta negativa polarizeaza n conductie dioda D2. nseamna ca n intervalul (0, ) conduce curent prin sarcina D1 iar n intervalul conduce curent prin sarcina D2.

n alternanta (+) tensiunea vi iL=iD1; 0

n alternanta (-) tensiunea vi iL=iD2; Tensiunea de pe sarcina VL=RsiL

VL=

este de dubla fata de cazul redresorului monofazat monoalternanta. Solicitarile diodelor sunt diferite n functie de schema utilizata, n cazul redresorului monofazat bialternanta cu transformator fiecare dioda este solicitata la valoarea medie a curentului Imed si la tensiunea inversa Vinv max=

Redresorul monofazat bialternanta n punte este prezentat n figura 1.39. Formele de unda sunt cele din figura 1.38.

n timpul alternantei pozitive (+) diodele D1 si D4 sunt polarizate direct, pentru ca avem (1)=(+) curentul se nchide pe calea (1) D1 R D4 (2). n timpul alternantei pozitive (-) diodele D2 si D3 sunt polarizate direct pentru ca avem (1)=(-) (2) D2 R D3 (1). Nici n acest caz nu avem o tensiune continua ci o tensiune pulsatore, numai ca pulsatiile tensiunii n jurul valorii medii sunt mai mici dect n cazul redresorului monoalternanta. Valoarea tensiunii pe sarcina VL are aceeasi expresie la redresorul cu transformator si la redresorul n punte

VL=2

n cazul redresoarelor in punte diodele sunt solicitate la o tensiune inversa

Vinv =

mai mica dect n cazul redresorului cu transformator. Diodele sunt solicitate la valoarea medie a curentului. Filtre de netezire

Pentru micsorarea ondulatiilor tensiunii pe sarcina se utilizeaza filtre " "sau" ", ca n figura 1.40,a sau b.

a)

b) Fig.1.40.

Filtrele se intercaleaza ntre sarcina si circuitul de redresare. Pot fi realizate cu condensatori si rezistori sau cu condensatori si inductivitati. Cel mai simplu filtru este reprezentat de un condensator n paralel cu sarcina RS . Redresorul monofazat monoalternanta cu filtru capacitiv ( ) este prezentat n figura 1.41, cu formele de unda din figura 1.42.

Calitatea de filtrare se bazeaza pe proprietatea capacitatii C de a nmagazina energia n timp ce prin dioda D trece curent si de a ceda energia catre sarcina ct timp dioda nu conduce. n intervalul a- b dioda conduce, determina ncarcarea condensatorului si asigura curentul prin sarcina. Condensatorul se ncarca catre valoarea maxima a tensiunii de intrare. Dupa ce tensiunea vi ajunge la valoarea maxima , tensiunea vi ncepe sa scada. La b tensiunea de alimentare a scazut sub valoarea la care s-a ncarcat condensatorul. Dioda se blocheaza si circuitul va fi format dintr-o capacitate care se descarca prin sarcina cu un curent scazator exponential.

Fig.1.42.

n cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va ncarca pana la va descarca cu o constanta de timp dupa care se .

Plecnd de la definitia capacitatii electrice si de la definitia curentului electric de conductie se obtine ecuatia diferentiala a circuitului.

C=

, i=

Factorul de forma condensatorului este

cazul

prezentei

. Se constata ca valoarea factorului de ondulatie scade la cresterea capacitatii condensatorului, motiv pentru care circuitele de filtraj au n componenta capacitati de valori mari (mii de F).

1.13. Stabilizatorul parametric (cu dioda Zener)

Stabilizatoarele de tensiune continua sunt circuite electronice care au rolul de a mentine constanta tensiunea pe sarcina n conditiile n care se modifica valoarea tensiunii de intrare Vi, curentul absorbit de sarcina IL sau temperatura mediului ambiant de functionare al circuitului [5, 7, 26]

Datorita cauzelor mentionate tensiunea pe sarcina se modifica de la VL la , unde VL are att valori

pozitive ct si negative. Deoarece scopul circuitului de stabilizare este sa mentina constanta tensiunea VL rezulta ca se impune . Putem diferentia functia care exprima tensiunea de pe sarcina

. Derivatele partiale au un corespondent fizic motiv pentru care se noteaza astfel (vezi si capitolul 8)

sau altfel scris

numit coeficient de stabilizare a tensiunii;

numit rezistenta interna;

numit coeficient de variatie cu temperatura; Cu aceste notatii, variatia tensiunii pe sarcina se poate scrie, evidentiind conditiile pe care trebuie sa le ndeplineasca schema electronica a stabilizatorului pentru ca tensiunea de pe sarcina sa aiba variatii ct mai mici, sub forma

] Stabilizatorul se bazeaza pe caracteristica statica a diodei Zener, din figura 1.44.

Expresia caracteristicii statice poate fi exprimata printr-o ecuatie liniara VZ=VZo+rZIZ Tensiunea de stabilizare (se modifica cu temperatura dupa o relatie liniara VZo=VZo'(1+ unde
z z

T)

=(1..8)10-4/0C

are valoare negativa sau

pozitiva. Schema stabilizatorului parametric cu dioda Zener este prezentata n figura 1.45.

Curentul prin rezistorul R se scrie prin diferenta de potential de la capetele rezistorului

Ii =

Suma curentilor n nod este Ii= IZ + IL Ii - IZ - IL=0.

Curentul prin dioda poate fi exprimat din ecuatia caracteristicii statice V2=VZo+rZ+IZ IZ =

Succesiv se determina expresia tensiunii pe sarcina.

se nmulteste cu

Variatia tensiunii pe sarcina se obtine prin diferentiere

VL=

de unde se determina parametrii stabilizatorului

. Pentru ca Su sa aiba o valoare mare se impune sa se adopte un rezistor R de valoare mare si o dioda Zener cu rezistenta interna mica. Rezistorul R este conectat n serie cu sarcina la sursa de alimentare. Pentru ca, pe sarcina, sa avem tensiunea nominala se impune a creste tensiunea sursei asa ca sa asigure si caderea de tensiune de pe rezistorul R. Pentru ca sa nu se utilizeze surse de tensiune cu

valori mult mai mari ca tensiunea de pe sarcina se va adopta o valoare a rezistorului R care sa preia 20,...,30% din tensiunea furnizata de sursa.

Docume nt Info
Accesari: 3963 Apreciat:

A fost util?
Daca documentul a fost util si crezi ca merita sa adaugi un link catre el la tine in site
Copiaza codul

in pagina web a site-ului tau.

<a href="http://w w w .scritube.com/stiinta/fizica/DIODA-SEMICONDUCTOARE213201

Comente aza docume ntul:

Nu esti inregistrat Trebuie sa fii utilizator inregistrat pentru a putea comenta Creaza cont nou