Sunteți pe pagina 1din 63

DIODA SEMICONDUCTOARE

1.1. Caracteristici statice

Dispozitivele electronice sunt componente electronice a caror


functionare se bazeaza pe controlul miscarii purtatorilor de sarcina în diferite
medii (gaz, solid, lichid).

Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces, prin


intermediul carora se realizeaza controlul purtatorilor de sarcina. În
conditiile în care are 2 borne de acces se numeste dipol (figura 1.1, a), iar
daca are 4 borne de acces se numeste cuadripol (figura 1.1, b).

Un circuit sau
un dispozitiv cu trei borne de acces (spre exemplu tranzistorul) se trateaza
ca si un cuadripol, una din borne fiind comuna intrarii si iesirii. În figura
1.1,b borna 3 este notata cu 1’ - borna de intrare si cu 2’ care este borna de
iesire.

a) b)

Fig. 1.1

Bornele de acces sunt numite de intrare (si notate cu 1) sau de iesire


(notate cu 2) în functie de sensul transferului de putere sau în functie de
sensul de circulatie al semnalului. La bornele de intrare se conecteaza sursa
de semnal iar la bornele de iesire se percepe rezultatul prelucrarii semnalului
de catre cuadripol. În figura 1.1 sensul circulatiei puterii este figurat prin
sageti.

Descrierea functionarii circuitului în regim static se face prin


intermediul unor functii numite caracteristici statice, care exprima
dependenta marimilor de iesire de semnalul aplicat la intrare si de structura
interna a circuitului.
Regimul static precizeaza faptul ca marimile sunt constante în timp,
ceea ce înseamna ca timpul nu este o variabila - toate marimile ramân la
aceeasi valoare din momentul când s-a aplicat semnalul la intrare
20320k1022u si pâna la infinit.

Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate în mai multe


moduri:

- prin intermediul unor relatii analitice (matematice);

prin intermediul unor relatii grafice.

Caracteristicile statice reprezinta un mod de exprimare a modelului


circuitului .

Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regula sunt neliniare, ceea


ce înseamna ca si caracteristicile statice vor fi la fel.

Liniaritatea se refera la faptul ca marimile de iesire depind de marimile


de intrare printr-o relatie de forma:

marime de iesire = (coeticient1) x (marime de intrare) + (coeficient2),

unde cei doi coeficienti depind de structura circuitului. În cazul modelelor


neliniare cei doi coeficienti depind de structura circuitului si de marimile de
intrare (uneori nici nu poate fi explicitata marimea de iesire, ca în relatia de
mai sus).

Spre exemplu în figura 1.2,a este prezentat un dipol (o dioda


semiconductoare) pentru care caracteristica statica poate fi exprimata prin
relatia .
Daca relatia între intrare si iesire este liniara caracteristica statica poate
fi exprimata grafic ca în figura 1.2,c ceea ce înseamna ca dioda poate fi
definita prin rezistenta interna R. Caracteristica statica se exprima analitic
prin relatia (de definitie a rezistentei electrice)

unde G este conductanta.

Atât modelele matematice cât si caracteristicile statice nu sunt unice


(spre exemplu exista modele matematice specifice zonelor de functionare).
Uneori, putem avea un model matematic general si o caracteristica statica
unica, dar datorita complexitatii modelului se prefera a se utiliza modelele
matematice mai simple care sa fie valabile pentru anumite zone de
functionare.

Spre exemplu caracteristica statica neliniara din figura 1.2,b poate fi


exprimata prin doua drepte, ca în figura 1.3 , sau poate fi descrisa
aproximativ prin doua ecuatii, (fiecare valabila pe domeniul specificat)
,

unde este rezistenta diodei la polarizarea directa si


[4] reprezinta rezistenta interna a diodei la polarizarea
inversa a dispozitivului.

În cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne, deci 4


marimi la borne (figura 1.4).

Modelul matematic trebuie sa contina 2 ecuatii care sa exprime


dependenta dintre marimile de iesire si cele de intrare care poate fi

sau poate fi
.

În majoritatea aplicatiilor cele doua functii (f1 si f2 ) pot fi liniarizate în


raport cu marimile de la bornele cuadripolului astfel încât modelul este
exprimat ca suma a contributiei fiecarei variabile independente

în care termenii Zij - numiti parametrii de cuadripol (de natura unor


impedante) nu depind de marimile independente de la borne (curenti sau
tensiuni ).

Daca drept variabile independente se adopta tensiunile la borne modelul


cuadripolar contine admitantele Yij

Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare având alte marimi


independente.

Nota: Pentru a fixa notiunile în figura 1.5 este prezentata o forma de


unda (sinusoidala) a unei marimi variabile în timp.
Daca perioada T este suficient de mare, regimul este cvasistationar – la
fiecare timp (n T) marimea „v” are aceeasi valoare, iar trecerea de la o
valoare la alta are loc prin intermediul unei succesiuni de regimuri
stationare.

Marimea este caracterizata, în afara de perioada „T” prin valoarea


efectiva Vef si valoarea medie VM, definite astfel

Regimul static este regimul în care marimile sunt aceleasi la orice


moment de timp.

În cazul figurii 1.5, pentru regimul cvasistationar, marimile constante în


timp sunt VM si Vef.

1.2. Semiconductori intrinseci

Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din grupa a


IV-a datorita faptului ca legatura dintre atomi este covalenta (legatura
chimica care se realizeaza prin punerea în comun a electronilor de valenta a
2 atomi învecinati). Dintre elementele grupei se utilizeaza cu precadere
Siliciul si apoi Germaniul.

Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul ca energia


electronilor se gaseste pe nivele energetice situate în benzi.

Banda de valenta BV contine nivele energetice ale electronilor de


energie mica, electroni care sunt prinsi în legaturi covalente. Energia
maxima a benzii de valenta se noteaza Wv.

Electronii care au posibilitatea sa se deplaseze în spatiul interatomic


(electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice corespunzatoare
benzii de conductie BC. Energia minima a benzii de conductie se noteaza
Wc.

Între cele doua benzi permise (BC si BI) se afla banda interzisa BI,
(vezi figura 1.6) a carei latime energetica ΔW = Wc - Wv, este o constanta
de material fiind specifica naturii semiconductorului – spre exemplu
Semiconductori realizati din Si au latimea benzii interzise 1,12 eV [2].

Un electron cu energia Wv , pentru a se desprinde din legatura covalenta,


ca sa devina electron liber, trebuie sa primeasca pe o cale oarecare (spre
exemplu prin impuls, adica prin ciocnirea cu un electron de viteza mai mare)
o energie suplimentara de cel putin ΔW. În aceste conditii energia
electronului va depasi BI si va trece pe un nivel din interiorul BC –
electronul este liber. Parasirea legaturii covalente de electronul care a primit
suficienta energie determina o legatura covalenta nesatisfacuta în structura
semiconductorului numita gol.

În cazul metalelor, conductia curentului electric se face prin electroni.

În cazul semiconductorilor, conductia curentului electric se face atât


prin electroni cât si prin goluri.

Întelegem prin conductie a curentului electric transferul de sarcina


electrica printr-o suprafata Σ.
Curentul electric este o miscare ordonata a unor purtatori de sarcina
printr-o suprafata Σ , caracterizat prin intensitatea curentului electric de
conductie.

Intensitatea curentului electric „i” de conductie este definita prin


variatia a sarcinii electrice care trece prin suprafata Σ în unitatea de timp.

Pentru figura 1.7, având în vedere ca 3 goluri „g” trec de la stânga la


dreapta prin suprafata Σ si doi electroni „e” trec de la dreapta spre stânga,
rezulta ca prin suprafata Σ trece o sarcina electrica pozitiva egala cu sarcina
electrica transportata de un gol (qp = - qe = 1,6 10-23 C). Daca consideram ca
situatia se mentine dinamic pentru un interval de timp de 1 secunda, prin
suprafata va circula un curent electric de conductie, cu sensul de la stânga
spre dreapta, cu intensitatea de 1,6 10-23 A.

Conductia curentului este realizata de goluri (legaturi covalente


nesatisfacute) prin intermediul electronilor prinsi în legaturi covalente ale
atomilor învecinati golului. Un electron dintr-o legatura covalenta, datorita
unei forte (spre exemplu datorita fortei determinate de un câmp electric),
pleaca din legatura si se pozitioneaza la atomul cu legatura covalenta
nesatisfacuta. Golul din pozitia veche nu mai exista - legatura a fost refacuta
de electronul sosit, dar apare un gol în pozitia din care aplecat electronul.
Aceasta deplasare este echivalenta cu deplasarea golului în sens invers
miscarii electronilor. Electronul care s-a deplasat si a ocupat legatura
covalenta nesatisfacuta are o energie aflata în BV.

În conditiile în care legatura covalenta nesatisfacuta (golul) este ocupata


de un electron a carui energie este în banda de conductie BC procesul se
cheama de recombinare. Electronul nu a plecat dintr-o legatura covalenta,
ca sa determine formarea unui nou gol. Dispare, pentru procesul de
conductie, atât electronul cât si golul, pentru ca electronul liber a fost prins
în legatura covalenta nesatisfacuta numita gol.

La temperatura camerei, numarul de electroni liberi este egal cu


numarul de goluri, pentru ca fiecare electron devenit liber a plecat dintr-o
legatura covalenta care a devenit nesatisfacuta (gol).

Concentratia de electroni liberi egala cu concentratia de goluri se


numeste concentratie intrinseca ni.

[numar de purtatori/cm3].

S-au folosit notatiile si cu indice zero pentru a specifica faptul ca


semiconductorul se afla la echilibru termodinamic.

Cele doua concentratii fiind egale semiconductorul este electric neutru.

Concentratia intrinseca poate fi exprimata în principal în functie de


latimea benzii interzise ΔW si de temperatura „T”, prin relatia

În relatie intervine constanta lui Boltzman (k = 1,38 10-23 J/K) si o


constanta (A) care sa preia influentele factorilor nespecificati.

Orientativ în cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300 K, care


are o concentratie de atomi atomi/cm3, concentratia intrinseca este
purtatori/cm3, ceea ce înseamna ca la fiecare 1012 atomi exista o
legatura covalenta nesatisfacuta (un gol) si un electron liber.

Relatia dintre concentratiile purtatorilor, la echilibru termodinamic,

este valabila atât în cazul semiconductoarelor intrinseci cât si în cazul


semiconductorilor extrinseci.

Modificarea numarului de purtatori se face prin:

- cresterea temperaturii semiconductorului;

- iradiere;

- iluminare;

- injectie de purtatori din exterior.

Primele trei metode de modificare a concentratiei intrinseci determina


un aport energetic din exteriorul semiconductorului. O parte din electroni,
prin acest aport energetic, îsi cresc energia peste Wc, devenind electroni
liberi. Se genereaza totodata si un gol datorita aparitiei unei legaturi
covalente nesatisfacute, legatura din care a plecat electronul respectiv.
Concentratia de electroni si goluri fiind egala semiconductorul va fi tot
neutru.

Numarul de purtatori este conditionat în principal de temperatura,


pentru care concentratiile la echilibru termodinamic sunt notate n0 si p0. În
conditiile în care apare o perturbare (injectie de purtatori din exterior ) astfel
încât sa se modifice concentratia unuia dintre purtatori, intervine procesul de
generare sau recombinare de purtatori astfel încât concentratiile sa revina la
echilibrul stabilit de valoarea temperaturii, respectiv n0 si p0. Odata cu
încetarea perturbatiei semiconductorul actioneaza în scopul anularii
excesului de purtatori pentru a ajunge în vechea stare de echilibru.

Semiconductori intrinseci sunt folositi la realizarea rezistorilor si a


termistorilor (rezistoare a caror rezistenta se modifica cu temperatura,
proprietate utilizata la masurarea pe cale electrica a temperaturii).
1.3. Semiconductori extrinseci

Semiconductorul extrinsec este format dintr-un material semiconductor


intrinsec în structura caruia s-au introdus elemente din grupa a III-a (Bo, Al,
s.a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, s.a.). Concentratiile de elemente straine,
voit introduse, sunt foarte mici (1012...1018 atomi/cm3) în raport cu numarul
atomilor semiconductorului ( 1022 atomi) motiv pentru care sunt numite
impuritati [8].

Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de elemente din


grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea în legaturi covalente a 4 electroni
ai impuritatii cu atomii semiconductorului de baza ramânând un electron
foarte slab legat de atomul de impuritate, care electron la temperatura
camerei este electron liber (are energia în BC). Impuritatile din grupa a V-a
sunt donoare (de electroni) si introduc un nivel energetic apropiat de banda
de conductie Wc notat Wn în figura 1.8.

Fig. 1.8.

Notam cu [atomi/cm3] concentratia de impuritati


introdusa. Impuritatile fiind ionizate (au pierdut un electron) vor modifica
numai concentratia de electroni liberi

Ţinând seama de relatia dintre concentratiile la echilibru se obtine

.
Semiconductorul se numeste N pentru ca, conductia curentului electric
este asigurata în principal de electroni si anume de electronii liberi furnizati
de impuritati.

Semiconductorul de tip P realizeaza prin introducerea în structura


semiconductorului de baza de elemente din grupa a III-a, ceea ce face ca cei
3 electroni ai impuritatii sa formeze legaturi covalente cu atomii
semiconductorului, ramânând o legatura covalenta nesatisfacuta.

Impuritatile introduc un nivel energetic Wp în banda interzisa a


semiconductorului de baza, nivel apropiat de limita benzii de valenta WV, ca
în figura 1.9.

Notând cu NA concentratia de impuritate introdusa, obtinem


concentratiile de purtatori în semiconductorul de tip P

Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P si de tip N dupa semnul


sarcinii purtatorilor majoritari, respectiv golurile de sarcina pozitiva (pentru
P) si electronii de sarcina negativa (pentru N).

Nivelul Fermi WF, este acel nivel energetic sub care se gaseste energia
tuturor electronilor unui solid în conditiile în care temperatura acestuia este
de zero grade Kelvin.

Concentratia purtatorilor de sarcina poate fi exprimata în functie de


pozitia nivelului Fermi prin relatiile
,

care verifica conditia de echilibru termodinamic ( n p = ).

Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la jumatatea


benzii interzise se noteaza acest nivel cu

În functie de nivelul intrinsec pot fi exprimate concentratiile purtatorilor


pentru semiconductorul extrinsec

, .

Se remarca faptul ca la semiconductorii extrinseci nivelul Fermi este diferit


de nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec, fiind “tras” de impuritati.

1.4. Densitati de curent în semiconductori

Curentul electric de conductie este definit prin miscarea ordonata a


purtatorilor de sarcina printr-o suprafata data.

În general, daca nu actioneaza nici o forta curentul este zero.

Curentul electric de conductie apare în conditiile în care asupra


purtatorilor de sarcina actioneaza o forta (electrica sau de difuzie) care sa
orienteze vitezele

purtatorilor catre suprafata în cauza, ca în figura 1.10a.


Forta electrica este datorata prezentei unui câmp electric de intensitate
E în semiconductor.

Valoarea fortei electrice cu care actioneaza câmpul electric de intensitate E


asupra unui purtator de sarcina qe este

unde (semnul minus pentru electroni si plus pentru goluri).

Forta de difuzie este acea forta care apare datorita neuniformitatii de


concentratie a purtatorilor în diferite zone ale semiconductorului fiind
proportionala cu gradientul concentratiei

Pentru a caracteriza local starea de conductie electrica se foloseste


densitatea „j” a curentului electric de conductie. Integrala de suprafata a
densitatii de curent exprima valoarea curentului electric de conductie care
strabate respectiva suprafata

În conditiile unei densitati de curent uniforme avem


,

unde Sj este aria suprafetei Σ.

Forta electrica determina aparitia unei densitati de curent prin suprafata


care este

- pentru goluri

- pentru electroni

Semnul minus se datoreaza faptului ca electronii se misca invers liniilor


de câmp electric, ca în figura 1.10b. Cele doua densitati de curent se
însumeaza daca exista doua tipuri de purtatori de sarcina.

Expresia din finala se obtine deoarece .

Legea de material a conductiei poate fi utilizata pentru a stabili


expresia rezistivitatii ρ a unui semiconductor

Expresie care sugereaza modalitatile de modificare a rezistentei unui


semiconductor, si anume prin modificarea concentratiei de impuritati.

Mobilitatea purtatorilor este afectata

- de temperatura crescând odata cu cresterea temperaturii,

- de concentratia de impuritati care determina scaderea


mobilitatii,
- de intensitatea câmpului electric aplicat din exterior (la
intensitati mari mobilitatea scade).

Forta de difuzie determina densitati de curent în semiconductor a caror


expresii se pot exprima

în functie de gradientul de concentratie, de sarcina purtatorilor si de


coeficientii de difuzie Dp, Dn ai fiecarui tip de purtator de sarcina.

Coeficientii de difuzie sunt marimi dependente de materialul


semiconductorului, fiind corelate cu mobilitatea purtatorilor prin relatiile
Euler

Densitatile de curent ale celor doi purtatori de sarcina se însumeaza

Densitatea de curent care se stabileste printr-o suprafata a unui


semiconductor când actioneaza atât forta electrica cât si forta de difuzie
sumeaza efectul celor doua forte

Expresia densitatii de curent contine un termen (ultimul) dependent de


viteza de variatie în timp a câmpului electric

care poarta numele de „densitate de curent de deplasare”.


Densitatea curentului de deplasare este semnificativa când intensitatea
câmpului electric are o viteza mare de variatie în timp.

Generarea si recombinarea purtatorilor de sarcina

Fenomenul de recombinare consta în scaderea energiei unui electron


liber sub valoarea nivelului Wv , ceea ce determina fixarea acestuia într-o
legatura covalenta nesatisfacuta.

Daca legatura covalenta provine de la materialul semiconductor de baza


rezulta disparitia a 2 purtatori de sarcina (atât un electron cât si un gol).

Daca electronul este prins într-o legatura a impuritatii sau a unui centru
de recombinare se pierde numai un electron pentru procesul de conductie,
vezi figura 1.11a, deoarece atomul de impuritate este ionizat si primind un
electron devine neutru.

Generarea purtatorilor de sarcina se poate face în perechi (un electron


si un gol) daca electronul provine dintr-o legatura covalenta.

Se genereaza numai un purtator daca electronul provine de la un atom


de impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui purtator se ionizeaza.
Semiconductorul ramâne neutru pentru ca sarcina purtatorului generat este
egala si de semn opus sarcinii ionului format, vezi figura 1.11.

Viteza neta de recombinare a purtatorilor U este definita drept variatia


excesului de sarcina în unitatea de timp fata de sarcina stabilita de echilibrul
termodinamic

unde τ n si τ p reprezinta timpul de viata al electronului si respectiv al golului,


n si p sunt concentratiile de purtatori iar nt si pt reprezinta concentratii
fictive de purtatori daca acestia ar avea energia corespunzatoare nivelului de
captura (în cazul recombinarii prin neutralizarea unei impuritati ionizate,
energia nivelului de captura corespunde nivelului energetic introdus de
impuritate – ca în 1.11 a).

La echilibru termodinamic între concentratiile de purtatori avem relatia

n p = ni2 U= 0,

pentru ca U este viteza neta de recombinare, adica diferenta între viteza de


recombinare a purtatorilor si viteza de generare a acestora, viteze care la
echilibru termodinamic sunt egale.

1.5. Jonctiunea p-n la echilibru termodinamic

Jonctiunea PN este linia care separa doua zone semiconductoare diferite -


una de tipul P si cealalta de tipul N - care au fost puse în contact.

La echilibru termodinamic temperatura este constanta si nu exista


schimb de energie cu exteriorul.

Concentratiile purtatorilor în cele doua zone semiconductoare sunt


prezentate în tabelul de mai jos.

P
N

goluri - majoritare

electroni - minoritari

electroni - majoritari

goluri - minoritare

Datorita faptului ca în zona P avem multe goluri, în conditiile în care se


pune în contact cu N, apare fenomenul de difuzie care determina transferul
de goluri din zona P în zona N.

La fel se pune problema pentru electronii din zona N, asa încât plecând
golurile de la suprafata semiconductorului de tip P aceasta zona este saracita
în purtatori si plecând electroni de la suprafata semiconductorului din zona
N aceasta este saracita în sarcini negative, ca în figura 1.12.

În zona de jonctiune, datorita plecarii purtatorilor de sarcina, ramân


numai ionii de impuritate.
Ionii de impuritate de la suprafata semiconductorului de tip N sunt
sarcini pozitive (pentru ca au cedat un electron) si determina o densitate de
sarcina

q = qe ND pe intervalul 0,..., ln ,

(se înmulteste sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona semiconductoare


N).

Ionii de impuritate de la suprafata semiconductorului de tip P sunt sarcini


negative (pentru ca au primit un electron) si determina o densitate de sarcina
q = -qe NA pe intervalul -lp ,..., 0 (se înmulteste sarcina ionului cu densitatea
ionilor din zona semiconductoare P).

Prezenta celor doua acumulari de sarcina la jonctiune conduce la


aparitia unui câmp electric de intensitate notata cu E.

Intensitatea câmpului electric poate fi calculata pe baza legii fluxului


electric, care stabileste faptul ca fluxul inductiei D a câmpului electric
printr-o suprafata închisa este egal cu cantitatea de electricitate-sarcina
electrica din volumul delimitat de suprafata respectiva

ε grad (Ē) = q .

În conditiile din figura 1.12, când intensitatea câmpului se modifica


numai pe OX gradientul contine numai derivata pe axa „x”

Separând variabilele se obtin expresiile câmpului electric


,

ca în figura 1.13.

Din conditia de continuitate a câmpului în origine

E(-0) = E(+0),

se obtine o relatie între latimile zonelor de golire in cele doua zone


semiconductoare

NA lp = ND ln .

Considerând drept referinta a tensiunii zona neutra a semiconductorului


P (V(-lp) = 0) si plecând de la definitia caderii de tensiune

particularizata pentru jonctiune

,
se obtine expresia tensiunii pe jonctiune cunoscuta sub numele de bariera de
potential

care se opune transferului de purtatori prin jonctiune.

De fapt câmpul electric determina forta electrica Fe , din figura 1.14,


care este de sens opus fortei de difuzie Fd .

La conectarea celor doua zone începe procesul de difuzie a purtatorilor,


zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a jonctiunii creste, câmpul
electric creste si forta electrica creste asa încât

diferenta celor doua forte se micsoreaza.

Transferul de sarcina si extinderea zonelor golite în purtatori înceteaza când


forta electrica egaleaza forta de difuzie.

Notând latimea totala a zonei de golire l = lp + ln din ecuatia barierei de


potential se obtine

Deoarece avem doua acumulari de sarcini opuse separate printr-o zona


de latime l în care se stabileste un câmp electric, rezulta ca avem un
condensator a carei capacitate

,
este numita capacitate de bariera.

Expresia barierei de potential poate fi dedusa pe baze energetice, având


expresia

unde reprezinta concentratia intrinseca si are valoarea

1.6. Polarizarea jonctiunii P-N

Polarizarea jonctiunii P-N consta în aplicarea din exterior a unei surse


de tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele neutre ale
semiconductorului.

Daca borna pozitiva a sursei se aplica pe zona P polarizarea este


directa, iar când pe zona P se aplica borna negativa polarizarea este inversa.

În cazul polarizarii directe a jonctiunii t.e.m. EAA determina aparitia


unui câmp electric notat EA care este de sens invers câmpului electric intern
notat E0. Rezulta ca valoarea câmpului electric care actioneaza asupra
purtatorilor se micsoreaza, ceea ce înseamna ca o parte din purtatori vor
traversa datorita fortei de difuzie zona de golire. Golurile din zona P vor
ajunge în zona N pâna la o distanta Lp = lp + Δp (vezi figura 1.16), numita
lungime medie de difuzie a golurilor si definita drept acea distanta pe care o
parcurge un golul pâna la recombinarea cu un electron.

Lungimea medie de difuzie poate fi exprimata

prin - coeficientul de difuzie si - timpul de viata al golurilor (definit


drept timpul cât golul se misca în zona N – de la intrare si pâna la
recombinare).
Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distanta Δp,
concentratia purtatorilor minoritari din zona N.

Concentratia de goluri, pe distanta Δp, va diferi de concentratia impusa


de echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcina suplimentara numita
sarcina în exces.

Aceleasi considerente se fac pentru electronii proveniti din zona N si


injectati în zona P.

Acumularile de sarcina excedentara determina definirea unei capacitati


numita capacitate de difuzie

Aceasta teorie este valabila în cazul nivelelor mici de injectie adica


atunci când curentul electric de conductie prin semiconductor nu are valori
foarte mari, ceea ce înseamna ca numarul de purtatori care sunt injectati prin
suprafata semiconductorului este mic în raport cu numarul de purtatori
majoritari din zona respectiva.

Exemplu numeric:
în zona P:

⇒ la nivele mici concentratia de purtatori majoritari (goluri în zona P) nu


se modifica prin injectie de purtatori minoritari.

Dar golurile care ajung în zona N (unde sunt minoritari) vor modifica
concentratia de purtatori minoritari (pe distante mici). La fel se prezinta
situatia pentru electronii care ajung în zona P.

Sursa de t.e.m. furnizeaza numai purtatorii care au fost injectati (spre


exemplu furnizeaza electroni pentru zona N), dar numarul acestora este mic
fata de ce exista deja în zona, rezulta ca vor determina un curent de valoare
mica în zonele neutre (unde sunt plasate bornele sursei). Curentul de valoare
mica determina caderi de tensiune mici, motiv pentru care se neglijeaza
caderile de tensiune pe zonele neutre. Reformulând putem spune ca întreaga
tensiune furnizata de sursa de t.e.m. se aplica jonctiunii.

La polarizarea inversa a jonctiunii intensitatea câmpului intern are acelasi


sens cu valoarea câmpului - determinat de sursa de t.e.m. (vezi
figura 1.17).

În acest caz, câmpul electric este favorabil miscarii purtatorilor minoritari,


miscarea purtatorilor majoritari fiind blocata atât de bariera de potential cât
si de câmpul stabilit în materialul semiconductor de sursa externa.

Constatam ca avem de-a face cu un transfer de goluri din zona N în zona P


care determina un curent electric de conductie de valoare mica (pentru ca
exista putini purtatori de sarcina – goluri în zona N).
La polarizarea inversa curentii prin dispozitiv sunt determinati de
fenomenul de „generare de purtatori” în zona de trecere sau în zonele neutre.

În figura 1.18 se prezinta densitatile curentilor care circula prin


jonctiunea P-N la polarizarea directa si separat la polarizarea inversa.

La polarizarea directa intervin densitatile de curent datorate difuziei


purtatorilor, care pot fi exprimate în functie de tensiunea VA de pe jonctiune
(la nivele mici de injectie VA = EAA)

Densitatile de curent jr ,reprezinta curentii de recombinare directa a


purtatorilor de sarcina (în zona de golire) si pot fi exprimati prin relatia

.
Densitatile j0 si j0r sunt constante, dependente de natura semiconductorului
de baza si doparea acestuia cu impuritati.

Curentul prin dispozitiv se obtine înmultind densitatea de curent cu suprafata


transversala a semiconductorului.

Atât pentru polarizarea directa cât si pentru polarizarea inversa, curentul prin
jonctiune poate fi descris de ecuatia

unde m este coeficientul de neidealitate, iar este valoarea


tensiunii aplicate pe jonctiune. Dispozitivul este ideal pentru m=1.

În figura 1.19 este prezentata caracteristica statica a jonctiunii P-N,


conforma cu modelul exponential (caracteristica statica exprimata analitic).

La polarizarea directa curentul este mic pâna când tensiunea de


polarizare ajunge la valoarea tensiunii Vp numita tensiune de prag. Tensiunea
de prag are valori diferit în functie de tipul semiconductorului de baza Vp =
0,7 V la Si, Vp = 0,3 V la Ge, Vp = 1,0 V la As.
La polarizarea inversa curentul are valori foarte mici si creste putin la
cresterea tensiunii inverse.

În figura 1.20 este prezentata jonctiunea P-N în corespondenta cu


dispozitivul semiconductor numit dioda semiconductoare realizat pe baza
unei jonctiuni P-N. Anodul diodei A este zona P a jonctiunii iar catodul K
este dat de zona semiconductoare N a jonctiunii. Aplicarea tensiunii de
polarizare pe jonctiunii se face prin intermediul unor electrozi metalici.

1.7. Fenomene care modifica caracteristica statica a jonctiunii


P-N

A: Efectul nivelelor mari de injectie

În conditiile în care curentul prin dispozitiv are valori mari, acesta fiind dat
de purtatorii injectati înseamna ca putem spune ca dispozitivul functioneaza
la nivele mari de injectie.

Nu mai pot fi neglijate caderile de tensiune Vl pe zonele neutre ale fiecarui


semiconductor, rezistenta acestora se noteaza RN în figura 1.21a [8, 9].
Pe jonctiune nu mai ajunge toata tensiunea sursei ci numai Vj

ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca în figura 1.21,b.

Curentul prin dispozitiv se obtine din sistemul de ecuatii

B: Efectul cresterii temperaturii

Temperatura determina concentratia intrinseca de purtatori de unde


rezulta ca va creste numarul de purtatori (minoritari si majoritari) si curentul
rezidual - se dubleaza curentul rezidual la fiecare crestere cu 10°C a
temperaturii jonctiunii.

Tensiunea pe jonctiune VAK =Vj scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la fiecare


crestere de 1°C a temperaturii.

Tensiunea la temperaturi uzuale este .


Efectul temperaturii asupra caderii de tensiune pe jonctiune este utilizat
la realizarea traductoarelor de temperatura, pentru o gama de temperaturi din
domeniul –10,..,+1000C.

Temperatura jonctiunii este limitata la Tjmax = 1250C în cazul în care


semiconductorul de baza este Si. O temperatura mai mare conduce la
ambalarea termica a dispozitivului cu efecte ireversibile.

C: Efectul prelucrarii suprafetei semiconductorului

Prelucrarea necorespunzatoare a suprafetei semiconductorului determina


absorbtia pe suprafata acestuia de elemente straine, care se constituie în
impuritati nedorite. Acestea vor determina nivele energetice aflate în
interiorul benzii interzise BI a semiconductorului, numite centre de
recombinare. Se modifica astfel necontrolat proprietatile electrice ale
semiconductorului (creste curentul rezidual si curentul de recombinare).

D: Efectul cresterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului

Cresterea tensiunii inverse aplicata jonctiunii determina o crestere a


curentului invers. Pentru o anumita valoare a tensiunii inverse notata cu
numita tensiune de strapungere (vezi figura 1.22), apare un canal conductor
între anod si catod. Spunem ca dispozitivul s-a strapuns. Se comporta în
circuit ca un rezistor de valoare foarte mica.

Strapungerea are loc prin 3 fenomene fizice:

- multiplicarea în avalansa a curentului;

- tunelarea (efectul Zener);

- atingere.

1. Multiplicarea în avalansa consta în cresterea curentului datorita


faptului ca sub influenta câmpului electric extern creste energia electronului
astfel încât ciocnirea acestuia de un atom neutru sa determine
smulgerea unui electron. Se genereaza astfel doi purtatori de sarcina, un
electron si a unui gol.

La rândul lui electronul secundar poate sa genereze prin acelasi


mecanism alti putatori de sarcina.

Cresterea numarului de purtatori determina cresterea curentului în


dispozitiv.

Daca curentul prin dispozitiv nu depaseste o anumita valoare maxima


fenomenul este reversibil - adica la scaderea tensiunii inverse curentul
scade, altfel canalul conductor este permanent si dispozitivul se comporta
rezistiv.

2. Efectul de tunelare se obtine la dispozitivele semiconductoare a caror


concentratie de impuritati este mare . În aceste conditii,
limitele benzii de valenta din una din zone este apropiata de limitele
benzii de conductie din zona cealalta. Un electron dintr-o legatura covalenta
trecând peste zona de golire va deveni în cealalta zona electron liber (pentru
ca energia lui corespunde energiei benzii de conductie BC). Apar astfel
putatori de sarcina suplimentari care determina cresterea brusca a curentului
fara ca tensiunea sa se fi modificat [18].

3. Fenomenul de atingere apare în conditiile în care dispozitivul


semiconductor este realizat cu zone semiconductoare subtiri.
1.8. Circuite echivalente ale jonctiunii P-N în regim static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente pasive si surse


comandate sau necomandate, care poate înlocui dispozitivul semiconductor
fara ca regimul de tensiuni si curenti sa se modifice în exteriorul
dispozitivului. Altfel spus aplicând un semnal la intrarea dispozitivului si
acelasi semnal la intrarea circuitului echivalent cele doua raspunsuri vor fi
identice, pentru un anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru tot
domeniul permis.

În figura 1.23 a) este prezentata caracteristica statica sub forma grafica a


dispozitivului numit dioda semiconductoare (jonctiunea PN), al carui simbol
si model matematic sunt reluate în 1.23b.

Pornind de la caracteristica statica se pot realiza scheme echivalente pentru


diferite domenii de functionare al caror raspuns sa fie suficient de aproape
de raspunsul real.

Caracteristica statica din figura 1.23a poate fi liniarizata ca în 1.24.


Se definesc :

- tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este în

conductie (circula un curent semnificativ)

-rezistenta interna în conductie, este rezistenta dispozitivului pentru VAK >


VP

- rezistenta interna în blocare, este rezistenta pentru

VAK < VP , .

Schema echivalenta corespunzatoare caracteristicii statice din figura 1.24


este prezentata în figura 1.25.
Circuitul din figura 1.25 contine doua comutatoare care lucreaza în
opozitie – când este unul închis celalalt este deschis. Deasupra fiecarui
comutator este înscrisa conditia care daca este îndeplinita determina
închiderea comutatorului. Daca între cele doua tensiuni exista relatia VAK <
VP numai comutatorul de jos este închis si

VAK = Rinv IA.

Pentru VAK > VP numai comutatorul de sus este închis si

VAK = Rd IA + VP .

În conditiile în care tensiunea de prag VP este mica în raport cu tensiunea


aplicata la bornele dispozitivului se poate folosi una din schemele
echivalente din figura 1.26 în care se considera VP = 0.

Rezistentele interne au valori din domeniile

, .
Daca rezistenta la polarizarea inversa este foarte mare se foloseste schema
echivalenta din figura 1.26b, considerând Rinv = „infinit” ,

pentru VAK > 0 , comutatorul este închis si în circuit ramâne rezistenta interna
de la polarizarea directa Rd ,

pentru VAK < 0 , comutatorul este deschis si circuitul va fi în gol (curentul IA


= 0 ).

1.9. Circuite echivalente ale jonctiunii P-N în regim


cvasistationar
Regimul cvasistationar este caracterizat prin faptul ca viteza de variatie a
marimilor câmpului electromagnetic este suficient de mica pentru a
considera ca trecerea de la un regim la altul se face printr-o succesiune de
regimuri stationare.

Regimul cvasistationar se obtine în cazul în care tensiunea care se aplica este


formata prin suprapunerea a doua semnale - un semnal de c.c. VA si un
semnal de c.a.

Semnalul variabil în timp este un semnal periodic de perioada T[s] sau de

frecventa , a carei valoare medie este nula.


Semnalul din figura 1.27 este periodic, de perioada „T” pentru ca oricare ar
fi momentul de timp „t” avem egalitatea .

Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul seriilor Fourier,


într-o suma formata din componenta de curent continuu si un numar de
semnale sinusoidale de amplitudini diferite si frecvente multiplii ai
frecventei semnalului. Rezulta ca este suficient sa aflam raspunsul
sistemului liniar la un semnal format din componenta de curent continuu si o
singura sinusoida de frecventa neprecizata

în care .

În figura 1.27 este prezentat a)semnalul aplicat si b) simbolul diodei


semiconductoare.

Pentru ca tensiunea are variatii atât pozitive cât si negative modelul


dispozitivului electronic folosit este modelul complet

Daca se aplica numai semnalul de curent continuu va = 0

pentru curentul continuu prin dispozitiv IA se obtine expresia


.

În conditiile în care se aplica semnalul complet (c.c +c.a), curentul prin


dispozitiv poate fi scris sub forma

Se noteaza tensiunea termica

si se scriu primii termeni ai dezvoltarii în serie de puteri

Constatând inegalitatea de mai jos se pot retine numai primii doi


termeni din dezvoltarea în serie de puteri

În conditiile aproximarii de mai sus expresia curentului

va contine componenta de curent continuu IA (a carei expresie am stabilit-o)


si o componenta variabila, notata ia .

În expresia componentei variabile a curentului intervine partea variabila a


tensiunii si conform legii lui Ohm
,

putem identifica expresia rezistentei diodei în regim variabil

În conditii de regim variabil, dioda semiconductoare se exprima la


polarizarea directa printr-o rezistenta notata cu a carei valoare

depinde de valoarea componentei de curent continuu .

Rezistenta inversa a dispozitivului este de cele mai multe ori considerata


foarte mare, asa încât pentru regimul cvasistationar se utilizeaza schema
echivalenta din figura 1.28,a .
În cazul în care frecventa semnalului este mare, schema echivalenta se
completeaza cu cele doua capacitati, si anume la polarizarea directa cu
capacitatea de difuzie si la polarizarea inversa cu capacitatea de bariera. Se
obtine schema echivalenta din figura 1.28b .

Diodele semiconductoare se utilizeaza la realizarea circuitelor


redresoare, a detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune continua
(diode Zener) s.a.

1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonctiune

În prezentul paragraf se trec în revista principalele tipuri de diode utilizate


curent în aplicatii. Diferentierea se face în functie de zona de functionare pe
care o foloseste aplicatia [3, 4, 26 ]

A. diode la care se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea în


conductie a diodei, cealalta ramura a caracteristicii fiind utilizata pentru
blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistenta sa fie infinita)

B. diode se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea inversa a


diodei, cealalta ramura nefiind utilizata (dioda Zener)

Notatii:

- curentul la polarizare directa;

- caderea de tensiune la polarizarea directa;

- tensiunea inversa maxima ;


- curentul la polarizare inversa.

A. Diode în polarizare directa

Diode de comutatie – sunt caracterizate prin viteza mare de raspuns,


pentru ca evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra la frecvente mari
ale tensiunii de alimentare.

; ; ; ;

Diode de uz general

; ; ; ;

Diode de înalta tensiune – sunt caracterizate prin faptul ca suporta


tensiuni mari de polarizare inversa. Spre exemplu TV13, TV18, s.a.

; ;

Diode de putere – sunt realizate pentru a vehicula puteri mari si foarte


mari.

; ; ; ; ;

B. Diode în polarizare inversa

Diode stabilizatoare – sunt realizate asa fel încât sa poata functiona în


zona reversibila de strapungere. Este cunoscuta sub numele de dioda Zener.

; ; ; Puteri disipate 0,4W |


1W | 4W | 10W | 20W.

În figura 1.29 este prezentata caracteristica statica a diodei Zener.

Zona de polarizare inversa, corespunzatoare strapungerii reversibile


poate fi aproximata prin ecuatia
,

în care apar Vz0 – tensiunea de stabilizare si rz – rezistenta interna a diodei.

Rezistenta interna se defineste prin relatia

Tensiunea de stabilizare se modifica cu temperatura conform


ecuatiei:

în care coeficientul de variatie cu temperatura are valori din domeniul

Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse în domeniul


1,5...,200V. cu tensiunea < 5V avem negativ pentru ca predomina
fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V este pozitiv pentru ca
predomina fenomenul de avalansa.
1.11. Principiul superpozitiei
În cazul general circuitele electronice primesc la intrare un semnal
variabil a carui componenta de curent continuu este nenula. Semnalul poate
fi considerat ca fiind format prin suprapunerea unui semnal de c.c. VA si un
semnal periodic va(t) fara componenta de curent continuu, altfel spus a carui
valoare medie este nula.

Fie semnalul

VA(t)=VA + va(t),

unde Vmed = .

În figura 1.30 este prezentat un astfel de semnal unde componenta variabila


este sinusoidala

va(t)= Vmax sin( ),

va(t)= Vef sin( )

a carui frecventa este

f= .
Se definesc marimile ,

numite ω – pulsatie, – faza si Vef – valoarea efectiva.

Orice semnal variabil poate fi exprimat printr-o suma de semnale


sinusoidale de frecvente (pulsatii) diferite:

va(t)= =V1sin( + )+ V2sin(


1 + )+...
2 ,

unde

tg k = ; Vak = ,

iar termenii Ak si Bk provin din dezvoltarea în serie Fourier a semnalului si


pot fi calculati cu relatiile

A K= , BK= .

Valoarea efectiva si respectiv valoarea medie a semnalului se calculeaza cu


relatiile

Vef = , Vmed = .

Forma de unda este caracterizata, din punctul de vedere al apropierii


acesteia de o marime continua, de unul din factorii

factorul de forma
sau de factorul ondulatie

Pentru un semnal continuu factorul de forma este zero iar factorul de


ondulatie este 1.

Principiul suprapuneri efectelor sau al superpozitiei afirma faptul ca


raspunsul unui sistem este dat de suma raspunsurilor sistemului la aplicarea
marimii de c.c. si la aplicarea marimii de c.a.

Altfel spus

- se calculeaza mai întâi raspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni


de curent continuu ;

- se calculeaza raspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni de curent


alternativ ;

- raspunsul sistemului este dat de suma celor doua raspunsuri.

Rezolvarea circuitelor neliniare

Exista doua metode consacrate si anume metode grafica si metoda


analitica.

În cadrul metodelor grafice se utilizeaza caracteristici statice ale


dispozitivelor exprimate sub forma grafica.

În cadrul metodelor analitice se utilizeaza caracteristici statice ale


dispozitivelor exprimate sub forma unor ecuatii matematice.
Se exemplifica ambele metode pentru circuitul cu dioda
semiconductoare din figura 1.31.

Metoda grafica

Teorema a II-a a lui Kirchhoff RIA+ VAK = VA, determina ecuatia dreptei de
sarcina.

Dreapta de sarcina se reprezinta prin intersectiile cu axele de coordonate

IA=0, VAK=VA (VA, 0),

si

VAK=0 IA= ,

în planul caracteristicilor statice ale dispozitivului semiconductor (în acest


caz ale diodei). Solutia se obtine la intersectia celor doua curbe. Spunem ca
solutia determina punctul static de functionare al dispozitivului P.S.F.
(VAo,IAo).
Metoda analitica

Ecuatiile din care se determina PSF sunt

1. V1+VAK=RIA+ VAK (dreapta de sarcina)

2. IA= Io(e -1) (modelul analitic al dispozitivului)

Sistemul se rezolva printr-o metoda oarecare – spre exemplu direct

Daca semnalul este cvasistationar solutia analitica se obtine cu


ajutorul transformarii în complex a circuitului.

În conditiile în care viteza de variatie a semnalului este mare si


frecventa este mare, sau în conditiile tranzitiei de la o stare la alta a
circuitului spunem ca avem de-a face cu un sistem dinamic. Pentru
rezolvarea analitica se recurge la reprezentarea sistemului neliniar cu
ajutorul transformatei Laplace.
1.12. Circuite de redresare
Circuitele de redresare au rolul de a transforma marimea alternativa de
la intrare într-o marime a carei componenta medie este nenula.

Redresoarele pot fi

- monofazate

- polifazate

în functie de tensiunea aplicata la intrarea circuitului.

Dupa modul de utilizare a alternantelor tensiunii variabile de la intrare


redresoarele pot fi:

- monoalternanta, când numai una din alternantele tensiunii de intrare


participa la obtinerea tensiunii de pe sarcina;

- bialternanta, când ambele alternante sunt utilizate la formarea


tensiunii de curent continuu.

Redresorul monofazat monoalternanta cu sarcina rezistiva

Redresorul din figura 1.33 este monofazat pentru ca se alimenteaza cu


o singura tensiune , este monoalternanta pentru ca având un
singur element neliniar de circuit, si anume dioda D, poate prelucra o
singura alternanta a tensiunii de intrare vi (ca în figura 1.5) si este cu sarcina
rezistiva pentru ca la iesire se afla rezistorul RS .
Dioda semiconductoare este modelata prin rezistenta interna

Rint = .

În circuitul avem un singur curent, circuitul fiind neramificat

i=

Valoarea de curent continuu este valoarea medie a curentului

,
0 2 3 4

Fig. 1.34.

S-a notat cu Imax valoarea maxima a curentului în decursul unei perioade


a tensiunii de alimentare.
Din figura 1.34 se constata ca valoarea medie se obtine prin egalarea
ariei marginita de curba i = f(ω t) cu aria unui dreptunghi de lungime 2π si
înaltime I0 înaltime numita valoarea medie a curentului.

Componenta de curent continuu a tensiunii se afla cu relatia lui Ohm

Din figura 1.34 constatam ca tensiunea pe sarcina nu este tocmai


continua ci are variatii în jurul valorii medii. De fapt este un curent (si
tensiune) variabil în timp. Valoarea efectiva a acestui curent este

De unde avem expresia valorii efective a curentului

Pentru a efectua o comparatie între valoarea efectiva si valoarea de


curent continuu se exprima una în functie de cealalta

Din reteaua de curent alternativ circuitul absoarbe numai putere activa


(pentru ca nu contine decât rezistoare, ceea ce înseamna ca defazajul ϕ
dintre tensiune si curent este nul)
.

Randamentul este definit prin eficienta conversiei puterii de curent


alternativ (a puterii active) în putere de curent continuu.

Puterea în regim de curent continuu contine valorile medii

Randamentul este mic .

Pentru a exprima continuitatea tensiunii – altfel spus cât de aproape de


o linie paralela cu axa timpului este tensiunea - se foloseste factorul de
forma [13, 14 ]

a carei valoare ar trebui (în conditii perfecte) sa fie egal cu 1, sau se


foloseste factorul de ondulatie

a carei valoare ar trebui sa fie cât mai aproape de zero.


Dependenta dintre tensiunea de la iesire si curentul absorbit de sarcina
reprezinta caracteristica externa a redresorului. Caracteristica externa ne
spune ce se întâmpla cu valoarea tensiunii furnizate de o sursa când creste
numarul consumatorilor conectati (în paralel) la respectiva sursa, conform
figurii 1.35.

Dioda este solicitata la valoarea medie a curentului si la o


tensiune inversa egala cu valoarea maxima a tensiunii de alimentare
.

Caracteristicile reale ale dispozitivului semiconductor vor modifica,


în anumite conditii de functionare, forma de unda a semnalului de pe
sarcina.

Dioda nu începe sa conduca curentul de la o tensiune de 0V ci de la o


tensiune mai mare (0,5V) ⇒ în aceste conditii forma de unda se modifica în
sensul ca vom avea curent nul si în alternanta pozitiva a tensiunii de intrare.
Curentul începe sa creasca când dioda intra în conductie si anume când vi
depaseste pragul de (0,5V).

La valori mici ale tensiunii de alimentare (pâna la 1V) nu se mai poate


neglija modul de variatie al tensiuni care decurge dupa o lege
exponentiala ceea ce înseamna ca la tensiuni mici

curentul are o forma exponentiala si nu (ca tensiunea de intrare) o forma


sinusoidala.

Daca tinem seama ca Rinv finita, în aceste conditii prin dispozitiv va


circula un curent si în alternanta negativa a tensiunii de alimentare, ca în
figura 1.36.
Orice forma de unda nesinusoidala (exponentiala) poate fi descompusa
într-o suma de sinusoide numite armonici ale fundamentalei, de frecvente
multiplu întreg al frecventei fundamentalei. Este de dorit sa nu apara
armonici pentru ca deranjeaza alti consumatori.

În cazul circuitelor de redresare cu diode semiconductoare avantajul


este ca armonicile apar la tensiuni mici, ceea ce înseamna ca amplitudinea
lor este mica si acest fenomen poate fi neglijat în majoritatea cazurilor. (Nu
poate fi neglijat daca tensiunea de alimentare este prea mica.)

Circuite de redresare bialternanta

Circuitele de redresare monofazate bialternanta sunt realizate în doua


variante:

- cu transformator cu priza mediana, ca în figura 1.37;

- cu diode în punte ca în figura 1.39.


În figura 1.37 este prezentat redresorul monofazat bialternanta cu
transformator cu priza mediana, iar în figura 1.38 sunt prezentate formele
de unda asociate.

Transformatorul TR în fiecare alternanta a tensiunii din primar induce


în fiecare sectiune a secundarului o tensiune de aceeasi polaritate cu
tensiunea de intrare.
D1 D2 D1 D2

Fig. 1.38.

Tensiunea din primar Vi= în alternanta pozitiva polarizeaza în


conductie, prin tensiunea din secundar, dioda D1, iar în alternanta negativa
polarizeaza în conductie dioda D2.

Înseamna ca în intervalul (0, ) conduce curent prin sarcina D1 iar în


intervalul conduce curent prin sarcina D2.

În alternanta (+) tensiunea vi

iL=iD1; 0

În alternanta (-) tensiunea vi

iL=iD2;

Tensiunea de pe sarcina

VL=RsiL

VL= ,

este de dubla fata de cazul redresorului monofazat monoalternanta.

Solicitarile diodelor sunt diferite în functie de schema utilizata, în


cazul redresorului monofazat bialternanta cu transformator fiecare dioda este
solicitata la valoarea medie a curentului Imed si la tensiunea inversa Vinv max=
Redresorul monofazat bialternanta în punte este prezentat în figura 1.39.

Formele de unda sunt cele din figura 1.38.

În timpul alternantei pozitive (+) diodele D1 si D4 sunt polarizate direct,


pentru ca avem (1)=(+) →curentul se închide pe calea (1) D1 R D4
(2).

În timpul alternantei pozitive (-) diodele D2 si D3 sunt polarizate direct


pentru ca avem (1)=(-) (2) D2 R D3 (1).

Nici în acest caz nu avem o tensiune continua ci o tensiune pulsatore,


numai ca pulsatiile tensiunii în jurul valorii medii sunt mai mici decât în
cazul redresorului monoalternanta.

Valoarea tensiunii pe sarcina VL are aceeasi expresie la redresorul cu


transformator si la redresorul în punte

VL=2 .

În cazul redresoarelor in punte diodele sunt solicitate la o tensiune inversa

Vinv =

mai mica decât în cazul redresorului cu transformator.


Diodele sunt solicitate la valoarea medie a curentului.

Filtre de netezire

Pentru micsorarea ondulatiilor tensiunii pe sarcina se utilizeaza filtre “


”sau” ”, ca în figura 1.40,a sau b.

a) b)

Fig. 1.40.

Filtrele se intercaleaza între sarcina si circuitul de redresare.

Pot fi realizate cu condensatori si rezistori sau cu condensatori si


inductivitati. Cel mai simplu filtru este reprezentat de un condensator în
paralel cu sarcina RS .

Redresorul monofazat monoalternanta cu filtru capacitiv ( ) este


prezentat în figura 1.41, cu formele de unda din figura 1.42.

Calitatea de filtrare se bazeaza pe proprietatea capacitatii C de a


înmagazina energia în timp ce prin dioda D trece curent si de a ceda energia
catre sarcina cât timp dioda nu conduce.
În intervalul a- b dioda conduce, determina încarcarea
condensatorului si asigura curentul prin sarcina. Condensatorul se încarca
catre valoarea maxima a tensiunii de intrare.

Dupa ce tensiunea vi ajunge la valoarea maxima , tensiunea vi


începe sa scada. La b tensiunea de alimentare a scazut sub valoarea la
care s-a încarcat condensatorul.

Dioda se blocheaza si circuitul va fi format dintr-o capacitate care se


descarca prin sarcina cu un curent scazator exponential.

Fig. 1.42.

În cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va încarca


pana la dupa care se va descarca cu o constanta de timp .

Plecând de la definitia capacitatii electrice si de la definitia curentului


electric de conductie se obtine ecuatia diferentiala a circuitului.

C= , i=
.

Factorul de forma în cazul prezentei condensatorului este

Se constata ca valoarea factorului de ondulatie scade la cresterea


capacitatii condensatorului, motiv pentru care circuitele de filtraj au în
componenta capacitati de valori mari (mii de µ F).

1.13. Stabilizatorul parametric (cu dioda Zener)

Stabilizatoarele de tensiune continua sunt circuite electronice care au


rolul de a mentine constanta tensiunea pe sarcina în conditiile în care se
modifica valoarea tensiunii de intrare Vi, curentul absorbit de sarcina IL sau
temperatura mediului ambiant de functionare al circuitului [5, 7, 26]

Datorita cauzelor mentionate tensiunea pe sarcina se modifica


de la VL la , unde ΔVL are atât valori pozitive cât si negative.
Deoarece scopul circuitului de stabilizare este sa mentina constanta
tensiunea VL rezulta ca se impune .

Putem diferentia functia care exprima tensiunea de pe sarcina

Derivatele partiale au un corespondent fizic motiv pentru care se


noteaza astfel (vezi si capitolul 8)

sau altfel scris

numit coeficient de stabilizare a tensiunii;

numit rezistenta interna;

numit coeficient de variatie cu temperatura;

Cu aceste notatii, variatia tensiunii pe sarcina se poate scrie, evidentiind


conditiile pe care trebuie sa le îndeplineasca schema electronica a
stabilizatorului pentru ca tensiunea de pe sarcina sa aiba variatii cât mai
mici, sub forma

Stabilizatorul se bazeaza pe caracteristica statica a diodei Zener, din figura


1.44.
Expresia caracteristicii statice poate fi exprimata printr-o ecuatie liniara

VZ=VZo+rZIZ

Tensiunea de stabilizare (se modifica cu temperatura dupa o relatie liniara

VZo=VZo’(1+ z T)

unde z =(1..8)10-4/0C are valoare negativa sau pozitiva.

Schema stabilizatorului parametric cu dioda Zener este prezentata în figura


1.45.
Curentul prin rezistorul R se scrie prin diferenta de potential de la
capetele rezistorului

Ii= .

Suma curentilor în nod este

Ii= IZ + IL Ii - IZ - IL=0.

Curentul prin dioda poate fi exprimat din ecuatia caracteristicii statice

V2=VZo+rZ+IZ IZ=

Succesiv se determina expresia tensiunii pe sarcina.

se înmulteste cu

Variatia tensiunii pe sarcina se obtine prin diferentiere

VL= ,
de unde se determina parametrii stabilizatorului

Pentru ca Su sa aiba o valoare mare se impune sa se adopte un rezistor


R de valoare mare si o dioda Zener cu rezistenta interna mica.

Rezistorul R este conectat în serie cu sarcina la sursa de alimentare. Pentru


ca, pe sarcina, sa avem tensiunea nominala se impune a creste tensiunea
sursei asa ca sa asigure si caderea de tensiune de pe rezistorul R.

Pentru ca sa nu se utilizeze surse de tensiune cu valori mult mai mari


ca tensiunea de pe sarcina se va adopta o valoare a rezistorului R care sa
preia 20,...,30% din tensiunea furnizata de sursa.