Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Un circuit sau
un dispozitiv cu trei borne de acces (spre exemplu tranzistorul) se trateaza
ca si un cuadripol, una din borne fiind comuna intrarii si iesirii. În figura
1.1,b borna 3 este notata cu 1’ - borna de intrare si cu 2’ care este borna de
iesire.
a) b)
Fig. 1.1
sau poate fi
.
Între cele doua benzi permise (BC si BI) se afla banda interzisa BI,
(vezi figura 1.6) a carei latime energetica ΔW = Wc - Wv, este o constanta
de material fiind specifica naturii semiconductorului – spre exemplu
Semiconductori realizati din Si au latimea benzii interzise 1,12 eV [2].
[numar de purtatori/cm3].
- iradiere;
- iluminare;
Fig. 1.8.
.
Semiconductorul se numeste N pentru ca, conductia curentului electric
este asigurata în principal de electroni si anume de electronii liberi furnizati
de impuritati.
Nivelul Fermi WF, este acel nivel energetic sub care se gaseste energia
tuturor electronilor unui solid în conditiile în care temperatura acestuia este
de zero grade Kelvin.
, .
- pentru goluri
- pentru electroni
Daca electronul este prins într-o legatura a impuritatii sau a unui centru
de recombinare se pierde numai un electron pentru procesul de conductie,
vezi figura 1.11a, deoarece atomul de impuritate este ionizat si primind un
electron devine neutru.
n p = ni2 U= 0,
P
N
goluri - majoritare
electroni - minoritari
electroni - majoritari
goluri - minoritare
La fel se pune problema pentru electronii din zona N, asa încât plecând
golurile de la suprafata semiconductorului de tip P aceasta zona este saracita
în purtatori si plecând electroni de la suprafata semiconductorului din zona
N aceasta este saracita în sarcini negative, ca în figura 1.12.
q = qe ND pe intervalul 0,..., ln ,
ε grad (Ē) = q .
ca în figura 1.13.
E(-0) = E(+0),
NA lp = ND ln .
,
se obtine expresia tensiunii pe jonctiune cunoscuta sub numele de bariera de
potential
,
este numita capacitate de bariera.
Exemplu numeric:
în zona P:
Dar golurile care ajung în zona N (unde sunt minoritari) vor modifica
concentratia de purtatori minoritari (pe distante mici). La fel se prezinta
situatia pentru electronii care ajung în zona P.
.
Densitatile j0 si j0r sunt constante, dependente de natura semiconductorului
de baza si doparea acestuia cu impuritati.
Atât pentru polarizarea directa cât si pentru polarizarea inversa, curentul prin
jonctiune poate fi descris de ecuatia
În conditiile în care curentul prin dispozitiv are valori mari, acesta fiind dat
de purtatorii injectati înseamna ca putem spune ca dispozitivul functioneaza
la nivele mari de injectie.
- atingere.
VAK < VP , .
VAK = Rd IA + VP .
, .
Daca rezistenta la polarizarea inversa este foarte mare se foloseste schema
echivalenta din figura 1.26b, considerând Rinv = „infinit” ,
pentru VAK > 0 , comutatorul este închis si în circuit ramâne rezistenta interna
de la polarizarea directa Rd ,
în care .
Notatii:
; ; ; ;
Diode de uz general
; ; ; ;
; ;
; ; ; ; ;
Fie semnalul
VA(t)=VA + va(t),
unde Vmed = .
f= .
Se definesc marimile ,
unde
tg k = ; Vak = ,
A K= , BK= .
Vef = , Vmed = .
factorul de forma
sau de factorul ondulatie
Altfel spus
Metoda grafica
Teorema a II-a a lui Kirchhoff RIA+ VAK = VA, determina ecuatia dreptei de
sarcina.
si
VAK=0 IA= ,
Redresoarele pot fi
- monofazate
- polifazate
Rint = .
i=
,
0 2 3 4
Fig. 1.34.
Fig. 1.38.
iL=iD1; 0
iL=iD2;
Tensiunea de pe sarcina
VL=RsiL
VL= ,
VL=2 .
Vinv =
Filtre de netezire
a) b)
Fig. 1.40.
Fig. 1.42.
C= , i=
.
VZ=VZo+rZIZ
VZo=VZo’(1+ z T)
Ii= .
Ii= IZ + IL Ii - IZ - IL=0.
V2=VZo+rZ+IZ IZ=
se înmulteste cu
VL= ,
de unde se determina parametrii stabilizatorului