LUCRAREA NR.

CARACTERISTICILE DIODEI
OBIECTIVE:
1. S se studieze efectul polarizrii directe i inverse la diodele cu germaniu i
siliciu;
2. S se observe efectele potenialului de barier al diodei;
3. S se evidenieze avantajele utilizrii diodelor cu siliciu fat de cele cu germaniu
atunci cnd temperatura este un factor important;
4. S se studieze caracteristicile inverse ale diodelor cu germaniu i siliciu n raport
cu schimbarea de temperatur.
MATERIALE NECESARE:
Surs de alimentare: surs reglabil de curent continuu de joas tensiune;
Echipamente: voltmetru (electronic), ampermetru de 0 50 mA i 0 50 A,
ohmmetru;
Componente: rezisten 1 k;
Diode: cu germaniu (tip OA 110), cu siliciu (tip 1N 4001);
Diferite: rezisten de nclzire 10 / 3 W - 2 buc.
INFORMAII PREGTITOARE
Dioda pn este unul din dispozitivele semiconductoare cele mai simple care
este mult folosit, datorit funciunilor sale simple. Aceste funciuni sunt n general
urmtoarele: (1) s permit curentului s se deplaseze n sens direct cu o opoziie
mic; (2) s previn apariia curentului invers; (3) s dea o divizare redus a tensiunii
n sens direct; (4) s asigure un mijloc de protecie termic pentru alte dispozitive.
Polarizarea direct
Cnd o diod este conectat ntr-un circuit alimentat de la o surs, ca n fig. 1,
se spune c aceasta este polarizat n sens direct. n acest caz sursa este aplicat astfel
nct borna negativ este conectat la catod, n timp ce borna pozitiv este conectat
la anod. Acest tip de conectare determin o deplasare a electronilor n sens direct prin
diod i prin restul circuitului atunci cnd tensiunea sursei este mai mare dect bariera
de potenial a diodei.

IF [mA]
+ mA
+

Si

6
+

Ge

4
2
VF [V]
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Fig. 2 Caracteristici directe pentru diode
cu germaniu i siliciu

Fig.1 Circuit pentru msurarea

tensiunii directe i a curentului
prin diod

Bariera de potenial a diodei cu germaniu este puin mai mic de 0,1 V, n

timp ce la dioda cu siliciu este mai mare de 0,5 V. Mrimea curentului direct ce trece
prin ambele tipuri de diode depinde de mrimea tensiunii directe aplicate diodei. Se
observ n fig. 1 c se folosete o rezisten serie cu dioda. Aceasta formeaz
mpreun cu dioda un divizor de tensiune ce limiteaz curentul. Tensiunea direct VF
va crete pn la aproximativ 0,2 V la germaniu i 0,6 V la siliciu, dup care rmne
n jurul acestei valori cnd curentul crete. n fig. 2 se prezint o comparaie ntre
caracteristicile volt-amperice ale diodelor cu siliciu i cu germaniu. De notat c pentru
dioda cu siliciu caracteristica crete brusc dup depirea barierei de potenial de circa
0,6 V i c tensiunea direct crete ntr-o oarecare msur.
Polarizarea invers
Cnd o diod este plasat n circuit ca n fig. 3 (invers fa de fig. 1), aceasta
se consider a fi polarizat invers. in mod ideal, nici un curent nu va circula n aceast
condiie de polarizare. n realitate, un curent slab totui circul, valoarea sa depinznd
de temperatura diodei; din acest motiv, curentul respectiv este numit curent invers.
Pentru diodele cu Si curentul invers
+ V
este extrem de mic la temperatura camerei, de
ordinul a ctorva nanoamperi. Pentru Ge,
curentul invers al diodei este de civa
+
mA
microamperi. Dac funcionarea montajului
din fig. 3 este urmrit foarte atent, se poate
+
+
observa c acul ampermetrului se mic foarte
puin. Pentru msurarea cu acuratee a
curentului invers (de fug), este necesar un
aparat foarte sensibil.
Curentul invers (de fug) este cauzat
Fig.3 Conectarea diodei pentru
de micarea purttorilor minoritari ce sunt
msurarea caracteristicilor
generai funcie de temperatura absolut. O
inverse
regul simpl arat c valoarea curentului
invers se dubleaz pentru fiecare 10 C de cretere a temperaturii; evident c se
reduce la jumtate pentru scderea cu 10 C a temperaturii.
Tensiunea jonciunii
Tensiunea direct pentru jonciunea cu siliciu este la temperatura camerei de
aproximativ 0,6 V. Dac temperatura crete, aceast tensiune are tendin s scad,
2

prin modificarea mobilitii purttorilor.

Aceast proprietate permite utilizarea
diodei n multe circuite pentru a obine
o aciune de divizare a tensiunii ce se
modific cu temperatura. n fig. 4 se
prezint
o
comparaie
ntre
caracteristicile directe ale diodei cu
siliciu la dou temperaturi diferite.

IF [mA]
8

45 C

25 C

6
4
2
VF [V]
0,2
0,4
0,6
Fig. 4 Dependena de temperatur a
caracteristicilor directe a diodei cu siliciu

PARTEA EXPERIMENTAL
Polarizarea direct
1. Se studiaz circuitul din fig.5. Se observ sensul diodei i polaritile sursei i a
aparatelor de msurare. Iniial se folosete o diod cu siliciu.
2. Se conecteaz echipamentul necesar.
3. Se urmrete modul de marcare al diodei. n general catodul este marcat cu o
band plasat n apropierea terminalului. Dac dioda nu este marcat, se poate
folosi un ohmmetru pentru determinarea funciei terminalelor.
4. Se conecteaz circuitul ca n fig. 5. Pentru alimentare se va folosi o surs variabil
cu comutare decadic din 0,1 n 0,1 V.
5. Se conecteaz i se regleaz ieirea din circuit la 0 V. Se nregistreaz n Tabelul 1
tensiunea direct VF i curentul direct IF.
6. Se completeaz Tabelul 1 cu valorile msurate pentru VF la valorile indicate ale
curentului IF .
7. Se introduce n circuitul de msurare o diod cu germaniu conectat tot n sens
direct.
8. Se repet paii 5 i 6 i se nregistreaz rezultatele n Tabelul 1.
9. Se traseaz grafic caracteristicile diodelor n coordonatele date n fig. 6.
10. Pentru valorile de curent i tensiune din Tabelul 1 se calculeaz rezistena pentru
fiecare valoare i se completeaz tabelul.
+

mA

SURS
STABILIZAT

1 k

Fig. 5 Montajul experimental

Tabelul 1. Caracteristicile directe ale diodei

IF
(mA)

Diod cu
siliciu
Diod cu
germaniu

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,8

1,0

2,0

4,0

5,0

VF,
(V)
RF,
()
VF,
(V)
RF,
()

ntrebare
Comparai cele dou curbe trasate n fig. 6. Au o form asemntoare sau
cele dou curbe difer?
IF
[mA]
6

Polarizarea invers
1. Se realizeaz montajul experimental
din fig.5, cu diod cu Si, inversnd
polaritatea sursei de alimentare i a
4
aparatelor de msurare.
2. Se alimenteaz montajul i se
fixeaz prima valoare din Tabelul 2.
2
Curentul va fi extrem de mic.
3. Se msoar i se nregistreaz
VF [V]
valorile curentului invers IR pentru
0
0,2
0,4
0,6
fiecare valoare de tensiune indicat
Fig. 6
n Tabelul 2.
4. Se deconecteaz alimentarea i se introduce n circuit o diod cu germaniu. Se
reiau msurtorile i se completeaz Tabelul 2.
Tabelul 2. Caracteristicile inverse ale diodelor
VR ,[V]

Siliciu

IR , [A]

Germaniu

IR , [A]

ntrebare
Se observ un curent invers mai mare la dioda cu germaniu fa de cea cu
siliciu. Cum explicai acest lucru?
Efectul temperaturii
1. Se conecteaz circuitul din fig. 7 folosind o diod cu germaniu. Se observ
tensiunea direct i curentul. Se nregistreaz valorile n Tabelul 3.
2. Se alimenteaz rezistena de nclzire de la sursa de 5V i se las circa 2 minute.
Se observ modificrile tensiunii directe i ale curentului direct. Se nregistreaz
aceste valori n Tabelul 3.
4

3. Se deconecteaz alimentarea i se conecteaz n circuit dioda cu siliciu.

4. Se alimenteaz circuitul i se observ tensiunea direct i curentul pentru dioda cu
siliciu la temperatura camerei. Se nregistreaz aceste valori n Tabelul 3.
5. Se alimenteaz rezistena de nclzire a diodei cu siliciu de la sursa de 5V i se
las circa 2 minute. Se observ modificrile tensiunii directe i ale curentului
direct. Se nregistreaz aceste valori n Tabelul 3.
6. Se inverseaz polaritatea alimentrii pentru schema din fig. 7 cu dioda cu
germaniu i se inverseaz conectarea aparatelor de msurare. Se folosete
microampermetrul.
7. Se msoar i se noteaz tensiunea pe diod i curentul invers la temperatura
camerei.
8. Se reconecteaz rezistena de nclzire pentru 2 minute. Se observ modificrile i
se noteaz n Tabelul 3.
9. Se repet paii 6 8 pentru o diod cu siliciu i se nregistreaz rezultatele n
Tabelul 3.

Rnclzire

SURS
STABILIZAT
(8 V)

+
(-)
(+)

+
(-)

mA

5V

(+)

1 k

+
(-)

(+)

Fig. 7 Montajul experimental pentru studiul

dependenei de temperatur

Tabelul 3. Caracteristici de temperatur ale diodelor

Diod cu germaniu
Rece

Cald

Diod cu siliciu
Rece

Cald

Vdirect (VF)
Idirect (IF)
Vinvers (VR)
Iinvers (IR)

Intrebri
Sunt afectate tensiunea direct i curentul direct al diodelor de schimbarea
temperaturii? De ce?
La care din diode schimbarea tensiunii directe este mai pregnant? Sunt
posibile anumite explicaii?

MONTAJUL EXPERIMENTAL
Circuitul pe baza cruia se fac msurtorile este realizat pe cablaj imprimat.
Firele de conexiune la surs, aparatele de msurare i sursa pentru nclzire sunt
notate la bornele de pe plac.
n fig. 8 se prezint schema montajului experimental folosit. Desenarea
dispozitivelor i componentelor respect topologia montajului realizat practic.
Circuitul este realizat pe cablaj imprimat, n desen traseele conductoare de pe partea
placat sunt prezentate prin linii. Cu ajutorul cerculeelor s-au prezentat n fig. 8
bornele de conectare cu echipamentele externe. Comutatorul notat cu S1 permite
selectarea uneia din cele dou diode, respectiv dioda cu siliciu pe poziia "Si" i dioda
cu germaniu pe poziia "Ge". Polaritatea conexiunilor la aparatele de msurare i la
sursa de alimentare este indicat fr paranteze pentru determinarea caracteristicilor
directe, n timp ce pentru determinarea caracteristicilor inverse, polaritatea este
indicat ntre paranteze. Pentru determinarea caracteristicilor termice se folosesc
rezistenele de nclzire. Conectarea lor se face la o surs de 5 V astfel: se folosete o
born comun, notat (Rc 5V), iar selectarea rezistenei dorite, pentru dioda cu siliciu
la borna notat RSi , respectiv pentru dioda cu germaniu la borna notat RGe.

Rcomun 5V

RSi

RGe

Rnclzire Si

Si

+ ()
SURS DE
ALIMENTARE
REGLABIL
( 0 20 V )

S1

mA
(A)

1N4001 (Si)
Rnclzire Ge

Ge

OA110 (Ge)
V

10 k

(+)
Fig. 8 Montajul experimental

n fig. 9 se prezint schema de cablare a montajului experimental. Partea

conductoare (cupru) de pe faa placat a circuitului este reprezentat prin zone
colorate n gri. Cu ajutorul simbolului
se identific bornele de conectare ale sursei
de alimentare, ale aparatelor de msurare i comutatoarelor pentru diode i rezistene.
La aceste borne legturile se realizeaz cu fire prevzute cu conectoare speciale.
Vederea este dinspre partea cu piese (plantat).

SURS 5V

RGe

RC

RSi
Rnclzire

+ , ()

S1

Si

Si
Ge

AMPERMETRU

Rnclzire

, (+)
Ge
, (+)

, (+)

+ , ()

+ , ()

SURS REGLABIL

VOLTMETRU

Fig. 9 Montajul experimental - schema de cablare

1 k