1.

MECANISMUL CONDUCIEI N SEMICONDUCTORI

Conducia electric poate avea loc n solide (metale sau semiconductori). Curentul electric este o
manifestare a micrii sarcinii n interiorul unui material. n czul metalelor, curentul este dtorat deplasrii e ntr-o anumit direcie cu o anumit vitez medie. n cazul materialelor semiconductoare, la nivel
microscopic, conducia poate fi explicat prin cele 2 tipuri de micri distincte i independente ale e - crora
le corespund, la nivel macroscopic, micri ale unor sarcini electrice negative (e-) i pozitive (goluri).
D.p.d.v. grosier, atomul poate fi reprezentat ca fiind constituit dintr-un nucleu (neutroni, protoni) i
nveli extern pe care graviteaz e-. Cei mai apropiai de nucleu sunt maai strns legi de acesta, iar cei din
exterior sunt mai slab legai. Ei pot primi sau emite cuante de energie i pot trece de pe o orbit pe alta.
U.m. pentru cuanta de energie este de 1eV=1.610-19J.
n cazul materialelor cristaline, e- nu ocup nivele energetice distincte, ci se gsesc pe anumite benzi
de energie permise. Se disting 2 benzi: banda de valen (ocupat) i banda de conducie (liber).
band liber(conducie)

Banda ocupata(de valenta)

n cazul metalelor, cele 2 benzi se ntreptrund i, datorit agitaiei termice, e - pot prsi banda de
valen, devenind e- liberi n banda de conducie.
n cazul materialelor izolatoare, cele 2 benzi permise sunt separate printr-o band interzis cu
limea de 510 eV. Ca urmare, puini din e- de valen vor reui s prseasc BV devenind e- liberi n BC.
Acest lucru se va ntmpla numai sub influena unor cmpuri electrice puternice.
n cazul materialelor semiconductoare, modul de dispunere a benzilor este similar cu cea de la
izolatoare, doar c banda interzis este mai ngust (0,76 eV la Ge i 1,12 eV la Si).
n cazul acestor materiale, prsirea BV de ctre un e- la n urma sa o regiune de sarcin spaial
egal n valoare absolut cu arcina e-, numit gol.
Materialele semiconductoare de baz (Ge, Si) sunt elemente din grupa a IV-a a tabloului lui
Mendeleev, deci dispun de 4 e- de valen. Prin urmare, ntr-o structur cristalin, 2 cte 2 din e - de valen a
atomilor vecini se pun n comun, formnd legturi covalente.

DE

SEMICONDUCTOR

n cazul materialelor izolatoare (de ex. diamantul), e - sunt strns legai n cadrul legturilor covalente
i nu pot deveni e- liberi.
La semiconductori ns, la temperaturi de peste 0 K, datorit agitaiei termice, parte din legturile
covalente se deterioreaz, e- respectivi devenind liberi n reeaua respectiv.
Prsirea legturii covalente de ctre un e- las n urma sa o regiune de sarcin spaial, pozitiv
(gol). Datorit agitaiei termice, un e- de la un atom vecin vine s completeze legtura nesatisfcut, n sens
invers asistnd la o deplasare a golului.
Proprietile fizice i electrice ale materialelor semiconductoare sunt puternic mbuntite dac
procedm la impurificarea materialului cu elemente din grupa a V-a (pentavalente) sau grupa a III-a
(trivalente).
1. Impurificarea cu elemente pentavalente (Sb, F, )
e-

ion +

n acest caz, doar 4 din cei 5 e- de valen

formeaz legturi covalente cu 4 din atomii vecini,
cel de-al 5-lea devenind liber. Prsirea atomului de
ctre e- nu las n urm un gol, ci un ion pozitiv fix
n reea. Se obine astfel un semiconductor de tip
n, la care e- sunt purttori majoritari, iar golurile
minoritari.

2. Impurificarea cu elemente trivalente (In, Al, Ga, )

ion -

e-

n acest caz, e - de valen vor putea s

formeze doar 3 legturi covalente, o a 4-a rmnnd
nesatisfcut. Datorit agitaiei termice, un e- de la
un atom vecin va veni s satisfac legtura
deteriorat, lund natere un ion negativ fix n
reeaua cristalin. Obinem un semiconductor de
tip p, la care purttorii majoritari sunt golurile,
iar minoritari - e-.

n aceast manier, putem distinge 2 categorii de materiale semiconductoare:

Intrinseci (p=n)
Extrinseci - de tip n (n>>p)
- de tip p (p>>n)

2. Jonciunea p-n la echilibru termic.

n practic se utilizeaz numeroase dispozitive electronice obinute prin alturarea de regiuni
semiconductoare de polaritate complementar. Regiunea de tip p poate fi considerat simplist ca fiind
format din ioni acceptori(-) , fici n reeaua cristalin i golurile drept purttori majoritari. Regiunea de tip
n poate fi considerat ca fiind format din ioni donori(+), fici n reeaua cristalin i e- drept purttori
majoritari. Dac considerm dou asemenea regiuni semiconductoare unite printr-o structur cristalin
continu, suprafaa de separaie dintre cele dou regiuni poart numele de jonciune p-n.
p
N
p
A
0
n regiunea p golurile n concentraie:
sunt purttorii majoritari, iar e- n concentraie:
n2
n
i
p
0 NA
constitue purttorii minoritari.
n

n
0

n2
p
i
n
0 ND

n regiunea n e- n concentraie:

sunt purttorii majoritari, iar golurile n concentraie:

constitue purttorii minoritari.

Datorit concentraiei diferite n cele dou regiuni golurile majoritare n regiunea p i minoritari n regiunea
n, respectiv e- majoritari n n i minoritari n p se tinde spre o stare de echilibru i ca urmare purttorii
majoritari dintr-o regiune vor difuza spre cealalt regiune parial, unde ei constitue purttorii minoritari. Ca
urmare n vecintatea suprafeei de separaie dintre cele dou semiconductoare apare o regiune de trecere, de
lungime l, de ordinul m, unde n spaiul situat n regiunea p pleac goluri i sosesc e-, iar n spaiul regiunii
n pleac e- i sosesc goluri. Ca urmare, n regiunea p apare o sarcin spaial pozitiv. Apariia acestei
distribuii pentru sarcina spaial stabilete un cmp electric intern, orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Odat stabilit acest cmp are loc un transport de goluri din regiunea n spre regiunea p i de e- din regiunea p
spre regiunea n. Sensurile acestor deplasri fiind opuse fluxurilor de difuzie stabilite n faza iniial. Din
acest moment putem spune c o stare de echilibru a fost atins, iar la capetele regiunilor respective se
stabilete o barier de potenial de valoare V0.

3. Jonciunea p-n n regim staionar.

Un semiconductor eterogen, prevzut cu dou contacte ohmice astfel nct s poat fi intercalat ntrun circuit electric.

-Inm
-InM
IpM
VA

Ipm

+V

VA
V0

Presupunem c dispozitivul astfel obinut l conectm n circuit astfel nct regiunea p este legat la
borna (-) a sursei de tensiune electromotoare ce furnizeaz VA iar regiunea n la borna (+) a aceleiai surse.
Spunem n acest caz c jonciune p-n este polarizat invers. Lungimea zonei de trecere:

2 (V V )( n p )
0
A n
p
0
0
l
qn p
n p
0 0

l l 1

A
V
0

2V (n p )
0 n
p
0
0
l
qn p
n
p
0
0

La polarizarea invers a jonciunii limea jonciunii de trecere este majorat. n acest caz se constat
apariia unor cureni datorai purttorilor majoritari i minoritari:
InM curent datorat purttorilor majoritari de sarcin
Inm curent datorat purttorilor minoritari de sarcin
n acest caz se constat c practic curenii datorai purttorilor minoritari sunt mai mari dect cei
datorai purttorilor majoritari. Cum concentraia purttorilor minoritari este mic n comparaie cu
concentraia purttorilor majoritari, rezult c curentul stabilit prin circuit este mic. La o valoare suficient de
mare a tensiunii electromotoare, curenii datorai purttorilor majoritari tind spre 0 iar cei datorai
purttorilor minoritari tind spre valoarea de saturaie: Is=Ipm+Inm.
n

VA

+V

IpM
V0

VA

Ipm
-InM
-Inm

x
Considerm
Id regiunea eterogen respectiv, conectat ntr-un circuit electric. Regiunea p la borna (+)
a sursei, regiunea n la borna (-) a sursei. Spunem despre jonciune c este polarizat direct, iar curenii
stabilii sunt n principal datorai purttorilor majoritari.
2 (V V )( n p )
0
A n
p
V l
0
0
A
l l
l
qn p
Vi
n p
V
Vd
0 0
0
l l
Vst
n extrem curenii datorai purttorilor
minoritari tind la 0.
IA=IpM+InM-(Ipm+Inm)
zon
Bariera de potenial n acest caz
estedirect
diminuat cu valoarea tensiunii electromotoare. Dac se ridic
zon strpuns
zon
caracteristica
Voltamper
n acest caz:
invers

Ii

n zona de conducie direct curentul

crete relativ repede, n raport cu
tensiunea la bornele jonciunii. n zona de
conducie invers curentul este mic i
aproximativ constant, ntr-o plaj larg de
tensiune invers aplicat. Pentru tensiunii
inverse de strpungere n dispozitiv au loc
topiri i recristalizri locale care
deterioreaz jonciunea, iar curentul
crete mult, dispozitivul avnd
capacitatea de a menine tensiunea
constant la borne.

4. Dioda semiconductoare
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic format dintr-o jonctiune p-n si doua contacte
ohmice.
La o dioda ideala, curentul invers se numeste curent de saturatie (I S). Caracteristica teoretica a unei
diode ideale se numeste si ecuatia diodei si are forma:

IA=IS [exp (

q VA
kT

) -1]

IA- curentul prin dioda

VA-tensiunea la bornele diodei
k-constanta lui Boltzman
T-temperatura absoluta

kT
q
Se defineste tensiunea termica VT=
(25 mV la T=300 K).
Pentru tensiuni inverse mari in raport cu VT, ecuatia diodei va deveni:
q VA
kT
IA IS deoarece exp (
)<<1.
q VA
q VA
kT
kT
In conductie directa, pentru VA>VT, IAIS exp (
) deoarece exp (
) >>1.

IA
IA

E
R

R
+
VA

Pentru determinarea punctului static de functionare a diodei semiconductoare, se conecteaza o

dioada semiconductoare in conductie directa in circuitul unei surse de curent continuu impreuna cu o
rezistenta R. Avand in vedere valorile finite ale lui E si R, caracteristica statica a diodei I A functie de VA in
conductie directa, se va putea determina punctul static de functionare a diodei semiconductoare ca fiind
intersectia dintre caracteristica statica si dreapta care reprezinta ecuatia a II-a a lui Kirchhoff aplicata pe
circuit.
IA=f(VA)
RIA+VA=E
Punctul static de functionare a diodei are coordonatele IA0 si VA0.

5. Diode Redresoare (D.R.)

Utilizeaz carcteristicile unei jonciuni p-n de a permite trecerea crt atunci cnd este polarizat
direct. Ele se pot realiza din Ge sau Si i, n tehnologia utilizat, se urmarete, prin geometria structurii i
profilul de dopare, s se obin ptr diod caracteristici ct mai apropiate cu cele ale unei diode ideale.
n cazul diodelor de putere medie i mare, capsula este astfel realizat a.. s permit montarea pe
radiatoare capbile s preia puterea de disipaie ce depete puterea de disipaie admisibil ptr dioda
respectiv.
Parametrii:
1. Curentul mediu redresat I0 valoarea medie a crt prin diod calculat pe o perioad n cazul
redresrii de tip monofazat monoalternan.
2. Curentul de vrf direct repetitiv IFRM valoarea maxim a crt suportat de diod, incluznd toate
componentele repetitive i excluzndu-le pe cele pe cele nerepetitive. Aceste situaii de fenomene
repetitive apar cnd undele redresate prezint deformaii permanente sau cnd sarcina redresorului
respectiv este de tip capacitiv. n mod uzual IFRM=4I0 sau 5I0.
3. Tensiunea invers de vrf repetitiv VRRM valoarea maxim a tensiunii inverse, incluznd toate
componentele repetitive.
4. Tensiunea de strpungere VBR tensiunea invers ptr care crt prin diod depete IBR specificat.
5. Tensiunea invers continu VR tensiunea invers pe care o poate suporta o diod, V R<VBR, creia
i corespunde un crt IR specificat.
6. Temperatura maxim Tjmax - temperatura pe care o poate uporta o jonciune fr c la nivelul ei s
apar topiri i recristalizri locale.
Pentru valori mici ale crt prin diod, cderea de tensiune la polarizarea direct a unei diode este de ~
0,1 0,3 V n cazul diodelor cu Ge i de 0,6 0,8 V n cazul celor cu Si.
Pentru valori medii i mari, cderile de tensiune pe diode pot ajunge pn la 0,7 0,8 V la cele cu
Ge i l 1,4 V la cele cu Si.
Tensiunea de strpungere VBR este determinat de limea regiunii de trecere, care poate fi controlat
prin structura i profilul de impurificare utilizat.
Diodele cu Si se pot realiza la tensiuni de strpungere mai ridicate. n ce privete temperatura de
lucru, diodele cu Si pot ajunge la 200 220 C, iar cele cu Ge la 80 95 C.
Diodele pot lucra n regim de redresare doar ptr tensiuni alternative cu frecvena mai mic de 20
kHz. L frecvene mi mari, ele i pierd proprietatea de redresare.
La unele aplicaii (surse de alimentare fr
transformator, echipamente de comutaie) avem nevoie ca
timpii de comutaie invers s fie mai mici dect n cazul
diodelor redresoare obinuite. Trecere unei diode din starea de
conducie n stare blocat nu se poate face instantaneu, fiind
necesar un timp pentru recombinarea particulelor de sarcin.
La diodele uzuale, tCR (timp de comutaie invers) poate
ajunge la 10 s. n unele echipamente, tCR trebuie s fie mai
mic dect 1 s (situaie posibil de atins prin dopare

corespunztoare, cu observaia c, ptr o aceeai capsul,

puterea de disipaie va fi mai mic).
IF curent direct
IR curent invers

6. Dioda de comutatie
Diodele de comutare se pot realiza cu jonctiuni p-n prin tehnologia planar epitaxiala, prin contacte
metal-semiconductor (diode Schottky) sau cu contact punctiform.
Diodele fabricate prin tehnologia planar epitaxiala au o constructie speciala, adica zona n este slab
dopata cu impuritati, este foarte ingusta si dopata cu atomi de aur in vederea maririi vitezei de recombinare
a purtatorilor minoritari proveniti prin sifuzie. Aceste particularitati au un rol predominant in micsorarea
timpilor de trecere din starea de blocare in starea de conductie si invers (de obicei, valori cuprinse intre
nanosecunde pana la zeci de nanosecunde). Aceste diode se utilizeaza in televiziune, in comunicatii prin
satelit, telefonie si tehnica audio.

ri >1M

a b
conductia indirecta
(dioda echivaleaza contactul mecanic deschis)

Dioda cu contact punctiform

Pe suprafata materialului semiconductor de tip n se fixeaza varful unui fir de wolfram. In procesul de
fabricatie se transmite un impuls de curent de valoare mare care va modifica tipul de conductibilitate a
semiconductorului in vecinatatea varfului de wolfram.
Se va forma astfel o mica jonctiune p-n pe o suprafata de circa 10 -4 mm2 ceea ce va inseamna o
capacitate mica a jonctiunii.

K
W
A

7. Dioda stabilizatoare de tensiune (Dioda Zener)

Aceste diode utilizeaza proprietatea jonctiunii p-n de a avea o tensiune inversa aproximativ
constanta la borne atunci cand lucreaza in regiunea de strapungere.

Sunt realizate din siliciu deoarece are o serie de avantaje:

Curentul invers este mult mai mic la siliciu fata de germaniu;
Intrarea in strapungere se face brusc, incepand de la valori mici ale curentului;
Caracteristica inversa este aproape verticala;
Rezista la temperaturi mai mari.
In practica, in serie cu dioda Zener se poate lega o dioda redresoare polarizata direct. De
asemenea, pentru a se obtine valori diferite ale tensiunilor strabilizate fata de tensiunile de strapungere ale
diodelor Zener disponibile se poate recurge la inserierea diodelor Zener, astfel tensiunea de strapungere
totala va fi suma de strapungere individuala.

VBR1

VBR2

VBR

VBRn

Insa, niciodata pentru preluarea unui curent mai mare nu trebuie conectate mai multe diode Zener in
paralel deoarece ele nu au exact aceeasi tensiune de strapungere. In acest caz, dioda cu tensiunea de
strapungere mai mica va prelua tot curentul si se va distruge termic.

Deoarece diodele Zener lucreaza in zona de strapungere, acestea pot genera zgomot intr-o banda
larga de frecvente; astfel se recomanda conectarea in paralel a condensatoarelor. Condensatoare polarizate
numite si electrolitive si cele nepolarizate pentru zgomotele inalte.

Proprietatea tensiunii inverse de strapungere de a nu varia cu intensitatea curentului invers este

utilizata pentru obtinerea unor tensiuni de referinta sau pentru obtinerea unor tensiuni stabilizate.
Parametri importanti:
Tensiunea nominala de stabilizare VBR;
Tenziunea de stabilizare VZT;
Rezistenta dinamica de stabilizare rZT;
Puterea mexima disipata Pmax;

Coeficientul de temperatura a tensiunii de stabilizare VZ.

8. Tranzistoare bipolare
Un tranzistor bipolar este obtinut prin dispunerea alternanta a 3 straturi semicon-ductoare de
polaritate complementara obtinand astfel 2 jonctiuni p-n.
Dupa modul de dispunere a celor 3 regiuni, putem obtine 2 tipuri de tranzistoare bipolare: PNP si
NPN.
Regiunea comuna celor douna jonctiuni p-n poarta numele de baza, iar regiunile externe sunt
botezate emitori si respectiv colectori. Cele doua regiuni difera esential ca suprafete, dar si din punct de
vedere al concentratiei elementului de impurificare. Avem o concentratie foarte mare in emitori, mica in
baza si foarte mica in colectori. Jonctiunea dintre emitor si baza este definita drept jonctiunea emitorului, iar
jonctiunea dintre colector si baza este definita drept jonctiunea colectorului.
Exista mai multe regimuri de functionare ale tranzistorilor. Pentru a-si realiza functia de regim de
control, este necesar ca jonctiunea emitorului sa fie polarizata direct, iar jonctiunea colectorului invers.
Sa presupunem ca avem jonctiunea emitorului polarizata direct, jonctiunea colectorului polarizata
invers, iar tranzistorul este de tip PNP. In aceste conditii, golurile majoritare in emotorul tranzistorului vor
difuza spre baza acestuia. Aici, doar o mica parte dintre goluri se vor recombina cu electroni majoritari in
baza. Aceasta pe de-o parte datorata faptului ca avem o concentratie mult mai mica de electroni in baza in
raport cu excedentul de goluri sosit dinspre emitor, iar pe de alta parte datorita faptului ca grosimea bazei
este foarte mica. Ca urmare, majoritatea golurilor ajung in regiunea colectorului. Cum jonctiunea
colectorului este polarizata invers, aici ia nastere un camp electric intern care actioneaza ca un camp
accelerator pentru golurile sosite dinspre emitorul tranzistorului. Cum concentratia in elementele de
impurificare in colector este foarte mica, rezulta ca ia nastere aici un curent obtinut in principal pe seama
golurilor sosite din emitorul tranzistorului. Intr-un asemenea montaj, tensiunea baza-emitor si curentul din
baza, fiind foarte mici, putem obtine amplificare de putere.
Denumirea de tranzistor bipolar se datoreaza faptului ca curentii care iau nastere in dispozitiv sunt
produsi celor doua tipuri de purtatori de sarcina (electronii si respectiv golurile).
In cele doua figuri este ilustrata schema principiala...

VCE
PNP

EE

p
+

C
-

VEB

k1

B
k2

VCB
k3

EC
+

VEC
NPN
9. Principiul de
functionare al tranzistorului bipolar

Sa consideam
un tranzistor nde genulpcelui reprezentat
in prima figura, respectiv
un tranzistor PNP.
E
n
C
De asemenea, consideram ca el este polarizat in regiunea activa normala, sursa E E polarizand direct
jonctiunea colectorului, iar EC polarizand invers jonctiunea colectorului. Intr-o+functionare normala, avem
relatia:
EE
VBE
B
VBC
EC
+
|EC | >> | EE |
k2
k1
k3
Sa consideram ca inchidem k1, k2 si k3. in emitor ia nastere un curent datorat golurilor majoritare,
respectiv un curent IpE. Aceste goluri vor migra spre baza tranzistorului, unde doar o mica fractiune din
golurile sosite se vod recombina cu electronii majoritari in baza. In acelasi timp, o parte din electronii
majoritari din baza difuzeaza spre emitorul tranzistorului; este un curent de electroni notat I nBE. Rezulta
curentul total in emitor:

IE= IpE+InBE
Fractiunea de goluri sosita in baza, care se recombina cu electronii majoritari aici, determina un
curent de recombinare IR.
Majoritatea golurilor insa, reusesc sa treaca prin regiunea foarte ingusta a bazei, sa ajunga in
colector, unde, datorita campului produs de sursa EC care polarizeaza invers jonctiunea colectorului sunt
antrenati de acest campt accelerator, formand in colector un curent de pol P pC. Acest curent se intinde pe
traseul +EC, k3, k1, emitor, baza, colector, -EC.
Intre curentii care aparm putem scrie urmatoarea relatie:

IpE=IR+IpC

Sa consideram ca deschidem k1, ramanand inchise k2 si k3. Ne-am astepta ca prin jonctiunea
colectorului sa nu avem circulatie de curent. In realitate un asemenea curent exista, este de valoare foarte
mica si el este datorat purtatorilor minoritari (golurile in regiunea bazei si electronii in colector). El poarta
numele de curent rezidual colector. Acest curent se intinde pe traseul +EC, k3, k2, baza, colector, -EC.
Curentul de noteaza cu ICB0 si rezulta ca curentul din colector IC va fi:

ICB0+IpC=IC
Pentru caracteristicile tranzistoarelor se folosesc o serie de parametri. Un prim parametru il
reprezinta factorul de amplificare in curent emitor-colector (F).
I pC

F=

IE

F- arata ce fractiune din curentul din emitor ajunge incolector

F- este definit ca raportul intre eficienta emitorului E si factorul de transport t.
I pE

E=

IE

I pC

t=

I pE

I pE
I pE I nBE

I pC
I pC I E

In foile de catalog este prezent adesea un alt parametru: F- factor de amplificare in curent bazacolector.
F
1F

F=

Aplicam Kirchhoff I, rezulta:

IB=IE- IC

IB = I E -

IE- ICB0
F
Sau: IB= (1)IE ICB0
Daca se tine seama de relatia existenta intre F si F, avem:

F1
ICB0<<IC

IC IE F Ip.

Regiunea de sarcina spatiala a

jonctiunii emitorului

Regiunea de sarcina spatiala a

jonctiunii colectorului

10. Circuite echivalente pentru analiza tranzistoarelor

bipolare in curent continuu
Regimul de curent continuu inseamna ca analizam situatiile in care marimile electrice prezente la
bornele tranzistorului sunt fie constante, fie foarte lent variabile in timp. De asemenea, consideram ca
tranzistorul este polarizat in reg. continua, respectiv regiunea emitorului polarizata direct iar cea a
colectorului invers.
Daca aceste conditi sunt indeplinite, distributia purtatorilor de sarcina in exces in baza tranzistorului
poate fi considerata ca fiind liniara.
Deoarece concentratia de sarcaina in exces la marginea emitorului depinde exponential de tensiunea
bazei emitor in conformitate cu relatia lui Boltzmann putem scrie:

IC= I1

qVEB
exp kT 1

I1= q Aj

D pB Pn 0 B
W

Aj-aria sectiunii trans. A bazei

D pB
- coeficient de difuzie a purtatorilor minoritari in baza

Pn 0 B
-concentratia de purtatori minoritari in baza de echilibru
W- grosimea regiunii neutre a bazei

Se observa ca relatia dintre curent si tensiune este de aceeasi forma cu cea de la dioda.
Desi recombinarea in baza este de valoare redusa, curentul produs fiind mic, de el trebuie sa se tina
cont daca dorim sa evaluam curentul in baza tranzistorului.
Putem considera curentul in baza ca fiind o fractiune din curentul din colector:
qV EB

exp
1

kT

IB=IC= I1

pierdere in baza sau defect in baza

curentul din emitor poate fi calculat pornind de la Kirchhoff I:
IE+iB+IC=0
sau:
qVEB

exp kT 1

IE+iB+IC=
Intre curenti pot fi definiti o serie de rapoarte: factorul de castig in curent la scurt-circuit in curent cu baza
IC
1
IE
1
comuna F=
, F=

F=

Raportul de castig de curent in scurtcircuit, cu emitorul comun: F

IC
1

IB

Relatie directa:

F=

F
1 F

F
1F

F=
11. Montaje cu tranzistoare bipolare

Desi dispozitivul dispune de doar 3 terminale, el poate fi considerat ca un cuadripol liniar activ,
unul din terminale fiid comun atat circuitului de intrare cat si de iesire. Obtinem astfel 3 tipuri de montaje.
Baza comuna, emitor comun, colector comun.
Schema unui montaj baza comuna:

IE

IC

C
RL

~ V1

VEB

VCE

EC
EE
B

V1 se aplica intre emitor si baza, iar la iesire culegem tensiunea V 0 la bornele RL. Aceasta schema se
caracterizeaza printr-o rezistenta de inrare mica (de ordinul unitatilor de ohmi) si o rezistenta de iesire foarte
mare de ordinul sutelor de kiloohmi.
Schema prezinta principalul dezavantaj ca are o rezistenta de intrare mica. Din aceastra cauza,
asemenea etaje nu poti fi dispuse in cascada deoarece intrarea etajului constituie un veritabil scurtcircuit
pentru iesirea etajului din aval.
Montajul emitor comun
C

B
RL

VBE
V1

VCE

V0

EC

EB
E

Tensiunea de semnal este aplicata la intrare intre baza si emitor iar la iesire este cules pe R L. La
intrare, rezistenta de intrare este mult mai mare decat la baza comuna, iar rezistenta de iesire poate atinge
zeci de kohmi. Asemenea etaje pot fi dispuse in cascada fara a necesita scheme de adaptare catre etaje. El
poate asigura amplificatie mare intre curent si tensiune, respectiv in putere.
Acest montaj este cel mai des utilizat in practica.

Montaj colector comun:

E
C

B
RL

VBC
V1

V0

VCE
EC

EB
C

Intrare este aplicata tot in baza tranzistorului, iar semnalul de iesire este cules pe un rezistor dispus
pe emitor. Rezistenrta de intrare pe etaje este de ordinul zecilor si sutelor de ohmi iar cea de iesire este de
ordinul kilo ohmilor.
Este utilizat ca circuit de adaptare intrare diferite etaje fiind intre etajul terminal si sarcina.

12. Caracteristicile statice ale tranzistorului

bipolar in conexiune emitor comun

VCE

IC
C

IE

IB
VEB

VCB

Tranzistor pnp
In functionarea tranzistorului sunt definite caracteristicile statice care exprima grafic dependenta
dintre curentii tranzistorului si tensiunile existente intre terminalele sale.
Conform Kirchhoff I si II, intr-un tranzistor putem scrie:
IE=IB+IC
VCE=VCB-VEB
Pentru determinarea ternsiunilor si curentilor unui tranzistor sunt necesare doua familii de
caracteristici statice:

 caracteristici statice de intrare;

caracteristici statice de iesire.
In conexiunea montaj-emitor comun (EC) frecvent sunt utilizate caracteristicile de iesire:
IC=f(VCE) la VBE=ct
IC=f(VCE) la IB=ct

si
caracterstica de intrare:

IB=f(VBE) la VCE=ct
a) IC=f(VCE) la VBE=ct

IC
[mA]
VBE=-0,25 V

10

VBE=-0,2 V
VBE=-0,15 V

VBE=-0,1 V
VBE=0 V

2 4

b) IC=f(VCE) la IB=ct

-VCE[V]

Regiunea activa normala

IB= 20 A
IB= 40 A
IB= 60 A

IB= 80 A

IB= 100 A

IB= 120 A

IB= 140 A

c)

IC=f(VCE) la IB=ct

IB
VCE=-1V

[mA]

VCE=-5V

60
IC
[mA]
2

40

-VCE[V]

20

10
150

300

In practica
5 se folosesc uneori si caracteristicile de transfer: IC=f(IB) la VCE=ct.
Firmele producatoare prezinta familiile de caracteristici dupa cum urmeaza:

in cadranul I familia de caracteristici de iesire: IC=f(VCE) cu IB ca parametru;

in cadranul II familia de caracteristici de iesire: IC=f(IB) cu VCE ca parametru;
in cadranul III familia de caracteristici de intrare: IB=f(VBE) cu VCE ca parametru;
in cadranul IV familia de caracteristici de reactie VBE=f(VCE) cu IB ca parametru.

II

III
IV
I

IC
[mA]

13. Influenta temperaturii asupra regimului static al tranzisotului bipolar

Caracteristicile statice si parametrii tranzistorului bipolar se modifica cu temperatura. Astfel,
cele mai importante efecte ale temperaturii asupra regimului de curent continuu sunt:
variatia curentului rezidual (de saturatie) de colector ICB0;
variatia factorului de amplificare in curent baza colector F;
variatia tensiunii de deschidere VD.
La Siliciu se observa o crestere a curentului rezidual pentru o crestere a temperaturii cu 6...8
grade celsius, iar la germaniu o crestere a curentului rezidual pentru o crestere a temperaturii cu 9....10 grade
celsius. Atat cresterea lui ICB0 cat si cresterea factorului de amplificare F vor determina o deplasare in sus a
caracteristicilor de iesire IC=f(VCE), odata cu cresterea temperaturii.
De fapt, la tranzistoarele cu siliciu, translatarea caracteristicilor este determinata de cresterea factorului de
amplificare F.
tensiunea directa pe jonctiunea emitorului VBE la un curent de baza IB=ct, va scade odata cu
cresterea temperaturii. Ca urmare, familia caractericitilor de intrare IB=f(VBE) se deplaseaza spre axa IB odata
cu cresterea temperaturii.
O cresterea cu 1 grad celsius a temperaturii va duce la scaderea VD cu 2 mV.

14. Regimul termic al tranzistorului bipolar

In functionare normala a dispozitivelor semiconductoare o parte din puterea electrica se disipa sub
forma de caldura.
Puterea astfel disipata va determina o crestere a temperaturii, ceea ce va determina o deplasare a
caracteristicilor statice.
Practic, la un dispozitiv semiconductor, disiparea caldurii are loc intr-o regiune extrem de limitata a
structruii semiconductoare. In cazul diodelor si tranzistoarelor, degajarea caldurii are lor in regimurile de
tranzitie ale jonctiunilor intrucat pe acestea cade intreaga tensiune aplicata din exterior.
Curentii prin cele doua jonctiuni sunt aproape egali, dar tensiunea aplicata pe jonctiunea colectorului
este mult mai mare decat cea aplicata pe jonctiunea emitorului. De aceea, cea mai intensa degajare de
caldura are lor in regiunea de tranzitie a jonctiunii colectorului.
Puterea disipata de tranzistor se compune din puterile disipate pe cele doua jonctiuni ale sale:
PD=PDC+PDE=IC*VCB+IE*VBEIC*VCE
Obs: In practica, trebuie avut in vedere ca o temperatura mai mare de 150 de grade la siliciu determina
fenomene ireversibile adica topiri si recristalizari locale care degradeaza structura semiconductoare.
Pentru ca temperatura sa nu depaseasca temperatura limita dispozitivului notat cu Tjmax este necesar ca
puterea reala PD sa nu depaseasca puterea maxima admisibila PDmax.
T j max Ta
Rthja

PDmax=
Tjmax- temperatura maxima a jonctiunii
Ta- temperatura mediului ambiant
Rthja-rezistenta termica a jonctiunii mediu ambiant

In cricuitele electronice, pentru cresterea puterii disipate admise, tranzistoului (dispozitivului

electronic) i se ataseaza radiatoare metalice confectionate din cupru sau aluminiu. De asemenea, se poate
asigura ventilatie locala.
15. Consideratii privind alegerea punctului static de functionare si determinarea sa grafica

Pentru a realiza amplificarea unui semnal folosind un tranzistor bipolar, este necesar un circuit
exterior care sa polarizeze tranzistorul in regiunea activa normala(regiunea admisa). Pentru buna functionare
a tranzistorului bipolar trebuie sa se delimiteze in planul caracteristicilor de iesire o regiune in care este
admisa plasadea punctului static de functionare.

ICmax

VCEmax

Regiunea admisa a tranzistorului este delimitata de 3 parametri specificati de cataloagele

producatorului: puterea disipata maxima, tensiunea colector emitor maxima si curentul colector ICmax.
Conditia ca puterea disipata sa nu depaseasca limita maxima admisa determina o granita sub
forma unei hiperbole (hiperbola de disipatie) PDmax=IC*VCB.

16. Circuite de polarizare cu doua surse de alimentare

Montaj baza-comuna:

Montaj emitor comun:

IC

IB
RL

RB

EC

EB

Utilizarea unor asemenea solutii pleaca chiar de la principiul de functionare al tranzistorului. In

practica, cel mai adesea se utilizeaza o singura sursa de alimentare dartorita problemelor de gabarit si de
costuri care apar.
Sa scriem ecuatia curentului de colector si a tensiunii colector-baza pentru montajul baza comuna
functie de elementele din circuit EE, EC, RE, RL si de parametrii tranzistorului F, VEB, ICB0.
Presupunem ca tranzistorul lucreaza in regiunea activa normala, urmand a gasi conditia care trebuie
satisfacuta elementelor din circuit pentru ca tranzistorul sa functioneze.
Pentru regiunea activa normala, relatia intre curenti este:
IC= FIE+ICB0
IE-il putem calcula scriind Legea a II-a a lui Kirchhoff pentru ochiul de la intrare.
E V EB
IE E
RE
IE=REIE+VEB
Inlocuind in relatia anterioara:
E E V EB
I CB 0
RE
IE= F
Aplicand legea a II-a a lui Kirchhoff la ochiul de la iesire, avem:
EC=VBC+RLIC
Si deci:
RL
( E E V EB )
RE
VCB= - EC+RLIC= -EC+ F
Obs: Pentru ca jonctiunea sa fie polarizata invers, VCB trebuie sa fie mai mic decat 0.

EC
EE

R I
RL
V
(1 EB ) L CB 0
RE
EE
EE
> F

Cu suficienta precizie, putem considera:

EC
EE

RL
RE
> F

Analog, montajul emitor comun.

17. Circuitul de polarizare simplu pentru conexiunea emitor comun

In practica se utilizeaza o singura sursa de tensiune electromotoare pentru alimentarea circuitelor
electronice. Pentru asigurarea curentului continuu necesar in baza tranzistorului, solutia cea mai simpla
consta in a avea un rezistor RB conectat intre sursa si baza tranzistorului.

Schema principiala:

+Ec
RL
RB

Intrare

Iesire

Schema echivalenta:

IC

RL

FIB
IB
+
RB
+
EC
-

rD

+
-

EC
-

VD

Trebuie de mentionat faptul ca dependenta de temperatura a tranzistorului se manifesta prin doi

parametri ai acestuia: F si VD.
Pentru ochiul de la intrare aplicam liegea a II-a a lui Kirchhoff:
EC-VD=IBRB+IB(F+1) rD
Stiind ca IC= F IB rezulta:

 F ( EC V D )
RB ( F 1) rD
IC=
Pentru dimensionarea circuitului de polarizare trebuie sa stim valoarea rezistorului R B care va fi
capabil sa asigure un anumit curent in colector.

F ( EC VD )
( F 1) rD
IC
RB=
Expresia valorii acestui rezistor indica slabe disponibilitati in vederea ajustarii punctului static de
functionare. Elementele care intra in calculul lui R B sunt determinate de fapt din considerente de semnal
pentru montajul respectiv.
In figurile urmatoare sunt reprezentate caracteristicile de intrare, respectiv de iesire.

EC
RB
M
IB

EC
2

VBE

VBE

IC

EC
RL

IC

VCE

EC

VCE

Scriind teorema a doua a lui Kirchhoff, avem:

Intrare: EC=RBIB+VBERBIB
Iesire: EC=RCIC+VCE
(X)
Curentul de baza este practic determinat de EC si RB iar curentul de colector va fi de aproximativ F
ori mai mare:

EC
RB
IB

EC
RB
si ICF

(deoarece IC F IB)
1
RL

In planul caracteristicilor de iesire, ecuatia (X) reprezinta o dreapta de panta numita dreapta
statica de sarcina. Intersectia aceste drepte cu caracteristicile curentului de baza determinat anterior
reprezinta punctul static de functionare M in planul caracteristicilor de iesire.
Pentru a determina punctul static de functionare in planul caracteristicilor de intrare, acesta se va gasi
la intersectia dreptei data de teorema a II-a a lui Kirchhoff in ochiul de intrare cu caracteristicile
corespunzatoare ternsiunii colector emitor pentur punctul static de functionare in planul caracteristicilor de
iesire.
Avand in vedere ca evantaiul caracteristicilor este unul ingust, ca dreapta este de o panta relativ lina,
1
EC
2
eroarea introdusa, considerand drept caracteristica pe cea avand drept parametru V CE=
este neglijabila.
Cu IBM astfel gasit, trecand in planul caracteristicilor de iesire, vom gasi punctul static de functionare M la
intersectia dreptei de sarcina statica cu caracteristica avand drept parametru iB=IBM anterior gasit.
Acest circuit asigura o desfasurare corecta daca in mediul respectic nu avem variatii de temperatura
si daca puterile disipate de tranzistor sunt mici. Altfel, pentru stabilizarea punctului static de funcionare se
utilizeaza fie procedee liniare, fie procedee neliniare.

In cazul utilizarii procedeelor liniare, circuitul utilizeaza in plus rezistoare, condensatoare, bobine,
elemente pasive care au mai buna stabilitate in raport cu variatiile de temperatura. Ele sunt capabile sa
asigure stabilizarea punctului static de functionare in raport cu variatiile de temperatura cat si in raport cu
dispersia de fabricatie.
Pentru procedeele neliniare de stabilizare, folosesc dioide termistoare, elemente cu caracteristica
neliniara care pot asigura stabilizarea in raport cu variatiile de temperatura fara a realiza aceleasi
performante in raport cu dispersia de fabricatie. In plus, datorita caracteristicilor neliniare sunt cerinte mai
ruguroase in imperecherea dispozitivelor respective.

18. Circuit de polarizare practic pentru conexiunea emitor comun

Procedeul liniar cel mai comod de polarizar, asigurand stabilizarea punctului static de funcionare
apeleaza la a monta un divizor rezistiv de tensiune in baza tranzistorului si un rezistor in emitorul
tranzistorului care sa asigure reactia negativa de curent pentru montajul respectiv.
Cele doua rezistoare R1 si R2 ale divizorului constitue practic o sursa de tensiune Thevenin care da o
R2
R 1 R2
tensiune de mers in gol EB= EC
si o rezistenta echivalenta Thevenin RB dat de cele doua rezistoare
R1 si R2.
Schema principiala:

+EC
R1

Iesirea semnalului
Intrarea semnalului

R2
RE

Schema echivalenta:

IC

CE

FIB
RL

IB

rd

RB

EC
+

EB

+
-

VD

CE

RE

Condensatorul de cuplaj CE este necesar pentru a asigura o cale de impedanta minima pentru
eventualul semnal de curent alternativ prezent in emitorul tranzistorului. Acest condensator nu intervine in
discutia de la curentul continuu, el fiind practic un circuit deschis.
Aplicam teorema a II-a a lui Kirchhoff in ochiul de la intrare:
EC-VD=IBRB+IB(F+1)rD+IB( F+1)RE
De unde rezulta:

F ( E B VD )
R B ( F 1)( rd R E )
IC=

RB

F ( E B VD )
( F 1)( rd R E )
IC

Fata de situatia intalnita la circutitul simplu de polarizare avem o mai larga libertate de ajustare a
elemementelor din circuit. Avem astfel 3 parametri independenti Re ft ve in care putem stabili curentul din
colectorul tranzistoului IC.
Daca ne uitam le expresia curentului din colector observam ca alegerea unui R E prea mare are ca
efect reducerea tensiunii disponibile pentru semnalul de la iesire.
Pentru proiectare se parcurg urmatorii pasi:
1. Se dimensioneaza RE prin relatia:
REIE(REId)=3...4 V, rezulta ca RE= (3...4 V)/mA =k

2. rezitorul RB apare in paralele cu intrarea tranzistoului si poate lucra daca are o valoare prea mica ca
un veritabil unt pentru semnalul mic prezent la intrarea circuitului.
RB10RE
3.
EB=RBIB+ (F+1) (rd+RE)+ VD
Putem calcula EB daca dispunem de un set de caracteristici la temperatura de lucru a tranzistorului. In
lispa acestor caracteristici, se poate aproxima la tranzistorul cu siliciu VD=0,6 V iar la IB il putem calcula
IC
F
cu relatia
4. pornind de la sistemul de ecuatii:

R2
E B EC R R

1
2

R R1 R2
B R1 R2

EC
R1 R B E

Daca rezolvam,

R R1 R B
2 R1 R B

19. Procedee neliniare de stabilizare a PSF-ului

Cazul 1: Solutia cu dioda: (dioda in conductie inversa)

+EC
RB1

RL

ICB0
T

RB2

RE

In practica, efectul cresterii curentului rezidual de colector ICB0 cu temperatura, poate fi compensat cu
ajutorul unei diode conectate invers intre baza si masa. In functionarea circuitului (conexiune emitor
comun), curentul rezidual de colector ICB0 se inchide la masa prin intermediul jonctiunii emitorului, intrucat
rezistenta jonctiunii emitorului (direct polarizata) este mult mai mare decat RB2 astfel ICB0 vai fi amplificat
rezultand un curent de colector mare IC=ICE0=(F+1) ICB0 atunci cand RB tinde la infinit.
Conectand o dioda din baza ramasa, curentul invers al diodei va determina o variatie prin jonctiunea
emitorului, dar aceasta in sens invers fata de variatia determinata de ICB.
In practica, in proiectare se va alege dioda astfel incat sa aiba curentul invers egal cu I CB0 (IS=ICB0)
astefel incat efectul lui ICB0 va fi compensat prin inchiderea ICB0 la masa.
Cazul 2: Solutia cu termistor
+EC

RB1

RC

Th

RE

Solutia cu termistor reprezinta o compensare termica generala care include toate cauzele instabilitatii
la variatia temperaturii si reprezinta de fapt introducerea unui termistor in divizorul rezistiv care polarizeaza
baza.
Obs: Termistoarele sunt componente electronice semiconductoare a caror rezistenta electrica variaza cu
temperatura.
Termistoarele sunt de doua tipuri:
Termistoare cu coeficient de temperatura negativ, notate NTC (rezistenta scade la cresterea
temperaturii);
Termistoare cu coeficient de temperatura pozitiv, notate PTC (rezistenta creste cu cresterea
temperaturii).
Cel mai des folosite sunt termistoarele NTC care au proprietatea: rezistenta electrica scade
exponential atunci cand temperatura creste si invers.
Este realizat constructiv sub forma unui disc sau a unei picaturi (perna) la care sunt atasate doua
terminale de conexiune. La fabricatie, pentru obtinerea termsitoarelor NTC, se folosesc oxizi si metale din
grupa fierului: fier, crom, mangan nichel.
Prin impurificare cu atomi straini si generarea de ioni, aceste materiale devin semiconductoare cu
grad mare de conductibilitate si variatia rezistivitatii cu temperatura.
Caracteristica curent-tensiune este urmatoarea:
U

20.21. Cerine de polarizare pentru tranzistoarele bipolare n montaj

colector comun, respectiv baz comun.
-CC

n colector comun, colectorul este comun att

pentru circuitul de intrare ct i pentru cel de ieire.

Rezistorul de sarcin este dispus n emitorul tranzistorului, semnalul de intrare aplicndu-se n baza
acestuia, iar cel de ieire n se culege din emitorul acestuia.
o cretere a curentului din baza tranzistorului determin o cretere a curentului n emitorul acestuia, i cum
tensiunea de ieire este produsul dintre RL i curentul din emitor, rezult c tensiunea de ieire este n faz
cu tensiunea de intrare. Cerinele de polarizare pentru ca tranzistorul s funcioneze n regiunea activ
normal impun ca jonciunea emitorului s fie polarizat direct, iar a colectorului invers.

Soluia cea mai simpl:

ntre cureni avem o relaie: IE=(F+1)IB, aplicnd teorema II a lui Kirkoff pentru ochiul din colectorul
tranzistorului, avem
EC=VCE+RLIE
Pentru ochiul din baz avem
EC=RBIB+UBEsat+RLIE
I E ( F 1) I B

EC VBEsat
IB
RB ( F 1) RL

Din expresia teoremei II a lui Kirkoff pentru ochiul colectorului

E VCD
RL C
IC

Atunci cnd se dorete a se obine pentru semnalul de la ieire o amplitudine maxim

tensiunea colector - emitor este egal cu jumtate din tensiunea de alimentare a montajului. VCE=VCEq=EC/2.
RL=EC/2*IC. Pentru dimensionarea rezistenei din baza tranzistorului putem utiliza expresia dat de teorema
a doua a lui Kirkoff pentru ochiul bazei:
RB

EC RL I E VBEsat
;
IB

n aceleai condiii de amplitudine maxim a semnalului de ieire.

de unde rezult
EC
VBEsat
E
RB 2
RL I E C
IB
2

BC - baza comuna
n cazul montajului baz comun semnalul de intrare este aplicat n emitorul tranzistorului i cel de
ieire cules n colectorul acestuia.

Polarizarea bazei este asigurat prin RB,

condensatorul CB(cale de impedan minim pentru eventualele semnale de AC prezente n baza
tranzistorului). La o cretere a curentului prin emitor rezult o cretere a curentului n colector, de unde
rezult c semnalul de la ieire este n faz cu cel de la intrare. O schem simpl de polarizare:
Conform teoremei II a lui Kirkoff avem: EC=RL*IC+VCE+RE*IE, F>>1, IE=~IC de unde rezult c
EC=IC(RL+RE)+VCE .
Aplicnd teorema II a lui Kirkoff pentru ochiul din baza tranzistorului obinem:
IB

EC VBEsat
RB ( F 1) RE

EC=RB*IB+VBEsat+RE*IE, IE=(F+1)IB; EC=RBIB+VBEsat+RE(F+1)IB, de unde rezult

22. Circuite echivalente de cuadripol

Daca semnalele variabile aplicate unui tranzistor sunt atat de mici incat caracteristicile statice pot fi
aproximate in jurul punctului static de functionare prin linii drepte, tranzistorul poate fi reprezentat printr-un
cuadripol liniar activ in care intrarea si iesirea au o borna comuna. Prin folosirea unui model de circuit poate
fi descrisa functionarea dispozitivelor active si pasive in functie de tensiunile si curentii de la intrare,
respectiv iesire.
Tranzistorul bipolar va fi reprezentat in interiorul unei cutii negre cu variabilele de intrare V in si Iin si
variabilele de iesire Vout si Iout.

Iin

Iout

Vin

Vout

BLACK BOX

Cele patru variabile Vin, Iin, Vout, Iout pot fi masurate si definite matematic ca functie de fiecare altul.
Astfel, daca tensiunea de intrare Vin a fost definita ca o functie de I in si Vout iar curentul de iesire Iout a fost
definit ca o functie de Iin si Vout se va obtine un model de circuit hibrid.

(Vin=f1(Iin, Vout), Iout=f2(Iin, Vout))

De fapt, exista sase moduri de alegere a variabilelor independente, dar cel mai utilizat este modelul
cu parametri hibrizi:

Vin=f1(Iin, Vout)
Iout=f2(Iin, Vout)

(1)
(2)

Diferentiem ecuatiile 1 si 2 si vom avea:

f 1
f
dI in 1 dVout
I in
Vout
dVin=

(1)

f 2
f
dI in 2 dVout
I in
Vout
dIout=

(2)

Deoarece se lucreaza in curent alternativ, se va considera:

dVin= Vin=vin
dVout=Vout=vout

dIout=Iout=iout
dIin=Iin=iin
Atunci vom avea:

f 1
f
diin 1 dvout
I in
Vout
vin=

(5)

f 2
f
diin 2 dvout
I in
Vout
iout=

(6)

Definind derivatele partiale:

f 1 Vin

h11
I in I in
[]-rezistenta de intrare

Vin
f 1

h12
Vout Vout
adimensional-tensiune reactie inversa

f 2 I out

h21
I in I in
adimensional-castig curect direct

I
f 2
out h22
Vout Vout
[-1]-conductanta de iesire

Susbtituim relatiile h11, h12, h21, h22 in ecuatiile (5) si (6) si vom avea:
vin= h11iin+ h12vout
iout= h21iin+ h22vout
aceste ultime doua ecuatii pot fi ilustrate ca un model de circuit hibrid, dupa cum urmeaza:
model de circuit cu parametri hibrizi:

(A)

vout
iout

iin

vin

Circuitul de intrare al modelului cu parametri hibrizi este descris de ecuatia tensiunilor (Kirchhoff 2)
pe ochiul de intrare, iar circuitul de iesire al modelului cu parametri hibrizi este descris de ecuatia curentilor
(Kirchhoff 1) in nodul (A) de la iesire.
Daca tensiunea de iesire de curent alternativ vout=0, ecuatiile vin si iin se vor reduce la:

vin
iin
h11=

-rezistenta de intrare cu iesirea in scurtcircuit

iout
iin
h21=
-castig curent direct cu iesirea in scurtcircuit
In schimb, daca iin=0, ecuatiile vin si iout se vor reduce la:

vin
v out
h12=

-tensiune reactie inversa cu intrarea in gol

iout
v out
h22=

-conductanta de iesire cu intrarea in gol

23. Modelul de circuit cu sarcin.

Pentru o analiz complet a tranzistorului n curent alternativ trebuie s lum n considerare existena
unei surse de semnal la intrarea circuitului, precum i a unei rezistene de sarcin pe care acesta debiteaz.
vin=Vg-Rgiin
vout=-RLiout
Tensiunea culeas pe RL este de polaritate negativ datorit sensului curentului prin acest rezistor.
vin h11iin h12 vout (1)

iout h21iin h22 vout (2)

v V R i (3)
g
g in
in
v
out RLiout (4)

Se poate determina din (1), (2), (3) i (4) urmtoarele: Ai , (amplificare n curent)Av,
(amplificare n tensiune) Rin,(rezisten de intrare) Rout,(rezisten de ieire) Pg .(amplificare n putere).
Parametrii hibrizi ai dispozitivului din interiorul cutiei negre nu se modific prin modificarea rezistenei de
sarcin sau a sursei de semnal de la intrare. Rezult c modificri ale Ai, Av, respectiv Ri, Rout, nu nseamn
c se modific valorile numerice ale parametrilor hibrizi h. n practic parametrii hibrizi utilizeaz o alt
simbolistic n care semnificaia indicilor este: i rezisten de intrare, r factor de transfer n tensiune
invers, f factor de ctig n curent direct, o conductan de ieire, iar al doilea indice reprezint: e
montaj emitor comun, b montaj baz comun, c montaj colector comun. n montaj emitor comun:

vBE=hieiB
+hrevCE; iC=hfeiB+hoevCE
n situaiile practice cu ct un tranzistor se apropie de condiia ideal factorul de reacie n tensiune invers
este nul, iar rezistena de ieire a tranzistorului este infinit, circuitul echivalent de cuadripol devine:

vBC hieiB
i h i
C
fe B

n condiia tranzistorului ideal Ai=hfe, Av=-(hfe*RL)/hie, Rin=hie, Rout=.

24. Tranzistorul bipolar in regim de comutatie.

Functionarea in regim de comutator a unui dispozitiv electronic, presupune trecerea brusca din starea
de blocare in starea de conductie (comutatie directa) si din starea de conductie in starea de blocare
(comutatie inversa).

Tranzistorul este blocat cand ambele jonctiuni sunt polarizate invers, curentul de colector avand in
acest caz o valoare foarte mica.
In conexiune EC, tranzistoarele cu Ge nu pot fi blocate prin anularea curentului de baza deoarece
ICE0=(+1). ICB0 este mare (punctul A). Din aceasta cauza, in starea blocata la tranzistoarele cu Ge se aplica
o tensiune de polarizare inversa in jonctiunea emitoare, punctul reprezentativ al starii blocate fiind A. La
tranzistoarele cu SI, punctele A si A coincid si se situeaza practic pe axa VCE, incat blocarea tranzistorului se
poate face numai prin intreruperea curentului de baza.
Starea de conductie a tranzistorului se alege de regula in regiunea de saturatie sau la limita ditnre
regiunea activa si de saturatie (punctul B). La intrarea in saturatie, tensiunea VCE are valori cuprinse in
intervalul (0 - 0.5) V, care pot fi considerate neglijabile in raport cu tensiunea de alimentare EC.
In consecinta, valoarea curentului de colector la saturatie este:
E C V CEsat EC

ICS=
RC
RC
La limita dintre regiunea activa normala si regiunea de saturatie, acestui curent de colector ii
corespunde curentul de baza de saturatie:
I CS
EC

IBS= F F RC
Oricat de mult se mareste in continuare curentul de baza peste valoare IBS, curentul de colector
ramane la valoarea ICS.
Din aceasta cauza, in regiunea de saturatie:
|IC| <F |IB|

Pana in momentul t0 presupunem ca tranzistorul era blocat (IB 0 , IC 0 . In acest moment,

tensiunea la intrare isi schimba prin salt valoarea, de la E2>0 la E1<0.
Curentul de baza variaza si el aproape prin sal, de la zero la IB1=E1/RB. Curentul de colector nu incepe
sa creasca insa imediat. Este necesar un anumit timp pentru ca purtatorii injectati de emitor in baza sa
ajunga la colector.
Intervalul de timp scurs de la aplicarea comenzii de comutatie pana la momentul cand curentul de
coelctor incepe sa creasca defineste timpul de intarziere ti.
Dupa ce tranzistorul intra in regiunea activa, (t1), curentul de colector nu creste brusc la valoarea ICS.
Se defineste timpul de crestere sau ridicare (tr) ca intervalul de timp in care valoarea curentului de colector
creste de la zero la 0,9 din valoarea finala.
Timpul de comutatie directa(tcd) se defineste ca intervalul de timp scurs de la aplicarea comenzii de
comutatie pana in momentul in care curentul de colector ajunge la 0,9 din valoarea finala:
tcd=ti+tr
Mai departe, tranzistorul ramane in starea de conductie, cat timp tensiunea la intrare se mentine
constanta.
Presupunem ca la momentul t3, tensiunea la intrare variaza brusc la valoarea E2, care polarizeaza
invers jonctiunii emitorului. Curentul de baza isi schimba brusc semnul, luand valoarea IB2=E2/RB. Curentul
de colector nu tinde imediat la zero. Acest fenomen se aplica prin aceea ca la saturatie se acumuleaza in
regiunea bazei un surplus de sarcina electrica. La comutatia inversa, curentul de colector ramane constant
pana se evacueaza acest plus de sarcina stocata in regiunea bazei.

Intervalul de timp tS, scurs de la aplicarea comenzii de comutatie inversa pana in momentul (t4) cand
curentul de colector incepe sa scada este numit timp de stocare.

25. Tranzistorul cu efect de camp cu jonctiune

Tranzistorul cu efect de camp cu jonctiune (TECJ) propus de Shockley in 1952, este in esenta un
rezistor a carui sectiune este controlata de grosimea regiunii de sarcina spatiala a unei jonctiuni p-n.
Termenul de efect de camp este legat de faptul ca scurgerea curentului prin dispozitiv este controlata de un
camp electrostatic (tensiunea aplicata jonctiunii). FET-ul este numit diposizitiv unipolar deoarece curentul
este produs fie numai de electroni, fie numai de goluri.
Exista doua categorii mari de FET-uri:
- cu jonctiune, JFET;
- cu metal oxid semiconductor, MOSFET.
In comparatie cu BJT, FET-ul are o mult mai mare rezistenta de intrare, fara a avea tensiune de offset
(decalaj).

Figura de mai sus ilustreaza o sectiune transversala printr-un JFET de tip n. Canalul este realizat
dintr-un material semiconductor de tip n (strat epitaxial) cu contacte ohmice la cele doua capete. Unul din
acestea este botezat sursa (S), iar celalalt drena (D).
Pentru ca sa se obtina un bun contact ohmic la stratul epitaxial n, de rezistivitate relativ mare, este
necesar sa se mareasca concentratia de impuritati din zona de contact prin tehnici de difuzie (zone marcate
cu n+).
Pe ambele parti ale canalului, este format un material de tip p prin difuzie. Conexiunea in paralel a
celor doua zone p formeaza poarta G a dispozitivului.
Poarta de tip p impreuna cu canalul de tip n formeaza jonctiuni p-n, luand astfel nastere
tranzsitorul JFET.
In functioneaza JFET-ului, jonctiunile p-n sunt rareori polarizate direct si prin urmare nu exista
tensiune de offset. In fapt, jonctiunile p-n sunt polarizate invers, iar grosimea regiunii de sarcina spatiala
asociata jonctiunii, face ca sectiunea conductiva a canalului (regiunea n neutra) sa fie mai mica decat
distanta fizica dintre cele doua jonctiuni.
Deoarece jonctiunile sunt polarizate invers, rezistenta de intrare a dispozitivului este foarte mare.
Sectiunea conductiva a canalului este controlabila electric prin diferenta de potential care exista intre poarta
si canal. Efectul de camp, care se obtine, este aproximativ simetric fata de axa longitudinala a dispozitivului.
Daca cele doua regiuni de tip p nu sunt legate impreuna, un al patrulea electrod, indepent poate fi folosit,
caz in care se obtine tetroda cu efect de camp.
Mijloacele de control a scurgerii curentului prin canal sunt ilustrate in figura de mai jos:

Tensiunea VDS este aplicata in lungul canalului dispozitivului la terminalele D si S. Curentul de

electroni intra pe la terminalul sursa si iese pe la terminalul dren al dispozitivului. Daca regiunea de tip p
nu ar fi prezenta, curentul prin canal va fi o functie de tensiune dintre terminalele dren si sursa, VDS, si
derezistenta canalului.
Insa regiunea de tip p exista, formand o jonctiune cu canalul, si fiind polarizata invers, o regiune d
eepuizare va exista in canal. Daca tensiunea de poarta sursa V GS este majorata la o asemenea amplitudine,
astfel ca cele doua regiuni de epuizare se vor atinge, curentul de drena I D va fi zero. Marimea lui VGS care
face ca intensitatea curentului de drena sa fie redusa la zero este numita tensiune de taiere.
Intinderea regiunilor de epuizare in canal este determinate de VGS. Astfel curgerea curentului prin
canal este controlata de marimea tensiunii poarta-sursa VGS.

26. Curbele caracteristice de drena ale unui TECJ

Schema principala de circuit pentru obtinerea curbelor de iesire caracteristice, ale unui tranzistor
JFET este arata in figura de mai jos:

Curbele caracteristice de iesire ilustreaza grafic relatiile intre curentul de iesire ID, tensiunea poarta
sursa VGS, si tensiunea dren-sursa VDS. Curbele trasate sunt divizate in doua parti, separate prin linie
intrerupta. Regiunea din stanga liniei intrerupte este numita regiunea liniara sau ohmica, iar cea de la
dreapta regiunea saturat sau de curent constant.
In regiunea liniara, tensiunea dren surs VDS este egala cu diferenta intre tensiunea poarta-sursa VGS
si tensiunea de taiere VP. La aceasta marime a lui VDS, curentul de drena creste liniar deoarece rezistenta
canalului este constanta. Odata ce VDS creste dincolo de VGS VP, rezistenta canalului devine foarte mare, un
current constant ID urmand a curge pentru valori particulare ale lui VGS.
Daca tensiunea VGS este egala cu zero, punctual la care ID devine o constanta este numit current de
saturatie si este notat IDSS. Teoria arata ca saturatia corespunde momentului in care canalul este strangulate
langa drena.

Atunci cand VDS depaseste VDSssat cu o mica cantitate V, regiunea de sarcina spatiala traversata de
curentul de drena are grosimea . Cum caderea de tensiune pe canalul conductiv este VDSsat, rezulta ca
tensiunea ce cade pe stratul de sarcina spatiala de grosimea va fi V. De aici si existenta unui camp electri
longitudinal intens care antreneaza electronii spre drena. Acesti electroni traverseaza regiunea de sarcina
spatiala exact in acelasi mod in care electronii minoritari in baza unui tranzistor npn sunt antrenati de
campul electric peste regiunea de bariera a colectorului.

27. Polarizarea TECJ. Solutia cu autopolarizare si

Solutia cu divizor rezistiv pe poarta
Pentru functionarea in zona liniara, TECJ-ul este actionat cu o tensiune de poarta negativa in raport
cu sursa.

In figura a de mai sus este ilustrata o configuratie de circuit care este numita autopolarizarea TECJului. Polarizarea este asigurata prin caderea de tensiune data de curentul de sursa IS=ID pe rezistenta RS.
Aceaste tensiune este aplicata pe poarta prin care rezistenta Rg, care are valori de ordinul M-lor,
dezvoltand astfel tensiunea de polarizare necesara functionarii in regiunea liniara. In practica, rezistorul
sursa este suntat de un capacitor, din punct de vedere al semnalului mic. Valori mai mari pentru RG nu sunt
recomandata, deoarece curentul continuu invers pe poarta, desi mic, da o cadere de tensiune apreciabila pe o
rezistenta Rg prea mare (de exemplu: Ig=10nA pe Rg = 1000M da o cadere de tensiune VGS=Ig Rg=1V.
Aceasta variatie a tensiunii poarta-sursa este nereproductibila si creste rapid cu temperatura
(deoarece IG este curentul invers al unei jonctiuni p-n).
Deoarece VGS= -RS*ID punctul de functionare in planul caracteristicii de transfer poate fi determinat
prin intersectia acesteia cu linia de polarizare, a carei ecuatie este data de relatia VGS= -RS*ID .
Datorita dispersarii caracteristicilor, caracteristica ID = ID(Vcs) nu este insa singura. Au fost
reprezentate in figura c caracteristicile de transfer extreme, care au in vedere atat dispersia de la un exemplar
la altul, cat si variatia cu temperatura pentru un tip de tranzistor.

In figura a de mai sus este ilustrata o metoda de polarizare cu divizor rezistiv pe poarta, care
incorporeaza caderea de tensiune pe rezistorul sursa RS si caderea de tensiune pe rezistorul R2.
Aceasta metoda de polarizare in aparenta este similara cu metoda de polarizare universala discutata
cu tranzistoarele bipolare. Reteaua de polarizare va stabiliza punctul de functionare static al circuitului la
schimbari ce au loc in parametrii dispozitivului.
Se poate observa ca pentru caderea de tesniune pe R2 se gaseste:
VR2=ID*RS+VGS
Curentul de drena pentru TECJ este dat de relatia:

V GS
ID=IDSS(1- V P
2
Pentru valorile maxime ale lui VP si IDSS ecuatiile de mai sus devin:

I Dmax
)
VGSmax=VPmax (1 I
DSSmax
VR2=IDmax*RS+VGsmax

28. Tranzistorul MOS cu canal initial

Este un dispozitiv electronic bazat pe conductia curentului electric la suprafata semiconductorului.

De notat ca in cazul acestui tranzistor nu sunt jonctiuni p-n ca in cazul TECJ-ului. Canalul mic de
tip n pentru inchiderea curentului exista intre doua puturi. Contactele sunt luate de la cele doua puturi si
sunt numite sursa sau drena.
MOSTEC-ul are o rezistenta de intrare foarte mare deoarecere poata este izolata de canal printr-un
strat de oxid. Poarta impreuna cu canalul formeaza un capacitor. Poarte este realizata, de regula, din
aluminiu, dar poate fi realizata si din alte materiale (siliciu policristalin puternic dopat).
Daca un potential pozitiv este aplicat terminalului poarta in raport cu sursa, datorita actiunii
capacitorului, o sarcina negativa este indusa in regiunea canalui de tip n. Sarcina negativa indusa in canal
reduce rezistenta canalului. Deoarece in canal exista mai multi purtatori de sarcina negativa, ID creste.
Daca un potential negativ este aplicat pe poarta in raport cu sursa, din nou datorita actiunii
capacitorului, o sarcina pozitiva este indusa in canal, crescand rezistenta acestuia. Datorita purtatorilor de
curent saraciti in canal, ID scade.
Prin urmare conductivitatea canalului este modificata potrivit cu polaritatea si marimea potentialului
aplicat pe poarta dispozitivului. Un potential VGS pozitiv acumuleaza in canal purtatorii de curent
suplimentar, si un potential VGS negativ saraceste canalul, provocand scaderea purtatorilor de sarcina.
Deoarece rezistenta de intrare este foarte mare, sarcina statica se poate acumula pe poarta si
strapunge invelisul de oxid. Pentru ca dispozitivul sa nu fie avariat cand nu este in circuit, terminalele sunt
frecvent conectate impreuna printr-o foita de metal care previne incarcarea cu sarcina a portii. Producatorii
recomanda ca atunci cand se lucreaza cu MOSTEC-uri sa nu fie scoasa foita pana ce dispozitivul nu este
plasat in circuit si ca uneltele (pistol de lipit, patent etc.) sa fie legate la masa.
Unii producdtori produc MOSTEC-uri cu o dioda Zener intre terminalele poarta-sursa ale
dispozitivului. Dioda Zener conduce daca tensiunea poarta-sursa depaseste tensiunea Zener, prevenind ca
urmare distrugerea MOSTEC-ului.
In concluzie rezulta ca un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poarta.
Daca VGS > 0, regimul de lucru se numeste regim de imbogatire, datorita cresterii concentratiei de electroni
in canal; daca VGS < 0, regimul poarta denumirea de regim de saracire si duce la scaderea concentratiei
de electroni din canal pana la disparitia lui (VGS= VP).

29. Tranzistorul MOS cu canal indus

Un asemenea tranzistor TECMOS este construit cu doua puturi de tip "n" si fara canal atat timp cat
tensiunea de poarta VGS < VP. Terminalul poart este metalic. Poarta si substratul "p" formeaza un capacitor.
Un potential pozitiv la terminalul poarta in raport cu sursa face ca o sarcina negativa sa fie indusa in
aria de sub zona portii.
Daca tensiunea portii este destul de mare, un canal negativ este indus intre cele doua puturi de tip
"n". Cu un canal de sarcina negativa intre cele doua puturi, curentul poate curge intre surse si drena. Ca
urmare canalul este imbogatit de un potential pozitiv la poarta dispozitivului.

De notat ca TECMOS-ul ia mai putin spatiu fizic la constructie decat o face tranzistorul bipolar.
Spatiul fizic reprezinta un considerent foarte important in cazul circuitelor integrate.

30. Polarizarea tranzistorului TECMOS cu canal iniial.

(1)
(2)
Dou soluii de polarizare (1) autopolarizare (2) circuit universal de polarizare cu divizor rezistiv
pe poart.
(1) tensiunea necesar polarizrii tranzistorului este culeas pe rezistena RS, fiind produs de curentul
propriu al tranzistorului. iD; IS=ID>>IG.

n cazul circuitului cu divizor

rezistiv, tensiunea de polarizare necesar:

R2
VGS VDD
RS I D
R1 R2

n circuitul din soluia cu autopolarizare tensiunea de polarizare fiind cea culeas pe RS cu (+) n surs i la
mas pentru ca potenialul porii s fie acelai cu al masei montajului este necesar s avem pe RG o cdere
de tensiune neglijabil. RG, rezistorul de sarcin pentru semnalul util aplicat n poarta tranzistorului. Ar fi de
dorit ca RG s fie de valori ct mai ridicate. Compromisul dintre cele dou cerine, IG nanoAmperi, rezult
c vom alege pentru RG valori de ordinul M. VGS=-RSID ecuaia dreptei de negativare Pentru ochiul de la
ieire avem:
VDD=RLID+VDS+RSID;
CS impedan de valoare redus pentru semnale alternative din surs, n DC funcioneaz ca un
ntreruptor deschis
VDD=VDS+(RL+RS)ID ecuaia dreptei statice de sarcin
n AC RS este untat de CS, sursa de alimentare VDD lucreaz ca un scurtcircuit 0=vDS+RLiD vDS=-RLiD
ecuaia dreptei dinamice de sarcin. n planul caracteristicii de transfer se determin punctul static de
funcionare la intersecia caracteristicii respective cu dreapta de negativare, acest punct proiectat pe dreapta
static de sarcin determin punctul static de funcionare n planul caracteristicii de ieire, unde poate fi
dus i dreapta dinamic de sarcin. Frecvent se pune problema proiectrii unui circuit care s asigure un
anumit PSF pentru tranzistor, caracterizat de iD, vGS, punct situat n regiunea de saturaie, punct situat n
regiunea de saturaie. Pentru determinarea PSF-ului de la parametrii tranzistorului, ID,VP precum i de la
tensiunea de alimentare VDD.

31. Polarizarea TECMOS cu canal indus.

In cazul tranzistoarelor MOS cu canal indus, tensiunile de poarta si de drena au aceeasi polaritate, un
asemenea tranzistor neconducand pana ce o tensiune poarta-sursa pozitiva nu este prezenta. Ca urmare,
pentru functionarea liniara a dispozitivului, pentru un dispozitiv TECMOS de tip "n" este necesara o
tensiune de polarizare pozitiva.

Deci se poate folosi un circuit simplu de polarizare, cu o singura sursa de c.c.(figura a). Tensiunea
aplicata pe poarta este determinata de divizorul rezistiv R1, R2:
R2
VGS=VDD* R 1+ R 2
Pe baza caracteristicilor de transfer se poate determina ID.
Determinarea prin metoda grafica a punctului static de functionare M se face cu ajutorul
caracteristicilor statice de iesire si a dreptei de sarcina, a carei ecuatie este:
VDD=RD*ID*VDS
Prin calcul, cunoscand parametrii VP si IDSS ai tranzistorului, ID in regiunea de saturatie (TEC
lucreaza in aceasta regiune, in etajele de amplificare) se determina cu relatia aproximativa:
V GS 2
ID=IDSS(1- V P
In situatiile cand se impune rezistenta de intrare foarte mare, divizorul din poarta R1 si R2, se
realizeaza cu rezistente de ordinul M -lor, iar tensiunea de polarizare se transmite grilei printr-o rezistenta
R3 de valoare mare, egala cu rezistenta de intrare impusa.
Se mai observa cum se modifica punctul static de functionare la cresterea temperaturii. Daci aceasta
modificare nu poate fi tolerata, se introduce in serie cu sursa o rezistenta Rs, care are efect stabilizator.

32. Tranzistorul unijonciune.

Aceste tranzistoare sunt realizate dintr-o bar de semiconductor de tip n, la capetele fiind realizate
dou contacte ohmice baze: B1,B2. n zona median prin difuzie este creat o regiune semiconductoare de
tip p i ca urmare o jonciune p-n ia natere, la regiunea p este dispus cel de-al treilea terminal, botezat
emitorul tranzistorului, cnd ntre B1 i B2 se aplic 10V, ca urmare dac ntre emitor i B1 avem o tensiune
aplicat <5V, ntre emitor B1 are loc o injecie de goluri i deci curentul care apare ia valori reduse de
ordinul A. Cnd tensiunea aplicat n emitor >5V n semiconductorul n apar purttori de sarcin e-,
dispozitivul se comport ca o rezisten negativ, curentul crete, iar tensiunea culeas pe dispozitiv scade.
Dup punctul V dispozitivul se comport asemenea unei diode semiconductoare aflat n conducia direct.
Pentru aceste dispozitive sunt specificate n cataloage, curentul i tensiunile punctelor: M,V.

33. Tiristorul
Const din 4 regiuni semiconductoare, cte dou de polaritate complementar, dispuse alternant. Din
punct de vedere al profilului de dopare, regiunile extreme sunt puternic dopate, regiunile mediane sunt slab
dopate. Dispozitivul are 3 terminale, dou fiind A, K, la regiunile extreme, cel de-al treilea, poarta, la
regiunea median p.

Presupunem dispozitivul
intercalat ntr-un circuit, coninnd sursele S1, S2 i ntreruptoarele k1, k2, presupunem c avem intercalate
n serie un ampermetru.
k1 nchis, S1 cu polaritatea figurat
n acest caz jonciunile extreme ale dispozitivului sunt polarizate direct, jonciunea median
polarizat invers. Aproape ntreaga tensiune de la bornele sursei S1 cade de jonciunea median polarizat
invers, rezult c curentul ce se stabilete prin dispozitiv este de valoare redus. Considerm c inversm
polaritatea sursei S1, k2 deschis, cu aceast nou polaritate jonciunile extreme sunt polarizate invers,
jonciunea median polarizat direct. Curentul ce se stabilete este i mai mic n raport cu cel prezent n
situaia anterioar.

S considerm c revenim la
polaritatea anterioar a sursei S1 i n plus nchidem k2. Pentru a nelege fenomenul care permite aprinderea
tiristorului, considerm dispozitivul ca fiind realizat prin juxtapunerea a dou tranzistoare bipolare de
polaritate complementar.

k1, k2 nchise, jonciunea emitorului tranzistorului T1 este polarizat direct rezult c e- majoritari n E1 vor
difuza spre baza B1 unde doar puini dintre ei se vor recombina cu golurile majoritare aici, majoritatea e- vor
fi antrenai n colectorul C1 al tranzistorului T1, rezult c T1 trece n stare de conducie i potenialul negativ
este transferat n baza B2 a tranzistorului T2.Cum n emitorul lui T2 se aplic un potenial pozitiv (+), rezult
c jonciunea emitorului tranzistorului T2 este polarizat direct, ca urmare, golurile majoritare n E2 vor fi
antrenate prin difuzie n baza B2 , majoritatea lor fiind captate de colectorul C2 al tranzistorul T2. T2 este n
stare de conducie i ca urmare potenialul pozitiv din anodul tranzistorului este transmis prin baza B1 a lui
T1 - reacia de curent intervine, i dup acest moment dispozitivul rmne n stare de conducie chiar dac
k2 este deschis. Stingerea dispozitivului poate avea loc doar dac tensiunea aplicat este redus la 0, sau
dac curentul scade sub o anumit valoare, numit curent de meninere IH(HOLD). Circuitul de poart
pentru tiristor poate fi dimensional fie pentru funcionare n (1) regim permanent, fie (2) regim de
funcionare n impulsuri de scurt durat.
(1) amorsarea se face n DC
(2) pentru curent de comand care circul un timp scurt
Stingerea tiristorului poate avea loc chiar la valoarea IH a curentului numai dac scderea respectiv de
curent este suficient de lent pentru a permite recombinarea purttorilor de sarcin. La viteze mai mari de
scdere a curentului stingerea poate avea loc la valori mai mici ca IH sau chiar pentru valori negative () ale
curentului.

34. Tranzistorul unijonctiune programabil

Tranzistorul unijoncfiune programabil (TUP) este un alt dispozitiv PNPN, cu poarta la regiunea N
(tiristorul are poarta la regiunea P). Asemenea tiristorului, odata TUP-ul adus in starea ''on", poarta lui
pierde controlul. Pentru a-l readuce in stare "off", tensiunea ce cade pe dispozitiv trebuie sa fie redusa la 0
volti, sau curentul prin dispozitiv sa fie redus la o aceeasi valoare minima.

A fost aratata in figura de mai sus o configuratie de circuit comuna pentru un TUP. Tensiunea la
poarta VG este determinata prin divizorul de tensiune R1 si R2. Cum VG este negativ in raport cu VE, TUP-ul
va trece din starea "off" in starea "on". Odata adus in starea "on", poarta pierde controlul asupra
tranzistorului. Aducerea lui in starea "off", se face atunci cand tensiunea de pe dispozitiv este redusa la "0
volti".

Figura de mai sus arata un oscilator cu TUP. Tensiunea pe condensatorul C va creste exponential, crestere
exprimata prin relatia:

VC=V [ 1exp (t /RC ) ]

35. Pori cu diode

Cele dou
regimuri la care se poate gsi o diod semiconductoare permite utilizarea acesteia n diferite circuite de
prelucrare a semnalului.
VG sursa de control a porii
VS sursa de semnal, rezistena sa intern RS
D diod
Atta timp ct VG>0 dioda D este polarizat direct i ca urmare Vo, tensiunea de ieire este egal cu cderea
de tensiune pe o jonciune polarizat direct. Circuitul lucreaz ca un scurtcircuit pentru sursa de semnal,
rezult c poarta este nchis.
n momentul n care VG<0, D este polarizat invers, iar pentru frecvene joase, situaii n care capacitatea
jonciunii prezint o admitan neglijabil, Vo la bornele D va fi semnalul aplicat la intrare atenuat prin
factorul: RS/(RS+RG) i deplasat cu tensiunea continu VRS/(RS+RG). Astfel circuitul lucreaz ca o poart

deschis. Pentru cele dou regiuni de funcionare, schema echivalent de funcionare:

Pentru regimul de poart nchis dioda a fost modelat:

rd=KT/(qID); ID=V/RG.
n regimul de poart deschis atunci cnd VG<0 D a fost modelat prin capacitatea jonciunii, situaie n care
tensiunea de la ieire este superpoziia dintre semnalul alternativ de la intrare i o component continu -
RS/(RS+RG).
Acest montaj poate lucra pn la zeci de kHz prezentnd limitri. Astfel dac semnalul de AC de la intrare
prezint unele extreme mai mari ca 0 acele extreme pot aduce dioda n stare de conducie atunci cnd
aceasta ar fi trebuit s fie blocat, adic poarta s fie deschis. Semnalul ce apare la ieire este limitat. Dac
semnalul de la intrare prezint o serie de extreme negative, acestea pot aduce o diod n stare blocat, atunci
cnd ea trebuie s fie n stare de conducie. Ea comportndu-se ca o poart nchis, astfel, acele extreme
negative vor fi lsate s treac la ieirea circuitului.

36. Redresoare monofazate monoalternan.

n semialternana pozitiv,
considernd c dioda este una de tip ideal, de ndat ce V>0 dioda trece n stare de conducie, iar VL
urmrete practic tensiunea de la intrare. n momentul n care V<0 anodul diodei este mai negativ n raport
cu catodul i ca urmare dioda trece n stare blocat, VL=0 pe durata acestei semialternane. Componenta
continu a tensiunii redresate este valoarea medie a tensiunii trasate cu linie continu groas.

V
V
VCC n sin d n
2 0

V
Vn
I CC CC
RL
RL

Discuia poate fi nc mai detaliat dac lum n considerare:

1) situaia cnd sursa de curent alternativ prezint o rezisten intern apreciabil, ce nu poate fi neglijat

2)

atunci cnd
tensiunea redresat este de valoare mic, sub 10V. Cderea de tensiune pe dioda polarizat direct
reprezint o fraciune important din tensiunea redresat i nu mai poate fi neglijat.
Se observ c tensiunea pe sarcin VS nu mai atinge vrful Vm ci vrful este atenuat prin factorul VmRL/
(RG+RL). Componenta continu a tensiunii redresate este afectat prin acelai factor.

n situaia n care
tensiunea redresat este sub 10V nu mai putem considera situaia ideal ci considerm dioda ideal inseriat
cu o surs de tensiune electromotoare Vo care este egal cu tensiunea de prag a diodei. Astfel dioda conduce

de ndat ce V>VP i nu V>0. Tensiunea pe sarcin nu atinge Vm ci Vm-Vo. Din formele de und prezentate
se observ c tensiunea pe sarcin prezint o ondulaie care deranjeaz. Respectiv excursia vrf la vrf a
tensiunii pe sarcin este egal cu excursia de vrf a tensiunii alternative de la intrare.

37. Redresoare monofazate bialternanta

Practic se poate realiza o dublare a componentei continue a tensiunii redresate dac se adopt alte soluii
pentru circuitul de redresare. Se pot obine circuite de redresare bialternan, astfel:
1) n punte
2) cu priz median.
Soluia (2) presupune utilizarea unui transformator de reea cu nfurarea secundar de construcie special
avnd scoas n exterior o priz median. n secundarul transformatorului obinem dou tensiuni egale n
valoare absolut, dar defazat una n raport cu cealalt cu 180 de grade()

n semialternana pozitiv a lui v21 anodul lui D1 este mai pozitiv n raport cu catodul, tensiunea e RL
urmrete tensiunea v21. Cum v22 este n semialternana negativ anodul lui D2 este mai negativ n raport cu
catodul, de unde rezult c D2 este blocat pe acest interval. n intervalul de timp urmtor v22>0 i v21<0 astfel
D1 este n stare blocat i D1 este n stare de conducie. n acest interval de timp tensiunea pe RL urmrete
tensiunea v22. Se observ c pentru componenta continu a tensiunii VCC=2Vm/; ICC=2Vm/(RL). Se pot
obine aceleai valori pentru componentele continui fr a mai apela la un transformator de reea, de o
asemenea construcie dac utilizm o schem de redresare n punte.

n schema utilizat, diodele D1,D2,D3,D4 sunt dispuse n braele unei puni. n semialternana negativ a
tensiunii de la intrare, anodul lui D1 este mai pozitiv n raport cu catodul, iar catodul lui D3 este mai negativ
n raport cu anodul, de unde rezult c D1,D3 sunt n stare de conducie. Din raiuni similare D2,D4 sunt n
stare blocat. Plusul sursei se transmite prin D1 la borna + a lui RL, iar minusul sursei se transmite prin D3 la
borna a lui RL. n semialternana negativ a tensiunii alternative de la intrare se constat c anodul lui D2
este mai pozitiv n raport cu catodul, iar catodul lui D4 este mai negativ n raport ci anodul; rezult D2,D4
sunt n stare de conducie, iar D1, D3 sunt n stare blocat. Plusul sursei este transmis tot la borna + a lui RL,
iar tot la borna a lui RL.

38. Filtrarea ondulaiilor.

Din cele prezentate dei am obinut o dublare a componentei continue a tensiunii redresate, modulaia
tensiunii de la ieire este practic apreciabil, de unde rezult c avem o component alternativ de acelai
ordin de mrime cu componenta continu dorit la ieire. Se poate reduce modulaia dac se procedeaz la
filtrarea tensiunii redresate cu elemente pasive, bobine i capacitoare, cel mai frecvent apelndu-se la un
filtru de tip capacitiv.

n schema redresorului monofazat

monoalternan n paralel cu RL a fost dispus un capacitor C. Prezena capacitorului prin sarcina ce se
acumuleaz pe el modific intervalele de comand ale diodei redresoare D, rezultnd c dioda trece n stare
de conducie cnd tensiunea alternativ de la intrare devine mai pozitiv dect cderea exponenial de
tensiune de la bornele condensatorului. Dioda trece n stare blocat cnd curentul este invers fat de
conducie.
Dioda D trece n stare de conducie la timpii t0,t2 i este n stare blocat la timpii t1,t3. t reprezint intervalul
de conducie i este cu att mai mic cu ct constanta de timp a circuitului RLC este mai mare n raport ce
perioada tensiunii alternative de la intrare.

39. Stabilizator serie de tensiune

Schema circuitului stabilizator de tensiune folosit impreuna cu redresorul monoalternanta.

Un singur tranzistor este conectat intre iesirea redresorului si rezistorul RL, care reprezinta sarcina
sistemului. Pentru a rnentine constant potentialul bazei, in raport cu masa, in baza tranzistorului este
conectata o dioda Zener. Rezistorul RS asigura atat curentul diodei Zener cat si curentul in baza
tranzistorului.
Schema circuitului echivalent

40. Amplificator cu emitorul comun

Circuitul prezentat mai sus reprezinta unul din modurile in care un tranzistor bipolar p-n-p poate fi
folosit in circuit ca ventil de control. Colectorul si emitorul fac parte dintr-un ochi ce contine o sursa de
tensiune continua, de valoare constanta, EC si o sarcina, constituita din rezistenta R L. Circuitul de intrare,
alcatuit din EB si RB este conectat intre o baza si emitor.
Deoarece terminalul emitorului face parte atat din ochiul de intrare cat si din cel de iesire circuitul
acesta foreaza exemplul tipic de configuratie cu emitorul comun. Desi amplificatorul poate lucra si asa cum
este desenat, este necesara o configuratie de circuit putin mai complicata pentru a asigura o functionare
corecta intr-un intreg domeniu de temperaturi.
Sa determinam pentru acest amplificator elementar tensiunea de iesire E O in functie de tensiunea
surse EC si tensiunea de intrare EB. Pentru polaritatea indicata a tensiunii E B. Pentru polaritatea indicata a
tensiunii EB jonctiunea emitorului va fi polarizata direct. Jonctiunea colectorului va fi polarizata invers in
cazul cand curentul de colector nu este prea mare. Este necesar ca:
-IC*RL < EC
Daci este indeplinita aceaste conditie, tranzistorul poate fi reprezentat printr-un circuit echivalent
simplu, in care dioda fiind in permanenta deschisa, a fost inlocuita printr-un scurtcircuit.

Acum, avand de-a face cu o retea electrica obisnuita, curentul de baza poate fi calculat direct:
IB =

EB
RB

relatia de la iesire este de asemenea foarte simpla:

EC E0 = RL*IC

si deci:

E0=EC RL*IC

sau

E0=EC F*IB*RL

41. Amplifcator echilibrat de curent continuu(c.c)

Pentru a obtine un aparat de masura satisfacator, este esential sa se elimine tensiunea VO din valoarea
masurata.
Acest lucru se poate reazliza cu urmatorul circuit, prezentat in figura de mai jos:

Pentru a infatisa asemanarile functionale de baza intre circuitele cu tranzistoare pnp si npn, au fost
introduse in acest circuit tranzistoare npn. Circuitul a fost construit prin punerea laolalta a doua circuite
simple cu emitorul comun. Diferenta intre tensiunile de iesire individuale E01 si E02 este tensiunea de
iesire a circuitului:
E0 = E01 - E02

In plus, deoarece unicul element comun intre cele doua jumatati ale circuitului este sursa de tensiune
constanta EC, nu exista cuplaj intre aceste jumatati. Prin urmare, E01 depinde numai de elementele din partea
stanga a circuitului.
Tensiunea dependenta de temperatura a fost eliminata din tensiunea masurata la iesire datorita
caracterului echilibrat (simetric) al circuitului. Un procedeu de calibrare foarte simplu poate fi folosit pentru
a determina valoarea factorului constant din expresia lui E0. Pentru aceasta se ia mai intai EB1 egal cu
EB2, facand astfel E0 = 0 pentru o simetrie perfecta a circuitului. Se adauga apoi o tensiune rnica de calibrare,
cunoscuta EK in serie cu EB2. Raportul E0/EK este factorul constant. Fentru masurare, tensiunea EK este
inlocuita cu tensiunea necunoscuta
Tensiunea de prag sau de decalaj V0 este total compensata nurnai in masura in care circuitul este cu
adevarat simetric ai izoterm. Orice asirnetrie in valorile rezistoarelor sau in F si orice diferente de

temperatura intre cele doua tranzistoare va da nastere unei tensiuni la iesire diferita de zero chiar si atunci
cand EB1 = EB2, si care reflecta dependenta de ternperatura a lui V0.

42. Amplificator cascoda

Cand trecem de la circuitele cu un singur etaj, la proiectarea amplificatoarelor cu mai multe etaje,
apar posibilitati de proiectare cu totul noi. De exemplu putem obtine arnplificari foarte mari legand in
cascada etaje cu emitorul cornun (adica conectand iesirea unui etaj la intrarea celui de-al doilea etaj),
deoarece amplificarea sistemului va fi de obicei de odinul produsului amplificarilor etajelor individuale.
Sa alegem amplificatorul cu doua etaje de tip asa numit cascoda prezentat in figura de mai jos.

Tranzistorur T1 este intr-o conexiune cu emitorul comun, tipica, in afara de faptul ca sarcina
colectorului este un al doilea tranzistor, in loc sa fie obitnuitul rezistor.
Tranzistorul T2 este un etaj cu baza comuna; semnalul intra in emitor la colector, baza fiind
mentinuta la un potential constant de catre o sursa.
Din punct de vedere al fluxului de putere continua debitat dee sursa de alimentare, cele doua
tranzistoare sunt in serie si curentii de colector IC1 si IC2 sunt practic egali.
Daca reteaua de polarizare este aleasa corect, ambele tranzistoare functioneaza in regiunea activa
norrnala; prin urmare, intr-o prima aproximatie, vom putea face calculele asupra amplificarii, folosind
pentru tranzistoare circuitele echivalente sirnplificate cu F si F asa cum se arata in figura de mai jos.

Din aceasta schema rezulta evident ca tensiunea de colector VCE a lui T1 este determinata aproape
exclusiv de tensiuneaea aplicata la baza lui T2:
VCE1 VB2 si astfel VCE2 VCC VB2 IC*RL

43. Amplificator de tensiune cu TECJ sursa comuna

Figura de mai sus ilustreaza un TECJ conectat ca amplificator tensiune sursa comuna. Rezistorul de
sarcina este conectat intre drena si tensiunea de alimentare VDD. Poarta este adusa la masa prin rezostorul de
poarta RG. Rezistorul RS polarizeaza TECJ-ul pentru a realiza o amplificare in tensiune liniara. La un curent
de drena static specificat caderea de tensiune culeasa pe rezistorul RS este:
VRS=IDQ*RS
unde IDQ este curentul de drena static si VRS este caderea de tensiune pe RS. Tensiunea culeasa pe RS este
folosita la a polariza TECJ-ul pentru a lucra in zona liniara.
Capactitatea CS constituie o cale de suntare pentru tensiunea de c.a. de pe RS la masa. Valoarea
reactantei lui CS este aleasa a fi 1/10 din valoarea ohmica a lui RS la frecvente joase ale semnalului de
intrare. Capacitoarele Cin si Cout asigura izolarea semnalului c.a. de tensiune de lucru c.c. a TECJ-ului.
Castigul de tesniune al dispozitivului este definit ca:

V 0 V ds
AV= V = V gs
unde semnul (-) indica un defazaj de 180 intre tensiunile de intrare si iesire.

44. Circuit drena comuna joasa frecventa cu TECJ

Figura de mai jos ilustreaza o configuratie de circuit pentru un TECJ in aranjament drena comuna.

Tensiunea de iesire este luata de pe rezistorul sursa RS.

Datorita izolatiei intre terminalele de intrare si de iesire ale TECJ-ului, rezistenta de intrare este
simpla RG sau
Rin=RG
A fost configura modelul de circuit c.a. in figura b.
Rezistenta de iesire si castigul tensiune por fi calculate folosind ecuatiile de reactie. Pentru
configuratia drena comuna, de notat ca 100% din tensiunea de iesire este adusa inapoi la intrare, ceea ce

inseamna ca factorul de reactie V este egal cu 1. Rezistenta de iesire fara reactie este simpla RS,
considerand ca RS este mult mai mic decat rds.
Castigul tensiune fara reactie este aproximat de gm*RS. Pentru rezistenta de iesire a amplificatorului
de tensiune cu reactie, avem:
Rof =

R0
1+ V AV

Rof =

RS
1+ g mR S

dar R0=RS, V=1 si AV gm*RS sau

Castigul tensiune al amplificatorul cu reactie este:

Avf =

Av
1+ V AV

sau

Avf =

g m + RS
1+ g mR S

45. Amplificatoare de putere

Exista multe aplicatii in care amplificatoarele trebuie sa debiteze puteri considerabile la iesire.
Arnplificatoarele audio pot debita puteri de la 1 W pana la 100 W in sarcini consiituite din difuzoare. De
asemenea, arnplificatoarele de putere sunt necesare la comanda unor emitatoare de ultrasunete sau a unor
rnotoare electrice in sisterne de automatiari.
In general, un arnplificator de putere contine cel putin trei etaje:
- etajul final, care realizeaza cea mai mare parte a amplificarii in putere: dispozitivele utilizate la
realizarea acestui etaj sunt capanile sa debiteze curenti de valori rnari si cu puteri disipate admise mergand
pana la 100 W;
- etajul de cornanda (driver) a etajului final, avand rolul de a asigura sermalul necesar pentru
comanda tranzistoarelor din etajele finale. Acestea pot necesita semnale de comanda in antifaza sau puteri
de comanda de cativa wati in czzul amplificatoarelor de putere mare ( > 10 W). Ca urmare si acest etaj
asigura o anumita amplificare in putere.
- etajul de intrare al amplificatorului, care asigura amplificarea tensiunii de intrare pana la valoarea necesara
pentru intrarea etajului driver; in multe aplicatii trebuie sa satisfaca cerinte privind impedanta de intrare,
posibilitati de reglaj al amplificarii, ceea ce face ca in multe amplificatoare sa se intalneasca mai multe

etaje de amplificare intre intrare si driver. Aceasta parte a arnplificatorului lucreaza la variatii de semnal
rnici si este realizata cu amplificatoare cu cuplaj RC sau de curent continuu functie de necesitati.
Sa precizem clasele de functionare in care pot lucra tranzistoarele finale si rnodul de cuplare a
acestora cu sarcina.
Amplificatoarele finale poi fi proiectate sa lucreze in regim liniar sau in impulsuri.
In impulsuri, tranzistoarele sunt cumandate de semnalul de intrare in regiunea de comutatie, intre
saturatie si blocare. lmpulsurile pot avea factor de umplere 1/2 (durata egala cu pauza) sau factor de urnplere
diferit de 1/2.
In functionarea liniara, tranzistoarele pot lucra intr-unul din cele trei regimuri de baza:
- clasa A, functionare caracterizata de faptul ca dispozitivul activ conduce pe intreaga durata a
perioadei semnalului de intrare;
- clasa B, ceea ce corespunde unei conductii de curent de catre dispozitivul activ pe o durata de timp
egala cu o jumatate din perioada semnalului de intrare (180), in cealalta semiperioada tranzistorul fiind
blocat;
- clasa C, care corespunde unei coductii pe o durata de timp mai rnica decat a semiperioadei. Acest
regim de functionare are dezavantajul de a produce in semnalul de iesire un bogat continut de armonici ale
semnalului de intrare, care pot fi elirninate numai prin utilizarea ca sarcini a unor circuite acordate.
Functionarea in dasa C este utila numai la arnplificatoarele de IF, unde realizarea circuitelor acordate este
mult rnai simpla decat la JF.
Cuplajul dintre sarcina si tranzistoarele din etajul final poate fi realizat:
-

cu transformator

cu condensator

direct

46. Etaj final clasa A cu cuplaj prin transformator

Etajele finale sunt veriga de legatura intre amplificator si sarcina. Acesta trebuie sa indeplineasca
urmatoarele conditii:
- amplificare de putere (curent) corespunzatoare;
- excursie de curent si tensiune mare la iesire;
- rezistenta de iesire rnica;
- putere consumata in regim stationar sa fie cat rnai mica si randament cat mai mare;
- deplasarea nivelului de curent continuu la iesire pentru a avea in regim stationar, o tensiune nula (la
amplificatoarele operationale);
- distorsiuni cat mai reduse de neliniaritate;
- capacitate paralel la iesire mica (pentru a evita efectele de supracrestere a raspunsului in frecventa
si posibila instabilitate).

In absenta semnalului de intare, tranzistorul se gaseste in punctul static de functionare M(VCEM, ICM).
Ecuatia dreptei statice de sarcina este usor de scris: VCE=EC-R3*IC
unde s-a considerat ca rezistenta de c.c. a primarului transformatorului este nula.
Ecuatia dreptei de sarcina dinamica este:

VCE=-(R3+RS)IC

unde RS este rezistenta de sarcina reflectata in prima:

n1 2
RS=( n2 R

1
Aceasta ecuatie corespunde unei drepte de panta - R 3+ R S

, care trece prin punctul static de

functionare.
Excursia maxima a tensiunii colector-emitor va fi limitata de tensiunea coelctor emitor maxima pe
care o poate suporta tranzistorul si de tensiunea de saturatie:
VCEmax=VCEmax-VCesat
Daca se considera ca rezistenta R3 este mica atunci putem scrie ca tensiunea de alimentare trebuie sa
fie:
VCEM =

V CEmax +V CEsat
2

si VCEM EC

47. Etaje de comanda a tranzistoarelor finale

Etajele de comanda pot fi construite, ca si etajele finale, in clase de functionare A, AB sau B.
Tranzistoarele din aceste etaje trebuie sa debiteze suficienta putere la iesire pentru a ataca intrarea
tranzistoarelor finale.
In cazul cand etajul final este realizat cu tranzistoare de acelasi tip, semnalele care trebuie aplicate pe
bazele celor doua tranzistoare vor fi defazate cu 180" (in antifaza), pentru a asigura conductia alternanta a
tranzistoarelor finale.
Acest montaj redat in figura de mai jos realizeaza defazarea intre cele doua semnale prin alegerea
corespunzatoare a sensului infasurarilor transformatorului.

Totodata, transformatoarele realizeaza si o buna adaptare intre impedanta de intrare a tranzistoarelor

finale si impedanta de sarcina a tranzistorului defazor.
Dezavantajul principal consta in limitarea benzii amplificatorului si costul relativ ridicat al acestuia.

Defazarea celor doua semnale se poate obline si prin proprietatea unui etaj de amplificare de a nu
inversa faza semnalului de intrare la iesire din emitor si de a inversa faza acestuia cand se iese din colector.
Ca urmare, v2 va fi in faza cu vi, iar v1 in antifaza.
Dezavantajul principal consta in prezenta de impedante de iesire diferite pe cele doua iesiri, ceea ce
face ca adaptarea cu etajul final sa nu fie identica pe cele doua semialternante. Rezulta astfel distorsiuni ale
semnalului, introduse de etajul final.

48. Reactia
Nu exista amplificatoare ideale. Nici un amplificator nu este perfect liniar, in sensul ca tensiunea de
iesire nu este cu exactitate forma de unda a tensiunii de intrare, inmultita cu un factor constant. Chiar daca
amplificatorul este suficient de liniar pentru o anumita plaja a tensiunii de intrare, amplificarea de tensiune
variaza datorila schimbarilor survenite in tensiunea de alimentare sau temperatura, care produc variatia
caracteristicilor tranzistorului cu punctul static de functionare. Acestea si multe alte limitari ale
amplificatorului pot fi minimalizate prin aplicarea reactiei negative. in figura a, de mai jos, este redata
diagrama de fluenta a semnalului, iar in figura b schema bloc electrica corespunzand unui amplificator cu
reactie.

Pentru a aplica o reactie unui amplificator, trebuie folosite inca doua elemente, un atenuator de
precizie si un comparator. Pentru simplitate, se presupune ca functiile de transfer ale celor trei blocuri sunt
independente de frecventa.
Pentru moment, se neglijeaza incarcarea amplificatorului de baza de catre circuitul de reactie,
presupunand ca amplificatorul de baza are o rezistenta de intrare infinita si o rezistenta de iesire egala cu
zero. In aceste conditii, tensiunea de iesire V4 a atenuatorului de precizie este egala cu tensiunea de iesire V3
a amplificatorului, inmultita cu un factor constant subunitar.
amplificalorului, inmullite cu un factor constant subunitar.
Tensiunea V4 este comparata cu tensiunea de intrare V1 si diferenta dintre cele doua tensiuni este
aplicata amplificatorului.
V2=V1-V4
Combinand aceasta ecuatie cu relatiile intrare iesire ale amplificatorului de baza si ale
atenuatorului calibrat
V3=aV2

V4=fV3

si eliminand V2 si V4 se gaseste ca amplificarea de tensiunea a amplificatorului cu reactie complet, adesea

denumita amplificare pe bucla inchisa este:
V3
= A =
vf
V1

a
1+ af

49. Efectul reactiei asupra distorsiunilor

Deoarece caracteristica de transfer esie liniara pe portiuni, analizam separat fiecare portiune liniara.
Ne putem astepta ca amplificatorul cu reactie sa aiba o caracteristica de transfer mult mai liniara
decat a amplificatorului de baza, deoarece reactia are tendinta de a "suprima" schimbarile survenite in
amplificarea amplificatorului de baza.
Concret, presupunem ca pentru |V3| mai mic de 1 V, caracteristica de transfer a amplificatorului de
baza are panta de 1000, iar pentru |V3| intre 1 si 3 V, panta este 100.
Datorita neliniaritatii circuitului, este necesar sa se realizeze analiza in domeniul timp si nu in
domeniul frecventa.
Scriind ecuatiile in functie de variatii mici in domeniul timp se obtine:
V3(t)=av2(t)

V4(t)=fv3(t)

V2(t)=v1(t) - v4(t)

Deci:
a
V3(t)= 1+ af

v1(t)

Daca in continuare, se va presupune f = 0,1, atunci |V3| <1V, tensiunea variabila de la

iesire va fi:
V3(t) =

1000 V 1(t)
=
9,9 * V1(t)
1+ ( 1000 ) ( 0,1)

Pentru 1V < |V3| <3,5V panta caracteristicii de transfer, asadar si amplificarea de

semnal mic, poate fi dedusa din relatia:
100

V3(t) = 1+ ( 100 )(0,1)

9,1 * V1(t)

49. Efectul reactiei asupra semnalelor parazite

Prezenta unor semnale parazite cum ar fi: zgomotul surselor de alimentare, zgomotul de agitatie
termica si diafonia legata de prezenta unor amplificatoare vecine conduce frecvent la limitarea
performantelor unui amplificator.
Efectul semnalelor parazite poate fi redus utilizand reactia negativa. Dar aceasta nu este totdeauna si
eficienta.
Daca analizam efectul semnalului parazit la intrarea amplificatorului de baza, situatie pentru care
schema bloc folosita este aratata in figura a, de mai jos, se constata ca atat semnalul util V1 cat si semnalul
parazit Vn se aplica in amplificator in acelasi punct, si ca urmare este dificil pentru amplificator sa realizeze
o amplificare preferentiala, a lui V1 in raport cu Vn.

Pentru a arata acest lucru sa scriem V3 ca fiind o superpozitie, respectiv:

V3 =

a
1+ af

* V1 +

a
1+ af

* Vn

Performanta amplificatorului poate fi apreciata prin raportul semnal-zgomot, definit ca raporutl

dintre ampliftudinea semnalului util si a semnalului parazit in acelasi punct al schemei date. Rezulta, tinand
cont si de ecuatia de mai sus ca raportul semnal-zgomot la iesirea amplificatorului din figura a este:
S V1
=
N Vn
Se observa ca acelasi rezultat il obtinem in cazul amplificatorului de baza, figura b.

51. Influenta reactiei asupra impedantei de intrare

Sa consideram o conexiune serie la intrare:

Impedanta de intrare a amplificatorului cu reactie este definita de relatia:

Zi = Vi/Ii =

V +V r
Ii

Curentul de intrare Ii este dat de relatia:

Ii =

V
Zi

unde Zi este impedanta de intrare a amplificatorului fara reactie:

Pe de alta parte:

Vf = af * V
si deci rezulta:

Zi =

Z i+ I i +af ZiI i
Ii

adica

Zi = Zi(1+af)

Aceasta relatie arata ca impedanta de intrare este marita de (1+af) ori. Folosit reactia, se pot obtine
marimi ale impedantei de intrare de ordinul sutelor si miilor.

Sa consideram o conexiune paralel:

52. Oscilatoare armonice

Oscilatorul armonic este un circuit care genereaza un semnal de iesire in absenta unui semnal de
intrare. Energia de iesire este asigurata pe seama surselor de polarizare. ln general un oscilator poate proveni
dintr-un amplificator cu reactie pozitiva. Considerand amplificatorul cu reactie din figura de mai jos putem
scrie ecuatiile:

x2 = A* x1
xr = * x2
x1 = xg + xr
Deci, aplificarea cu reactie este:
Ar = X2/Xg = A/(1-A)
Pentru ca circuitul din figura sa devina oscilator, la iesirea acestuia trebuie sa obtinem semnal in
absenta semnalului de intrare, deci pentru Xg = 0. In aceasta situatie amplificarea cu reactie devine:
Ar = X2/Xg ->
conditie satisfauta pentru:
* A= 1

denumita si relatia lui Barkhausen, relatie care da conditia de oscilatie. Deoarece circuitul contine elemente
reative:
A = A(j) si = (j)
Relatia lui Barkhausen devine echivalenta cu doua conditii:
Conditia de amplitudine:
Conditia de faza:

|A| * |B| = 1
A + B = 2kpi ; k apartine lui N