Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

L10. Studiul diodei semiconductoare

10.1. Scopul lucrării

Pornind de la înţelegerea conducţiei electrice în cazul semiconductorilor extrinseci, se va
discuta funcţionarea joncţiunii pn, pe care o regăsim în multe elemente de circuit, cum ar fi: diodele tip
redresor, Schottky, Zener, tunel, LED-urile, celule fotoelectrice, tranzistorii etc. În lucrare se vor efectua
măsurători pentru o diodă redresoare de siliciu, în scopul trasării caracteristicii volt-amperice, în regim
static. Se va compara curba reală cu cea obţinută printr-o metodă de fitare realizată cu ajutorul softului
Measure, ţinând cont de ecuaţia Shockly.

10.2. Consideraţii teoretice

10.2.1. Conducţia electrică la semiconductorii extrinseci
În cele ce urmează ne vom referi la fenomenul de conducţie electrică în cazul semiconductorilor
cu impurități, numiți şi semiconductori extrinseci. Pentru exemplificare, vom presupune un cristal al
semiconductorului de siliciu (Si), în două situații:
a. în rețeaua cristalină a Si se introduc atomi de impuritate din grupa a V-a a tabelului periodic
(P, As, Sb, Bi);
b. în rețeaua cristalină a Si se introduc atomi de impuritate din grupa a III-a a tabelului periodic
(Ga, In, B, Al).

Cazul a. Semiconductorii de tip n

Să presupunem că în reațeua cristalină a semiconductorului de Si se introduc atomi de
impuritate din grupa a V-a a tabelului periodic. Pentru a explica fenomenul de conducţie electrică, în
figura 1.a este reprezentat un atom de impuritate, introdus în rețeaua cristalină a Si. Atomul de
impuritate va pune în comun 4 electroni (din cei 5 de pe ultimul strat) cu 4 atomi vecini de Si, pentru
a-şi realiza o configurație stabilă de octet. Astfel, atomul de impuritate „rămâne” cu un electron de
valență care nu este „implicat” în vreo legătură chimică. Nivelurile energetice ale electronilor de valență
pentru atomul de impuritate pentavalent sunt foarte apropiate de BC a cristalului care a fost impurificat
(cristalul de Si, în acest caz), ca în figura 1.b.

a b
Figura 1

După cum se observă în figura 1.b, electronul de valență neimplicat în vreo legătură covalentă,
al atomului de impuritate, poate tranzita, ca urmare a fluctuațiilor determinate de mişcarea de agitație
termică, de pe nivelul său (numit nivel donor, ND), pe unul dintre nivelurile energetice din BC ale
atomului de Si. Prin această tranziție, numărul de electroni de conducție creşte cu o unitate şi atomul de
impuritate (atom donor) îşi realizează configurația stabilă de 8 electroni pe ultimul strat. După
tranziţia electronului, atomul donor, iniţial neutru din punct de vedere electric, devine ion pozitiv.

1
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

Dacă în cazul semiconductorului de Si pur concentrația volumică a electronilor din BC este

egală cu cea a golurilor din BV, după impurificare, concentrația volumică a electronilor din BC va creşte
cu un număr egal cu cel al atomilor de impuritate pentavaleți din unitatea de volum. La curentul electric
de conducție, sarcinile electrice majoritare sunt sarcinile electrice negative, mai precis electronii
cvasiliberi din BC. În această situaţie este valabilă inegalitatea 𝒏  ⟩  𝒑 şi semiconductorii extrinseci
se numesc de tip n.
În figura 1.b se observă că ND se află în interiorul BI a Si. În această situaţie, studentul poate fi
pus în dificultate, deoarece se ştie că nivelurile energetice ale electronilor cristalului nu pot fi situate
într-o BI. Însăşi denumirea de bandă interzisă sugerează această interdicție. Aparenta contradicție se
rezolvă ținându-se cont de faptul că structura de benzi energetice din figura 1.b corespunde electronilor
cristalului de Si, iar electronii atomilor de impuritate au o altă configurație a benzilor energetice. Prin
urmare, ce este interzis pentru electronii cristalului de Si, nu este interzis pentru electronii atomilor de
impuritate, şi invers.

Cazul b. Semiconductorii de tip p

Să presupunem că în reațeua cristalină a semiconductorului de Si se introduc atomi de
impuritate din grupa a III-a a tabelului periodic. Aceştia au 3 electroni de valență pe ultimul strat
(fig. 2.a). Se observă că atomul de impuritate realizează trei legături covalente cu trei dintre atomii de
Si vecini. Astfel, atomul de impuritate va avea o configurație de 6 electroni pe ultimul strat. Atomii de
impuritate trivalenți sunt caracterizați prin niveluri energetice ale electronilor de valență foarte apropiate
de marginea superioară a BV a cristalului inițial pur (cristalul de Si).

a b
Figura 2

Ca urmare a fluctuațiilor generate de mişcarea de agitație termică, un electron dintr-o legătură

covalentă a unui atom de Si se desprinde şi tranzitează de pe niveul său, pe nivelul atomului de
impuritate (numit nivel acceptor, NA) ca în figura 2.b. Pentru a-şi realiza structura stabilă de octet,
atomul de impuritate acceptor realizează o nouă legătură covalentă, prin care pune în comun electronul
preluat, cu un alt electron de la un atom vecin de Si (fig. 2.a). În urma tranziției electronului din BV a
Si pe nivelul NA al atomului de impuritate, în BV apare un gol. Atomul de impuritate, iniţial neutru
din punct de vedere, va deveni ion negativ.
Conform celor explicate, rezultă o creştere a numărului de golurilor din BV față de numărul
electronilor cvasiliberi din BC. Această creştere este egală cu numărul de atomi de impuritate din
volumul eşantionului semiconductor studiat. Prin urmare, este valabilă inegalitatea 𝑝 ⟩ 𝑛.
La curentul electric de conducție, sarcinile electrice majoritare sunt sarcinile electrice pozitive, mai
precis, golurile din BV. În consecință, semiconductorii extrinseci pentru care este valabilă
inegalitatea 𝒑 ⟩ 𝒏 se numesc semiconductori de tip p.

2
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

10.2.2. Joncţiunea pn
Prin îmbinarea a două eşantioane semiconductoare dopate (impurificate) în mod diferit, astfel
încât unul este de tip p şi celălalt de tip n, se obţine joncţiunea pn (fig. 3).

Figura 3

Joncţiunea pn este regiunea din vecinătatea suprafeţei de contact dintre cele două eşantioane
semiconductoare cu tip de conducţie diferit, de tip p şi respectiv de tip n. Gradientul foarte mare al
concentraţiei de purtători majoritari de sarcină electrică liberi, între cele două semiconductoare, conduce
la fenomenul de difuzie. În zona de contact, pe o distanţă foarte mică, golurile vor difuza din zona neutră
p în zona n şi electronii cvasiliberi din zona neutră n în zona p, generând un curent electric de difuzie.
Datorită proceselor de recombinare (gol+electron) se vor reface unele legături covalente. Ca urmare,
sarcina electrică a ionilor de impuritate va rămâne necompensată, determinând apariţia, în vecinătatea
suprafeţei de separaţie, a unei sarcini electrice spaţiale (de valoare negativă în zona p şi respectiv de
valoare pozitivă în zona n). Astfel, pe o distanţă 𝐿, va apărea o tensiune electrică de baraj 𝑼𝒃 şi un
câmp electric de baraj, caracterizat prin vectorul intensitate 𝑬𝒃⃗ (figura 3). 𝑳 se numeşte lăţime a
câmpului electric de baraj şi depinde de gradul de impurificare a celor două eşantioane
semiconductoare. La temperatura camerei (𝑇 = 300𝐾), în mod uzual, pentru siliciu 𝑈 ∈ [0.6, 0.7]𝑉
şi pentru germaniu 𝑈 ∈ [0.3, 0.35]𝑉.
Odată format, câmpul electric de baraj se opune difuziei purtătorilor majoritari de sarcină
electrică liberi, a golurilor din zona p în zona n şi a electronilor în sens invers, deoarece ionii negativi
acceptori resping electronii şi ionii pozitivi donori resping golurile. Există totuşi un curent de difuzie
produs de acei purtători majoritari care au energii suficient de mari, încât pot anihila efectul barierei de
potenţial 𝑈 . Pe de altă parte, câmpul electric intern al joncţiunii pn antrenează, dintr-o zonă în alta,
purtătorii minoritari, determinând apariţia unui curent electric de conducţie, numit curent de drift. În
regimul de echilibru termic al unei joncţiuni pn nepolarizate (în absenţa unei surse de tensiune
exterioară) intensitatea curentului de difuzie este egală şi de sens contrar cu intensitatea curentului de
drift, astfel încât intensitatea curentului rezultant este nulă.
Dacă 𝑵𝑨 = concentraţia impurităţilor acceptoare din zona p, 𝑵𝑫 = concentraţia
impurităţilor donoare din zona n, 𝑳𝒑 = lungimea de difuzie în zona p (în care apare o sarcină electrică
negativă) şi 𝑳𝒏 = lungimea de difuzie în zona n (în care apare o sarcină electrică pozitivă), pentru a fi
satisfăcută condiţia de neutralitate, este valabilă relaţia
𝑁 𝐿 =𝑁 𝐿 (1)
Conform figurii 3 rezultă
𝐿 +𝐿 =𝐿 (2)
Joncţiunea pn o întâlnim la majoritatea dispozitivelor semiconductoare, cum ar fi: diodele
semiconductoare, tranzistorii, celule solare etc.

3
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

10.2.3. Dioda semiconductoare

Prin realizarea unor conexiuni electrice la capetele celor două eşantioane semiconductoare de
conducţie diferită, de tip p şi respectiv de tip n, între care se formează joncţiunea pn, se obţine elementul
de circuit numit dioda semiconductoare (fig. 4). În paralel cu tensiunea de alimentare continuă (DC)
este conectat un potenţiometru (o rezistenţă variabilă) cu ajutorul căruia se variază tensiunea de la
bornele diodei. Tensiunea electrică se măsoară cu un voltmetru conectat în paralel cu dioda.
Intensitatea curentului electric este indicată de un ampermetru (miliampermetru în acest caz) care se
conectează în serie cu dioda.

a b
Figura 4

În figura 4.a este reprezentat circuitul unei diode semiconductoare polarizate invers. Se
observă că semiconductorul de tip p este conectat la borna negativă a sursei de tensiune exterioară, iar
semiconductorul de tip n este conectat la borna pozitivă. În acest caz, vectorul intensitate a câmpului
electric de baraj 𝐸⃗ şi vectorul intensitate a câmpului electric determinat de tensiunea de alimentare
𝐸⃗ au acelaşi sens. Prin urmare, efectul câmpului electric de baraj este potenţat de câmpul electric al
tensiunii de alimentare. În consecinţă, intensitatea curentului electric de difuzie prin circuit devine
foarte mică. Prin joncţiune va circula un curentul de purtători minoritari, care este, de asemenea, extrem
de mic. În concluzie, la tensiuni nu foarte mari, intensitatea curentului electric rezultant este nulă.
Figura 4.b prezintă circuitul unei diode semiconductoare polarizate direct. Semiconductorul
de tip p este conectat la borna pozitivă a tensiunii exterioare, iar semiconductorul de tip n este conectat
la borna negativă. În acest caz, vectorul intensitate a câmpului electric de baraj 𝐸⃗ şi vectorul intensitate
a câmpului electric determinat de tensiunea de alimentare 𝐸⃗ au sensuri opuse. Prin urmare, efectul
câmpului electric de baraj este mult diminuat, începând de la o valoare a tensiunii electrice de
alimentare, numită tensiune de deschidere şi notată cu 𝑈 . Prin circuit va apărea un curent electric,
care va cresţe brusc la o variaţie mică a tensiunii de alimentare. Intensitatea curentului electric prin
joncţiune este practic egală cu intensitatea curentului de difuzie, format din purtători majoritari.
Prin urmare, în cazul în care se evită aplicarea tensiunilor
mari de polarizare inversă (deoarece ar conduce la deteriorarea
dispozitivului electronic), diodele semiconductoare obişnuite
sunt elemente unidirecţionale de circuit. Cu alte cuvinte, dioda
semiconductoare conduce curentul electric numai atunci când este
polarizată direct. Astfel, se justifică simbolul pentru dioda
semiconductoare din figura 5, în care s-a făcut analogia cu
Figura 5
polaritatea electrozilor din alcătuirea tuburilor electronice, anodul
la (+), catodul la (-).
În figura 6 este reprezentată caracteristica volt-amperică a diodei semiconductoare. Prin
convenţie, la polarizarea inversă a joncţiunii pn, se consideră tensiunea de la bornele diodei negativă
(𝑈⟨ 0). Situaţia corespunde cadranelor II şi III ale reprezentării. La polarizarea directă a joncţiunii pn,
tensiunea de la bornele diodei este pozitivă (𝑈⟩ 0) şi situaţia o regăsim în cadranele I şi IV ale
caracteristicii volt-amperice.

4
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

În cadranul I apare şi formula de calcul a rezistenţei dinamice 𝑹𝒅

𝑑𝑈 ∆𝑈 𝑈 −𝑈
𝑅 = = lim = lim (3)
𝑑𝐼 ∆ → ∆𝐼 → 𝐼 −𝐼
Rezistenţa statică într-un punct dat al caracteristicii este exprimată prin relaţia
𝑈
𝑅 = (4)
𝐼
Dacă 𝑅 = 𝑅 = 𝑐𝑡., elementul de circuit este liniar (caracteristica volt-amperică este o dreaptă), iar
dacă 𝑅 ≠ 𝑅 este variabilă, elementul de circuit este neliniar (caracteristica volt-amperică este o curbă
oarecare). Se observă că dioda semiconductoare este un element neliniar de circuit.

Figura 6

Expresia analitică a caracteristicii volt-amperice descrisă de ecuaţia Shockly este

𝑒𝑈
𝐼 = 𝐼 𝑒𝑥𝑝 −1 (5)
𝛾𝑘 𝑇
în care 𝐼 = intensitatea curentului electric invers de saturaţie (considerată în modul), 𝑒 = modulul
sarcinii electrice a electronului, 𝑘 = 1.38 ∙ 10 𝐽/𝐾 = constanta lui Boltzmann, 𝑇 = temperatura
absolută şi 𝛾 = coeficientul de recombinare, 𝛾 ∈ [1, 2]. Pentru germaniu 𝛾 este apropiat de valoarea 1,
iar pentru siliciu 𝛾 este apropiat de valoarea 2.
În cazul diodelor de siliciu de mică putere, în mod frecvent, 𝐼 ≈ 10 ÷ 100𝑛𝐴 şi pentru diodele
de germaniu 𝐼 ≈ 1 ÷ 100𝜇𝐴. Prin comparaţie, valorile uzuale ale intensităţilor curenţilor direcţi sunt
𝐼 ≈ 1 ÷ 10𝑚𝐴. Din figura 6 se observă că la tensiuni de polarizare inverse mari, în cadranul III,
intensitatea curentului electric invers creşte foarte mult. Această cresţere foarte abruptă este cauzată de
efectul Zener şi de fenomenul de multiplicare în avalanşă (predominant de obicei). Valoarea tensiunii
electrice de la care se produce creşterea se numeşte tensiune de străpungere, sau tensiune Zener
(𝑼𝒔𝒕𝒓 = 𝑼𝒁 ), aceasta fiind determinată de tipul semiconductorului şi de gradul de dopare. Valoarea
tensiunii de străpungere scade pe măsură ce concentraţia de impurităţi creşte.
Tensiunea electrică de la care dioda polarizată direct permite trecerea unui curent electric se
numeşte tensiune de deschidere sau tensiune de prag şi este notată cu 𝑼𝒑 în cadranul I al caracteristicii
din figura 6. Dacă 𝐼 ≈ 1 ÷ 10𝑚𝐴, pentru diodele de germaniu 𝑈 ∈ [0.2, 0.3]𝑉 şi pentru cele de siliciu
𝑈 ∈ [0.6, 0.8]𝑉. Funcţionarea diodei semiconductoare este puternic influenţată de temperatură, atât
prin argumentul exponenţialei din relaţia (3), cât şi prin valoarea intensităţii curentului de saturaţie.

5
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

10.3. Dispozitivul experimental

Dispozitivul experimental prezentat în figura 7 este alcătuit din următoarele componente:
1- placă destinată realizării circuitului electric, pe care este conectată o diodă redresoare de siliciu,
1N4007 (1.a), prin intermediul unor conectori de 4 𝑚𝑚 (1.b); 2- generator digital de funcţii (sursă de
tensiune electrică programabilă); 3 - echipament Cobra 4 pentru achiziţia de date, format din două
module, 3.a - senzorul Cobra 4- Energy, ce are încorporată funcţia de voltmetru (3.a.1), funcţia de
miliampermetru (3.a.2) şi bornele de conectare la tensiunea de alimentare (3.a.3) şi modulul 3.b, sau
interfaţa de transmitere a datelor către calculator, prin Wireless sau conexiune USB; 4 – calculator pe
al cărui display se observă derularea procesului de achiziţie de date şi prelucrarea prin intermediul
softului dedicat Measure (5).

Figura 7

Dioda semiconductoare 1N4007 este reprezentată în

figura 8. Catodul, sau semiconductorul de tip n, este în apropierea
dungii gri, iar anodul, sau semiconductorul de tip p, este la
extremitatea opusă. Curentul maxim admis este 𝐼 = 1𝐴.
Conexiunile circuitului se vor realiza astfel încât miliampermetrul
să fie în serie cu dioda şi voltmetrul să fie în paralel.
Figura 8

Înainte de a utiliza dispozitivul experimental, este necesară verificarea încărcării bateriilor

modulului (3.b) al echipamentului de achiziţie de date Cobra 4. Încărcarea se face fie direct la priză, fie
prin conectare USB la computer.
Să identificăm starea de funcţionare a echipamentului Cobra 4 pentru achiziţia de date, pe baza
figurii 7. Butonul (3.b.1) este destinat pornirii sau opririi senzorului. Atunci când LED-ul de deasupra
butonului indică culoarea verde, senzorul este pornit. Culoarea portocalie arată încărcarea bateriilor, iar
dacă bateriile sunt descărcate, LED-ul clipeşte. Butonul (3.b.2) iniţiază sau opreşte procesul de achiziţie
de date. Se apasă şi se menţine apăsat butonul (3.b.2) în timpul procedurii de pornire, până când
LED-ul de deasupra începe să clipească. Pentru ca achiziţia de date să fie transmisă prin conexiune USB
către calculator, LED-ul (3b.3) trebuie să lumineze. O apăsare a butonului (3b.2) mai mult de 5s
conduce la o resetarea a modului de transmitere a datelor, Wireless, sau USB-Link.

6
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

10.4. Modul de lucru

1. Se realizează circuitul din figura 9.

Figura 9

2. Se reglează parametrii tensiunii electrice din meniul generatorului digital de funcţii, ca în

figura 10.

Figura 10
Se parcurg următorii paşi:
a. forma semnalului electric de tip rampă - tasta Signal (fig. 10.a);
b. valoarea minimă a tensiunii electrice, 𝑈 = −1𝑉 = −1000𝑚𝑉 – tasta 𝑈 (fig. 10.a, b);
c. valoarea maximă a tensiunii electrice, 𝑈 = +1𝑉 = +1000𝑚𝑉 – tasta 𝑈 (fig. 10.a, c);
d. rata de creştere a tensiunii electrice, ∆𝑈 = 0.05𝑉 = 50𝑚𝑉 – tasta ∆𝑈 (fig. 10.d, f);
e. intervalul de timp dintre 2 valori succesive ale tensiunii, ∆𝑡 = 0.25𝑠 = 250𝑚𝑠– tasta Pause
(fig. 10.e, f);
După fiecare etapă de reglare se apasă tasta OK. Ţinând cont de intervalul de variaţie a tensiunii
electrice şi de rata de creştere, rezultă că pe parcursul unui ciclu se vor efectua 40 de măsurători şi
timpul total al desfăşurării acestora va fi 𝜏 = 40 ∙ 250𝑚𝑠 = 10𝑠, valoare ce apare pe display-ul
generatorului, în figura 10.f.
3. Se conectează circuitul la generatorul digital de funcţii.
4. După pornirea calculatorului, se conectează prin USB generatorul digital de funcţii şi
senzorul Cobra 4 – Energy, prin intermediul modulului Cobra 4 – Wireless/USB-Link, la calculator. Pe
display-ul generatorului va apărea mesajul PC remote.
5. Se deschide programul Measure. Se accesează meniul Navigator → Devices → Digital
Function Generator, cu simbolul de conexiune prin USB. Dacă se face click-stânga (cu mouse-ul) pe
Digital Function Generator, vor fi afişate setările generatorului. Setările pot fi vizualizate şi dacă se
face click-dreapta pe Digital Function Generator → Setup→ Digital Function Generator Configuration
Form. Setările pot fi modificate şi prin intermediul PC-ului (fig. 11).

7
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

Figura 11

6. Se porneşte senzorul Cobra 4- Energy şi se realizează comunicarea prin conexiune USB cu

PC-ul. Atunci când conexiunea s-a realizat cu succes, în meniul Navigator al programului apar schema
conexiunilor senzorului şi mărimile de măsurat. Mărimile sunt afişate şi în partea superioară a ecranului:
Voltage U/V (tensiune electrică în volţi), Current I/A (intensitatea curentului electric în amperi),
Electrical power P/W (putere electrică activă în waţi), Electric work W/Wh (energie electrică în
waţi∙oră), ca în figurile 12.a şi 12.b.

a b
Figura 12
7. Se face click-dreapta pe fiecare mărime fizică şi se configurează setările. Pentru tensiunea
electrică se deschide Chanel Voltage U(ID 01), se selectează unitatea de măsură 𝑚𝑉 şi se apasă OK
(fig. 13.a).

Figura 13

8
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

Pentru intensitatea curentului electric, în Chanel Current I(ID 01) se alege ca unitate de măsură 𝑚𝐴.
Conform figurii 13.b, intervalul de variaţie afişat va fi 𝐼 ∈ [−600, 600]𝑚𝐴. În această situaţie, setarea
din Chanel Electric Power P(ID 01) este 𝑃 ∈ [0, 600]𝑚𝑊. Prin accesarea Chanel Electric work W(ID
01) se va seta unitatea de măsură pentru energie 𝐽 = 𝑊 ∙ 𝑠 = joule (fig. 13.c).

Figura 14

În meniul Navigator, dacă se deschide opţiunea Table, vor apărea mărimile de măsurat setate
ca funcţii de timp (fig. 14). Setarea mărimilor poate fi verificată şi prin opţiunea General configuration.
8. În scopul setării reprezentărilor grafice ale mărimilor ce urmează a fi măsurate, se deschide
opţiunea Multigraph configuration din meniul general al programului (fig. 14), sau din
fereastra corespunzătoare setărilor fiecărei mărimi în parte (fig. 13). De exemplu, pentru
tensiunea electrică se va deschide captura de ecran din figura 15.

Figura 15

9. Pentru a porni procesul de măsurare, se dă click pe Start Measurement din meniul

programului (fig. 14). Pe parcursul achiziţiilor de date, pe ecran, în partea de jos, apare mesajul
Measurement active.
10. După încheierea procesului de
măsurare, programul va afişa un mesaj ca cel
din figura 16, în care se bifează opţiunea send
all data to measure şi se apasă tasta OK. Astfel,
cu ajutorul datelor măsurate, programul va
realiza reprezentările grafice ale mărimilor
tensiune electrică, intensitate de curent, putere
şi energie, ca funcţii de timp.
Figura 16

9
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

11. Pentru o redare mai clară a

reprezentărilor grafice, se activează opţiunea
Fit in din meniul principal al programului.

12. Dacă se face click-dreapta pe

fiecare grafic, sau pe fiecare căsuţă din meniu,
U, I, P, sau W, se activează opţiunea Display
options, ca în figura 17. Astfel, pot fi setate
culoarea curbei, grosimea acesteia, simbolul
pentru punctele experimentale, tipul de scalare
(liniară, sau logaritmică), tipul de interpolare.
După stabilirea setărilor se apasă tasta OK.
Aceste operaţiuni se pot face şi din meniul
Measurement→Display options. Figura 17

Figura 18.a reprezintă o captură de ecran a graficelor mărimilor 𝑈, 𝐼, 𝑃, 𝑊 ca funcţii de timp, în

cazul măsurătorilor făcute pentru dioda redresoare de siliciu,1N4007. Dacă în meniul principal se
accesează opţiunea Date table apare o secţiune din tabelul de date, ca în figura 18.b.

a c

b
Figura 18

10
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

13. Pentru eliminarea unui grafic de pe display, se face click-stânga pe căsuţa corespunzătoare
mărimii din meniul principal. Prin aceeaşi operaţiune se poate reveni la redarea graficului. În figura
18.c este redat graficul intensităţii curentului electric în funcţie de timp.
14. În scopul obţinerii caracteristicii
volt-amperice a diodei, 𝐼 = 𝑓(𝑈), se parcurg
paşii Measurement→Chanel Manager. Setarea
mărimilor, pe axa x, respectiv y, se face dând
click pe mărime şi apoi pe săgeata ce indică spre
dreapta. În final se apasă tasta OK (fig. 19).

Figura 19

Caracteristica volt-amperică şi tabelul de date pentru dioda din circuit sunt prezentate în figura 20.

Figura 20 Figura 21

15. Programul oferă posibilitatea unei modelări matematice a fenomenului, ţinând cont de
valorile experimentale ale mărimilor măsurate. Se accesează în meniul principal Analysis→Function
fitting→Exponential function→Calculate. În figura 21 este reprezentată atât caracteristica
volt-amperică reală (cu roşu) cât şi curba obţinută printr-o fitare de tip exponenţial. Coeficienţii funcţiei
obţinute prin fitare sunt afişaţi în captura de ecran din interiorul suprafeţei de reprezentare.
În completare, se poate studia caracteristica volt-amperică apelând la o modelare în scală
logaritmică. O modelare liniară, în domeniul de valori mari ale intensitătilor curenţilor electrici la
polarizare directă (dar mai mici de 1A), ar reprezenta o altă metodă de studiu, din care se pot determina
punctul static de funcţionare şi rezistenţa dinamică ale diodei.
Pe lângă tabelele de date care se vor obţine cu ajutorul softului de achiziţii, studenţii vor avea
pregătite de acasă 2 tabele de tipul de mai jos, ce vor conţine câte 15 determinări.

Tabel de date - exerciţiu Tabel de date experimentale

Nr. U(mV) I(mA) Nr. U(mV) I(mA)
1 1
2 2
3 3
⋮ ⋮
15 15

11
 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

10.5. Verificarea cunoştinţelor

Temă. Studenţii vor răspunde în scris la întrebările formulate în continuare.
1. Ce reprezintă semiconductorii extrinseci? De câte tipuri sunt?
2. Ce sunt semiconductorii de tip n? Cum se obţin? Care sunt sarcinile electrice majoritare ce participă
la curentul electric de conducţie în cazul semiconductorilor de tip n?
3. Explicaţi figura 1.b pentru semiconductorii de tip n. Ce reprezintă notaţiile BV, BC, BI, ND,
∆𝑊,𝐸 ⃗ din figură?
4. Ce sunt semiconductorii de tip p? Cum se obţin? Care sunt sarcinile electrice majoritare ce participă
la curentul electric de conducţie în cazul semiconductorilor de tip p?
5. Explicaţi figura 2.b pentru semiconductorii de tip p. Ce reprezintă notaţiile BV, BC, BI, NA, ∆𝑊,
𝐸 ⃗ din figură?
6. Precizaţi tipul semiconductorului în următoarele situaţii:
a. 𝑛 = 𝑝;
b. 𝑛 > 𝑝;
c. 𝑝 > 𝑛.
Care este semnificaţia mărimilor 𝑝 şi 𝑛? Precizaţi unităţile de măsură în SI.
7. Ce sunt impurităţile donoare? Dar acceptoare?
8. Ce sunt electronii cvasiliberi? Dar golurile?
9. Ce este joncţiunea pn?
10. Desenaţi şi explicaţi figura 3, specifică formării joncţiunii pn.
11. Câte tipuri de curenţi apar în joncţiunea pn? Explicaţi.
12. Ce puteţi spune despre intensităţile celor doi curenţi care apar în joncţiunea pn nepolarizată în
echilibru termic?
13. Care sunt elementele de circuit la care întâlnim joncţiunea pn?
14. Ce este dioda semiconductoare?
15. Explicaţi circuitul diodei semiconductoare polarizate direct. Realizaţi un desen.
16. Explicaţi circuitul diodei semiconductoare polarizate invers. Realizaţi un desen.
17. Ce este voltmetrul? Cum se conectează în circuit?
18. Ce este ampermetrul? Cum se conectează în circuit?
19. Ce este potenţiometrul?
20. Ce înseamnă că dioda semiconductoare este un element unidirecţional de circuit?
21. Reprezentaţi simbolul diodei semiconductoare?
22. Desenaţi şi explicaţi caracteristica volt-amperică a diodei semiconductoare.
23. Care este formula rezistenţei dinamice? Specificaţi semnificaţiile mărimilor şi unităţile de măsură.
24. Care este formula rezistenţei statice? Specificaţi semnificaţiile mărimilor şi unităţile de măsură.
25. În ce situaţie un element de circuit este liniar? Dar neliniar?
26. Dioda semiconductoare este un element liniar, sau neliniar de circuit? Justificaţi.
27. Scrieţi expresia analitică a caracteristicii volt-amperice a diodei semiconductoare. Specificaţi
semnificaţiile mărimilor şi unităţile de măsură.
28. Ce este tensiunea de străpungere a unei diode semiconductoare? Dar tensiunea de prag? Care este
unitatea de măsură?

12