Metode de analiza a struct materialelor Materialele in general, mai ales metalele care la prima vedere par a fi formate dintr-o

masa compacta, la o cercetare aprofundata se constata ca sunt compuse din formatiuni atomo-cristaline numite cristalide(graunti cristalini). Aceste formatiuni sunt observabile cu ajutorul microscopului mealografic si uneori in anumite cazuri in casura. Metode de analiza a struct in fct de scopul urmarit se sclasifica in 2 categ: 1. de punere in evidenta a struct metalografice: -analiza macroscopica; -analiza microscopica; -analiza submicroscopica; 2. de punere in evidenta a transformarilor struct: -analiza termica; -analiza dilatometrica; -analiza magnetica. Analiza macroscopica Este cea mai simpla metoda de analiza ce consta in observarea cu ochiul liber, cu lupa, cu microscopul cu putere de marire de 150 de ori a supraf metalice. Analiza macroscopica pe supraf nepregatite presupune elem de observatie structurala, fie pe supraf pieselor turnata, fie in casura cand se pot defecte de solidificare, natura prelucrarilor tehnologice sau mecanice in concordanta cu marimea, forma si distributia grauntilor cristalini. Pe supraf pieselor turnate sunt des structuri dendritice (formatiuni arborescente prin care incepe procesul de solidificare). Pe supraf de solidificare se pot observa suprapuneri de material de prelucrari tehnologice si macro defecte (fisuri, sulfuri exterioare, pori, incluziuni nemetalice). Studiul macroscopic pe supraf pregatite presupune slefuirea si lustruirea unei supraf aleasa ca supraf de studiu si atacul chimic cu reactivi specifici. Prin aceasta analiza se pot evidentia si structuri dendritice, prin diferentierea naturala (culoare diferita) si de marimea, forma si distributia acestora. Se pot evidentia si struct dendritice si chiar microfisuri ce nu se vad pe supraf nepregatite. Un studiu microscopic separate il constituie studiul supraf de rupere cand

se poate defini natura materialului fragil sau util, se poate evidentia natura ruperii cat si marimea, forma si structura. Dupa forma, supraf de rupere, pe eprubete standardizate se pot clasifica materialele in fct de gradul de deformare. O categ distincta a supraf de rupere, o reprezinta ruperea la oboseala. Aceasta este det de solicitare dinamica si apare la supraf frontala a eprubetei cu evidentierea unei microfisuri in jurul careia apare o supraf neteda, catifelat, de propagare a fisuri pana la o supraf critica pana ce eprubeta se rupe, cand pe supraf adiacenta apare o struct grauntioasa. Supraf pregatite presupune reactii de catalog in fct de natura materialului. El evidentiaza struct prin colorare, corodeaza limita sau cand atacul este prelungit chiar grauntit. Analiza microscopica Se realizeaza cu ajutorul microscopului metalografic optic(electronic), scopul evidentierii naturii, formei, marimii si gradului de dispersie a constituientilor structurali, a defectelor microscopice si incluziunilor metalice din interiorul masei metalice folosind supraf pregatite in prealabil. Partile componente ale microscopului metalografic: obiectiv; ocular sursa de lumina; dispozitivul de fixare si deplasare a probei. Principiul de functionare a microscopului este cel al reflexiei luminii pe supraf probelor pregatite. Sursa de lumina trimite un fascicul diverg care prin intermediul lentilei se transforma in fascicul parallel catre axul microscopului unde intalneste oglinda inelara dispusa la 45 si care reflecta fasciculele paralele la partea interioara pe oglinda parabolica, unde are loc reflexia faciculului pe supraf pregatita a probei. Supraf probei, perfect neteda reflecta fasciculul de lumina preluand detaliile sub forma de fascicule divergente care sunt preluate de lentila obiectiv si le transforma prin intermediul oglinzii inelare la lentila ocular unde se vede imaginea finala de catre ochiul observatorului. Caract microscopului metalografic: 1. puterea de marire raportul dintre marimea AB/AB=M, se poate calcula ca Mob si Moc=L250/FocFob, unde L este dist tubului microsc; 250 lung normala a ochiului; 2. apertura deschiderea numerica a obiectivelor si reprezinta capacitatea acestora de a strange razele de lumina in cantitatea cat mai mare putand fi exprimat ca fiind produsul indicelui de refractie a mediului intre proba si

obiectiv si sin semiunghiului format intre 2 raze marginale: A=n sin /2. 3. puterea de separatie pe orizontala puterea de redare a detaliilor ce reprezinta capacitatea microscoapelor de a separa 2 pct alaturate aflate pe supraf de curatat este egala cu dist minima dintre cele 2 pct vecine vazute distinct. d= /n sin, lung de unda a fasc de lumina reflectat pe supraf probei; d= /2n sin; M=d1/d, d1 dist de separatie a ochiului uman. 4. puterea de separatie pe verticala puterea de separare a 2 pct alaturate situate in plane diferite putere de patrundere. Este o caract a microscopului, de a distinge clar imaginea de pa supraf probelor situate in plane diferite si variaza i.p. cu puterea de separatie pe orizontala. Alte metode de analiza structurala: 1. Sonda electronica (SE) instrument modern cu ajutorul caruia se pot det compozitiile chimice in microvolume, se pot det repartitia elem-lor in materiale neomogene cu compozitia chimica medie cunoscuta cat si stabilirea orientarii struct din anumite prelucrari suportate. Principiul de functionare a SE consta in eradierea unei supraf foarte mici din proba de cercetat cu fascicul fin de electroni si masurarea lung de unda si intensitatilor, radiatiile X caract emise de ionii retelei. In urma acestei analize se obtin imaginii Rontgero-struct pe o anumita ecrane fluorescente pe care se poate detecta repartitia fiecarui elem din supraf de cercetare. 2. Autoradiografia metoda ce permite det neuniformitatiilor de distributie a compozitiilor din interiorul bazelor si se bazeaza pe proprietatile atomilor de a emite radiatii penetrante , , at cand sunt marcati, situatie in care o pelicula fotosensibila inregistreaza filtratia, fiind in contact cu proba. Mascarea radioactiva a unui elem se face fie in reactor prin activarea elem-lor respective sau alinierea in acel material cu elem radioactiv. 3. Analiza magnetica (AM) se videntiaza struct metalica ce contin elem fieromagnetice din grupa fier-nichel-cobalt. AM presupune dispunerea pe supraf probelor de studiat a subst colidoidale si introducerea probei intr-un camp magnetic astfel

incat cu ajutorul campului magnetic se evidentiaza struct, mai ales defectele prin orientarea pulberilor respective. Se mai poate det si cantitatea de baza magnetica, balanta termomagnetica care avand proba pe un taler sub actiunea unui camp magnetic de o anumita valoare da informatiii precise asupra cantitatii de baza magnetica la desprinderea probei de taler. Metalografia cantitativa se ocupa cu det supraf medii ale grauntilor, masa lor, nr de graunti pe supraf de masa si cantitatea de faze existente in supraf atacata a probei. Masurarea supraf medii, se poate face prin: 1. masurarea la microscop, utilizand un ocular micrometric; 2. proiectarea struct pe un ecran cu ajutorul oglinzii Ablee pe care se pot face masuratori; 3. fotografierea struct si efectuarea masuratorilor pe copia fotografica; 4. compararea marimi grauntilor; 5. scari metalografice. Pt det supraf medii, pe o copie fotografica se traseaza un cerc cu diametrul cunoscut Sc=d/4 apio se numara grauntii din interiorul cercului, Z, apoi se numara grauntii sectionati de circumferinta cercului, m, si se scrie relatia: Sm=Sc106/ (0,67n+Z)M2, unde M este puterea de marire; 0,67- coef acetil care spune ca 67% din supraf grauntilor sectionati sunt in interior. Pt det diametrului pe copia fotografica se traseaza un nr de 5-10 linii paralele fiind cunoscuta puterea de marire, se cunoaste lung liniilor dupa care se numara grauntii sectionati de linii si se noteaza cu Z si se considera primul graunte sectionat partial, eliminandu-l pe ultimul. Dm=Lp103/ZM[m] Analiza submicroscopica cercetarile la nivel de graunte nu se pot face cu microscopul, ci se recurge la analiza R- struct care utilizeaza difractia razelor X pe planul cristalografice a unor materiale. Acest principiu are la baza legea lui Bragg. Metoda Lauce (met monocristalului fix) presupune difractia unui fascicul de raze X policromatic cu lungimea de unda cunoscut pe un mnocristal, imaginea de difractie inregistrandu-se

pe un ecran fluorescent dispus in spatele monocristalului. Metoda Debye Scherrer presupune difractia cu fasciculul de raze X monochromatic cu lungimea de unda cunoscut, folosindu-se proba monocristalina, de regula sub forma de pulbere dispusa intr-un container, in interiorul unei incinte circulare numite camera Debye. In timpul difractiei, proba se roteste, iar imaginea de difractie se inregistreaza pe un film fotosensibil dispus in interiorul camerei Debye pe circumferinta. Se obtin inele clare de difractie pt a=k si din ce in ce mai micute pt k mai mare. Pt ca la unghiuri mici este sin aprox egal cu val unghiului, putem scrie =4R => =/4R. Cu ajutorul camerei Debye, se mai poate det nr de atomi din celula elementara, gradul de texturare a materialelor deformate plastic, neomogenitate struct si chimica si de asemenea aprecierea gradului de omogenitate la nivel global. Metode de punere in evidenta a transformarilor structurale Aceste metode dau posibilitatea determinarii temperaturilor de inceput si sfarsit de transformare de faza pt transformarile care se produc intr-un interval de timp sau a apalierelor care se supun transformarilor izoterme. 1. Analiza termica este o metoda de evidentiere a transformarilor de natura termica prin masurarea continua a temperature probei printr-un termocuplu aflat in contact direct cu proba. Cu ajutorul analizei termice se determina incalziri si raciri termice cu ajutorul carora se evidentiaza transformarile structurale. Analiza termica simpla poate fi completata cu analiza termica diferentiata cand in permanenta variatia temperaturii probei este comparabila cu temperatura probei etalonata putandu-se determina astfel transformeri foarte sensibile. 2. Analiza dilatometrica metoda de punere in evidenta a transformarilor structurale care presupune si modificari de volum. Marea lor majoritate, corpurile in stare solida isi maresc volumul la

cresterea temperaturii datorita agitatiei termice a atomilor si a marimi parametrice, dar sunt si materiale care isi micsoreaza volumul la cresterea temperaturii, avand sistemul de cristalizare cu compactitate redusa asaa cum este cazul materialelor semiconductoare. Structura cristalina a materialelor In interactiunea dintre atomi, energia de actiune este de structura electromagnetica. Acestea det ca edificiu atomii sa prezinte simetrie si reteaua spatiala formand retele spatiale cristaline in care atomii ocupa pozitii de echilibru. Fiecare atom dintr-o retea spatiala este caract printr-un vector de pozitie ru,v,w=ua+vb+wc, unde r-reprezinta vectorul de pozitie al unui nod oarecare; a, b, cvector de translatie fundamentala; u, v, w-nr intregi care de regula reprezinta coordonatele nodului respective. Reteaua cristalina spatiala poate fi formata prin reproducerea spatiului a unei grupari riguroase de atomi denumita baza sau printr-o caract fundamentala a cristalului. Configuratia spatiala cea mai sigura care pastreaza toate caract retelei se numeste caract elem-lor. Forma si marimea unei celule elem sunt date cu ajutorul parametrilor de retea, respective lungimile a,b,c pe cele 3 coordonate cat si vectorii a, b, c de translatie a nodului respectiv. Sunt cunoscute in fct de dispunerea nodurilor in spatiu 7 retele cristaline cu 14 noduri de dispunere care se numesc retele Bravais. 1. Cubic: a=b=c; ===90 : C.S.; C.V.C.; C.F.C. 2. Tetragonal: a=bc; ===90 : T.S.; T.V.C. 3. Ortorombic: abc; ===90 : O.S.; O.B.C.; O.V.C.; O.F.C. 4. Romboetric: a=b=c; ==90 : R.S. 5. Hexagonal: a=b=c; ==90; =120 : H.S. 6. Monoclinic: abc; ==90; 120 : M.B.C.; M.S. 7. Triclinic: abc; =90 : T.S. Caract retelelor cristaline 1. Nr de atomi ce apartin unei cellule elementare: N=N1+Nf/2+Nc/8, Nf- nr de atomi de pe fete, Nc-nr de atomi de

pe cub. 2. Grad de compact grad de inghesuire a atomului =Va/1/Vc, raportul intre volumul atomului si volumul celulei intotdeauna existente locuri intre atomi neocupate. 3. Nr de coordinati reprezinta nr de atomi situati la distanta cea mai mica si egala fata de un atom dat. Det indicilor Miller pe plane si directii cristalografice Pozitionarea unui plan cristalografic se face cu ajutorul a 3 nr intregi scrise in paranteze notate (h, k, l) si care se numesc indici Miller. Ele reprezinta valorile inverse a segmentelor taiate de planul cristalografic pe cele 3 axe cristalografice masurate in parametric de retea. Pt directii cristalografice se scriu in paranteze patrate si sunt aceeasi cu indicii Miller ai planului perpendicular. Interactiunea intre atomi Distributia atomo-spatiala, dupa cele 7 sisteme de cristalizare, este mentinuta in echilibru prin fortele de interactiune dintre atomi. Energia necesara desfacerii unui corp solid in atomi liberi se numeste energie (caldura) de sublimare si este o masura a energiei de legatura dintre atomi.(Q=0,235Tev) Astfel energia totala de legatura dintre atomi poate fi u=Q+I[kCal/mol] ca suma intre caldura de sublimare si energia de ionizare. Natura fortelor poate fi de 3 feluri: gravitationala; magnetica; electrica. Energia potentiala dintre 2 atomi aflati la distante r de masa atomului A si care se atrag dupa legea tractiei universale, se calculeaza cu relatia: Ugrav=k(mHA)^2/r, unde mH este masa atomului de hidrogen (1,66*10^-24) si este definita ca constanta gravitationala 6,7*10^-11. Interactiunea de natura magnetica dintre 2 atomi situati la distanta r sub forma unui dipol magnetic se poate calcula cu relatia: Umagn=e/4*2pb^2/r^3. Atat energia gravitationala cat si energia magnetica au valori neinsemnate in comparative cu energia potentiala determinate de

atractia electrostatica intre 2 sarcini electrice aflate la distanta r considerate in vid. Tipuri de legaturi interatomice in corpurile solide In fct de natura atomilor, respective dupa polaritatea lor, legaturile interatomice pot fi: -heteropolare - cand se realizeaza intre atomi cu polaritate diferita, metal, metaloizi, legaturi ionice; -homopolare cand se realizeaza intre atomi de acelasi fel, cu aceeasi polaritate respective metal-metaloizi, legaturi covalente si metal-metal cand se numesc legaturi metalice. In afara acestor legaturi principale mai sunt 2 numite secundare: van der Waals si a 2-a legatura de hydrogen. Structura reala a cristalelor Spre deosebire de structura perfecta a cristalelor, corpurile cristaline din natura sunt formate din cristale reale a caror structura se abate de la forma ideala. Corpurile reale prezinta unele abateri de la distributia riguros ordonata a atomilor, abateri ce duc la imperfectiuni sau defecte recticulare. Defectele de retea sunt cauzate de deplasari ale atomilor astfel incat cele cu caract permanent se numesc defecte statice in timp ce deplasarile cu caract temporal sunt dinamice. Cea mai mare importanta in analiza structurala o au defectele statice care se clasifica in 3 categorii: 1. defecte punctiforme; 2. defecte liniare(dislocatii); 3. defecte de suprafata. 1. Defectele punctiforme se caract prin dimensiuni de acelasi ordin de marimi cu dist: vacante; atomi straini (substitutie; interstitie); atomi interstitie. Vacante sunt locuri libere in retea neocupate de atomi, defect care ia nastere prin deplasarea unui atom din interiorul corpului la suprafata. Vacantele sunt defecte neuter din pct de vedere electric, iar perechea dintre vacante si atomi interstitiali se numeste

Schotky. Atomi interstitiali sunt atomi cu aceeasi natura si care ocupa pozitii interstitiali. La metale in jurul atomilor interstitiali se pastreaza neutralitatea electrice, la unele cristale pt a se pastra neutralitatea se creaza o pereche de defecte de compensare care se numeste defect Frenkel. Atomi straini sunt atomi de alta natura care inlocuiesc sau intra in interstitiile atomilor de baza creeind de cele mai multe ori zone de energie mare ce determina perturbarea retelei cu atat mai mult cu cat diferenta intre razele atomice ale atomilor straini fata de atomi de baza este mai mare. Defectele punctiforme sunt grupate in anumite zone, acestea se numesc colonii. Cand sunt orientate pe diferite directii se numesc claustre. Calc nr de vacante intr-un cristal. Intr-un cristal in stare de echil, exista intotdeauna la o anumita temperatura un nr bine determinat de vacante. Pt a calcula acest nr, se pleaca de la energia libera Helmolte F=U-TS, F energia Helmolte, U- energia interna. Energia interna reprezinta variatia de energie produsa de cele nv vacante, astfel incat U=nv*Uf, unde Uf energie necesara formarii unei vacante. Entropia de configuratie pt reteaua N noduri de retea determinate de nv vacante. Se calculeaza cu rel: S=Kln (N!/(N-nv)! nv!). Inlocuind vom avea F=nv*Uf-KTln(N!/(N-nv)!nv!). Cunoscand rel lui Striling: ln N!=NlnN-N, se calculeaza derivate fct f in functie de nr de vacante, de unde rezulta ca raportul nv/N este o fct exponentiala care depinde d.p. de temperatura si de energia de formare a vacantei. Din calcul rezulta ca in general, la temp de 1000 C, la cca 100.000 rezulta o vacanta. La aprox 1 atom g/subst sunt 10^18 vac. 2. Defecte liniare (dislocatii) sunt defecte care se formeaza prin gruparea mai multor defecte punctiforme dupa p directie sau un plan cristalografic. Au 2 dimensiuni de ordin interatomic, si o a 3-a dimensiune mult mai mare. Cele mai importante defecte liniare

sunt dislocatii. Acestea au un rol deosebit in explicarea principalelor transformari de baza, in crestera cristalelor si in explicarea proprietatilor generale sensibile structurate. Dislocatiile pot fi de 2 feluri: A. Dislocatii marginale(liniare) sunt imaginate ca fiind formate prin introducerea unui semiplan atomic suplimentat, numit si extraplan intr-o retea spatiala perfecta. Dislocatia liniara este caracterizata prin axa dislocatiei care reprezinta linia perpendicular ape suprafata cristalului. Dislocatia liniara este caract de vectorul Burgers b care inchide circuitul in jurul inimii dislocatiei. Vectorul b este perpendicular pe inima dislocatiei. B. Dislocatii elicoidale sunt determinate de distributia atomilor in jurul inimii dislocatiei dupa o spirala. In acest caz vectorul b este paralel cu inima dislocatiei si reprezinta semnul de rotatie in distributia spiralata a atomilor. Corpurile cristaline contin un nr mai mic sau mai mare de dislocatii cu orientari determinate care interactioneaza rezultand in final o retea 3D de dislocatii caracteristice prin densitatea de dislocatii: = l/V. Proprietatile dislocatiei: 1. Dislocatiile incep si se termina la supraf cristalului. Cand o dislocatie marg se termina intr-un pct din interiorul cristalului, in acel pct ia nastere o dislocatie elicoidala care iese la supraf cristalului. 2. Orice dislocatie este inconjurata de un camp de tensiune, de compresie, intindere la dislocatii liniare si de forfecare la dislocatii elicoidale. 3. energia unei dislocatii consta in lucrul mecanic grabit pt introducerea dislocatii in cristal sau lucrul mecanic cheltuit pt deformarea elastica a retelei in zona dislocatiei. Energia dislocatiei este proportionala cu lungimea astfel incat corpurile cristaline avand tendinta spre echilibru, deci energia inimii presupune ca dislocatiile tind sa-si micsoreze lungimea. 4. Dislocatiile se pot deplasa prin cristale cu usurinta sub actiunea fortelor exterioare determinate de deformarea plastica. Miscarea

dislocatiilor se realizeaza prin alunecare, mecanism care reprezinta componenta principala a deformarii plastice a materialelor. 5. Dislocatiile se pot multiplica in interiorul cristalului creeind bucle de dislocatie cu atat mai mult cu cat tensiunea de deformare este mai mare decat T. 6. Dislocatiile dintr-un cristal care interactioneaza se atrag(se resping) astfel incat 2 dislocatii paralele de acelasi semn au o forta de interactiune pozitiva si dislocatiile se resping, in timp se 2 dislocatii de semn opus au o forta de interactiune negative si se atrag. 7. In deplasarea continua a dislocatiilor dintr-un cristal, pe un plan de alunecare atunci cand intalnesc un obstacol se formeaza o grupare de dislocatii, unde dislocatiile se blocheaza creeind zone cu tensiuni foarte mari. 3. Defecte de supraf sunt acele defecte la care o dimensiune este de ordin interatomic si 2 mult mai mari. Reprezentarea supraf din interiorul cristalului care separa portiuni ce se deosebesc intre ele prin strutura cristalografica, prin orientare cristalografica si prin orientarea magnetizarii spontane. Limita de separare intre graunti se numesc limite la unghiuri mari avand orientari diferite in grauntii vecini. Limita la unghiuri mari sunt zone de energie maxima constituind locuri preferentiale pt inceputul transformarii de baza avand o influenta deosebita asupra proprietatilor. Limita dintre graunti care au o orientare sub 20 se mai numesc unghiuri defecte, la unghiuri mici reprezenta suprafete din interiorul grauntilor determinate de dispunere in siruri a dislocatiilor. Solidificarea metalelor Metalele sunt corpuri simple formate din atomi de aceeasi speta care se topesc si se solidifica intotdeauna la aceeasi temperatura si presiune. Topirea metalelor este rezultatul inmagazinarii de energie termica care mareste cavitatia termica a atomilor pana la atingerea de

coliziuni dintre atomi si distrugerea edificiului cristalin. Energia necesara invingerii coliziunii dintre atomi, la topire apare sub forma caldurii latente de topire. Temperatura in timpul topiri ramane intotdeauna constanta deoarece caldura primita din exterior se consuma pt distrugerea retelei cristaline. In general, starea topita a metalelor este diferita de starea lichida avand mai multe proprietati asemanatoare stari solide datorita faptului ca intre atomii metalelor exista forte de interactiune mari creeind tensiuni caracteristice cum ar fi tensiunea superficiala, fluiditatea, dilatarea in limite reduse sau contractia, iar prin analiza la nivel atomic se constata ca atomii in topitura pastreaza orientarea si distributia la fel ca in stare solida, dar fara distributie spatiala, ci distributie locala. Curba de racire-incalzire. Grad de subracire Obtinerea unui material metal in stare solida se poate obtine prin mai multe cai: solidificare din stare lichida; condensare din stare gazoasa; reducere din stare lichida; pe cale electrolitica. Cel mai utilizat mod de obtinere il reprezinta solidificarea. Urmarind variatia temperaturii in timp, un material in care nu exista transformare, obtinem o curba exponentiala la care unei variatii de temperatura ii corespunde o varianta de metal. Consideram ca racirea are loc intr-un mediu cu temperatura const, Tm, pierderea de caldura este proportionala cu diferenta de temperatura la valoare la care se afla corpul T si temperatura medie de racire intr-un timp d. dQ=-k+d. Semnul rezulta din faptul ca temperatura si timpul sunt de semen contrare. De asemenea pierderea de caldura este proportionala cu scaderea temperaturii. dQ=CdT, unde C-caldura specifica; -kTd=CdT => -kd/C=dT/T => de la 0 la -kTd/C= dT/T=> -k/C =lnT/T0=> T=T0 e^k/C relatie care explica forma exponentiala cu variatie continua atunci cand nu au loc transformari. Termodinamica solidificarii primare. Calculul lui F

Energia libera care defineste echilibrul si caract starea unui system in anumite conditii de temperatura si presiune este data de legea lui Gibbs. G= U+PV-TS, unde U-energie interna, P-presiunea, Vvolumul, T-temperatura, S-entropia. Din pct de vedere termodinamic, starea cea mai stabila rezulta din anularea derivatei Gibbs d(DG)=OL => dU+PdV-TdS. Toate transformarile produse in natura conduc la starile energiei mai mici decat starile din care provin. Forte modice a unei transformari de la o stare la alta o constituie diferenta dintre energiile libere a starii initiale si finale. F=FeFs>0. Mecanismul solidificarii Procesul de solidificare este rezultatul a 2 procese elementare: 1. germinare; 2. crestere. Micsoram temperatura din starea topita, iau nastere fluctuatii termice care au loc in microvolumul in urma caruia mici grupari de atomi se ordoneaza in spatiu formand germeni cristaline. La racirea in containere, aceste centre de cristalizare devin stabile si devin capabile sa se dezvolte astfel, procesul de solidificare depinde de viteza de formare a germenilor numita capacitate de cristalizare si de viteza de determinare care reprezinta nr-l de germeni formati in unitatea de timp si volum. Germinare omogena. Pt ca un germene omogen sa devina stabil si capabil sa creasca, el trebuie ca la temperatura de subracire , Tr, sa posede dimensiunea critica, rcr, care se defineste ca dimensiune minima pt care un germene devine stabil si este capabil sa creasca. Germenii care au dimensiuni subcritice sunt instabili si se retopesc. Aparitia germenilor stabili este echivalentul cu aparitia unei interfete, solid-lichid, pt care este necesara o energie egala cu S, unde S- supraf germenului, -tensiunea superficiala a interfetei solid-lichid, in timp ce variatia energiei libere la solidificarea unui volum, V, se noteaza cu VF si constituie variatia totala de energie = -VF+ S. Germinarea eterogena. Are loc pe particule preexistente in

topitura si are prioritate fata de germinarea eterogena datorita unui consum energetic mai mic. Avand loc pe supraf preexistente in topitura, energia necesara formarii noilor suprafete, cr *, este cu mult mai mica fata de cr. Analizand cele 2 procese, germinarea omogene si germinarea eterogena, in conditia de desfasurare statica a procesului, diferenta de energie libera este favorabila germinarii eterogene, doar din componenta dat in realitate in prezenta multor altor stimulatori dinamici a procesului de solidificare, germinarea eterogena are loc cu o viteza mult mai mare. Cinetica procesului de solidificare (CPS). Cinetica in general se refera la viteza de transformare. Trasand grafic, variatia vitezei creste in fct de timp, se obtine o variatie care delimiteaza 3 perioade diferite. Perioada 0 se numeste perioada de incubatie si reprezinta perioada in care germenii se formeaza si devin stabili. Procesul capata un maxim la 50 50% volum transformat si scade la 0 pt 100 sfarsitul solidificarii. Curba care delimiteaza cinetica solidificarii signoida si este determinat de variatia vitezei macroscopice de solidificare. Faze si constituenti in sistemul de aliaje Not de sistem include nu doar elemente care formeaza aliaje. Astfel, sist sunt: simple cand au 1 elem monocomponente; binare 2 componente. In ineriorul sistemului au loc transformari. Acestea pot fi: stari de agregare; transformari polimorfe; transformari magnetice. In fct de nodul de interactiune dintre atomii componentelor in diverse domenii de temperatura si concentratie, fazele din sistem de aliaje pot fi: componente pure faze intermediare constituind formatiuni atomo-cristalini in care atomi componentelor A si B si se afla legati in molecula in rap echiometric bine definit de formula Am, Bm. compusi chimici poseda proprietati diferite de elementele din

care se formeaza Am, Bm diferit de A si B, are struct cristalina proprie, temperature fixa de topire si in general o duritate mult mai mare. Pt ca 2 elem, A si B sa formeze un compus chimic, este necesar ca atomii diferiti sa se atraga mai mult dact atomii de acelasi fel si unul dintre elem sa fie puternic electronegative pt a forma legaturi chimice. (1. dupa modul de respectare a valentelor compusilor chimici definiti; 2. dupa domeniul ocupat de axa concentratiei: - CC care exista ca faze unice numai pt anumite concentratii CC cu compozitie const; - CC care exista ca faze intr-un domeniu intermediar CC cu compozitie var-solutie solide sec; 3. dupa modul de var a propr mecanice: daltonide care in domeniul de existenta prezinta o anumita concentratie cu pct min/max pt propr; bertholide prezinta in domeniul de existenta o var continua a propr; 4. dupa comportare la topire: -cu topire egala care sunt stabile pana la temp de topire; -cu topire inegala care sunt instabile si inainte de a se topi se descompun in 2 faze solide, fie intr-un solid-lichid; 5. dupa tipul struct cristaline si tipul de legatura avand compusi electroch, compusi de tip geom si compusi electrozi). solutii solide reprezinta un amestec intim intre atomii componentelor fara a forma molecule cu o anumita formula. Pot fi: -cu solubilitate nelimitata cand componentele sunt solubile de la 0-100%; -cu solubilitate limitata cand componentele sunt solubile numai in anumite proportii: -saturate la limita de solubilitate; -nesaturate cand contin o cantitate sup de dizolvat; -suprasaturata cand cantitatea dizolvata este mai mare. SS in fct de modul de patrundere a atomilor de dizolvat pot fi: -de substitutie acand atomii de dizolvat inlocuiesc atomii de baza; -de interstitie cand atomii de dizolvat patrund in interstitiile solventului. La formarea SS reteaua cristalografica a solventului se distorsioneaza puternic, cu atat mai mult cu cat raza atomilor este mai diferita. La formarea unei SS de substante parametrul de retea este

proportionala cu procentul elementelor de dizolvat. Constituenti polifazici. Sunt constituenti care contin 2 sau mai multe faze si care atunci cand se formeaza din lichid, la solidificare este eutectic, iar atunci cand se formeaza in stare solida este eutectoid. Amestecurile mecanice prezinta pct fixe de temperatura la solidificare-topire. Variatia energiei libere de concentratie. Variatia libera a unui sistem cu solubilitate totala variaza dupa o curba convexa sau concave in timp ce pt un sistem cu insolubilitate variatia este liniara. Pt un sistem cu solubilitate partiala, variatia de energie prezinta 2 minime pt concentratie, x1 si x2, pt care intotdeauna va fi amestec de faze. Echil sistemului polifazic. Legea fazelor. Factorii care prin variatia lor produc transformarea in interiorul unui sistem material se numesc factori de echilibru, temperature, presiune si concentratie. Un sistem isi poate schimba starea de echil si atunci cand factorii de echilibru variaza in anumite limite astfel ca nr factorilor de echil ce pot varia fara a distruge echilibrul sistemului prezinta varianta sistemului sau nr de variatie a sistemului. Legatura intre varianta sistemului, V, nr de componente, n, nr de faze, f, si nr factorilor de echil care pt sistemele obisnuite este dorit reprezinta legea fazelor. V=nf+2.