Universitatea Tehnic Gheorghe Asachi din Ia i

Facultatea de Electronic, Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei

Specializare: Radiocomunicaii Digitale

Referat MEMS
Fotodetectori realizai n tehnologie MEMS

Profesor: Daniela Ionescu

Student: Victor Macari

IA I 2017
 Fotodetectori realizai n tehnologie MEMS.
Generaliti

Fotodetectorii sunt senzori de lumin sau de alt energie electromagnetic. Un

detector foto are o jnciune p-n care convertete fotonii de lumi n curent electric. Jonciunea
este acoperit de o fereastr de iluminare, de obicei cu un strat anti-reflexie. Fotonii absorii
fac perechi electron-gol n regiunea de epuizare. Fotodiode, fototranzistori, sunt cteva
exemple de fotodetectori. Celulele solare absorb lumina n mod similar i o transform n
energie elecric.

Tipuri

Fotodetectorii pot fi clasificai n funcie de mecanismul lor de detecie:

- Fotoemisie fotonii provoac elecroni pentru trecerea din banda de conducie a

unui material cu electroni liberi ntr-un vid sau gaz.
- Fotoelectric fotonii provoac electroni pentru trecerea din banda de valen n
banda de conducere a unui semiconductor.
- Fotovoltaic fotonii provoac o tensiune pentru a se dezvolta ntr-o regiune de
epuizare a unei celule fotovoltaice.
- Fotochimic fotonii induc o modificare chimic ntr-un material.

Introducere

Foto-detecia este utilizat n mai multe domenii de cercetare i servete, de exemplu,

pentru protecia medicamentelor, imagistica fluorescent n tiinele vieii i pentru detectarea
particulelor n cercetarea materialului. n general, aceste aplicaii utilizeaz semiconductori
foto-detectoare care sufer o serie de dezavantaje, cum ar fi sensibilitatea mic (factorul de
umplere limitat), dimensiuni relativ mari i flexibilitate limitat n form de pixeli, ceea ce
face dificil integrarea lor n dispozitive MEMS. Dezvoltarea de dispozitive foto-detectoare
fiind depozitate direct pe MEMS atenuiaz aceste limite i faciliteaz integrarea foto-deteciei
n MEMS pentru multe aplicaii diferite, inclusiv cele descrise mai sus. n acest domeniul,
pentru depunerea foto-detectoarelor, este folosit pelicula subire pe tehnologia ASIC
(Application Specific Integrated Circuits), i se bazeaz pe depunerea unui strat fotosensibil
pe partea de sus a unui circuit integrat. Pixelii au un factor de umplere mbuntit, dar
dimensiunea lor, forma i orientarea depind nc de proprietile care stau la baza ASIC. Mai
mult dect att, o cerin biocompatibilitate stabilete o constrngere suplimentar pentru
 etapele deja critice post-procesare. O alt abordare este de a utiliza un substrat diferit de ASIC
pentru depunerea peliculei subiri, i pentru a conecta matricea foto-detectoare de la ASIC
prin intermediul lipirii sau flip-cip cu lovituri de lipire de nalt densitate n cazul n care se
dorete o rezoluie mare i cu un factor de umplere mare. De asemenea, alte tipuri de senzori
MEMS pot fi implementate n substrat prin tehnici de cretere cu model, astfel extinderea
gamei de aplicaii posibile ale dispozitivului.

Principiul de funcionare

Abordarea propus este prezentat n Fig. 1. Se compune din fotodiode model cu

pelicul subire depuse pe partea din spate a unui substrat din cuar. Partea frontala poate fi
micro-prelucrat i / sau asamblate pentru a face parte din orice MEMS, care are nevoie de
foto-detecie. Grosimea cuarului poate fi redus, astfel nct orice prob (biomaterial sau
altele) situat n partea de sus este n contact aproape direct cu suprafaa detectorului, n timp
ce beneficiind de excelenta biocompatibilitatea de sticl. Un filtru dielectric foarte selectiv
poate fi integrat ntre substratul de sticl i fotodioda depus, pentru a permite msurarea
lungimii de und selectiv a emisiei de fotoni. Avantajele acestei abordri sunt simplitatea ei
inerente i cu o sensibilitate ridicat datorit diafragmei optice maxime i factorul de umplere.

Fig. 1. (a) O seciune transversal a dispozitivului senzorului propus, cu 500 um cuar gros folosit ca substrat; (b) Un
zoom de pe un singur pixel cu straturi corespunztoare, conectate la lumea exterioar prin straturi de metal Ti / Pt.

Fabricare

1. Filtrul

Un filtru de interferen este folosit pentru a bloca lungimile de und nedorite s

ajung la fotodiode, ceea ce este o cerin important pentru aplicaii cum ar fi imagistica
fluorescenta. Pentru aceasta, se folosete un filtru dielectric. El prezint proprieti excelente
de filtrare, este rezistent la cldur, are o omogenitate ridicat i este compatibil cu procesul
de depunere a straturilor urmtoare. Filtrul trece jos a fost depus de MSO-Jena (Germania) i
 const din depunerea asistat de ioni cu plasm din mai multe straturi dielectrice de SiO2 i
Ta2O5, cu o lungime de und de separare de 525 nm i o grosime total de 4 pm. Ea prezint
proprieti excelente: atenuare mare (> 99,99%), n afara i n transmisie ridicat (> 90%), n
trecere banda.

2. Fotodiod

Fotodiodele depuse au fost realizate n siliciu amorf hidrogenat. Fiind eliberate din
cercetarea de celule solare, ele prezint caracteristici excelente n ceea ce privete eficiena
cuantic (ntre 500 i 600 nm), scderea curentul de ntuneric (1e-10 A/cm2 pentru -3V de
polarizare) i randamentul. Acestea au fost fabricate prin utilizarea metodelor de cas i
faciliti de PVLAB la EPFL, constnd din VHF PE-CVS (Plasma de frecven foarte nalt
mbuntit chimic de vapori depozitai). Un strat de oxid transparent cu grosimea 1 um
ZnO a fost depus pe filtru dielectric i servete ca anod comun. Un strat de 1 um de Si a fost
apoi depuse, urmat de ZnO 150nm pentru contactul electric cu alte straturi de metal.

a) b)

Fig. 2. (a) rspunsul n frecven al filtrului dielectric depus, furnizat de MSO-Jena; (b) imagine SEM a unui ir de
aisprezece fotodiode.

Procesul de fabricare

Structurarea fotodiodei a fost realizat printr-o combinaie de gravur umed i uscat

pentru diferitele straturi. Cu o fotorezisten de 2um a fost acoperit i cu un model pe partea
de sus a ZnO. Prin ferestrele de deschidere de pe masca, stratul subire de ZnO a fost gravat
cu ajutorul diluat HCL (1: 200). A-Si: Stratul H a fost gravat departe cu SF6 prin tehnica ICP.
Fotorezistena a fost suprimat pentru indepartare i cu plasma de oxigen s-a curit suprafaa.
 Fig. 3. (a) depunerea de filtru de dielectric compus din mai multe straturi de Ta2O5 / SiO2; (b) a-Si: depunere H;
(c) fotolitografie pentru tiere pixel este oprit; (d) ZnO gravur umed; (e) a-Si: H = gravarea uscat; (f) depunerea
stratului de SiO2 pasivizare la temperatur sczut prin pulverizare catodica; (g) fotodiod partea din spate i btaie oxid
de siliciu de gravare uscat; (h) depunerea Ti / Pt de ridicare-off fotolitografie; (k) se cur masca rmas de demontare;
(l) ambalarea dispozitivului.

Odat ce dioda foto a fost model, un strat de dioxid de siliciu de 200 nm a fost
mprocat pe partea de sus a fotodiodele, n scopul de a crea un strat de izolare electric. Prin
utilizarea fotolitografiei convenionale i tehnici de gravare uscat, dioxidul de siliciu a fost
corodat de pe partea din spate a fiecrui pixel. Detectoarele sunt dotate cu un factor de
umplere de 44%, n principal, limitat de spaiul necesar pentru conexiunile de metal. Acest
numr ar putea fi uor crescut la 90%, prin utilizarea de flip-chip i tehnici de lipire
protuberane de mare densitate. Fiecare plachet conine 32 de dispozitive de 100 mm2
fiecare. Ele au fost separate prin tiere n cuburi, ambalate pentru plachet o aplicatie
biologica. Pentru aceasta, un PCB a fost proiectat, iar fiecare dispozitiv a fost lipit i conectat
la tampoane PCB prin lipirea de srm. Un container cilindric n cele din urm a fost fixat pe
partea de sus pentru a forma o camer pentru teste biologice pe termen lung.
 Concluzii

Sistemul efectueaz o sensibilitate ridicat la lumin, rezoluie spaial potenial

ridicat i biocompatibilitate ridicat. Tehnica de fabricare poate fi utilizat pentru a construi,
pe detectoarele aceeai structur, hibride i cu o densitate ridicat pentru un multi-parametru
de msurare pe termen lung a preparatelor biologice. Senzorul este biocompatibil i pot fi
integrate cu alte fabricate micro-bazate pe dispozitive de sticl, cum ar fi dispozitivele
biologice microfluide, chimice i n care foto-detecia este o caracteristic dorit.