Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

Cursul 7

Tehnologii de fabricaţie a micromotoarelor electrostatice

Progresele înregistrate în ultimii ani, în fabricarea şi în utilizarea micromotoarelor

electrostatice se datorează apariţiei şi dezvoltării tehnologiilor de microfabricaţie, bazate
pe procese fotolitografice. Utilizate, mai întâi, pentru fabricarea circuitelor integrate,
aceste tehnologii, au fost extinse la uzinarea unor microstructuri, între care,
micromotoarele cu dimensiuni milimetrice ocupă un loc important.
Realizarea între stator şi rotor, a unui interstiţiu extrem de mic reprezintă singura
soluţie practică pentru creşterea rigidităţii dielectrice a aerului la valori ce permit obţinerea
unor densităţi de energie comparabile cu cele întâlnite la motoarele electromagnetice. În
fapt, ele reprezintă rezultatul efectului Paschen în interstiţii extrem de mici, posibil a fi
obţinute numai cu tehnologiile amintite. În fabricarea micromotoarelor electrostatice sunt
cunoscute două tehnologii:
- tehnologia planară;
- tehnologia LIGA.
Ambele procedee se bazează pe procese fotolitografice, utilizate la început în
industria poligrafică, apoi în electronică la realizarea cablajelor imprimate, dispozitivelor
planare discrete şi circuitelor integrate, iar în ultimii ani la fabricarea micromotoarelor
electrostatice.
În tehnologia planară, fotolitografia reprezintă o succesiune de procese fizico-
chimice având drept scop formarea la suprafaţa unei plachete de siliciu a unui strat
protector cu o configuraţie corespunzătoare elementului fabricat. În scopul menţionat,
plachetele de siliciu oxidate sunt acoperite cu un material numit fotorezist, solubil în
condiţii normale, în acizi şi baze, dar care după o expunere temporară la raze ultraviolete
devine insolubil. În următoarea etapă peste placheta astfel constituită, se aşează o
fotomască, care conţine porţiuni opace şi transparente, urmată de expunerea acesteia la
fluxul de raze ultraviolete. Porţiunile de fotorezist corespunzătoare zonelor transparente
ale măştii devin insolubile în timp ce porţiunile opace, rămân solubile şi se îndepărtează
prin dizolvare. Vor rămâne neacoperite doar porţiunile ce urmează a fi atacate chimic în
următoarele etape.
Dacă placheta este introdusă într-o soluţie de acid fluorhidric, oxidul de siliciu
neacoperit este înlăturat prin coroziune, lăsând expus, pentru prelucrări ulterioare stratul

1
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

de siliciu iniţial, restul oxidului fiind protejat de fotorezistul devenit insolubil. În figura
1.1 sunt ilustrate etapele ce caracterizează un proces fotolitografic.

Oxid de siliciu
Siliciu

Fotorezist
Oxid de siliciu

Masca
Fotorezist
Oxid de siliciu

Fotorezist expus
Oxid de siliciu

Fotorezist
Oxid de siliciu

Oxid de siliciu

Figura 1.1 Îndepărtarea selectivă a oxidului de siliciu prin proces fotolitografic

a - plachetă de siliciu oxidată; b - aplicarea emulsiei de fotorezist; c - plachetă expusă la lumină
prin mască; d - îndepărtarea cu solvent a fotorezistului neexpus; e - ferestre în oxidul de siliciu,
obţinute prin corodare chimică; f - fotorezistul îndepărtat

La baza proceselor fotolitografice se găsesc reacţiile fotochimice între diferite

sisteme de substanţe organice. Transformările fotochimice pot fi evaluate şi caracterizate
cu ajutorul unor parametri:
- randamentul cuantic, reprezintă parametrul prin care se poate evalua predispoziţia
moleculelor la transformări fotochimice.
- fotosensibilitatea, se defineşte ca invers proporţională cu cantitatea de energie
luminoasă necesară pentru obţinerea în stratul de fotorezist, a unui anumit efect
fotochimic, care constă în scăderea sau creşterea solubilităţii regiunilor de fotorezist
expuse la iradiere.
- puterea de rezoluţie, reprezintă parametrul ce caracterizează dimensiunea liniară
minimă a elementului ce se obţine cu un sistem dat pentru reproducerea imaginii şi se

2
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

exprimă fie în dimensiunea liniară minimă fie în numărul maxim de linii ce se pot trasa
perpendicular pe o anumită distanţă.

1.1 Fotolitografia în tehnologia planară

Procesul tehnologic de uzinare a unei plachete de siliciu cuprinde următoarele etape:

- curăţarea şi degresarea substratului;
- depunerea stratului de fotorezist pe suprafaţa plachetei;
- uscarea fotorezistului;
- poziţionarea fotoşablonului şi expunerea fotorezistului;
- developarea şi argăsirea termică a fotorezistului;
- corodarea chimică a stratului de SiO2 prin ferestrele făcute în stratul de
fotorezist;
- îndepărtarea stratului de fotorezist.
Ansamblul acestor etape este ilustrat, într-un mod sintetic în figura 1.2.

Figura 1.2 Principalele etape ale unui proces fotolitografic

a - curăţarea şi degresarea stratului; b - formarea stratului de fotorezist; c -

uscarea stratului de fotorezist; d - poziţionarea fotoşablonului şi expunerea
fotorezistului; e - developarea fotorezistului expus; f - argăsirea
fotorezistului; g - corodarea chimică a stratului de SiO2 prin ferestrele făcute
în stratul de fotorezist; h - îndepărtarea stratului de fotorezist

3
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

În funcţie de necesităţile practice, ca substrat, se poate alege fie o folie metalică, fie
un dielectric (sticlă, ceramică) pe suprafaţa căruia este depus un strat din materialul utilizat
pentru construirea componentelor electronice active sau pasive.
Prelucrarea suprafeţei substratului este o etapă importantă în procesul fotolitografic.
Pregătirea lui pentru depunerea stratului de fotorezist constă în prelucrarea lui fizico-
chimică şi spălarea de mai multe ori în scopul degresării şi îndepărtării particulelor de
praf. Degresarea se face în solvenţi organici (tricloretilenă, tetraclorură de carbon) iar
spălarea se face în acetonă, alcool etilic şi, apoi, în apă deionizată.
Formarea stratului de fotorezist la suprafaţa substratului joacă un rol important,
deoarece determină, calitatea procesului fotolitografic. O serie de parametri ai stratului de
fotorezist, ca grosimea şi uniformitatea în grosime, determină atât puterea de rezoluţie a
procesului fotolitografic cât şi calitatea microstructurilor obţinute prin tehnologia planară.
Pentru depunerea fotorezistului sunt utilizate următoarele tehnici:
- cufundarea substratului în soluţie de fotorezist;
- centrifugarea;
- pulverizarea.
Obţinerea stratului de fotorezist prin metoda cufundării este mai puţin utilizată,
deoarece prezintă următoarele neajunsuri: neuniformitatea stratului în grosime;
imposibilitatea de a controla grosimea stratului de fotorezist.

4
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

Metoda centrifugării dă rezultate bune şi este des utilizată. În esenţă ea constă în

turnarea unei anumite cantităţi de fotorezist pe suprafaţa substratului care este apoi
centrifugat. Grosimea stratului de fotorezist h, este invers proporţională cu viteza
unghiulară  a centrifugei şi distanţa R, până la axa de rotaţie şi direct proporţională cu
vâscozitatea cinematică f şi debitul Qf de fotorezist care vine pe suprafaţa substratului.
Din egalarea forţelor centrifuge cu forţele de frecare cauzate de vâscozitatea fotorezistului
se poate arăta că:
3Qf  f
h3 .
2   R  
Aşa cum se poate constata din relaţia de mai sus, pentru aceeaşi viteză de rotaţie a
centrifugei stratul este cu atât mai subţire cu cât fotorezistul este mai diluat. Distribuţia
radială a fotorezistului nu este uniformă. Spre marginea substratului, stratul de fotorezist
este mai gros.
Obţinerea stratului de fotorezist prin metoda pulverizării înlătură o serie de
neajunsuri ale metodei centrifugării. În acest caz, stratul de fotorezist se formează prin
reunirea picăturilor mici care sunt pulverizate pe suprafaţa substratului.
Metoda pulverizării, în comparaţie cu alte metode, prezintă o serie de avantaje:
permite controlul precis al grosimii stratului de fotorezist, măreşte adeziunea la substrat,
reduce la minim defectele şi tensiunile mecanice în stratul de fotorezist.
Uscarea este etapa care încheie procesul de formare a stratului de fotorezist şi se
face în două etape. În prima etapă stratul de fotorezist este ţinut timp de 10-15 minute la o
temperatură relativ joasă (temperatura camerei) când are loc evaporarea lentă a solventului
şi împachetarea macromoleculelor polimerului din care este făcut fotorezistul.
Etapa a doua - de uscare - durează 20-60 minute şi se face la temperaturi cuprinse
între 100-150C. Acum are loc evaporarea intensă a solventului şi trecerea
macromoleculelor polimerului în starea corespunzătoare minimului energiei libere.
Această trecere fiind un proces de relaxare, uscarea nu trebuie făcută rapid, deoarece pot
apărea tensiuni mecanice în stratul de fotorezist. Uneori uscarea fotorezistului se
realizează în infraroşu sau în vid.
Expunerea fotorezistului se face în instalaţii care conţin: sursa de lumină, dispozitive
pentru fixarea substratului şi fotoşablonului, dispozitive pentru poziţionare, dispozitive
pentru controlul poziţionării.

5
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

Precizia în poziţionarea fotoşablonului este determinată de puterea de rezoluţie a

sistemului optic folosit. Sursele de lumină utilizate trebuie să aibă o intensitate a radiaţiei
în regiunea ultravioletă a spectrului suficient de mare pentru a produce reacţii în stratul de
fotorezist.
Imaginea desenului poate fi transpusă pe stratul de fotorezist care acoperă placheta
de semiconductor atât prin metoda contactului direct între fotoşablon şi fotorezist, cât şi
prin metoda proiecţiei optice.
Sunt cunoscute trei procedee tehnice pentru realizarea fotolitografiei prin
metoda proiectării imaginii de pe fotoşablon pe stratul de fotorezist:
- metoda proiecţiei simultane a tuturor desenelor pe mască:
- metoda transpunerii succesive a desenului de pe mască;
- metoda desenării imaginii pe stratul de fotorezist cu un fascicul de raze ultraviolete
de diametru mic.

1.1.1 Particularităţile tehnologiei planare în cazul micromotoarelor

electrostatice

În tehnologia planară aplicată la fabricaţia micromotoarelor electrostatice,

microstructura finală reprezintă rezultatul prelucrării superficiale, pe cale chimică a unei
plachete de siliciu. Astfel, diversele straturi depuse pe un substrat sunt corodate selectiv,
pe cale chimică, pentru a obţine din siliciu policristalin, statorul, rotorul şi arborele fix.
Selectivitatea proceselor chimice de corodare este asigurată prin procedeul
fotolitografiei şi procedeul corodării anizotrope, în ultimul caz folosindu-se un fapt
cunoscut de mai mult timp folosit, şi anume, că viteza de corodare chimică a materialelor
semiconductoare depinde atât de natura decapantului cât şi de orientarea cristalografică.
Procesul de fabricaţie începe cu depunerea pe substrat a unui strat subţire de oxid,
care reprezintă primul strat de sacrificiu utilizat în proces. Peste acesta este depus stratul
următor, din siliciu policristalin. Ulterior, prin procedee fotolitografice convenţionale, va
rezulta rotorul fixat de structura în dezvoltare şi prevăzut la centru cu o gaură circulară.
Urmează depunerea celui de al doilea strat de sacrificiu, constituit din oxid, după care prin
corodare chimică se obţine o cavitate.
Procesul de corodare este condus astfel, încât cavitatea să ajungă până la substrat. Se
pregăteşte astfel realizarea structurii corespunzătoare arborelui fix. În acest scop este

6
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

depus ultimul strat de siliciu policristalin care, prelucrat prin mijloace fotolitografice
capătă profilul indicat.
În final, îndepărtarea cu acid fluorhidric a structurilor de sacrificiu conduce la
eliberarea rotorului pe sub strat.
Micromotorul descris prezintă dezavantajul unui cuplu de frecare relativ mare. În
acest sens una din soluţiile posibile este cea a micromotorului electrostatic cu rotorul
suspendat (figura 1.3).
În procesul de uzinare a unei asemenea microstructuri, depunerea straturilor se
realizează prin procedeul LPCVD (low-pressure chemical vapor deposition). În esenţă,
acest procedeu presupune introducerea elementului uzinat într-o atmosferă de vapori, cu o
anumită compoziţie chimică, aflată la presiune joasă şi la o temperatură prestabilită. În
aceste condiţii are loc transportul atomilor sau moleculelor la suprafaţa uzinată, până când
se formează stratul cu grosimea prestabilită.
Procesul de uzinare începe cu depunerea unui strat de oxid pe sub stratul constituit
din siliciu monocristalin.
Stratul menţionat, cu grosimea de 2,4 m, va fi utilizat, ulterior, atât pentru izolarea
statorului faţă de substrat, cât şi ca structură de sacrificiu. Următorul strat cu grosimea de
5 m, din siliciu policristalin, capătă în urma prelucrării prin procedee fotolitografice,
profilul indicat în figura 1.3, a. Se disting deja, statorul, rotorul şi interstiţiul dintre ele.

7
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

Figura 1.3 Tehnologia planară, etapele procesului de

fabricaţie a unui motor electrostatic cu rotor suspendat

Pasul următor are drept scop obţinerea prin corodare, a unei cavităţi, utilizată
ulterior pentru obţinerea flanşei piesei intermediare de sprijin (figura 1.3, b).
Pentru formarea jocului de lagăr, structura realizată este acoperită cu un strat de
oxid, îndepărtat ulterior, ca structură de sacrificiu (figura 1.3, c). Cavitatea astfel formată
este umplută cu siliciu policristalin dopat cu fosfor din care rezultă suportul de lagăr
indicat în figura 1.3, d.
În această fază, rotorul rămâne încă imobilizat de structură. Eliberarea lui devine
posibilă, în ultima etapă (figura 1.3, e), când stratul de oxid ce-l înconjoară este corodat cu
acid fluorhidric.

4.2 Aspecte de bază ale tehnologiei LIGA. Particularităţi în cazul

micromotoarelor electrostatice

8
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

Tehnologia LIGA constă în obţinerea unor structuri mecanice cu diverse grosimi şi

configuraţii geometrice, prin depunerea pe cale electrolitică a unui metal în matriţe create
prin fotolitografie. Altfel spus, tehnologia LIGA reprezintă o combinaţie între
fotolitografie şi procedeele galvanice cunoscute sub numele de galvanoplastie şi
galvanotipie.
Spre deosebire de tehnologia planară, unde diversele straturi, prelucrate succesiv, pe
cale chimică, conduc la structuri finale cu grosimi mici de ordinul micronilor, în cazul
tehnologiei LIGA înălţimea acestora poate ajunge până la 400 m şi chiar mai mult.
Figura 1.4 prezintă sintetic etapele procesului tehnologic de uzinare a unei
microstructuri metalice folosind tehnologia LIGA. În prima etapă stratul de fotorezist (de
regulă un polimer) este expus selectiv, prin intermediul unei măşti speciale, fluxului de
radiaţii produs de un sincrotron. Masca este alcătuită dintr-o membrană pe care este fixată
o reţea de sectoare absorbante.
Zonele fotorezistului expuse radiaţiei, suferind anumite transformări moleculare,
sunt relativ uşor de îndepărtat sub acţiunea unor solvenţi. În golurile rămase este depusă,
pe cale galvanică, o structură metalică care după eliminarea resturilor de fotorezist capătă
forma dorită.
În următoarea etapă, structura metalică amintită, asociată cu o placă prevăzută cu
găuri de injecţie alcătuiesc o matriţă închisă, unde se poate injecta un material plastic. Se
obţine o structură în golurile căreia, prin acelaşi procedeu galvanic, este depus metalul
pentru configurarea metalică finală.
După îndepărtarea matriţei de sacrificiu (din material plastic), structura finală capătă
forma profilului dorit. Varianta descrisă este recomandată în cazul producţiei de serie
mare. Pentru producţia de serie mică se recomandă o variantă mai simplă prezentată în
figura 1.5.
Caracterul particular al soluţiei expusă în figura 1.6 este legat de tipul de fotorezist
şi sursa de radiaţii utilizată la expunere.

9
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

În prima etapă, substratul de siliciu oxidat superficial (grosimea stratului de oxid

este de 0,3-1,3 m), este acoperit prin metalizare cu o peliculă conductoare ce va constitui
baza dezvoltării pe cale galvanică a unor structuri mecanice ulterioare.

Figura 1.5 Tehnologia LIGA, varianta fără

matriţă intermediară

Urmează faza depunerii fotorezistului constituit din poliamidă fotosensibilă. Acesta,

preparat în stare lichidă, este menţinut timp de două ore la o temperatură ce poate varia
între -5C şi 27C, după care este depus într-un mod cât mai uniform pe suprafaţa
peliculei metalice. Uniformizarea depunerii se obţine prin centrifugare, în două etape
succesive: 600 rpm timp de 15 secunde; şi 1100 rpm timp de 10 secunde.
Uscarea fotorezistului reprezintă următoarea fază, realizată, de asemenea, în două
etape: 80C timp de 15 minute; şi 110C timp de 20 de minute. Calitatea depunerii
stratului de fotorezist poate fi ameliorată printr-un tratament ultrasonic adecvat.
Pentru expunere se utilizează o sursă de radiaţii ultraviolete. Performanţele
procesului de expunere pot fi îmbunătăţite prin utilizarea unor straturi antireflectante şi a
unor filtre speciale.
În ultima etapă, structura metalică finală este eliberată de fotorezist utilizând o
soluţie de hidroxid de potasiu aflată la temperatura de 70C.

10
Sisteme integrate de conversie electromecanică Cursul 7

Figura 1.6 Tehnologia LIGA, varianta bazată pe

utilizarea radiaţiei ultraviolete

Cu procedeul descris pot fi realizate structuri folosind diverse metale: nichel, cupru,
aur, argint, aluminiu.

11