TEHNOLOGII DE REALIZARE

A PANOURILOR FOTOVOLTAICE



Coordonator:
Conf.dr.ing. VONCIL Ion



Masteranzi:
ANDREI Bogdan
LUNGU Cristian
LUNGU Sergiu
MIRIC Ionu



GALAI
2013


1. Necesitatea dezvoltrii si utilizrii surselor neconvenionale de energie;
2. Energia solar ca surs alternativ de energie;
3. Efecte fotovoltaice n semiconductori;
4. Tipuri de celule solare;
5. Procesul de fabricaie al celulelor fotovoltaice din Si;
6. Tendine n obinerea i perfecionarea celulelor fotovoltaice;

Unul din principalele obiective care a fcut ca sursele de energie
regenerabil s devin cel mai frecvent utilizate, a fost reducerea
emisiilor de gaze cu efect de ser n atmosfer.

Fiind considerate resurse energetice semnificative, sursele de
energie regenerabil au devenit treptat unul din principalele
obiective ale politicilor energetice mondiale.

Prin adoptarea acestor tipuri de energii regenerabile se urmrete
creterea siguranei n alimentarea cu energie, protejarea mediului
nconjurtor i dezvoltarea la scar comercial a tehnologiilor
energetice viabile.



Producerea energiei electrice prin conversia fotovoltaic a
radiaiei solare este atrgtoare datorit avantajelor,
procesul fiind nepoluant i fr verigi intermediare.

Utilizarea energiei solare ca surs de energie regenerabil
asigur urmtoarele avantaje:
energie nepoluant;
este livrat ncontinuu de Soare;
instalaiile de captare i conversie
sunt relativ simple i uor de ntreinut;
durat de exploatare ndelungat.
Modaliti de captare i conversie a energiei solare:




ENERGIE
SOLAR
Captare
termic
Captare
fotonic
PASIV
Captator plan cu
convecie natural
ACTIV
Captator plan cu
convecie natural
Conversie
termoelectric
Captator plan fix
Captatori cu
dispozitive de
urmrire
Sisteme de
colectare cu
focalizare
Sisteme ce
funcioneaz pe
baza diferenei de
temperatur
Centrale solare
Instalaii de desalinizare
Obinerea energiei electrice
prin ciclu termodinamic
Descompunerea termic a
apei
Conversie
fotochimic
Conversie
fotovoltaic
Biomas
Reacii fotochimice Hidrogen
Baterii solare i
sisteme terestre
Staii orbitale
Panouri staionare
Panouri cu concentratori i
urmrire
Transmisia energiei
electrice prin microunde
Conversia energiei solare n
energie electric se realizeaz
prin intermediul unor dispozitive
compuse din materiale
semiconductoare denumite
celule solare.



Prin montarea celulelor solare n serie
sau n paralel pe o suprafa plan se
obine un panou solar capabil s
capteze o cantitate nsemnat de
radiaie solar i implicit s genereze
o energie semnificativ.

Aceste panouri solare mai sunt
cunoscute i sub denumirea de
panouri fotovoltaice.



Fotonii care intr n contact cu suprafaa semiconductorului
elibereaz electroni i goluri, care se vor separa n cmpul electric al
zonei de sarcin spaial a jonciunii p-n.
Aceast jonciune este necesar s fie ct mai aproape de suprafaa
materialului i s se ptrund ct mai adnc.
Efectul fotovoltaic const n
apariia unei tensiuni
electromotoare sub aciunea
radiaiei luminoase absorbite
ntr-un semiconductor.

Sub aciunea radiaiei solare
se genereaz perechi
electron - gol ntr-un numr
suplimentar fa de
concentraiile de echilibru.




Structura de benzi i procesele fizice care au loc ntr-o celul solar
cu jonciunea p n:

O mare parte din radiaia incident va fi absorbit n material
iar o alt parte, va fi reflectat de suprafaa celulei, dac
aceasta nu este acoperit cu straturi anti-reflecie.










Numai fotonii care au energia h mai mare sau cel puin egal
cu intervalul energetic al benzii interzise vor fi capabili s
produc saltul electronilor din banda de valen n banda de
conducie.


Caracteristica J-V a celulei solare pentru diferite niveluri de iluminare:











Regiunea caracteristicilor situate n cadranul III al planului J-V coincide
aa numitului regim de fotodiod. Tensiunea V are valoarea maxim
pentru R=, adic n circuit deschis, cnd J=0.

n absena iluminrii (=0), celula solar va avea caracteristica J-V unei
diode semiconductoare.

Moduri de reprezentare ale celulelor fotovoltaice:
n figura a. este prezentat o schem
echivalent simplificat care este
alcatuit dintr-o surs de curent
legat n paralel cu o dioda ideal :
Figurile b. i c. descriu modelul unei
celule solare n care se ine cont de
parametrii reali ai elementelor
componente.


Rezistena n paralel ia n considerare
defectele de material ale cristalului, iar
rezistena serie ia n considerare
rezistena contactelor i a legturilor.

Material
Randament(
AM1,5)
Durat de
via
Costuri
[4]

Siliciu
amorf
5-10 % < 20 ani
Siliciu
policristalin
10-15 % 25-30 ani 5 EUR/W
Siliciu
monocristal
in
15-20 % 25-30 ani 10 EUR/W
Arseniura
de galiu
(monostrat)
15-20 %
Arseniura
de galiu
(doua
straturi)
20 %
Arseniura
de galiu
(trei
straturi)
25 % (30% la
AM0)
>20 ani
20-100
EUR/W
Schema pasilor de fabricare a unei celule solare de silicon produs n
concordan cu procesul de printare silk-screen (contactul FSC pe partea
din fa; contactul RSC pe parte din spate;) este prezentat mai jos:
Schema constructiv a primelor tipuri de celule fotovoltaice:

valoarea lrgimii benzii interzise a
materialului de Si este foarte
aproape de valorile optime pentru
care se obin cele mai ridicate
randamente de conversie.
realizat cu homojonciune p-n n
siliciu monocristalin;

randament de cca. 6%;
Realizarea structurii celulelor fotovoltaice cu pelicul subire (a-Si):

a) depunerea feei transparente a
electrodului pe superstratul de
sticl (oxid de indiu);

b) are loc primul nivel de
sedimentare;

c) depunerea stratului absorbant
fotovoltaic activ ;

d) are loc al doilea nivel de
sedimentare;

e) depunerea electrodului din
partea inferioar;

f) al treilea nivel de sedimentare;
Conectarea n serie integrat a irurilor de celule dintr-o celul
solar cu pelicula subire pe substrat :
modulele de pelicul subire sunt compuse din aranjri lamelare de celule
individuale plasate pe un singur substrat sau superstrat;
avantajul major al tuturor tehnologiilor cu pelicul subire este acela c
conectarea n serie la un modul a celulelor individuale poate fi combinat cu
producerea actual a celulei
Structura celulelor solare din siliciu cristalin:

Structura celulei solare din arseniur de galiu GaAs:
proprieti superioare celulelor cu Si;
randament mare;
foarte stabil la schimbrile de temperatur;
utilizat de obicei n industria spaial;
robust vizavi de radiaia ultraviolet;
la nclzire prezint o pierdere mai mic de putere comaprativ cu
celulele din Si.
Structura unei celule unijonctiune din siliciu amorf (a-Si) :
Structura tipic a celulelor solare bazate pe compuii semiconductori
cupru, iridiu, galiu i seleniu:
semiconductor tetrahedrial lipid, cu structura cristalin calcopirit;

folosit ca material absorbant de lumin pentru celule solare tip thin
film (pelicul subire);

Structura tipic a celulelor solare bazate pe compuii semiconductori
cadmiu i teluriu CdTe:

utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas CBD (depunere de staturi
subiri pe suprafee mari n mediu cu pH , temperatur i concentraie de
reagent controlate);
Tipuri de celule solare bazate pe materiale organice:
procesul de fabricaie este ieftin;

structur flexibil;

energia electric generat este
redus;

materialul fotovoltaic activ
care st la baza acestor
tipuri de celule este un
polimer;

aceste celule au un
randament redus;

durat de via redus (max.
5000h);
Eficiena panourilor solare n funcie de materialele semiconductoare
folosite:
GaInP fosfur de gali-indiu; GaAs arseniur de galiu; CdTe cadmiu telurit; CuInSe2 - diselenit de cupru-indiu

Material
utilizat
Tip Randament [%] Stadiul
tehnologiei
Laborator Practic
Siliciu monocristalin 24.7 14.0-18.0 Producie la scar
larg
Polisiliciu policristalin 19.8 13.0-15.5 Producie la scar
larg
Strat inversor MIS (Siliciu) monocristalin 17.9 16.0 Producie la scar
mic
Celul solar
concentratoare
monocristalin 26.8 25.0 Producie la scar
mic
Siliciu cu substrat de
sticl
transfer tehnologic 16.6 Producie pilot
Siliciu amorf simplu pelicul subire 13.0 8.0 Producie la scar
larg
Siliciu amorf pe 2 straturi pelicul subire 13.0 8.8 Producie la scar
mic
Siliciu amorf pe 3 straturi pelicul subire 14.6 10.4 Producie la scar
larg
GaInP celul tandem 30.3 21.0 Producie la scar
mic
GaAs
CdTe pelicul subire 16.5 10.7 Producie la scar
mic
CuInSe2 pelicul subire 18.4 12.0 Producie la scar
mic
Utilizarea unor materiale noi, cum sunt: Galiu-Arseniu (GaAs),
Cadmiu-Teluriu (Cd-Te) sau Diselenit de Cupru-Indiu (CuInSe2).

Utilizarea unor concentratori de lumin, realizai dintr-un sistem de
oglinzi, care pe de-o parte s mreasc intensitatea radiaiei
luminoase i pe de alt parte s poat urmri deplasarea Soarelui pe
cer.

Realizarea unor celule fotovoltaice tandem, construite din materiale
semiconductoare diferite aezate unul deasupra celuilalt, cu scopul
de a capta energia luminoas ntr-un domeniu de lungimi de und
ct mai larg.

Producerea cmpului electric intern prin realizarea unei jonciuni
ntre un strat subire de oxid i un semiconductor, aceast soluie
fiind mai eficient dect jonciunea p-n.