Depunerea chimic de filme de ZnO de la baie zincata de amoniu

Introducere. Diferite metode au fost aplicate pentru filme obtainZnOthin, de exemplu, de oxidare termic, evaporare cu fascicul de electroni, piroliza spray, evaporare activat reactiv, forme diferite de pulverizare (de exemplu, DC pulverizare, rf magnetron de pulverizare, etc), metal-chimice organice de depunere de vapori (MOCVD) , depunerea chimic, etc depunerea chimic a filmelor subtiri de oxizi de la o soluie apoas este o metod foarte promitoare n special pentru anumite aplicaii specifice, deoarece de simplitate si economie. Filme de ZnO prin depunerea chimic techniquewas prima raportat in 1980 de Apel et al. [1], care a obinut ca un accidental de produs ntr-o ncercare de a depune compozit CdxZn1-XS filme. Adaosul de sare de zinc la o soluie de CdS de depozitare a produs filme de CD-uri cantitate mare de impuriti ZnO. Experiment ulterioara a condus la perfecionarea metodei de depunere apoas de ZnO. Depunerea chimic de ZnO care implic multiple scufundarea a substratului ntr-o soluie apoas de un complex de zinc a fost dezvoltat n continuare n 1987 de ctre Ristov et al. [2].Patru soluii diferite de Zn2 + complexe (soluie apoas de amoniu zincata, zincata de sodiu, hidroxid de zinc n soluie de clorur de sodiu i cianura de zinc), au fost folosite n activitatea lor. Tehnica a fost de asemenea folosite pentru a dezvolta sulfur de zinc (ZnS), zinc, cadmiu sulfurat (ZnCdS) i sulfur de cadmiu (CDS) de ctre Nicolau et al. [3,4]. Procesul a fost dat numele de SILAR (succesive Ion stratul de adsorbie i reacie), prin Nicolau et al. [5], deoarece aceasta implic absorbia de un strat de ioni de complex, pe substrat, urmat de reacie a stratului de ioni adsorbit. Mai trziu, Jimenez-Gonzalez i Nair [6,7] ZnO depuse de film folosind aceasta tehnica de la baie zincata de amoniu. Tehnica este, totui, relativ mai puin utilizate i a studiat o. Avantajele acestei metode sunt simplitatea sa de principiu de lucru i costuri reduse de aparate. In aceasta tehnica, un substrat de sticl este inmuiata alternativ n pahare de laborator coninnd soluii apoase sau ap distilat pentru reacia s aib loc la suprafata substratului. Substratul poate fi introdus n Reactive diferite pentru o anumit perioad de timp, n funcie de natura i cinetica de reacie. Ciclul de scufundare-reacie poate fi repetat pentru orice numr de ori, limitate doar de problemele inerente asociate cu tehnica de depunere i de substrat subire interfa de film.Mai devreme am raportat pregtirea de filme subtiri de ZnO

de aceasta tehnica de la baie zincata de sodiu [8,9]. Cu toate acestea, cantitatea de sodiu din urm sa dovedit a fi cuprinse n filme. Acest lucru poate fi duntoare pentru stabilitatea de astfel de filme i, prin urmare, pentru orice aplicatii practice. n aceast lucrare, am raportat aceeasi tehnica de fabricare de film de ZnO de soluie zincata de amoniu. Dei Ristov et al. [2], a menionat c cele mai bune filme de calitate sunt obinute de la baie zincata de amoniu (ntre patru de zinc complex folosit), detalii ale ratei de cretere film pe parametri de depunere diferite, nu au fost discutate n munca lor. Diferiii parametri de depunere care reglementeaz procesul de cretere film sunt discutate aici. Proprietile structurale i electrice ale filmelor depuse, de asemenea, sunt studiate. 2.Experimental. Oxid de zinc Filmul a fost depus pe sticla substraturi (diapozitive microscop) de ctre supleantul scufundare n zincata de amoniu [(NH4) 2ZnO2] baie pstrat la temperatura camerei i a apei calde meninut aproape de punctul de fierbere. Substratul de sticl a fost curat, nainte de depunerea, de ctre acidul cromic, urmat de cltire cu ap distilat i de curare cu ultrasunete cu aceton i alcool. Substratul a fost bine curat avut loc ntr-un suport, astfel nct doar o zona necesare pentru depunerea de film a fost expus. Astfel, depunerea zona filmul ar putea fi uor modificat prin ajustarea acordului titularului. Filmele de ZnO depuse au fost ulterior recoapte n aer, la 150 C. Grosimea filmului a fost determinat gravimetric prin msurarea schimbarea n greutate a substratului din cauza depunerilor de film, zona de depozitare i folosind densitatea cunoscut de ZnO. Rata procesului de depunere a fost studiat prin monitorizarea variaiei de grosime de film, cu pH-ul i concentraia de baie zincat i numrul de imersiuni n cele dou bi. Difractie de raze X (XRD), cu Cu K? radiaii ( = 1.5418 A ) a fost folosit pentru caracterizarea structural i de identificare faz a filmelor de ZnO depuse ntr-un Philips PW 1710 XRD-sistem. Microscopie electronica de scanare (SEM) a fost folosit pentru a ilustra formarea cristalitelor de pe suprafaa filmului.Caracterizarea electrica a filmelor depuse a fost efectuat n modul de suprafa prin monitorizarea variaia de conductanta electrice (), n funcie de temperatura (T), folosind tehnica de sonda clasice n doi. Filmul a fost inut n ntuneric n interiorul unui cuptor tub de cuar. Gama de temperatur analizat a fost de 300-650K, cu o precizie de control de () 1 K. argint timp de aproximativ 20mm (Ag), date de contact, separate de 5 mm, au fost efectuate pe filme de ZnO (30 mm 25 mm) pentru msurtori electrice. Limea de electrozi a fost de aproximativ 1 mm. Cele pastewas efectueaz vindecat la 200 C, n acest scop. Valoarea conductivitii electrice ar putea fi msurat de la valoarea msurat a conductanta (de exemplu,

rezistena) i folosind relaia sigma = 1 / = RL / A.Aici R este valoarea msurat de rezisten, L este distana dintre cele dou electrozi de argint (~ = 5mm, n acest caz) i A este zona, care este produs de lungimea electrozilor (~ = 20 mm) i grosimea a filmului. 3. Rezultate i discuii. 3.1. Depunerea de film i optimizarea parametrilor de experimentale. Zincat baie de amoniu, folosit pentru depunerea de ZnO a fost pregtit prin adugarea de hidroxid de amoniu (soluie de amoniac 25%), la o soluie apoas de sulfat de zinc (ZnSO4 7H2O). La nceput, un precipitat alb de hidroxid de zinc [Zn (OH) 2], apare n funcie de reacia ZnSO4 2NH4OH + = Zn (OH) 2 + (NH4) 2SO4 (1) Cu toate acestea, n plus, mai mult de amoniac, precipita dizolvat formnd (NH4) 2ZnO2 baie n urma reaciei: Zn (OH) 2 + 2NH4OH = (NH4) 2ZnO2 + 2H2O (2) Astfel, reacia general care s conduc la formarea de zincata de amoniu se obine prin adugarea de SCM. (1) i (2) ZnSO4 4NH4OH + = (NH4) 2ZnO2 + (NH4) 2SO4 + 2H2O (3) Aici, un exces de alcalin a fost necesar pentru a avea o baie stabil zincata de amoniu [10,11]. Acesta a fost constatat c de hidroxid de zinc se dizolv n hidroxid de amoniu, din cauza formrii de hidroxid de tetraamminezinc {Zn (NH3) 4 (OH) 2} [11,12]. Cu toate acestea, o serie de cationi complexe poate duce la prezena de o soluie ammonical exces [12]. Acestea sunt [Zn (NH3) 2] + +, [Zn (NH3) 4] + + i [Zn (NH3) 6] + +. Jimenez-Gonzalez [6] a dedus, de asemenea, prezena de tetraamminezinc (II), [Zn (NH3) 4] + + n soluie. Procesul de depunere Filmul a constat n urmtoarele etape: (i) prin imersie a substratului de pre-curate n soluie de zincata de amoniu pstrat la temperatura camerei; (ii) retragerea din substrat (care poart un strat subire de soluie a aderat la suprafa de substrat) i (iii) introducerea de substrat, cu strat de soluie de zincat n baie de ap fierbinte (care a dus la reacia chimic pe suprafata substratului). Astfel, un ciclu complet de imersiune implic scufundarea substrat n baie zincat, retragerea sa de la baie, urmat de scufundarea n baia de ap fierbinte. De timp, n fiecare baie de imersiune a fost de 2 S. Grosimea filmului a fost construit prin creterea numrului de cicluri de scufundare i / sau concentraia de baie zincata. Reacie care apar pe suprafaa substratului duce la formarea de ZnO de la baie zincata de amoniu este (NH4) 2ZnO2 + H2O = ZnO + 2NH4OH (4) n afar de ZnO, astfel formedwas depus pe substrat ca un film puternic aderente i un alt o parte din ea a format un precipitat n baie de ap fierbinte. Astfel, doar microcristale puternic aderente a rmas pe suprafa. Aceste cristale, apoi a servit ca nuclee pentru dezvoltarea n continuare n timpul ulterioare scufundare. Este de menionat faptul c baia zincata de amoniu utilizate pentru depozitarea conine sulfat de amoniu,

precum i (ec. (3)). Se pare c n timp ce zincat precipitate ca ZnO n prezena de concentraie mare de ap atunci cnd a sczut n baie de ap fierbinte, sulfat merge n soluie datorit solubilitii sale ridicate n ap. Rata de cretere i de calitate a filmului s-au dovedit a fi destul de sensibile la pH-ul de baie zincata. Fig. 1 arat dependena de pH-ul a ratei de cretere de film. Concentraia de baie a fost fixat la 0.125M i temperatura de depunere a fost fixat la 96 2 C. 100 de cicluri de scufundare au fost efectuate n acest scop, de a avea valori msurabile grosime n special la valori ridicate ale pH-ului soluiei. Cifra indic rata de cretere [n m / scufundare / mol (M)?] mpotriva pH-ului de baie. Se vede din figura c rata de cretere scade brusc, cu pH-ul crete de soluie de baie. Se poate cu toate acestea, trebuie remarcat faptul c ncercrile de a depune filme la valori pH mai mic de 11,0, nu au avut succes, deoarece nu au fost non-aderente praf ca precipitate pe suprafaa substratului. Soluia de baie, de asemenea, tinde s-i piard stabilitatea cu scderea pH-ul ca precipitate de hidroxid de zinc apar n bile de pe picioare.Astfel, zincat baie de amoniu a fost dovedit a fi stabil pentru valorile pH 11,0.Cu toate acestea, pH-ul de mai sus 11.2, rata de cretere scade brusc. Astfel, este de preferat s pstreze pH-ului n intervalul 11.0-11.1, n scopul de a obine filme de bun calitate, aderente, precum i rata de crestere destul de mare. La valoarea pH-ului foarte mare, se pare c dizolvarea de film deja depus ZnO apare, atunci cnd reintrodus n soluie. Acest lucru ar putea fi cauza de alcalinitate ridicat a soluiei. Astfel, stratul de ZnO format dup prima scufundare este parial dizolvat n timpul scufundare sa ulterioar n soluie. Procesul continua cu fiecare ciclu de scufundare i o rat de cretere foarte sczut ar putea fi obinute. Grosimea filmului de ZnO a fost construit prin creterea numrului de scufundare i / sau de concentrare baie zincata. n timpul desfurrii experimentelor, temperatura de baie de ap fierbinte a fost meninut la 96 2 C. PH-ul baie a fost meninut la 11.0 pentru diferite valori ale concentraiilor de baie. Diluarea soluiei de baie a fost gasit pentru a reduce valoarea pH-ului. Deci, de fiecare dat cnd pH-ul de baie a fost restaurat de lng alcalin necesar s baie (cu minim plus alcaline n exces) n timpul de depunere de film. Fig. 2 arat variaia de grosimea stratului de ZnO, cu concentraie de baie zincata de amoniu, n intervalul 0.03-0.15 M. Se observ c grosimea peliculei creste liniar cu concentraia de baie pentru un numr fix de dippings (N = 100). Cu toate acestea, sa constatat ca mai sus, concentraia 0.15M de baie zincata de amoniu, procesul de cretere a fost haotice i neuniform.Concentraiile de mai sus 0.15M, particule adsorbie a avut loc pe suprafaa filmului face neuniform procesul de cretere i care rezult ntr-un film de

proast calitate. Pentru concentraii mai mari (mai mare de 0,20 M), detaarea de film de la substratul sur-fata a avut loc i nici un strat ar putea fi depuse. Fiecare datele din fig. 2 este media a trei msurtori. Dependen de grosimea stratului pe numrul de scufundare (25-200 cicluri de imersiune) pentru baie zincat amoniu este prezentat n Fig. 3. Concentraia de baie a fost pstrat stabilit la 0.125M i temperaturewas baie de ap meninut la 96 2 C. Rata de cretere este de 0,02? M pe scufundare pentru aceast concentraie. PH-ul baie a fost meninut la 11.0. Pentru numrul foarte mare de cicluri de scufundare (mai mult de 200), procesul de cretere este neregulat i neuniform. Pentru concentraie similar de baie zincata de sodiu (0,125 M), rata de cretere a fost de 0.025 m pe scufundare? [9], care indic faptul c rata de cretere este n partea de jos pentru baie zincata de amoniu. Grosimea filmului a fost, de asemenea, verificate de suprafa mpotriva profilometric Talysurf (plus), msurtori i transversal SEM. De obicei, un film de grosime de 1,50 m msurat? Gravimetric (obinut prin scufundare n baie 75 0.125M zincata de amoniu), a expus grosimea medie de aproximativ 1.75? M (folosind profilometer de suprafa). Valoarea medie a fost de mai multe msurtori de pe alt poriune a filmului. Transversal SEM masura prezinta o grosime de 1.80? M pentru acest film, care indic o eroare de aproximativ 20% din grosimea valori msurate gravimetric. Eroare este de ateptat s fie uniform reflectate n filme de diferite grosimi i liniaritatea de smochine. 2 i 3 nu este afectat. 3.2. Caracterizarea structurala Fig. 4 arat difractie de raze X (XRD), model de 1.0? M grosime de film de ZnO depuse de baie zincata de amoniu. Filmul a fost recoapte la 150 C n aer nainte de a caracterizarea structural. Acesta a fost raportat anterior [8,9], c filmele cadepozitate (obinut de la baie zincata de sodiu), coninea planuri de Zn (OH) 2 la intensiti mici. Cu toate acestea, monofazat ZnO ar putea fi obinute dup un post-depunere tempera la 150 C n aer timp de 15 min. Hidroxid de zinc este aproape complet descompus de oxid de zinc la 125 C [10]. Se vede din Fig. 4, de vrf (0 0 2) apare cu intensitate maxim la 34.39 . De Alte Vrfuri sunt: (1 0 0), (1 0 1), (1 0 2) si (1 1 0), cum ESTE de ateptat for structura hexagonala ZnO [13]. Parametrii zbrele au fost calculate folosind valorile observate ale 2 = 34.39 pentru (0 0 2) i planul de 36.15 pentru (1 0 1), planul i utiliznd d-valori (inter-plan spaiere) pentru structura hexagonala, care este dat de 1/d2 = (4/3) [(H2 + HK + K2) / A2] + l2/c2 (5) n cazul n care (HKL) sunt indici Miller de la planul de cauz i "a" i "c" sunt zbrele constante.Valorile de c i sunt evaluate pentru a fi 5,21 i 3,29 A, care sunt n acord cu valorile bune n vrac [14]. Dup cum este evident din Fig. 4, filmele au un puternic preferat C-

axa de orientare. Tabelul 1 prezinta raportul de intensitate relativ pentru ZnO praf [cu nici o orientare preferat (1)] i _mthick 1.0 pelicul subire de ZnO (pregtit de tehnica chimic prezent). Este vzut c (1 0 1) apare cu intensitate maxim, n praf de ZnO, cu o orientare preferat. Cu toate acestea, de vrf (0 0 2) apare cu intensitate maxim n filmele de ZnO depuse chimic. Sunai et al. [1], pe de alt parte, a obinut (1 0 0), ca vrf major n depuse chimic ZnO de film. Ristov et al. [2] a raportat (0 0 2), ca vrf major pentru filmele depuse n urma unui proces chimic scufundare. Filme depuse de baie zincata de sodiu, de asemenea, a avut (0 0 2), ca de vrf, cu intensitatea maxim a [8,9]. Fig. 5 arat microscop electronic cu baleiaj cu o suprafa de film tipic ZnO. Structura policristalina este dezvluit de la microscop SEM. Filmul este poros cum este indicat de microscop electronic cu baleiaj cu diferite dimensiuni cristalitelor.Masurarea grosimii cu ajutorul transversal SEM a indicat faptul c filmele sunt de joasa densitate. O porozitate de aproximativ 20% este de ateptat s fie prezent n filme. Cu toate acestea, datele nu de mult sistematice a fost generat n aceast direcie. 3.3. Caracterizarea electric. Fig. 6 arat datele privind variaia de conductan electric cu temperatura reciproc (1000 / T), pentru film de ZnO n intervalul de temperatur de 300-650 K. Dup atingerea o anumit temperatur, un timp rezonabil) pentru stabilizare (15-20 min a fost permis , astfel c valorile de conductivitate destul de stabil ar putea fi obinut de absorbie a oxigenului din aerul nconjurtor proces controleaz n mare msur rezistena ZnO.. la o anumit temperatur procesul de adsorbie este lent i de stabilizare rezistenta necesit mult timp. energiei de activare pentru procesul de adsorbie este de 0,25 eV [15]. Se observ c n intervalul de temperatur 300-480 K, conducta de ZnO filmului urmeaz un proces n dou etape, care poate fi descris de urmtoarea ecuaie: = 1 exp (-E1/kT) + 2 exp (-E2 / kT) (6) n aceast ecuaie, 1 i 2 sunt factori de pre-exponeniale pentru gamele de temperatur 300-400K i 400-480 K, respectiv, k este constanta Boltzmann i E1 si E2 sunt barierele de activare pentru temperatura respectiv intervale. Valoarea obinut experimental a E1 este de 0.29 eV i 0,80 eV este E2. Mai devreme am raportat de variaie de conductan electric cu temperatura pentru filmele depuse de baie zincata de sodiu. De msurare a fost fcut n intervalul 300-480 de observare K. similare barierei de activare sczut temperatur de 0.280.32 eV a fost asociat cu post vacant de oxigen neutru (Vo), care pot aciona ca un stat donator n conformitate cu procesul de ionizare [15,16] Vo = V + O + E (7) n cazul n care Vo este vacant de oxigen neutru (ocupate de doi electroni), V + O reprezint un post vacant individual de oxigen

ionizat (de exemplu, site-ul vacant de oxigen ocupat de un electron), iar e este de electroni quasifree eliberat n timpul procesului de ionizare. Bariera de activare de mare valoare temperatur de 0,8 eV a fost asociat cu caldura de chemisorption de O2-specii de suprafa [15,16]. Pentru filmele noastre actuale depuse de baie zincata de amoniu, de msurare a fost extins la temperaturi ridicate, n scopul de a vedea comportamentul temperatur nalt de conductivitate electrica. Creterea rezistenei de mai sus 520K a fost asociat cu schimbarea de specii de oxigen n funcie de reacia [15] O2-+ e-2O (8) reacie de mai sus este asociat cu prindere a unui electron i, prin urmare, creste rezistenta de suprafa.Ecuaia de transfer gratuit (ec. (8)) de mai sus 500K a fost dedus dintr-un numr mare de descoperiri experimentale. Existena de O2-470K de mai jos a fost ncheiat la prima pentru cinetica de desorbie [17] i VSH spectrului de frecvene [18,19]. Tanaka et al. [17] a observat c O2-specii desorbs la 453-473K i O-este mai activ peste aceast temperatur. Ei au sugerat ca O-desorbs la 558-568 K. Lunsford et al. [18] au raportat existena de O2-pana la 463 K. lin mod similar et al. [19] a propus existena a O2-pana la 469 K. Faptul c speciile de O-predomin la temperaturi mai mari de 510K a fost confirmat de apariia de oxigen atomic de mai sus 475K [20-22], de la msurtori de conductivitate combinate-Hall si BET [ 23], interpretarea msurtorilor TDS [17] i de la msurtori de conductivitate [24]. Creterea de conductivitate (CD-uri din regiunea Fig. 6) a fost observat de filme de ZnO de ctre ali lucrtori [25,26], precum i. n timp ce Chandra et al.[25] a concluzionat c acest lucru sa datorat unui fenomen de conducere n vrac; Takata et al. [26] atribuit fenomenul la un efect de suprafa. Acesta a fost ncheiat [26], c rezistivitatea n aceast regiune este o funcie de gradul de sinterizare i, prin urmare, trebuie s fie efectul de oxigen adsorbia la suprafa.Conductivitate foarte sczut ntunecat a filmului ca-subire de ZnO depuse indic faptul c filmele sunt extrem de rezistent (rezistivitate de ordinul de 105 cm?). Folosind o metod similar, ntunecat rezistivitate de ordinul a 107 cm a? A fost raportat de Ristov et al. [2]. n ceea ce-depus de film rezistivitate de ordinul a 104-106 cm, au fost raportate de-Gonzalez Jimenez [7]?. Acesta este un indiciu al faptului c filmele au stoichiometrie bine [2,7]. De inalta puritate pulverizate filme au, de asemenea, foarte mare rezistivitate [18]. n afar de aceasta, filmul este poros i numrul mare de specii de oxigen chemisorbed este ncorporat n limitele de cereale i la suprafa de astfel de filme n timpul pregtirii de film.Acest lucru este de ateptat, deoarece depunerea de film se desfoar n aerul nconjurtor. Aceti factori conduc, de asemenea, de mare rezistivitate. O astfel de densitate

mare de state capcana poate reduce efectiv densitatea transport gratuit.Valoarea concentraiei de transport (n vigoare de transport densitatea de sarcin, Neff) vine pentru a fi de ordinul a 10121013 cm-3 folosind sigma = neffe i presupunnd o valoare constant de mobilitate (), adic presupunnd c mobilitatea nu este activat temperatura dominant procesul. Valoarea a fost gasit pentru a varia n intervalul 1-30 cm2 Vs-1 pentru filme subiri policristaline, n funcie de gradul de denaturare grilaj i a coninutului de impuriti [16].Valoarea efectiv a densitii de transport gratuit este reglementat de doi factori intrinseci, defect de densitate donator, ND (pe cm3) i densitate de specii de oxigen chemisorbed ionizate, NT (pe cm2), acionnd n calitate de state capcana acceptor de electroni de suprafa [27]. Acesta a fost demonstrat c pentru un film de ZnO policristalin, o densitate de stat capcana 1011-1013 cm-2 poate reduce efectiv taxa de transport (Neff), densitatea de la o valoare real de 1017 cm-3 la ordinea de 1011-1014 cm- 3, n funcie de poziia de nivelul de donator i de mrimea granulelor [27]. O astfel de valoare mare densitate de stat capcana a fost de asemenea raportate de Tansley et al. [28] pentru policristaline filme de ZnO.Astfel, rezistivitatea mare a filmelor chimic depozitate n comparaie cu cele obinute prin alte metode se datoreaz densitate sczut defect donator (stoichiometric bun), i prezena unui numr mare de specii de oxigen chemisorbed care sunt ncorporate n cereale i la suprafa a unor astfel de filme n timpul pregtirii de film. 4. Concluzii O analiz a rezultatelor prezentate aici, indic faptul c puternic C-axa filme policristaline de ZnO orientate n intervalul 0.25-4.0 grosime? M poate fi pregtite de produse chimice de la scufundare baie zincata de amoniu. Procesul de cretere urmeaz un comportament empirice liniar cu concentraia de baie pana la o anumita valoare (0,15 m), dincolo de care creterea devine neregulat. Creterea concentraiei de baie presupune prezena unor cantiti mai mari de reactanilor (complex zinc) la interfata substrat soluie la nceputul fiecrui proces de scufundare. Acest lucru mpiedic posibil procesul de nucleaie ulterior duce la formarea de praf de precipitatii (cristalitelor slab legat) n loc de bun calitate a filmului aderent. Metoda gravimetric de determinare grosime de strat are unele limitari din cauza non-uniformitate, porozitatea i marginea conica efecte n filme chimic depuse cu microstructura poros. Densitatea Filmul real este mai mic dect densitatea teoretic i grosimea msurat folosind densitatea teoretic este mai mic dect grosimea real a fost vzut de suprafa profilometer form i transversale msurtori SEM. Cu toate acestea, aceast eroare nu afecteaz, eventual, liniaritatea procesului de cretere dup cum se arat n Fig. 2 i 3. Rata de cretere Filmul este o funcie foarte sensibil al pH-ului baie zincata. Filmele produse sunt

puternic aderent i mecanic greu, dac pH-ul este optimizat n mod corespunztor. PH-ul a fost optimizat n intervalul 11.0-11.1 pentru baie zincata de amoniu. n mod evident, n cazul n care condiiile de depunere nu sunt optime, se pot obtine filme pulverulente, non-aderente sau de joas densitate. Filmele chimic depuse sunt caracterizate cu rezistivitate mare ntunecat de ordinul a 105? Cm i densitate sczut eficient a finanatorilor, de ordinul a 1012-1013 cm3.Densitatea eficient a finanatorilor este reglementat de ctre statele donatoare ca defect, precum si densitatea mare de specii de chemisorbed pe suprafa. Astfel de filme de nalt densitate, cu rezistive mare de specii de oxigen chemisorbed pot fi utile pentru aplicarea lor, n modul de senzori de rezistive de gaze.