3.

ELABORAREA SILICIULUI ŞI REALIZAREA

PLACHETELOR SEMICONDUCTOARE
Dintre materialele semiconductoare, siliciul este cel care s-a impus pentru
realizarea de dispozitive semiconductoare şi de circuite integrate monolotice. Motivul
principal este acela că prin oxidare termică siliciul se acoperă cu un strat de oxid de
siliciu amorf, care constituie o barieră în pătrunderea impurităţilor în materialul de
bază, bioxidul de siliciu fiind în acelaşi timp şi un bun material dielectric. Siliciul şi
oxidul său stau la baza tehnologiei planare, care a făcut posibilă realizarea cu
productivitate ridicată a dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate pe
scară mare.
Siliciul se găseşte în cantitate mare la suprafaţa globului terestru (aprox. 28%).
Sursele naturale de Si sunt în principal silicaţii (nisip, etc.), dar şi zirconiul, jadul,
mica, cuarţul. Siliciul există natural sub formă de oxizi (starea oxidată). Pentru
elaborare este necesară o metodă de reducere a sa, iar apoi trebuie să pe fie purificat
până la stadiul de siliciu "de calitate electronică" sau EGS (Electronic Grade Silicon).

3.1. Elaborarea siliciului

Prima etapă a tehnologiei siliciului corespunde elaborării siliciului de calitate

"metalurgică" sau MGS (Metallurgic Grade Silicon). După această etapă în urma
purificărilor repetate se obţine materialul de puritate "electronică". Temperatura de
topire a siliciului este ridicată, situându-se la valoarea de 1415°C. Dificultatea în
obţinerea siliciului constă în aceea că oxidul de siliciu (SiO2) nu poate fi redus direct
prin folosirea hidrogenului, fiind necesară o tehnică adaptată de reducere (cu carbon, la
temperatură ridicată).

3.1.1. Obţinerea siliciului metalurgic

Obţinerea siliciului metalurgic se efectuează prin electroliza silicei topite (SiO2)

într-un cuptor cu arc electric. Se foloseşte cuptorul cu arc electric pentru a se putea
atinge temperatura de topire a SiO2 care se găseşte în amestec cu carbon (cărbune).
Electrodul cuptorului cu arc este din grafit şi se consumă în timpul procesului (fig.
3.1). Bilanţul global al reacţiei de reducere este următorul:

SiC(lichid) + SiO2 (lichid) ---> Si (lichid) + SiO (gaz) + CO (gaz) (3.1)

În realitate rezultatul acestei reacţii rezultă în urma unui număr mare de reacţii
chimice intermediare.
Siliciul care se obţine în urma electrolizei are puritatea de 98 %. Puritatea
trebuie mărită în continuare, cu multe ordine de mărime, până la obţinerea unui
material utilizabil în microelectronică.
28 Tehnologia siliciului

grafit

Cuarţ, carbon
CO, SiO2, H2O

Fig. 3.1 Electroliza silicei pentru obţinerea siliciului topit de calitate metalurgică

3.1.2. Obţinerea siliciului de calitate electronică

Teoria dispozitivelor semiconductoare este construită în ipoteza unui cristal

perfect sau cvasi-perfect. Calitatea electronică (EGS) a siliciului este greu de obţinut
fiind necesară aplicarea succesivă a unui număr mare de etape de purificare.
Noţiunea de dopaj din teoria dispozitivelor electronice consideră un control al
concentraţiei atomilor străini (dopanţi) la nivelul de 1014 cm-3. Chiar dacă acest număr
poate să pară mare, el este de fapt extrem de mic în raport cu numărul de atomi pe
unitatea de volum din reţeaua cristalină. In cazul siliciului, cristalul conţine 5.1022
atomi pe cm3. Aceasta înseamnă că puritatea chimică cerută trebuie sa fie mai bună de
10-9, adică de o parte la miliard sau 0,001 ppm (1ppm = o parte pe milion ).
În cele ce urmează se va prezenta succesiunea principalelor etape:
a) purificarea chimică
Pornind de la siliciul de calitate metalurgică se efectuează o purificare chimică.
Una din metodele folosite constă în dizolvarea siliciului într-un produs lichid la
temperatura ambiantă şi apoi distilarea acestui lichid. În mod frecvent se folosesc
halogenurile de siliciu ca produs intermediar lichid.
Producătorii mondiali de siliciu au dezvoltat o multitudine de metode, dintre care
cele mai utilizate au la bază:
• tetraclorosilan - SiCl4 (cazul firmelor Rhône-Poulenc, Westinghouse, Texas, Saint
Gobain), sau diclorosilan - SiH2Cl2 (firma Wacker);
• triclorosilan - SiHCl3 (firmele Siemens şi Union Carbide);
• alte tehnici bazate pe tetrafluorosilan - SiF4 sau pe tetraiodura de siliciu - SiI4 .
Producerea de triclorosilan are loc prin pulverizarea de siliciu solid în acid
clorhidric gazos (HCl), conform reacţiei:

Si (solid) + 3HCl (gaz) ——300°C——> SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) (3.2)

 Tehnologie electronică 29

Prin distilare într-un reactor, aşa cum este cel prezentat în figura 3.2 se obţin
purităţi superioare. Triclorosilanul astfel purificat este în continuare redus, pentru a
repune în libertate siliciul. Reacţia chimică de bilanţ este următoarea:
SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) ——> Si (solid) + 3HCl (gaz) (3.3)

Reacţia cu clorul permite o primă purificare, întrucât precipitaţii cloraţi ai

metalelor nu sunt solubili în triclorosilan. Prin distilare se obţin purităţi superioare.
Puritatea obţinuta este de ordinul a 1 ppm (o parte la milion), ceea ce corespunde unei
concentraţii de impurităţi de ordinul 1016 cm-3.

Cameră de reacţie

Punte de siliciu

Siliciu policristalin

Clopot de cuarţ
Suport de grafit

Gaze reziduale

SiHCl3+H2

Fig. 3.2 Schema unui reactor pentru producerea siliciului de calitate electronică
pornind de la SiHCl3
Pornind de la acest siliciu policristalin purificat se fabrică monocristalul. Siliciul
purificat este folosit pentru a forma şarjele cu care se încarcă reactorul de creştere a
monocristalului.
Purificarea siliciului are loc în continuare prin metode fizice.
b) purificarea fizică
Aceste metode de purificare se bazează pe redistribuirea impurităţilor existente în
material la trecerea acestuia din faza lichidă în faza solidă. Eficienţa metodei depinde
de coeficientul de repartiţie kr ( k r = N s N l ) dintre concentraţia de impurităţi în fază
solidă Ns şi concentraţia de impurităţi în fază lichidă Nl . Pentru kr>1 rezultă o
concentrare a impurităţilor în faza solidă, iar pentru kr<1 se obţine o concentrare a
impurităţilor în faza lichidă. În practică se utilizează următoarele variante:
- metoda solidificării directe, prin care materialul aflat iniţial în stare lichidă
se solidifică treptat prin deplasarea unei singure interfeţe solid-lichid;
- metoda topirii zonale simple – constă în topirea unei zone a lingoului de
material semiconductor şi deplasarea lentă a acestei zone de-a lungul
30 Tehnologia siliciului

lingoului (fig. 3.3); se obţine o redistribuire a impurităţilor la trecerea de la

zona de topire la ceea de solidificare;
- metoda topirii zonale multiple - constă în topirea mai multor zone, distanţate
între ele şi separate prin faza solidă.

y y

Bobină de inducţie
T
Lingou de Siliciu

a) b)
Fig. 3.3 Schema topirii zonale a) Principiul încălzirii prin inducţie
a) Variaţia temperaturii
c) obţinerea lingoului
Evoluţia dimensiunilor lingourilor a fost legată de evoluţia gradului de control
asupra parametrilor de proces şi echipamentelor asociate, având ca scop creşterea
randamentului de fabricaţie şi reducerea costurilor de producţie pe circuit integrat
realizat. Astfel, în mai puţin de 30 de ani, diametrul plachetelor a crescut de 10 ori,
respectiv de la 25 mm în 1964 la 300 mm în 1998.
d) tragerea şi creşterea cristalului
Altă tehnică folosită pentru realizarea lingourilor de mari dimensiuni porneşte de
la un lingou de siliciu policristalin obţinut în reactorul de reducere a triclorosilanului
prezentat anterior (fig. 3.2). Creşterea cristalului se obţine pornind de la un germene
fixat la extremitatea lingoului, prin deplasarea unei zone topite (fig. 3.4).

Fig. 3.4 Cristalizarea

lingoului şi purificarea prin
metoda topirii zonale

Aceasta zonă este încălzită prin inducţie până la limita de topire a siliciului.
Procesul de încălzire se obţine prin intermediul unei bobine parcurse de curent de
înalta frecvenţă, care induce în lingou curenţi turbionari (Foucault), la fel ca şi în cazul
purificării lingoului. Se exploatează fenomenul de difuzie a impurităţilor într-un solid,
la temperatură înaltă. Diametrul lingoului este determinat de parametrii fizici în timpul
tragerii. La componentele semiconductoare binare (din grupele III-V) este folosită şi o
 Tehnologie electronică 31

altă variantă pentru tragerea de lingouri. În acest caz, lingoul se obţine într-o formă
paralelipipedică, iar cristalizarea se efectuează progresiv, pornind de la una din
extremităţi. Această metoda este numită metoda "Bridgman" (fig. 3.5). Această tehnică
este folosită, în special, pentru lingouri din compuşi III - V, cum ar fi GaAs.

Fig. 3.5 Tragerea unui lingou prin metoda Brigman

e) tăierea capetelor lingoului

Operaţia constă în eliminarea extremităţilor lingoului (fig. 3.6), care sunt fie
imperfect cristalizate, fie bogate în impurităţi (în special dacă s-a folosit tehnica topirii
zonale).

Fig. 3.6 Tăierea capetelor lingoului de siliciu

f) controlul rezistivităţii la extremităţile lingoului

Concentraţia de impurităţi nu este constantă în timpul tragerii, rezistivitatea
finală variază de-a lungul lingoului. Se impune o verificare a acestui parametru în
raport cu specificaţiile tehnologice (gama de variaţie). Măsurarea rezistivităţii se face
cu metoda "celor patru sonde". [3], [7].
g) determinarea reperelor cristalografice şi marcarea lingoului
Cunoaşterea orientărilor cristalografice este necesară, pentru a putea decupa
materialul de-a lungul axelor cristalografice, la sfârşitul procesului de fabricaţie. După
reperarea planurilor cristalografice la lingoul de siliciu se creează o teşitură care va
servi ca referinţă (fig. 3.7, de exemplu: axa 100).
Lingou de Si (l≈2m)

Direcţia [100]

Marcaj de referinţă

Fig. 3.7 Lingoul de siliciu cu marcarea orientării cristalografice

32 Tehnologia siliciului

h) polizajul cilindric
In cursul tragerii diametrul lingoului variază uşor, suprafaţa fiind ondulată.
Pentru a obţine plachete de acelaşi diametru este necesară o polizare cilindrică.
i) polizarea unei teşituri de referinţă
Acest reper (fig.3.8) va folosi ca referinţă în cursul procedeului de fabricaţie
(orientarea zonelor de conducţie în raport cu axele cristalului, reperarea desenelor
gravate în cursul fotolitografiei, decuparea cipurilor după axele cristalografice).

tip n (111) tip p (111) tip n (100) tip p (100)

Fig. 3.8 Teşituri de identificare a plachetelor

Se vor realiza suplimentar şi alte repere, aşa cum se indică în figura 3.8, în
funcţie de tipul de dopaj al substratului şi de orientarea sa cristalografică. La plachetele
cu diametru mai mare de 3 inch (ţoli) (1 inch =25,4 mm) se foloseşte un reper
cristalografic în formă de crestătură.
Se pot distinge uşor tipurile de dopaj n şi p precum şi orientările cristalografice.
Pe lingou se marchează datele de identificare ale lingoului cu ajutorul unui fascicul
laser: numărul lotului în care s-a realizat, data fabricaţiei (fig. 3.9).

numărul lotului;
data fabricaţiei.

Fig. 3.9 Marcarea lingoului

3.2. Realizarea plachetelor semiconductoare

Din lingoul de siliciu cristalin se obţin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii
specifice urmează a se realiza dispozitivele electronice şi circuitele integrate.
Succesiunea principalelor operaţii de obţinere a plachetelor se prezintă în cele ce
urmează:
 Tehnologie electronică 33

a) debitarea plachetelor
După obţinerea lingoului de siliciu monocristalin acesta va fi decupat în discuri
subţiri ce vor reprezenta plachetele (wafers). O modalitate de debitare a plachetelor
(fig. 3.10) este aceea care se face cu ajutorul unui ferăstrău diamantat. Pânza
fierăstrăului are grosime g≈400µm şi realizează debitarea de plachete semiconductoare
cu grosimea de 400µm ... 600µm brut, după tăiere.

Fig. 3.10 Debitarea plachetelor

Dacă se ia în considerare eliminarea capetelor de lingou şi polizarea, rezultă că din

lingou se elimină în total 50% la 60%. În practică, plachetele cu diametre mai mari de
150 mm au cel puţin 500 µm grosime, datorită fragilităţii mecanice. Această grosime
este redusă înainte de decuparea cipurilor la 250 - 300 µm (etapa de subţiere), pentru a
facilita schimburile termice (şi electrice) cu suportul cipului.
b) tratament termic
Operaţia de debitare a plachetelor creează tensiuni mecanice în cristal.
Eliminarea acestor tensiuni şi relaxarea cristalului se obţin printr-o creştere lentă a
temperaturii plachetelor până la 600...700°C. Prin acest tratament termic de recoacere,
atomii obţin suficientă energie proprie pentru a se reaşeza în şisturile cristaline. Se
obţine în acelaşi timp diminuarea efectului atomilor de oxigen (de tip donor) şi se
stabilizează rezistivitatea.
c) polizarea marginilor (debavurarea)
După tăiere, pe marginile plachetelor rămân bavuri ce trebuie eliminate. Se
realizează în acelaşi timp şi o rotunjire a muchiilor, pentru a uşura manipularea
plachetelor în cursul procesului de fabricaţie. Prin aceasta se evită degradarea
dispozitivelor de prindere şi se suprimă amorsele de fisuri.
d) selecţia plachetelor în funcţie de grosime
După debitare, grosimile plachetelor pot fi sensibil diferite. Pentru reducerea
timpului de polizare plachetele se triază în game de grosime (spre exemplu: diferenţe
de până la 100 µm).
e) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumină şi polizarea
Pentru a ameliora starea suprafeţelor, plachetele sunt polizate cu ajutorul unei
soluţii ce conţine în suspensie granule de alumină de dimensiuni micronice.
f) curăţirea
Aceasta etapă are rolul de a elimina produsele abrazive şi substanţele
contaminante, prin spălare cu solvenţi şi apă deionizată.
34 Tehnologia siliciului

g) atacul chimic al plachetelor

În cursul etapelor parcurse de plachete, acestea formează la suprafaţă un strat de
oxid care conţine impurităţi. Aceste impurităţi sunt fie particule metalice şi pot fi
eliminate cu soluţii acide, fie substanţe organice ce pot fi eliminate folosind soluţii
bazice. Se folosesc următoarele: soluţii acide (HNO3, CH3COOH) şi soluţii bazice
(KOH).
În final, oxidul nativ este atacat cu o soluţie de acid fluorhidric (HF). Se obţine în
acest fel o suprafaţă neutră din punct de vedere chimic, înaintea polizării "oglindă".
h) deteriorarea feţei inferioare
Partea utilă a plachetei (în care se vor crea componentele electronice) se găseşte
foarte aproape de suprafaţa superioară. Se urmăreşte realizarea unei calităţi maxime a
materialului în această zonă, atât sub aspectul gradului de puritate (atomi străini), cât şi
al defectelor cristalografice (macle, dislocări, etc.). În acest scop se creează intenţionat
defecte pe faţa inferioară, prin sablaj sau bombardament laser (fig. 3.11).
Impurităţi

Dislocări Capcane pentru

impurităţi

Fig. 3.11 Creare de defecte pe faţa inferioara a plachetei în scopul migrării

defectelor din suprafaţa activă

În urma acestor operaţii se produce o creştere a rugozităţii şi se generează defecte

locale. Aplicând ulterior un tratament termic, impurităţile de pe faţa activă a plachetei
vor migra prin substrat spre faţa inferioară şi vor fi captate de defectele create în
această parte, acestea oferind stări energetice favorabile fixării atomilor. Acest
fenomen este numit efectul "getter".
i) selecţia în funcţie de grosime
Prin operaţia precedentă se modifică grosimile plachetelor. Se face o nouă
selecţie în game de grosime.
j) prelucrarea finală a suprafeţei
Această prelucrare tip "oglindă" poate fi efectuată mecanic sau mecano-chimic.
Se urmăreşte eliminarea zgârieturilor şi a micilor denivelări ale suprafeţei rămase de la
operaţiile anterioare. Operaţia se efectuează cu discuri abrazive folosind o soluţie
abrazivă cu granule foarte fine (cu diametre cuprinse între 0,1 µm şi 0,5 µm).
Decaparea chimică utilizează o peliculă foarte fină de electrolit. Ca rezultat se obţine
 Tehnologie electronică 35

o dizolvare selectivă a punctelor înalte de pe plachetă, obţinându-se o suprafaţă netedă

comparabilă cu cea realizată prin lustruirea mecanică, în timp ce restul suprafeţei
păstrează avantajele caracteristice suprafeţelor decapate.
k) testarea rezistivităţii plachetelor, selecţia finală în funcţie de rezistivitate
Formarea loturilor ce urmează să se livreze beneficiarilor după o selecţie în
funcţie de rezistivitate. Determinarea rezistivităţii se realizează cu ajutorul a patru
electrozi punctiformi care se aşează pe suprafaţa plachetei (fig. 3.12).

I
UBC

A B C D
Placheta

Fig. 3.12 Principiul măsurării

w rezistivităţii prin metoda celor 4 sonde
a a a

Prin doi dintre aceşti electrozi se injectează un curent I în circuit, iar între ceilalţi
doi electrozi se măsoară tensiunea UBC care ia naştere. În funcţie de configuraţia
electrozilor, se poate determina prin calcul rezistivitatea plachetei. Atunci când
electrozii sunt coliniari şi echidistanţi (fig. 3.12) rezistivitatea se calculează [12] cu
relaţia:
2π ⋅ a ⋅ U BC
ρ= (3.4)
I

Relaţia (3.4) se foloseşte pentru determinarea rezistivităţii la probe cu grosimea w≥3a.

Pentru probe la care w / a << 1 , diferenţa de potenţial UBC care apare între sondele
de măsurare B şi C în cazul amplasării echidistante şi în linie dreaptă a vârfurilor de
măsurare este dată de relaţia:
ρ ⋅ ln 2
U BC = I ⋅ (3.5)
w

de unde rezultă rezistivitatea:

wπ U BC U
ρ= ⋅ ≈ 4,53 ⋅ w ⋅ BC (3.6)
ln 2 I I

l) reperarea - marcarea
Se marchează pe lingou cu ajutorul unui fascicul laser: numărul lotului în care s-a
realizat, data fabricaţiei. Prin aceste reperare este posibilă urmărirea plachetei de-a
lungul întregii linii de fabricaţie.
36 Tehnologia siliciului

m) curăţarea finală în "camera albă"

Pentru a demara ansamblul etapelor ce formează procedeul de fabricaţie a
circuitelor integrate, plachetele trebuie sa fie perfect curate (fără grăsime, fără
particule de praf, etc.). Curăţarea finală se realizează în incinta cu condiţii de mediu
perfect controlate ("camera albă").
n) inspecţia vizuală
Inspecţia finală se impune pentru a detecta variaţiile de culoare, zgârieturile,
particulele de praf. Omul este la ora actuală cel mai bun inspector. El poate detecta
vizual şi în scurt timp variaţiile de culoare, zgârieturile, particulele de praf cu
dimensiuni mai mici de un micron. Un sistem automat de control cu baleiaj optic al
întregii suprafeţe a plachetei ar necesita deocamdată un timp de analiză mult mai mare
decât cel necesar unui operator uman antrenat.
o) testul de planeitate
Planeitatea plachetelor este foarte importantă pentru operaţiile litografice la care
acestea urmează să se supună. Exista în prezent dispozitive bazate pe măsurări optice
(devierea unui fascicul laser). pentru testarea planeităţii. După parcurgerea
ansamblului acestor etape plachetele sunt pregătite pentru a parcurge etapele de
fabricaţie a componentelor electronice discrete sau a circuitelor integrate.
Plachetele semiconductoare sunt în continuare supuse la o serie de operaţii dintre
care se pot sintetiza: impurificarea controlată şi selectivă în mai multe etape, depuneri
de straturi, realizarea conexiunilor la pini, încapsularea, testarea.

3.3. Întrebări recapitulative

1. Cum se elaborează siliciu de calitate metalurgică?

2. Prin ce se caracterizează siliciul de calitate electronică?
3. În ce constă purificarea chimică a siliciului?
4. Cum se realizează purificarea prin metode fizice a siliciului?
5. Cum se obţine siliciu cristalin?
6. Care sunt caracteristicile lingourilor de siliciu şi cum se marchează?
7. Să se indice care sunt principalele operaţii de realizare a plachetelor de siliciu?
8. Care sunt principalele caracteristici ale plachetele de siliciu şi cum se marchează?
9. Cum se determină rezistivitatea unei plachete de siliciu?
10. Care este valoare rezistivităţii unei plachete de siliciu dacă la măsurarea cu metoda
celor 4 sonde s-a obţinut: UBC=200 mV pentru I=10-5A şi a=0,1 mm dacă grosimea
w
w≥3a? Dar în situaţia << 1 ?
a