MODELAREA DE CELULE, MODULE I PANOURI PV

, Badea Nicolae

Rezumat: Scopul principal al acestei lucrri este de a prezenta o scurt introducere n

comportamentul i funcionarea unui dispozitiv PV i scrierea ecuaiei de baz, fr intenia
de a oferi o analiz aprofundat a fenomenelor fotovoltaice i fizicii semiconductoarelor.
Introducerea dispozitivelor PV este urmat de modelarea i simularea celulelor PV / modulul
PV / panou PV , care este obiectul principal al acestei lucrri. Este realizat i prezentat o
simulare pe baza de MATLAB Simulink / PSIM a celulelor PV / modulului PV / panou PV.

casnic al unei locuine. Pentru utilajele

electrice de mare putere sau pentru
aplicaii industriale sau de utilitate public
sunt necesare sute de panouri ce vor fi
interconectate pentru a forma un singur,
unitar PV-sistem, mai mare.

1 INTRODUCERE
Energia solar fotovoltaic este energie
produs prin celule fotovoltaice solare,
care convertesc lumina soarelui direct n
energie electric. Celulelor solare erau
nainte folosite adesea pentru alimentarea,
fr baterii electrice, a calculatoarelor de
buzunar i a ceasurilor. Ele sunt fabricate
din materiale semiconductoare similare cu
cele utilizate n electronic la cipurile
semiconductoare
din
componena
dispozitivelor semiconductoare.

Performana unei celule fotovoltaice este

msurat dup intensitatea curentului
electric produs de ea. Din acest motiv
panourile solare fotovoltaice au n cel mai
buna caz o eficien de 15%. O eficien
att de mic a unui panou conduce la un
numr mare de panouri necesare i deci
nseamn costuri mai mari. mbuntirea
celulelor solare este principalul obiectiv
actual i de viitor al industriei fotovoltaice
pentru
mbuntirea
randamentului.
Primele celule fotovoltaice aveau 4%
eficien i au fost produse n anul 1950.
Astzi a treia generaie de panouri
fotovoltaice conin celule cu o eficien de
20% i se pare c n civa ani aceasta s
creasc.

Cnd lumina soarelui este absorbit de

aceste materiale, energia solar este
convertit cu participarea particulelor
subatomice, i fluxul dirijat de electroni ce
ia natere, reprezint electricitate. Acest
proces de conversie a energiei luminii n
energie electric se numete efect
fotovoltaic. De aceea, celulele fotovoltaice
nu trebuiesc confundate cu alte sisteme de
conversie ale energiei solare. Ele sunt
notate cu simbolul PV.
Mai multe panouri interconectate pot
furniza suficient energie pentru uzul
1

2 MODELUL MATEMATIC
CELULELOR SOLARE

AL

Astfel, cel mai simplu circuit echivalent al

unei celule solare este o surs de curent n
paralel cu o diod aa cum se arat n
figura
1.

este constanta ideala a diodei care se

afl ntre 1 i 2 pentru siliciu
monocristalin.Ecuaia de baz (1) a celulei
elementare nu reprezint caracteristica I-V
a panoului celolelor PV in practic. Practic
modulele sunt compuse din mai multe
celule fotovoltaice conectate si au nevoie
de parametrii suplimentari Rs i Rp, cu
aceti parametri (1) devine (2)

Iesirea unei surse de curent este direct

proportionala cu lumina cazuta pe celula.
Deci, procesul modelarii acestei celule
solare poate fi dezvoltat bazandu-ne pe
(1), (2) and (3) :

Curentul modulului generat depinde liniar,

de iradierea solara si este deasemeni
influentat de temperatura, in conformitate
cu (3)
Unde K1 este coeficientul de temperatura
al Isc, G este iradierea (W/m) si Gn este
iradierea in conditii de operarea standard.

Curentul de saturatie I0 al unei diode

depinde de temperatura care poate fi
exprimata ca in fig (4)
Eg este decalajul de banda a energiei
semiconductorului

Fig 1 Modelul echivalent al celulei

fotovoltaice
n
cazul
n
care:
I pv,celula - este curentul generat de
lumina
incidenta.
I diode - este ecuaia diodei Shockley.
I0, celula [A] este saturaie inversa sau
scurgeri de curent a diodei [A].
q este sarcina electronului [1.60217646
10-19C].
k este constanta lui Boltzmann
[1.3806503

10-23J
/
K].
T [K] este temperatura jonciunii p-n.

I0,n este curentul nominal de saturatie

exprimat prin (5)
De la (4) si (5) I0 poate fi exprimat ca (6)

Unde V0c,n este tensiunea de circuit

deschis, Isc,n este curentul de scurt-circuit,
Vt,n este tensiunea termica, Tn este
temperatura in conditii de operare normale,
Vt = Ns*kT/q este tensiunea termala a unui
modul cu Ns celule conectate in serie.
(celulele in paralel maresc curentul si
celulele conectate in serie furnizeaza o
tensiune de iesire mai mare).
Daca modulul este alcatuit din conexiuni
paralele Np a celulelor fotovoltaice si
curentul de saturare ar fi:
Ipv=Ipv,cell *Np, I0=I0,cell *Np.In (2) Rs,
este echivalentul rezistentelor in serie a
unui panou fotovoltaic si Rp este echiv
rezistentei in paralel, si practic trebuiesc
calculate.

Terminalele modulelor sunt conectate

cu un conductor ideal, prin care trece
un curent numit Isc. In aceasta situatie,
tensiunea dintre terminalele modulelor
este zero.

Unde K este constant

3.1 Punctul de putere maxima
Aici tensiunea si curentul produs sunt
maxime. Vmp este asociat de Voc prin
relatia (9)

Si Imp este asociat cu Isc prin relatia (12)

Cele mai bune conditii sunt conditii de

operare normale intalnite la o iradiere
egala cu 1000W/m2, temperatura celulelor
egala cu 25 grade C, si distributie spectrala
AM egala cu 1.5 .

Fig 2. Caracteristica I-V, P-V curba celulei

fotovoltaice

3
MODELAREA
MODULULUI
FOTOVOLTAIC
N
MATLAB/
SIMULINK

Ecuatia (2) isi are originea in curba I-V din

figura 2, unde 3 puncte distincte sunt
marcate:
Circuit deschis
a) (Voc, 0),
b) Scurt circuit (0, Isc)
c) Punctul de putere maxima (Vmp,
Imp)

Panoul solar MSX-50, prezentat in fig 3 a

fost ales pentru simularea in MATLAB si
Psim. Modulul este facut din 36 de celule
de siliciu multicristalin in serie si produce
50W nominal la putere maxima. Tabelul 1
arata specificatiile electrice si in fig 4 sunt
prezentate caracteristicile I-V din fisa de
date a modulului.

2.1 Circuit deschis

Acest punct se obtine cand

terminalele
modulelor sunt deconectate. Modulele au o
tensiune numita Voc exprimata analitic
utilizand (7)

Fig 3. Panoul solar MSX-50

2.2 Scurt circuit

3

Caracteristicile
electrice
Puterea
maxim
(Pmax)
Tensiunea
la
puterea
maxim
(Vmp)
Curentul la puterea
maxim(Imp)
Tensiunea
ieire
(Voc)
Curentul
se
surtcircuit (Isc)
Temperatura
coeficientului Isc
Temperatura
coeficientului Voc
NOTC

5 Simularea in Simulink si Psim

5.1 Simularea cu Psim a unui modul PV

50W
17,1V
2,92A
21,1V
3,17A
(0,0650,15)%/
-(8010)mV/

Fig 5 modulul PV n PSIM

472

Fig 5 ne arata modelul circuitului

modulului PV in Psim si este compus
dintr-un panou PV utilizand curentul,
tensiunea si masurarea puterii. Iradierea si
temperatura sunt intrarile utilizate pentru a
demonstra efectele variatiei acestora cu
privire la caracteristicile de iesire. Figura 6
arata rezultatul simularii, caracteristicile IV si P-V la temperatura constanta t=25
grade C si la iradiere constanta 1000w/m2.
Simularea arata cele trei puncte distincte
Voc = 21.1 V , Isc = 3.17A si punctul de
putere maxima Pmax=50W, Vmp 17.1V,
Imp 2.9A, care sunt foarte aproape de
valorile date de fisa de date a
producatorului.

4 Calcularea Rs si Rp
RS i Rp sunt calculate iterativ.Scopul este
de a gsi valorile Rs i Rp care fac o curba
matematica PVcare coincide cu varful de
putere experimental la (VMP, IMP)
.Valorile Rs i Rp sunt obinute atunci cnd
Pmax calculat este egal cu Pmax estimat.
Metoda iterativ ofer soluia Rs = 0.235
i Rp = 350.90396.
Figura 6.i figure11 prezinta caracteristica
I-V, n condiii normale unde valorile Vmp,
Imp, Voc si Isc sunt aflate utilizand valorile
calculate ale Rs si Rp.

Fig 6 Caracteristicile PV la T = 25 C,
iluminare = 1000W/m2, dup calcularea i
R Rp. , prin PSIM

Fig 7. Caracteristicile I-V la 1000W/m2, pe

PSIM cu temperaturi diferite
4

Fig 8 Caracteristicile I-V la T = 25 C,

prin PSIM cu valori diferite ale iluminrii

Fig 9. Modelul modulului PV n Simulink

Fig 7 arata efectul variatiei temperaturii

(25 grade, 50 grade, 75 grade) pe
caracteristica I-V avand o iradiere
constanta 1000W/m2, deasemeni simularea
a obtinut rezultate bune ale curbelor , in
comparatie cu datele producatorului, in fig
4.
In fig 8 este prezentat efectul iradierii
(1000, 800, 600, 400,) W/m2 la o temp
const de 25 grade a caracteristicii V-I care
este foarte aproape de fisa producatorului.
5.2 Siumularea unui modul PV cu Simulink
Fig 10 Caracteristicile IV la T = 25 C,
prin Simulink cu irradiances diferite.

Fig 9 arata modelarea modulului PV cu

Matlab/Simulink. Modelarea se face
aplicand ecuatiile anterioare (1,2,3,4,5 si 6)
curentul, tensiunea si instrumente de
putere. Iradiera si temperatura sunt intrari
in sistem. Fig 10 ne arata efectul variatiei
iradierii (1000, 800, 600, 400,) W/m2 la o
temp const de 25 grade C pe caracteristica
V-I care este aproximativ ca foaia data de
producator.
In fig 11 cele 3 puncte distincte
Voc=21.1V, Isc=3.17A si punctul de putere
maxima (Pmax=50W,VMP =17.1V, IMP
=2.92A ne sunt aratate, si sunt identice cu
valorile date de foaia tehnica.

Fig 11 Caracteristicile IV la T = 25 ,
iluminare = 1000W/m2, dup calcularea i
R Rp

5.3 Simularea unui Panou de celule PV

cu Simulink
Modulele conectate in paralel cresc
curentul si modulele conectate in serie
produc o tensiune de iesire mai mare. Daca
panoul este compus din Npar conexiune
paralela a modulelor PV, curentul PV si
curentul de saturare pot fi exprimate
Ipv=Ipv, module *Npar, I0=I0, ,module *
Npar. Daca panoul este Nser, tensiunea de
iesire a modulelor este
V=V
module
*Nser
Rs
,array=Rs,module*(Nser/Npar), Rp,array =
Rp,module *(Nser/Npar),
Si modelul panoului va fi prezentat in fig
12. Daca luam ca exmplu Nser=2 si Npar=
15, doar ca sa verificam veridicitatea
modelului o sa avem rezultatele simularii
aratate in fig 13. Pentru caracteristica I-V
la 25 grade C, Isc=6.34A (3.17A* 2), cum
ne asteptam pentru Npar= 2, Voc=316.5V
(21.1V*15) pentru Nser=15.
Fig 14 arata caracteristica P-V pentru
aceleasi conditii unde valoare varfului
puterii
este
asteptat
sa
fie
1500W=(15*2*50W)

Fig 13. Caracteristicile IV la T = 25 C, G

= 1000W/m2, prin Simulink pentru Nser =
15, PNAR = 2.

Fig. 14 Caracteristicile PV la T = 25 C,
1000W/m2, prin Simulink pentru Nser =
15, PNAR = 2
6. Concluzii
In aceasta lucrare, este propusa simularea
in MATLAB Simulink / PSIM a unei
celule PV bazata pe un model cu o singura
dioda imbunatatit. Pentru a reduce timpul
de calcul, parametrii de intrare sunt redusi
la 4 si valorile Rp si Rs sunt estimate de o
metoda eficienta prin repetare. Mai mult,
intrrile in simulator sunt informatii
disponibile pe fisele tehnice a celulelor PV.
Rezultatul simularii arata o concordanta
intre rezultatele simularii si rezultatele date
de producator.

Fig 12.Modelul PV matrice, este Nser Nr

serie de module PV, PNAR este Nr de
module paralele pv

Bibliografie
[1] Huan-Liang Tsai, Ci-Siang Tu, and YiJie Su, Member, IAENG, Development of
generalized photovoltaic model using
MATLAB /SIMULINK, Proceedings of
the World Congress on Engineering and
Computer Science 2008,WCECS 2008,
October 22 - 24, 2008, San Francisco, USA
.
[2] Francisco M. Gonzlez-Longatt,
Model of photovoltaic Module in
Matlab, (II CIBELEC 2005)
[3] Matlab and Simulink, The Mathworks,
Inc.
as
of
September
2010,
http://www.mathworks.com.
[4]http://ro.wikipedia.org/wiki/Energie_sol
ar%C4%83_fotovoltaic%C4%83