3

Conversia fotoelectric
a energiei
3.1. Efectul fotoelectric intern
Conversia fotoelectric a energiei folosete efectul fotoelectric intern, care const n
generarea unor perechi electron - gol ntr-un material semiconductor, atunci cnd acesta este
supus radiaiei unui flux luminos.
Radiaia electromagnetic, n particular radiaia luminoas primit de la soare, poate fi
reprezentat ca un flux de fotoni, fiecare foton fiind o particul (de mas nul) cu energia
Wf h ,

unde

(3.1)

h 6,6254 10 34 J s

este constanta lui Planck, iar este frecvena radiaiei luminoase.

Ciocnirea unui foton incident cu atomii reelei cristaline poate avea unul sau dou efecte:
fie energia fotonului este transmis reelei sub form de cldur, fie ea servete la extragerea
unui electron dintr-un atom al reelei cristaline a semiconductorului. Electronul astfel eliberat
reprezint o sarcin electric liber, iar sarcina pozitiv astfel rezultat poate fi ocupat de
electroni ai atomilor vecini i astfel deplasat, manifestndu-se ca un gol pozitiv mobil. O
asemenea generare de pereche electron gol poate avea loc numai dac energia fotonului
incident depete un anumit prag,
h Wi ,

(3.2)

unde Wi este o mrime caracteristic fiecrui material semiconductor.

Generarea unor purttori de sarcin electric liber suplimentari are ca efect direct doar
creterea conductivitii electrice a materialului semiconductor iluminat, dar nu are nici o
contribuie n sensul unei conversii a energiei radiante n energie electric. Efectul fotoelectric
intern are drept consecin conversia fotoelectric a energiei numai dac are loc n aa numita
regiune de barier a unei jonciuni semiconductoare P N.
Prezena regiunii de barier ntr-un monocristal semiconductor influeneaz i
comportarea acestuia atunci cnd este supus iluminrii cu o radiaie electromagnetic
(luminoas) de frecven susceptibil a determina manifestarea unui efect fotoelectric intern n
semiconductor,

Ei
.
h

(3.3)

Dac generarea, indus de radiaie, a unei perehi electron - gol are loc ntr-o regiune
neutr, atunci purttorii de sarcin liberi rezultai sunt supui unui lent proces de difuzie, iar
purttorii de sarcin minoritari se recombin rapid cu purttorii majoritari prezeni n regiunea
respectiv, anulnd astfel efectul generrii. Dac ns generarea unei perechi electron - gol are
loc n apropierea jonciunii P - N, adic n regiunea barierei de potenial, unde purttorii
majoritari sunt aproape abseni, atunci electronul i golul sunt instantaneu separai de cmpul
55

electric coulombian prezent i mpini, fiecare, ctre regiunea n care sunt majoritari: golurile
ctre regiunea de tip P, electronii ctre regiunea de tip N.
O dat ajuni n regiunile neutre, aceti purttori n exces sunt supui unui proces de
difuzie ctre contactele domeniilor respective, determinnd prin structura semiconductoare un
curent electric generat, de intensitate Ig, orientat dinspre domeniul N ctre domeniul de tip P (fig.
3.1).
Acest efect fotovoltaic direct generarea de energie electromagnetic pe seama energiei
radiante incidente este nsoit ns i de un efect parazit. Structura semiconductoare este de fapt

Ig
i

Ec
R

id

ud
u

Fig. 3.1
o diod semiconductoare. Cnd contactele structurii sunt conectate printr-un receptor, nchiderea
curentului generat prin aceasta determin apariia unei tensiuni ntre bornele diodei, orientat n
sens direct, adic dinspre regiunea de tip P ctre regiunea de tip N. n aceast situaie dioda
semiconductoare conduce un curent direct id, n sens opus curentului generat Ig. Intensitatea
urentului prin structur, cu sensul de referin dinspre materialul de tip N ctre materialul de tip
P, rezult:
i = Ig id.

(3.4)

Pentru o structur dat, intensitatea curentului generat Ig depinde de fluxul radiant

incident, n timp ce intensitatea curentului direct id al diodei semiconductoare depinde de
tensiunea ud la bornele ei, adic de regimul de funcionare.
Aceast structur semiconductoare constituie cel mai simplu generator fotoelectric
denumit i generator fotovoltaic.

3.2. Generatorul foteelectric

3.2.1. Caracteristica extern i scheme echvalente
n relaia (3.4), intensitatea curentului generat Ig, determinat de interaciunea radiaie
semiconductor i de structura dispozitivului, depinde de intensitatea energetic a fluxului radiant
incident i poate fi considerat ca fiind independent de tensiunea la borne. Pe de alt parte,
admind, pentru simplificare, modelul unei jonciuni semiconductoare abrupte (n care este
prezent o tranziie brusc de la domeniul P la domeniul N) intensitatea curentului direct prin
dioda semiconductoare depinde de tensiunea la borne conform relaiei:

56

ud
1 ,
i d I 0 exp
A UT

(3.5)

unde: ud este tensiunea electric aplicat n sens direct jonciunii P - N; I 0 este intensitatea
curentului electric invers de saturaie al jonciunii P - N; A este o constant numeric de ordinul
unitii; reprezint tensiunea termic echivalent temperaturii de funcionare.
Tensiunea electric ud aplicat direct jonciunii P - N nu este chiar tensiunea electric u
sesizat la contactele generatorului; aceasta din urm include, pe lng tensiunea u d, i cderea
r
Ig

i(mA)
i

id

ud
u(V)
a

b
Fig. 3.2

de tensiune interioar determinat de curentul i pe rezistena echivalent r a regiunilor

semiconductoare P i N neutre. Schema electric echivalent a generatorului fotoelectric este
reprezentat n figura 3.2, a, creia i corespunde ecuaia implicit a caracteristicii externe i(u)
(fig. 3.2, b),

u ri
1 .
i I g I 0 exp
A UT

(3.6)

Caracteristica extern (3.6) poate fi scris n forma explicit, ca dependena tensiunii la

borne u de intensitatea curentului i,
u ri
,
I g I 0 i I 0 exp
A UT

(3.7)

sau, prin logaritmare,

Ig

i
u A U T ln 1 r i .
I0 I0

(3.8)

La funcionarea n scurtcircuit (u = 0, cnd R = 0), se obine o ecuaie implicit pentru

intensitatea curentului de scurtcircuit

r Isc
1 ,
i u 0 Isc I g I 0 exp
A UT

(3.9)

care poate fi rezolvat printr-o metod iterativ.

57

Pentru valori uzuale ale rezistenei interne r (de ordinul ohmilor) i ale intensitii curentului
generat Ig (de ordinul miliamperilor) valoarea intensitii curentului de scurtcircuit este foarte
apropiat de cea a intensitii curentului generat,
I sc I g .

(3.10)

La funcionarea n gol (i = 0, cnd R ), pentru tensiunea de mers n gol U0 se obine:

U0
1 ,
0 I g I 0 exp
A UT

sau
Ig
1.

I0

U 0 A U T ln

(3.11)

n calculele uzuale se consider neglijabil cderea de tensiune intern a generatorului

(r = 0), obinndu-se astfel schema electric simplificat (fig. 3.3) i caracteristica extern
simplificat,

Ig

u
i I g I 0 exp
A UT

id

1 ,

(3.9)

respectiv,

ud

Ig i

(3.10)
u A U T ln 1 .
I
I
0
0

n acest caz, la funcionarea n scurtcircuit (u = 0)

Fig. 3.3
intensitatea curentului de scurtcircuit Isc este egal cu
cea a
curentului generat Ig, I sc I g , iar la funcionarea n gol
(i = 0), pentru tensiunea de mers n gol se obine aceeai valoare ca n cazul utilizrii
caracteristicii externe exacte (3.11).

3.2.2. Indicatori energetici

Utiliznd ecuaia aproximativ a caracteristicii externe (3.9), puterea electric cedat pe
la borne este:

u
1 .
Pb u u i u I g I 0 exp

A UT

(3.11)

Impunnd condiia de maxim,

dPb u
0,
du
i innd seama de expresia (3.11) a tensiunii de mers n gol U0, se obine:

sau, prin logaritmare, rezult:

58

UM
U0
UM
exp
exp
.
A UT
A UT
A UT

(3.12)

(3.13)


U
U M U 0 A U T ln 1 M .
A UT

(3.14)

Valoarea UM a tensiunii pentru care puterea la borne este maxim se obine ca soluie a
ecuaiei neliniare (3.14). Pentru soluionarea ecuaiei (3.13) se poate folosi o metod iterativ,

U n 1
n
U M
U 0 A U T ln 1 M ,

A UT

(3.15)

pornind de la o valoare iniial U M0 U 0 .

Odat determinat valoarea tensiunii la borne UM care asigur o putere maxim cedat pe
la borne, intensitatea curentului IM debitat de generator n aceste condiii este:

UM
1 ,
I M I g I 0 exp
A UT

(3.16)

sau folosind ecuaia (3.14),

IM

U M Ig I0
.
UM A UT

(3.17)

Corespunztor se obine valoarea RM a rezistenei receptorului crui i este transmis

puterea electric maxim,
RM

U M U M A UT

IM
Ig I0

(3.18)

i puterea electric maxim PbM cedat pe la borne:

U 2M I g I 0
.
PbM U M I M
U M A UT

(3.19)

Randamentul conversiei fotoelectrice este raportul dintre puterea electric P b = ui cedat

de generator pe la borne i puterea radiant P r primit, incident pe suprafaa iluminat a
generatorului:
P
b .
Pr

(3.20)

Dac n (m-2s-1) este densitatea fluxului de fotoni incident (numrul de fotoni sosii pe
secund pe unitatea de suprafa la inciden normal), S este aria suprafeei totale iluminate a
generatorului, iar e E f h este energia medie a unui foton incident (Ef reprezentnd tensiunea
echivalent energiei unui foton incident), atunci puterea radiant incident maxim (la inciden
normal) este:
PrM n S e E f .

(3.21)

Puterea radiant poate fi exprimat n funcie de intensitatea curentului generat prin efect
fotoelectric. ntr-adevr, dac se introduc urmtorii coeficieni: K0 coeficient de utilizare a
suprafeei, adic fraciunea din suprafaa dispozitivului supus iluminrii care nu este acoperit
de straturi opace (astfel nct aria suprafeei iluminate active este S a = K0S); K1 coeficient de
59

reflexie al suprafeei semiconductorului iluminat; K2 coeficient de transparen, adic

fraciunea din numrul de fotoni incideni care ajung n regiunea de barier a dispozitivului; K 3
coeficient de generare, adic fraciunea din numrul de fotoni ajuni n regiunea de barier care
genereaz o pereche electron gol, intensitatea curentului generat se poate scrie sub forma:
I g e n S K 0 1 K1 K 2 K 3 ,

(3.22)

iar puterea radiant maxim (3.212) devine:

PrM

E f Ig
.
K 0 1 K1 K 2 K 3

(3.23)

Randamentul maxim (la putere pe la borne maxim, pentru inciden normal) este:
P
U I
M bM K 0 1 K1 K 2 K 3 M M ,
PrM
E f Ig

(3.24)

sau, innd seama de expresia (3.19) a puterii maxime cedate pe la borne,

M K 0 1 K1 K 2 K 3

U 2M I g I 0
.
E f Ig U M A U T

(3.25)

3.2.3. Construcia generatoarelor fotoelectrice

Structura tipic a celui mai simplu generator fotoelectric este reprezentat n figura 3.4,
pentru care dimensiuni tipice sunt grosimea stratului semiconductor superior (transparent) de
ordinul a zece microni, grosimea stratului semiconductor
inferior de ordinul a o sut de microni i pentru care sunt
prevzute contacte din argint, indiu sau nichel. Pentru
folosirea ct mai deplin a energiei radiaiei incidente,
regiunea semiconductoare superioar este acoperit cu un
strat antireflectant ct mai transparent, iar ntre regiunea
semiconductoare inferioar i contactul inferior este plasat un
strat conductor reflectant.
Asigurarea unei tensiuni la bornele sarcinii la niveluri
uzuale necesit nserierea unor generatoare fotoelectrice
Fig. 3.4
elementare. Soluia cea mai simpl este nserierea unor
generatoare elementare plasate alturat, pe aceeai suprafa
plan supus iluminrii. Dezavantajul este acela al ocuprii
unei suprafee importante pentru asigurarea numrului de generatoare elementare necesar
asigurrii tensiunilor dorite.

60

O alt soluie este cea a folosirii unor construcii de tip sandwich (fig. 3.5): structuri de
tipul generatorului elementar, dar cu ambele contacte acoperind total fiecare regiune de tip P sau
N, sunt plasate una peste alta. O prim variant este cea cu iluminare lateral a structurii de tip
sandwich, n care caz n fiecare generator fotoelectric elementar generarea de curent este inegal;

PNPNPN

P
N
P
N
P
N

PNPNPN

P
N
P
N
P
N

P
N
P
N
P
N

Fig. 3.5
mai mare ctre suprafaa iluminat i mai mic n regiunile deprtate de aceast suprafa. O a
doua variant este cea a iluminrii prin transparen, n care caz toate straturile semiconductoare,
ca i cele ale contactelor conductoare trebuie s fie ct mai subiri pentru a asigura o transparen
suficient, astfel nct i generatorul de baz s poat contribui semnificativ la tensiunea total a
gruprii sandwich. Deoarece numrul de generatoare elementare ntr-o astfel de structur tip
sandwich este mic (2 4), mai multe asemenea structuri sunt plasate alturat pe aceeai suprafa
plan i nseriate pentru atingerea nivelului dorit de tensiune.

3.3. Sisteme fotoelectrice

3.3.1. Tipuri de sisteme fotoelectrice
Exista trei tipuri de sisteme fotoelectrice: sisteme autonome, hibride si conectate la retea.
A. Sisteme autonome
Cele mai importante aplicatii fotovoltaice sunt sistemele autonome pentru zonele izolate
(pentru alimentarea unor statii de transmisie, pompe de ap, sisteme de semnalizare, staii de
msur, locuine izolate). n aceste cazuri, ntreinerea uoar i completa independen fac i
mai atractive utilizarea
Panouri
soluiilor de alimentare cu
solare
sisteme fotovoltaice. Din
acest
motiv,
aplicaiile
Rezervor
fotovoltaice autonome pot
Convertor
avea o dispersie foarte mare,
static
Consumatori
chiar i n rile mai puin
Pomp
dezvoltate care nu au o
infrastructur dezvoltat.
Sistemele autonome se
Surs de ap
bazeaz doar pe energia
solar pentru a asigura
necesarul
de
energie
Fig. 3.6
electric. Ele pot conine
acumulatoare
care
nmagazineaz energia produs pe timpul zilei, furniznd-o pe durata nopii sau cnd radiaia
solar este insuficient. Acest tip de sistem, poate, de asemenea, s corespund nevoilor unei
aplicaii (cum ar fi pomparea apei, fig. 3.6), fr s se utilizeze acumulatoare. Ca regul general,
sistemele FV autonome se instaleaz acolo unde reprezint sursa cea mai economic de energie
61

electric. Oricnd se poate opta, din motive de mediu, sau pentru a asigura un sistem mai fiabil
fr conectare la reea, pentru un sistem hibrid.
B. Sisteme hibride
Sistemele hibride (fig. 3.7), care sunt, de asemenea, independente de reeaua electric de
distribuie, se compun dintr-un generator fotoelectric, asociat cu o eolian sau grup electrogen cu
motor cu ardere intern, sau cu ambele. Un astfel de sistem se dovedete util n cazul aplicaiilor
care necesit alimentarea continu cu putere relativ mare, n cazul n care nu este suficient
lumina pe durata unor perioade ale anului sau pentru reducerea investiiei n ceea ce privete
modulele fotoelectrice i bateriile de acumulatori.
C. Sisteme conectate la reea
Sistemele fotoelectrice de producere a energiei, conectate la reea (fig. 3.8), sunt
rezultatul tendinei de descentralizare a reelelor electrice. Energia este produs mai aproape de
locul unde se consum i nu numai n termocentrale sau hidrocentrale mari.
n timp, sistemele conectate, vor reduce necesitatea creterii capacitaii liniilor de
transport i distribuie. Un sistem conectat la reea asigur necesarul local de energie electric, iar
eventualul excedent l debiteaz n reea; acest
transfer, elimin necesitatea achiziionarii i
Panouri
ntreinerii bateriilor de acumulatoare.
solare
Sistemele mai mari presupun un invertor de
putere mare ce poate fi conectat la mai multe
panouri (ca n cazul sistemelor neconectate la
Repartitor
reea). Curentul continuu este transformat n
Reea
curent alternativ, sincronizat cu reeaua. Cea
mai mare parte a costului unui sistem conectat
Convertor
Alimentare
la reea o reprezint fabricaia modulelor
c.c. c.a.
consumatori
sinusoidal
fotoelectrice din componena acestuia. Aceste
costuri au cunoscut reduceri importante pe
Fig. 3.8
parcursul ultimilor ani i este de ateptat ca
aceast tendin s continue. n consecin,
acest tip de sistem devine din ce n ce mai abordabil:
n unele regiuni urbane cu climat cald, costul kWh de electricitate produs de sistemele
fotoelectrice conectate la reea, este comparabil cu cel produs prin alte metode "clasice";
n regiunile cu radiaie solar redus, acest tip de sistem este mai puin interesant.
Exista un cert potenial al pieei de sisteme rezideniale fotoelectrice conectate la reea,
dar trebuie ca preul lor s mai scad, pentru a putea deveni competitive economic cu distribuia
"clasic" de energie, relativ ieftin i disponibil.
Funcia principal a convertoarelor electronice care interfaeaz sistemele de panouri
solare (fotovoltaice) este aceea de a converti tensiunea de c.c. generat n tensiune de c.a. pentru
Panouri
solare
Regulator

Convertor
c.c. c.a.
Consumatori c.a.

ncrctor
electronic
Grup
electrogen

Consumatori c. c.
Baterie
Consumatori c.a.

Fig. 3.7
62

utilizatorul local (funcionare autonom) sau pentru conectarea la reeaua electric. n mod
obinuit, valoarea tensiunii generate de sistemul de panouri solare trebuie s fie ridicat folosind
convertoare c.c. c.c. nainte de a fi convertit n tensiune de c.a. compatibil cu reeaua
electric. Conversia n tensiune de c.a. cu frecvena de 50Hz se face n invertoare electronice.
Tensiunea i curentul de ieire al unui panou solar pot fi astfel controlate nct s fie optimizate
n funcie de condiiile de nsorire.
Algoritmul de control dezvoltat n acest scop, denumit MPPT (Maximum Power Point
Tracking - urmrirea punctului de putere maxim) optimizeaz sistemul astfel nct s se extrag
n mod constant puterea maxim disponibil n condiii de nsorire variabile. Procesul de reglare
MPPT i de ridicare a valorii tensiuni de ieire se face n convertoare c.c. c.c., iar procesul de
conversie n tensiune de c.a. i de adaptare la parametrii reelei electrice se face n invertoare.
3.3.2. Sisteme de configurare a panourilor solare
n panourile solare, modulele de celule fotoelectrice se conecteaz n iruri pentru a mri
energia electric produs. Sistemele de panouri pot fi structurate n diverse configuraii. Fiecare
configuraie necesit o anumit componen a electronicii de putere care interfaeaz sistemul la
reaeaua electric. Panoul solar poate fi apoi conectat la reeaua electric prin intermediul
invertoarelor care convertesc puterea de c.c. generat de panou n putere de c.a. Cel mai simplu
mod de conectare este cel cu invertor centralizat prezentat n fig.3.9. Invertoarele care
intrefaeaz panourile solare la reeaua electric ndeplinesc mai multe funcii:
convertesc puterea de c.c. generat n putere de c.a. compatibil cu reeaua electric;
asigur adaptarea la parametrii reelei electrice i izolarea panoului solar n caz de
funcionare necorespunztoare a interfeei;
monitorizeaz tensiunea de ieire a panoului i realizeaz algoritmul de reglare MPPT
pentru a capta maximum de putere. Algoritmul MPPT menine funcionarea panoului solar la
randament maxim n condiii de funcionare la nivele de nsorire variabile.
Principalul avantaj al configuratie din fig. 3.9 este costul redus, deoarece invertorul este o

PS

PS

PS

PS

PS

Convertor
c.c. c.a.
c.c
.

c.a
.

Reea

PS

Fig. 3.9
component scump. Un prim dezavantaj al acestei configuraii este c defectarea invertorului
scoate complet sistemul din funciune. Un alt dezavantaj l reprezint pierderile de putere care
apar pe diodele de intreconectare, din cauza curenilor de circulaie datorai diferenelor ntre
tensiunile de ieire ale irurilor de panouri.

63

n fig. 3.10 este prezentat configuraia unui sistem de panouri solare conectate n serie
formnd iruri de panouri. n mod obinuit un ir conine 15 panouri. irurile de panouri sunt
conectate la reaeaua electric prin invertoare individuale. Principalul avantaj al acestei
configuraii este eliminarea pierderilor de putere produse pe diodele de interconectare a irurilor

PS
PS

Invertor
c.c. c.a.
c.a
c.c .
.

PS

PS
PS

Invertor
c.c. c.a.
c.a
c.c .
.

Reea

PS

Fig. 3.10
i faptul c fiecrui ir i se poate asocia propriul sistem de urmrire a punctului de putere
maxim. Acest ultim avantaj este util n special n cazul n care diversele iruri de panouri sunt
montate pe suprafee fixe cu orientri diferite. Dezavantajul acestei configuraii rezid n costul
ridicat al invertoarelor suplimentare.
Tensiunea preluat de pe panourile solare poate fi suficient de mare pentru a nu mai fi
necesar creterea nivelului su naintea aplicrii la invertoare. Totui, deoarece costul panourilor
solare este ridicat, de cele mai multe ori este necesar creterea tensiunii naintea aplicrii la

PS
PS

PS

Convertor
c.c. c.c.
c.c
c.c .
.

PS
PS

Convertor
c.c. c.c.

Invertor
c.c. c.a.

c.c
c.c .
.

c.a
c.c .
.

Reea

PS

Fig. 3.11
invertor pentru a permite reducerea numrului de module conectate n serie.
n configuratia din fig. 3.11, fiecare ir de panouri este conectat la propriul convertor c.c.c.c. care produce ridicarea tensiunii. Ieirile convertoarelor c.c. c.c. sunt conectate la un
invertor comun.
n configuraia din figura 3.12 fiecare modul este conectat la propriul invertor. Din acest
motiv configuraia este denumit configuraie cu module de c.a. Avantajul acestui tip de sistem
este uurina cu care pot fi adugate noi module, deoarece fiecare modul are propriul invertor
c.c. c.a., iar conectarea la reea se face prin punerea n paralel a ieirilor de c.a.
Aceast configuraie asigur o bun siguran n funcionare. Modulul defect poate fi uor izolat.
Este o configuraie foarte flexibil i uor de implementat. Costul sistemului este considerat n
64

prezent prohibitiv din cauza numrului mare de invertoare necesare. i n cazul acestei
configuraii pierderile de putere cauzate de diferenele ntre module sunt eliminate.
Modul 1
c.a.
c.c.

PS

Modul 2
c.a.
c.c.

PS

Reea

Modul 3
c.a.
c.c.

PS

Fig. 3.12

3.4. Topologii de convertoare electronice de putere

Topologiile de convertoare electronice de putere pot fi clasificate dup numrul etajelor
de conversie, dup poziionarea condensatoarelor de filtrare, dup prezena sau absena
Invertor

PS

PS

PS

PS

PS

PS

Transformator
monofazat.
Reea

Fig. 3.13
transformatoarelor de putere sau dup modul de interfaare cu reeaua electric.
Clasificarea de baz se face dup numrul de faze la ieirea invertorului.
3.4.1. Invertoare monofazate cu o singur conversie
Topologia de baz de invertor pentru panourile solare cu invertor monofazat autooscilant
este prezentat in figura 3.13. Ieirile de c.c. ale irurilor de panouri solare sunt aplicate unui
condensator de filtrare. Condensatorul de filtrare are rolul de a limita armonicele de curent care
se pot propaga n irurile de panouri solare. Tensiunea filtrat de condensator este aplicat unui
invertor n punte prevzut la ieire cu o inductan pentru a reduce armonicele de nalta frecven
care se propag n reeaua electric. Tensiunea de c.a. este produs printr-o strategie de comand
65

a comutatoarelor din puntea invertorului astfel nct la ieirea invertorului se obin impulsuri
pozitive sau negative care corespund cu alternana pozitiv i respectiv negativ a tensiunii
sinusoidale de c.a. Pentru a obine o funcionare cu un factor de putere apropiat de unitate,
impulsurile de comand pentru comutatoarele de putere din invertor sunt obinute prin
compararea tensiunii de ieire a invertorului cu o tensiune de referin. Sincronizarea ntre
tensiunea de reea i tensiunea de ieire a invetorului se realizeaz cu o bucla de calare pe faza
PLL (Phase Locked Loop). Ieirea invertorului este conectat la reaeaua electric prin
intermediul unui transformator de separare galvanic. Exist cteva neajunsuri ale acestei
topologii, unul dintre ele fiind acela c modulele sunt conectate la acelai dispozitiv de reglare a
punctului de putere maxim MPPT. Din acest motiv se produc pierderi substaniale de putere n
perioadele cu nsorire parial.
3.4.2. Invertor monofazat cu dubl conversie
Pentru a evita transformatoarele de joas frecven, de dimensiuni mari i cu un cost
ridicat, n sistemele cu panouri solare sunt intens utilizate topologiile cu dou etaje de conversie.
n cele mai multe cazuri aceast topologie const din invertoare c.c. c.a. cu modulaie n durat
a impulsurilor, care se conecteaz la reaeaua electric i convertoare c.c. - c.c. pentru ridicarea
Punte
redresoare

Invertor

PS

Punte cu
tiristoare

Transformator
de nalt
frecven
Reea

PS
PS

Fig. 3.14
tensiunii obinute de la panoul solar. n convertoarele c.c. c.c. este implementat i sistemul de
urmrire a punctului de putere maxim (MPPT). Invertoarele c.c. c.a. controleaz curentul
injectat n reeaua electric cu ajutorul modulaiei PWM (Pulse Width Modulation). Un exemplu
de schem cu dubl conversie este prezentat n figura 3.14, unde se utilizeaz un transformator
de nalt frecven pentru conectarea la reeaua electric monofazat. Tensiunea de c.c. este
aplicat unui invertor n punte care genereaz o tensiune de nalt frecven n primarul
transformatorului. Tensiunea din secundarul transformatorului este aplicat unei puni redresoare
a crei ieire este interfaat cu reeaua electric de o punte cu tiristoare comutate cu frecvena
reelei. Curentul injectat n reeaua electric trebuie s fie sinusoidal i n faz cu tensiunea de
reea. Pentru reglarea curentului este necesar o tensiune de referin care se obine din tensiunea
de reea. Amplitudinea curentului injectat este determinat de sistemul de urmrire a punctului de
putere maxim. Pentru reglarea invertorului se folosesc regulatoare de curent.
3.4.3. Invertoare trifazate
Pentru sistemele de puteri mari (peste 10 kW) sunt utilizate invertoare trifazate. Toate
configuraiile descrise pentru invertoarele monofazate pot fi aplicate i n cazul invertoarelor
trifazate. n mod similar, pentru separarea galvanic fa de reeaua electric se pot utiliza
transformatoare de frecvena reelei sau transformatoare de nalt frecven. n acest ultim caz
66

este necesar un convertor suplimentar care s converteasc tensiunea de c.c. a panourilor solare
n tensiune de nalt frecven.
n figura 3.15 este prezentat o schem tipic de invertor trifazat cu transformator de
reea. Tensiunea de c.c. de la panourile solare este aplicat unui condensator de filtrare.
Invertor trifazat

PS

PS

PS

PS

PS

PS

Transformator
trifazat

Fig. 3.15
Tensiunea de pe condensatorul de filtrare este conectat la un invertor trifazat cu intrare n
tensiune. Ieirea fiecrei faze este conectat la un filtru LC care reduce armonicele de nalt
frecven injectate n reeaua electric. Formele de und sinusoidale ale tensiunii de ieire a
invertorului sunt obinute printr-o strategie adecvat de comand. Pentru conectarea invertorului
la reeaua electric se utilizeaz un transformator de reea trifazat.
n invertoarele moderne, pentru separarea galvanic fa de reeaua electric se utilizeaz
transformatoare de nalta frecven. n schema din figura 3.16 transformatorul de nalt frecven
Convertor
c.c. c.c.

PS
Invertor
trifazat

PS
PS

PS
PS
Reea

PS

Fig. 3.16
67

este integrat n convertorul c.c. c.c. O astfel de topologie este recomandabil pentru
configuraiile multiiruri, n care irurile sunt conectate n paralel la intrarea unui invertor
trifazat comun.
3.4.4 Schema general (electronica de putere i electronica de comand) a unui
sistem de conversie cu panouri solare
n forma cea mai general, sistemul de conversie cu panouri solare include un convertor
c.c. c.c. cu transformator de nalt frecven i un invertor, dup cum se prezint simplificat in
figura 3.17. n convertorul c.c. c.c. nivelul tensiunii preluate de la panourile solare este ridicat
pn la valoarea cerut de invertor. Tot n convertorul c.c. c.c. este implementat funcia de
urmrire a punctului de putere maxim MPPT. Invertorul controleaz puterea injectat n reea i
realizarea unui factor de putere unitar. Convertorul c.c. c.c. const dintr-un invertor n punte,
un transformator de nalt frecven i un redresor. Tensiunea redresat este aplicat unui invertor
trifazat conectat la reeaua electric.
Funcia de urmrire a punctului de putere maxim este esenial pentru funcionarea
optim a unui sistem de conversie cu panouri solare. Algoritmul de reglare este n general
complex. Au fost propuse multe metode de reglare MPPT. n figura 3.17 este prezentat o
metod simpl i eficient care implic numai msurarea tensiunii i curentului produse de irul
de panouri.
Schema de control a invertorului include o bucl intern de reglare a curentului i o bucl
extern de reglare a puterii.

Fig.3.17

3.5. Concluzii
Sistemele de conversie fotoelectric a energiei prezint cteva dezavantaje n comparaie
cu soluiile clasice de conversie:
necesit investiii mari, deoarece folosesc materiale i dispozitive ce presupun o
tehnologie costisitoare;
trebuie folosite n asociere cu sisteme de baterii electrice care stocheaz energia generat
spre a fi folosit n perioadele de absen a iluminrii;

68

asociate cu sisteme de baterii electrice necesit, n plus, echipamente de control a

regimurilor de ncrcare/descrcare i de reglare a parametrilor electrici (tensiune, curent)
n aceste regimuri;
puterea furnizat este puternic influenat de regimul de iluminare, care scap de orice
predicie i control.
Pe de alt parte, sistemele de conversie fotoelectrice prezint i unele avantaje
semnificative n raport cu alte procedee de conversie a energiei:
folosesc o energie primar (radiaia solar) absolut gratuit, iar generarea fotoelectric a
energiei este absolut nepoluant;
prezint structur compact, fr piese n micare, sunt foarte sigure n funcionare i
relativ uor de ntreinut, reprezentnd o soluie optim pentru alimentarea cu energie
electric a unor sisteme i instalaii izolate;
prezint valori foarte bune ale raportului putere generat per mas i per arie, n raport cu
alte variante de conversie, la randamente energetice care tind ctre 30%;
pot fi folosite n sisteme de temperatur ridicat, cu concentrare a radiaiei, n asociere cu
generatoare termoelectrice, ceea ce mrete randamentul total de conversie a energiei.

69