SILICIUL.

TEHNOLOGII DE OBTINERE SI UTILIZARI INDUSTRIALE

I) Introducere
In practica, toate aceste domenii sunt puternic interdependente. Figura 1 prezinta diferitele profesii legate de
semiconductori, permitand intelegerea diferitelor legaturi care exista intre tehnologii ce lucreaza asupra unui
procedeu si mediul in care acestia activeaza.

Figura 1: profesiile legate de semiconductori prezentate pornind de la o sinoptica simplificata a unui ciclu de
fabricatie. Tehnologia microelectronica este plasata in centrul unui mare numar de activitati diverse.

II) Procedee tehnologice: etape si filiere

Pentru fabricarea unui circuit integrat, tehnologia microelectronica pune in aplicare un numar important de
etape tehnologice elementare. Etapele pe care le vom studia fac posibila evoluetia materiei din starea sa
naturala dezordonata (nisip) catre o structura de mare complexitate si ordonata pana la limita posibilului.
Principalele etape ce vor fi abordate in cele ce urmeaza sunt:
* purificarea siliciului,
* fabricarea cristalului de siliciu,
* fabricarea plachetelor de siliciu,
* epitaxia,
* procedeele de dopare: difuzie si implantare de dopant,
 * oxidarea: aceasta etapa reprezinta o specificitate a materialului Siliciu,
* depunerile: - depunerea de materiale semiconductoare,
- depunerea de materiale izolante,
- depunerea de materiale conductoare,
* gravarea: - gravarea chimica (umeda),
- gravarea uscata,
* fotolitogravura.

Partea finala a cursului consta in a asambla aceste etape in secvente precise, care sa permita definirea unui
procedeu complet fabricatie a unui circuit integrat.
Vom numi "filiera technologica" un ansamblu de etape ai caror parametri si a caror succesiune au fost
stabilite de un fabricant si pe care acesta le va aplica pentru a fabrica componente de mai multe tipuri. Acest
demers este impus de complexitatea mare a unui procedeu de fabricatie complet (carte poate sa contina peste
400 de etape elementare). Aceasta explica totodata de ce un fabricant este constrans sa ramana "in filiera lui",
adica sa modifice cat mai putin posibil secventele sau etapele pe care le-a pus la punct in timp, pana la
perfectiune.
O filiera tehnologica este deci legata de realizarea unui tip de circuite integrate. Ea consta in alegerea precisa
a unui numar de etape tehnologice elementare si inlantuirea lor intr-o secventa bine stabilita. Vom vedea in
finalul cursului mai multe exemple de filiere tehnologice : NMOS, CMOS, bipolara, BiCMOS, etc..., fiecare
corespunzand unui tip particular de circuite, dar reprezentand totodata si specificul unui anumit fabricant.
Ciclul complet de fabricatie poate fi schematizat dupa cum se arata in figura 2. Pornind de la materia prima
(siliciu pur) se fabrica un lingou, iar apoi plachete care sunt supuse unui numar mare de etape tehnologice
elementare. Aceste etape se aplica uneori repetat, fluxul tehnologic formand cicluri (bucle). Spre exemplu
etapa de fotolitografie, care consta in a transfera un motiv distinct de pe o masca pe placheta, poate interveni
de un numar mare de ori in cursul fabricatie unui anumit circuit integrat. In tehnologiile recente pot interveni
pana la 15 fotolitografii pe parcurul fabricarii unui circuit.
Cand ciclul de fabricatie (constand in parcurgerea unui numar de etape, uneori in mod repetat) este incheiat,
plachetele sunt testate si apoi decupate. Decuparea, realizata dupa directia axelor cristalografice, permite
obtinerea cipurilor (structuri semiconductoare avand forma de mici dreptunghiuri). De notat ca, prin controlul
proceselor si ameliorarea randamentelor de fabricatie, cipurile au evoluat de la dimensiunea de 1 mm2 in
1970 la cativa cm2 in 1995.
Cipurile sunt apoi incapsulate (in capsule normalizate de circuit integrat), care vor fi la randul lor montate pe
circuite imprimate. In unele cazuri se monteaza mai multe cipuri in aceeasi capsula si se interconecteaza prin
trasee interne. Se limiteaza astfel numarul interconexiunilor externe. Acestea sunt numite circuite hibride si
pot avea mai multe sute de pini pentru conexiuni spre exterior. Circuitele sunt apoi montate direct pe placi
imprimate sau in conectori speciali (socluri).

Figura 2 : Ciclul de fabricatie simplificat al unui circuit integrat.

PURIFICAREA SILICIULUI
I) Sursele de siliciu
Siliciul exista in cantitate mare la suprafata globului terestru. Este al doilea material ca raspandire in scoarta
terestra: O2 (46%), Si (28%), Al (8%).
Temperatura sa de topire este de 1415 °C, adica destul de ridicata, iar afinitatea sa chimica este puternica la
temperaturi mari. Sursele naturale de Si sunt in principal silicatii (nisip, etc...), dar si zirconul, jadul, mica,
quartz-ul, deci diverse materiale continand in esenta SiO2 (silice). Siliciul exista esentialmente sub forma
oxidata si necesita pe de o parte sa fie redus, iar pe de alta parte sa fie purificat pana la stadiul numit "de
calitate electronica" sau EGS (Electronic Grade Silicon). Dificultatea in obtinerea siliciului consta in accea
ca silicea nu poate fi redusa simplu, folosind hidrogen, si deci trebuie gasita o tehnica adaptata de reducere
(cu carbon, la temperatura inalta).

II) Puritatea chimica ceruta

Calitatea electronica sau microelectronica este in fapt greu de obtinut si necesita aplicarea succesiva a unui
numar mare de etape de purificare. Sa ne amintim ca intreaga teorie a dispozitivelor semiconductoare este
construita in ipoteza unui cristal perfect sau cvasi-perfect. Notiunea de dopaj tine cont de faptul ca se poate
controla concentratia atomilor dopanti la nivelul de 1014 cm-3.
Chiar daca acest numar poate sa para mare, el este de fapt extrem de mic in raport cu numarul de atomi pe
unitatea de volum din reteaua cristalina. In cazul siliciului, cristalul contine 5.1022 atomi pe cm3. Aceasta
inseamna ca puritatea chimicaceruta trebuie sa fie mai buna de 10-9, adica de o parte la miliard (sau 0,001
ppm). Demersul va consta deci in a obtine, intr-o prima etapa, siliciu de calitate numita "metalurgica" sau
MGS (Metallurgic Grade Silicon), iar apoi in a purifica materialul pana la stadiul de puritate "electronica"
sau EGS (Electronic Grade Silicon).

III) Reducerea silicei

Intr-o prima etapa se efectueaza electroliza silicei topite intr-un cuptor cu arc electric. Se foloseste cuptorul
cu arc pentru a putea atinge temperatura inalta de topire a silicei. SiO2 este amestecat cu carbon (carbune).
Electrodul cuptorului cu arc este din grafit si se consuma in timpul procesului (figura 3). Bilantul global al
reactiei de reducere este urmatorul (in realitate rezultatul se obtine in urma unui numar mare de reactii
chimice intermediare) :
SiC(lichid) + SiO2 (lichid) ---> Si (lichid) + SiO (gaz) + CO (gaz)
Pentru a ilustra complexitatea proceselor ce au loc la temperatura inalta din cuptorul cu arc, iata cateva din
reactiile intermediare care au loc :
SiO + SiO2 ---> Si (solid) + SiO (gaz) + CO (gaz)
SiO2 + 2C ---> Si + 2CO
SiO2 + C ---> + SiO + CO
SiO + CO ---> SiO2 + C

Figura 3 : Electroliza silicei permitand obtinerea siliciului topit de calitate metalurgica

( dupa L. Crossman et J. Baker [1]).
Dupa aceasta operatie siliciul obtinut are puritatea de 98 %. Puritatea trebuie deci marita in continuare cu
multe ordine de marime, pana la a obtine un material utilizabil in microelectronica.

IV) Purificarea siliciului

Pornind de la siliciu de calitate metalurgica se efectueaza o purificare chimica. Una din metodele folosite
consta in a ingloba siliciul intr-un produs lichid la temperatura ambianta si in a distila apoi acest lichid. O
posibilitate este realizarea de halogenuri de siliciu ca produs intermediar lichid.
Producatorii mondiali de siliciu au dezvoltat o multitudine de metode: folosind tetraclorosilan - SiCl4 (cazul
firmelor Rhône-Poulenc, Westinghouse, Texas, Saint Gobain), sau diclorosilan - SiH2Cl2 (firma Wacker),
sau triclorosilan - SiHCl3 (firmele Siemens si Union Carbide). (Alte tehnici sunt bazate pe tetrafluorosilan -
SiF4 sau pe tetraiodura de siliciu - SiI4 ).
Exemplul prezentat in continuare ilustreaza producerea de triclorosilan prin pulverizare de siliciu solid in
acid clorhidric gazos (HCl) :
Si (solid) + 3HCl (gaz) ——300°C——> SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz)
Reactia cu clorul permite o prima purificare intrucat, spre exemplu, precipitatii clorati ai metalelor nu sunt
solubili in triclorosilan. O distilare (tip alambic) permite astfel obtinerea unei puritati superioare.
Acest triclorosilan purificat este in continuare redus, pentru a repune in libertate siliciul. Un astfel de reactor
este prezentat in figura 5. Reachtia chimica de bilant est urmatoarea :
SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) ——> Si (solid) + 3HCl (gaz)

Figura 4: Distilarea unui compus clorat al siliciului. Dupa distilare, la iesirea din reactor se obtine un depozit
de siliciu.
Figura 5: Schema unui reactor CVD pentru producerea siliciului de calitate electronica pornind de la SiHCl3
(dupa L. Crossman si J. Baker [1]).
Procedeul este in acest caz identic cu cel de depunere chimica in faza de vapori (CVD). Siliciul se depune
progresiv intr-un tub foarte lung, pornind de la un germene. Se obtin lingouri de Si cu structura policristalina,
cu diametrul de pana la 20 cm. Puritatea obtinuta este de ordinul a 1 ppm ( o parte la milion), ceea ce
corespunde unei concentratii de impuritati de ordinul 1016 cm-3.
Tabelul urmator da cateva exemple de concentratii reziduale, dupa inlaturarea principalelor impuritati sau a
elementelor dopante. In majoritatea cazurilor valorile sunt suficient de mici pentru ca materialul sa poata fi
utilizat in microelectronica. Pornind de la acest siliciu policristalin purificar se fabrica monocristalul.

Impuritati MGS (ppm) EGS (ppm)

Al 1570 -

B 44 <0,001

Fe 2070 4

P 28 <0,002

Sb - 0,001

Au - 0,00007
Figura 6: Concentratiile reziduale ale unor impuritati sau elemente dopante in siliciu, inainte si dupa
purificare (ppm: parti la milion). (dupa S.M. Sze[2])