TSS-ETMSS

partea intai

Procedee de acoperire cu
straturi subtiri
Tehnologiile de acoperire cu straturi subtiri se clasifica in
doua grupe:

1. Depuneri ce se pot realiza prin reactii chimice:

Depunere chimica de vapori (CVD)
Electrodepunere
Crestere epitaxiala
Oxidare termica

Aceste procese au ca scop producerea unui material solid pe un

substrat,direct din stare gazoasa sau lichida, prin reactii chimice.
Materialul solid nu este singurul produs care se formeaza din reactiile
chimice: exista produsi de reactie secundari care pot sa fie gaze, lichide
sau chiar solide.

2. Depuneri ce se pot realiza prin procese fizice:

Depunere fizica de vapori (PVD)
Evaporare
Sputtering
Turnare

Aceste procese au in comun faptul ca materialul solid este depus pe

substrat prin proces fizic, fara nicio reactie chimica.
 Tipuri de CVD
• CVD – Depunerea chimica din stare de
vapori
• APCVD – CVD la presiune atmosferica
(“Atmospheric Pressure CVD”)

• LPCVD – CVD la presiune joasa

(“Low Pressure CVD”)

• PECVD – CVD accelerata in plasma

(“Plasma Enhanced CVD”)

• HDCVD – CVD de inalta densitate

(“High Density CVD”)
 Depunere chimica de vapori la presiune
joasa (LPCVD)
Substratul este plasat in
interiorul reactorului, unde
sunt introduse gazele.
Principiul fundamental al
acestui proces este ca
reactia chimica are loc in
stare gazoasa. Produsul
acestei reactii este un
material solid care
condenseaza pe toate
suprafetele din interiorul
reactorului. Sistemele
LPCVD depun filme subtiri
pe ambele suprafete ale
cel putin 25 de placute, in
acelasi timp.
 Depunerea straturilor subtiri
prin electrodepunere
In procesele de
electroplacare, substratul
este plasat intr-o solutie
(electrolit). Cand este
aplicat un potential electric
intre suprafata
conductoare de pe
substrat (Catod, K) si un
electrod din platina (anod,
A), in lichid are loc un
proces redox care are ca
rezultat formarea de
material depus pe substrat
si generarea de gaz la
anod.
 Crestere epitaxiala din stare de vapori
“Vapor Phase Epitaxy” (VPE)
In acest proces, mai multe tipuri de gaze sunt introduse in reactor doar atunci cand
subtratul este incalzit. Temperatura substratului trebuie sa fie la cel mult 50 % din
punctul de topire a materialului ce se depune.

Un avantaj al acestei metode este viteza de crestere a materialului depus destul de

ridicata, urmata de formarea unor filme cu o grosime considerabila (>100µm).
Cresterea epitaxiala este o metoda larg utilizata in tehnologia de producere a
straturilor subtiri de siliciu depuse pe substrat izolator (SOI). Tehnologia este folosita
ca etapa primara de depunere a siliciului.
 Depunerea straturilor subtiri prin oxidare
termica
Oxidarea suprafetei substratului se efectueaza in atmosfera bogata in oxigen.
Temperatura este crescuta la 800° C-1100° C pentru a creste viteza procesului.
Cresterea filmului este impulsionata de difuzia oxigenului in subtrat, ceea ce
inseamna ca aceasta crestere se face in jos, in subtrat. Acest proces este limitat
natural la materialele care se pot oxida si care formeaza filme ce sunt constituite
din oxizii componentilor materialului substrat. Acesta este procesul clasic folosit
pentru depunerea unui strat subtire de dioxid de siliciu pe substrat de siliciu.
 Depunerea straturilor subtiri evaporare

In aceasta metoda,
subtratul este plasat intr-o
camera vidata, in care se
afla si sursa de material
ce urmeaza a fi depus.
Sursa de material este
incalzita pana la punctul
de temperatura la care sa
inceapa sa se evapore.
Vidul este necesar pentru
a facilita ca moleculele sa
se evapore liber in
camera, si sa
condenseze ulterior pe
toate suprafetele.
 Depunere prin pulverizare

Substratul este plasat intr-o camera vidata impreuna cu materialul-sursa, denumit

“tinta”, si un gaz inert (argon) se introduce la presiune joasa. Se creeaza o stare
plasmotica a gazului cu ajutorul unei surse (RF), determinand ionizarea gazului.
Ionii sunt accelerati intre suprafata si tinta, ce determina atomii sursei sa se
desprinda din material in forma de vapori, si sa condenseze pe toate suprafetele,
dar mai ales pe substrat.
 Acoperire cu strat subtire prin turnare
In acest proces, materialul ce va fi depus este dizolvat sub forma de lichid cu
ajutorul unui solvent. Materialul poate fi aplicat pe substrat prin spray-ere sau prin
rotire centrifugala. Odata ce se evapora solventul, pe substrat ramane depus un
strat subtire de material.

Aceasta metoda este foarte utilizata pentru materialele polimerice care pot sa fie
dizolvate in solventi organici si apoi depuse pe substrat.